JP2015152920A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は微細空間の外部に液晶が残留するのを防止することができる表示装置を提供する。【解決手段】 本発明による表示装置は、基板、基板の上に形成された画素電極、画素電極の上に画素電極と複数の微細空間を挟んで離隔されるように形成されたルーフ層、二つの微細空間の間に配置され、二つの微細空間のうちのいずれか一つの微細空間の第1端と重畳し、他の一つの微細空間の第2端と重畳しない遮光部材、微細空間の一部を露出させる注入口、微細空間を満たす液晶層、及び注入口を覆うようにルーフ層の上に形成されて微細空間を密封する封止膜を含むことを特徴とする。【選択図】 図4
Description
本発明は表示装置に関に関する。
液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極や共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板とその間に入っている液晶層からなり、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
液晶表示装置を構成する二枚の表示板は、薄膜トランジスタ表示板及び対向表示板であってもよい。薄膜トランジスタ表示板には、ゲート信号を伝送するゲート線とデータ信号を伝送するデータ線とが互いに交差して形成され、ゲート線及びデータ線と接続されている薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと接続されている画素電極などが形成される。対向表示板には遮光部材、カラーフィルタ、共通電極などが形成される。場合によっては、遮光部材、カラーフィルタ、共通電極が薄膜トランジスタ表示板に形成されることもある。
しかし、従来の液晶表示装置では二枚の基板が必須であり、二枚の基板上にそれぞれの構成要素を形成することによって、表示装置が重く、厚く、製造費用が多くかかり、製造工程時間が長くかかるなどの問題点があった。
本発明は前記のような問題点を解決するために案出したものであって、重量、厚さ、製造費用及び製造工程時間を減らすことができる表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態による表示装置は、基板、前記基板の上に形成された画素電極、前記画素電極の上に前記画素電極と複数の微細空間を挟んで離隔されるように形成されたルーフ層、二つの前記微細空間の間に配置され、前記二つの微細空間のうちのいずれか一つの微細空間の第1端と重畳し、他の一つの微細空間の第2端と重畳しない遮光部材、前記微細空間の一部を露出させる注入口、前記微細空間を満たす液晶層、及び前記注入口を覆うように前記ルーフ層の上に形成されて前記微細空間を密封する封止膜を含むことを特徴とする。
前記遮光部材は、前記画素電極の上に形成されてもよい。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記画素電極の上に形成された第1配向膜、前記ルーフ層の下に形成されたる第2配向膜、及び前記第1配向膜及び前記第2配向膜を接続する配向物質柱をさらに含んでもよい。
前記注入口は、前記微細空間の第1端の側面を露出させる第1注入口、及び前記微細空間の第2端の側面を露出させる第2注入口を含んでもよい。
前記配向物質柱は、前記第2注入口に隣接して形成されてもよい。
前記遮光部材は、前記第1注入口と重畳するように形成されてもよい。
前記遮光部材は、前記第2注入口と重畳しなくてもよい。
前記遮光部材は、前記配向物質柱と離隔されてもよい。
前記遮光部材は、前記画素電極より表面エネルギーがさらに高い物質を含んでもよい。
本発明の一実施形態による表示装置は、前記画素電極及び前記遮光部材の下に配置される第1絶縁層をさらに含んでもよい。
前記遮光部材は、前記第1絶縁層より表面エネルギーがさらに高い物質を含んでもよい。
前記複数の微細空間は、マトリックス形態に配置されてもよい。
前記二つの微細空間は、上下に隣接するように配置されてもよい。
前記画素電極と接続され前記二つの微細空間の間に形成されている薄膜トランジスタをさらに含んでもよい。
前記遮光部材は、前記薄膜トランジスタと重畳してもよい。
前記ルーフ層の下に形成されている共通電極をさらに含んでもよい。
前記のような本発明の一実施形態による表示装置は次のような効果がある。
本発明の一実施形態による表示装置は、表示装置の重量、厚さ、製造費用及び製造工程時間を減らすことができる。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は様々な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面において様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、基板などの部分が他の部分の“上”にあるという時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の構成要素がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるという時はその中間に他の構成要素がないことを意味する。
まず、図1を参照して本発明の一実施形態による表示装置について概略的に説明する。
図1は本発明の一実施形態による表示装置を示す上面図である。
本発明の一実施形態による表示装置は、ガラスまたはプラスチックなどのような材料を含む基板110を含む。
基板110の上には、ルーフ層(roof layer)360によって覆われている微細空間(microcavity)305が形成されている。ルーフ層360は行方向に延長され、一つのルーフ層360の下には複数の微細空間305が形成されている。
微細空間305はマトリックス形態に配置され、上下(垂直方向)に隣接した微細空間305の間には第1谷V1が位置しており、左右(水平方向)に隣接した微細空間305らの間には第2谷V2が位置している。
複数のルーフ層360は、第1谷V1を挟んで互いに分離されている。第1谷V1と接する部分で微細空間305はルーフ層360によって覆われておらず、外部に露出されてもよい。これを注入口307a、307bという。
注入口307a、307bは微細空間305の両側端に形成されている。注入口307a、307bは第1注入口307aと第2注入口307bを含み、第1注入口307aは微細空間305の第1端の側面を露出させるように形成され、第2注入口307bは微細空間305の第2端の側面を露出させるように形成される。微細空間305の第1端の側面と第2端の側面は互いに対向する。
各ルーフ層360は、隣接した第2谷V2の間で基板110から離れるように形成され、微細空間305を形成する。また、各ルーフ層360は第2谷V2では基板110に付着されるように形成され、微細空間305の両側面を覆うようにする。つまり、ルーフ層360は注入口307a、307bが形成されている第1端及び第2端の側面を除いた残りの微細空間305の側面を覆うように形成されている。
微細空間305の内部には、配向物質が固まった形態になされた配向物質柱15が形成されている。配向物質柱15は微細空間305の一側端に形成されており、第2注入口307bと隣接するように形成されている。配向物質柱15によって第2注入口307bの少なくとも一部は遮断される。但し、本発明はこれに限定されず、配向物質柱15が第1注入口307aと隣接するように形成されてもよい。つまり、配向物質柱15は、微細空間305の内部空間を露出する二つの注入口307a、307bのうちのいずれか一つと隣接するように形成される。
隣接した二つの微細空間305の間には、第1遮光部材225が形成されている。第1遮光部材225は上下に隣接した二つの微細空間305の間に位置する第1谷V1に形成される。第1遮光部材225は隣接した二つの微細空間305のうちのいずれか一つの微細空間305の第1端とは重畳し、他の一つの微細空間305の第2端とは重畳しない。図示されているように、第1遮光部材225は第1谷V1の下側に位置する微細空間305の上側端と重畳し、第1谷V1の上側に位置する微細空間305の下側端とは重畳しなくてもよい。
つまり、第1遮光部材225は、隣接した二つの微細空間305のうちのいずれか一つの微細空間305にさらに近いように非対称に形成されている。本発明の一実施形態で、配向物質柱15が第2注入口307bと隣接するように形成される時、第1遮光部材225は第2注入口307bとは重畳せず、第1注入口307aと重畳するように形成される。これとは反対に、配向物質柱15が第1注入口307aと隣接するように形成されると、第1遮光部材225は第1注入口307aとは重畳せず、第2注入口307bと重畳するように形成される。
前記で説明した本発明の一実施形態による表示装置の構造は例示に過ぎず、多様な変形が可能である。例えば、微細空間305、第1谷V1、及び第2谷V2の配置形態の変更が可能であり、複数のルーフ層360が第1谷V1で互いに接続されてもよく、各ルーフ層360の一部が第2谷V2で基板110から離れるように形成され、隣接した微細空間305が互いに接続されてもよい。
以下、図2を参照して本発明の一実施形態による表示装置の一画素について概略的に説明する。
図2は本発明の一実施形態による表示装置の一画素の等価回路図である。
本発明の一実施形態による表示装置は、複数の信号線121、171h、171lとこれらの信号線に接続されている複数の画素PXを含む。複数の画素PXは、複数の画素行と複数の画素列とを含むマトリックス形態で配置されてもよい。
各画素PXは、第1副画素PXa及び第2副画素PXbを含んでもよい。第1副画素PXa及び第2副画素PXbは、上下(垂直方向)に配置されてもよい。この場合、第1副画素PXaと第2副画素PXbとの間には画素行方向に沿って第1谷V1が配置されてもよく、複数の画素列の間には第2谷V2が配置されてもよい。
信号線121、171h、171lは、ゲート信号を伝達するゲート線121、互いに異なるデータ電圧を伝達する第1データ線171h及び第2データ線171lを含む。
画素PXは、ゲート線121及び第1データ線171hに接続されている第1スイッチング素子Qh、及びゲート線121及び第2データ線171lに接続されている第2スイッチング素子Qlを含む。
第1副画素PXaには第1スイッチング素子Qhと接続されている第1液晶キャパシタClchが形成されており、第2副画素PXbには第2スイッチング素子Qlと接続されている第2液晶キャパシタClclが形成されている。
第1スイッチング素子Qhの第1端子はゲート線121に接続されており、第2端子は第1データ線171hに接続されており、第3端子は第1液晶キャパシタClchに接続されている。
第2スイッチング素子Qlの第1端子はゲート線121に接続されており、第2端子は第2データ線171lに接続されており、第3端子は第2液晶キャパシタClclに接続されている。
本発明の一実施形態による液晶表示装置の動作を説明する。ゲート線121にゲートオン電圧が印加されると、ゲート線121に接続された第1スイッチング素子Qhと第2スイッチング素子Qlがターンオン状態になり、第1及び第2データ線171h、171lを通じて伝達された互いに異なるデータ電圧によって第1及び第2液晶キャパシタClch、Clclが充電される。第2データ線171lによって伝達されるデータ電圧は、第1データ線171hによって伝達されるデータ電圧より低い。したがって、第2液晶キャパシタClclには第1液晶キャパシタClchより低い電圧が充電されて、側面視認性を向上させることができる。
以下、図3乃至図5を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素の構造について説明する。
図3は本発明の一実施形態による表示装置の一画素を示す配置図であり、図4は本発明の一実施形態による表示装置のIV−IV線に沿った断面図であり、図5は本発明の一実施形態による表示装置のV−V線に沿った断面図である。
図3乃至図5を参照すると、基板110の上にゲート線121(gate line)及びゲート線121から突出する第1ゲート電極124h(first gate electrode)及び第2ゲート電極124l(second gate electrode)が形成されている。
ゲート線121は、図3において主に横方向に伸びており、ゲート信号を伝達する。第1ゲート電極124h及び第2ゲート電極124lはゲート線121の上方向に突出している。第1ゲート電極124h及び第2ゲート電極124lは互いに接続されて一つの突出部を形成してもよい。但し、本発明はこれに限定されず、第1ゲート電極124h及び第2ゲート電極124lの突出形態は多様に変形が可能である。
基板110の上には維持電極線131及び維持電極線131から突出する維持電極133、135がさらに形成されてもよい。
維持電極線131はゲート線121と平行な方向に伸びており、ゲート線121と離隔されるように形成される。維持電極線131には一定の電圧が印加される。維持電極線131の上方向に突出する維持電極133は、第1副画素PXaの端を囲むように形成される。維持電極線131の下方向に突出する維持電極135は、第1ゲート電極124h及び第2ゲート電極124lと隣接するように形成される。
ゲート線121、第1ゲート電極124h、第2ゲート電極124l、維持電極線131、及び維持電極133、135の上にはゲート絶縁膜140(gate insulating layer)が形成されている。ゲート絶縁膜140はシリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)などのような無機絶縁物質を含んでもよい。また、ゲート絶縁膜140は単層または多層であってもよい。
ゲート絶縁膜140の上には、第1半導体154h(first semiconductor)及び第2半導体154l(second semiconductor)が形成されている。第1半導体154hは第1ゲート電極124hの上に配置してもよく、第2半導体154lは第2ゲート電極124lの上に配置してもよい。第1半導体154hは第1データ線171hの下まで延長されて形成されてもよく、第2半導体154lは第2データ線171lの下まで延長されて形成されてもよい。第1半導体154h及び第2半導体154lはアモルファスシリコン(amorphous silicon)、多結晶シリコン(polycrystalline silicon)、又は金属酸化物(metal oxide)などを含んでもよい。
第1半導体154h及び第2半導体154lの上にはそれぞれオーミックコンタクト部材(ohmic contact member)(図示せず)がさらに形成されてもよい。オーミックコンタクト部材はシリサイド(silicide)またはn型不純物が高濃度にドープされたn+水素化アモルファスシリコンなどの物質で形成されてもよい。
第1半導体154h、第2半導体154l、及びゲート絶縁膜140の上には第1データ線171h(first data line)、第2データ線171l(second data line)、第1ソース電極173h(first source electrode)、第1ドレイン電極175h(first drain electrode)、第2ソース電極173l(second electrode)、及び第2ドレイン電極175l(second electrode)が形成されている。
第1データ線171h及び第2データ線171lはデータ信号を伝達し、図3において主に縦方向に伸びてゲート線121及び維持電極線131と交差する。第1データ線171hと第2データ線171lは互いに異なるデータ電圧を伝達する。第2データ線171lによって伝達されるデータ電圧は、第1データ線171hによって伝達されるデータ電圧より低い。
第1ソース電極173hは第1データ線171hから第1ゲート電極124hの上に突出するように形成され、第2ソース電極173lは第2データ線171lから第2ゲート電極124lの上に突出するように形成されている。第1ドレイン電極175h及び第2ドレイン電極175lは広い一側端部分と棒状の他側端部分とを含む。第1ドレイン電極175h及び第2ドレイン電極175lの広い端部分は、維持電極線131の下方向に突出している維持電極135と重畳している。第1ドレイン電極175h及び第2ドレイン電極175lの棒状端部分は、第1ソース電極173h及び第2ソース電極173lによってそれぞれ一部が囲まれている。
第1及び第2ゲート電極124h、124lと、第1及び第2ソース電極173h、173lと、第1及び第2ドレイン電極175h、175lとは、第1及び第2半導体154h、154lと共にそれぞれ第1及び第2薄膜トランジスタ(thin film transistor、TFT)Qh、Qlを構成し、薄膜トランジスタのチャネル(channel)は各ソース電極173h、173lと各ドレイン電極175h、175lとの間の各半導体154h、154lに形成されている。
第1データ線171h、第2データ線171l、第1ソース電極173h、第1ドレイン電極175h、第1ソース電極173hと第1ドレイン電極175hとの間に露出されている第1半導体154h、第2ソース電極173l、第2ドレイン電極175l、及び第2ソース電極173lと第2ドレイン電極175lとの間に露出されている第2半導体154lの上には保護膜180が形成されている。保護膜180は、有機絶縁物質または無機絶縁物質を含んでもよく、単層または多層であってもよい。
保護膜180の上には各画素PX内にカラーフィルタ230が形成されている。各カラーフィルタ230は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色(primary color)のうちの一つを表示してもよい。カラーフィルタ230は赤色、緑色、及び青色の三原色に限定されず、青緑色(cyan)、紫紅色(magenta)、黄色(yellow)、白色系の色などを表示してもよい。
隣接するカラーフィルタ230の間の領域には第2遮光部材220が形成されてもよい。第2遮光部材220は画素PXの境界部と薄膜トランジスタの上に形成され、光漏れを防止することができる。つまり、第2遮光部材220は第1谷V1及び第2谷V2に形成されてもよい。
カラーフィルタ230及び第2遮光部材220の上には第1絶縁層240がさらに形成されてもよい。第1絶縁層240は有機絶縁物質を含んでもよく、カラーフィルタ230と第2遮光部材220を平坦化させる役割を果たす。第1絶縁層240は、有機絶縁物質を含む層と無機絶縁物質を含む層が積層された構造を有してもよく、必要によって省略されてもよい。
保護膜180及び第1絶縁層240には第1ドレイン電極175hの広い端部分を露出する第1コンタクトホール181h、及び第2ドレイン電極175lの広い端部分を露出する第2コンタクトホール181lが形成されている。
第1絶縁層240の上には画素電極191が形成されている。画素電極191はインジウム−スズ酸化物(ITO、Indium Tin Oxide)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO、Indium Zinc Oxide)などのような透明な金属物質を含んでもよい。
画素電極191はゲート線121及び維持電極線131を挟んで互いに分離され、ゲート線121及び維持電極線131を中心に画素PXの上と下とに配置されて、列方向に隣接する第1副画素電極191hと第2副画素電極191lとを含む。つまり、第1副画素電極191hと第2副画素電極191lとは、第1谷V1を挟んで分離されており、第1副画素電極191hは第1副画素PXaに位置し、第2副画素電極191lは第2副画素PXbに位置する。
第1副画素電極191hは第1コンタクトホール181hを通じて第1ドレイン電極175hと接続されており、第2副画素電極191lは第2コンタクトホール181lを通じて第2ドレイン電極175lと接続されている。したがって、第1薄膜トランジスタQh及び第2薄膜トランジスタQlがオン状態である時、第1副画素電極191h及び第2副画素電極191lはそれぞれ第1ドレイン電極175h及び第2ドレイン電極175lから互いに異なるデータ電圧の印加を受ける。画素電極191と共通電極270との間には電界が形成されてもよい。
第1副画素電極191h及び第2副画素電極191lそれぞれの全体的な形状は四角形である。第1副画素電極191h及び第2副画素電極191lは、それぞれ、横幹部193h、193l、及び横幹部193h、193lと交差する縦幹部192h、192lからなる十字形幹部を含む。また、第1副画素電極191h及び第2副画素電極191lは、それぞれ複数の微細枝部194h、194lを含む。
画素電極191(第1副画素電極191h及び第2副画素電極191l)は、それぞれ、横幹部193h、193lと縦幹部192h、192lによって4つの副領域に分けられる。つまり、第1副画素電極191hは、横幹部193hと縦幹部192hとによって、4つの副領域に分けられる。同様に、第2副画素電極191lは、横幹部193lと縦幹部192lによって4つの副領域に分けられる。微細枝部194h、194lは、横幹部193h、193l及び縦幹部192h、192lから斜めに伸びており、その伸びる方向はゲート線121または横幹部193h、193lとほぼ45度または135度の角を成してもよい。また、隣接する二つの副領域の微細枝部194h、194lが伸びている方向は互いに直交してもよい。
一実施形態において、第1副画素電極191h及び第2副画素電極191lはそれぞれ第1副画素PXa及び第2副画素PXbの外郭を囲む外郭幹部をさらに含んでもよい。
前述の画素の配置形態、薄膜トランジスタの構造及び画素電極の形状は一つの例に過ぎず、本発明はこれに限定されず多様な変形が可能である。
画素電極191及び第1絶縁層240の上には第1遮光部材225が形成されている。第1遮光部材225は、前述のように、第1谷V1に形成され、いずれか一つの微細空間305にさらに近いように非対称で形成されている。たとえば、図1に示すように、第1遮光部材225は、上下に隣接する微細空間305の間の横方向の中心線を中心として、下側の微細空間305側に重なるように形成されている。よって、第1遮光部材225は、上下に隣接する微細空間305の間の横方向の中心線を中心として非対称である。第1谷V1には薄膜トランジスタQh、Qlが位置しており、第1遮光部材225は薄膜トランジスタQh、Qlと重畳するように形成される。特に、第1遮光部材225は、薄膜トランジスタQh、Qlと画素電極191との接続のために形成される第1コンタクトホール181h及び第2コンタクトホール181lを覆うように形成されて、光漏れを防止する役割を果たす。
第1絶縁層240の上に形成される第1遮光部材225と、第1絶縁層240の下に形成される第2遮光部材220は同一の物質を含んでもよく、互いに異なる物質を含んでもよい。特に、第1絶縁層240の上に形成される第1遮光部材225は画素電極191より表面エネルギー(surface energy)がさらに高い物質を含んでもよい。また、第1遮光部材225は第1絶縁層240より表面エネルギーがさらに高い物質を含んでもよい。
画素電極191の上には画素電極191から一定の距離を有して離隔されるように共通電極270が形成されている。画素電極191と共通電極270との間には微細空間(micro cavity)305が形成されている。つまり、微細空間305は画素電極191及び共通電極270によって囲まれている。微細空間305の幅と広さは表示装置の大きさ及び解像度によって多様に変更されてもよい。但し、本発明はこれに限定されず、共通電極270が画素電極191と絶縁膜を挟んで形成されてもよい。この時、画素電極191と共通電極270との間には微細空間305が形成されず、微細空間305は共通電極270の上に形成されてもよい。
共通電極270はインジウム−スズ酸化物(ITO、Indium Tin Oxide)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO、Indium Zinc Oxide)などのような透明な金属物質を含んでもよい。共通電極270には一定の電圧が印加され、画素電極191と共通電極270との間に電界が形成されてもよい。
画素電極191の上には第1配向膜11が形成されている。第1配向膜11は、画素電極191によって覆われていない第1絶縁層240の真上にも形成されてもよい。
第1配向膜11と対向するように共通電極270の下には第2配向膜21が形成されている。
第1配向膜11及び第2配向膜21は垂直配向膜からなってもよく、ポリアミック酸(Polyamic acid)、ポリシロキサン(Polysiloxane)、ポリイミド(Polyimide)などの配向物質を含んでもよい。第1及び第2配向膜11、21は微細空間305の端の側壁で連結されてもよい。
また、第1配向膜11及び第2配向膜21を連結する配向物質柱15が形成されている。配向物質柱15は、第1配向膜11及び第2配向膜21を形成するために微細空間305の内部に配向物質を注入して硬化する過程で固体成分が一側端に押されて形成される。配向物質を第1注入口307aを通じて注入する場合、配向物質柱15は大体第2注入口307bに隣接して形成される。これとは反対に、配向物質を第2注入口307bを通じて注入する場合、配向物質柱15は大体第1注入口307aに隣接して形成される。
画素電極191と共通電極270との間に位置した微細空間305内には液晶分子310を含む液晶層が形成されている。液晶分子310は負の誘電率異方性を有し、電界が印加されない状態で基板110に垂直な方向に配列されてもよい。つまり、垂直配向が行われてもよい。
データ電圧が印加された第1副画素電極191h及び第2副画素電極191lは、共通電極270と共に電界を生成することによって、二つの電極191、270の間の微細空間305内に位置した液晶分子310の方向を決定する。このように決定された液晶分子310の方向により液晶層を通過する光の輝度が変わる。
共通電極270の上には第2絶縁層350がさらに形成されてもよい。第2絶縁層350はシリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)などのような無機絶縁物質を含んでもよく、必要によって省略されてもよい。
第2絶縁層350の上にはルーフ層360が形成されている。ルーフ層360は、有機物質を含んでもよい。ルーフ層360の下には微細空間305が形成されており、ルーフ層360は硬化工程によって固くなり微細空間305の形状を維持することができる。つまり、ルーフ層360は微細空間305を挟んで画素電極191から離隔されるように形成されている。
ルーフ層360は画素行に沿って各画素PX及び第2谷V2に形成され、第1谷V1には形成されない。つまり、ルーフ層360は、第1副画素PXaと第2副画素PXbとの間には形成されない。各第1副画素PXaと第2副画素PXbとには各ルーフ層360の下に微細空間305が形成されている。第2谷V2にはルーフ層360の下に微細空間305が形成されず、ルーフ層360が基板110に付着されるように形成されている。したがって、第2谷V2に位置するルーフ層360の厚さが各第1副画素PXa及び第2副画素PXbに位置するルーフ層360の厚さより厚く形成されてもよい。微細空間305の上部面及び両側面はルーフ層360によって覆われている形態に構成される。
ルーフ層360には微細空間305の一部を露出させる注入口307a、307bが形成されている。注入口307a、307bは、微細空間305の第1端の側面を露出させる第1注入口307a及び微細空間305の第2端の側面を露出させる第2注入口307bを含む。互いに隣接する二つの微細空間305のうちのいずれか一つの微細空間305の第1注入口307aと他の一つの微細空間305の第2注入口307bとは第1谷V1を挟んで互いに対向する。注入口307a、307bによって微細空間305が露出されているため、注入口307a、307bを通じて微細空間305内部に配向液または液晶物質などを注入することができる。
前述の第1遮光部材225は配向物質柱15が形成されていない注入口307a、307bと重畳する。つまり、第1遮光部材225は配向物質柱15と離隔されている。図面において、配向物質柱15は第2注入口307bと隣接するように形成される。また、第1遮光部材225は第1注入口307aと重畳し、第2注入口307bとは重畳しない。
ルーフ層360の上には第3絶縁層370がさらに形成されてもよい。第3絶縁層370はシリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)などのような無機絶縁物質を含んでもよい。第3絶縁層370は、ルーフ層360の上部面及び側面を覆うように形成されてもよい。第3絶縁層370は、有機物質を含むルーフ層360を保護する役割を果たし、必要によって省略されてもよい。
第3絶縁層370の上には封止膜390が形成されてもよい。封止膜390は微細空間305の一部を外部に露出させる注入口307a、307bを覆うように形成される。つまり、封止膜390は、微細空間305の内部に形成されている液晶分子310が外部に出ないように微細空間305を密封することができる。封止膜390は、液晶分子310と接触するため、液晶分子310と反応しない物質を含むことが好ましい。例えば、封止膜390はパリレン(Parylene)などを含んでもよい。
封止膜390は二重膜、三重膜などのように多重膜であってもよい。二重膜は互いに異なる物質からなる二つの層からなる。三重膜は三つの層からなり、互いに隣接する層の物質が互いに異なる。例えば、封止膜390は有機絶縁物質を含む層と無機絶縁物質を含む層を含んでもよい。
図示してはいないが、表示装置の上下部面には偏光板がさらに形成されてもよい。偏光板は第1偏光板及び第2偏光板を含んでもよい。第1偏光板は基板110の下部面に取り付けられ、第2偏光板は封止膜390の上に取り付けられる。
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態による表示装置において液晶物質が微細空間の内部に注入されて第1谷V1に液晶物質がほとんど除去される原理について説明する。
まず、図6乃至図8を参照して、液晶物質を第1谷V1の中央部に落とす場合について説明する。
図6及び図7は液晶物質が微細空間の内部に注入される過程を示す工程断面図であり、図8は本発明の一実施形態による表示装置の一部を示した図面である。
まず、図6に示されているように、ルーフ層360を形成した後、封止膜390を形成する前に、隣接した二つの微細空間305の間の中央部にノズル600を位置させる。
その次に、ノズル600を通じて液晶物質500を基板110の上に落とす。液晶物質500は第1遮光部材225と最も先に接するようになる。第1遮光部材225は配向物質柱15が形成されている第2注入口307bと重畳せず、配向物質柱15が形成されていない第1注入口307aと重畳する。第1遮光部材225は配向物質柱15と離隔されており、配向物質柱15と対向する第1遮光部材225の端部分の毛細管力(capillary force)が、第1遮光部材225の端部分から離れた他の部分より大きい。また、第1遮光部材225の表面エネルギーが、画素電極191及び/または第1絶縁層240の表面エネルギーより大きい。したがって、第1谷V1内に位置する第1遮光部材225の端が中断点(BP、break point)になる。液晶物質500は中断点BPを境界にして配向物質柱15側にそれ以上渡らなくなる。
図7に示されているように、第1谷V1に離れた液晶物質500が第1注入口307aを通じて微細空間305の内部に全て注入される。配向物質柱15周辺の第1谷V1には液晶物質500が残っていない。ここで、図8において、上下方向の黒色の部分が第1谷V1であり、第1谷V1には白色で示される液晶物質500が残っておらず、微細空間305の内部に液晶物質500が注入されているのがわかる。
このような方法によって実際に製造された本発明の一実施形態による表示装置は図8を参照すると、第1谷V1に液晶物質が全く残っていないことが分かる。
その次に、図9乃至図12を参照して、液晶物質を第1谷V1の端に落とす場合について説明する。
図9乃至図11は液晶物質が微細空間の内部に注入される過程を示す工程断面図であり、図12は本発明の一実施形態による表示装置の一部を示した図である。
まず、図9に示されているようにルーフ層360を形成した後、封止膜390を形成する前に、隣接した二つの微細空間305の間にノズル600を配置する。この時、ノズル600を微細空間305の間の中央部に配置することが好ましいが、誤整列などの理由で端に配置されることもある。
この時、図示してはいないが、ノズル600が配向物質柱15が形成されない第1注入口307aと隣接する位置で液晶物質500を落とせば、液晶物質500が配向物質柱15近所にはほとんど位置しなくなる。したがって、液晶物質500は微細空間305の内部に注入され、第1谷V1には液晶物質500が残っていなくなる。
これとは反対に、図示されているようにノズル600が配向物質柱15が形成されている第2注入口307bと隣接する位置で液晶物質500を落とせば、液晶物質500は第1谷V1の全領域に均等に位置するようになる。
図10に示されているように第1谷V1に落とされた液晶物質500が第1注入口307aを通じて微細空間305の内部に注入され始める。第2注入口307bは配向物質柱15によって遮断されているので、液晶物質500が第2注入口307bを通じてはほとんど注入されない。
中断点BPを基準に液晶物質500が両側に分けられる。この時、大部分の液晶物質500は中断点BPから第1注入口307a方向に位置しているため、第1注入口307aを通じて微細空間305の内部に注入される。中断点BPの毛細管力及び表面エネルギーが周辺より高いため、中断点BPから配向物質柱15方向に位置している液晶物質500の一部も第1注入口307a方向に移動する。
図11に示されているように、第1谷V1に落とされた液晶物質500が第1注入口307aを通じて微細空間305の内部にほとんど全て注入される。配向物質柱15周辺の第1谷V1には少量の液晶物質500のみが残っているようになる。
このような方法によって実際に製造された本発明の一実施形態による表示装置は図12を参照すると、第1谷V1の一側端にのみ液晶物質が若干残っており、残り部分には液晶物質が残っていないことが分かる。ここで、図11において、上下方向の黒色の部分が第1谷V1であり、第1谷V1には白色で示される液晶物質500がほとんど残っておらず、微細空間305の内部に液晶物質500が注入されているのがわかる。
このように第1谷V1に液晶物質が残っていないようにすることによって、封止膜のコーティングが十分に行なわれるようにすることができ、染みが発生するのを防止することができる。
以上の通り、本発明によれば、一つの基板を用いて表示装置を製造することにより、重量、厚さ、製造費用及び製造工程時間を減らすことができる表示装置を提供することができる。
また、本発明によれば、隣接した微細空間の間に遮光部材を非対称に形成することによって、液晶が微細空間の外部に残留するのを防止することができる。
以上で本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるのではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
11:第1配向膜
15:配向物質柱
21:第2配向膜
121:ゲート線
124h:第1ゲート電極
124l:第2ゲート電極
131:維持電極線
133、135:維持電極
154h:第1半導体
154l:第2半導体
173h:第1ソース電極
173l:第2ソース電極
175h:第1ドレイン電極
175l:第2ドレイン電極
191:画素電極
191h:第1副画素電極
191l:第2副画素電極
220:第2遮光部材
225:第1遮光部材
240:第1絶縁層
270:共通電極
305:微細空間
307a:第1注入口
307b:第2注入口
310:液晶分子
350:第2絶縁層
360:ルーフ層
370:第3絶縁層
390:封止膜
500:液晶物質
600:ノズル
15:配向物質柱
21:第2配向膜
121:ゲート線
124h:第1ゲート電極
124l:第2ゲート電極
131:維持電極線
133、135:維持電極
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191:画素電極
191h:第1副画素電極
191l:第2副画素電極
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240:第1絶縁層
270:共通電極
305:微細空間
307a:第1注入口
307b:第2注入口
310:液晶分子
350:第2絶縁層
360:ルーフ層
370:第3絶縁層
390:封止膜
500:液晶物質
600:ノズル
Claims (10)
- 基板、
前記基板の上に形成された画素電極、
前記画素電極の上に前記画素電極と複数の微細空間を挟んで離隔されるように形成されたルーフ層、
二つの前記微細空間の間に配置され、前記二つの微細空間のうちのいずれか一つの微細空間の第1端と重畳し、他の一つの微細空間の第2端と重畳しない遮光部材、
前記微細空間の一部を露出させる注入口、
前記微細空間を満たす液晶層、及び
前記注入口を覆うように前記ルーフ層の上に形成されて前記微細空間を密封する封止膜を含む表示装置。 - 前記遮光部材は、前記画素電極の上に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
- 前記画素電極の上に形成された第1配向膜、
前記ルーフ層の下に形成されたる第2配向膜、及び
前記第1配向膜及び前記第2配向膜を接続する配向物質柱をさらに含むことを特徴とする、請求項2に記載の表示装置。 - 前記注入口は、
前記微細空間の第1端の側面を露出させる第1注入口、及び
前記微細空間の第2端の側面を露出させる第2注入口を含むことを特徴とする、請求項3に記載の表示装置。 - 前記配向物質柱は、前記第2注入口に隣接して形成されていることを特徴とする、請求項4に記載の表示装置。
- 前記遮光部材は、前記第1注入口と重畳するように形成されていることを特徴とする、請求項5に記載の表示装置。
- 前記遮光部材は、前記第2注入口と重畳しないことを特徴とする、請求項6に記載の表示装置。
- 前記遮光部材は、前記配向物質柱と離隔されていることを特徴とする、請求項7に記載の表示装置。
- 前記遮光部材は、前記画素電極より表面エネルギーがさらに高い物質からなることを特徴とする、請求項2に記載の表示装置。
- 前記画素電極及び前記遮光部材の下に配置される第1絶縁層をさらに含むことを特徴とする、請求項2に記載の表示装置。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160629 |