CN206258650U - 一种液晶显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种液晶显示面板及显示装置,该液晶显示面板具有多个像素区,每个像素区分为透光区域和遮光区域,每个像素区内具有相互绝缘的公共电极和像素电极,通过在每个像素区内增加设置与公共电极电性连接且与像素电极相互绝缘的电容补偿电极,且该电容补偿电极与像素电极位于透光区域内的部分互不重叠,这样,电容补偿电极可以与像素电极位于透光区域内的部分产生能够作用于液晶分子的水平电场,从而可以补偿像素电极与公共电极之间的存储电容,进而可以避免由于像素电极与公共电极之间的存储电容较小而影响液晶显示面板的显示亮度以及使液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。

Description

一种液晶显示面板及显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示面板主要由对向基板、阵列基板以及位于该两基板之间的液晶分子组成。具体地,如图1所示,图1为现有的液晶显示面板中阵列基板的俯视结构示意图,在阵列基板一侧一般设置有薄膜晶体管(TFT)101、栅线102、数据线103、像素电极104以及公共电极105,其中,薄膜晶体管101的栅极与栅线102相连,源极与数据线103相连,漏极与像素电极104相连。在对向基板一侧一般设置有黑矩阵、彩膜层等。图2为图1对应的等效电路图,如图2所示,像素电极与公共电极之间形成存储电容Cst,该存储电容Cst可以使TFT保持电位。
目前,为了得到具有较高分辨率的液晶显示面板,一般通过减小像素电极的尺寸来实现。然而,像素电极的尺寸减小,会使像素电极与公共电极的交叠面积减小,从而会导致像素电极与公共电极之间的存储电容降低。像素电极与公共电极之间的存储电容较小,会使像素电极的电位难以稳定保持在充电完成时的电压,像素电极的电位在充电完成后会发生一定程度的下降,这样,不仅会导致施加到液晶分子的电场较小而影响液晶显示面板的显示亮度,还会导致液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。
为了避免上述显示问题,需要提高像素电极与公共电极之间的存储电容。目前,一般通过减薄像素电极与公共电极之间的绝缘层来实现,然而,这种方法的可靠性较差,反而会降低像素电极与公共电极之间的存储电容,并且,还会影响液晶显示面板的制作良率。
因此,如何可靠、有效地提高像素电极与公共电极之间的存储电容,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种液晶显示面板及显示装置,用以可靠、有效地提高像素电极与公共电极之间的存储电容。
因此,本实用新型实施例提供了一种液晶显示面板,具有多个像素区,每个所述像素区分为透光区域和遮光区域,每个所述像素区内具有相互绝缘的公共电极和像素电极;每个所述像素区内还具有与所述公共电极电性连接且与所述像素电极相互绝缘的电容补偿电极;
在每个所述像素区内,所述像素电极位于所述透光区域内的部分与所述电容补偿电极互不重叠。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,包括:相对而置的对向基板和阵列基板;其中,所述像素电极、所述公共电极和所述电容补偿电极位于所述阵列基板面向所述对向基板的一侧;每个所述像素区内还具有薄膜晶体管;
所述像素电极位于所述公共电极背离所述阵列基板的一侧,所述像素电极位于所述透光区域内的部分为条状电极,所述公共电极位于所述遮光区域内的部分具有贯穿所述公共电极的第一过孔,所述像素电极位于所述遮光区域内的部分通过贯穿所述第一过孔的第二过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接;
所述电容补偿电极位于所述像素电极背离所述阵列基板的一侧。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,在每个所述像素区内,所述电容补偿电极在所述阵列基板的正投影与所述第一过孔在所述阵列基板的正投影具有交叠区域。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,在每个所述像素区内,所述第一过孔在所述阵列基板的正投影位于所述电容补偿电极在所述阵列基板的正投影内。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,包括:相对而置的对向基板和阵列基板;其中,所述像素电极、所述公共电极和所述电容补偿电极位于所述阵列基板面向所述对向基板的一侧;
所述公共电极位于所述像素电极背离所述阵列基板的一侧,所述公共电极为条状电极;
所述电容补偿电极位于所述像素电极所在膜层与所述阵列基板之间。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,包括:相对而置的对向基板和阵列基板;其中,所述像素电极和所述电容补偿电极位于所述阵列基板面向所述对向基板的一侧,所述公共电极位于所述对向基板面向所述阵列基板的一侧;
所述电容补偿电极位于所述像素电极所在膜层与所述阵列基板之间。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,包括:相对而置的对向基板和阵列基板;其中,所述像素电极和所述电容补偿电极位于所述阵列基板面向所述对向基板的一侧,所述公共电极位于所述对向基板面向所述阵列基板的一侧;
所述电容补偿电极位于所述像素电极背离所述阵列基板的一侧。
在一种可能的实现方式中,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,还具有包围所述多个像素区的周边区;
所述电容补偿电极与所述公共电极通过位于所述周边区内的第三过孔电性连接。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括:本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板。
本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板及显示装置,该液晶显示面板具有多个像素区,每个像素区分为透光区域和遮光区域,每个像素区内具有相互绝缘的公共电极和像素电极,通过在每个像素区内增加设置与公共电极电性连接且与像素电极相互绝缘的电容补偿电极,且该电容补偿电极与像素电极位于透光区域内的部分互不重叠,这样,电容补偿电极可以与像素电极位于透光区域内的部分产生能够作用于液晶分子的水平电场,从而可以补偿像素电极与公共电极之间的存储电容,进而可以避免由于像素电极与公共电极之间的存储电容较小而影响液晶显示面板的显示亮度以及使液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。
附图说明
图1为现有的液晶显示面板中阵列基板的结构示意图;
图2为图1的等效电路图;
图3为本实用新型实例一中液晶显示面板的结构示意图;
图4为图3沿AA方向的剖视图;
图5为图3沿BB方向的剖视图;
图6为本实用新型实例二中液晶显示面板的结构示意图;
图7为本实用新型实例三中液晶显示面板的结构示意图;
图8为本实用新型实例四中液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型实施例提供的液晶显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各膜层的形状和厚度不反映阵列基板或对向基板的真实比例,目的只是示意说明本实用新型内容。
本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板,具有多个像素区,每个像素区分为透光区域和遮光区域,每个像素区内具有相互绝缘的公共电极和像素电极;如图3-图5所示,图3为本实用新型实例一中液晶显示面板的结构示意图;图4为图3沿AA方向的剖视图,图5为图3沿BB方向的剖视图,每个像素区内还具有与公共电极电性连接且与像素电极1相互绝缘的电容补偿电极2;
在每个像素区内,像素电极1位于透光区域内的部分与电容补偿电极2互不重叠。本实用新型实施例中,遮光区域为设置在对向基板上的黑矩阵所对应遮盖的区域,主要包括金属走线及元器件等不够让光透过的区域,而透光区域为除遮光区域外的其他区域,透光区域为显示面板的有效显示区域。
需要说明的是,如图3所示,由相邻的两条数据线3和相邻的两条栅线4所围成的区域为一个像素区,在每个像素区内,透光区域和遮光区域的面积比例决定了像素区的开口率,公共电极8一般设置在整个像素区内。
本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板,通过在每个像素区内增加设置与公共电极电性连接且与像素电极相互绝缘的电容补偿电极,且该电容补偿电极与像素电极位于透光区域内的部分互不重叠,这样,电容补偿电极可以与像素电极位于透光区域内的部分产生能够作用于液晶分子的水平电场,从而可以补偿像素电极与公共电极之间的存储电容,进而可以避免由于像素电极与公共电极之间的存储电容较小而影响液晶显示面板的显示亮度以及使液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。
在具体实施时,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,电容补偿电极2的结构并非局限于如图3所示的结构,只要保证像素电极1位于透光区域内的部分与电容补偿电极2互不重叠即可,例如,电容补偿电极2可以为如图3所示的结构中的任意一部分,在此不做限定。
需要说明的是,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,电容补偿电极有可能位于像素区的透光区域内,因此,电容补偿电极的材料可以为透明导电材料,例如,氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)等。
在具体实施时,本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板可以应用于高级超维场开关(Advanced Super Dimension Switch,ADS)型液晶显示面板;或者,本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板也可以应用于扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示面板,在此不做限定。
下面通过四个具体的实例对本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板分别应用于上述两种结构的液晶显示面板时的具体实现方式进行详细说明。
实例一:本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板为ADS型液晶显示面板,即公共电极和像素电极都位于阵列基板一侧,其中,像素电极位于公共电极背离阵列基板的一侧。
在具体实施时,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,如图3-图5所示,可以包括:相对而置的对向基板5和阵列基板6以及位于对向基板5与阵列基板6之间的液晶分子7;其中,像素电极1、公共电极8和电容补偿电极2位于阵列基板5面向对向基板6的一侧,像素电极1与公共电极8之间以及像素电极1与电容补偿电极2之间可以通过设置绝缘层实现相互绝缘;每个像素区内还具有薄膜晶体管9;像素电极1位于公共电极8背离阵列基板5的一侧,像素电极1位于透光区域内的部分为条状电极,如图5所示,公共电极8位于遮光区域内的部分具有贯穿公共电极8的第一过孔A,像素电极1位于遮光区域内的部分通过贯穿第一过孔A的第二过孔B与薄膜晶体管9中的漏极90电性连接;电容补偿电极2位于像素电极1背离阵列基板5的一侧。如图4所示,电容补偿电极2与像素电极1位于透光区域内的部分可以产生能够作用于液晶分子7的水平电场(如图4所示的箭头所示),从而可以补偿像素电极1与公共电极8之间的存储电容,进而可以避免由于像素电极1与公共电极8之间的存储电容较小而影响液晶显示面板的显示亮度以及使液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。
在具体实施时,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,如图4所示,由于像素电极1位于公共电极8背离阵列基板5的一侧,因此,需要在公共电极8位于遮光区域内的部分设置贯穿公共电极8的第一过孔A,使得像素电极1位于遮光区域内的部分可以通过贯穿第一过孔A的第二过孔B与薄膜晶体管9中的漏极90电性连接,这样,就会导致在第一过孔A所在区域内像素电极1与公共电极8互不重叠,从而会导致在第一过孔A所在区域内像素电极1与公共电极8之间无法形成存储电容。
基于此,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,如图3和图5所示,在每个像素区内,电容补偿电极2在阵列基板5的正投影与第一过孔A在阵列基板5的正投影具有交叠区域;这样,电容补偿电极2可以与像素电极1位于第一过孔A所在区域内的部分形成垂直电场(如图5所示的箭头所示),从而可以补偿在第一过孔A所在区域内像素电极1与公共电极8之间无法形成的存储电容,进而可以进一步地补偿像素电极1与公共电极8之间的存储电容。
较佳地,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,如图3和图5所示,在每个像素区内,可以将第一过孔A在阵列基板5的正投影设置于电容补偿电极2在阵列基板5的正投影内,这样,可以完全补偿在第一过孔A所在区域内像素电极1与公共电极8之间无法形成的存储电容,从而可以最大程度地补偿像素电极1与公共电极8之间的存储电容。
需要说明的是,本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板尤其适用于高分辨率的液晶显示面板。如表1所示,将本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板分别应用于分辨率为400PPI和800PPI的液晶显示面板,分辨率为400PPI的液晶显示面板的像素电极的面积为350μm2,公共电极中的第一过孔的面积为80μm2,则第一过孔所占的面积比为23%;分辨率为800PPI的液晶显示面板的像素电极的面积为120μm2,公共电极中的第一过孔的面积为42μm2,则第一过孔所占的面积比为35%;由此可知,分辨率为800PPI的液晶显示面板与分辨率为400PPI的液晶显示面板相比,第一过孔所占的面积比较大,利用电容补偿电极补偿在第一过孔所在区域内像素电极与公共电极之间无法形成的存储电容的效果更佳,因此,本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板对于提高高分辨率的液晶显示面板的存储电容的效果更佳。
表1
实例二:本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板为ADS型液晶显示面板,即公共电极和像素电极都位于阵列基板一侧,其中,公共电极位于像素电极背离阵列基板的一侧。
在具体实施时,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板应用于ADS型液晶显示面板时,并非局限于如图4所示的结构,如图6所示,图6为本实用新型实例二中液晶显示面板的结构示意图,可以包括:相对而置的对向基板6和阵列基板5以及位于对向基板6与阵列基板5之间的液晶分子7;其中,像素电极1、公共电极8和电容补偿电极2位于阵列基板5面向对向基板6的一侧,像素电极1与公共电极8之间以及像素电极1与电容补偿电极2之间可以通过设置绝缘层实现相互绝缘;公共电极8位于像素电极1背离阵列基板5的一侧,公共电极8为条状电极;电容补偿电极2位于像素电极1所在膜层与阵列基板5之间。如图6所示,像素电极1与公共电极8之间形成水平电场(如图6所示的箭头所示),电容补偿电极2与像素电极1位于透光区域内的部分可以产生能够作用于液晶分子7的水平电场(如图6所示的箭头所示),从而可以补偿像素电极1与公共电极8之间的存储电容,进而可以避免由于像素电极1与公共电极8之间的存储电容较小而影响液晶显示面板的显示亮度以及使液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。
在具体实施时,本实用新型实例二的具体实施与本实用新型实例一的实施类似,重复之处不再赘述。
实例三:本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板为TN型液晶显示面板,即公共电极位于对向基板一侧,像素电极位于阵列基板一侧,电容补偿电极位于像素电极与阵列基板之间。
在具体实施时,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板,如图7所示,图7为本实用新型实例三中液晶显示面板的结构示意图,可以包括:相对而置的对向基板6和阵列基板5以及位于对向基板6与阵列基板5之间的液晶分子7;其中,像素电极1和电容补偿电极2位于阵列基板5面向对向基板6的一侧,公共电极8位于对向基板6面向阵列基板5的一侧,像素电极1与电容补偿电极2之间可以通过设置绝缘层实现相互绝缘;电容补偿电极2位于像素电极1所在膜层与阵列基板5之间。如图7所示,像素电极1与公共电极8之间形成垂直电场(如图7所示的箭头所示),电容补偿电极2与像素电极1位于透光区域内的部分可以产生能够作用于液晶分子7的水平电场(如图7所示的箭头所示),从而可以补偿像素电极1与公共电极8之间的存储电容,进而可以避免由于像素电极1与公共电极8之间的存储电容较小而影响液晶显示面板的显示亮度以及使液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。
在具体实施时,本实用新型实例三的具体实施与本实用新型实例一的实施类似,重复之处不再赘述。
实例四:本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板为TN型液晶显示面板,即公共电极位于对向基板一侧,像素电极位于阵列基板一侧,电容补偿电极位于像素电极背离阵列基板的一侧。
在具体实施时,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板应用于TN型液晶显示面板时,并非局限于如图7所示的结构,如图8所示,图8为本实用新型实例四中液晶显示面板的结构示意图,可以包括:相对而置的对向基板6和阵列基板5以及位于对向基板6与阵列基板5之间的液晶分子7;其中,像素电极1和电容补偿电极2位于阵列基板5面向对向基板6的一侧,公共电极8位于对向基板6面向阵列基板5的一侧,像素电极1与电容补偿电极2之间可以通过设置绝缘层实现相互绝缘;电容补偿电极2位于像素电极1背离阵列基板5的一侧。如图8所示,像素电极1与公共电极8之间形成垂直电场(如图7所示的箭头所示),电容补偿电极2与像素电极1位于透光区域内的部分可以产生能够作用于液晶分子7的水平电场(如图8所示的箭头所示),从而可以补偿像素电极1与公共电极8之间的存储电容,进而可以避免由于像素电极1与公共电极8之间的存储电容较小而影响液晶显示面板的显示亮度以及使液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。
在具体实施时,本实用新型实例四的具体实施与本实用新型实例一的实施类似,重复之处不再赘述。
显然,上述实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在具体实施时,在本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板中,还可以具有包围多个像素区的周边区,该周边区一般设置有外围走线和接线端子等;电容补偿电极与公共电极可以通过位于周边区内的第三过孔实现电性连接。当然,电容补偿电极与公共电极还可以通过其他方式实现电性连接,在此不做限定。
基于同一实用新型构思,本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括本实用新型实施例提供的上述液晶显示面板,该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述液晶显示面板的实施例,重复之处不再赘述。
本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板及显示装置,该液晶显示面板具有多个像素区,每个像素区分为透光区域和遮光区域,每个像素区内具有相互绝缘的公共电极和像素电极,通过在每个像素区内增加设置与公共电极电性连接且与像素电极相互绝缘的电容补偿电极,且该电容补偿电极与像素电极位于透光区域内的部分互不重叠,这样,电容补偿电极可以与像素电极位于透光区域内的部分产生能够作用于液晶分子的水平电场,从而可以提高像素电极与公共电极之间的存储电容,进而可以避免由于像素电极与公共电极之间的存储电容较小而影响液晶显示面板的显示亮度以及使液晶显示面板出现闪烁、串扰以及残影等问题。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种液晶显示面板,具有多个像素区,每个所述像素区分为透光区域和遮光区域,每个所述像素区内具有相互绝缘的公共电极和像素电极;其特征在于,每个所述像素区内还具有与所述公共电极电性连接且与所述像素电极相互绝缘的电容补偿电极;
在每个所述像素区内,所述像素电极位于所述透光区域内的部分与所述电容补偿电极互不重叠。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,包括:相对而置的对向基板和阵列基板;其中,所述像素电极、所述公共电极和所述电容补偿电极位于所述阵列基板面向所述对向基板的一侧;每个所述像素区内还具有薄膜晶体管;
所述像素电极位于所述公共电极背离所述阵列基板的一侧,所述像素电极位于所述透光区域内的部分为条状电极,所述公共电极位于所述遮光区域内的部分具有贯穿所述公共电极的第一过孔,所述像素电极位于所述遮光区域内的部分通过贯穿所述第一过孔的第二过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接;
所述电容补偿电极位于所述像素电极背离所述阵列基板的一侧。
3.如权利要求2所述的液晶显示面板,其特征在于,在每个所述像素区内,所述电容补偿电极在所述阵列基板的正投影与所述第一过孔在所述阵列基板的正投影具有交叠区域。
4.如权利要求3所述的液晶显示面板,其特征在于,在每个所述像素区内,所述第一过孔在所述阵列基板的正投影位于所述电容补偿电极在所述阵列基板的正投影内。
5.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,包括:相对而置的对向基板和阵列基板;其中,所述像素电极、所述公共电极和所述电容补偿电极位于所述阵列基板面向所述对向基板的一侧;
所述公共电极位于所述像素电极背离所述阵列基板的一侧,所述公共电极为条状电极;
所述电容补偿电极位于所述像素电极所在膜层与所述阵列基板之间。
6.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,包括:相对而置的对向基板和阵列基板;其中,所述像素电极和所述电容补偿电极位于所述阵列基板面向所述对向基板的一侧,所述公共电极位于所述对向基板面向所述阵列基板的一侧;
所述电容补偿电极位于所述像素电极所在膜层与所述阵列基板之间。
7.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,包括:相对而置的对向基板和阵列基板;其中,所述像素电极和所述电容补偿电极位于所述阵列基板面向所述对向基板的一侧,所述公共电极位于所述对向基板面向所述阵列基板的一侧;
所述电容补偿电极位于所述像素电极背离所述阵列基板的一侧。
8.如权利要求1-7所述的液晶显示面板,其特征在于,还具有包围所述多个像素区的周边区;
所述电容补偿电极与所述公共电极通过位于所述周边区内的第三过孔电性连接。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-8任一项所述的液晶显示面板。
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