TW321731B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW321731B TW321731B TW084107178A TW84107178A TW321731B TW 321731 B TW321731 B TW 321731B TW 084107178 A TW084107178 A TW 084107178A TW 84107178 A TW84107178 A TW 84107178A TW 321731 B TW321731 B TW 321731B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- gate
- liquid crystal
- semiconductor
- film
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 251
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 160
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 123
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 77
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 34
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 4
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 147
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 27
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 25
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- -1 plutonium nitrate ammonia Chemical compound 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021359 Chromium(II) silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000009989 Posterior Leukoencephalopathy Syndrome Diseases 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- ZQPKENGPMDNVKK-UHFFFAOYSA-N nitric acid;plutonium Chemical compound [Pu].O[N+]([O-])=O ZQPKENGPMDNVKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 1
- 229910018904 PSV1 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018888 PSV2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101710131167 Ribose-5-phosphate isomerase A 2 Proteins 0.000 description 1
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004217 TaSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100388071 Thermococcus sp. (strain GE8) pol gene Proteins 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- PONLSTWIGVAHBQ-UHFFFAOYSA-N azane plutonium Chemical compound N.[Pu] PONLSTWIGVAHBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRORZGWHZXZQMV-UHFFFAOYSA-N azane;nitric acid Chemical compound N.O[N+]([O-])=O PRORZGWHZXZQMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical group [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136218—Shield electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
A7 B7 3 ^1731 五、發明説明（i ) 發明背景 (1 )發明領域 本發明係關於使用薄膜電晶體（TFT)之活性矩陣 型液晶顯示裝置，和其製造方法。 (2 )習知技藝之說明 在活性矩陣型液晶顯示裝置中，提供開閉元件以相關 於安排在矩陣中之多數圖素電極。在活性矩陣型液磊顯示 裝置，在相關圖素上之液晶始終受到理論上之驅動，且其 對比高於使用分時驅動系統之簡單矩陣型顯示絕緣膜。因 此，活性矩陣型技術，對於彩色顯示而言，是不可省略的 〇 依照習知之活性矩陣型液晶顯示裝置，薄膜電晶體（ TFT)藉由提供絕緣透明基底而構成，而閘極（閘極線 )，閘絕緣膜，半導體層，汲極（資料線），和汲極依順 序的安排在絕緣透明基底上。透明電極連接至源極。閘極 首先形成在基底上之T F T結構通常稱爲反向交錯結構。 JP-A — 61 — 161764 (1986)揭示此種 TFT。 使用T F T之液晶顯示裝置之特徵在於因爲可主動驅 動而具有較高之對比。但是，在基底上形成T F T之方法 相當複雜，且通常需要六個或更多的光石印術（以下稱爲 光處理）。當用以製造TFT基底之光處理步驟之數目增 加時，會產生之問題，如T F T基底之製造成本增加，進 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐）^ -4 - ---：--------^.------1T------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印褽 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 一步，由於由外界而未或製造過程中產生之灰塵之污染會 使生產率降低* 用以簡化該方法之一種習知技藝爲閘絕緣膜和半導體 層，和當成汲極和源極之金屬膜乃連續的形成，半導體層 製成一插模以用於金屬膜，而隨後形成透明電極。 但是，在半導體層之蝕刻處理時，如果構成源極之金 屬膜之蝕刻速度低於半導體層之蝕刻速度時.，則會產生透 明電極由源極之剩餘屋簷形端部份所形成之步階所迅速的 打破之問題。亦即，T F T基底之生產率沒有受到充份的 考慮。 爲了完成明亮的顯示影像，透明圖素電極之光透射部 份之區域（以下稱爲孔徑比）需愈大愈好。但是，依照上 述之習知技藝，增加孔徑比以完成明毫的顯示影像無法充 份的考慮。 再者，在T F T半導體圖樣中之閘極之跨接部份上， 由於半導體圖樣之端部份具有比平坦平面部份更快之蝕刻 速度，在半導體圖樣中會產生撃穿，而在半導體層和閘極 間之漏電流會增加。因此，會快速產生之問題爲形成在半 導體圖樣上之源極，汲極，和閘極間會有短路（G/D短 路）之問題。 發明概要 (1 )發明目的 本發明之目的之一乃在提供一種活性矩陣型液晶顯示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 5 — . 裝 訂 旅 - - < -(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 ____ _ 五、發明説明（3 ) 裝置之製造方法，其具有較少的製造步驟和較高的產量β 再者，本發明之另一目的乃在提供一種活性矩陣型液 晶顯示裝置，其可獲得明亮顯示影像》 再者，本發明之另一目的乃在提供具有可解決短路問 題之電極結構之T F Τ基底.，和使用此T F Τ基底之液晶 顯示裝置。 (2 )解決問題之方法 步驟1;一種液晶顯示裝置，包含： 多數之閘極線形成在一基底上； 多數之資料線穿過多數之閘極線； 薄膜電晶體形成在多數閘極線和多數資料線之相關交 叉點附近；和 圖素電極連接至薄膜電晶體，和 具有一功能以由圖素電極驅動液晶，其中 該圖素電極之中央部份直接接觸該基底，和 該圖素電極之週邊部份接觸一絕緣層，該絕緣層和構 成薄膜電晶體之閘絕緣層爲相同之層。 步驟2;在步驟1中， 構成圖素電極之導電膜延伸至薄膜電晶體之汲極，和 在構成源極之導電膜之平圖樣上之輪廓穿越在接觸基 底之圖素電極之中央部份之區域上之平圖樣中的輪廓。 步驟3;在步驟1中， 一屏蔽膜，其平行於該資料線，且由絕緣層而與資料 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ---·--------裝------訂----^---^ < 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 321731 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 線分離和絕緣，該絕緣層和構成薄膜電晶體之閘絕緣層同 層，該屏蔽膜提供於資料線和在圖素電極之中央部份上接 觸基底之區域間。 步驟4 ;在步驟1中，提供導電線，其相當於相關的 多數閘極線且和閘極線平行，和電容元件藉由握持介於導 電線和圖素電極間之絕緣膜而形成。 步驟5 : —種液晶顯示裝置，包含： 形成在基底上之多數閘極線； 形成多數之資料線以穿越多數之閘極線； 薄膜電晶體形成在多數閘極線和多數資料線間之相關 交叉點附近； 圖素電極連接至薄膜電晶體；和 儲存電容連接至圖素電極，和 具有一功能以由圖素電極驅動液晶，其中 該薄膜電晶體具有一結構包含 閘絕緣膜形成在構成閘極線之一部份之閘極上， 半導體層形成在閘絕緣膜上，和 源極和汲極形成在半導體層上， 構成圖素電極之導電層延伸在源極上，和 該儲存電容具有一結構包含 絕緣膜，其與形成在閘極線上，相鄰形成有薄膜電晶 體之閘極線之閘絕緣膜同層，和 導電膜由形成在絕緣膜上之圖素電極延伸。 步驟6 ;在步驟5中，由具有基底之薄膜電晶體組成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 旅 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（5 ) 之閘絕緣層而形成在半導體層端部份之錐角大於由具有基 底之薄膜電晶體組成之閘絕緣層而形成在構成儲存電容之 絕緣膜之端部份上之錐角。 步驟7 ;在步驟5中，該源極接觸半導體層，閘絕緣 層，和該基底。 步驟8 ;在步驟5中，多數之資料線包含半導體和 構成源極和汲極之導電膜，且 該半導體和該導電膜位在相同之平面圖樣上。 步驟9 ;在步驟5中，該閘極線塗覆以構成閘極線之 導電膜之陽極氧化膜。 步驟1 0 ; —種液晶顯示裝置之製造方法，具有 多數之閘極線形成在基底上， 形成多數之資料線以穿越多數之閘極線； 薄膜電晶體形成在多數閘極線和多數資料線間之相關 交叉點附近i ;和 圖素電極連接至薄膜電晶體；和 具有一功能以由圖素電極驅動液晶，包含之步驟爲 以大約相同的平面圖樣蝕刻閘絕緣層和形成在閘絕緣 層上之半導體層，在相同的處理中，且隨後， 選擇性的蝕刻半導體層。 步驟1 1 ;在步驟1 0中，在相同處理中蝕刻閘絕緣 層和半導體層之後，給定圖樣之金屬膜形成在該半導體層 上，而後， 該半導體層使用金屬膜當成掩模而蝕刻。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -8 - --.-------------tT-------A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 32饥1 A7 B7 五、發明説明（6 ) 步驟1 2 ;在步驟1 0中，進一步提供用以陽極化該 閘極線表面之步驟。 步驟13 ;在步驟10中，在相同處理中，使用六氟 硫化物當成蝕刻氣體以處理閘絕緣層和半導體層之蝕刻。 步驟1 4 ;在步驟1 0中，在使用金屬膜當成掩模之 半導體層之触刻處理中，使用六氟硫化物和氯之混合氣體 當成蝕刻氣體。 步驟15 ;在步驟10中，在蝕刻半導體層之後，形 成圖素電極。. 再者，完成上述目的之本發明之特點如下所述； (1 ) 一種半導體裝置，具有絕緣基底，其上提供有 包含閘極，絕緣層，和半導體層之半導體圖樣，和 源極和汲極，其穿過在半導體圖樣區域中之閘極，其 中 端部份漸尖之半導體圖樣形成在端部份漸尖之閘極上 ，且 閘極之錐角0 g等於或小於在半導體圖樣之端部份上 之錐角0S之三倍（其中，0g<9〇° )。 (2 )如上所述之半導體裝置，其中 該閘極由選自Ta ，ITO (銦錫氧化物）， Μ 〇 S i 2 ，TaSi2 ，:..CrSi2 ，WSi2 ， T i N ’和Ta N之群之材料所製成，和 閘極之錐角0 2等於或小於在半導體圖樣之端部份上 之錐角之二倍（其中，0g<9〇。）。 本紙張尺度適用中國ϋ家梯準（CNS ) A4胁（210X297公着) ~ -9 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· *^τ Λ A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、 發明説明（7 ) 1 I (3 )如 上述第 ( 1 ) 段所 述之半導體裝 置， 其 中 1 1 1 / 該閘極由 選自C r 'Μ 0 ， W，A 1 ，C U ， A U 和 1 1 N i 之群之材 料製成 > 和 f、 I 請 1 1 閘極之錐 角Θ g 等 於或 小於 在半導體圖樣 之端 部 份 上 先 閱 1 讀 1 之 錐 角0 s之 三倍（ 其 中， Θ g < 9 0 ° )。 背 1¾ 1 I 之 (4 )如 上述第 ( 1 ) 段所 述之半導體裝 置， 其 中 意 1 事 1 閘極之錐 角0 g 爲 在半 導體 圖樣之端部份 上之 錐 角 項 再- 填 1 Θ S 之0 . 5 至3倍 ( 其中 ，Θ g < 9 0 0 ) 之範 圍 〇 寫 本 裝 頁 1 (5 )如 上述第. ( 1 ) 段所 述之半導體裝 置， 其 中 1 該閘極之 錐角Θ g 在1 〇。 〜4 0 °之範 圍內 〇 1 1 (6 )如 上述第 ( 1 ) 段所 述之半導體裝 置， 其 中 1 1 端部份漸 尖之半 導 體圖 樣形 成在端部份漸 尖之 閘 極 上 訂 I » 和 1 I 閘極和半 導體圖 樣 之形 成使 由閘極之下平 面之 端 至 上 1 1 1 平 面 之端之背 後距離 ( A ) 對閘 極厚度（B ) 之比 例 ( 錐 1 Λ 率 B / A )等 於或小 於 在半 導體 圖樣之端部份 上之 二 倍 錐 1 率 ( B ^ / A 一）» 1 1 (7 )如 上述第 ( 1 ) 段所 述之半導體裝 置， 其 中 1 1 閘極之錐 率（B / A ) 在0 .2 〜0 . 8 之範 圍 內 〇 I (8 )- 種液晶 顯 示裝 置， 包含 I 薄膜電晶 體，其 安 排在 多數 掃描訊號線和 多數 影 像 訊 | 號 線 之相關交 叉點附 近 ，且 影像 訊號線形成在 一對 基 底 之 1 1 一 基 底上，而 閘極， 汲 極， 和源 極分別連接至 掃描 訊 Οιϋ 疏 線 1 1 9 影 像訊號線 ，和圖 素 電極 ，其 中， 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 一 10 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 端部份漸尖之半導體圖樣形成在端部份漸尖之閘極上 ，因此形成閘極之錐角Θ g以使等於或小於在半導體圖樣 之端部份上之錐角Θ s (小於9 0 ° )之三倍，和 液晶層經由液晶對準膜而保持在基底和該對基底之另 一透明基底間。 (9 )如上述第（8 )段所述之半導體裝置，其中 端部份漸尖之半導體圖樣形成在端部份漸尖之閘極上 9 閘極和半導體圖樣之形成使由閘極之下平面之端至上 平面之端之背後距離（A )對閘極厚度（B )之比例（錐 率B/A)等於或小於在半導體圖樣之端部份上之三倍錐 率（B — / A > )，和 液晶層經由液晶對準膜而保持在基底和該對基底之另 一透明基底間。 依照上述之特點，產生在半導體圖樣之漸尖端上之撃 率長度可限制至小於1 /2之絕緣層之斜線長度》且因此 ，可抑制G/D短路之產生。 再者，半導體圖樣可提供矩陣型液晶顯示裝置包含薄 膜電晶體當成主動元件，其安排在多數掃描訊號線和液晶 顯示元件之影像訊號線之相關交叉點附近，且其閘極，汲 極和源極分別在相同層連接至掃描訊號線，影像訊號線， 和圖素電極。 本發明對於具有反向交錯結構之T F T是有效的，其 中，閘極形成在半導體圖樣之下，且類似的，對於具有正 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公後_) u ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 泉 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（9 ) 常交錯結構（頂閘結構）之TF T亦是有效的，其中，源 極和汲極形成在半導體圖樣之下》 相關於本發明之半導體圖樣只可形成絕緣層或半導體 層，且構成使半導體圖樣穿過配線。再者，半導體圖樣亦 可以類似的方式形成在一般電子絕緣膜之配線板上。 依照本發明，由於在閘絕緣層中之開口部份在形成用 於源極之金屬膜之前製造，且源極形成在開口部份，即使 半導體層使用源極之金屬膜當成掩模而蝕刻時，金屬膜之 端部份亦不會對半導體層形成屋簷形，因此可避免透明電 極之破裂，並簡化製造方法和增加生產率》 再者，由於在圖素電極之下之閘絕緣膜具有開口部份 ，可改善透射率。此外，因爲光屏蔽電極形成在資料線附 近，且資料絕緣膜之開口部份並未存在於光屏蔽電極之上 ，因此可獲得高的生產率，增加孔徑比，並改善顯示影像 之明亮度。 依照控制在TFT之電極之端部份上之錐角（其具有 一結構爲源極和汲極跨騎在具有半導體層和閘絕緣層之半 導體圖樣中之閘極上）以使其小於半導體圖樣之端部份上 之錐角之三倍，最好在0 . 5〜3倍之範圍內，則產生在 電極之端部份上之擊穿尺寸可降低，並可避免G/D短路 。因此，可獲得具有高可靠度之半導體裝置。 當半導體圖樣由各向同性乾蝕刻形成時，可大體上獲 得端部份具有些微錐角之半導體圖樣。但是，因爲在跨騎 閘極之部份上之蝕刻進行的比在平面部份蝕刻的快，因此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~ - 12 - - ---------批衣------、玎-------^ I ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 3 ^17 si __ B7 五、發明説明（10 ) ’在漸尖端部份會產生擊穿。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如果在閘極端部份上之錐角控制成小於半導體圖樣之 端部份上之錐角之三倍，則可改善覆蓋在上述絕緣層和半 導體層上之步階，產生在半導體圖樣之端部份上之斜度中 之龜裂長度亦可受抑制而變成相當短，亦可抑制在絕緣層 上由於絕緣層失敗而引起由半導體層而來的漏電流，且亦 可避免在閘極，汲極，和源極間之短路\ 如果在半導體圖樣之端部份上之錐角大於30° ，則 無需使閘極之端部份上之錐角如此之小。當在半導體圖樣 之端部份上之錐角大約20°時，因爲在漸尖部份上之絕 緣層變厚，則很難因蝕刻而產生龜裂，且在閘極上之錐角 可小於6 0 ° 。 如果在半導體圖樣之端部份上之錐角小於10° ，藉 由使在閘極之端部份上之錐角小於上述角之三倍，亦即< 30° ，在半導體圖樣之絕緣層上之斜坡中產生之龜裂長 度可減短，且因此可避免G/D短路》 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 如果閘極之錐角較小，則產生在半導體圖樣之絕緣層 上之斜坡中之龜裂長度亦可縮小，並可增加降低漏電流之 效果和避免短路之效果》但是，如果錐角太小是有必要的 ，則當成電極之橫截面區域降低，而當成掃描訊號線之電 阻增加。因此，上述之錐角最好大約爲半導體圖樣之端部 份上之錐角之三倍。 藉由在圖樣處理中蝕刻，在半導體圖樣之絕緣層上之 斜坡中產生之龜裂不需要完全的防止，但是如果龜裂之長 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - B7 五、發明説明（11 ) 度小於漸尖斜坡之長度之1/2，則產生漏電流和在閘中 短路之可能性較低，因此可達成電穩定電晶體特性。如果 龜裂之長度小於漸尖斜坡長度之1/3 ，則可進一步增加 穩定性。 依照本發明，可提供具有大的孔徑比和明亮影像顯示 之液晶顯示裝置。再者，由於構成顯示板之T F T基底可 藉由只包括5次的光阻步驟之簡單處理而產生，則可提供 低成本的液晶顯示裝置和製造方法。再者，由於在由 I TO製成之透明導電膜之步階部份上之線撃穿可有效的 防止，因此可獲得具有較佳生產率之液晶顯示裝置和其製 造方法。 附圖簡述 圖1爲本發明之實施例1中，液晶顯示板之橫截面圖 (沿圖2之1 — 1線所截取的）。 圖2爲在實施例1中，在TFT基底上，圖素之圖樣 和其附近之層之平面圖。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3爲在本發明之實施例1中，在TFT基底上，薄 膜電晶體，圖素，和儲存電容附近之橫截面圖（沿圖2之 3 — 3線所截取的）。 圖4爲閘極線G L和閘極終端G TM之連接部份之附 近之平面圖。 圖5爲閘極線G L和閘極終端GTM之連接部份之附 近之橫截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（210'乂297公釐）11』 -14 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (12 1 | 固 圖 6 爲 資 料 線 D L 和 汲 極 終 端 D T Μ 之 連 接 部 份 之 附 1 I 近 之平 面 圖 〇 1 1 1 面 圖 7 爲 資 料 線 D L 和 汲 極 終 端 D T Μ 之 連 接 部 份 之 附 1 I 近 之橫 截 面 圖 〇 先 閱 1 1 讀 | 圖 8 爲 用 以 說 明 在 顯 示 板 之 矩 陣 週 緣 之 結 構 之 平 面 Γ^Ι 圖 背 1 I 之 1 注 | 意 | 事 1 圖 9 爲 用 以 製 造 在 實 施 例 1 中 之 液 晶 顯 示 裝 置 之 項 再 1 填 1 T FT 基 底 T F T S U Β 之 製 造 方 法 之 流 程 1 cai 圖 〇 寫 本 裝 頁 1 (ΞΙ 圖 1 0 爲 相 當 於 圖 9 之 步 驟 A 之 橫 截 面 圖 〇 1 圖 1 1 爲 相 當 於 圖 9 之 步 驟 B 之 橫 截 面 1 «3 1 圖 〇 1 1 ΓΒΠ 圖 1 2 爲 相 當 於 ΓΒ1! 圖 9 之 步 驟 C 之 橫 截 面 圖 〇 1 1 圖 1 3 爲 相 當 於 圖 9 之 步 驟 D 之 橫 截 面 [WI 圖 0 訂 1 圖 1 4 爲 相 當 於 圖 9 之 步 驟 E 之 橫 截 面 圖 〇 1 I 圖 1 5 爲 相 當 於 圖 9 之 步 驟 F 之 橫 截 面 圖 〇 1 1 I 圖 1 6 爲 相 當 於 圖 9 之 步 驟 G 之 橫 截 面 圖 〇 1 —"sj ，.泉 圖 1 7 爲 當 資 料 線 之 C r 電 極 由 本 發 明 之 製 造 方 法 製 1 造 時， 薄 膜 電 晶 體 和 儲 存 電 容 之 橫 截 面 圖 0 1 I 圖 1 8 爲 當 透 明 圖 素 電 極 由 本 發 明 之 製 造 方 法 製 造 時 1 I » 薄膜 電 晶 體 和 儲 存 電 容 之 橫 截 面 圖 〇 1 圖 1 9 爲 在 實 施 例 2 中 9 在 T F T 基 底. 上 > 圖 素 固 圖 樣 1 1 I 和 其附 近 之 層 之 平 面 圖 〇 1 回 圖 2 0 爲 由 圖 1 9 之 2 0 — 2 0 線 所 截 取 之 橫 截 面 圖 1 1 面 圖 2 1 爲 在 實 施 例 3 中 1 在 T F T 基 底 上 圖 素 圖 樣 1 1 1 準 標 家 國 國 中 用 適 度 尺 張 紙 本
Ns rfr- 公 A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、 發明説明 (13 ) 1 和 其 附 近之 層 之 平 面 圖 〇 1 1 圖 2 2 爲 由 固 圖 2 1 之 2 2 — 2 2 線 所 截 取 之 橫 截 面 圖 1 1 I 〇 請 1 1 圖 2 3 爲 由 1 〇 I 圖 2 4 之 1 — 1 線 所 截 取 之 橫 截 面 ret 圖 〇 A 閱 圖 1 2 4 爲 在 實 施 例 4 中 y 在 T F T 基 底 上 > 圖 素 圖 樣 背 1 I 和 其 附 近之 層 之 平 面 圖 〇 1 I 意 吉 I 圖 2 5 爲 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 概 略 立 體 圖 〇 爭 項 再 1 ，丨 圖 2 6 ( a ) 2 6 ( b ) 和 2 6 ( C ) 爲 本 發 明 之 1 本 1 裝 薄 膜 電 晶體 之 平 面 圖 0 頁 _/ 1 1 圖 2 7 爲 習 知 技 藝 之 薄 膜 電 晶 體 之 概 略 —1-. 體 圖 P 1 | 圖 2 8 爲 在 蝕 刻 劑 和 閘 極 之 錐 角 Θ g 中 介 於 硝 酸 和 1 I 硝 酸 高 姉氣 濃 度 間 之 關 係 圖 〇 1 訂 I 1 cri 圖 2 9 ( a ) 2 9 ( b ) 和 2 9 ( C ) 爲 指 示 在 線 1 1 | 圖 樣 之 端部 份 上 之 漸 尖 形 狀 之 概 略 橫 截 面 圖 〇 1 1 1 圖 3 0 爲 指 示 介 於 閘 極 之 錐 角 Θ g 和 閘 / 汲 極 間 之 的 1 電 壓 間 之關 係 圖 〇 Λ 1 圖 3 1 ( a ) » 3 1 ( b ) 和 3 1 ( C ) 爲 閘 極 之 1 1 跨 騎 部 份之 平 面 圖 〇 1 I ΓΒ!1 圖 3 2 爲 本 發 明 之 液 晶 顯 示 裝 置 之 概 略 横 截 面 圖 〇 1 實 施 例 之詳 細 說 明 1 圖 1爲 在 依 照 本 發 明 之 主 動 矩 陣 型 液 晶 顯 示 裝 置 中 ， 1 1 顯 示 板 之矩 陣 部 份 ( 顯 示 部 份 ) 之 結 挫 稱 之 橫 截 面 圖 〇 顯 示 1 1 板 包 含 T F Τ 基 底 T F T S U B » 其 由 具 有 薄 膜 電 晶 體 nS. 之 1 1 N C 準 標 家 國 國 中 用 適 度 尺 張 紙
格 規 4 A
楚 公 7 9 2 X 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 A7 _ _B7___ 五、發明説明（14 ) 透明玻璿基底s U B 1 ，圖素電極，和各種配線和其它物 形成在一側表面製成，和相對基底OPSUB，其由具有 共同電極IT02之另一透明玻璃基底SUB2 ，影色過 濾器F I L，和光屏蔽膜BM和其它物形成在另一側，和 一液晶層L C充填在介於互相面對之兩基底之間隔間。 介於上述基底間之液晶層L C之電光狀態藉由施加影 像訊號電壓在圖素電極和共同電極I TO 2之間而受到控 制，以改變在顯示板部份之光透射狀態和顯示給定影像。 背光設置在液晶板外側之相反基底〇 P S U B側或 TFT基底TFTSUB側，以經由液晶板之圖素部份觀 察由相反側透射至背光之光線。 在以下說明之圖中，具有相同功能之零件以相同的參 考符號表示。 < 丁 F T基底> 圖2爲在圖素中和形成T F T基底T F T S U B之每 一層之附近之圖樣之平面圖。圖1爲由圖2之1 一 1線所 截取之橫截面圖，而圖3爲由圖2之3 _ 3線所截取之橫 截面圖。 其次，TFT基底TFTSUB之結構係參考圖1〜 3詳細說明。如圖2所示，在TFT基底之表面上提供多 數之閘極線（掃描訊號線或水平訊號線）G L互相平行， 和多數之資料線（影像訊號線或垂直訊號線）D L互相平 行且與閘極線交叉。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 一 17 - --------:1¾衣------ΐτ------Λ. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 3^173i 五、發明説明（15 ) 由相鄰兩閘極線G L·和相鄰兩資料線d L所包圍之區 域變成一圖素，而圖素電極形成在幾乎整個區域上。薄膜 電晶體（由圖2之虛線所圍繞之區域）當成開關元件乃形 成在相關於每個圖素電極之閘極線上之凸部份（在圖2中 ’凸部份向上）’而源極S D 1連接至圖素電極。施加至 閘極線G L之掃描電壓傳送至構成閘極線之一部份之 TF T之閘極，以啓動TFT爲ON狀態。此時，供應至 資料線D L之影像訊號經由源極S D 1輸入至圖素電極。 <薄膜電晶體TFT> 如圖3所示，閘極線G L形成在透明玻璃基底 S U B 1上，而薄膜電晶體藉由形成絕緣層，半導體層， 和其它物在閘極線上而構成。薄膜電晶體操作以使介於源 和汲極（資料線D L )間之通道電阻在偏壓施加至閘極線 GL時變小，而當偏壓變成零時，通道電阻變大。 由氮化矽製成之閘絕緣層G I形成在閘極上，該閘極 組成閘極線G L之一部份，而由非晶矽（其未加入雜質） 製成之i型半導體層A S和由非晶矽（其加入雜質d 〇 ) 製成之N型半導體層形成在閘絕緣層上。i型半導體層 A S構成薄膜電晶體之活性層。薄膜電晶體藉由進一步形 成源極S D 1和汲極（在此實施例中，一部份之資料線 D L構成汲極，因此如果沒有特別說明，汲極亦稱爲資料 線DL)在i型半導體層上而構成。 關於源極GI ，可使用以電漿CVD形成之氮化矽膜 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210 X297公嫠)~— 一 18 一 .~ ~^ j 裝 訂 ^·Λ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 S^1731 五、發明説明（16 ) ，其厚度爲2000〜5000A (在此實施例中’約爲 3 5 0 0 A )。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i型半導體層AS形成厚度5 0 0〜2 5 0 0A (在 實施例中約爲2000A) 型半導體層d〇和源極和 汲極形成i型半導體層A S之歐姆接觸，並形成摻雜磷（ P)之非晶矽半導體。 源極和汲極之名稱通常由介於電極間所施加偏壓之極 性所決定。在相關於本發明之液晶顯示裝置中，由於在操 作時之極性改變，源極和汲極互相交換。但是，在下述的 說明中，爲了簡化起見，則將其一固定稱爲源極，而另一 稱爲汲極。 <源極> 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如圖3所示，源極SD 1形成在由薄膜電晶體TFT 之N型半導體層d 〇至在玻璃基底SUB 1上之圖素電極 附近之區域上，且由包含第一導電層d 1和第二導電層 d 2之疊層膜構成。第一導電層d 1由銘（C r )形成具 有厚度爲6 0 0〜1 5 0 0A (在此實施例中約爲 1 2 0 0 A )，且第二導電膜d 2由例如銦錫氧化物（以 下簡稱爲I TO)之透明導電膜I T01所形成。第一導 電膜1可由非鉻之高熔融金屬（Ti ，Ta ，W，Mo) 和上述金屬之合金形成。 上述之源極S D 1延伸進入閘絕緣層G I之開口部份 內側（在圖3中，指示爲圖素電極），該開口形成在圖素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公ί ) " 一 一 19 一 B7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（17 ) 電極之內側如圖2和3所示。亦即’如圖3所示’形成源 極SD 1之第一導電膜d 1和其上之第二導電膜d 2形成 在圖素區域中，因此，至少它們的一部份接觸玻璃基底 S U B 1 。 依照上述之結構，透明電極d 2可較佳的跨騎在下第 一導電膜d 1之步階上，而不會引起任何的線破裂。上述 之結構將在以下和製造方法之說明一起更詳細的說明。特 別的，當透明導電膜d 2由如同本實施例之I TO製成時 ，上述的效果更爲重要。因爲I TO具有大的晶粒尺寸， 在晶粒之顆粒邊緣上之蝕刻速度和在晶粒本身之蝕刻速度 不同，且比在晶粒本身快。因此，如果在透明導電膜D 2 之下之步階部份未製成適當的漸尖形狀，I TO迅速的引 起線破裂。 有鑒於上述之觀點，如果半導體使用金屬膜當成掩膜 而在半導體膜上蝕刻如J P — A_6 1 — 1 6 1 764 ( 1 9 8 6 )所揭示的，金屬膜在橫截面結構形成屋簷形狀 ，且透明導電膜快速的引起線破裂。相反的，如上所述之 情形很難發生在步階部份上之線破裂。 如以下和製造方法一起說明，在本實施例中，閘絕緣 層G I之開口在形成第一導電膜d 1之前形成，且第一導 電膜d1形成在由用以形成開口之前述方法所暴露之玻璃 基底SUB 1上。當含氟氣體（其爲習知用於半導體之乾 蝕刻氣體）使用於乾蝕刻時，玻璃之乾蝕刻速度低於矽半 導體。因此，本實施例具有之特點爲第一導電膜d 1之端 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -20 -- ---；-------丨裝------訂------,Λ. - < ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7__ 五、發明説明（18 ) 部份不會形成屋簷形狀，即使i型半導體層A S使用第一 導電膜當成掩模而相對於閘絕緣層G I選擇性的蝕刻，構 成源極SD 1之第二導電膜不會引起任何的線破裂’且因 此可獲得較佳的生產率。 再者，根據在閘絕緣層G I上形成開口 ’在圖素電極 部份上之光吸收降低，且透射率變成比未形成開口之情形 大’因此可獲得具有較佳明亮影像顯示之液晶顯示裝置。 <圖素電極> 圖素電極形成透明導電膜I TO 1 ，連接至薄膜電晶 體之源極SD1 ，且與構成源極之透明導電膜d2形成一 體。透明導電膜IT01由300〜3000A厚之 ITO濺鍍膜形成（在本實施例中，約爲1400A)。 <閘極線G L ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 閘極線由單層導電膜g1形成如圖1所示。關於導電 膜gl ，可使用經由濺以銨使具有600〜1500A厚 之鉻膜（Cr)形成（在此實施例中約爲1200A)。 導電膜g1可由與第一導電膜d1相同之具有高熔融溫度 之金屬或合金形成。 <資料線> 資料線DL形成在透明玻璃基底SUB 1上之閘絕緣
層GI上’如圖1所示。資料線具有由丨型半導體層AS 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -21 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 __ B7 ___ 五、發明説明（19 ) ’ N型半導體層d〇，第一導電膜dl ，和透明導電膜 d 2 (其皆具有大約相同的平面圖樣）所構成之疊層結構 。在這些層和腹中，導電膜d 1和導電膜d 2主要有助於 電傳導，並具有傳輸訊號之功能。 〈儲存電容Cadd> 儲存電容C a d d具有防止液晶層L C之電容衰減和 在關閉T F T時之電壓降之功能，並提供至每個圖素。如 圖3所示，在每個圖素上之儲存電容C a d d形成在圖素 與前級閘極線G L交叉之區域，與閘極線G L相鄰，而在 相同圖素中之T F T形成在其上，以使閘絕緣層G L保持 在閘極線G L和圖素之間。 <屏蔽電極S KD和矩形儲存電容T C a d d > 如圖1所示，屏蔽電極SKD由在TFT基底 TFTSUB之透明玻璃基底SUB 1之表面上之閘極線 G L構成之相同導電膜g 1形成。另一方面，矩形儲存電 容T C a d d形成在圖素與閘極線G L之凸部份交叉之區 域’以使閘絕緣層保持在圖素和閘極線之凸部份間，如圖 2所示。 屏蔽電極SKD和矩形儲存電容TC a d d形成在一 平面結構中以使沿著如圖2所示之汲極線D L而和圖素電 極重疊。另一方面，在橫截面結構中，屏蔽電極S KD由 閘絕緣層G I而與資料線DL分離和絕緣，如圖1所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —V / — 1--^-------1------1T------ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (20 % 1 1 屏 蔽 電 極 S K D 和 矩 形 儲 存 電 容 T C a d d 具 有 一 功 1 I 能 以增 加 圖 素 電 極 區 域 對 圖 素 區 域 之 比 ， 亦 即 > 孔 徑 比 > 1 1 1 以 改善 影 像 顯 示 板 之 明 亮 度 0 在 圖 1 所 示 之 顯 示 板 中 > 背 請 1 1 光 放置 在 相 反 基 底 〇 P S U B 側 或 T F Τ 基 底 先 閱 讀 1 1 T FT S U B 側 〇 以 下 > 通 常 假 設 背 光 設 置 在 相 反 基 底 側 背 1 〇 PS U B ϊ 且 經 由 T F T 基 底 T F T S U B 側 進 行 觀 察 注 意 重 1 | 〇 入射 光 經 由 玻 璃 基 底 S U B 2 傳 送 > 並 經 由 在 玻 璃 基 底 Ψ 項-再 1 填 1 S U B 2 之 液 晶 L C 側 表 面 上 以 鉻 ( C r ) 形 成 之 屏 蔽 膜 寫 本 裝 I B Μ之 間 隔 而 進 入 液 晶 層 0 入 射 光 由 施 加 於 介 於 形 成 在 相 頁 «—' 1 1 反 基底 〇 P S U B 上 之 透 明 共 同 電 極 I T 〇 2 和 形 成 在 1 1 T FT 基 底 上 之 圖 素 電 極 間 之 電 壓 所 控 制 〇 1 | 當 顯 示 面 板 爲 正 常 白 色 模 態 時 如 果 屏 蔽 膜 B Μ 不 存 訂 I 在 ，不 是 由 電 壓 所 控 制 之 漏 光 ( 未 控 制 光 ) 經 由 介 於 資 料 1 1 I 線 D L 和 屏 蔽 電 極 S K D 間 之 間 隔 ( 圖 1 之 L 1 ) 而 洩 漏 1 1 且因 此 降 低 了 顯 示 上 之 對 比 〇 再 者 介 於 資 料 線 D 1 1 —ν| 和 圖素 電 極 間 之 指 定 距 離 L 4 必 需 保 持 以 避 免 產 生 由 上 1 述 線和 電 極 之 短 路 而 引 起 之 斑 點 1 因 爲 資 料 線 D 1 和 圖 素 1 I 電 極之 週 緣 形 成 在 相 同 的 閘 絕 緣 層 G I 上 P 由 於 介 於 1 I T FT 基 底 T F T S U B 和 相 反 基 底 〇 P S U B 間 之 間 隔 1 1 爲 5 μ. m 大 用 於 上 述 介 於 屏 蔽 膜 B Μ 和 資 料 線 D L 間 之 1 間 隔之 3田 m 整 距 離 L 2 必 需 具 有 相 關 的 指 定 距 離 〇 另 一 方 面 » 由於 屏 蔽 電 極 S K D 由 資 料 線 D L 和 閘 絕 緣 層 G I 所 分 1 1 離 和絕 緣 9 發 生 短 路 之 可 能 性 極 小 且 因 此 其 可 設 定 小 1 I 於 L 4 0 因 此 ， 如 果 屏 蔽 電 極 比 當 屏 蔽 電 極 S K D 不 存 在 1 | 本紙張尺 度適用1 1國t SI家 樣準 (CNS A4規格（210X 297公釐） -23 - 經濟部中央標準局一貝工消費合作社印製 A7 ______ . B7_____ 五、發明説明（21 ) 時’需用於屏蔽膜B Μ和圖素電極之調整邊緣L 3更接近 資料線D L時，可增加孔徑比。 矩形儲存電容TC a d d藉由和屏蔽電極S KD相同 之效果亦有助於增加孔徑比。再者，矩形儲存電容 T C a d d具有另一效果如下所述。亦即由於TC a d d 形成在閘極線G L之凸部份上，凸部份之靜電屏蔽效果降 低了由改變資料線D L之電壓而提供至圖素電容之靜電效 果（圖素電容由圖素電極，形成在相反基底上之透明導電 膜ϊ TO 2，和保持在上述電極和膜間之液晶層構成）。 <被動膜> 如圖1和3所示，除了圖素電極之中央部份，和提供 在T F T基底之週緣之閘極終端部份和汲極終端部份外， 在具有薄膜電晶體之側中之T F T基底T F T S U B之表 面覆蓋以被動膜P S V 1。藉由在圖素電極之上部份形成 被動膜P S V 1之開口 ’在開口部份上由被動膜所吸收之 光可減少，且因此，可增加顯示板之透射率，亦即，亮度 。被動膜P SV 1主要用防止薄膜電晶體TFT受潮。被 動膜p sv 1藉由例如電漿p SV而形成之2 ο ο 0A〜 8 0 0 0A厚之氧化矽膜或氮化矽膜所形成。 <閘極端部份G TM> 圖4爲由在T F T基底之閘極線G L之端部份至與外 部驅動電路連接之閘極終端G TM間之區域之平面圖，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） —/ Ά — -----------坤衣------ΐτ------^ -' 一 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) s217Si A7 ____B7 五、發明説明（22 ) 圖5爲沿著圖4之5 - 5線所截取之橫截面圖。 閘極終端G TM由形成閘極線G L之導電膜g 1和形 成資料線D L之第一導電膜d 1和透明導電膜d 2之疊層 膜構成。透明導電膜d 2暴露至外界。由I TO形成之透 明電極防止第一導電膜d 1和在d 1下由C r製成之導電 膜g 1免於受到外在環境之影響。閘極終端G TM之透明 導電膜和形成圖素電極和資料線之透明導電臈I T 0 1 — 起形成。第一導電膜d 1具有比導電膜g 1大的圖樣，且 透明導電膜d 2具有大於第一導電膜d 1之圖樣。其理由 爲在形成閘絕緣層G I後，避免由和第一導電膜d 1相同 之鉻所形成之導電膜g 1之喪失，和避免由於化學品或濕 氣之進入而造成對導電膜g1和由鉻製成之第一導電膜 dl之腐蝕。在上述之構造中，透明導電膜IT01 ( d 2 )爲唯一非被動膜P S V 1暴露至外界之部份。 I TO爲氧化物，且對於引起腐蝕之氧化反應具有明顯的 阻止效果。因此，上述之結構具有強的可靠度。 經濟部中央標準局員工消費合作·社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述，使用T F T之液晶顯示裝置可以相當好的 生產率製造，且可藉由塗覆構成具有I TO之閘極終端 G 丁 Μ之金屬導電膜而改善可靠度》以上述之觀點，在由 I TO形成之透明導電膜d 2之下之閘絕緣層G I之開口 必需在形成d2之前製造。再者，i型半導體層AS和在 I TO之下在步階部份上之閘絕緣層G I必需製成較佳的 淅尖形狀，如前所述。 CNS ) A4規格（210 X297公釐） -25 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（23 ) <源極終端G TM> 圖6爲由在T F T基底上之資料線d L之端部份至汲 極終端D T Μ之外部驅動電路之連接部份之區域之平面圖 ’和圖7爲沿圖6之7 — 7線所截取之橫截面圖。 如同上述說明閘極終端G Τ Μ相同的理由，汲極終端 D ΤΜ由以構成由以構成資料線D L之鉻製成之第一導電 膜d 1和以透明導電膜製成之透明導電膜d .2之雙層所構 成。透明導電膜形成比第一導電膜寬之圖樣。移去在汲極 終端之部份中被動膜P S V 1和外界電路連接。 圖8爲在顯示板之週緣部份之結構之平面圖。在 TFT基底TFTSUB (SUB1)之週緣中，相當於 每個閘極線之多數閘極終端G Τ Μ安排形成一群閘極終端 T g。相似的，相關於每個資料線之多數汲極終端D ΤΜ 安排形成一群汲極終端Td。在圖8中的I N J爲未形成 用以黏著TFT基底TFTSUB和相反基底OP SUB 之密封圖樣之部份，而在上述兩基底黏著之後，液晶由該 部份充填。 <相反基底〇PSUB> 如圖1所示，屏蔽膜BM，具有紅緣蓋三色F I L之 過濾器，被動膜PSV2 ，共同透明圖素電極IT02 ’ 和對準膜0 P R I 2連續的疊層在透明玻璃基底S U B 2 之一側表面上。偏極板P 0 L 2黏著至透明基底S U B 2 之另一側表面。透射光由上述偏極板P 〇 L 2和偏極板 本紙張尺度，中國國家標草（CNS ) A4規格（2咖297公兔）26 裂 訂 ^線 - ί ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 !______B7 五、發明説明（24 ) POL 1偏極，偏極板p〇L 1黏著至未形成TFT之T FT基底TFTSUB之側表面。 上述之屏蔽膜BM由鉻濺鍍膜形成，因此屏蔽膜執行 兩項功能，一爲屏蔽功能以遮蔽由顯示板之未控制區域而 來之光，和另一爲黑矩陣功能以改善由環繞每個圖素之週 緣當成圖像框之對比。 <TFT基底TFTSUB之製造方法> 其次’以下參考圖9〜1 6說明上述TFT基底 TFTSUB之製造方法。圖9爲概括在製造方法中使用 每一步驟之名稱之製造步驟之流程圖。互相相關之多數步 驟等合在一起以形成副方法，且每個副方法標示以（A) ’ （B) ’ （C)。圖10〜16相關於在上述指定爲（ A)至（G)之副方法上之最終橫截面結構。這些圖爲薄 膜電晶體和圖素電極之連接部份附近以及在T F T基底上 之儲存電容（相當於圖3之橫截面）之橫截面圖。圖3相 當於在圖9中之副方法（H)完成之後之橫截面結構。每 個副方法（A) ， ( C ) ， ( D ) ， （F)和（H)包括 光處理方法。在本發明之說明中，光處理方法意即一序列 經由使用光罩之選擇性曝光而由應用光阻至顯影之工作。 如圖9所示，此實施例之TFT基底經由5次光處理方法 製造。 圖17爲剛在S i蝕刻處理之前，在圖9之副方法（ D )之第三光處理方法完成之後，接近相關薄膜之真實形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS") A4規格（210X 297公釐) _ 27 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 A7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、發明説明（25 ) 狀之橫截面結構。圖1 8爲在圖9之副方法（F )中之 1 T 〇測鍍之後，接近薄膜之真實形狀之相似橫截面圖》 以下，將連續說明每個方法。 藉由準備透明的玻璃基底S UB 1 ，以濺鍍而將鉻膜 全部的形成在基底S U B 1之一表面上。在以光處理（第 一光處理）形成具有給定圖樣之光罩在鉻膜上後，鉻膜受 到選擇性的蝕刻以形成具有給定圖樣之導電膜g 1 (圖 1 0之方法（A ))。 而後，在形成在透明玻璃基底S U B 1之一表面上之 導電膜g 1上，以電漿CVD裝置連續的疊層氮化矽膜G I ，i型非晶矽膜A S，和N型非晶矽膜d 〇 (圖1 1之 方法（B ))。 — 在由光處理形成掩模後（第二光處理），變成N型半 導體層d〇 (N型非晶矽膜），i型半導體層AS (i型 非晶矽膜）和閘絕緣層G I (氮化矽）之相關三層之圖素 之部份以SFe氣體蝕刻移去（圖12之方法（C))❶ 其次’藉由濺鍍而將鉻膜形成在上述已處理之基底上 。在藉由光處理（第三光處理）形成具有給定圖樣之罩在 鉻膜上後，鉻膜選擇性蝕刻以形成導電膜d 1。在此處理 中’由薄膜電晶體TFT延伸而來之第一導電膜d 1之端 部份藉由上述處理而形成在透明玻璃基底S U B 1之開口 上（圖13之方法（D))。 而後’使用罩以用於由前述方法所形成之第一導電膜 dl ’ i型半導體層d〇和U型半導體層AS以8?0和 (請先閲讀背面之注意事項4填寫本頁) .裝-
、1T 竦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~~-28 - A7 B7 五、發明説明（26 )
c$3之混合物蝕刻而選擇性的移去（圖1 4之方法（E ))g (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，藉由濺鍍形成由I TO膜製成之透明導電膜 d 2。在由光處理（第四光處理）形成罩之後，使用 Η Β Γ溶液而選擇性蝕刻透明導電膜，以在透明導電膜 IT01上形成ITO圓樣。（圖15之方法（F)) » 其次，第一導電膜d 1再度使用圖樣形成透明導電膜 d 2而選擇性蝕刻，且進一步，源極s D 1和資料線D L 藉由蝕刻N型非晶矽膜而分離（圖1 6之方法（G ))。 而後，藉由電漿C VD裝置形成氮化矽膜》在以光處 理（第五光處理）形成罩之後，氮化矽膜受蝕刻以在除了 圖素電極之中間部份和其它處外之區域形成被動膜 PSV1 (圖3之方法（H))。 本發明之特點進一步參考圖1 7和1 8詳細說明。依 照本發明之製造方法，即使使用會由存在於其下方之步階 而迅速引起線破裂之I T ◦，亦可獲得不會引起配線破裂 之步階部份。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 圖1 7爲在鉻蝕刻在圖9所指示之第三光處理之後之 橫截面圖。使用當成罩之光阻P R E S仍保留在第一導電 膜d 1上。 N型半導體層d〇之端部份，i型半導體層AS，和 閘絕緣層GI ，皆爲在第一導電膜dl之下之步階，且分 別形成較佳之漸尖形狀。此三層之漸尖形狀藉由使用主要 成份爲氟（F)之SFe氣體連續的蝕刻而得》藉由 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7 五、發明説明（27 ) S Fe氣體之蝕刻速度之比例爲，以玻璃基底SUB 1之 速度當成1 ，則閘絕緣層GI約爲20，i型半導體層 AS爲80 ，且N型半導體層d0約爲160，因此，N 型非晶矽膜> i型非晶矽膜 > 氮化矽膜>玻璃基底。因此 ，當N型非晶矽膜之蝕刻結束而i型非晶矽膜之蝕刻開始 ’上N型非晶矽膜爲側蝕刻，且結果，i型非晶矽膜之端 部份以一約7 0〜7 5°之角度製成漸尖（斜度）形狀。 當i型非晶矽膜之蝕刻結束且氮化矽膜之蝕刻開始時，上 N型非晶矽膜和i型非晶矽膜連續的側蝕，且結果，i型 半導體層AS之端部份製成50°角之漸尖（斜坡）形狀 ，而閘絕緣層GI之端部份形成20°之漸尖形狀。因此 ，可能引起第一導電膜d 1之線破裂之可能性低於沒有漸 尖形狀而存在之陡翹步階之情形。再者，如果漸尖部份塗 覆第一導電膜d 1 ，形成在漸尖部上之第一導電膜d 1之 表面上之錐角約爲10° 。 另一方面，在玻璃基底S U B 1上之第一導電膜d 1 本身之端部份藉由增加適當量之硝酸高姉氨和硝酸至蝕刻 溶液中而變成約爲10° 。 其次，考慮之情形爲在儲存電容之導電膜g 1上之i 型半導體層A S和N型半導體層d 0使用光阻P R E S當 成罩而選擇性的蝕刻移去，如圖1 7所示》在蝕刻上，乾 蝕刻氣體如圖1 7之箭頭所示的流動，特別的，氣體環繞 在第一導電膜d 1之端部份上光阻P R E S之端部份下流 動，且沿著第一導電膜d 1之端部份上之漸尖部流至玻璃 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂 旅 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(28 ) 基底S U B 1 » 在以I TO製成之透明導電膜d 1最後塗覆之後之橫 截面圖如圖1 8所示。當N型半導·體層d 〇和在閘絕緣層 G I上之i型半導體層AS或玻璃基底SUB 1選擇性蝕 刻時，SF6氣體和BCj?3氣體之混合物可使用當成乾 蝕刻氣體。藉由加入B C 5 3氣體，以玻璃基底之蝕刻速 度當成1 ，則蝕刻速度之比例變成，氮化矽膜爲5，i型 非晶矽膜8 0，而N型非晶矽膜爲1 6 0。因此，即使儲 存電容之N型非晶矽膜和i型半導體層A S受到蝕刻，氮 化矽膜仍可保持相當好的選擇比例。在此方法中，當閘絕 緣層G I之蝕刻速度爲i型半導體層A S之蝕刻速度之 1 / 4時，則在i型非晶矽膜蝕刻時，閘絕緣層受到側蝕 刻。結果，儲存電容之氮化矽膜之錐角TH 3降低至 15°〜20°如同在第一導電膜dl下之氮化矽膜之錐 角ΤΗ 1 ，且變成較有益於塗覆透明導電膜d 2。再者， 在第一導電膜d 1下之玻璃基底SUB 1之蝕刻速度如前 所述爲相當小，且錐角TH2爲3° 。再者，雖然圖中未 顯示，在儲存電容之導電膜g 1之端部份上之CVD膜之 上表面之錐角爲5°之小，因爲CVD膜受到較佳的塗覆 。上述之優點不會消失，即使對於例如氧化钽之玻璃基底 對氟基氣體具有等效乾蝕刻速度之絕緣膜形成在透明玻璃 基底S U B 1上。 依照本實施例，可完成具有高孔徑比和明亮影像顯示 之液晶顯示裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） : 种衣 訂 I ^,1 • - ί (、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（29 ) 由於構成顯示板之T F T基底可藉由只包括5個光阻 處理之簡單方法製造，因此可達成提供便宜液晶顯示裝置 之優點。再者，因爲在由I TO所製成之導電膜（其易於 迅速引起線破裂）之下之所有步階之錐角製成等於或小於 10° ，可避免IT ◦之線破裂和改善生產率。 (實施例2 ) 本發明之第二實施例將參考圖1 9和2 0說明。圖 1 9爲平面圖，而圖2 0爲沿圖1 9之2 0 — 2 0線所截 取之橫截面圖》 本實施例與實施例1之不同點在於，關於改善孔徑比 之結構方面，用於浮動電極之屏蔽電極S KD並未使用， 而是擴大矩形儲存電容丁 C a d d，且只有擴大的矩形儲 存電容使用於屏蔽。因此，和實施例1比較，由爲閘極線 G L之一部份之矩形儲存電容T C a d d而對資料線D L 之屏蔽電壓改變之效果變大。因此，在影像顯示中垂直的 影像尾部之產生，亦即陰影之產生可受到抑制。 但是*在此例中，儲存電容之值，（其由閘極線G L 和圖素電極之交叉區域所決定）增加，且施加至閘極線 G L之掃描電壓之延遲時間亦增加。因此，爲了克服上述 延遲時間之增加，閘極線G L之導電膜g 1由低電阻配線 材料製成（其主要成份爲鋁以取代實施例1之鉻，如圖 20所示）。爲了避免由於阻擋物等之作用而使閘絕緣層 之耐電壓降低，鋁之主表面受陽極化以形成陽極氧化物膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐_) 32 _ --：--------神衣------1T------ - ( ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（30 ) AO。如上所述，藉由使用低電阻之鋁’即使儲存電容增 加時，亦可顯示具有良好品質之影像而不會增加掃描電壓 之延遲時間。 再者，如同實施例1，本實施例亦可獲得在透明導電 膜I ΪΟ 1下，在步階部份上之較佳漸尖部’且可避免透 明導電膜之線破裂’和改善生產率。 (實施例3 ) 本發明之第三實施例將參考圖2 1和2 2說明。圖 2 1爲圖素之平面圖，而圖2 2爲沿著圖2 1之2 2 — 2 2線所截取之橫截面圖。沿圖2 1之3 - 3線所截取之 橫截面圖和實施例1之圖1相同。 本實施例和實施例1和2之不同點爲儲存電容線H L 爲全新形成且平行於閘極線GL ’且儲存電容C a d d形 成在儲存電容線H L和圖素電極之交叉區域上。因此’和 實施例1和2比較，成爲閘極線G L之負載之電容值可降 低。因此，由於施加至閘極線G L之掃描電壓之延遲時間 可降低，則可保持和實施例1相同之優點’亦即’即使使 用鉻膜當成閘極線GL之導電膜gl ’大大尺寸之顯示亦 是可行的。 如圖2 2所示，儲存電容線H L和閘極線GL相同的 由導電膜g 1形成。在圖素電極之下之閘絕緣層G I具有 兩開口以握持儲存電容線HL在開口間。在儲存電容線 H L上之閘絕緣層G I之端部份具有較佳的渐尖部，如同 :紙張尺度適用中國國家橾準（CNS )八4規格（2丨0Χ297公釐」33 _ II--------裝------訂------7冰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（31 ) 實施例1 ，且不含有透明電極I TO 1之線破裂。 (實施例4 ) 以下將參考圖2 3和2 4說明本發明之第四實施例。 圖2 4爲圖素之平面圖，而圖2 3爲沿圖2 4之1 — 1線 而截取之橫截面圖。 本實施例和其它實施例之不同點爲，如圖2 3所示， 製成閘極線材料g1之屏蔽電極SKD屏蔽在資料線DL 下之所有部份，並延伸至圖素電極I TO 1之下。因此， 在極端之例中，提供在顏色過濾器基底◦ P T S U B之黑 色矩陣BM變成不必要。因此，在本實施例中，可增加孔 徑比，且可降低液晶顯示裝置之消耗能量。如果和其它實 施例使用相同的消耗能量時，則可完成最明亮之液晶顯示 裝置。如圖2 4所示，屏蔽電極S KD由閘極線材料g 1 製成》但是，閘極線G L本身並未形成，而屏蔽電極形成 一浮動電極，其並未由閘極線G L和資料線D L控制。因 此，可完成大尺寸液晶顯示裝置而不會增加上述線之電容 值。 (實施例5 ) 圖2 5爲形成在玻璃基底上之薄膜電晶體（TFT) 之立體圖。1 0 0 nm厚之鉻膜以濺鍍法形成在基底1上 。該膜藉由光蝕刻法而製造以形成掃描訊號線和閘極2。 而後，閘極之端部份藉由濕蝕刻法製造以形成具有0 g之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -34 - I----------批衣------、玎------ -· < ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 物731 A7 B7 __ 五、發明説明（32 ) 錐角之漸尖部。 藉由電漿化學蒸氣沉積法（電漿CVD)，氮化矽膜 ，無摻雜非晶矽膜，和摻雜磷之非晶矽膜連續的形成和疊 層以分別當成閘絕緣層4，半導體層5 ，和接觸層6。而 後，上述之疊層膜製成圖樣。爲了減少光罩和步階之數目 ，圖樣和相同的光罩藉由乾蝕刻法同時的製造。由於乾蝕 刻法具有各向同性蝕刻特性，在疊層膜之表面進行側蝕刻 以形成具有0 s之錐角之漸尖部，如圖2 5所示。 關於影像訊號線，圖素電極，源和汲極方面，藉由濺 鍍法形成約3 0 0 nm厚之I TO膜，且藉由濕蝕刻法使 用光阻以執行圖樣製造。藉由使用相同的光阻而乾蝕刻接 觸層6可形成通道區域。最後，藉由電漿CVD法形成氮 化矽膜當成被動層。 圖26 (a) ，26 (b) ，26(c)爲顯示當閘 絕緣層4之錐角0 s設定爲常數，戀1 〇° (錐率= 0-18)，且鉻膜，亦即，閘極2之端部份上之錐角 0 g改變時，半導體圖樣之閘極2之跨騎部份之平面圖。 當閘極2之錐角0g在6°〜10°之範圍內（錐率 =01〜0.18)，則在氮化矽膜之跨騎部份上並無 龜裂。因此，可以肯定的是當Θ g低到等於或小於1 〇。 時，不會產生龜裂。 當約爲0s之三倍時，亦即，在23。〜25。 之範圍內（錐率=0 . 4 7〜0 · 7)，會產生相當於在 漸尖部之斜坡上之長度之1 / 4之龜裂（c )。但是， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格"(210^<ϋ釐）η— -35 - —^ 裝 訂 7··^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 A7 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（33 ) T F T之電特性並不會受到在閘絕緣層4之漸尖部之斜坡 上之所述程度之龜裂之影響。 但是，當0 g變成大於Θ s之四倍時，亦即，在 70°〜80°之範圍（錐率=2 · 7〜5 . 6)，則會 產生超過1/2之漸尖部之斜坡之長度之龜裂（C)。圖 2 7爲上述情形之TF T之立體圖。當龜裂（C )變大時 ，閘極2和半導體層5之漏電流增加，且介於閘極2和汲 極8間之短路經常發生。 0 s可藉由使用SFe氣體之乾蝕刻法而形成在 10°〜30°之範圍內。 再者，0 g可藉由改變鉻膜，亦即，閘極2之蝕刻劑 之成分來控制。蝕刻劑爲包硝酸，硝酸高鈽氨，高氯酸， 和水之混合物。在上述之成份中，硝酸高姉氨之濃度僅決 定在垂直方向之蝕刻速度。硝酸進入介於鉻膜和光阻物間 之接觸邊界，而藉由將硝酸高鈽氨流入邊界而後至硝酸中 則可進行側向蝕刻。上述垂直和側向蝕刻速度之比例爲用 以決定在當成閘電極2之鉻膜之端部份上之錐角0 g之關 鍵因素。 在圖28中，當0s設定爲10°時，用以形成閘極 2之錐角0 g之硝酸和硝酸高鈽氨之比例等於或小於閘絕 緣層4之錐角0 s之三倍。 當硝酸高鈽氨之濃度爲2 0%且硝酸濃度爲9m 〇 5 /·?時，變成6°〜10° ，且如果濃度爲8m〇5 時，可能形成漸尖部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'乂 297公釐） -36 - IJ---------Μ------IT------^ 一 (- (請先閱讀背面之注意事項-»填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7___ 五、發明説明(34 ) 相反的，當硝酸高姉氨之濃度爲1 5%時’在垂直方 向上之蝕刻速度變成小於在2 0%上之速度。結果’在側 方向上的蝕刻速度相當顯著的增加，且Θ g變小。亦即’ 在硝酸濃度爲9moi2/i2時可獲得2°〜3° ’而在8 時，可獲得7° 。 再者，除了蝕刻劑之成份外，Θ g亦會受鉻膜和蝕刻 阻止物之粘著性而改變。決定黏著性之一因素爲在鉻膜表 面上之粗糙度（RHS)。 在圖2 8中，顯示介於0 g和鉻膜之表面粗糙度（ RMS)之關係。對於具有小RMS爲1 . 07之膜（表 面上具有小的突起和凹陷）而言，0g爲10° (當硝酸 濃度爲9m〇V/J2)。相反的，即使以相同的蝕刻劑， 對於具有1 . 2 0之RMS之膜（表面上具有較大的突起 和凹陷）而言，變成20° ，而對於具有1.43 RMS之膜而言（表面具有更大的突起和凹陷），0g變 成25° 。因此，膜之表面粗糙度（RMS)可視爲閘極 之漸尖蝕刻之重要因素。 圖樣之端部上之各種形狀藉由製造例如圖2 9 ( a ) 之漸尖部而形成，其中漸尖部之斜度約爲一直線，而其它 的例如圖29 (b)和（c)所示，其漸尖部之斜度無法 趨近於一直線。例（a )之錐角可輕易界定，但是例（b )和（c )即相當難以界定其錐角。在此例中，錐角由漸 尖部份之寬度之比例所界定，亦即，由下端至上端之凹陷 距離（底部長度：A)和膜厚度（B)，所謂的錐率（B 本紙張尺度適用中國國家標準（〔灿）八4規格（210/ 297公釐） ' -37 - ---^--------批衣------ΐτ------ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（35 ) /A)而定。因此，（b)和（c)之錐率（B/A)相 同的界定爲0.62。 圖3 0爲指示介於閘極2之錐角0 g和耐壓G/D間 之關係圖。在閘極2之跨騎部份上，在閘絕緣層4中之龜 裂（C )之切割長度顯示在相關的測量點上》 當氮化砂‘ ’亦即，鬧絕緣層4之錐角0 s設定爲 10°時，當0g爲10° ，則具有耐壓爲400V之高 值。在上述之例中’龜裂（C )之切割長度爲〇。如果 爲3 0° ，會產生約lem長之龜裂（C)，但是此 龜裂不會影響耐壓G/D。但是，如果0 g超過3 0。， 耐壓迅速的降低》此種降低乃是由延伸在閘絕緣層中之龜 裂（C)之切割長度超過漸尖部之斜坡長度之1/2而引 起的。 關於非上述說明之在閘極2之端部份上形成漸尖部之 其它效果爲，可避免線破裂。如圖3 1所示，當具有用於 例如聚I TO膜之膜之微弱步階覆蓋之材料使用於汲極8 時，藉由蝕刻而產生之龜裂進入汲極8中，且會產生電極 8之線破裂（以下稱D破裂）。藉由設定閘極2之錐角爲 10°〜40° (或錐率爲0.2〜0.8)，可抑制D 破裂。 藉由使用鉻膜蝕刻劑，可形成等於或小於3 0°之 0g，其中4〜7份重之硝酸混合1份重之硝酸高鈽氨， 用以蝕刻閘極2。特別而言，當5份重之硝酸加入時，可 獲得約10°之0g»但是，以少於4份重之硝酸將難以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —A X — I-^---------裝------訂-----叫線 -- ί ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __ _ B7_ 五、發明説明（36 ) 形成所需之錐角，因爲Θ g對gi s而言變的太大，且在_ 絕緣層4中產生龜裂。如果硝酸含量超過7份重，由於鉻 膜和光阻物之黏著狀況，0 g變的太小，且閘極2之圖樣 成形之準確度亦降低》 如果本實施例應用至在圖2 3中之屏蔽電極SKD之 製造方法時’可降低I TO 1之線破裂》 (實施例6 ) 當具有相當大特殊電阻之材料（Ta ，I TO， Μ o S i 2 - T a S i 2 ，CrSi2 ，WSi2 ， T i N，TaN)使用於製造閘極2時，所必需的是，藉 由增加其厚度而使其電阻變小，以降低電極之閘極延遲。 但是’如果厚度增加時，在閘極2之端部份上之步階變大 ’結果，在閘極2上，在閘絕緣層4之跨騎部份上，迅速 的產生龜裂。 爲了使電阻接近等於當1 0 0 nm厚之鉻膜使用於閘 極2時之電阻，所必要的是對於T a形成1 0 5 nm厚之 膜，對於聚I T ◦形成1 1 60nm厚，對於矽化物，如 Μ 〇 S i 2 ，WSi2 和 TiSi2 形成 190 〜775 nm厚，和對於T i N和TaN形成500nm厚》 由於大的步階而在由上述材料製成之閘極2之端部份 所引起之龜裂（C )和G/D短路可藉由使閘極2之0 g (或錐率）等於或小於閘絕緣層4之Θ s (或錐率）之二 倍，而受到抑制》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39 - IJ,-------裝------訂------Τ'瘃 ί ( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____B7 五、發明説明（37 ) 另一方面，當具有相當低電阻之導電材料，例如A义 ’ Cu，Au，Ni ，Μο和W使用以製造閘極2時，電 極之厚度必需相當薄。對於鋁而言，可製成2 0 nm厚之 膜之電極，對Cu而言，爲13nm，對於Ni而言，是 53nm，對於Mo而言，是44nm，且對於W而言， 是4 3 nm。在上述之例中，藉由使閘極2之0 g (或錐 率）等於或小於閘絕緣層4之β s (或錐率.）之三倍，可 抑制龜裂（C )和G/D短路之產生。 (實施例7 ) 當具有低介電常數之S i 02膜或由S i 02和 S i N之兩層製成之膜使用以製造閘絕緣層4時，所必要 的是使膜之厚度和介電常數之差異等量之薄，以獲得如同 絕緣層由S i N之單層製成時之相同電容值。 例如，爲了以具有2.0之介電常數和50nm厚之 膜之S i N膜而獲得相同之電容值，當使用S i 02時， 必需形成2 0 0 nm厚之膜。在上述之例中，在閘極2上 ，在s i 02閘絕緣層4之跨騎部份上會迅速的產生龜裂 (C)，且電氣失敗之產生比例會增加。 在上述之例中，藉由使閘極2之0g爲10° (或錐 率：0·17)實質的等於閘絕緣層4之0s (或錐率： 0.17)爲10° ，可抑制龜裂（C)和G/D短路之 產生。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40 - —= 裝 I訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（38 ) (實施例8 ) 圖3 2爲使用本發明之T F T之液晶顯示裝置之概略 截面圖。T F T型之液晶顯示裝置藉由準備具有由本發明 之上述實施例所形成之T F T之液晶基底1 0和相反基底 9 ’安排對準膜1 1在面對上述基底1 〇，9之表面上， 和包圍介於上述對準膜間之液晶1 2等步驟而製造。以此 種液晶顯示裝置’可防止G/D短路，漏電流，和在閘極 2上之汲極8和半導體圖樣之跨騎部份上之I TO汲極之 線破裂’且可以較佳的生產率製成具有較佳可靠度之液晶 顯示裝置（TFT LCD)。 —^ ------裝------訂-----叫線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210 X 297公釐） -41 -
Claims (1)
- 六、0 專 inrir j~T . 一種液晶顯示裝置，包含： 多數之閘極線形成在一基底上或一絕緣膜形成基底上 9 多數之資料線穿過多數之閘極線： 薄膜電晶體形成在多數閘極線和多數資料線之相關交 叉點附近：和 圖素電極連接至薄膜電晶體，和 具有一功能以由圖素電極驅動液晶，其中 該圖素電極之中央部份接觸該基底或該絕緣膜形成基 底，和 該圖素電極之週邊部份接觸一絕緣層，該絕緣層和構 '成薄膜電晶體之閘絕緣層爲相同之層。 2 .如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其 中 構成圖素電極之導電膜延伸至薄膜電晶體之汲極，和 在構成源極之導電膜之平圖樣上之輪廓穿越在接觸基 底之圖素電極之中央部份之區域上之平圖樣中的輪廓。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 .如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其 中 一屛蔽膜，其平行於該資料線，且由絕緣層而與資料 線分離和絕緣，該絕緣層和構成薄膜電晶體之閘絕緣層同 層，該屛蔽膜提供於資料線和在圖素電極之中央部份上接 觸基底之區域間。 4 .如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 42 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中 提供一屛蔽膜，其屛蔽資料線之下部份，延伸至圖素 電極之下部份，由和構成薄膜電晶體之閘絕緣層同層之絕 綠膜而與資料線和該圇素電極分離和絕緣，且不會由閘極 線而電壓控制。 5 . —種液晶顯示裝置，包含： 多數之閘極線形成在一基底上或一絕緣膜形成基底上 9 多數之資料線穿過多數之閘極線； 薄膜電晶體形成在多數閘極線和多數資料線之相關交 叉點附近；和 圖素電極連接至薄膜電晶體，和 具有一功能以由圖素電極驅動液晶，其中 提供一屛蔽膜，其屛蔽資料線之下部份，延伸至圖素 電極之下部份，由和構成薄膜電晶體之閘絕緣層同層之絕 緣膜或由一膜爲閘絕綠層之叠層絕緣層而與資料線和該圖 素電極分離和絕緣，且不會由閘極線而電壓控制。 6 .如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其 中 提供多數之導電線，其相當於相關多數閘極線且和閘 極線平行，和電容元件藉由保持絕緣層在導電線和圖素電 極間而形成。 7 ·—種液晶顯示裝置，包含： 形成在基底上之多數閘極線： 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —----------裝------訂------線 - - I ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -43 - A8 B8 C8 D8 321731 六、申請專利範圍 形成多數之資料線以穿越多數之閘極線； 薄膜電晶體形成在多數閘極線和多數資料線間之相關 交叉點附近： 圖素電極連接至薄膜電晶體；和 儲存幫容連接至圖素電極，和 具有一功能以由圖素電極驅動液晶，其中 該薄膜電晶體具有一結構包含 閘絕緣膜形成在構成閘極線之一部份之閘極上， 半導體層形成在閛絕緣膜上，和 源極和汲極形成在半導體層上， 構成圖素電極之導電膜延伸在源極上，和 該儲存電容具有一結構包含 絕緣膜，其與形成在閘極線上，相鄰形成有薄膜電晶 體之閘極線之閘絕緣膜同層，和 導電膜由形成在絕緣膜上之圖素電極延伸。 8 .如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置，其 中， 由閘絕緣膜之端部份和具有基底之半導體所形成之錐 角大於由具有基底且構成儲存電容之絕緣膜之端部份所形 成之錐角。 9 .如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置，其 中 該源極接觸半導體層，閘絕緣層，和該基底。 10 .如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝fi， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐） 1 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局男工消費合作社印製 • 44 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 其中 多數之資料線包含 該半導體層，和 構成源極和汲極之導電膜，和 該半導體層和該導電膜具有相同之平面圖樣。 11.如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置， 其中， 該閘極線塗覆以構成閘極線之導電膜之陽極氧化膜。 1 2 . —種液晶顯示裝置之製造方法，具有 多數之閘極線形成在基底上， 形成多數之資料線以穿越多數之閘極線； 薄膜電晶體形成在多數閘極線和多數資料線間之相關 交叉點附近：和 圖素電極連接至薄膜電晶體：和 具有一功能以由圖素電極驅動液晶，包含之步驟爲 以大約相同的平面圖樣蝕刻閘絕緣層和形成在閘絕緣 層上之半導體層，在相同的處理中，且隨後， 選擇性的蝕刻半導體層， 13.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置 ，其中， 在相同處理中蝕刻閘絕緣層和半導體層之後，給定圖 樣之金屬膜形成在該半導體層上，而後， 該半導體層使用金屬膜當成掩模而蝕刻。 14 .如申請專利範園第12項所述之液晶顯示裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）~~ -45 - 裝 I 訂 線 . . - ( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 ，其中， 進一步提供用以陽極化該閘極線表面之步驟。 1 5 .如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置 ，其中， 在相同處理中，使用六氟硫化物當成蝕刻氣體以處理 閘絕緣層和半導體層之蝕刻。 16.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置 ，其中， 在使用金屬膜當成掩模之半導體層之蝕刻處理中，使 用六氟硫化物和氯之混合氣體當成蝕刻氣體。 1 7 .如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置 ，其中， 在蝕刻半導體層之後，形成圖素電極。 18.—種半導體裝置，具有 半導體圖樣，包含閘極，絕緣層，和在絕綠基底上之 半導體層，和 源極和汲極，其穿過在半導體圖樣區域中之閘極，其 中 端部份漸尖之半導體圖樣形成在端部份漸尖之閘極上 ，和 形成閘極之錐角Θ g以使等於或小於在半導體圖樣之 端部份上之錐角$ s (小於9 0° )之三倍。 1 9 種半導體裝置，具有 半導體圖樣，包含閛極，絕緣層，和在絕緣基底上之 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） ^ I 裝 訂 ^漆 < ^ (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) -46 - A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局另工消费合作社印製 六、 申請專利範圍 1 I 半 導體 層 9 和 1 1 源 極 和 汲 極 9 其 穿 過 在 半 導 體 圖 樣 區 域 中 之 閘 極 其 1 1 中 /«—S r I 請 1 -1 端 部 份 漸 尖 之 半 導 體 圖 樣 形 成 在 端 部 份 漸 尖 之 閘 極 上 先 閲 .J 1 讀 1 9 背 1 面 該 閘 之 1 極 由 選 白 T a ， I Τ 0 9 Μ 0 S • 2 9 注 音 1 a S 思 事 1 T i 2 9 C r S 2 9 W S 2 5 T N 9 和 T a N 項 再 一 1 之 群之 材 料 所 製 成 ， 和 填 寫 本 1 裝 1 形 成 閘 極 之 錐 角 θ g 以 使 等 於 或 小 於 在 半 導 體 圖 樣 之 頁 1 1 端 部份 上 之 錐 角 θ S ( 小 於 9 0 。） 之 三 倍 0 1 2 0 一 種 半 導 體 裝 置 9 具 有 1 I 半 導 體 圖 樣 9 包 含 閘 極 > 絕 緣 層 ， 和 在 絕 綠基 底 上 之 訂 I 半 導體 層 > 和 1 1 I 源 極 和 汲 極 J 其 穿 過 在 半 導 體 圖 樣 區 域 中 之 閘 極 5 其 1 1 中 1 端 部 份 漸 尖 之 半 導 體 圖 樣 形 成 在 端 部 份 漸 尖 之 閘 極 上 線 1 1 該 閘 極 由 選 白 C r 9 Μ 0 9 W > A 1 9 C U > A U 和 1 1 I N i之 群 之 材料 製 成 » 和 1 1 形 成 閘 極 之 錐 角 θ g 以 使 等 於 或 小 於 在 半 導 體 圖 樣 之 1 I 端 部份 上 之 錐 角 Θ S ( 小 於 9 0 〇 ) 之 三 倍 0 2 1 • 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 8 9 1 9 或 2 0 項 所 述 之 1 1 半 導體 裝 置 9 其 中 1 閘 極 之 A"— 錐 角 Θ S 爲 在 半 導 體 圖 樣 之 端 部 份 上 之 錐 角 1 1 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -47 - 1 73 1 2 ABCD 六、申請專利範圍 之0 . 5至3倍（其中，小於90° )之範圍。 2 2 如申請專利範圍第1 8 ，1 9或2 0項所述之 半導體裝置，其中 該閘極之錐角在1 〜4 0°之範圍中。 2 3 種半導體裝置，具有 半導體i樣，包含閘極，絕緣層，和在絕緣基底上之 半導體層，和 源極和汲極，其穿過在半導體圖樣區域中之閛極，其 中 端部份漸尖之半導體圇樣形成在端部份漸尖之閘極上 ，和 閘極和半導體圖樣之形成使由閘極之下平面之端至上 平面之端之背後距離（A)對閘極厚度（B)之比例（錐 率B/A)等於或小於在半導體圖樣之端部份上之三倍錐 率（B > / A z )。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項所述之半導體裝置， 其中， 經濟部中央梯準局員工消費合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 閘極之錐率（B/A)在0 . 2〜0 . 8之範圍內。 25.—種液晶顯示裝置，包含 薄膜電晶體，其安排在多數掃描訊號線和多數影像訊 號線之相關交叉點附近，且多數掃描訊號線和影像訊號線 皆形成在一對基底之一基底上以互相穿越，而閘極，汲極 ，.和源極分別連接至掃描訊號線，影像訊號線，和圖素電 極，其中， 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -48 - 六、申請專利範圍 端部份漸尖之半導體圖樣形成在端部份漸尖之閘極上 形成閘極之錐角6» g以使等於或小於在半導體圖樣之 端部份上之錐角es (小於90° )之三倍，和 液晶層經由液晶對準膜而保持在基底和該對基底之另 一透明基底間。 2 6 種液晶顯示裝置，包含 薄膜電晶體，其安排在多數掃描訊號線和多數影像訊 號線之相關交叉點附近，且掃描訊號線和影像訊號線皆形 成在一對基底之一基底上以互相穿越，而閘極，汲極，和 源極分別連接至掃描訊號線，影像訊號線，和圖素電極， 其中， 端部份漸尖之半導體圖樣形成在端部份漸尖之閘極上 9 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 閘極和半導體圖樣之形成使由閘極之下平面之端至上 平面之端之背後距離（A)對閘極厚度（B)之比例（錐 率B/A)等於或小於在半導體圖樣之端部份上之三倍錐 率（B - / A -)，和 液晶層經由液晶對準膜而保持在基底和該對基底之另 一透明基底間。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -49 -
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17511394A JP3524162B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 液晶表示装置 |
| JP19938894A JPH0864829A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 半導体装置とこれを用いた液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW321731B true TW321731B (zh) | 1997-12-01 |
Family
ID=26496478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW084107178A TW321731B (zh) | 1994-07-27 | 1995-07-11 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5668379A (zh) |
| EP (1) | EP0694804B1 (zh) |
| KR (1) | KR100423564B1 (zh) |
| CN (1) | CN1092343C (zh) |
| DE (1) | DE69535740D1 (zh) |
| TW (1) | TW321731B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI427606B (zh) * | 2009-10-20 | 2014-02-21 | Au Optronics Corp | 具畫素資料自我保持機能之液晶顯示裝置與其靜止模式運作方法 |
Families Citing this family (141)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960038466A (ko) * | 1995-04-13 | 1996-11-21 | 김광호 | 오프전류를 감소시킨 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| JPH0964366A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ |
| US5835177A (en) * | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
| JP3737176B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2006-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| KR100195269B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-06-15 | 윤종용 | 액정표시장치의 제조방법 |
| KR100190041B1 (ko) * | 1995-12-28 | 1999-06-01 | 윤종용 | 액정표시장치의 제조방법 |
| JP3413000B2 (ja) * | 1996-01-25 | 2003-06-03 | 株式会社東芝 | アクティブマトリックス液晶パネル |
| JPH09265113A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法 |
| JP3961044B2 (ja) * | 1996-05-14 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | 電子回路装置 |
| KR100247628B1 (ko) * | 1996-10-16 | 2000-03-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| JP3404562B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2003-05-12 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100228431B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-11-01 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| JPH10229197A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR100238795B1 (ko) * | 1997-03-03 | 2000-01-15 | 구본준 | 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| US5909263A (en) * | 1997-11-06 | 1999-06-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display panel array structure at a pixel contact hole |
| US6215541B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
| KR19990048947A (ko) | 1997-12-11 | 1999-07-05 | 김영환 | 색변화를 제거하며 광시야각을 실현하는 전극을 가진 액정표시 소자 |
| KR100320007B1 (ko) * | 1998-03-13 | 2002-01-10 | 니시무로 타이죠 | 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
| TW383427B (en) * | 1998-04-03 | 2000-03-01 | United Microelectronics Corp | Method for etching tantalum oxide |
| KR20000003318A (ko) | 1998-06-27 | 2000-01-15 | 김영환 | 개구율이 개선된 액정 표시 장치 |
| TW559683B (en) * | 1998-09-21 | 2003-11-01 | Advanced Display Kk | Liquid display device and manufacturing process therefor |
| JP3401589B2 (ja) * | 1998-10-21 | 2003-04-28 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | Ｔｆｔアレイ基板および液晶表示装置 |
| JP2002532729A (ja) * | 1998-12-23 | 2002-10-02 | グラクソ グループ リミテッド | 核内受容体のリガンドのアッセイ |
| JP3683463B2 (ja) * | 1999-03-11 | 2005-08-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ |
| KR100304261B1 (ko) * | 1999-04-16 | 2001-09-26 | 윤종용 | 테이프 캐리어 패키지, 그를 포함한 액정표시패널 어셈블리,그를 채용한 액정표시장치 및 이들의 조립 방법 |
| US7339568B2 (en) * | 1999-04-16 | 2008-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Signal transmission film and a liquid crystal display panel having the same |
| US6111619A (en) * | 1999-05-27 | 2000-08-29 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming polycrystalline silicon TFTs with TiN/Cu/TiN interconnections for a liquid crystal display pixel array |
| US7288420B1 (en) | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| JP3916349B2 (ja) * | 1999-06-15 | 2007-05-16 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP2001035808A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法 |
| US7411211B1 (en) * | 1999-07-22 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| US6541294B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2001053283A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| KR100923707B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2009-10-27 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치 |
| KR100673331B1 (ko) * | 2000-02-19 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치 |
| JP4118484B2 (ja) | 2000-03-06 | 2008-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2001257350A (ja) | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP4118485B2 (ja) | 2000-03-13 | 2008-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4700160B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP4683688B2 (ja) | 2000-03-16 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| JP4393662B2 (ja) | 2000-03-17 | 2010-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
| JP4785229B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4342711B2 (ja) * | 2000-09-20 | 2009-10-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR100386458B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-06-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| JP4651826B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-03-16 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 反射型表示装置及びその製造方法 |
| SG160191A1 (en) * | 2001-02-28 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7071037B2 (en) | 2001-03-06 | 2006-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100731037B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100792466B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2008-01-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
| KR20020094810A (ko) * | 2001-06-13 | 2002-12-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 어레이 기판 및 제조 방법 |
| KR100431242B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2004-05-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| TWI237141B (en) * | 2001-09-25 | 2005-08-01 | Hannstar Display Corp | Manufacturing method for in-plane switching mode liquid crystal display (LCD) unit |
| US7045373B2 (en) * | 2001-09-25 | 2006-05-16 | Hannstar Display Corp. | Manufacturing method for in-plane switching mode LCD unit with fewer masking process |
| JP3669351B2 (ja) * | 2001-10-04 | 2005-07-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP4305811B2 (ja) | 2001-10-15 | 2009-07-29 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法 |
| KR100391157B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2003-07-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| JP3870897B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2007-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| TWI261358B (en) * | 2002-01-28 | 2006-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6953949B2 (en) * | 2002-05-21 | 2005-10-11 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| KR20030093519A (ko) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
| US7303945B2 (en) * | 2002-06-06 | 2007-12-04 | Nec Corporation | Method for forming pattern of stacked film and thin film transistor |
| US6933241B2 (en) * | 2002-06-06 | 2005-08-23 | Nec Corporation | Method for forming pattern of stacked film |
| US6933529B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof |
| KR100828531B1 (ko) * | 2002-07-26 | 2008-05-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100870016B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치 |
| KR100971955B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2010-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| CN1267780C (zh) | 2002-11-11 | 2006-08-02 | Lg.飞利浦Lcd有限公司 | 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 |
| KR100518270B1 (ko) * | 2002-12-18 | 2005-10-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 인쇄방식에 의한 패턴형성방법 |
| US7190000B2 (en) * | 2003-08-11 | 2007-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| KR100543001B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 액티브 매트릭스 평판 표시 장치 |
| JP4297775B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2009-07-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR101086478B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101086477B1 (ko) | 2004-05-27 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 제조 방법 |
| KR101037085B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101043675B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101116816B1 (ko) | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101121620B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101024651B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법 |
| KR101076426B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101057779B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-08-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101002347B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2010-12-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101116817B1 (ko) | 2004-06-30 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 절연막을 포함하는 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR20060018121A (ko) * | 2004-08-23 | 2006-02-28 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| CN102544027B (zh) | 2004-09-15 | 2016-02-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| KR101139522B1 (ko) | 2004-12-04 | 2012-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101147261B1 (ko) | 2004-12-04 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101107239B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 패널 및 그 제조방법 |
| KR101125248B1 (ko) | 2004-12-23 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 컬러필터 기판 및 그 제조방법 |
| KR101085137B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 패널 및 그 제조방법 |
| KR101085132B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101107245B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR20060073826A (ko) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| KR101107246B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101066492B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101085138B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| KR101107270B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101107269B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101107267B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101125254B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101107682B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101107265B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101201017B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101167312B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 미세 패턴 형성 방법과 그를 이용한 액정 표시 장치 및 그제조 방법 |
| KR101182570B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쇼트 불량 리페어 방법 및 그를 이용한 액정 표시 장치의제조 방법 |
| KR101225440B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2013-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101269337B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2013-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7667808B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-02-23 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
| JP2007178808A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP5452834B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2014-03-26 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| JP5044120B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-10-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| US8233124B2 (en) * | 2005-12-28 | 2012-07-31 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7667809B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-02-23 | Lg. Display Co., Ltd. | FFS mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| JP5095941B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-12-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| TWI327239B (en) * | 2006-01-20 | 2010-07-11 | Au Optronics Corp | Pixel and liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| KR101230312B1 (ko) * | 2006-04-11 | 2013-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| EP2008264B1 (en) * | 2006-04-19 | 2016-11-16 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| TWI585498B (zh) | 2006-05-16 | 2017-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置和半導體裝置 |
| KR101282893B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
| TW200816486A (en) * | 2006-09-22 | 2008-04-01 | Wintek Corp | Thin-film transistor array and method for manufacturing the same |
| KR101446226B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2014-10-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법 |
| TWI339303B (en) * | 2006-12-15 | 2011-03-21 | Chimei Innolux Corp | Liquid crystal panel |
| JP5266645B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-08-21 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタを用いた表示装置 |
| TWM317990U (en) * | 2007-03-13 | 2007-09-01 | Dosun Solar Technology Co Ltd | Structure of bicycle pedal having function of illumination |
| US7635864B2 (en) * | 2007-11-27 | 2009-12-22 | Lg Electronics Inc. | Organic light emitting device |
| JP5377940B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US20100283059A1 (en) * | 2008-04-08 | 2010-11-11 | Makoto Nakazawa | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP2010245366A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Fujifilm Corp | 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 |
| TWI418903B (zh) * | 2009-09-30 | 2013-12-11 | Au Optronics Corp | 陣列基板及其製造方法 |
| US8558960B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| KR101736319B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2013092613A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Japan Display East Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2014086608A1 (en) | 2012-12-05 | 2014-06-12 | Firmenich Sa | Odorants of the violet type |
| CN103293785B (zh) * | 2012-12-24 | 2016-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | Tn型液晶显示装置及其触控方法 |
| US10145973B2 (en) * | 2013-11-27 | 2018-12-04 | Landmark Graphics Corporation | Method and system for gradational seismic volume classification |
| KR102202975B1 (ko) * | 2014-07-09 | 2021-01-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법 |
| CN104362155B (zh) * | 2014-11-24 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN104779256B (zh) * | 2015-04-09 | 2018-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、液晶面板 |
| KR20170073774A (ko) * | 2015-12-18 | 2017-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN113219749B (zh) * | 2016-02-17 | 2023-01-10 | 群创光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板以及显示面板 |
| CN109244083B (zh) * | 2018-09-05 | 2020-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制造方法、显示面板及可穿戴设备 |
| CN111524903B (zh) | 2020-04-23 | 2023-03-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Goa阵列基板及制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161764A (ja) | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Nec Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| EP0211402B1 (en) * | 1985-08-02 | 1991-05-08 | General Electric Company | Process and structure for thin film transistor matrix addressed liquid crystal displays |
| US5170244A (en) * | 1986-03-06 | 1992-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrode interconnection material, semiconductor device using this material and driving circuit substrate for display device |
| JP2655865B2 (ja) * | 1988-03-16 | 1997-09-24 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2528967B2 (ja) * | 1989-07-04 | 1996-08-28 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
| JPH0465168A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP2871818B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1999-03-17 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2875363B2 (ja) * | 1990-08-08 | 1999-03-31 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JPH053318A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-01-08 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタと薄膜トランジスタの製造方法 |
| NL194848C (nl) * | 1992-06-01 | 2003-04-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. |
| JPH05333378A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-17 | Hitachi Ltd | 薄膜デバイスおよびその製造方法 |
| EP0592063A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-07-13 | Toshiba Kk | Active matrix liquid crystal display device |
-
1995
- 1995-07-11 TW TW084107178A patent/TW321731B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-07-26 DE DE69535740T patent/DE69535740D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-26 EP EP95111765A patent/EP0694804B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-26 CN CN95109645A patent/CN1092343C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-26 US US08/507,778 patent/US5668379A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-27 KR KR1019950022421A patent/KR100423564B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-03-04 US US08/810,734 patent/US5760854A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI427606B (zh) * | 2009-10-20 | 2014-02-21 | Au Optronics Corp | 具畫素資料自我保持機能之液晶顯示裝置與其靜止模式運作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960006062A (ko) | 1996-02-23 |
| US5760854A (en) | 1998-06-02 |
| EP0694804A2 (en) | 1996-01-31 |
| CN1121619A (zh) | 1996-05-01 |
| US5668379A (en) | 1997-09-16 |
| DE69535740D1 (de) | 2008-05-15 |
| EP0694804B1 (en) | 2008-04-02 |
| CN1092343C (zh) | 2002-10-09 |
| EP0694804A3 (en) | 1996-08-21 |
| KR100423564B1 (ko) | 2004-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW321731B (zh) | ||
| US5923390A (en) | Liquid crystal display with high aperture ratio and method for manufacturing the same | |
| TW494265B (en) | Liquid crystal display device | |
| US7351621B2 (en) | Array substrate for a liquid crystal display and method for fabricating thereof | |
| TWI286257B (en) | Liquid crystal display device | |
| US6930732B2 (en) | Array substrate for a liquid crystal display | |
| US8405811B2 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| TW544934B (en) | A vertically aligned mode liquid crystal display | |
| KR100413668B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 | |
| US6184960B1 (en) | Method of making a reflective type LCD including providing a protective metal film over a connecting electrode during at least one portion of the manufacturing process | |
| US20110109827A1 (en) | Horizontal electric field switching liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| US7580102B2 (en) | Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor | |
| US9646523B2 (en) | Display device having pixel electrode and common electrode on one display panel and manufacturing method thereof | |
| US9111814B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and LCD | |
| US6724453B2 (en) | Method of fabricating array substrate for use in an in-plane switching mode liquid crystal display device | |
| KR20020056074A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR20000027509A (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 제조방법 | |
| JP3524162B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US7233380B2 (en) | Array substrate for use in in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| US20050088578A1 (en) | Optically compensated bend mode liquid crystal display | |
| KR100265573B1 (ko) | 초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법 | |
| JP5342731B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP3234168B2 (ja) | Ｔｆｔアレイ基板の製造方法 | |
| KR20030090266A (ko) | 박막트랜지스터를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과그 제조방법 | |
| TW452754B (en) | Thin film transistor liquid crystal display having self-aligned transparent conductive layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |