CN1121619A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

为了提供一种具有明亮的图像显示和较好的成品率的液晶显示装置，在透明基板上的透明像素电极之下设置一带有一个小于像素平面面积的开口的栅绝缘膜，构成像素电极下的源电极图形，使之跨越该开口，以及提供一薄膜晶体管，该晶体管具有一种其边缘部逐渐变薄的栅电极，其倾斜角等于或小于半导体图形边缘部位的倾斜角的3倍(小于90°)。

Description

液晶显示装置及其制造方法
本发明涉及一种使用薄膜晶体管(TFT)的有源阵列驱动型液晶显示装置及其制造方法。
在有源阵列型液晶显示装置内，所设置的开关元件与阵列中配置的多个像素电极分别相对应。在有源阵列液晶显示装置中，理论上往往按单个像素方式驱动液晶，且对比度比采用时分驱动制的单阵列型显示装置的高。所以，有源阵列型工艺技术对彩色显示装置尤其是必不可缺少的。
根据有源阵列型液晶显示装置的现有技术，薄膜晶体管(TFT)是由依次在所提供的绝缘透明基板上制作栅电极(栅极线)、栅绝缘膜、半导体层、漏电极(数据线)以及源电极而组成。使透明电极与源电极相连接。首先在基板上形成栅电极的这种TFT结构，通常叫做倒交错结构。JP—A—61—161764(1986)已公开了此种TFT。
采用TFT的液晶显示装置由于能用有源驱动，其优点在于具有高对比度。但是，在基板上形成TFT的工艺复杂，一般需要六次以上的光刻工艺(此后称之为光刻)步骤。制造TFT基板的光刻步骤次数多时，就有使制造TFT基板成本增加的问题，还有，考虑到外来的或制造过程中产生的灰尘污染，有降低制造成品率的问题。
现有技术已公开了一种用于简化工艺的方法，该工艺中，连续地形成一层栅绝缘膜和半导体层，以及待形成漏电极和源电极的金属膜，用金属膜作为绳模制造该半导体层，而后形成透明电极。
然而，会产生这样的一个问题，当进行半导体层的蚀刻工艺时，如果构成源电极的金属膜的蚀刻速度低于半导体层的蚀刻速度，由于所留下的屋檐状的源电极边缘部形成了台阶，而使透明电极容易断裂。这意味着，没有充分考虑TFT基板的成品率。
为了获得明亮的显示图像，透明像素电极(以下称为孔径比)的透光部的面积应尽可能做大。但是，根据上述的已有技术，为获得明亮的显示图像，也没有充分考虑孔径比的增加。
另外，由于半导体图形的边缘部分蚀刻速度比平整部分快，在半导体图形内会在跨越TFT半导体图形中的栅电极部位造成断裂，从而增大半导体层与栅电极之间的漏电流。因此，容易在形成于半导体图形之上的各源电极、漏电极以及栅电极之间发生短路(G/D短路)问题。
本发明的一个目的是提供一种以较少的制造工艺步骤和较高的成品率来制造有源阵列型液晶显示装置的方法。
本发明的另一个目的是提供一种能获得明亮图像的有源阵列型液晶显示装置。
本发明的还有一个目的是提供一种具有能解决上述短路问题的电极结构的TFT基板并使用该基板的液晶显示装置。
解决上述问题的方法包括下列步骤：
步骤1：一个液晶显示装置包括在一个基板上形成的多条栅极线、跨过多条栅极线所形成的多条数据线、在多条栅极线与多条数据线的各个交点附近形成的薄膜晶体管和与上述薄膜晶体管相连的像素电极，该液晶显示装置具有通过像素电极驱动液晶的功能，其中使像素电极的中心部分直接与基板进行接触，且使像素的周边部分直接与绝缘膜相接触，该绝缘膜就是与构成薄膜晶体管的栅绝缘膜的同一薄膜层。
步骤2：在上述步骤1中，构成像素电极的导电膜延伸到薄膜晶体管的源电极，并把构成源电极的导电膜的平面图形外形做成横跨与基板接触的像素电极中心部分的一个区域处的平面图形的外形。
步骤3：在上述步骤1中，一层光屏蔽膜设置在数据线和与像素电极中心部分处与基板接触的区域之间，此光屏蔽膜与数据线平行且由与构成薄膜晶体管的栅绝缘膜同一个膜层的绝缘膜和数据线绝缘隔开。
步骤4：在上述步骤1中，提供各自与多条栅极线对应并且平行于该栅极线的电导线，再通过在电导线和像素电极之间保留一层绝缘膜而形成电容元件。
步骤5：一种液晶显示装置包括在一个基板上形成的多条栅极线、跨过多条栅极线所形成的多条数据线、在多条栅极线和多条数据线各个交点附近形成的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极和与像素电极连接的存储电容器，且该液晶显示装置具有通过电极驱动液晶的功能，其中此薄膜晶体管的结构为在由栅极线的一部分构成的栅电极上形成栅绝缘膜，在栅绝缘膜上形成半导体层，以及在半导体层上形成源电极和漏电极，使构成像素电极的电导膜延伸到源极，而且存储电容器的结构为在靠近其上形成了薄膜晶体管的栅极线的该栅极线上形成一层绝缘膜(该绝缘膜和栅绝缘膜是同一层膜)，并在该绝缘膜上形成从像素电极延伸出的电导膜。
步骤6：在上述步骤5中，在半导体层的边缘部分，使由构成薄膜晶体管的栅绝缘膜与基板形成的倾斜角大于由构成薄膜晶体管的栅绝缘膜与基板在构成存储电容器的绝缘膜边缘部分形成的倾斜角。
步骤7：在上述步骤5中，使源电极与半导体层，栅绝缘膜和基板相接触。
步骤8：在上述步骤5中，把多条包含半导体的数据线、构成源电极和漏电极的电导膜，以及上述构件都配置在同一平面图形内。
步骤9：在上述步骤5中，各栅极线都覆以构成栅极线的电导膜的阳极氧化膜。
步骤10：一种用于液晶显示装置的制造方法，上述液晶显示装置具有在基板上形成的多条栅极线、跨过多条栅极线所形成的多条数据线、在多条栅极线和多条数据线的各交点附近形成的薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极，并具有通过像素电极对液晶进行驱动的功能，该方法包括步骤：按同样的工艺过程以近似相同的平面图形蚀刻栅绝缘膜和在该栅绝缘膜上形成的半导体膜层两者，而后，选择性地蚀刻半导体层。
步骤11：在上述步骤10中，在用同一工艺对栅绝缘膜和半导体层进行蚀刻后，再在半导体层上形成一具有预定图形的金属膜，随后用此金属膜作为掩模蚀刻半导体层。
步骤12：在上述步骤10中，还具有一种阳极氧化栅极线表面的工艺。
步骤13：在上述步骤10中，在按同一工艺腐蚀栅绝缘膜和半导体层的工艺中用六氟化硫作为腐蚀气体。
步骤14：在上述步骤10中，在用金属膜作为绳模对半导体层进行蚀刻的工艺中用六氟化硫和氯的混合气体作为蚀刻气体。
步骤15：在上述步骤10中，对半导体层进行蚀刻之后再形成像素电极。
另外，为实现上述目的，本发明的特征如下：
(1)一种半导体器件包括一个绝缘基板，其上制有由栅电极、绝缘层和半导体层组成的半导体图形，以及跨过上述半导体图形区域的栅电极所形成的源电极和漏电极，其中所形成的栅电极的边缘部分是逐渐变薄的，且在栅电极上所形成的半导体图形的边缘部分也是逐渐变薄的，以使栅电极的倾斜角θg等于或小于半导体图形边缘部分倾斜角θs(此处θg＜90°)的3倍。
(2)一种如上所述的半导体器件，其中，栅电极由从Ta、氧化锡铟(此后称为ITO)、MoSi2、TaSi2、CrSi2、WSi2、TiN、TaN组中选出的一种材料构成，且栅电极的倾斜角θg等于或小于半导体图形边缘部分倾斜角θs的2倍(此时θg＜90°)。
(3)一种如(1)中所述的半导体器件，其中，栅电极由从Cr、Mo、W、Al、Cu、Au和Ni构成的组中选出的一种材料构成，且栅电极的倾斜角θg等于或小于半导体图形边缘部分的倾斜角θs的3倍(此时θg＜90°)。
(4)一种如(1)中所述的半导体器件，其中，栅电极的倾斜角θg是在半导体图形边缘部分倾斜角θs的0.5—3倍的范围内(此时θg＜90°)。
(5)一种如(1)中所述的半导体器件，其中，栅电极的倾斜角θg在10°—40°范围内。
(6)一种如(1)中所述的半导体器件，其中，所形成的栅电极其边缘部分是逐渐变薄的，且在该栅电极上形成的半导体图形的其边缘部分是逐渐变薄的，而且这样来构成栅电极和半导体图形，使从栅电极的下平面的边缘到其上平面边缘的退后距离(A)与膜厚(B)的比(斜度比：B/A)等于或小于半导体图形边缘部分处的斜度比(B′/A′)的3倍。
(7)一种如(1)中所述的半导体器件，其中，栅电极的斜度比(B/A)在0.2—0.8范围内。
(8)一种液晶显示装置包括配置在多条扫描信号线与在成对的基板之一上形成的图像信号线的各个交点附近的薄膜晶体管，以及其栅电极、漏电极和源电极分别连接到扫描信号线、图像信号线和像素电极，其中，栅电极的边缘部分是倾斜的，且在栅电极上形成的半导体图形的边缘部分也是倾斜的，以使栅电极的倾斜角θg等于或小于半导体图形边缘部分的倾斜角θs的3倍(此处θg＜90°)，而且液晶层保持在通过液晶对位膜夹持在基板和与之成对的另一个透明基板间。
(9)一种如(8)所述的半导体器件，其中形成其边缘部分逐渐变薄的栅电极以及形成在该栅电极上的、其边缘部分逐渐变薄的半导体图形，该栅电极及该半导体图形是这样构成的，使从栅电极的下平面边缘到上平面边缘的退后距离(A)与膜厚(B)之比(斜度比：B/A)等于或小于半导体图形边缘部分的斜度比(B′/A′)的3倍，通过液晶对位膜将液晶层夹在基板和与之成对的另一透明基板之间。
根据上述特征，可以把半导体图形的倾斜边缘处产生的断裂长度限制到小于绝缘层斜坡长度的1/2。因此，可抑制G/D短路的出现率。
另外，上述的半导体图形可以提供一种阵列型液晶显示装置，它包括作为有源元件而被配置在液晶显示元件的多条扫描信号线和图像信号线各交点附近区域的薄膜晶体管，且其栅电极、漏电极和源极在同一层内分别连接到扫描信号线、图像信号线和像素电极。
本发明对具有反交错排列结构、其栅电极制作在半导体图形之下的TFT是有效的，同样，对具有正常交错排列结构(顶栅结构)、其源电极和漏电极制作在半导体图形之下的TFT也是有效的。
只用绝缘层或半导体层即可形成涉及本发明的半导体图形，该半导体图形是这样构成的：使该半导体图形与布线交叉。另外，可以按同样的方式把该半导体图形形成在普通的电子器件的布线板上。
根据本发明，能够使制造工艺简单并能提高成品率。由于在形成用作源电极的金属膜之前制造栅绝缘膜中的开口部分，再在开口部分形成源电极，即使利用源电极的金属膜作为掩模对半导体层进行腐蚀，金属膜的边缘部也不会形成一种对着半导体层的屋檐形结构，所以可以避免透明电极的断裂。
另外，由于像素电极下的栅绝缘膜设有开口部分，故能改善透射率。而且，因为光屏蔽电极形成在数据线附近，而上述的光屏蔽电极上方并没有数据绝缘膜的开口部分，从而能够获得高成品率、提高孔径比，还可提高显示图像的亮度。
根据对TFT电极边缘部分的倾斜角进行调整(TFT具有一种源电极和漏电极越过具有半导体层和栅绝缘层的半导体图形中的栅极的结构)，把该倾斜角控制在小于半导体图形边缘部分倾斜角的3倍，最好控制在0.5—3倍的范围内，可以缩小电极边缘部分产生断裂的尺寸，还可防止G/D短路。所以，能够获得高可靠性的半导体器件。
当通过各向同性的干法腐蚀形成半导体图形时，一般会得到其边缘部分有些倾斜角的半导体图形。然而，在该渐薄的边缘部分会产生断裂，因为越过栅电极部位进行腐蚀的速度比平坦部位的快。
若能把栅电极边缘部分的倾斜角控制在小于半导体图形端部倾斜角的3倍，就可改善上述绝缘层和半导体层的台阶覆盖，简单地说，可以遇到在半导体图形边缘部分的斜面上所产生的破裂的长度；可以遏制因绝缘层的绝缘失效引起的来自半导体层的漏电流；以及可以防止栅电极、源电极和漏电极间的短路。
要是半导体图形边缘部分的倾斜角大于30°，就不必使栅电极边缘部分的倾斜角那么小。当上述的半导体图形边缘部分的倾斜角约为20°时，就很少发生因腐蚀破裂，因为渐薄部位的绝缘层变厚，而且栅电极处的倾斜角可以小于60°。
要是半导体图形边缘部分的倾斜角小于10°，简言之，使栅电极边缘部分的倾斜角小于上述角度的3倍，即＜30°，就能遏制在半导体图形的绝缘层斜坡上产生破裂的长度，因而能够防止G/D短路。
若栅电极的倾斜角较小，半导体图形的绝缘层在斜坡处产生破裂的长度可能较短，就能提高降低漏电流的作用和防止短路的作用。但是，要是上述所要求的倾斜角太小，作为电极的截面积会减小，而作为扫描信号线的电阻就增大。所以，上述的倾斜角最好约为半导体图形端部斜角的3倍。
不需要完完全全地防止图形加工中因腐蚀而在半导体图形的绝缘层的斜坡处所产生的破裂，只要破裂的长度小于斜边长度的1/2，在各栅极之间发生上述漏电流和短路的可能性就很小，就可以获得电特性稳定的晶体管。如果破裂长度小于斜边长度的1/3，可进一步提高稳定性。
根据本发明，能够提供一种孔径比大且图像显示明亮的液晶显示装置。另外，还可提供一种低成本的液晶显示装置及其制造方法，因为构成显示面板的TFT基板可通过仅包括5次光刻胶步骤的简单工艺过程制成。而且，还能提供一种有较好成品率的液晶显示装置及其制造方法，因为能有效地防止由ITO制作的透明导电膜台阶部位的线断裂。
图1是本发明实施例1中的液晶显示面板的剖面图(沿图2的线1—1所得的图)。
图2是在实施例1中的TFT基板上的一个像素和其附近各层的图形的平面图。
图3是在本发明实施例1中的TFT基板上的薄膜晶体管、像素和存储电容器附近区域的剖面图(沿图2的线3—3所得的图)。
图4是表示栅极端子GTM和栅极线GL的连接部分附近的平面图。
图5是表示栅极端子GTM和栅极线GL的连接部分附近的剖面图。
图6是表示漏极端子DTM和数据线DL的连接部分附近的平面图。
图7是表示漏极端子DTM和数据线DL的连接部分附近的剖面图。
图8是为说明显示面板阵列周边的结构平面图。
图9是指出实施例1中用于制造液晶显示装置的TFT基板TFTSUB的工艺。
图10是与图9的步骤A对应的剖面图。
图11是与图9的步骤B对应的剖面图。
图12是与图9的步骤C对应的剖面图。
图13是与图9的步骤D对应的剖面图。
图14是与图9的步骤E对应的剖面图。
图15是与图9的步骤F对应的剖面图。
图16是与图9的步骤G对应的剖面图。
图17是当数据线的Cr电极用本发明的制造方法制造时，薄膜晶体管和存储电容器的剖面图。
图18是当透明像素电极用本发明的制造方法形成时，薄膜晶体管和存储电容器的剖面图。
图19是在实施例2的TFT基板上的像素和其附近各层的图形的平面图。
图20是沿图19的线20—20得到的剖面图。
图21是在实施例3的TFT基板上的像素和其附近各层的图形的平面图。
图22是沿图21的线22—22得到的剖面图。
图23是沿图24的线1—1得到的剖面图。
图24是在实施例4的TFT基板上的像素和其附近各层的图形平面图。
图25是本发明薄膜晶体管的示意透视图。
图26(a)、26(b)和26(c)是本发明薄膜晶体管的平面图。
图27是现有技术的薄膜晶体管的示意透视图。
图28是指出腐蚀剂中的硝酸和硝酸高铈铵的浓度与栅电极的倾斜角θg的关系曲线图。
图29(a)、29(b)和29(c)是表示布线图形边缘部分的斜坡形状的示意透视图。
图30是表示栅电极倾斜角θg与栅/漏电极间耐压的关系曲线图。
图31(a)、31(b)和31(c)是栅电极凸起部分的平面图。
图32是本发明的液晶显示装置的示意剖面图。
下面将参照各具体实施例，说明本发明的液晶显示装置及其制造方法。(实施例1)
图1是表示在按照本实施例的有源阵列型液晶显示装置中显示面板的阵列部分(显示部分)的结构剖面图。该显示面板包括一个TFT基板TFTSUB、一个对置的基板OPSUB和液晶层LC，TFT基板TFTSUB是由透明玻璃基板SUB1制作的，该SUB1具有在一侧表面上形成的薄膜晶体管、像素电极和各种布线等；对置的基板OPSUB是由另一个透明玻璃基板SUB2制作的，它具有在一侧表面上形成的公用的电极ITO2、彩色滤光器FIL和光屏蔽膜BM等；液晶层LC则充填在彼此相对的两基板之间的间隔内。
通过给像素电极和公用电极ITO2之间施加图像信号电压，控制上述基板间的液晶层LC的电—光状态，以改变显示面板部分的透光状态且显示一帧给定的图像。
背射光位于对置基板OPSUB一侧或在液晶面板外的TFT基板TFTSUB一侧，以便观察从反面透过液晶面板的像素部分到背射光的透射光。
下面待说明的各附图，具有同样功能的部件用相同的标号表示。<TFT基板>
图2是表示像素及其附近形成TFT基板TFTSUB各层的图形的平面图，图1是沿图2的线1—1得到的剖面图，图3则是沿图2的线3—3得到的剖面图。
下面参照图1—3，详细地说明TFT基板TFTSUB的结构。如图2所示，在该TFT基板表面制备多条互相平行的栅极线(扫描信号线或水平信号线)GL和与栅极线交叉的多条互相平行的数据线(图像信号线或垂直信号线)DL。由相邻的两条栅极线GL和相邻的两条数据线DL所包围的区域就成为一个像素，而所形成像素电极几乎完全盖住这个区域。一个作为开关元件的薄膜晶体管(图2中虚线所围的区域)制作在与每个象素电极相对应的栅极线的凸部(图2中朝上的凸部)，而其源电极SD1与像素电极连接。加到栅极线GL上的扫描电压被传输到由栅极线的一部分构成的TFT栅电极，使TFT转变成导通状(on态)。此时，供给数据线DL的图像信号就通过源电极SD1输入到该像素电极。<薄膜晶体管TFT>
如图3所示，在透明玻璃基板SUB1上形成栅极线GL，薄膜晶体管借助于形成一绝缘层、一半导体层和后述的在栅极线上的其它构件组成。薄膜晶体管如此工作：当给栅级线GL加上偏置电压时，源和漏(数据线DL)之间的沟道电阻变小，而当偏压变为零时，沟道电阻变大。
在由栅极线GL的一部分构成的栅电极上形成由氮化硅制成的栅绝缘膜，在栅绝缘膜上形成由非有意掺入杂质的非晶硅构成的i型半导体层AS和由掺入杂质d0的非晶硅构成的N型半导体层。i型半导体层AS构成薄膜晶体管的有源层。通过在i型半导体层上进一步形成源电极SD1和漏电极(在本实施例中，一部分数据线DL构成漏电极，若无特别说明，将漏电极称为数据线DL)构成薄膜晶体管。
至于源电极GI，采用例如通过等离子CVD形成厚达2000—5000(在本实施例中，大约3500)的氮化硅膜。
形成i型半导体层，使厚度达到500—2500范围。设置N型半导体层d0，以形成i型半导体层AS与源电极及与漏电极的欧姆接触，N型层由掺磷(P)的非晶硅半导体制成。
源电极和漏电极的名称由上述电极间所加的偏置电压极性自然确定。在与本发明相关的液晶显示装置中，源电极和漏电极是可互相调换的，因为在工作过程中极性是变换的。然而，在以下说明中，为简便起见，始终称一个为源电极，而称另一个为漏电极。<源电极>
如图3所示，在玻璃基板SUB1上从薄膜晶体管TFT的N型半导体层d0到像素电极附近的一个区域上形成源电极SD1，它是由第一导电层d1和第二导电层d2构成的叠层膜构成的。第一导电层d1由铬(Cr)形成，厚度为600—1500(在本实施例中，近似1200)，而第二导电膜d2由透明导电膜ITO1(如氧化锡铟(下文简写作ITO))形成。第一导电膜d1可由除Cr之外的高熔点金属(Ti、Ta、W、Mo)及上述金属的合金形成。
上述源电极SD1这样形成，使其延伸到栅绝缘膜GI(在图3表示为像素电极)的开口部位内侧，而栅绝缘膜形成在像素区域内侧，如图2和图3所示。即，如图3所示，形成源电极SD1的第一导电膜d1和其上的第二导电膜d2这样形成在像素区域内.，使两膜的至少一部分与玻璃基板SUB1接触。
根据上述结构，最好使透明电极d2能越过在下层第一导电膜d1的台阶，而不致引起任何断线。后面将结合制造方法详细说明上述结构。特别是，如本实施例，当透明导电膜d2由ITO制成时，上述效果是显著的。因为ITO的晶粒尺寸大，晶业的晶界部分的腐蚀速度不同于晶粒本身的腐蚀速度，即比晶粒本身的腐蚀速度快。所以，若不将在透明导电膜d2下的台阶部位制成适当的斜坡形，则ITO容易引起断线。
鉴于上述情况、如JP—A—61—161764(1986)所公开的，若用金属膜作为在半导体膜上的掩模来腐蚀半导体，使金属膜形成剖面结构为屋檐状，则透明导电膜容易引起断线。相反，如上所述，在台阶部位几乎不出现断线。
如后文结合制造方法所述，在本实施例中在形成第一导电膜d1之前形成使栅绝缘膜GI的开口，将第一导电膜d1形成在由前面形成开口的工艺所露出的玻璃基板SUB1上。当用含氟的气体(通常的干法腐蚀半导体的气体)进行干法腐蚀时，对玻璃的干法腐蚀速度要低于对半导体的干法腐蚀速度。所以本实施例的特点在于，即使用第一导电膜作掩模，相对于栅绝缘膜选择性地腐蚀i型半导体AS，也不会使第一导电膜d1的边缘部分形成屋檐状，构成源电极SD1的第二导电膜不致引起任何断线，并可获得良好的成品率。
另外，由于在栅绝缘膜GI上形成开口，减少了像素电极部位的光吸收，透射率比不形成开口的情况要大，可获图像显示较明亮的液晶显示装置。<像素电极>
像素电极由透明导电膜ITO1制成，与薄膜晶体管的源电极SD1相连接，并与构成源电极的透明导电膜d2一体地形成。透明导电膜ITO1由原300—3000的ITO溅射膜制成(在本实施例中，约1400A)。<栅极线GL>
栅极线GL由单层导电膜g1形成，如图1所示。至于导电膜g1，使用溅射形成的厚600—1500(在本实施例为约1200)的铬(Cr)膜。导电膜g1可由高熔点的、与第一导电膜d1相同的金属或合金形成。<数据线>
数据线DL形成在透明玻璃基板SUB1上的栅绝缘膜GI上，如图1所示。数据线具有叠层结构，由i型半导体层AS、N型半导体层d0、第一导电膜d1及透明导电膜d2组成，所有各层具有近似相同的平面图形。在上述各层和膜中，导电膜d1和导电膜d2主要有助于电导率，起传输信号的作用。<存贮电容器Cadd>
存贮电容器Cadd起着防止液晶层LC电容衰减和防止关断TFT时电压下降的作用，为每个像素均设置存贮电容器Cadd。如图3所示，每个像素的存贮电容器Cadd形成在该像素与前级的栅极线GL交叉区，该栅极线邻近其上形成同一像素的TFT的栅极线GL，其方式是，将栅绝缘膜GI保持在栅极线GL和像素之间。<屏蔽电极SKI和长方形存贮电容器TCadd>
如图1所示，屏蔽电极SKD由TFT基板TFTSUB的透明玻璃基板SUB1的表面上构成栅极线GL的同一导电膜g1形成。另一方面，将长方形存贮电容器TCadd形成在像素与栅极线GL的凸起部位的交叉区，其方式是将该栅绝缘膜保持在该像素与栅极线凸起部位之间，如图2所示。
使屏蔽电极SKD和长方形存贮电容器TCadd形成一平面结构，结果是沿漏线DL与像素电极重叠，如图2所示。另一方面，在剖面结构中，屏蔽电极SKI被栅绝缘膜GI与数据线DL分开并绝缘，如图1所示。
屏蔽电极SKI和长方形存贮电容器TCadd起着增加像素电极面积与像素面积比(即孔径比)的作用，以改善图像显示板的亮度。在如图1所示的显示板中，背面光或位于相对的基板OPSUB一侧，或位于TFT基板TFTSUB一侧。下面，为方便起见，假定背面光位于相对的基板OPSUB一侧，并从TFT基板TFTSUB侧进行观察。入射光透过玻璃基板SUB2，通过在玻璃基板SUB2的液晶LC侧表面由铬(Cr)形成的屏蔽膜BM的间隔射入液晶层。入射光受在相对的基板OPSUB上所形成的透明公用电极ITO2与TFT基板上所形成的像素电极之间的外加电压控制。
在显示板为常白模式的场合，若不存在屏蔽膜BM，漏光不受电压控制(不受控制的光)漏过数据线DL和屏蔽电极SKD之间的间隙(图1中的L1)，因此显示时的对比度下降。再有，必须保持数据线D1和像素电极之间的设定距离L4，以防止产生因上述线和电极的短路引起的点缺陷，因为数据线D1和像素电极的周边均形成在同一栅绝缘膜GI之上。当TFT基板TFTSUB和相对的基板OP-SUB之间的间距有5μm大时，对上述屏蔽膜BM和数据线DL之间的间隔，必须将距离L2调节到具有一个相应的规定距离。另一方面，当屏蔽电极SKD与数据线DL被栅绝缘膜GI分开和绝缘时，短路出现的可能性很小，故可将它设定得比L4更小。所以，孔径比可被增加到屏蔽电极变得比不存在屏蔽电极SKI时屏蔽膜BM和像素电极所需的调节裕度L3更接近数据线DL时那么大。
长方形存贮电容器TCadd由于其作用与屏蔽电极SKI相同而有助于孔径比的增加。另外，长方形存贮电容器TCadd还有另一种作用，如后文所述。即，把TCadd形成在栅极线GL的凸起部位时，由于数据线DL电压的改变，凸起部位的静电屏蔽作用减小了对像素电容(由像素电极、在相对的基板上所形成的透明导电膜ITO2及在上述电极和膜之间所保持的液晶层形成的电容)的静电作用。<钝化膜>
如图1和3所示，在TFT基板TFTSUB有薄膜晶体管一侧的表面上涂敷有一层钝化膜PSV1，但像素电极中部、及设置在TFT基板周围的栅极端子部位和漏极端子部位除外，如后文所述。由于在像素电极的上部形成钝化膜PSV1的开口，在开口部位可消除钝化膜对光的吸收，所以可增加显示板的透射率，即亮度。
形成钝化膜PSV1主要是为避免薄膜晶体管TFT受潮等。钝化膜是由例如通过等离子CVD得到的2000—8000厚的氧化硅膜或氮化硅膜形成的。<栅极端子部GTM>
图4是表示从TFT基板上的栅极线GL边缘部分到与外部驱动电路的连接部的栅极端子GTM的区域的平面图，图5是沿图4的5—5线的剖面图。
栅极端子GTM由形成栅极线GL的导电膜g1和形成数据线DL的第一导电膜d1和透明导电膜d2的叠层膜构成。透明导电膜d2露在外部。由ITO形成的透明电极防止第一导电膜d1及其下面由Cr制成导电膜g1受外界环境影响。栅极端子GTM的透明导电膜与形成像素电极和数据线的透明导电膜ITO1一起形成。第一导电膜d1的图形比导电膜g1的大，而透明导电膜d2的图形比第一导电膜d1的大。其原因在于在形成栅绝缘膜GI之后防止失去与第一导电膜d1一样由铬形成的导电膜g1，并防止由铬所形成的第一导电膜d1和导电膜g1由化学物质或湿气的侵入引发的锈蚀。在上述的结构中，透明导电膜ITO1(d2)，除钝化膜PSV1外，仅有一个外露部分。ITO是氧化物，对引发锈蚀的氧化反应具有很强的抗拒能力。所以，上述结构具有很高的可靠性。
如上所述，能制造出具有良好的生产率的用TFT的液晶显示装置，而且通过用ITO覆盖构成栅极端子GTM的金属导电膜提高了可靠性。按上述观点，由ITO所形成的透明导电膜d2之下的栅绝缘膜GI的开口必须在形成d2之前制造。再有，在ITO下面的台阶部位处的i型半导体AS及栅绝缘膜GI必须制成良好的斜坡，如前所述。<漏极端子DTM>
图6是表示从TFT基板上的数据线DL的端部至与漏极端子DTM的外部驱动电路连接部分的区域的平面图，图7是沿图6中7—7线的剖面图。
由于与上述栅极端子GTM相同的原因，漏极端子DTM由构成数据线DL的由铬制成的第一导电膜d1和由透明导电膜制成的透明导电膜d2两层材料构成。所形成的透明导电膜的图形比第一导电膜的宽。去掉漏极端子部位的钝化膜PSV1，以便与外部电路连接。
图8是表示显示板周边部分结构的平面图。在TFT基板TFTSUB(SUB1)的周围，排列着多个与栅线一一对应的栅极端子GTM，形成一组栅极端子Tg。同样，排列着多个与数据线一一对应的漏极端子DTM，形成一组漏极端子Td。图8中的INS是其上未形成用于粘结TFT基板TFTSUB和相对的基板OPSUB的密封图形SL的部位，在粘好上述两块基板后，由该部位灌入液晶。<相对的基板OPSUB>
如图1所示，在透明玻璃基板SUB2的一侧表面上依次层叠屏蔽膜BM、具有红、绿、蓝三色的滤色片FIL、钝化膜PSV2、公用透明像素电极ITO2及对位膜OPRI2。将偏光板POL2粘接到透明基板SUB2的另一侧表面。透射光被上述偏光板POL2偏转，而偏光板POL1粘接在TFT基板TFTSUB不形成TFT的一侧表面。
上述屏蔽膜BM是由铬溅射膜制成的，以使该屏蔽膜起到两种作用，一是屏蔽来自显示板非控区的光的屏蔽作用，二是改善环绕作为亮边(picture frame)的每个像素的周围的对比度的黑底(blackmatrix)作用。<TFT基板TFTSUB的制造方法>
下面参照图9—图16说明上述TFF基板TFTSUB的制造方法。图9是以各步名称概括制造工艺中各制造步骤流程的流程图。将一组相互关联的步骤汇总成为子工艺，每步子工艺由标记(A)、(B)、(C)等代表。图10—16对应于由(A)—(G)所代表的上述各步子工艺得到的最终结构的剖面图。这些图是在TFT基板上带有像素电极及存贮电容器的薄膜晶体管连接部位附近的剖面图(参照图3的剖面图)。图3对应于在图9中的完成子工艺(H)之后的剖面结构图。每一项子工艺(A)、(B)、(C)、(D)、(F)和(H)都包括光刻处理工艺。光刻处理是指本发明说明的从应用光刻胶经过用光掩模选择曝光至显影的一系列工作。如图9所示，本实施例的TFT基板是通过五次光刻处理工艺制造的。
图17是在图9中完成子工艺(D)的第三光刻工艺后，刚好在a—Si腐蚀工艺之前接近各薄膜真实形状绘出的剖面图。图18是在图9中的子工艺(F)溅射ITO之后，接近各薄膜真实形状的剖面结构图。下面，陆续说明每步工艺。
通过制备一透明玻璃基板SUB1，由溅射工艺在基板SUB1的一个表面上全面形成铬膜。通过光刻处理(第一次光刻处理)在铬膜上形成具有预定图形的掩模后，有选择地腐蚀铬膜，形成具有给定图形的导电膜g1(工艺(A)，图10)。
随后，借助一等离子CVD设备，在透明玻璃基板SUB1的一个表面上所形成的导电膜g1上，依次层叠氮化硅膜GI、i型非晶硅膜AS及N型非晶膜d0(工艺(B)，图11)。
在通过光刻处理(第二次光刻处理)形成掩模后，通过使用SF6气体腐蚀去掉N型半导体层d0(N型非晶硅)、i型半导体层AS(i型非晶硅)及栅绝缘膜GI(氮化硅)三层中用于形成像素的相应的部位(工艺(C)，图12)。
接着，通过溅射，在上述加工过的基板上形成铬膜。在通过光刻处理(第三次光刻处理)于铬膜上形成具有一给定图形的掩模之后，选择腐蚀铬膜，形成导电膜d1。在此次处理中，在经上步处理形成在透明玻璃基板SUB1上的开口处形成从薄膜晶体管TFT延伸出的第一导电膜d1的端部(工艺(D)，图13)。
然后，使用由前步工艺所形成的用于第一导电膜d1的掩模，用SF6和BCl3进行腐蚀选择性地去掉N型半导体层d0和i型半导体层AS(工艺(E)，图14)。
接着，通过溅射形成由ITO膜制成的透明导电膜d2。在用光刻处理(第四次光刻处理)形成掩模后，使用HBr溶液选择性地腐蚀透明导电膜，在透明导电膜ITO1上形成ITO图形(工艺(F)，图15)。
接着，再用已形成图形的透明导电膜d2选择腐蚀第一导电膜d1，并通过腐蚀N型非晶硅将源电极SD1和数据线DL分开(工艺(G)，图16)。
然后，借助等离子CVD设备形成氮化硅膜。通过光刻处理(第五次光刻处理)形成掩模后，腐蚀氮化硅膜，从而除在像素电极中部等之外的区域形成钝化膜PSV1(工艺(H)，图3)。
参照图17和图18进一步详细地说明本发明的特点。根据本实施例的制造方法，即使采用容易被存在于其下的台阶导致断线的ITO，也可获得不引起断线的台阶部分。
图17是表示在图9所指的紧随第三次光刻处理中腐蚀铬之后的结构的剖面图。用作掩模的光刻胶PRES仍保留在第一导电膜d1上。
N型半导体层d0、i型半导体层AS及栅绝缘膜GI的边缘部分在第一导电膜d1下面全是台阶，它们最好分别形成斜坡。通过用主要成分为氟(F)的SF6气体进行连续腐蚀，可获得这三层的斜坡。若取对玻璃基板SUB1的速度为1，则对栅绝缘膜GI用SF6气体的腐蚀速率比近似20，对i型半导体层AS为80，而对N型半导体层d0近似为160，即N型非晶硅＞i型非晶硅＞氮化硅膜＞玻璃。所以，完成对N型非晶硅膜的腐蚀并开始对i型非晶硅膜的腐蚀时，上部N型非晶硅被侧腐蚀，所以将i型非晶硅膜的边缘部分作成近似70—75°角的斜坡。当完成对i型非晶硅膜的腐蚀并开始腐蚀氮化硅膜时，上部N型非晶硅和i型非晶硅膜陆续被侧腐蚀，所以i型半导体层AS的边缘部分被制成带50°角的斜坡，栅绝缘膜GI的边缘部分被制成20°的斜坡。因而，引起在其上形成的第一导电膜d1断线的几率降至比存在没有斜坡的陡直台阶的场合要小。另外，假如斜坡部位被涂覆以第一导电膜d1，在斜坡上所形成的第一导电膜d1的上表面的倾斜角变为近似10°。
另一方面，由于在腐蚀溶液中添加了适量的硝酸高铈铵和硝酸，使第一导电膜d1本身在玻璃基板SUB1的边缘部位变为近似10°。
接着，考虑的情况是用图17所示的光刻胶PRES作掩模进行腐蚀选择性地去掉在存贮电容器的导电膜g1上的N型半导体层d0和i型半导体层AS。在腐蚀中，干法腐蚀气体按图17所示的箭头方向流动，具体地说，气体流动绕到第一导电膜d1边缘部分的光刻胶PRES边缘部之下，并沿着第一导电膜边缘部分的斜坡流到玻璃基板SUB1。
图18表示最后涂覆由ITO制成的透明导电膜d2之后的剖面图。当选择腐蚀栅绝缘膜GI或玻璃基板SUB1上的N型半导体层d0和i型半导体层AS时，使用SF6气体和BCl3气体的混合物作干法腐蚀气体。由于添加了BCl3气体，取对玻璃基板的腐蚀速度为1的腐蚀速率比对氮化硅膜为5，对i型非晶硅膜为80，对N型非晶硅膜为160。所以即使腐蚀存贮电容器的i型半导体层AS和N型非晶硅膜，仍可以以良好的选择比保留氮化硅膜。在此步工艺中，因栅绝缘膜GI的腐蚀速率小到i型半导体层AS的腐蚀速率的1/4，当腐蚀i型非晶硅时，会对栅绝缘膜形成侧腐蚀。所以，存贮电容器的氮化硅膜的倾斜角TH3减至15°—20°，与第一导电膜d1下方的氮化硅膜的倾斜角TH1相同，变得对涂敷透明导电膜d2更有利。再有，如前所述，第一导电膜d1下方的玻璃基板SUB1的腐蚀速度是极小的，其倾斜角TH2是3°。另外，图中虽然未画出，由于最好涂覆CVD膜，所以在存贮电容器的导电膜g1边缘部位的CVD膜上表面的倾斜角小到5°。即使在透明玻璃基板SUB1上形成一层其耐氟基气体的干腐蚀速度等于玻璃基板的绝缘膜，例如氧化钽膜，也不能丧失上述优点。
根据本实施例，可实现具有高孔径比和明亮图像显示的液晶显示装置。
通过仅包括五步光刻胶处理的简单工艺即可制造构成显示板的TFT基板，因而优点是可实现提供廉价液晶显示装置。而且可防止ITO的断线，并可改善成品率，这是因为可以使ITO制成的导电膜下方的容易引起断线的全部台阶的倾斜角等于或小于10°。(实施例2)
现在参照图19和20解释本发明的第二实施例。图19是像素的平面图，而图20是沿图19的20—20线的剖面图。
本实施例与实施例1的不同点在于，作为改善孔径比的一种结构，不使用用于浮置电极的屏蔽电极，但长方形存贮电容器TCadd是放大的，只有放大的长方形存贮电容器被用于屏蔽。所以，与实施例1相比，由是栅极线GL的一部分的长方形存贮电容器TCadd对数据线DL的屏蔽电压变化的影响变大。所以，可以抑制图像显示的在垂直方向上产生图像拖尾。即所谓产生阴影。
然而，在此情况下，由栅极线GL与像素电极的交叉区的面积所确定的存贮电容值增加，且施加于栅极线GL的扫描电压增加。所以，为了克服上述的延迟时间的增加，由主要成分是铝的低阻布线材料代替实施例1中的由铬制成栅极线GL的导电膜g1，如图20所示。为防止栅绝缘膜的耐压因阻塞效应等而下降，将阳极氧化铝的主表面阳极氧化，以形成阳极氧化膜AO。如上所述，因使用低阻铝，即使存贮电容增加，也可显示质量优良的图像而不增加扫描电压的延迟时间。
另外，由于可与实施例1一样在透明导电膜ITO1下方的台阶部分得到优选斜坡，可以防止透明导电膜的断线，并可提高成品率。(实施例3)
下面参照图21和22说明本发明的实施例3。图21是像素的平面图，而图22是取自图21中的22—22线的剖面图。沿图21的3—3线的剖面图与实施例1的图1相同。
本实施例与实施例1和2的不同点在于，存贮电容线HL是平行于栅极线GL新形成的，而存贮电容器Cald是在存贮电容线HL与像素电极的交叉区形成的。所以，与实施例1和2相比，可减小对栅极线GL的负载电容。因而，因可以减小施加于栅极线GL的扫描电压的延迟时间，可以保持与实施例1相同的优点，即使用铬膜作为栅极线GL的导电膜g1，仍可得到大尺寸的显示器。
如图22所示，存贮电容线HL是由与栅极线GL相同的导电膜g1制成的。像素电极下方的栅绝缘膜GI具有两个将存贮电容线HL夹在之间的窗口。在存贮电容线HL上的栅绝缘膜GI具有与实施例1同样良好的斜坡，可预期透明电极ITO1没有断线。(实施例4)
下面参照图23和24说明本发明的实施例4。图24是像素的平面图，而图23是沿图24的1—1线得到的剖面图。
本实施例与其它实施例的不同之处在于，如图23所示，由栅极线材料g1制成的屏蔽电极SKD屏蔽着数据线DL下方的所有部位，亦延伸到像素电极ITO1的下方。所以，在极端情况下，变成不需要在滤色片基板OPTSUB上设置黑底BM。因而，在本实施例中，可增加孔径比，并能减少液晶显示器的功耗。如使用与其它实施例相同的功耗，可实现最亮的液晶显示装置。如图24所示，屏蔽电极SKD是由栅极线材料g1制成的。然而，不形成栅极线GL，而屏蔽电极形成一个浮置电极，它不受栅极线GL和数据线DL的控制。所以，在不增加上述各线电容量的前提下可实现大规模的液晶显示装置。(实施例5)
图25是在玻璃基板上所形成的薄膜晶体管(TFT)的透视图。在基板1上经溅射方法形成厚100nm的铬膜。用光刻蚀工艺加工该膜，形成扫描信号和栅电极2。随后，用湿法腐蚀工艺加工栅电极的边缘部分，形成倾斜角为θg的斜坡。
通过等离子化学汽相淀积方法(等离子CVD方法)形成并层叠一氮化硅膜、一非掺杂的非晶硅膜及一掺磷的非晶硅膜，分别作为栅绝缘层4、半导体层5及接触层6。然后，将上述叠层膜刻成图形。为使掩模个数和工艺步骤减至最少，使用干法腐蚀工艺以同一掩模同时刻制图形。因干法腐蚀工艺具有各向同性腐蚀特性，在叠层膜的表面发生侧腐蚀，形成具有倾斜角为θs的斜坡，如图25所示。
至于图像信号线、像素电极、源电极和漏电极，通过溅射方法形成厚近似300nm的ITO膜，再用光刻胶通过湿法腐蚀工艺进行图形制造。使用同一光刻胶通过对接触层6的干法腐蚀，形成沟道区。最后通过等离子CVD方法形成氮化硅膜，作为钝化层。
图26(a)、26(b)、26(c)是当栅绝缘层4的倾斜角θs设定为常数，近似10°(斜度比＝0.18)时，而铬膜即栅电极2的边缘部的倾斜角θg变化时，半导体图形中栅电极2的跨越部分的平面图。
在栅电极2的倾斜角θg为6—10°(斜度比＝0.1—0.18)的情况下，在氮化硅膜的跨越部分未观察到裂痕。因而可以推论，当θg低至等于或小于10°时，不产生裂痕。
在当θg近似于θs的3倍，即在23°—25°范围(斜度比＝0.47—0.7)的情况下，产生近似等于斜坡斜长1/4的裂痕(C)。然而，即使存在上述程度的栅绝缘层4的斜坡处的裂痕，TFT的电特性也毫不受影响。
但是，在θg变到大于θs的4倍，即在70—80°(斜度比＝2.7—5.6)这一区间的情况下，产生大于1/2斜坡斜长的裂痕(C)。图27是在上述情况下TFT的透视图。这使栅电极2和半导体层5间的漏电流增加，当裂痕(C)大的时候往往在栅电极2和漏电极8之间出现短路。
使用SF6气体通过干法腐蚀工艺可形成近似10°—30°的θs。
还有，改变铬膜即栅电极2腐蚀剂的组分可控制θg。腐蚀剂是一种包括硝酸、硝酸高铈铵、高氯酸和水的混合物。在上述组分中，硝酸高铈铵主要决定沿垂直方向的腐蚀速度。硝酸进入铬膜和光刻胶的接触边界，硝酸高铈铵随硝酸进入边界，进行横向腐蚀。纵横腐蚀速度比对决定作为栅电极2的铬膜的边缘部倾斜角是关键因素。
在图28中，硅酸与硝酸高铈铵的比例是用于使栅电极2的倾斜角θg等于或小于栅绝缘层4的倾斜角θs的3倍，而θs设定为10°。
在硝酸高铈铵的浓度为20％，硝酸浓度为9mol/l的情况下，θg变为6°—10°，若浓度为8mol/l，不可能形成斜坡。
相反，当硝酸高铈铵浓度为15％时，垂直方向腐蚀速度变为小于20％时的速度。因而，横向腐蚀速度相对增加，θg变小。即，在硝酸浓度为9mol/l时可获得2°—3°的倾斜角，在8mol/l时可获得7°倾斜角。
另外，θg的变化除依赖于腐蚀剂的组分外，还依赖于铬膜与抗蚀剂的粘附性。决定粘附性的因素之一是铬膜表面的粗糙度(RMS)。
图28示出铬膜的表面粗糙度(RMS)与θg之间的相互关系。对于RMS象1.07这样小(表面凹凸小)的膜，θg为10°(当硝酸浓度为9mol/l时)。反之，即使用相同的腐蚀剂，对RMS为1.20(表面凹凸大)的膜，θg变为20°，而对RMS为1.43(表面凹凸更大)的膜，θg变为25°。所以，可以认为膜的表面粗糙度(RMS)是腐蚀栅电极斜坡的重要因素。
图形边缘部位的各种形状是通过制造斜坡而形成的。如图29(a)所示的一种，其斜坡的斜边可近似于直线，其余的由(b)、(c)所示，几乎不能近似成直线。情况(a)的倾斜角容易确定，但情况(b)和(c)的倾斜角很难确定。在这些情况下，倾斜角是由斜坡部分的宽度，即从下端至上端的退缩距离(底长：A)与膜厚(B)之比(所谓的斜度比(B/A))来定义的。所以，(b)和(c)的斜度比(B/A)均确定为0.62。
图30是指明栅电极2的倾斜角与耐压G/D之间相互关系的曲线图。在各个测量点表示出在栅电极2的跨越部分处裂痕(C)在栅绝缘层4中的断开长度。
当氮化硅膜即栅绝缘层4的倾斜角θs设定为10°时，θg为10°时，耐压具有400V的高值。在上述情况下，裂痕(C)的断开长度为零。若θg为30°，产生近似1μm长的裂痕(C)，但该裂痕尚不影响耐压G/D。然而，若θg超过30°，耐压急速下降。下降的原因在于，裂痕(C)在栅绝缘层中的断开长度超过了斜坡斜边长的1/2。
关于在栅电极2的边缘部形成斜坡除上述之外的其它效果是可防止断线。如图31所示，当漏电极8所用材料的膜(如多ITO膜)台阶覆盖很弱时，由于腐蚀而产生的裂痕进入漏电极8，亦可引发电极8的断线(下文称D—断线)。将栅电极2的倾斜角设定在10°—40°(或斜度比为0.2—0.8)可抑制D—断线。
为腐蚀栅电极2，使用铬膜腐蚀剂，4—7份(重量)硝酸与1份(重量)硝酸高铈铵的混合液，可形成等于或小于30°的θg。具体地讲，在添加5份(重量)的硝酸的场合，可获得近似10°的θg。然而，当硝酸少于4份(重量)时，难以形成预期的倾斜角，因为对θs，θg变得太大，亦在栅绝缘层4中产生裂痕。若硝酸含量超过7份(重量)，根据铬膜与光刻胶的粘附条件，使θg变得太小，亦降低了栅电极2图形形成的精度。
若将本实施例应用于图23的屏蔽电极SKD的制造工艺，可以降低ITO1的断线。(实施例6)
当将电阻率较大的导电材料(Ta、ITO、MoSi2、TaSi2、CrSi2、WSi2、TiW、TaN)用于制造栅电极2时，为了降低栅电极的延迟，必须增加其厚度以使电阻变小。但若增加厚度，在栅电极2的边缘部分的台阶必然变大，因而容易在栅电极2上的栅绝缘层4的跨越部分产生裂痕。
为了使电阻近似等于用膜厚为100nm的铬作栅电极2时的电阻，例如，对Ta必须形成厚105nm的膜，对多ITO必须形成厚1160nm的厚，对硅化物如MoSi2、TaSi2、WSi2及TiSi2应是190—775nm，对TiN和TaN应是500nm。
使栅电极2的θg等于或小于栅绝缘层4的θs(斜度比)的2倍，可以抑制由在上述材料制成的栅电极2边缘部分上的大台阶引发的裂痕(C)和G/D短路。
另一方面，当将电阻较低的导电材料，例如Al、Cu、Au、Ni、Mo及W用于制造栅绝缘电极2时，电极的厚度必须是薄的。可以使电极的膜厚对Al为20nm，对Cu为13nm，对Ni为53nm，对Mo为44nm及对W为43nm。在上述情况下，使栅电极2的θg(或斜度比)等于或小于栅绝缘层4的θs(或斜度比)的3倍，可抑制裂痕(C)和G/D短路的产生。(实施例7)
当将低介电常数的SiO2膜或由SiO2和SiN两层制成的膜用于制造栅绝缘层4时，为了获得与由单层SiN制成的绝缘层的情况相同的电容量，必须使膜的厚度薄到等价于介电常数之差。
例如，为了获得与介电常数为2.0、膜厚为350nm的SiN膜相同的电容量，当使用SiO2时，必须形成厚200nm的膜。在上述情况下，在栅电极2上的SiO2栅绝缘层4的跨越部分容易产生裂痕(C)，并增加电失效的发生率。
在上述情况中，使栅电极2的θg为10°(或斜度比＝0.17)，基本上等于栅绝缘层4的θs(或斜度比＝0.17)的10°，能抑制裂痕(C)和G/D短路的发生。(实施例8)
图32是使用本发明的TFT的液晶显示装置的示意剖面图。制造TFT驱动型的液晶显示装置的步骤如下：制备具有由本发明的上述实施例所形成的TFT的液晶基板10和反面基板9；将对位膜11放在面面相对的两个基板10，9的表面；以及将液晶12密封在上述两个对位膜之间。采用本液晶显示装置，可防止G/D短路、漏电流、及半导体图形跨越部分的ITO漏电极和栅电极2上的漏电极8的断线，亦可以良好的成品率制造具有良好可靠性的液晶显示装置(TFT—LCD)。

Claims (26)

1.一种液晶显示装置包括：
在基板和形成了绝缘膜的基板中任一种上形成的多条栅极线；
与多条所说栅极线交叉形成的多条数据线；
在多条所说栅极线和多条所说数据线的各交点附近所形成的薄膜晶体管，以及
与所说薄膜晶体管相连接的像素电极，以使其具有由像素电极驱动液晶的功能，其中，
所说像素电极的中部与所说基板或形成了绝缘膜的基板接触，以及
所说像素电极的周边部分与绝缘膜接触，所说绝缘膜是构成所说薄膜晶体管的栅绝缘膜的同一层膜。
2.如权利要求1的液晶显示装置，其中，
构成所说像素电极的导电膜延伸到所说薄膜晶体管的源电极，以及
构成所说源电极的导电膜平面图形的轮廓线跨越与基板接触的所说像素电极中部区域的平面，图形轮廓线。
3.如权利要求1的液晶显示装置，其中，
在所说数据线和与基板在所说像素电极的所说中部接触的区域之间设置一个屏蔽膜，所说屏蔽膜平行于所说数据线且用与构成所说薄膜晶体管的栅绝缘膜为同一层膜的绝缘膜与所说数据线分隔开且绝缘。
4.如权利要求1的液晶显示装置，其中，
设置一屏蔽所说数据线的下部的屏蔽膜，它延伸到所说像素电极的下部，并通过与构成所说薄膜晶体管的栅绝缘膜为同一层膜的绝缘膜与所说数据线和所说像素电极分开并绝缘，该屏蔽膜不受所说栅极线的电压控制。
5.一种液晶显示装置包括：
在基板和形成了绝缘膜的基板中任一种上形成的多条栅极线；
与多条所说栅极线交叉形成的多条数据线；
在多条所说栅极线和多条所说数据线的各自交点附近形成的薄膜晶体管，和
与所说薄膜晶体管连接的像素电极，以使其具有由像素电极驱动液晶的功能，其中，
设置一屏蔽所说数据线的下部的屏蔽膜，它延伸到所说像素电极的下部，并通过与构成所说薄膜晶体管的栅绝缘膜为同一层膜的绝缘膜或者通过其中一层膜为栅绝缘膜的叠层绝缘膜与所说数据线和所说像素电极分开和绝缘，该屏蔽膜不受所说栅极线的电压控制。
6.如权利要求1的液晶显示装置，其中，
设置多条与各个多条栅极线对应且与栅极线平行的导电线，以及利用保留在所说导电线和所说像素电极间的绝缘膜形成电容元件。
7.一种液晶显示装置包括：
在一基板上形成的多条栅极线；
与多条所说栅极线交叉形成的多条数据线；
在多条所说栅极线和多条所说数据线的各自交点附近形成的薄膜晶体管；
与所说薄膜晶体管连接的像素电极，以使其具有由像素电极驱动液晶的功能，以及
与所说像素电极连接的存储电容器，其中，
所说薄膜晶体管具有的结构包括：
一形成在由所说栅极线的一部分构成的栅电极上的栅绝缘膜；
一形成在所述栅绝缘膜上的半导体层，和
一形成在所说半导体层上的源电极和漏电极，
构成所说像素电极的所说导电膜在所说源电极上延伸，以及
所说存储电容器具有的结构包括：
一层绝缘膜，所说绝缘膜与所说的栅绝缘膜是同一层膜，而所说栅绝缘膜形成在邻近其上形成了所说薄膜晶体管的一条栅极线的栅极线上，以及
一从形成在所说绝缘膜上的所说像素电极伸出的导电膜。
8.如权利要求7的液晶显示装置，其中，
由所说栅绝缘膜和所说半导体的边缘部与所说基板的形成的倾斜角大于由构成所说存储电容器的所说绝缘膜的边缘部分与所说基板所形成的倾斜角。
9.如权利要求7的液晶显示装置，其中，
所说源电极与所说半导体层，所说栅绝缘膜和所说基板接触。
10.如权利要求7的液晶显示装置，其中，
多条所说数据线包括：
所说半导体层；
一层构成所说源电极和所说漏电极的导电膜，以及
所说半导体层和所说导电膜有相同的平面图形。
11.如权利要求7的液晶显示装置，其中，
所说栅极线覆盖以构成所说栅极线的导电膜的阳极氧化膜。
12.一种用于液晶显示装置的制造方法，所说装置具有：
形成在基板上的多条栅极线，
跨过多条所说栅极线形成的多条数据线；
在多条所说栅极线和多条所说数据线的各个交点附近形成的薄膜晶体管，和
与所说薄膜晶体管连接的像素电极，及
具有通过所说像素电极驱动液晶的功能，包括下列步骤：
用大致相同的平坦图形、以同样的工艺腐蚀栅绝缘膜和形成在所说栅绝缘膜上的半导体层，以及接着
选择性地腐蚀所说半导体层。
13.如权利要求12的用于液晶显示装置的制造方法，其中，
以同样的工艺腐蚀栅绝缘膜和半导体层后，在所说半导体层上形成预定图形的一金属膜，以及接着
用所说的金属膜作为掩模腐蚀所说半导体层。
14.如权利要求12的用于液晶显示装置的制造方法，其中，
进一步提供一个用于阳极氧化所说栅极线表面的步骤。
15.如权利要求12的用于液晶显示装置的制造方法，其中，
在以同样的工艺腐蚀所说栅绝缘膜和所说半导体层时，采用六氟化硫作为腐蚀气体。
16.如权利要求12的用于液晶显示装置的制造方法，其中，
在所说金属膜作为掩模腐蚀所说半导体层的工艺中，采用六氟化硫和氯作为腐蚀气体。
17.如权利要求12的用于液晶显示装置的制造方法，其中，
在腐蚀半导体层之后，形成所说像素电极。
18.一种半导体器件，它设有：
包括在一绝缘基板上的一个栅电极、一个绝缘层及一个半导体层的半导体图形，和
跨越在所说半导体图形区域的所说栅电极上形成的一个源电极和一个漏电极，其中
在其边缘部分逐渐变薄的所说栅电极上形成其边缘部分逐渐变薄的半导体图形，和
形成所说栅电极倾斜角θg使它等于或小于所说半导体图形边缘部分的倾斜角θs的3倍(此处，小于90°)。
19.一种半导体器件，它设有：
一种包括在一个绝缘基板上的一个栅电极、一绝缘层和一半导体层的半导体图形，和
跨越在所说半导体图形区域的所说栅电极上形成的一个源电极和一个漏电极，其中，
在其边缘部分渐薄的所说栅电极上形成其边缘部分渐薄的半导体图形；
所说栅电极从Ta、MoSi2、TaSi2、CrSi2、WSi2、TiN和TaN构成的组中选出的一种材料制作，以及
形成所说栅电极的倾斜角θg使它等于或小于所说半导体图形边缘部分倾斜角θs的3倍(此处，小于90°)。
20.一种半导体器件，它设有：
一种包括在一个绝缘基板上的一栅电极、一绝缘层和一半导体层的半导体图形，和
跨越在所说半导体图形区域的所说栅电极上形成的一个源电极和一个漏电极，其中，
在其边缘部分渐薄的所说栅电极上形成其边缘部分渐薄的半导体图形，
所说栅电极从由Cr、Mo、W、Al、Cu、Au和Ni的组选出的一种材料制作，以及
形成所说栅电极的倾斜角θg使它等于或小于所说半导体图形端部的倾斜角θs的3倍(此处，小于90°)。
21.如权利要求18，19和20的任一半导体器件，其中，
所说栅极倾斜角θg在所说半导体图形边缘部倾斜角θs的0.5—3倍(此处，小于90°)范围内。
22.如权利要求18、19和20的任一半导体器件，其中，
所说栅电极的倾斜角θg在10°—40°范围内。
23.一种半导体器件，它设有：
一种包括在一个绝缘基板上的一栅电极、一绝缘层和一半导体层的半导体图形，和
跨越在所说半导体图形区域的所说栅电极上形成的一个源电极和一个漏电极，其中，
在其边缘部分渐薄的所说栅电极上形成其边缘部分渐薄的半导体图形；
栅电极和半导体图形是这样构成的，从下平面的边缘部分到所说栅电极上平面边缘部分的退后距离(A)对栅电极厚度(B)的比(坡度比：B/A)等于或小于半导体图形边缘部处的坡度比(B′/A′)的3倍。
24.如权利要求23的半导体器件，其中，
所说栅电极的坡度比(B/A)在0.2—0.8的范围内。
25.一种液晶显示装置包括：
薄膜晶体管，它配置在多条扫描信号线与多条图像信号线各交点的附近，两种信号线都形成在成对基板中的一个基板上，以便互相交叉，而其栅电极、漏电极和源电极分别与所说扫描信号线、所说图像信号线和像素电极连接，其中，
其边缘部分渐薄的半导体图形形成在边缘部分渐薄的所说栅电极上；
形成栅电极的倾斜角θg，使它等于或小于半导体图形边缘部分倾斜角θs的3倍(小于90°)，以及
一液晶层通过液晶对位膜保持在基板和成对的另一个透明基板之间。
26.一种液晶显示装置包括：
薄膜晶体管，它配置在多条扫描信号线与多条图像信号线的各交点附近，将两种信号线都形成在成对基板的一个基板上，以便互相交叉，而其栅电极、漏电极和源电极分别与所说扫描信号线、所说图像信号线和像素电极连接，其中，
其边缘部分渐薄的半导体图形形成其边缘部分渐薄的所说栅电极上；
所说栅电极和所说半导体图形是这样构成的，使从下平面边缘部分到栅电极上平面边缘部分的退后距离(A)与薄膜厚度(B)的比(坡度比：B/A)等于或小于在半导体图形边缘部分处的坡度比(B′/A′)的3倍，以及
一液晶层通过液晶对位膜保持在基板和成对的另一个透明基板之间。
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TW (1) TW321731B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1327284C (zh) * 1999-07-22 2007-07-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件
CN100342551C (zh) * 2002-01-28 2007-10-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和制造半导体装置的方法
CN100412643C (zh) * 2002-07-26 2008-08-20 三星电子株式会社 液晶显示器件
CN101308275B (zh) * 2003-12-08 2010-12-01 夏普株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN105899971A (zh) * 2013-11-27 2016-08-24 界标制图有限公司 用于等级地震体分类的方法和系统
WO2021212559A1 (zh) * 2020-04-23 2021-10-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa 阵列基板、显示装置及制备方法

Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960038466A (ko) * 1995-04-13 1996-11-21 김광호 오프전류를 감소시킨 액정표시장치 및 그의 제조방법
JPH0964366A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Corp 薄膜トランジスタ
US5835177A (en) * 1995-10-05 1998-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers
JP3737176B2 (ja) 1995-12-21 2006-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR100195269B1 (ko) * 1995-12-22 1999-06-15 윤종용 액정표시장치의 제조방법
KR100190041B1 (ko) * 1995-12-28 1999-06-01 윤종용 액정표시장치의 제조방법
JP3413000B2 (ja) * 1996-01-25 2003-06-03 株式会社東芝 アクティブマトリックス液晶パネル
JPH09265113A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法
JP3961044B2 (ja) * 1996-05-14 2007-08-15 シャープ株式会社 電子回路装置
KR100247628B1 (ko) * 1996-10-16 2000-03-15 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법
JP3404562B2 (ja) * 1996-11-18 2003-05-12 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100228431B1 (ko) * 1996-12-30 1999-11-01 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법
JPH10229197A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法
KR100238795B1 (ko) * 1997-03-03 2000-01-15 구본준 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
US5909263A (en) * 1997-11-06 1999-06-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel array structure at a pixel contact hole
US6215541B1 (en) 1997-11-20 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
KR19990048947A (ko) 1997-12-11 1999-07-05 김영환 색변화를 제거하며 광시야각을 실현하는 전극을 가진 액정표시 소자
KR100320007B1 (ko) * 1998-03-13 2002-01-10 니시무로 타이죠 표시장치용 어레이기판의 제조방법
TW383427B (en) * 1998-04-03 2000-03-01 United Microelectronics Corp Method for etching tantalum oxide
KR20000003318A (ko) 1998-06-27 2000-01-15 김영환 개구율이 개선된 액정 표시 장치
TW559683B (en) * 1998-09-21 2003-11-01 Advanced Display Kk Liquid display device and manufacturing process therefor
JP3401589B2 (ja) * 1998-10-21 2003-04-28 株式会社アドバンスト・ディスプレイ Ｔｆｔアレイ基板および液晶表示装置
EP1140079B1 (en) * 1998-12-23 2009-06-03 Glaxo Group Limited Assays for ligands for nuclear receptors
JP3683463B2 (ja) * 1999-03-11 2005-08-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
KR100304261B1 (ko) * 1999-04-16 2001-09-26 윤종용 테이프 캐리어 패키지, 그를 포함한 액정표시패널 어셈블리,그를 채용한 액정표시장치 및 이들의 조립 방법
US7339568B2 (en) * 1999-04-16 2008-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Signal transmission film and a liquid crystal display panel having the same
US6111619A (en) * 1999-05-27 2000-08-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of forming polycrystalline silicon TFTs with TiN/Cu/TiN interconnections for a liquid crystal display pixel array
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP3916349B2 (ja) * 1999-06-15 2007-05-16 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
TW490713B (en) 1999-07-22 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7411211B1 (en) * 1999-07-22 2008-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Contact structure and semiconductor device
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100798761B1 (ko) * 1999-09-07 2008-01-29 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
KR100673331B1 (ko) * 2000-02-19 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4342711B2 (ja) * 2000-09-20 2009-10-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法
KR100386458B1 (ko) * 2000-12-20 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
JP4651826B2 (ja) * 2001-01-31 2011-03-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型表示装置及びその製造方法
SG179310A1 (en) * 2001-02-28 2012-04-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7071037B2 (en) * 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100731037B1 (ko) * 2001-05-07 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100792466B1 (ko) * 2001-05-21 2008-01-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR20020094810A (ko) * 2001-06-13 2002-12-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 어레이 기판 및 제조 방법
KR100431242B1 (ko) * 2001-07-10 2004-05-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US7045373B2 (en) * 2001-09-25 2006-05-16 Hannstar Display Corp. Manufacturing method for in-plane switching mode LCD unit with fewer masking process
TWI237141B (en) * 2001-09-25 2005-08-01 Hannstar Display Corp Manufacturing method for in-plane switching mode liquid crystal display (LCD) unit
JP3669351B2 (ja) * 2001-10-04 2005-07-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4305811B2 (ja) * 2001-10-15 2009-07-29 株式会社日立製作所 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法
KR100391157B1 (ko) * 2001-10-25 2003-07-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
JP3870897B2 (ja) * 2002-01-07 2007-01-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
EP1365277B1 (en) * 2002-05-21 2011-07-20 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
KR20030093519A (ko) * 2002-06-03 2003-12-11 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
US6933241B2 (en) * 2002-06-06 2005-08-23 Nec Corporation Method for forming pattern of stacked film
US7303945B2 (en) * 2002-06-06 2007-12-04 Nec Corporation Method for forming pattern of stacked film and thin film transistor
US6933529B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof
KR100870016B1 (ko) * 2002-08-21 2008-11-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치
KR100971955B1 (ko) * 2002-11-11 2010-07-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
CN1267780C (zh) 2002-11-11 2006-08-02 Lg.飞利浦Lcd有限公司 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
KR100518270B1 (ko) * 2002-12-18 2005-10-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인쇄방식에 의한 패턴형성방법
US7190000B2 (en) * 2003-08-11 2007-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR100543001B1 (ko) * 2003-09-03 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 액티브 매트릭스 평판 표시 장치
KR101086478B1 (ko) * 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101086477B1 (ko) * 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 제조 방법
KR101116816B1 (ko) * 2004-06-05 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101057779B1 (ko) * 2004-06-05 2011-08-19 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101037085B1 (ko) * 2004-06-05 2011-05-26 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101043675B1 (ko) * 2004-06-05 2011-06-22 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101121620B1 (ko) * 2004-06-05 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101076426B1 (ko) * 2004-06-05 2011-10-25 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101024651B1 (ko) * 2004-06-05 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법
KR101002347B1 (ko) * 2004-06-24 2010-12-21 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101116817B1 (ko) 2004-06-30 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 절연막을 포함하는 액정 패널 및 그 제조 방법
KR20060018121A (ko) * 2004-08-23 2006-02-28 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101102261B1 (ko) 2004-09-15 2012-01-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101139522B1 (ko) * 2004-12-04 2012-05-07 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101147261B1 (ko) 2004-12-04 2012-05-18 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101125248B1 (ko) 2004-12-23 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 컬러필터 기판 및 그 제조방법
KR101085137B1 (ko) * 2004-12-23 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조방법
KR101107239B1 (ko) * 2004-12-23 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조방법
KR101107246B1 (ko) * 2004-12-24 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101085132B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-18 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101085138B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20060073826A (ko) * 2004-12-24 2006-06-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101107245B1 (ko) * 2004-12-24 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101066492B1 (ko) * 2004-12-24 2011-09-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101107269B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101125254B1 (ko) * 2004-12-31 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107265B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107270B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107682B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101107267B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법
KR101201017B1 (ko) * 2005-06-27 2012-11-13 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101167312B1 (ko) * 2005-06-30 2012-07-19 엘지디스플레이 주식회사 미세 패턴 형성 방법과 그를 이용한 액정 표시 장치 및 그제조 방법
KR101182570B1 (ko) * 2005-06-30 2012-09-12 엘지디스플레이 주식회사 쇼트 불량 리페어 방법 및 그를 이용한 액정 표시 장치의제조 방법
KR101225440B1 (ko) * 2005-06-30 2013-01-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101269337B1 (ko) * 2005-09-30 2013-05-29 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US7667808B2 (en) * 2005-12-28 2010-02-23 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
JP2007178808A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Lg Philips Lcd Co Ltd 液晶表示装置
JP5095941B2 (ja) * 2005-12-28 2012-12-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置
JP5044120B2 (ja) * 2005-12-28 2012-10-10 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置
US7667809B2 (en) 2005-12-28 2010-02-23 Lg. Display Co., Ltd. FFS mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP5452834B2 (ja) * 2005-12-28 2014-03-26 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置
US8233124B2 (en) * 2005-12-28 2012-07-31 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI327239B (en) * 2006-01-20 2010-07-11 Au Optronics Corp Pixel and liquid crystal display and method for manufacturing the same
KR101230312B1 (ko) * 2006-04-11 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN101501748B (zh) * 2006-04-19 2012-12-05 伊格尼斯创新有限公司 有源矩阵显示器的稳定驱动设计
TWI641897B (zh) 2006-05-16 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR101282893B1 (ko) * 2006-06-30 2013-07-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
TW200816486A (en) * 2006-09-22 2008-04-01 Wintek Corp Thin-film transistor array and method for manufacturing the same
KR101446226B1 (ko) * 2006-11-27 2014-10-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법
TWI339303B (en) * 2006-12-15 2011-03-21 Chimei Innolux Corp Liquid crystal panel
JP5266645B2 (ja) * 2007-01-31 2013-08-21 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタを用いた表示装置
TWM317990U (en) * 2007-03-13 2007-09-01 Dosun Solar Technology Co Ltd Structure of bicycle pedal having function of illumination
US7635864B2 (en) * 2007-11-27 2009-12-22 Lg Electronics Inc. Organic light emitting device
JP5377940B2 (ja) * 2007-12-03 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20100283059A1 (en) * 2008-04-08 2010-11-11 Makoto Nakazawa Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2010245366A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Fujifilm Corp 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置
TWI418903B (zh) * 2009-09-30 2013-12-11 Au Optronics Corp 陣列基板及其製造方法
TWI427606B (zh) * 2009-10-20 2014-02-21 Au Optronics Corp 具畫素資料自我保持機能之液晶顯示裝置與其靜止模式運作方法
US8558960B2 (en) * 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101736319B1 (ko) * 2010-12-14 2017-05-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2013092613A (ja) * 2011-10-25 2013-05-16 Japan Display East Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
CN104812881B (zh) 2012-12-05 2018-04-20 弗门尼舍有限公司 紫罗兰类型的添味剂
CN103293785B (zh) * 2012-12-24 2016-05-18 上海天马微电子有限公司 Tn型液晶显示装置及其触控方法
KR102202975B1 (ko) * 2014-07-09 2021-01-14 동우 화인켐 주식회사 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법
CN104362155B (zh) * 2014-11-24 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104779256B (zh) * 2015-04-09 2018-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、液晶面板
KR20170073774A (ko) * 2015-12-18 2017-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107092111B (zh) * 2016-02-17 2021-06-11 群创光电股份有限公司 主动元件阵列基板以及显示面板
CN109244083B (zh) * 2018-09-05 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制造方法、显示面板及可穿戴设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61161764A (ja) * 1985-01-11 1986-07-22 Nec Corp 薄膜トランジスタの製造方法
EP0211402B1 (en) * 1985-08-02 1991-05-08 General Electric Company Process and structure for thin film transistor matrix addressed liquid crystal displays
US5170244A (en) * 1986-03-06 1992-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrode interconnection material, semiconductor device using this material and driving circuit substrate for display device
JP2655865B2 (ja) * 1988-03-16 1997-09-24 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法
JP2528967B2 (ja) * 1989-07-04 1996-08-28 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
JPH0465168A (ja) * 1990-07-05 1992-03-02 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
JP2871818B2 (ja) * 1990-07-27 1999-03-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2875363B2 (ja) * 1990-08-08 1999-03-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH053318A (ja) * 1991-06-26 1993-01-08 Stanley Electric Co Ltd 薄膜トランジスタと薄膜トランジスタの製造方法
NL194848C (nl) * 1992-06-01 2003-04-03 Samsung Electronics Co Ltd Vloeibaar-kristalindicatorinrichting.
JPH05333378A (ja) * 1992-06-04 1993-12-17 Hitachi Ltd 薄膜デバイスおよびその製造方法
EP0592063A3 (en) * 1992-09-14 1994-07-13 Toshiba Kk Active matrix liquid crystal display device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1327284C (zh) * 1999-07-22 2007-07-18 株式会社半导体能源研究所 显示器件
CN100342551C (zh) * 2002-01-28 2007-10-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和制造半导体装置的方法
CN100412643C (zh) * 2002-07-26 2008-08-20 三星电子株式会社 液晶显示器件
CN101308275B (zh) * 2003-12-08 2010-12-01 夏普株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN105899971A (zh) * 2013-11-27 2016-08-24 界标制图有限公司 用于等级地震体分类的方法和系统
WO2021212559A1 (zh) * 2020-04-23 2021-10-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa 阵列基板、显示装置及制备方法
US11742360B2 (en) 2020-04-23 2023-08-29 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Gate driver on array (GOA) substrate, method for fabricating same, and display device comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
US5668379A (en) 1997-09-16
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EP0694804A3 (en) 1996-08-21
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DE69535740D1 (de) 2008-05-15
US5760854A (en) 1998-06-02

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Co-patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Patentee after: Hitachi Displays, Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Co-patentee before: IPS pioneer support society

Patentee before: Hitachi Displays, Ltd.

Effective date of registration: 20111122

Address after: Chiba County, Japan

Co-patentee after: IPS Pioneer Support Society

Patentee after: Hitachi Displays, Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: Hitachi Displays, Ltd.

Effective date of registration: 20111122

Address after: Chiba County, Japan

Patentee after: Hitachi Displays, Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Hitachi, Ltd.

C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: JAPAN DISPLAY, INC.

Free format text: FORMER NAME: APAN DISPLAY EAST, INC.

Owner name: APAN DISPLAY EAST, INC.

Free format text: FORMER NAME: HITACHI DISPLAY CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Chiba County, Japan

Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: Japan Display East Inc.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Address after: Chiba County, Japan

Patentee after: Japan Display East Inc.

Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: Hitachi Displays, Ltd.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 19960501

Assignee: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Assignor: JAPAN DISPLAY Inc.|Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Contract record no.: 2013990000688

Denomination of invention: Active matrix liquid crystal display and method for producing the same

Granted publication date: 20021009

License type: Common License

Record date: 20131016

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model
CX01 Expiry of patent term

Expiration termination date: 20150726

Granted publication date: 20021009

EXPY Termination of patent right or utility model