CN1652002A - 薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器 - Google Patents

薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：多条栅极线，传输扫描信号；多条数据线，与栅极线交叉并传输图像信号，分别包含彼此电连接且隔开的第一及第二负数据线；多个像素电极，通过栅极线及数据线与薄膜晶体管电连接，并且覆盖相邻的第一负数据线或第二负数据线两侧边缘；钝化层，设置在数据线和像素电极之间；遮光部件，遮挡第一负数据线和第二负数据线之间。

Description

薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜 晶体管阵列面板的液晶显示器
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器，特别是，涉及一种高纵横比的液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)通常包括形成有共同电极的上部面板和形成有薄膜晶体管和像素电极的下部面板和形成在它们之间的液晶层，向像素电极和共同电极施加彼此不同的电位，从而形成电场、改变液晶分子排列，通过其调整光透射比，以显示图像。
在这种普通液晶显示器中，通过确保像素纵横比来提高画面灰度，随着可以显现多种效果，因此确保纵横比是很重要的技术课题。为此，重叠设置像素电极和数据线，因为这样在施加像素电压的像素电极和接收连续变化的数据电压的数据线之间形成寄生电容，这种寄生电容可产生多种不良现象。例如，在液晶显示器制造工序中的蚀刻工序中，当利用比面板像素电极所在的有效区域小的曝光掩模时，将面板分为多个块进行曝光工序，随着曝光掩模和面板整列程度的不同，像素电极和数据线之间距离根据每个块有所不同。因此，每个块的像素电极和数据线之间产生的寄生电容不同，产生针脚不良。
发明内容
本发明目的在于提供一种在像素电极和数据线之间均匀产生寄生电容的薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器。
本发明的薄膜晶体管阵列面板包括：传输扫描信号的多条栅极线；与栅极线交叉并传输图像信号，分别包含彼此电连接且隔开的第一及第二负数据线的多条数据线；通过栅极线及数据线和薄膜晶体管电连接，并覆盖相邻的第一负数据线或第二负数据线两侧边缘的多个像素电极；形成于数据线和像素电极之间的钝化层；遮挡第一负数据线和第二负数据线之间的遮光部件。
本发明的液晶显示器包括：传输扫描信号的多条栅极线；与栅极线交叉并传输图像信号，分别包含彼此电连接且隔开的第一及第二负数据线的多条数据线；通过栅极线及数据线和薄膜晶体管电连接，覆盖相邻的第一负数据线或第二负数据线两侧边缘的多个像素电极；包含形成于数据线和像素电极之间的滤色器层的薄膜晶体管阵列面板；与分割的数据线层叠形成的遮光部件。
像这样，由彼此平行的一对负数据线形成各数据线，位于各负数据线两侧的像素电极分别与相邻的负数据线重叠，并用遮光部件遮挡其之间，就可以使数据线和像素电极之间产生的寄生电容最小、纵横比变得最大。
本发明根据由一对负数据线组成的数据线、与其重叠的像素电极、遮挡负数据线之间的遮光层具有多种实施例。
根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列面板形成传输扫描信号的栅极线；与栅极线交叉并传输图像信号，包含至少在像素电极周边的一部分中彼此隔开的一对负数据线的数据线；置于由栅极线和数据线限定的像素区域的像素电极；包含与栅极线连接的栅极、与数据线连接的源极及与像素电极连接的漏极的薄膜晶体管。
薄膜晶体管阵列面板进一步包括覆盖薄膜晶体管、栅极线及数据线的绝缘层，优选地，像素电极形成于像素电极绝缘层上部，绝缘层由有机绝缘物质或滤色器组成，进一步包括与像素电极重叠形成存储电容的存储电极。
以像素长度为单位平行双重设置数据线，该数据线具有直线形或反复出现的弯曲部分和与栅极线交叉的部分，数据线弯曲时至少包括两个直线部分，优选地，直线部分基本与栅极线成±45度，优选地，像素电极在像素沿着数据线弯曲模样制作布线图案。在这里，像素电极覆盖相邻的数据线两侧边缘，遮光部件与数据线电绝缘，以由有机材料或金属材料组成，特别是，优选地，至少覆盖各一对负数据线之间并其外侧边缘不超过负数据线外侧边缘。
包括这种薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器面对薄膜晶体管阵列面板，而且包括具有与像素电极面对的共同电极的共同电极面板和形成于薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板之间的液晶层。
此时，液晶层可以是多种种类，该实例以TN模式为基准来说明图，但是垂直取向模式的情况也相同。当垂直取向模式液晶显示器时，液晶层具有负介电各向异性，液晶分子长轴对于两个面板表面垂直取向。当垂直取向模式液晶显示器时，在共同电极和像素电极具有切开部(cutout)或突起部等，向液晶层施加电场时使液晶分子平躺方向彼此不同，以提高所谓的视角。
薄膜晶体管阵列面板进一步包括形成于栅极和源极及漏极之间的半导体层，且主要呈岛状，但根据情况可以延长到数据线下部，除了源极和漏极之间通道部之外的半导体层可以具有与数据线和漏极相同的平面形态。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图；
图2是安装图1所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着II-II′线的截面图；
图3是安装图1所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着III-III′线的截面图；
图4是根据本发明第二实施例的液晶显示器用薄膜晶体管显示布局图；
图5是安装图4所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着V-V″线的截面图；
图6是安装图4所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着VI-VI′线的截面图；
图7是根据本发明第三实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图；
图8是安装图7所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着VIII-VIII′线的截面图；
图9是安装图7示出的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着IX-IX′线的截面图；
图10是根据本发明第四实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图；
图11是安装图10所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着XI-XI′线的截面图；
图12是安装图10所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着XII-XII′线的截面图；
图13是根据本发明第五实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图；
图14是安装图13所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着XIV-XIV′线的截面图；以及
图15是安装图13所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着XV-XV′线的截面图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员能够实施本发明，现参照附图详细说明本发明的实施例。然而，本发明可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。
在附图中，为了清楚，扩大了各层的厚度及区域。在全篇说明书中对相同元件附上相同的符号，应当理解的是当提到层、膜、区域、或基板等元件在别的部分“之上”时，指其直接位于别的元件之上，或者也可能有别的元件介于其间。相反，当某个元件被提到“直接”位于别的部分之上时，指并无别的元件介于其间。
下面参照附图详细说明根据本发明各实施例的液晶显示器。
图1是根据本发明第一实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图，图2是安装图1所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着II-II′线的截面图，图3是安装图1所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着III-III′线的截面图。
如图2及图3所示，根据本实施例的液晶显示器包括彼此面对的薄膜晶体管阵列面板100和共同电极面板200及置于其之间的液晶层300和密封层330。薄膜晶体管阵列面板100上面具有形成信号线420的诸如柔软性印刷电路薄膜这样的膜430和在面板100附着膜430的各向异性导电薄膜410。
首先，简要说明薄膜晶体管阵列面板100，如图1所示，在由玻璃等透明绝缘材料组成的绝缘基片110上形成由ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等透明导电材料组成的多个像素电极190、与像素电极190连接的多个薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接传输扫描信号的多条栅极线121和由传输图像信号的一对负数据线171a、171b组成的多条数据线171薄膜晶体管根据扫描信号开(on)或关(off)，向像素电极190选择性地传输图像信号。在这里，多个像素电极190所在的区域叫做有效区域(或画面区域)，其外面叫做周边区域。
下面具体说明薄膜晶体管阵列面板100。
在透明绝缘基片110上形成主要以横向延伸的多条栅极线121和多条存储电极线131。
栅极线121传输栅极信号，各栅极线121的一部分突出形成突起状多个栅极124。栅极线121为了接收来自外部的栅极信号具有栅极衬垫129。但与此不同，与在基片110上部直接形成栅极线121末端的栅极驱动电路输出端连接。
存储电极线131包括宽度宽的存储电极135。
为了向共同电极面板200侧传输共同电压，在与栅极线121相同层可以形成共同电极电压施加用布线(未示出)。
栅极线121存储电极线131由Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu、Cr、Ti、Ta、Mo等金属类组成。本实施例的栅极线121及存储电极线131由单一层组成，但可以由包括物理化学特性优良的Cr、Mo、Ti、Ta等难熔金属(refractory metals)和电阻率小的Al系列或Ag系列金属层的双重层组成。特别是，包括铝时由双重层以上形成，以避免与像素电极材料的接触。此外，还可以由多种金属或导电体形成栅极线121和存储电极线131。
在像栅极线121、存储电极线131等的层形成的图案侧面呈倾斜，优选地，其对水平面的倾斜角约为30-80°。
在栅极线121和存储电极线131上形成由氮化硅(SiNx)等组成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成包括多条数据线171的多个漏极175及存储电极线连接部176。
漏极175延长至存储电极线131中间的存储电极135重叠。在漏极175和存储电极线131之间填充至少包括栅极绝缘层140的绝缘体层，以确保它们之间的存储电容。
各数据线171主要以纵向延伸，并具有向各漏极175伸出多个支路的源极。而且数据线包括位于一末端的接触部179，接触部179接收来自外部的图像信号。在这里，各数据线171在有效区域包括彼此电连接的一对负数据线(data line branches)171a、171b。各一对负数据线171a、171b在有效区域内通过多个连接部178连接，在周边区域彼此结合形成一个接触部179。
存储电极线连接部176位于有效区域外面，其主要以纵向延伸在与栅极衬垫129相邻的位置与栅极线121交叉。而且，存储电极线连接部176与存储电极线131末端部分相邻，并与所有存储电极线131连接向这些存储电极线131施加一定电压，例如提供给共同电极面板200的共同电压。对此将在后面说明。当无栅极衬垫部129时，存储电极线131图案可以具有整合连接的结构(未示出)。
数据线171、漏极175及存储电极线连接部176也基本上由铬和钼、铝等物质组成，如图2及图3所示可以由单一层组成，但可以由多重层组成。多重层的代表性的例为Mo/Al/Mo三重层，此时通常铝等低电阻金属层置于中间，像钼的难熔金属置于其上下侧。
在源极173和漏极175及其之间部分的下面形成岛状半导体154。图1示出半导体154宽度比源极173及漏极175宽度稍微宽，但相反地半导体154宽度比源极173及漏极175宽度窄。而且，在存储电极线131和数据线171的交叉部也形成岛状半导体152，此外，在栅极线121和数据线171交叉部的两条信号线121、171之间也形成半导体，以防止两条信号线121、171的断开。与图1不同，在数据线171下部也可以形成半导体。半导体152、154由非晶硅类组成。
在岛状半导体151、152和源极173及漏极175或数据线171之间形成减少两个之间接触电阻的多个岛状欧姆接触部161、162。欧姆接触部161、162由硅化物或重掺杂n型杂质的非晶硅类组成。
栅极121、源极173及漏极175与在源极173和漏极175之间的半导体154部分一起组成薄膜晶体管。
数据线171、漏极175、存储电极线连接部176及未被它们覆盖的半导体152、154上具有由化学汽相沉积法形成绝缘材料的300～700左右厚度薄无机钝化层180a。无机钝化层180a具有漏极175一部分、栅极线121的栅极衬垫129、数据线171的接触部179及存储电极线131的端部、存储电极线连接部176及位于其端部上的多个接触孔185、181、182、183、184、186。
如图1及图2所示，在无机钝化层180a上形成覆盖负数据线171a、171b之间空间的遮光部件160。此时，为了阻挡纵横比的下降在有效区域使遮光部件160不超过负数据线171a、171b的外侧边缘。此时，如图2所示，负数据线171a、171b的外侧边缘和遮光部件160外侧边缘之间距离w2约为1μm以上。遮光部件160材料优选使用有机绝缘材料，使与数据线171之间不产生不必要的寄生电容，优选使用具有感光性的材料，使容易形成图案。例如，优选地，使用碳或喷洒有黑色颜料的感光材料。
如图1所示，遮光部件160在有效区域外的周边区域具有围绕有效区域的条状，这是为了防止在有效区域和周边区域之间产生的光泄漏。这样，在共同电极面板200侧不用单独设置遮光部件。
在遮光部件160及露出的无机钝化层180a上形成由平坦化特性优秀的感光性有机材料组成且介电率为3.0以下的电容率层的有机钝化层180b。该有机钝化层180b具有约为0.7μm以上的厚度。该有机钝化层180b也如同无机钝化层180a，在与无机钝化层180a接触孔185、181、182、184、186几乎相同的位置具有与无机钝化层180a几乎相同形态的接触孔185、181、182、183、184、186。即，具有分别露出漏极175至少一部分和数据线171末端部分的数据衬垫部179的多个接触孔182及位于存储电极线131一端部上的多个接触孔186及位于存储电极线连接部176中间及其末端部分的多个接触孔187、188。
这些接触孔基本用于两种用途，在薄膜晶体管阵列面板边缘侧的接触孔主要从半导体芯片等接收各种信号，位于内侧的接触孔作为电连接内部布线的部件使用。还可以使用一种方法，作为电连接件在钝化层180b上用导电性材料形成连接桥，并通过接触孔其与下部导电体连接，对此将在以后进行描述。
特别是，在栅极线121末端部分的栅极衬垫129、位于存储电极线131末端部分上的接触孔181、186，因为它们的布线121、131都在栅极绝缘层140下部，所以不仅贯通钝化层180a、180b，还可以贯通栅极绝缘层140，分别露出各布线121、131
图2中如图面标号C表示，例如在露出漏极175的接触孔185周边的有机钝化层180b厚度变小，所以从有机钝化层180b表面到接触孔185的层差缓慢。为了容易形成这种结构，如上所述，有机钝化层180b材料优选具有感光性，此时对形成缓慢层差的接触孔185周边结构的方法进行简要说明。
首先，在基片110上涂布正性感光性有机层，整列曝光掩模(未示出)之后，通过掩模(未示出)进行曝光。
在曝光掩模具有透明区域和半透明区域、具有由比曝光器的分解能小的宽度的多个狭缝组成的狭缝图案的半透明区域。曝光掩模的透明区域对应于接触孔185，在透明区域周边设置狭缝图案。通过狭缝图案曝光的感光层部分曝光量小，通过透明区域曝光的接触孔185部分曝光量充分，因此，感光层显像后曝光量少的感光层部分残留一部分厚度，曝光量充分的接触孔185完全被除去。接着，将有机绝缘层180b作为蚀刻基层干蚀刻露出的无机绝缘层180a部分和栅极绝缘层140部分，形成接触孔185。
此时，为了存储电极线131末端部分一起露出由与栅极线121相同层的金属层组成的布线形成接触孔186、181，为此一起进行干蚀刻除去无机绝缘层的栅极绝缘层140。此时，因为金属和无机绝缘层的蚀刻选择比不同，所以利用通过在与数据线171相同层的布线上的接触孔露出的金属层几乎不被蚀刻的特性。
另外，在数据线171末端部分的数据衬垫179和栅极线121末端部分的栅极衬垫129所在的周边区域可以不考虑寄生电容，所以如图2及图3所示，使有机绝缘层180b厚度比有效区域小。就这样，利用通过接触孔181、182露出的布线121、171和各向异性导电薄膜410等附着形成施加栅极信号或数据电压的信号线420的膜430或驱动电路芯片衬垫凸缘(未示出)时提高接触可靠性。为此，在形成钝化层180a、180b图案的工序中，如同接触孔周边部，将由曝光器的分解能小的狭缝或半透明材料组成的半透射区域对应于周边区域，以钝化层180b高度比具有像素电极的有效区域低。
在钝化层180上形成多个像素电极190在内的多个数据衬垫179及栅极衬垫129及通过存储电极线连接部176端部的衬垫和其之上的接触孔181、182、186电连接的多个接触辅助部件81、82、86，而且形成例如，包括存储电极线131和存储电极线连接部176之间连接桥等的连接桥85。它们由像ITO或IZO等的相同导电体组成。
如图1及图2所示，像素电极190完全覆盖相邻的负数据线171a、171b内侧边缘。如图2所示，优选地，像素电极190的边缘和与其相邻的负数据线171a、171b内侧边缘之间距离w1约为2μm以上。然而，该距离根据曝光装置的整列误差可能不同。而且，像素电极190通过延长到存储电极线131的漏极175上的接触孔185与薄膜晶体管电连接。
像这样，若覆盖到与像素电极190相邻的负数据线171a、171b的内侧边缘，则即使在面板100左右产生整列误差内的偏差，也像素电极190和负数据线171a、171b形成的寄生电容相同。
下面说明共同电极面板200。
在像玻璃的绝缘基片210上，滤色器层230面对薄膜晶体管阵列面板100的像素电极190形成，其上形成由有机物组成的透明绝缘层250，其上形成共同电极270。透明绝缘层250并非必须，在滤色器层上可以直接设置共同电极270。如上所述，薄膜晶体管阵列面板100遮光部件160在必要的位置充分地遮挡光泄漏，所以在共同电极面板200无需单独设置黑阵类的遮光部件。
在薄膜晶体管阵列面板100及共同电极面板200内侧面上分别形成取向层11、21，其外面附着偏光板12、22。取向层11、21几乎位于有效区域内。
密封层330位于薄膜晶体管阵列面板100和共同电极面板200之间，并具有沿着共同电极面板200周围延长的条状。优选地，为了防止光泄漏密封层330和遮光部件160至少部分重叠。
液晶层300位于分别形成于薄膜晶体管阵列面板100及共同电极面板200的像素电极190及共同电极170上的取向层11、21之间，而且被由密封层330围绕的区域包围。
根据取向层11、21材料的种类、液晶300种类、取向方法等，可以组成多个不同种类液晶显示器。当如图1至图3所示的液晶显示器时优选使用扭曲的TN模式。
将该液晶显示器使用为垂直取向模式时，为了扩张视角，优选地，在像素电极190及共同电极270设置多个切开部(cutout，折叠部)(未示出)。切开部彼此平行并至少弯曲一次，所以通过像素电极190和共同电极270产生的电场根据切开部的散射场效果被扭曲，使位于像素电极190上的液晶分子平躺方向以多种方向显示。替代在两个电极190、270都设置切开部，在像素电极190布置切开部，在共同电极270侧的取向层21和共同电极270之间设置与像素电极190切开部平行并由感光性有机层类组成的突起部。根据突起部电容率和液晶电容率差或根据突起部的倾斜面决定液晶分子的平躺方向，结果一侧通过散射场效果、另一侧通过突起部的电容率或倾斜面效果可以形成多种的液晶分子平躺方向。在像素电极190上和共同电极27上不设置切开部，可以只设置突起部。
下面，参照图4至图6说明根据本发明第二实施例的液晶显示器。
图4是根据本发明第二实施例的液晶显示器用薄膜晶体管显示布局图，图5是安装图4所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着V-V″线的截面图，图6是安装图4所示的薄膜晶体管阵列面板和面对基片的液晶显示器沿着VI-VI′线的截面图。
根据第二实施例的液晶显示器具有类似于根据第一实施例的液晶显示器布置结构及层上结构。
首先，说明薄膜晶体管。在基片110上形成包括多个栅极124的多条栅极线121及包括多个存储电极133的多条存储电极线131，在其上面依次形成栅极绝缘层140、多个半导体154、多个欧姆接触部161、162。在欧姆接触部161、162上形成包括多个源极173并分别由一对负数据线171a、171b组成的多条数据线和多个漏极175及存储电极线连接部176，在其上形成无机钝化层180a。在无机钝化层180a上形成遮光部件160，在其上形成有机钝化层180b。在钝化层180a、180b及/或栅极绝缘层140形成多个接触孔181、182、183、184、185、186，在有机钝化层180b上形成多个像素电极190、190和多个接触辅助部件81、82及多个连接桥85。
共同电极面板200包括绝缘基片210和其上的共同电极270。
两个面板100、200内侧面具有取向层11、21，其外侧面具有偏光板12、22。两个面板100、200之间具有密封层330和液晶层300，在薄膜晶体管阵列面板100上通过各向异性导电薄膜附着形成信号线420的膜430。
如图4和图5所示，根据本实施例的液晶显示器中，不是在共同电极面板200而是在薄膜晶体管阵列面板100的无机钝化层180a和遮光部件160之间形成滤色器层。滤色器层230具有RGB(红色、绿色、蓝色)三色，各滤色器230边缘位于负数据线171a、171b之间，并覆盖负数据线171a、171b内侧边缘。滤色器230只位于有效区域，具有露出接触孔185的无机钝化层180a侧边缘的多个接触孔231。像这样，因为滤色器层230位于薄膜晶体管阵列面板100侧，所以如图5所示共同电极270形成于玻璃基片210正上方。因此根据本实施例的共同电极面板200无需通过单独的蚀刻工序而简单形成。
下面，参照图7至图9详细说明根据本发明第三实施例的液晶显示器。
图7是根据本发明第三实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图，图8是安装图7所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着图VIII-VIII′线的截面图，图9是安装图7所示的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着图7IX-IX′线的截面图。
图7至图9示出的液晶显示器具有类似于图4至图6示出的液晶显示器布置结构及层上结构。
首先，说明薄膜晶体管。在基片110上形成包括多个栅极124的多条栅极线121及包括多个存储电极133的多条存储电极线131，在其上面依次形成栅极绝缘层140、多个半导体154、多个欧姆接触部161、162。在欧姆接触部161、162上形成包括多个源极173并分别由一对负数据线171a、171b组成的多条数据线和多个漏极175及存储电极线连接部176，在其上形成无机钝化层180a。在无机钝化层180a上形成滤色器层230，在其上形成有机钝化层180b。在钝化层180a、180b及/或栅极绝缘层140形成多个接触孔181、182、183、184、185、186，在滤色器230形成接触孔231，在有机绝缘层180b上形成多个像素电极190、190和多个接触辅助部件81、82及多个连接桥85。
共同电极面板200包括绝缘基片210和其上的共同电极270。
两个面板100、200内侧面具有取向层11、21，其外侧面具有偏光板12、22。两个面板100、200之间具有密封层330和液晶层300，在薄膜晶体管阵列面板100上通过各向异性导电薄膜410附着形成信号线420的膜430。
如图7和图9所示，根据本实施例的液晶显示器中，与图4至图6不同在共同电极基片200的绝缘基片210和共同电极270之间形成遮光部件160。图7示出遮光部件160，但为了方便理解其以照射照射于薄膜晶体管基片100的形态画出的。当组装两个面板100、200时，优选地，遮光部件160的宽度比数据线171宽度宽，特别是，优选地，其将一对负数据线171a、171b全覆盖。
第一及第二实施例中，遮光部件160置于无机钝化层180a和有机钝化层180b之间，或置于滤色器230上，但当遮光部件160为有机物质时，其层上位置并不重要。例如，可以在无机钝化层180a下部或滤色器层230下部。只是如上所述，优选地，其宽度比数据线171a、171b宽度窄。
而且，在第二及第三实施例中，根据滤色器层230材料可以省略有机钝化层171b只布置滤色器230，此时相邻的滤色器层230具有彼此层叠的结构，这有利于平坦化特性。
而且，在第一、第二、第三实施例中，在与数据线171相同层形成的所有金属图案和栅极绝缘层140之间可以设置半导体层。可供选择地，这在形成面板100时，连续层叠半导体层、欧姆接触层、数据金属层并依次对金属层和其下面层制作布线图案时进行。
而且，像素电极190可以具有替代直四角性的飞镖(boomerang)形态，即具有至少弯曲一次的形态，此时，数据线171及遮光部件160也随着像素电极190形态弯曲。
下面，参照图10至图12说明根据本发明第四实施例的液晶显示器。
图10是根据本发明第四实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图，图11是安装图10示出的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着图10XI-XI′线的截面图，图12是安装图10示出的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着图10。
根据本发明第四实施例的液晶显示器具有类似于图1至图3所示的液晶显示器布置结构及层上结构。
首先，说明薄膜晶体管。在基片110上形成包括多个栅极124的多条栅极线121及包括多个存储电极133的多条存储电极线131，在其上面依次形成栅极绝缘层140、多个半导体154、多个欧姆接触部161、162。在欧姆接触部161、162上形成包括源极173并分别由一对负数据线171a、171b组成的多条数据线和多个漏极175及存储电极线连接部176，在其上形成无机钝化层180a。在无机钝化层180a上形成有机钝化层180b。在钝化层180a、180b及栅极绝缘层140形成多个接触孔181、182、183、184、185、186，在有机绝缘层180b上形成多个像素电极190、190和多个接触辅助部件81、82及多个连接桥85。而且形成遮光部件160。
共同电极面板200包括绝缘基片210和其上的共同电极270。
两个面板100、200内侧面具有取向层11、21，其外侧面具有偏光板12、22。两个面板100、200之间具有密封层330和液晶层300，在薄膜晶体管阵列面板100上通过各向异性导电薄膜410附着形成信号线420的膜(film)430。
与图1至图3所示的液晶显示器不同，根据本发明实施例的液晶显示器遮光部件160形成于与栅极线121相同层。遮光部件160主要以纵向延伸，并具有与栅极线121及存储电极线131分离的浮游形态。
负数据线171a、171b之间空间通过遮光部件160被遮住，但在有效区域为了防止纵横比的减少，使遮光部件160不超过负数据线171a、171b外侧边缘。如上所述，因为遮光部件160处于电浮游状态，所以在负数据线171a、171b和遮光部件160之间几乎不产生寄生电容。
下面，参照图13至图15说明根据本发明第五实施例的液晶显示器。
图13是根据本发明第五实施例的液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板布局图，图14是安装图13示出的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着图13XIV-XIV′线的截面图，图15是安装图13示出的薄膜晶体管阵列面板和共同电极面板的液晶显示器沿着XV-XV′线的截面图。
根据本发明第五实施例的液晶显示器具有类似于根据实施例四的液晶显示器布置结构及层上结构。
首先，说明薄膜晶体管。在基片110上形成包括多个栅极124的多条栅极线121、与栅极线121相同层组成的多个遮光部件160及包括多个存储电极133的多条存储电极线131，在其上面依次形成栅极绝缘层140、多个半导体154、多个欧姆接触部161、162。在欧姆接触部161、162上形成包括源极173并分别由一对负数据线171a、171b组成的多条数据线171和多个漏极175及存储电极线连接部176，在其上形成无机钝化层180a。在无机钝化层180a上形成有机钝化层180b。在钝化层180a、180b和/或栅极绝缘层140形成多个接触孔181、182、183、184、185、186，在有机绝缘层180b上形成多个像素电极190、190和多个接触辅助部件81、82及多个连接桥85。
共同电极面板200包括绝缘基片210和其上的共同电极270。
两个面板100、200内侧面具有取向层11、21，其外侧面具有偏光板12、22。两个面板100、200之间具有密封层330和液晶层300，在薄膜晶体管阵列面板100上通过各向异性导电薄膜410附着形成信号线420的膜430。
如图13和图14所示，根据本实施例的液晶显示器中，滤色器230不是形成于共同电极面板200，而在薄膜晶体管阵列面板100的无机钝化层180a上。滤色器230具有RGB(红色、绿色、蓝色)三色，各滤色器230边缘位于负数据线171a、171b之间，并覆盖负数据线171a、171b的内侧边界。滤色器层230只位于有效区域，并具有露出接触孔185的无机钝化层180a侧边缘的多个接触孔231。像这样，滤色器层230位于薄膜晶体管阵列面板100侧，所以如图14所示，共同电极270位于玻璃基片的正上面。因此根据本实施例的共同电极面板200无需通过单独的蚀刻工序而简单形成。
像这样，由彼此平行的一对负数据线形成各数据线，位于各负数据线两侧的像素电极分别与相邻的负数据线重叠，用遮光部件遮住其之间，从而使数据线和像素电极之间产生的寄生电容变得最小、纵横比变得最大。通过它，放置由寄生电容或它们的偏差导致的画质下降，特别是，最小化由寄生电容偏差导致的针脚现象。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (23)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
多条栅极线，传输扫描信号；
多条数据线，与所述栅极线交叉并传输图像信号，分别包含彼此电连接且隔开的第一及第二负数据线；
多个像素电极，通过所述栅极线及所述数据线与薄膜晶体管电连接，并且覆盖相邻的第一负数据线或第二负数据线两侧边缘；
钝化层，设置在所述数据线和所述像素电极之间；
遮光部件，遮挡所述第一负数据线和所述第二负数据线之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述遮光部件与所述第一及第二负数据线的近处边缘重叠，而不与远处边缘重叠。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述钝化层包括无机绝缘层。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述钝化层由有机绝缘层组成。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述钝化层包括滤色器。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括与所述像素电极重叠形成存储电容的存储电极。
7.一种液晶显示器，包括：
根据权利要求1的薄膜晶体管；
共同电极面板，面对所述薄膜晶体管阵列面板，并具有面对所述像素电极的共同电极；以及
液晶层，设置于所述薄膜晶体管阵列面板和所述共同电极面板之间。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述液晶层具有负介电各向异性，且位于所述液晶层的液晶分子长轴对于两个面板的表面垂直取向。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，所述共同电极和所述像素电极具有分割取向所述液晶层的像素分割件。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述像素分割件是切开部或突起部。
11.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述薄膜晶体管阵列面板的所述薄膜晶体管包括栅极、源极、及漏极，所述液晶显示器进一步包括位于所述源极和所述漏极之间的第一半导体部件。
12.根据权利要求11所述的液晶显示器，进一步包括位于所述数据线下部的第二半导体部件。
13.根据权利要求12所述的液晶显示器，其中，除了位于所述源极和所述漏极之间通道部之外的所述第二半导体部件基本上具有与所述漏极相同的形态，其宽度比所述数据线宽度宽。
14.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述遮光部件由所述栅极线相同层组成。
15.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
多条栅极线，传输扫描信号；
多条数据线，与所述栅极线交叉并传输图像信号，分别包含彼此电连接且隔开的第一及第二负数据线；
多个像素电极，通过所述栅极线及所述数据线和薄膜晶体管电连接，并且覆盖相邻的第一负数据线或第二负数据线两侧边缘；
薄膜晶体管阵列面板，包含形成于所述数据线和所述像素电极之间的滤色器层；以及
遮光部件，形成与所述栅极线相同层，与分割的数据线层叠形成遮光部件。
16.根据权利要求15所述的液晶显示器，进一步包括位于所述滤色器层和所述数据线之间的无机绝缘层。
17.根据权利要求15所述的液晶显示器，进一步包括与所述像素电极重叠形成存储电容的存储电极。
18.根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，所述像素电极至少弯曲一次。
19.一种液晶显示器，包括：
多条栅极线，传输扫描信号；
多条数据线，与所述栅极线交叉并传输图像信号，分别包含彼此电连接且隔开的第一及第二负数据线；
多个像素电极，通过所述栅极线及所述数据线和薄膜晶体管电连接，并且覆盖相邻的第一负数据线或第二负数据线两侧边缘；
薄膜晶体管阵列面板，包含形成于所述数据线和所述像素电极之间的滤色器层；
共同电极面板，面对所述薄膜晶体管阵列面板，向所述薄膜晶体管阵列面板的投影包含覆盖所述第一及第二负数据线的遮光部件；以及
液晶层，位于所述薄膜晶体管阵列面板和所述共同电极面板之间。
20.根据权利要求19所述的液晶显示器，进一步包括所述滤色器层所述数据线之间的无机绝缘层。
21.根据权利要求19所述的液晶显示器，进一步包括与所述像素电极重叠形成存储电容的存储电极。
22.根据权利要求19所述的液晶显示器，其中，所述遮光部件向所述薄膜晶体管基片的投影覆盖所述数据线两侧边缘。
23.根据权利要求19所述的液晶显示器，其中，所述像素电极至少弯曲一次。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100365496C (zh) * 2005-10-13 2008-01-30 友达光电股份有限公司 有源器件矩阵基板及其修补方法
CN101299124B (zh) * 2008-06-25 2010-06-02 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的阵列基板
CN102360146A (zh) * 2011-10-14 2012-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN104678637A (zh) * 2013-11-27 2015-06-03 三星显示有限公司 液晶显示器
CN105093688A (zh) * 2015-07-16 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
CN105976763A (zh) * 2011-03-10 2016-09-28 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN109613740A (zh) * 2018-12-28 2019-04-12 天马微电子股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN110795905A (zh) * 2018-07-16 2020-02-14 台湾积体电路制造股份有限公司 生成布局图的方法和半导体器件
CN113341609A (zh) * 2013-10-10 2021-09-03 三星显示有限公司 显示装置
CN113805392A (zh) * 2020-06-12 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示基板的制作方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100242438B1 (ko) * 1996-08-30 2000-02-01 윤종용 능동 행렬형 액정 표시 장치
CN100504553C (zh) * 2004-02-06 2009-06-24 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器
KR101216688B1 (ko) * 2005-05-02 2012-12-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101348375B1 (ko) * 2005-09-07 2014-01-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치,그리고 표시 장치의 수리 방법
KR101197053B1 (ko) * 2005-09-30 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101240647B1 (ko) * 2005-10-13 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
EP2270583B1 (en) * 2005-12-05 2017-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
US20070242666A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Alcatel Apparatus for managing requests for data in a communication network
JP5039126B2 (ja) * 2007-03-26 2012-10-03 パイオニア株式会社 有機半導体素子及びその製造方法
KR101623224B1 (ko) * 2008-09-12 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101285638B1 (ko) * 2008-09-23 2013-07-12 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법
CN101685233B (zh) 2008-09-23 2012-06-27 乐金显示有限公司 电泳显示设备及其制造方法
KR101276749B1 (ko) 2009-08-03 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법
TWI386743B (zh) * 2009-12-01 2013-02-21 Au Optronics Corp 顯示面板
KR101735569B1 (ko) * 2010-02-24 2017-05-25 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 내장한 액정 표시 장치
US9568794B2 (en) * 2010-12-20 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US20130000118A1 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Shenzhen China Star Optpelectronics Technology Co. Assembly Method of Liquid Crystal Panel
GB2498072B (en) 2011-12-21 2015-03-18 Lg Display Co Ltd Display device and method for manufacturing of the same
GB2509844B (en) * 2011-12-21 2015-03-18 Lg Display Co Ltd Display device and method for manufacturing of the same
KR101996438B1 (ko) 2012-12-13 2019-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판, 이를 포함한 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102084062B1 (ko) * 2013-08-26 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10008513B2 (en) * 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102102155B1 (ko) * 2013-12-23 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
WO2016128860A1 (ja) 2015-02-12 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102271115B1 (ko) 2015-02-13 2021-06-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102498604B1 (ko) * 2015-07-22 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102523911B1 (ko) * 2016-02-05 2023-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220082153A (ko) * 2020-12-09 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN114077089B (zh) * 2021-11-24 2023-10-13 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0667208A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
US5715025A (en) 1993-02-22 1998-02-03 Goldstar Co., Ltd. Active matrix for liquid crystal displays in which a data bus consists of two data subbuses and each data subbus is separated from an adjacent data bus by one display electrode
KR0139319B1 (ko) 1994-11-14 1998-06-15 김광호 한 화소에 이중배선과 복수의 트랜지스터를 구비한 액정 표시 장치
JP3866783B2 (ja) * 1995-07-25 2007-01-10 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JPH09236826A (ja) * 1995-09-28 1997-09-09 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JP3634061B2 (ja) * 1996-04-01 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US5866919A (en) * 1996-04-16 1999-02-02 Lg Electronics, Inc. TFT array having planarized light shielding element
KR100209277B1 (ko) * 1996-04-25 1999-07-15 구자홍 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US6057038A (en) * 1996-08-02 2000-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for use in display element, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same
JP3460914B2 (ja) * 1996-10-28 2003-10-27 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JPH10197894A (ja) 1996-12-28 1998-07-31 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法
KR19990026575A (ko) 1997-09-25 1999-04-15 윤종용 화소 결함 구제 구조를 갖는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터기판
KR100517135B1 (ko) 1997-10-27 2005-11-29 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판
KR100471391B1 (ko) 1997-12-08 2005-06-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시 소자
KR100247272B1 (ko) 1998-01-26 2000-03-15 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR20000050909A (ko) 1999-01-15 2000-08-05 윤종용 액정표시장치
JP2000310783A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Canon Inc 液晶素子
CN1195243C (zh) 1999-09-30 2005-03-30 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法
JP2001108959A (ja) 1999-10-04 2001-04-20 Canon Inc 液晶装置
JP4115649B2 (ja) * 2000-03-30 2008-07-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3645184B2 (ja) * 2000-05-31 2005-05-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修正方法
KR100385886B1 (ko) 2000-06-15 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4489913B2 (ja) 2000-07-25 2010-06-23 株式会社平和 遊技機用電子デバイス搭載回路基板
KR100518051B1 (ko) * 2001-01-11 2005-09-28 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치와 그 제조 방법
JP4991052B2 (ja) 2001-02-28 2012-08-01 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示パネル
KR100848108B1 (ko) 2001-03-16 2008-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치, 그의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
JP2002131784A (ja) 2001-07-26 2002-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP3605823B2 (ja) * 2001-08-03 2004-12-22 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ・アレイ基板およびアクティブマトリックス型液晶表示装置
JP3806629B2 (ja) 2001-09-28 2006-08-09 三洋電機株式会社 液晶表示装置
KR100796795B1 (ko) * 2001-10-22 2008-01-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
US6862052B2 (en) 2001-12-14 2005-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display, thin film transistor array panel for liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR100776939B1 (ko) 2001-12-28 2007-11-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
US7072012B2 (en) * 2003-05-12 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device including data line divided into first and second branch lines and method of fabricating the same
JP3958306B2 (ja) * 2003-09-02 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2005091819A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Sharp Corp 液晶表示装置
CN100504553C (zh) * 2004-02-06 2009-06-24 三星电子株式会社 薄膜晶体管阵列面板及包括该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100365496C (zh) * 2005-10-13 2008-01-30 友达光电股份有限公司 有源器件矩阵基板及其修补方法
CN101299124B (zh) * 2008-06-25 2010-06-02 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的阵列基板
US8102481B2 (en) 2008-06-25 2012-01-24 Infovision Optoelectronics (Kunshan) Co., Ltd. Array substrate of liquid crystal display
CN105976763B (zh) * 2011-03-10 2019-06-14 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN106023896B (zh) * 2011-03-10 2019-06-14 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN106023896A (zh) * 2011-03-10 2016-10-12 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN105976763A (zh) * 2011-03-10 2016-09-28 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN102360146A (zh) * 2011-10-14 2012-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
WO2013053164A1 (zh) * 2011-10-14 2013-04-18 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN113341609A (zh) * 2013-10-10 2021-09-03 三星显示有限公司 显示装置
CN113341609B (zh) * 2013-10-10 2024-10-01 三星显示有限公司 显示装置
CN104678637A (zh) * 2013-11-27 2015-06-03 三星显示有限公司 液晶显示器
CN105093688A (zh) * 2015-07-16 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
WO2017008358A1 (zh) * 2015-07-16 2017-01-19 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
CN105093688B (zh) * 2015-07-16 2018-07-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
CN110795905A (zh) * 2018-07-16 2020-02-14 台湾积体电路制造股份有限公司 生成布局图的方法和半导体器件
CN110795905B (zh) * 2018-07-16 2023-08-29 台湾积体电路制造股份有限公司 生成布局图的方法和半导体器件
CN109613740A (zh) * 2018-12-28 2019-04-12 天马微电子股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN113805392A (zh) * 2020-06-12 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示基板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20050174503A1 (en) 2005-08-11
JP5100968B2 (ja) 2012-12-19
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