CN1580923A - 多区域液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示器，其包括具有栅极的栅极线、在覆盖栅极线的栅极绝缘层上形成的半导体层、具有在半导体上形成的源极并具有弯曲部分和与栅极线直交部分的数据线、在栅极上分别与源极面对的漏极、覆盖露出的半导体层的钝化层、在钝化层上形成并与漏极电连接，包含与数据线相邻的边沿着数据线弯曲的像素电极的薄膜晶体管阵列面板和与像素电极面对并包含在对应于数据线的部分具有开口部的共同电极的面对显示面板的液晶显示器。这时，像素分为两个部分，像素电极包括在两个副像素形成的第一像素电极和第二像素电极。而且，薄膜晶体管阵列面板具有包括在数据线两侧设置并与第一及第二像素电极部分重叠的存储电极的存储电极布线。

Description

多区域液晶显示器
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器，更具体地，涉及一种为了得到广视角将像素分为多个区域的垂直取向模式液晶显示器。
背景技术
通常，液晶显示器(LCD)是在形成基准电极和滤色器等的上部显示面板和形成薄膜晶体管和像素电极等的下部显示面板之间注入液晶材料，向像素电极和基准电极施加彼此不同电位，从而形成电场并改变液晶分子的排列，通过这些调整光透射率，以显示图像的装置。
在未施加电场的状态下，使液晶分子的长轴对上下面板垂直排列的垂直取向模式液晶显示器是对比度大，且易于体现广视角，所以引人关注。
在垂直取向模式液晶显示器中体现广视角的方法有，在电极上形成折叠图案的方法和形成突起部的方法等。这两种方法是形成散射场，使液晶倾斜方向沿四个方向均匀分散，以确保广视角的方法。其中在电极上形成折叠图案的图像垂直调整(PVA)模式被认为可以替代面内切换(IPS)模式的广视角技术。
与扭曲向列(TN)模式液晶显示器相比，PVA模式液晶显示器具有快的应答时间，这是因为液晶分子的运动只包括无扭曲的弹性张开或弯曲。
同时，液晶显示器还包括用于将电压施于场发生电极的多个开关元件以及诸如与该开关元件连接的栅极线和数据线这样的多个信号线。信号线与其它信号线和共同电极产生电容耦合，其作为施加于信号线上的负载以产生信号延迟以及自身电阻。特别地，在数据线和共同电极之间的耦合驱动设置于其间的液晶分子以引起数据线附近的光泄漏，从而使光泄漏恶化。为了防止光泄漏，黑阵可以较宽以降低纵横比。
发明内容
本发明的目的是减少数据线的负载以提高画质。
本发明的另一目的是减少由数据线和基准电极之间耦合的静电容量，减少数据线周边光泄漏。
为了实现本发明的目的，在根据本发明实施例的液晶显示器中在对应于数据线的基准电极形成开口部。
更详细地说，根据本发明实施例的液晶显示器中，在第一绝缘基片上形成沿第一方向延伸的第一信号线，与第一信号线绝缘交叉，并具有弯曲部分和向第二方向延伸部分的第二信号线。而且，第一信号线和第二信号线交叉限定的各像素上形成像素电极，并形成与第一信号线、第二信号线及像素电极连接的薄膜晶体管。在与第一绝缘基片面对的第二绝缘基片上部全面上形成对应于第二信号线的部分具有开口部的共同电极。这时，第二信号线的弯曲部分和沿第二方向延伸部分以像素长度为单位反复出现。
优选地，这种液晶显示器还包括与像素电极重叠形成存储电容，并设置在像素边缘，邻接第一信号线并排延伸的第三信号线，优选地，第三信号线具有与邻接第二信号线弯曲的部分成并排的存储电极。
像素至少分为两个部分副像素，副像素分别位于第二信号线的两侧，像素电极折叠包括分别位于副像素的第一及第二像素电极，薄膜晶体管包括分别与第一及第二像素电极连接的第一及第二薄膜晶体管。
优选地，第三信号线的存储电极分别设置在第二信号线的两侧，与第一及第二像素的边缘重叠，优选地，存储电极与第一及第二像素电极的一部分重叠，且第一及第二像素电极的边界位于存储电极的上部。这时，优选地，开口部的边界位于数据线的边界线和存储电极的边界线之间。
第一像素电极与第二像素电极相互连接，连接部与第二信号线的弯曲部分交叉。
优选地，第二线号线弯曲部分包括两个以上的直线部分，两个以上的直线部分实际对于第一信号线交替形成±45度。
与像素电极连接的薄膜晶体管的一端子可以延伸到第三信号线的上部。
这种液晶显示器具有沿着像素形状弯曲的部分，还包括由形成在共同电极上部的突起部或像素电极或在共同电极形成的折叠部组成的区域分割件。
附图说明
本发明将通过参考附图详细地描述其实施例而变得更加显而易见，其中：
图1是根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图；
图2是如图1所示的沿着线II-II′薄膜晶体管阵列面板截面图；
图3是根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的共同电极面板(对向显示面板)结构布局图；
图4是如图3所示的沿着线IV-IV′的共同电极面板截面图；
图5是包括图1及图2所示的薄膜晶体管阵列面板和图3及图4所示的共同电极面板的根据本发明第一实施例的液晶显示器结构布局图；
图6是如图5所示的沿着线VI-VI′的液晶显示器截面图；
图7是根据本发明第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图；
图8是如图7所示的沿着线VIII-VIII′的薄膜晶体管阵列面板截面图；
图9是根据本发明第二实施例的用于液晶显示器的共同电极面板结构布局图；
图10是如图9所示的沿着线X-X′的共同电极面板截面图；
图11是根据本发明第三实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图；
图12是根据本发明第三实施例的用于液晶显示器的共同电极面板(common electrode panel)结构布局图；
图13是包括沿着线XIII-XIII′的图11所示的薄膜晶体管阵列面板及图12所示的共同电极面板的液晶显示器截面图；以及
图14是图11所示的沿着线XIV-XIV′的液晶显示器截面图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员能够实施本发明，现参照附图详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。
在图中为了明确表现各层及区域，扩大其厚度来表示，在全篇说明书中对类似部分附上相同图的符号，当提到层、膜、区域、板等部分在别的部分“之上”时，它是指“直接”位于别的部分之上，也包括其间夹有别的部分之情况，反之说某个部分“直接”位于别的部分之上时，指其间并无别的部分。
现在，参照附图说明根据本发明实施例的多区域液晶显示器。
图1是根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图，图2是如图1所示的沿着线II-II′薄膜晶体管阵列面板截面图，图3是根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的共同电极面板结构局图，图4是如图3所示的沿着线IV-IV′的共同电极面板截面图，图5是包括图1及图2所示的薄膜晶体管阵列面板和图3及图4所示的共同电极面板的根据本发明第一实施例的液晶显示器结构布局图，而图6是如图5所示的沿着线VI-VI′的液晶显示器截面图。
根据本发明第一实施例的液晶显示器包括薄膜晶体管阵列面板100(参照图5及图6)、面对薄膜晶体管阵列面板100的共同电极面板200(参照图5及图6)、以及置于薄膜晶体管阵列面板100和共同电极面板200之间的液晶层(未示出)。
该两个面板之间注入并包括在其中的液晶分子的长轴对于这些显示面板垂直取向的液晶层。
首先，参照图1和图2更详细地说明根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板。
在绝缘基片110上形成传送栅极信号的多条栅极线121。栅极线121主要沿横向延伸，各栅极线121的一部分组成多个栅极124。这时，栅极124包括第一及第二栅极124a、124b。栅极线121的一末端为了与外部电路连接可以扩长宽度，在绝缘基片110的上部直接设计栅极驱动电路的实例中，栅极线的末端部分与栅极驱动电路连接。
而且，在绝缘基片110上形成位于像素区域上部及下部的双重存储电极线131a、131b和第一及第二存储电极134、135。存储电极线131a、131b沿横向延伸，第一及第二存储电极134、135连接双重存储电极线131a、131b，具有沿着像素形态弯曲的形状，第一存储电极134设置在以后形成的数据线171的两侧，其余第二存储电极135设置在相邻的像素的副像素Pa、Pb之间。
栅极线121及存储电极布线131a、131b、134、135包括物理性质不同的两个膜，并可以由单一膜组成。包括两个导电膜时，优选地，一个膜为了减少栅极信号延迟或电压下降由低电阻率金属组成，例如，铝、铝合金等铝系列金属组成，剩余另一个膜由其它材料组成，特别是与氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)物理、化学、电接触特性良好的材料组成，例如，钼(Mo)、钼合金(参照钼-钨合金)、铬(Cr)等。
栅极线121及存储电极布线131a、131b、134、135的侧面成倾斜，其倾斜角对基片110的表面约成30-80°，其上部形成由氮化硅等组成的栅极绝缘层140。
在第一及第二栅极124a、124b的栅极绝缘层上形成由氢化非晶硅(非晶硅简称a-Si)等组成的多个半导体151。半导体层151包括形成薄膜晶体管通道的通道部，通道部包括位于第一栅极124a上部的第一通道部154a和位于第二栅极124b上部的第二通道部154b。这时，半导体151沿着后序形成的数据线171以线性延伸，在数据线171和栅极线121及存储电极线131a、131b交叉的位置具有较宽的宽度，以比它们数据线171、栅极线121、131a、131b交叉的部分较宽的面积扩张。
在半导体层151上形成由硅化物或重掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅等材料制成的欧姆接触部件161。欧姆接触层由位于第一及第二栅极124a、124b上部中央的源极部欧姆接触部件163和以第一及第二栅极124a、124b为中心分别与源极部欧姆接触部件163面对的第一及第二漏极部欧姆接触部件165a、165b组成。
在欧姆接触层163、165a、165b及栅极绝缘层140上形成数据线171和第一及第二漏及175a、175b。数据线171较长长度延伸并与栅极线121交叉，与数据线171连接，具有延伸至源极部欧姆接触部件163上部的源极173。第一及第二漏极175a、175b与源极173分离并对于第一及第二栅极124a、124b位于源极173对面的第一及第二漏极部欧姆接触部件165a、165b上部。数据线171的一末端179为了与外部电路连接扩张了其宽度。
在这里，数据线171以像素长度为周期具有重复弯曲部分和纵向延伸部分。这时，数据线171的弯曲部分由两个直线部分组成，这两个直线部分中一个与栅极线121成45°(degree)，另一部分与栅极线121成-45°。数据线171的纵向延伸部分与源极173连接，该部分与栅极线121交叉。
这时，数据线171的弯曲部分和纵向延伸部分长度比为1∶1至9∶1(即，数据线171中弯曲部分所占比率为从50％至90％)。
因此，栅极线121和数据线171交叉形成的像素具有拐弯的条状，以数据线171为中心分为两个副像素Pa、Pb。第一及第二存储电极134、135分别设置在两个副像素Pa、Pb的边缘，并与数据线171的弯曲部分并排弯曲。
而且，第一及第二漏极175a、175b与第一及第二像素电极191a、192b连接部分以矩形形状扩张，与存储电极131a重叠。这时，第一及第二漏极175a、175b将存储电极131a与栅极绝缘层140夹在中间重叠，从而形成效果较好的存储电容，但为了更充分地确保存储电容，存储电极线131a可以在与第一及第二漏极175a、175b重叠的部分以较宽的宽度扩张，并沿着弯曲像素的形状可以具有并排四边形或菱形等多种形状的边界线。
在数据线171和第一及第二漏极175a、175b及露出的半导体层154上形成由等离子增强化学汽相沉积(PECVD)组成的a-Si:C:O、a-Si:O:F等低电容率绝缘材料，或无机物的氮化硅等组成的钝化层180。
在钝化层180形成露出第一及第二漏极175a、175b的接触孔185a、185b和露出扩张数据线宽度的末端179的接触孔182。而且，钝化层180可以同时具有露出栅极线末端部分(未示出)的接触孔和栅极绝缘层140，在该实施例中，具有类似栅极线或数据线的接触孔。
如图2所示，接触孔185a、185b的侧壁对于基片110面成30-80°的倾角，或者具有阶梯形剖面(profile)。
还有，接触孔185a、185b在平面上具有角或圆形等多种形状，其面积不超过2mm×60μm，优选地，在0.5mm×15μm以上。
在钝化层180上通过接触孔185a、185b分别与第一及第二漏极175a、175b连接，在各自的副像素Pa、Pb中分别形成以沿像素形状将第一及第二像素电极190a、190b的边缘与第一及第二存储电极134、135重叠，第一及第二像素电极190a、190b的边界线的边缘位于第一及第二存储电极134、135上部。第一及第二像素电极190a、190b通过像素连接部192相互连接，像素的中央具有纵向延伸的开口部191a、191b。这时，第一及第二像素电极191a、191b可与数据线交叉的相互不同的导电膜连接。
此外，在钝化层180上形成通过接触孔182分别与数据线末端179连接的数据接触辅助部件82。当然，在栅极线121的末端部分可以追设栅极接触辅助部件。在这里，像素电极190a、190b及接触辅助部件82由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)组成。
现在，参照图3及图4说明共同电极面板。
在玻璃等透明绝缘材料组成的上部基片210的下面形成防止光泄漏的黑阵220，各像素顺次形成红、绿、蓝色滤色器230，在滤色器230上形成氮化硅或有机材料组成的涂层250。在涂层250上形成由ITO或IZO等透明导电材料组成并具有折叠部271a、271b及开口部277的共同电极270。
优选地，折叠部271a、271b作为区域限定件作用，其宽度在9-12μm之间，优选地，若作为区域限定件，替代折叠部271a、271b形成有机物突起部时，其宽度在5-10μm之间。
还有，开口部277设置在对应数据线171弯曲的部分，位于黑阵220的内侧，为了在横向上确保施加在共同电极270上的共同电压传送的路径，使开口部277不延伸到与栅极线121交叉的数据线171上部，而将共同电极进行整体连接。
在这里，黑阵220包括对应数据线171弯曲部分的线性部分和对应数据线171纵向延伸部分及薄膜晶体管部分的三角形部分。
另外，折叠部用区域限定件可能形成在像素电极190a、190b上，突起部也可以设置在像素电极190a、190b的上部。
红、绿、蓝滤色器230根据黑阵220划分的像素的列较长纵向延伸，并根据像素的形状周期性地弯曲。
折叠部271a、271b也可弯曲形成且将副像素左右等分。而且，折叠部271a、271b的两端再弯曲一次，其一端与栅极线121并排。折叠部271a、271b还具有分支272a、272b，该分支272a、272b具有将像素中央左右两分的副像素上下两分的形状。
根据这种本发明实施例的薄膜晶体管阵列面板100和共同电极面板200上的相互面对的面上分别形成取向膜11、12。这时，各个取向膜11、12可能是将液晶分子对面板面垂直取向的垂直取向膜，也可能不是。
结合如上结构的薄膜晶体管阵列面板100和共同电极面板200，其间注入液晶形成液晶层，就形成如图5及图6所示的根据本发明第一实施例的液晶显示器阵列面板。
包含在液晶层的液晶分子在像素电极190a、190b和共同电极270之间未施加电场的状态下其长轴方向对下部基片110和上部基片210垂直，其电容率具有各向异性。
这时，如图5及图6所示，下部基片110和上部基片210其第一及第二像素电极190a、190b与滤色器230正好对应并重叠，共同电极270的开口部277与数据线171正好重叠。这时，第一及第二像素电极190a、190b的边界线位于第一及第二存储电极134、135的上部，优选地，开口部277的边界线位于数据线171与第一存储电极134之间，共同电极270完全覆盖存储电极134、135。
在这种液晶显示器中，像素的液晶分子由折叠部271a、271b的散射场分割取向成多个区域。这时，副像素由突出部240左右两分，以副像素被折部分为中心其上下的液晶取向不同，因此分割为四种类区域。在附图中副像素以一个被折部分为中心上下设置，但被折部分可以至少设置两个以上，对此通过其它实施例说明。
在这种液晶显示装置的结构中，滤色器230设置在共同电极面板200上，但也可设置在薄膜晶体管阵列面板100上，这种情况下可以形成在栅极绝缘层140或钝化层180的下部，对此通过其它实施例具体说明。
液晶显示器是在这种阵列面板两侧设置偏光板、背光源、补偿板等元件组成。这时，偏光板分别设置在阵列面板两侧，其透视轴对栅极线121两个中的一个并排设置而与另一个垂直设置。
用以上结构形成液晶显示器，对液晶施加电场时各区域内液晶向区域长边垂直方向倾斜。但该方向是对数据线171垂直的方向，由于根据数据线171夹在中间邻近的两个像素电极191a、191b之间形成的侧方向电场与液晶倾斜方向相一致，因此侧方向电场可以辅助各区域的液晶取向。
在这种液晶显示器中，对位于数据线171两侧的像素电极上一般使用施加极性相反电压的点反转驱动、列反转驱动、两点反转驱动等反转驱动方法，因此基本上总产生侧方向电场，其方向有助于区域液晶取向。
还有，将偏光板透射轴对栅极线121垂直或并排的方向设置，从而既可以廉价制造偏光板，又因在所有的区域中液晶取向与偏光板透射轴成45°，因此可以得到最高亮度。
还有，根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板中，虽然各副像素电极190a、190b与存储电极134、135重叠，但没有与数据线171重叠，因此在副像素190a、190b与数据线171之间几乎不产生寄生电容，并在制作工序中若出现错误整列，其副像素电极190a、190b以数据线171为中心设置在两侧，形成补偿寄生电容的结构。因此，像素电极接收的像素电压几乎不发生扭曲，在显示图像时可防止形成斑点，因景之间边界部分不产生图像亮度差异，可以防止发生针脚不良现象。
还有，这种根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列面板中，在像素电极190a、190b与第一及第二存储电极134、135重叠的部分形成存储电容，可以充分确保存储电容。
还有，在如上结构的液晶显示器中，对液晶施加电场时，各区域内的液晶分子中靠近薄膜晶体管阵列面板并位于副像素Pa、Pb边缘的液晶分子由第一及第二像素电极190a、190b的边界形成的散射场分割取向。这时，在第一像素电极190a和第二像素电极190b边缘露出一部分第一及第二存储电极134、135，第一及第二存储电极134、135接收施加在共同电极270上的共同电压，第一及第二存储电极134、135起强化第一及第二像素电极190a、190b边界形成的散射场的作用。可稠密设置第一像素电极190a与第二像素电极190b的间隔，通过其可以将像素的纵横比最大化。
还有，如这种本发明实施例的结构，在与数据线171重叠的共同电极270中设置开口部，可以将传送到数据线的数据信号延迟最小化，使显示器的特性得到提高。还有，减少数据线171与共同电极270间耦合静电容量，可以最小化数据线171周边发生的光泄漏现象。
以下简要说明这种结构液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板制造方法。
首先，将Cr或Mo合金等组成的金属层或电阻较小的Al或Ag合金等组成的金属层用溅射法连续沉积，利用掩膜的第一光学蚀刻工序干或湿蚀刻，形成栅极线121和存储电极布线131a、131b、134、135。
然后，将栅极绝缘层140、氢化非晶硅层及磷P等重掺杂n型杂质非晶硅层，利用化学汽相沉积法连续沉积分别1,500-5,000、500-2,000、300-600的厚度，利用掩膜的第二光学蚀刻工序对掺杂的非晶硅层和非晶硅层制作布线图案，形成连接通道部的欧姆接触层和非晶硅半导体层154。
接着，用溅射等方法将Cr或Mo合金组成的导电层或电阻小的Al或Ag合金等组成的导电层沉积，利用掩膜的第三光学蚀刻工序制作布线图案，形成数据线171和第一及第二漏极175a、175b。
接着，由数据线171及第一及第二漏极175a、175b蚀刻未遮挡的欧姆接触层，形成在源极173与第一及第二漏极175a、175b之间露出半导体层151并向两侧分离的欧姆接触层161、165a、165b。
接着，形成钝化层180，利用掩膜的第四光学蚀刻工序将钝化层180与栅极绝缘层140一起制作布线图案，形成接触孔185a、185b、182。
如图1及图2所示，将ITO或IZO以400-500的厚度沉积，利用掩膜的第五光学蚀刻工序制作布线图案，形成第一及第二像素电极191a、191b、192和接触辅助部件82。
如上所述，参照附图，通过第二实施例具体说明像素至少两次弯曲的结构。
图7是根据本发明第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图，图8是如图7所示的沿着线VIII-VIII′的薄膜晶体管阵列面板截面图，图9是根据本发明第二实施例的用于液晶显示器的共同电极面板结构布局图，而图10是如图9所示的沿着线X-X′的共同电极面板截面图。
如图7和图8所示，根据本实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的层状结构基本上与图1及图2所示的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板层状结构相同。即，在基片110上形成包括多个第一及第二栅极124a、124b的多个栅极线121，在其上依次形成栅极绝缘层140、包括多个突出部154a、154b的多个条状半导体151、分别包括多个突出部163的多个条状欧姆接触部件161及多个岛状欧姆接触部件165a、165b。在欧姆接触部件161、165a、165b及栅极绝缘层140上形成包括多个源极173的多个数据线171、多个第一及第二漏极175a、175b，在其上形成钝化层180。形成钝化层180和/或多个接触孔182、185a、185b，在钝化层180上形成多个第一及第二像素电极190a、190b和多个接触辅助部件82。
然而，与图1和图2所示的薄膜晶体管不同的是，在根据本实施例的薄膜晶体管阵列面板上数据线171具有两次弯曲的形状，第一及第二存储电极134、135及第一及第二像素电极190a、190b也具有将像素形状弯曲两次的形状。
另外，半导体151除去薄膜晶体管所在的突出部154a、154b，基本上与数据线171、漏极175及其下部的欧姆接触部件161、165a、165b具有同样的平面形态。
当然，如图9及图10所示，根据本实施例的液晶显示器共同电极面板的层状结构大致与图3及图4所示的液晶显示器共同电极面板的层状结构相同。即，在基片110上依次形成黑阵220、滤色器230、及共同电极270。
然而，与图3及图4所示的共同电极面板不同的是，在根据本实施例的共同电极面板上，黑阵220、滤色器230、共同电极270的折叠部271a、271b及开口部277具有沿像素形状两次弯曲的形态。
具有以上结构的薄膜晶体管阵列面板100和共同电极面板200结合，在其间注入液晶形成液晶层，组成根据本发明第二实施例的液晶显示器阵列面板。
另外，虽然根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板用五枚掩膜的光学蚀刻工序完成，但根据本发明第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板是用四枚利用掩膜的光学蚀刻工序完成。在这种制造方法中，数据线171及漏极175a、175b和半导体层151利用感光层图案的光学蚀刻工序形成，这种感光层图案对应薄膜晶体管通道部部分具有比对应于其它数据线及漏极部分薄的厚度。这时，感光层是为了制作半导体151布线图案的蚀刻掩膜，厚的部分使用于制作数据线及漏极布线图案的蚀刻掩膜。
另外，参照附图具体说明在本发明实施例中像素电极位于数据线一侧，在薄膜晶体管阵列面板上形成红、绿、蓝的滤色器的情况。
图11是根据本发明第三实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图，图12是根据本发明第三实施例的用于液晶显示器的共同电极面板结构布局图，图13是包括沿着线XIII-XIII′的图11所示的薄膜晶体管阵列面板及图12所示的共同电极面板的液晶显示器截面图，而图14是图11所示的沿着线XIV-XIV′的液晶显示器截面图。
首先，参照图11、图13及图14更详细地说明根据本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列面板。
优选地，在绝缘基片110上形成具有突起形状栅极124的栅极线121，栅极线121的一末端129为了与外部电路连接其宽度呈扩张状。另外，当栅极驱动电路直接在基片上部形成时，通过栅极线121末端部分栅极驱动电路输出端连接。
在绝缘基片110上形成存储电极线131和存储电极133。存储电极133具有菱形或矩形形状，对于存储电极线131成45度倾斜。这是沿着通过栅极线121及数据线171限定的像素形状设计的。
栅极线121及存储电极布线131、133由物理化学特性良好的Cr或Mo合金组成的第一层211、241、291、311、331和具有低电阻率的Al或Ag或其合金等组成的第二层212、242、292、312、332的双重层形成。这些栅极线121及存储电极布线131、133根据需要形成为单一层或三重层以上。
在覆盖栅极线121及存储电极布线131、133的栅极绝缘层140上形成由非晶硅等半导体组成的半导体层151及硅化物或重掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅等材料制成的欧姆接触层161、165。
在欧姆接触层161、165及栅极绝缘层140上形成数据线171及漏极175。数据线171与栅极线121交叉限定像素，数据线171具有分支的延伸到接触层163上部的源极173。漏极175与源极173分离，对于栅极124位于源极173对面的欧姆接触层165上部。优选地，数据线171的一末端179为了与外部电路连接扩张宽度。
在这里，如同第一及第二实施例，数据线171形成以像素长度为周期出现反复弯曲的部分和纵向延伸的部分。数据线171的纵向延伸的部分与源极173连接，该部分与栅极线121及存储电极线131交叉。存储电极布线131、133在两个弯取部分之间设置，可以穿过像素中央。
而且，与像素电极190连接的漏极175部分扩张成较宽的矩形，与存储电极133重叠。
在数据线171及漏极175上形成由氮化硅等无机绝缘材料组成的第一钝化层801，在第一钝化层801上的像素依次形成红、绿及蓝的滤色器230R、230G、230B。滤色器230R、230G、230B分别沿着由数据线171划分的像素列纵向较长延伸，并根据像素形状周期性弯曲。而且，滤色器230R、230G、230B的相邻滤色器230R、230G、230B在数据线171上相互部分重叠，在数据线171上形成斜坡。
在滤色器230R、230G、230B上形成由感光性有机材料组成的第二钝化层802。第二钝化层802也跨越由滤色器230R、230G、230B重叠呈斜坡的同时形成斜坡(hill)。像这样，有机层斜坡调整取向层的倾斜面，起到一种区域限定件作用，强化各区域中的液晶方向控制力。
另外，滤色器230R、230G、230B在栅极175上被除去，所以露出栅极175的接触孔185b只贯通第一及第二钝化层801、802。而且，在不形成像素的栅极线末端129和数据线末端179也不形成滤色器230R、230G、230B。
第二钝化层也可以由氮化硅或氧化硅等无机绝缘材料组成。
在第二钝化层802上以沿着像素形状拐弯的条状形成通过接触孔185b与漏极175连接的像素电极190。
在钝化层180上形成分别通过接触孔181b、182b与栅极线末端129和数据线末端179连接的接触辅助部件81、82。在这里，像素电极190及接触辅助部件81、82由ITO或IZO组成。
这种结构的液晶显示器除了第一实施例的优点之外，因为滤色器230R、230G、230B在薄膜晶体管基片上形成，所以具有可以扩大整列利润而且在共同电极面板200中可以省略涂层等优点。
在本发明第三实施例中，可以省略第二钝化层802，但只在使用几乎不释放出色素等异物的滤色器230R、230G、230B时可省略。
而且，本发明其它实施例的第三实施例中，可以省略第一钝化层801。
综上所述，若弯曲数据线形成拐弯状像素，相邻的像素之间的侧方向电场向辅助形成区域的方向起作用，使区域稳定地形成，将像素分为两个副像素，以数据线为中心两侧设置副像素，从而制造工序中即使发生掩膜的转移、旋转、扭曲等失真，也可以使数据线和像素电极之间的寄生电容偏差变得最小，可以防止画面亮度差异的发生。而且，除去数据线上部共同电极，以在数据线上部形成开口部，减少通过布线传送的信号负载，缩小布线的液晶电容变化量，减少由侧面交叉突出的光泄漏，可以增大纵横比。若减小布线负载，可以克服用作数据线的导电材料的选择及分辨率方面的局限。而且，若减少布线的液晶电容变化量，改善充电率低时最先出现的从纵向的交叉突出问题，所以可以改善充电率的局限。根据其它侧面交叉突出的光泄漏减少和纵横比的增大，可以得到优秀画质的液晶显示器。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种液晶显示器，包括：
第一绝缘基片；
第一信号线，在所述第一绝缘基片上形成且沿第一方向延伸；
第二信号线，在所述第一绝缘基片上形成、与所述第一信号线绝缘交叉、且具有弯曲部分和沿第二方向延伸的部分；
像素电极，在所述第一信号线和所述第二信号线交叉限定的各像素上形成；
薄膜晶体管，与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述像素电极连接；
第二绝缘基片，面对所述第一绝缘基片；以及
共同电极，在所述第二绝缘基片上形成并在对应于所述第二信号线的部分具有开口部，
其中所述第二信号线弯曲部分和沿所述第二方向延伸的部分以所述像素长度为单位反复出现。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，还包括与所述像素电极重叠形成存储电容，在所述像素边缘设置并邻接所述第一信号线并排延伸的第三信号线。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其特征在于，所述第三信号线具有与所述第二信号线邻接并与所述弯曲部分并排的存储电极。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于，所述像素至少分为两部分的副像素。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其特征在于，所述副像素分为位于所述第二信号线两侧，所述像素电极包括折叠并且分别位于所述副像素的第一及第二像素电极，所述薄膜晶体管包括分别与所述第一及第二像素电极连接的第一及第二薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，所述第三信号线的所述存储电极分别在所述第二信号线两侧设置，并与所述第一及第二像素电极边缘重叠。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其特征在于，所述存储电极与所述第一及第二像素电极重叠，所述第一及第二像素电极边界位于所述存储电极上部。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，所述开口部边界线位于所述数据线边界线和所述存储电极边界线之间。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一像素电极和所述第二像素电极彼此连接，其连接部与所述第二信号线弯曲部分交叉。
10.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述第二信号线弯曲部分包括两个以上直线部分，基本上所述两个以上直线部分对于所述第一信号线交替形成±45度。
11.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，与所述像素电极连接的所述薄膜晶体管一端子延长到所述第三信号线上。
12.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，还包括具有沿着所述像素形状弯曲的部分，并且由形成在所述共同电极上部的突出部或所述像素电极或形成在所述共同电极的折叠部组成的区域分割件。
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