JPH06118447A - 液晶パネル - Google Patents

液晶パネル

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JPH06118447A
JPH06118447A JP29203292A JP29203292A JPH06118447A JP H06118447 A JPH06118447 A JP H06118447A JP 29203292 A JP29203292 A JP 29203292A JP 29203292 A JP29203292 A JP 29203292A JP H06118447 A JPH06118447 A JP H06118447A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal panel
signal line
substrate
common electrode
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Application number
JP29203292A
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English (en)
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Akihiro Sato
明洋 佐藤
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Sony Corp
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Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 画素サイズが微細化されたとしても、クロス
トーク現象を有効に防止し、高性能な表示特性を有する
液晶パネルを提供すること。 【構成】 信号線S1 ,S2 …Sn とゲート線G1 ,G
2 …Gn とが行列状に配列され、各交点に画素電極
11,D12…Dnnおよびこの画素電極を駆動する画素ト
ランジスタTFT6を有する一方のTFT基板14と、
共通電極32を有し前記TFT基板に対向配置された他
方の対向基板16と、両方の基板14,16に封止され
た液晶8とを備えた液晶パネル30であって、共通電極
32に、信号線に対応するように信号線方向に沿ったス
リット34が形成してある。液晶パネルは、カラー液晶
パネルであってもよく、その場合には、画素電極の配列
は、デルタ配列が好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶パネルに係り、さ
らに詳しくは、共通電極を信号線方向に沿って細分化す
ることによりクロストーク現象を減少させた液晶パネル
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的なアクティブマトリックス型の液
晶パネルの電気的等価回路を図8に示し、液晶パネルの
要部概略断面を図9に示す。図8に示すように、信号線
1 ,S2 …Sn とゲート線G1 ,G2 …Gn が行列状
に配列され、各交点に薄膜トランジスタ(TFT)6が
形成してある。各TFT6は、液晶8を駆動するための
画素電極D11,D12…Dnn(図9参照)と補助キャパシ
タ10の一方の電極とに接続してある。図8に示す液晶
8および補助キャパシタ10の他方の電極は、図9に示
す共通電極12となっている。共通電極12には、共通
電位Vcomが印加するようになっている。
【0003】図9に示すように、信号線S1 ,S2 …S
n とゲート線G1 ,G2 …Gn とTFT6と画素電極9
とは、一方のTFT基板14上に形成してあり、共通電
極12は、他方の対向基板16の液晶側表面に、ブラッ
クマトリックス18およびカラーフィルター20を介し
て形成してある。一方のTFT基板14と、他方の対向
基板16との間には、配向膜22,24を介して液晶8
が封止してある。
【0004】このような液晶パネルでは、ゲート線
1 ,G2 …Gn を走査することにより、TFT6を順
次駆動し、信号線S1 ,S2 …Sn から映像信号を送
り、各画素電極D1 ,D2 …Dnnと共通電極12との間
に電界を生じさせたり、生じさせなかったりすることに
より、各画素電極D11,D12…Dnnと共通電極12との
間に位置する液晶8の分子配列方向を変化させ、光の透
過を各画素毎に制御し、各種映像を表示する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の液晶パネルでは、画素電極D11,D12…Dnnのサ
イズが小さくなるにつれて、たとえば図9に示すよう
に、信号線S1 ,S2 …Sn と共通電極12との間の電
界により、液晶8の分子配列方向が影響を受け、その影
響が、画素電極D11,D12…Dnnと共通電極24との間
に位置する有効画素部での液晶8の分子配列方向にまで
及び、一種のクロストーク現象を生じさせるおそれがあ
った。たとえば、図9に示すように、ノーマルホワイト
モードで電界が液晶の分子配向を変化させるしきい値電
圧以下の有効画素部26においては、本来であれば、白
を表示すべきところであるが、信号線S2 ,S3 に印加
される電位(Vsig ・ c ±Vsig ・ AC )の影響によ
り、有効画素部26の液晶8の分子配列方向が変化し、
灰あるいは黒を表示し、一種のクロストーク現象を生じ
させる。
【0006】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、画素サイズが微細化されたとしても、クロストーク
現象を有効に防止し、高性能な表示特性を有する液晶パ
ネルを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、信号線とゲート線とが行列状に配列さ
れ、各交点に画素電極およびこの画素電極を駆動する画
素トランジスタを有する一方の基板と、共通電極を有し
前記一方の基板に対向配置された他方の基板と、両方の
基板に封止された液晶とを備えた液晶パネルであって、
前記共通電極に、前記信号線に対応するように信号線方
向に沿ったスリットが形成してあることを特徴とする。
【0008】前記液晶パネルは、カラー液晶パネルであ
っても良く、その場合には、画素電極を、ゲート線方向
に沿って平行に、かつ信号線方向に沿って1/2ピッチ
ずれて隣接するように、三原色を一周期として周期的に
配列し、前記信号線を、同色の画素電極に対して接続す
るように画素電極間を蛇行して配置する、いわゆるデル
タ配列を採用しても良い。デルタ配列のカラー液晶パネ
ルでは、共通電極には、信号線に対応するように信号線
方向に沿って蛇行したスリットを形成することが好まし
い。カラー液晶パネルの場合には、他方の基板の液晶側
表面に、三原色のカラーフィルターを配し、各々のカラ
ーフィルター上に共通電極を整合させて設ける。
【0009】
【作用】本発明では、共通電極に、信号線に対応するよ
うに信号線方向に沿ったスリットが形成してあるので、
信号線の上部に位置する液晶に対して電界が作用しなく
なる。その結果、信号線による電界により、有効画素部
の液晶が誤動作することはなくなり、クロストーク現象
が軽減される。なお、ゲート線による電界も考えられる
が、ゲート線は信号線よりも下層側に形成されると共
に、ゲート電極に作用する電圧はパルス的なので、信号
線による影響よりも少なく、無視できる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る液晶パネルに
ついて、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は本発
明の一実施例に係る液晶パネルの要部概略断面図、図2
はTFT基板の一例を示す平面図、図3はTFT基板の
一例を示す斜視図、図4は本発明の一実施例に係る対向
基板の平面図、図5は信号線からの映像信号とゲート線
のパルス信号の一例を示すグラフ、図6は本発明の他の
実施例で用いる画素電極の配置例を示す平面図、図7は
同実施例で用いる共通電極のパターンを示す平面図であ
る。
【0011】図1に示す本実施例の液晶パネル30は、
基本的には、図8に示す等価回路を有するアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶パネルであり、一方のTFT基
板14と、他方の対向基板16とを有する。これら基板
は、石英ガラスなどの透明基板で構成される。
【0012】TFT基板14の液晶側表面には、図2,
3に示すように、ゲート線G1 ,G2 …Gn が行方向に
所定間隔で形成してあると共に、信号線S1 ,S2 …S
n が列方向に所定間隔で形成してある。そして、ゲート
線G1 ,G2 …Gn と信号線S1 ,S2 …Sn との各交
点位置に、スイッチング素子としてのTFT6が形成し
てある。TFT6には、それぞれ画素電極D11,D12
nnが接続してある。また、図3に示すように、画素電
極D11,D12…Dnnに並列して補助キャパシタ10が各
画素電極D11,D12…Dnn毎に形成してある。画素電極
11,D12…Dnnは、たとえばITO膜などの透明導電
成膜で構成される。なお、本発明では、補助キャパシタ
10は必ずしも設ける必要はない。
【0013】このようなゲート線G1 ,G2 …Gn 、信
号線S1 ,S2 …Sn 、TFT6、補助キャパシタ10
および画素電極D11,D12…Dnnが設けられたTFT基
板14の液晶側表面には、図1に示すように、配向膜2
2が積層される。配向膜22としては、特に限定されな
いが、たとえばポリイミド樹脂膜などが用いられる。
【0014】一方、対向基板16は、TFT基板14に
対して所定の隙間で対向して設けられ、その隙間に液晶
8が封止されるようになっている。この対向基板16の
液晶側表面には、カラーフィルター20が、前記画素電
極D11,D12…Dnnに対応して積層してあると共に、カ
ラーフィルター間にブラックマトリックス18が積層し
てある。カラーフィルター20およびブラックストライ
プ18の液晶側表面には、共通電極32および配向膜2
4が積層してある。共通電極32は、ITO膜などの透
明導電膜が用いられる。配向膜24は、配向膜22と同
様に、たとえばポリイミド樹脂膜などで構成される。
【0015】本実施例では、対向基板16におけるカラ
ーフィルター20およびブラックストライプ18の液晶
側表面に積層される共通電極32に対し、図4に示すよ
うなスリット34を形成している。このスリット34
は、TFT基板14側の信号線S1 ,S2 …Sn に対応
するように、信号線方向に沿って形成してあり、各スリ
ット34の幅は、ブラックストライプ18の幅と同様な
幅とする。これらスリット34により、共通電極32
は、信号線方向に沿って複数の電極に分割され、分割さ
れた電極は、カラーフィルター20に沿って整合的に配
列される。ただし、共通電極32は、すべて同電位Vco
m とする必要があるので、液晶パネルの非有効画素部で
ある周辺部分において、分割された共通電極32は、相
互に接続される。このようなスリット34を有する共通
電極32は、エッチングなどの手段を用いて容易に作成
することができる。
【0016】このような液晶パネル30では、ゲート線
1 ,G2 …Gn を順次走査することにより、TFT6
を順次駆動し、信号線S1 ,S2 …Sn から映像信号を
送り、各画素電極D11,D12…Dnnと共通電極12との
間に電界を生じさせたり、生じさせなかったりすること
により、各画素電極D11,D12…Dnnと共通電極12と
の間に位置する液晶8の分子配列方向を変化させ、光の
透過を各画素毎に制御し、各種映像を表示する。
【0017】本実施例では、図1に示すように、信号線
1 ,S2 …Sn に対応する部分の共通電極32には、
スリット34が形成してあることから、信号線S1 ,S
2 …Sn 上の液晶には不要な電界が印加されない。した
がって、図5に示すように、1フィールドまたは1H期
間の間に、信号線S1 ,S2 …Sn の電位Vsig が大き
く変化したとしても、信号線上部の液晶の分子配列方向
は変化し難い。その結果、たとえば図1に示すように、
一方の画素電極D11上の液晶の分子配列方向が垂直であ
り、他方の画素電極D12上の液晶の分子配列方向が平行
であっても、信号線S2 の上部の液晶は、垂直から水平
に橋渡しをするように除々に変化し、隣接する画素電極
上の液晶の分子配列方向に悪影響を与えない。
【0018】なお、図5中、Vsig ・ c は、信号線
1 ,S2 …Sn に印加される信号電位Vsig の中心電
位である。また、Vg は、ゲート線G1 ,G2 …Gn
印加されるパルス状電位であり、パルス状電位であるこ
とから、ゲート線G1 ,G2 …Gn により液晶に印加さ
れる電界の影響は小さいと考えられる。信号線S1 ,S
2…Sn に対して1フィールド毎に電界を反転(フィー
ルド駆動)、あるいは1Hごとに電界を反転させる(ラ
イン反転駆動)のは、液晶の劣化を防止するためであ
る。本発明では、1H毎に電界を反転させるライン駆動
の場合に特に有効である。信号線S1 ,S2 …Sn によ
る液晶への電界の発生を有効に防止するからである。
【0019】次に、図6,7に基づき、本発明の他の実
施例について説明する。この実施例では、図6に示すよ
うに、三原色の内の赤色に相当する画素電極RD11,R
12…RDnnと、緑色に相当する画素電極GD11,GD
12…GDnnと、青色に相当する画素電極BD11,BD12
…BDnnとを、ゲート線方向に沿って平行に、かつ信号
線方向に沿って1/2ピッチずれて隣接するように、三
原色を一周期として周期的に配列してある。このような
配置構造をデルタ配置という。信号線S1 ' ,S2 ’…
n ’は、同色の画素電極に対して接続するように画素
電極間を蛇行して配列してある。デルタ配列では、少な
い画素数でカラーが質を向上させることができる。デル
タ配列では、画素電極に対応して、カラーフィルターも
デルタ配列となる。
【0020】本実施例では、図7に示すように、対向基
板に形成される共通電極32aには、信号線S1 ’,S
2 ’…Sn ’に対応するように、信号線方向S1 ’,S
2 ’…Sn ’に沿って蛇行したスリット34aを形成し
てある。その他の構成は、前述した実施例と同様であ
る。この実施例でも、前述した実施例と同様な作用効果
を奏する。
【0021】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。たとえば、カラー液晶パネル用画素電極の
配列は、デルタ方式に限定されず、モザイク方式、スト
ライプ方式など種々に改変することが可能である。ま
た、上述した実施例では、カラー液晶パネルに対して本
発明を適用したが、本発明はこれに限定されず、カラー
フィルターを有さない白黒液晶パネルに対して本発明を
適用することも可能である。
【0022】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、共通電極に、信号線に対応するように信号線方向に
沿ったスリットが形成してあるので、信号線の上部に位
置する液晶に対して電界が作用しなくなる。その結果、
信号線による電界により、有効画素部の液晶が誤動作す
ることはなくなり、クロストーク現象が軽減される。し
たがって、本発明では、画素サイズが微細化したとして
も、クロストーク現象を抑制し、表示特性を向上させる
ことができる。
【0023】本発明は、画素配列がデルタ配列であるカ
ラー液晶パネルに対して、特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る液晶パネルの要部概略
断面図である。
【図2】TFT基板の一例を示す平面図である。
【図3】TFT基板の一例を示す斜視図である。
【図4】本発明の一実施例に係る対向基板の平面図であ
る。
【図5】信号線からの映像信号とゲート線のパルス信号
の一例を示すグラフである。
【図6】本発明の他の実施例で用いる画素電極の配置例
を示す平面図である。
【図7】同実施例で用いる共通電極のパターンを示す平
面図である。
【図8】一般的なアクティブマトリクス方式の液晶パネ
ルの等価電気回路図である。
【図9】従来例に係る液晶パネルの要部概略断面図であ
る。
【符号の説明】
6 薄膜トランジスタ(TFT) 8 液晶 14 TFT基板 16 対向基板 20 カラーフィルター 22,24 配向膜 30 液晶パネル 32,32a 共通電極 34,34a スリット S1 ,S2 …Sn 信号線 S1 ’,S2 ’…Sn ’信号線 G1 ,G2 …Gn ゲート線 D11,D12…Dnn 画素電極 RD11,RD12…RDnn 赤色画素電極 GD11,GD12…GDnn 緑色画素電極 BD11,BD12…BDnn 青色画素電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 信号線とゲート線が行列状に配列され、
    各交点に画素電極およびこの画素電極を駆動する画素ト
    ランジスタを有する一方の基板と、共通電極を有し前記
    一方の基板に対向配置された他方の基板と、両方の基板
    に封止された液晶とを備えた液晶パネルであって、 前記共通電極に、前記信号線に対応するように信号線方
    向に沿ったスリットが形成してあることを特徴とする液
    晶パネル。
  2. 【請求項2】 信号線とゲート線との交差部に配置され
    たスイッチング素子によって駆動される画素電極を備え
    た一方の基板と、共通電極を有し前記一方の基板に対向
    配置された他方の基板と、両方の基板に封止された液晶
    とを有するカラー液晶パネルであって、 前記画素電極が、ゲート線方向に沿って平行に、かつ信
    号線方向に沿って1/2ピッチずれて隣接するように、
    三原色を一周期として周期的に配列してあり、前記信号
    線が、同色の画素電極に対して接続するように画素電極
    間を蛇行して配置してあり、前記共通電極に、前記信号
    線に対応するように信号線方向に沿って蛇行したスリッ
    トが形成してあることを特徴とするカラー液晶パネル。
  3. 【請求項3】 前記他方の基板の液晶側表面に、三原色
    のカラーフィルターを配し、各々のカラーフィルター上
    に共通電極を整合させて設けたことを特徴とする請求項
    2に記載のカラー液晶パネル。
JP29203292A 1992-10-06 1992-10-06 液晶パネル Pending JPH06118447A (ja)

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