JPH10239710A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH10239710A JPH10239710A JP9328084A JP32808497A JPH10239710A JP H10239710 A JPH10239710 A JP H10239710A JP 9328084 A JP9328084 A JP 9328084A JP 32808497 A JP32808497 A JP 32808497A JP H10239710 A JPH10239710 A JP H10239710A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力消耗を最小化し、画質を改善させた液
晶表示装置を提供する。 【解決手段】 従来一体であった共通電圧を、一体型で
なくし、互いに独立的に構成して、隣接する列ごとに互
いに異なるレベルの共通電圧を印加するようにしたこと
を特徴とするものである。
晶表示装置を提供する。 【解決手段】 従来一体であった共通電圧を、一体型で
なくし、互いに独立的に構成して、隣接する列ごとに互
いに異なるレベルの共通電圧を印加するようにしたこと
を特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に共通電極電圧を隣接する列ごとに異なる電圧を
印加して、低電圧のドット・インバージョン動作を可能
にした液晶表示装置に関するものである。
り、特に共通電極電圧を隣接する列ごとに異なる電圧を
印加して、低電圧のドット・インバージョン動作を可能
にした液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置は、上下２枚のガ
ラス基板を対向させ、その間に液晶を封入させたであ
る。下板にはマトリックス上に配置されたデータライン
とゲートラインを配置し、それぞれの交差箇所に薄膜ト
ランジスタと画素電極が配置されている一方、上板には
共通電極とＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィ
ルタ層が配置される。そして、上板と下板との間に液晶
を注入し、透過型の液晶表示装置とする。背面から白色
光を照射する。以下さらに詳細に説明する。
ラス基板を対向させ、その間に液晶を封入させたであ
る。下板にはマトリックス上に配置されたデータライン
とゲートラインを配置し、それぞれの交差箇所に薄膜ト
ランジスタと画素電極が配置されている一方、上板には
共通電極とＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィ
ルタ層が配置される。そして、上板と下板との間に液晶
を注入し、透過型の液晶表示装置とする。背面から白色
光を照射する。以下さらに詳細に説明する。
【０００３】ガラス又は石英などの透明基板に一定の間
隙で直線状に複数本のゲートラインを形成し、そのゲー
トラインに直角の方向に複数本のデータラインを同様に
一定の間隙で形成する。ゲートラインとデータラインと
で区画された各画素領域には画素電極が形成される。ゲ
ートラインをゲート電極とし、データラインをソース電
極としてゲートラインの信号に基づいてデータラインの
信号を画素電極に印加する薄膜トランジスタが各画素領
域ごとに形成される。図１に示すように、下板１には、
ゲート電極Ｇとソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを備え
た薄膜トランジスタ２が各画素領域ごとに形成される。
各画素領域でそれぞれの薄膜トランジスタ２のドレイン
電極Ｄが画素電極２ａに連結されている。
隙で直線状に複数本のゲートラインを形成し、そのゲー
トラインに直角の方向に複数本のデータラインを同様に
一定の間隙で形成する。ゲートラインとデータラインと
で区画された各画素領域には画素電極が形成される。ゲ
ートラインをゲート電極とし、データラインをソース電
極としてゲートラインの信号に基づいてデータラインの
信号を画素電極に印加する薄膜トランジスタが各画素領
域ごとに形成される。図１に示すように、下板１には、
ゲート電極Ｇとソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを備え
た薄膜トランジスタ２が各画素領域ごとに形成される。
各画素領域でそれぞれの薄膜トランジスタ２のドレイン
電極Ｄが画素電極２ａに連結されている。
【０００４】一方、上板３には、下板１に形成された画
素電極２ａ以外の部分での光の透過を遮断するためにブ
ラックマトリックス層４が網状に形成され、各ブラック
マトリックス層４間に画素ごとに色相を表現するための
Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルタ層５が形成されている。この
カラーフィルタ層５及びブラックマトリックス層４にわ
たって共通電極６が形成される。
素電極２ａ以外の部分での光の透過を遮断するためにブ
ラックマトリックス層４が網状に形成され、各ブラック
マトリックス層４間に画素ごとに色相を表現するための
Ｒ、Ｇ、Ｂカラーフィルタ層５が形成されている。この
カラーフィルタ層５及びブラックマトリックス層４にわ
たって共通電極６が形成される。
【０００５】以下、従来の液晶表示装置を添付図面に基
づき説明する。図２は、従来の液晶表示装置の薄膜トラ
ンジスタを使用した液晶パネルの等価回路図である。図
２に示すように、従来の液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタのゲート電極Ｇは液晶パネルの外部に配置されたゲ
ートドライバ１１とゲートラインを介して連結されてお
り、ソース電極Ｓはゲート電極Ｇと同じく外部に配置さ
れたソースドライバ１２にデータラインを介して連結さ
れている。また、各薄膜トランジスタ２のドレイン電極
Ｄには液晶キャパシタＣLCが連結されている。そして、
図１にも示すように、共通電圧Ｖｃｏｍを印加するため
の透明電極（ＩＴＯ）が各薄膜トランジスタ２のドレイ
ン電極Ｄに液晶キャパシタＣLCを介して共通連結されて
いる。
づき説明する。図２は、従来の液晶表示装置の薄膜トラ
ンジスタを使用した液晶パネルの等価回路図である。図
２に示すように、従来の液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタのゲート電極Ｇは液晶パネルの外部に配置されたゲ
ートドライバ１１とゲートラインを介して連結されてお
り、ソース電極Ｓはゲート電極Ｇと同じく外部に配置さ
れたソースドライバ１２にデータラインを介して連結さ
れている。また、各薄膜トランジスタ２のドレイン電極
Ｄには液晶キャパシタＣLCが連結されている。そして、
図１にも示すように、共通電圧Ｖｃｏｍを印加するため
の透明電極（ＩＴＯ）が各薄膜トランジスタ２のドレイ
ン電極Ｄに液晶キャパシタＣLCを介して共通連結されて
いる。
【０００６】このように構成された液晶パネルにおい
て、ソースドライバ１２が画像データをローディングし
た後、マトリックス状に配置された薄膜トランジスタ２
の１列に並べられた薄膜トランジスタ２をターンオンさ
せる電圧をゲート電極に加えるためにゲートドライバ１
１からそれぞれの対応するＲ、Ｇ、Ｂへの信号が各ゲー
トラインに印加されると、各Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するデー
タがそれぞれの薄膜トランジスタ２の液晶キャパシタＣ
LCに蓄積される。従って、液晶キャパシタに蓄積された
電圧レベルに基づいて液晶が移動して、背面照明からの
光によってフィルタを通して色相が現れる。
て、ソースドライバ１２が画像データをローディングし
た後、マトリックス状に配置された薄膜トランジスタ２
の１列に並べられた薄膜トランジスタ２をターンオンさ
せる電圧をゲート電極に加えるためにゲートドライバ１
１からそれぞれの対応するＲ、Ｇ、Ｂへの信号が各ゲー
トラインに印加されると、各Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するデー
タがそれぞれの薄膜トランジスタ２の液晶キャパシタＣ
LCに蓄積される。従って、液晶キャパシタに蓄積された
電圧レベルに基づいて液晶が移動して、背面照明からの
光によってフィルタを通して色相が現れる。
【０００７】このような従来の液晶表示装置の駆動方法
を詳細に説明する。一般に、液晶表示装置においてデー
タ・インバージョンの種類は、データ信号をフィールド
に応じて（＋）信号と（−）信号とを交互に印加するフ
ィールド・インバージョンと、データ信号をゲートライ
ンに応じて（＋）信号と（−）信号とを交互に印加する
ライン・インバージョンと、データ信号をデータライン
に応じて（＋）信号と（−）信号とを交互に印加するカ
ラム・インバージョンと、そしてライン・インバージョ
ンとカラム・インバージョンを併合した駆動方法とし
て、水平・垂直方向で隣接する画素の極性が反対になる
ドット・インバージョンとがある。
を詳細に説明する。一般に、液晶表示装置においてデー
タ・インバージョンの種類は、データ信号をフィールド
に応じて（＋）信号と（−）信号とを交互に印加するフ
ィールド・インバージョンと、データ信号をゲートライ
ンに応じて（＋）信号と（−）信号とを交互に印加する
ライン・インバージョンと、データ信号をデータライン
に応じて（＋）信号と（−）信号とを交互に印加するカ
ラム・インバージョンと、そしてライン・インバージョ
ンとカラム・インバージョンを併合した駆動方法とし
て、水平・垂直方向で隣接する画素の極性が反対になる
ドット・インバージョンとがある。
【０００８】図３ａ、図３ｂは、従来のドット・インバ
ージョンに基づく、（＋）信号及び（−）信号が印加さ
れた場合の画面形態を示す図である。図３ａ、図３ｂに
おいて、（＋）信号は、ソースドライバＩＣからＶｃｏ
ｍより高い画像データ電圧がＬＣＤパネルに伝達されて
ＣLCに蓄積された状態を示すもので、全画素領域の水平
及び垂直方向に互いに隣接する画素間の極性が互いに逆
になることが分かり、（−）信号は、Ｖｃｏｍより低い
画像データ電圧がＣLCに蓄積された状態を示すもので、
隣接する画素間の極性が互いに逆となることが分かる。
ージョンに基づく、（＋）信号及び（−）信号が印加さ
れた場合の画面形態を示す図である。図３ａ、図３ｂに
おいて、（＋）信号は、ソースドライバＩＣからＶｃｏ
ｍより高い画像データ電圧がＬＣＤパネルに伝達されて
ＣLCに蓄積された状態を示すもので、全画素領域の水平
及び垂直方向に互いに隣接する画素間の極性が互いに逆
になることが分かり、（−）信号は、Ｖｃｏｍより低い
画像データ電圧がＣLCに蓄積された状態を示すもので、
隣接する画素間の極性が互いに逆となることが分かる。
【０００９】このようなドット・インバージョンによる
駆動方法に応ずる共通電圧（又は、画素電圧）の波形
は、次の通りである。図４ａ〜図４ｄは、従来の液晶表
示装置のドット・インバージョンによる共通電圧に対す
る画像データがＣLCに蓄積された状態を示す。まず、図
４ａは奇数フレームの第１の行を駆動するときの共通電
圧に対する画像データがＣLCに蓄積された状態を示し、
図４ｂは奇数フレームの第２の行を駆動するときの共通
電圧に対する画像データがＣLCに蓄積された状態を示
す。図４ａ及び図４ｂに示すように、各行別に互いに隣
接する画素間の電圧が（＋）と（−）が交互に印加され
ているのが見られる。図４ｃは偶数フレームの第１の行
を駆動するときの共通電圧に対する画像データがＣLCに
蓄積された状態を示し、図４ｄは偶数フレームの第２の
行を駆動するときの共通電圧に対する画像データがＣLC
に蓄積された状態を示す。すなわち、図４ｃ及び図４ｄ
に示すように、偶数フレームにおいても互いに隣接する
画素間の電圧の極性が互いに反対であることが見られ
る。
駆動方法に応ずる共通電圧（又は、画素電圧）の波形
は、次の通りである。図４ａ〜図４ｄは、従来の液晶表
示装置のドット・インバージョンによる共通電圧に対す
る画像データがＣLCに蓄積された状態を示す。まず、図
４ａは奇数フレームの第１の行を駆動するときの共通電
圧に対する画像データがＣLCに蓄積された状態を示し、
図４ｂは奇数フレームの第２の行を駆動するときの共通
電圧に対する画像データがＣLCに蓄積された状態を示
す。図４ａ及び図４ｂに示すように、各行別に互いに隣
接する画素間の電圧が（＋）と（−）が交互に印加され
ているのが見られる。図４ｃは偶数フレームの第１の行
を駆動するときの共通電圧に対する画像データがＣLCに
蓄積された状態を示し、図４ｄは偶数フレームの第２の
行を駆動するときの共通電圧に対する画像データがＣLC
に蓄積された状態を示す。すなわち、図４ｃ及び図４ｄ
に示すように、偶数フレームにおいても互いに隣接する
画素間の電圧の極性が互いに反対であることが見られ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の液晶表
示装置は、ドット・インバージョンを用いて水平・垂直
方向のフリッカを減少させることはできるが、共通電圧
を印加する透明電極が液晶パネルの全領域で一体型から
なるため、全ての薄膜トランジスタに共通電圧を印加す
るので電力消耗が大きくなる問題点があった。本発明
は、上記の問題点を解決するためになされたもので、そ
の目的は、電力消耗を最小とし、なお画質を改善できる
液晶表示装置を提供することである。
示装置は、ドット・インバージョンを用いて水平・垂直
方向のフリッカを減少させることはできるが、共通電圧
を印加する透明電極が液晶パネルの全領域で一体型から
なるため、全ての薄膜トランジスタに共通電圧を印加す
るので電力消耗が大きくなる問題点があった。本発明
は、上記の問題点を解決するためになされたもので、そ
の目的は、電力消耗を最小とし、なお画質を改善できる
液晶表示装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の液晶表示装置は、従来一体であった共通電
圧を、一体型でなく、互いに独立的に構成して、隣接す
る列ごとに互いに異なるレベルの共通電圧を印加するよ
うにしたことを特徴とするものである。具体的には、ゲ
ートラインと、ゲートラインに垂直な方向に形成された
データラインと、それらのラインによって区画された領
域である画素領域とを有する液晶表示装置であって、画
素領域に対応して水平及び垂直方向に形成された複数個
の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのうち互いに
隣接する垂直方向の薄膜トランジスタに互いに異なる共
通電圧を印加するために分離形成された第１、第２透明
電極とを備えている。
めの本発明の液晶表示装置は、従来一体であった共通電
圧を、一体型でなく、互いに独立的に構成して、隣接す
る列ごとに互いに異なるレベルの共通電圧を印加するよ
うにしたことを特徴とするものである。具体的には、ゲ
ートラインと、ゲートラインに垂直な方向に形成された
データラインと、それらのラインによって区画された領
域である画素領域とを有する液晶表示装置であって、画
素領域に対応して水平及び垂直方向に形成された複数個
の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのうち互いに
隣接する垂直方向の薄膜トランジスタに互いに異なる共
通電圧を印加するために分離形成された第１、第２透明
電極とを備えている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明実施形態の液晶表示
装置を添付図面に基づき詳細に説明する。図５は、本実
施形態の液晶表示装置の共通電極に電圧を印加するため
の透明電極の平面図である。図５に示すように、本実施
形態の液晶表示装置の透明電極は、垂直方向に奇数列の
薄膜トランジスタに電圧を印加するための第１透明電極
５１と、垂直方向に偶数列の薄膜トランジスタに電圧を
印加するための第２透明電極５２とで構成される。この
際、第１透明電極５１と第２透明電極５２には互いに異
なるレベルの電圧を同時に印加することができる。
装置を添付図面に基づき詳細に説明する。図５は、本実
施形態の液晶表示装置の共通電極に電圧を印加するため
の透明電極の平面図である。図５に示すように、本実施
形態の液晶表示装置の透明電極は、垂直方向に奇数列の
薄膜トランジスタに電圧を印加するための第１透明電極
５１と、垂直方向に偶数列の薄膜トランジスタに電圧を
印加するための第２透明電極５２とで構成される。この
際、第１透明電極５１と第２透明電極５２には互いに異
なるレベルの電圧を同時に印加することができる。
【００１３】図６は、本実施形態の液晶表示装置の薄膜
トランジスタと、その薄膜トランジスタに共通電圧を印
加する第１、第２透明電極を示す図である。図６に示す
ように、第１レベルの電圧を印加するための第１透明電
極５１と、第２レベルの電圧を印加するための第２透明
電極５２とが互いに分離形成されている。即ち、垂直方
向に沿う奇数列の薄膜トランジスタに第１レベルの電圧
を印加する第１透明電極５１が、偶数列の薄膜トランジ
スタに第２レベルの電圧を印加する第２透明電極５２と
分離して形成されている。
トランジスタと、その薄膜トランジスタに共通電圧を印
加する第１、第２透明電極を示す図である。図６に示す
ように、第１レベルの電圧を印加するための第１透明電
極５１と、第２レベルの電圧を印加するための第２透明
電極５２とが互いに分離形成されている。即ち、垂直方
向に沿う奇数列の薄膜トランジスタに第１レベルの電圧
を印加する第１透明電極５１が、偶数列の薄膜トランジ
スタに第２レベルの電圧を印加する第２透明電極５２と
分離して形成されている。
【００１４】従って、奇数フレームにおいて、水平方向
に第１の行の薄膜トランジスタを駆動しようとする場合
（すなわち、第１の行の色相を得ようとする場合）に
は、第１透明電極５１にはＶｃｏｍ+ を印加し、第２透
明電極５２にはＶｃｏｍーを印加する。そして、前記Ｖ
ｃｏｍ+ が印加される薄膜トランジスタのソースにはＶ
ｃｏｍ+ より低い電圧のデータを印加し、前記Ｖｃｏｍ
ーが印加される薄膜トランジスタのソースにはＶｃｏｍ
ーより高い電圧のデータを印加する。結果的に、第１の
列及び第１の行の薄膜トランジスタの共通電極に印加さ
れる電圧はＶｃｏｍ+ になり、第２の列及び第１の行の
薄膜トランジスタの共通電極に印加される電圧はＶｃｏ
ｍーになる。
に第１の行の薄膜トランジスタを駆動しようとする場合
（すなわち、第１の行の色相を得ようとする場合）に
は、第１透明電極５１にはＶｃｏｍ+ を印加し、第２透
明電極５２にはＶｃｏｍーを印加する。そして、前記Ｖ
ｃｏｍ+ が印加される薄膜トランジスタのソースにはＶ
ｃｏｍ+ より低い電圧のデータを印加し、前記Ｖｃｏｍ
ーが印加される薄膜トランジスタのソースにはＶｃｏｍ
ーより高い電圧のデータを印加する。結果的に、第１の
列及び第１の行の薄膜トランジスタの共通電極に印加さ
れる電圧はＶｃｏｍ+ になり、第２の列及び第１の行の
薄膜トランジスタの共通電極に印加される電圧はＶｃｏ
ｍーになる。
【００１５】次いで、偶数フレームにおいて、水平方向
に第１の行の薄膜トランジスタを駆動しようとする場合
には、第１透明電極５１にはＶｃｏｍーを印加し、第２
透明電極５２にはＶｃｏｍ+ を印加する。そして、Ｖｃ
ｏｍ+ が印加される薄膜トランジスタのソースにはＶｃ
ｏｍ+ より低い電圧のデータを印加し、Ｖｃｏｍーが印
加される薄膜トランジスタのソースにはＶｃｏｍーより
高い電圧のデータを印加する。
に第１の行の薄膜トランジスタを駆動しようとする場合
には、第１透明電極５１にはＶｃｏｍーを印加し、第２
透明電極５２にはＶｃｏｍ+ を印加する。そして、Ｖｃ
ｏｍ+ が印加される薄膜トランジスタのソースにはＶｃ
ｏｍ+ より低い電圧のデータを印加し、Ｖｃｏｍーが印
加される薄膜トランジスタのソースにはＶｃｏｍーより
高い電圧のデータを印加する。
【００１６】このように、第１、第２透明電極に互いに
異なるレベルの共通電圧を印加する場合、全体的な共通
電圧を図７に示す。図７ａは奇数フレームにおいて第１
の行の薄膜トランジスタに印加される共通電圧を示し、
図７ｂは奇数フレームにおいて第２の行の薄膜トランジ
スタに印加される共通電圧を示す。言い換えれば、奇数
フレームにおいて第１の行の薄膜トランジスタには図７
ａのように印加され、奇数フレームにおいて第２の行の
薄膜トランジスタには図７ｂのように印加される。これ
は、図７ａ、図７ｂに示すように、同一行において隣接
する薄膜トランジスタに印加される電圧がＶｃｏｍ+、
Ｖｃｏｍ ーと交互に印加されるため、全体的なＶｃｏ
ｍのピークツピーク電圧は従来に比べて低くなる。
異なるレベルの共通電圧を印加する場合、全体的な共通
電圧を図７に示す。図７ａは奇数フレームにおいて第１
の行の薄膜トランジスタに印加される共通電圧を示し、
図７ｂは奇数フレームにおいて第２の行の薄膜トランジ
スタに印加される共通電圧を示す。言い換えれば、奇数
フレームにおいて第１の行の薄膜トランジスタには図７
ａのように印加され、奇数フレームにおいて第２の行の
薄膜トランジスタには図７ｂのように印加される。これ
は、図７ａ、図７ｂに示すように、同一行において隣接
する薄膜トランジスタに印加される電圧がＶｃｏｍ+、
Ｖｃｏｍ ーと交互に印加されるため、全体的なＶｃｏ
ｍのピークツピーク電圧は従来に比べて低くなる。
【００１７】一方、図８は本発明の液晶表示装置の第２
の実施の形態を示す図である。本第２の実施の形態は、
図８に示すように、垂直方向に沿う３列の列ラインを単
位カラム（単位列）ラインと設定し、隣接する単位列に
印加される共通電圧を互いに異なるようにした。すなわ
ち、垂直方向に３本の列ラインを１つの単位列ラインと
し、その単位列ラインの３列の薄膜トランジスタと、隣
接する他の単位列ラインの３列の薄膜トランジスタに印
加される共通電圧を互いに異なるようにして、ドット・
インバージョンを実現したものである。この多数本の列
ラインを合わせて１つの単位列ラインにする際に、３列
若しくはその以上の列ラインを合わせて１つの単位列ラ
インに設定してもよい。そして、このように設定された
列ラインに応じて第１、第２透明電極５１、５２のパタ
ーンを変化させる。
の実施の形態を示す図である。本第２の実施の形態は、
図８に示すように、垂直方向に沿う３列の列ラインを単
位カラム（単位列）ラインと設定し、隣接する単位列に
印加される共通電圧を互いに異なるようにした。すなわ
ち、垂直方向に３本の列ラインを１つの単位列ラインと
し、その単位列ラインの３列の薄膜トランジスタと、隣
接する他の単位列ラインの３列の薄膜トランジスタに印
加される共通電圧を互いに異なるようにして、ドット・
インバージョンを実現したものである。この多数本の列
ラインを合わせて１つの単位列ラインにする際に、３列
若しくはその以上の列ラインを合わせて１つの単位列ラ
インに設定してもよい。そして、このように設定された
列ラインに応じて第１、第２透明電極５１、５２のパタ
ーンを変化させる。
【００１８】
【発明の効果】上述したように、本発明の液晶表示装置
は、薄膜トランジスタに印加される共通電圧を列ごとに
互いに異る値を印加して、画素ごとの共通電圧を制御す
ることができるので、低い電圧でドット・インバージョ
ンを実現することができる。従って、電力消耗を減少さ
せ、画質を改善する効果がある。
は、薄膜トランジスタに印加される共通電圧を列ごとに
互いに異る値を印加して、画素ごとの共通電圧を制御す
ることができるので、低い電圧でドット・インバージョ
ンを実現することができる。従って、電力消耗を減少さ
せ、画質を改善する効果がある。
【図１】 一般的な液晶表示装置の断面図。
【図２】 従来の技術の液晶パネルの等価回路図。
【図３】 従来の液晶表示装置のドット・インバージョ
ンに応ずる画面状態を示す図。
ンに応ずる画面状態を示す図。
【図４】 従来の液晶表示装置のドット・インバージョ
ンに応ずる共通電圧の波形図。
ンに応ずる共通電圧の波形図。
【図５】 本発明実施形態の液晶表示装置の透明電極の
平面図。
平面図。
【図６】 本発明実施形態の薄膜トランジスタアレイと
透明電極を示す図。
透明電極を示す図。
【図７】 本発明実施形態の液晶表示装置の透明電極に
印加される共通電圧を示す図。
印加される共通電圧を示す図。
【図８】 本発明実施形態の液晶表示装置の他の例を示
す図。
す図。
５１ 第１透明電極 ５２ 第２透明電極
Claims (5)
- 【請求項１】 ゲートラインと、ゲートラインに垂直な
方向に形成されたデータラインと、それらのラインで区
画された領域の画素領域とを有する液晶表示装置におい
て、 前記画素領域に対応して水平及び垂直方向に並べてマト
リックス状に形成された複数個の薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのうち互いに隣接する垂直方向の
薄膜トランジスタに互いに異なる共通電圧を印加するた
めに分離形成された第１、第２透明電極と、を備えるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記第１、第２透明電極はＩＴＯである
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記第１透明電極は垂直方向に奇数列の
薄膜トランジスタのＶｃｏｍ端子に第１レベルの電圧を
印加し、第２透明電極は偶数列の薄膜トランジスタのＶ
ｃｏｍ端子に第２レベルの電圧を印加することを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第１透明電極は、垂直方向に複数個
の列を単位列として、奇数列の薄膜トランジスタに第１
レベルの電圧を印加することを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記第２透明電極は、垂直方向に複数個
の列を単位列として、偶数行の薄膜トランジスタに第２
レベルの電圧を印加することを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970005415A KR100226785B1 (ko) | 1997-02-22 | 1997-02-22 | 액정표시장치 |
| KR5415/1997 | 1997-02-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239710A true JPH10239710A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=19497685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9328084A Pending JPH10239710A (ja) | 1997-02-22 | 1997-11-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10239710A (ja) |
| KR (1) | KR100226785B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6859247B2 (en) | 2000-09-29 | 2005-02-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus and projection-type display apparatus |
| CN100409088C (zh) * | 1997-11-03 | 2008-08-06 | 三星电子株式会社 | 具有改变的电极排列的液晶显示器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100936197B1 (ko) * | 2003-06-20 | 2010-01-11 | 삼성전자주식회사 | 컬러 필터 기판과 이를 갖는 액정 표시 장치 |
| KR100710164B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식 액정 표시 장치 |
-
1997
- 1997-02-22 KR KR1019970005415A patent/KR100226785B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-11-28 JP JP9328084A patent/JPH10239710A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100409088C (zh) * | 1997-11-03 | 2008-08-06 | 三星电子株式会社 | 具有改变的电极排列的液晶显示器 |
| US7733454B2 (en) | 1997-11-03 | 2010-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having a modified electrode array |
| US7990507B2 (en) | 1997-11-03 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having a modified electrode array |
| US8233125B2 (en) | 1997-11-03 | 2012-07-31 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Liquid crystal display having a modified electrode array |
| US6859247B2 (en) | 2000-09-29 | 2005-02-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus and projection-type display apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980068682A (ko) | 1998-10-26 |
| KR100226785B1 (ko) | 1999-10-15 |
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