JPH08179341A - 液晶表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその駆動方法

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JPH08179341A
JPH08179341A JP32022294A JP32022294A JPH08179341A JP H08179341 A JPH08179341 A JP H08179341A JP 32022294 A JP32022294 A JP 32022294A JP 32022294 A JP32022294 A JP 32022294A JP H08179341 A JPH08179341 A JP H08179341A
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crystal display
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JP32022294A
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English (en)
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Katsuhiko Kumakawa
克彦 熊川
Yoneji Takubo
米治 田窪
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、このような従来の液晶表示
装置における課題を解決し、視野角特性が良好で、明る
く、高コントラストな液晶表示装置およびその駆動方法
を提供することにある。 【構成】 薄膜トランジスタ型の液晶表示装置におい
て、各画素を2つの異種の副画素11a・12a……と
11b・12b……に分割し、この副画素が走査電極線
を挟んで配置されており、かつ隣接する走査電極線1の
間には同種の副画素が配置されている。また、走査電極
線および信号電極線のいずれをも挟むことなく隣接する
副画素の電位が同一極性になるように信号電圧を印加す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パーソナル・コンピュ
ータやワードプロセッサなどの情報機器の表示端末や、
テレビやビデオ・モニターなどの映像機器に用いられる
液晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置はCRTにかわるフ
ラットディスプレイとして情報機器端末や映像表示装置
として広く応用されるようになっている。なかでも各画
素に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transisto
r)などのスイッチング素子を設けたいわゆるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、高画質表示を得ること
ができるため、その需要は急速に増大してきている。
【0003】アクティブマトリクス型において通常用い
られる表示モードは、ツイステッドネマティック型(T
N型)であるが、このTN型表示にはその動作原理上、
中間調表示を行なった場合に液晶分子が半ば立ち上がっ
た状態で表示を行うため、視野角特性が大幅に低下する
という問題がある。
【0004】この問題を解決する1つの考え方として、
例えば特開平2−12号公報に示されるように、1つの
画素をいくつかの副画素に分割し、その全部または一部
に制御容量を直列接続するものがある。図15はその基
本概念を示す等価回路図で、図において、101・10
2は走査電極線、103・104は信号電極線、105
はTFT、106は共通電極を示す端子であり、走査線
101と信号線103の交点にある画素について等価回
路が示されている。1つの画素は3つの副画素に分割さ
れるものとしてある。それぞれの副画素の液晶容量はC
(LC)1・C(LC)2・C(LC)3であり、制御容量C1・C2・
C3が各々の液晶容量に直列接続されている。この液晶
表示装置において、走査線101に選択信号を与えてト
ランジスタ105をオン状態にし、信号線103より電
圧Vを供給すると、それぞれの副画素の液晶層に実際に
かかる電圧は、液晶層の容量C(LC)iと制御容量Ciの比
(i=1〜3)によって定まる値となる。従って、1つ
の画素を動作電圧レベルの異なるいくつかの副画素に分
割し、これらの平均特性で表示を行なうことになるの
で、視野角特性を改善することができる。
【0005】副画素の具体的な構成としては、上記公報
に分割された副画素電極と制御容量電極を用いるものが
開示されている。図16はその要点を示す断面図で、図
において、113は3つに分割された副画素電極であ
り、制御容量電極115との間に絶縁膜114を挟んで
制御容量を形成している。制御容量の値は、制御容量電
極115の面積を副画素ごとに変えることにより所望の
値に設定される。制御容量電極115は端子116を介
してTFTのドレイン電極に接続される。112は液晶
層であり、各々の副画素電極113と共通電極111の
間で液晶容量が形成されている。同公報にはこの構成の
他にも、画素電極は分割せずに、これと液晶層の間に膜
厚あるいは誘電率の異なる絶縁膜を副画素に対応して形
成し、これを制御容量として用いる技術が開示されてい
るが、この構成は、制御容量のコンデンサとしての面積
が副画素面積により規定されているため、制御容量の値
を所望の値に設定することは現実的には難しく、設計自
由度が高い画素電極を分割する図16の構成のものがよ
り有望視されている。
【0006】図17は、特開平5−289108号公報
に示される副画素構成の平面図で、制御容量電極135
にクロムなどの遮光性の電極を用い、これで副画素13
3と134の間隙部や副画素の周辺部を覆って、この部
分からの光モレを防いでいる。131は走査電極線、1
32は信号電極線である。この構成は、TFT部の遮光
部136に用いるクロム膜の作製工程を用いて制御容量
電極135を同時に形成するもので、薄膜形成プロセス
を増加させることなくコントラストを向上させている。
【0007】上記のような構成の制御容量を形成しない
場合には、対向基板側に、TFT部、副画素と配線の間
隙部、および副画素間隙部を覆う遮光膜を形成し、コン
トラストの向上を図るのが一般的である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、副画素
形成のため画素電極を分割した液晶表示装置には、それ
ぞれの副画素の電位が相互に異なるため、副画素の間隙
部分に基板面内方向の電界が生じ、これが配向異常やデ
ィスクリネーションと呼ばれる液晶配向の不連続を引き
起こし、その光散乱のため黒表示の輝度が浮いてしま
い、コントラストが低下するという課題が発生してい
た。
【0009】また、副画素間隙部に遮光膜を設けてコン
トラストを向上させた構成では、配向異常やディスクリ
ネーションが副画素内部にまで侵入することや製造上の
マージンを考慮して、遮光膜の幅は副画素間隙部の幅に
比べて大きく取られるが、この部分の光が完全に遮断さ
れてしまうため、表示の明るさが低下するという別の課
題が発生する。
【0010】本発明の目的は、このような従来の液晶表
示装置における課題を解決し、視野角特性が良好で、明
るく、高コントラストな液晶表示装置およびその駆動方
法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタ型液
晶表示装置において、1つの画素を特性の異なる2つの
副画素に分割し、この2つの副画素を走査電極線を挟ん
で配置し、かつ隣接する2本の走査電極間には同種の副
画素を配置する構成を有するものである。
【0012】また、本発明の液晶表示装置の駆動方法
は、上記構成の液晶表示装置を、走査電極線および信号
電極線のいずれをも挟むことなく隣接する副画素の電位
が同一極性になるように信号電圧を印加して駆動するも
のである。
【0013】
【作用】本発明の液晶表示装置およびその駆動方法で
は、各画素を特性の異なる2つの副画素に分割している
ため画素分割を行わないものに比べて視野角特性が向上
する一方で、その画素配列により直接に隣合う副画素を
同種のものに限定し、この電圧が同極性となるように駆
動しているため、ある領域に黒表示を行なった場合に
は、隣接する副画素の電位がほぼ等しくなり、副画素間
隙部に基板面内方向の電界がほとんどかからない。この
ため、配向異常やディスクリネーションよる光散乱が生
じないので高コントラスト表示を行うことができる。さ
らに、副画素間隙部の遮光膜が不要となるので表示の明
るさも向上する。
【0014】
【実施例】以下本発明の実施例の液晶表示装置につい
て、図面を参照しながら説明する。
【0015】(実施例1)図1は、本発明の第1の実施
例における液晶表示装置の副画素配列を示す平面図であ
る。図において、1は走査電極線、2は信号電極線であ
り、その交点にTFTおよび画素への接続電極などによ
り構成されるTFT部3が配置されている。左端の信号
電極線に対応する画素の列について説明すると、11a
〜14aは第1の副画素、11b〜14bは第2の副画
素であり、同一のTFT部と接続されている2つの副画
素は、11aと11b、12aと12bなどのようにそ
れに対応する走査電極線を挟んで配置され、これら2つ
の副画素が各TFTに対応する画素を構成している。2
つの副画素の配列順序は、1本目の走査電極線を挟む画
素では、第1の副画素11aが走査線より上で第2の副
画素11bが走査線より下にくるように、2本目の走査
電極線に対応する画素では、これとは逆に第2の副画素
12bが走査線より上で第1の副画素12aが走査線よ
り下になるように配置されている。以下、奇数本目の走
査電極線に対応する画素では1本目の走査電極線の場合
と同じ副画素配列を、偶数本目に対応する画素では2本
目の場合と同じ副画素配列をとっている。この結果、隣
接する2つの走査電極線の間には、例えば、11bと1
2bの第2の副画素どうしや、12aと13aの第1の
副画素どうしのように、同種の副画素が配置されること
になる。2列目からの信号電極線に対しても、21a・
21b・22b・22a……のように、上記に示す1列
目の副画素配列が繰り返されている。
【0016】図2は、図1に示す液晶表示装置のA−
A’面における断面図である。下側にあるTFT基板4
1には、上記に説明した配列の走査電極線1と副画素電
極11a・b、12a・b……が形成されている。上側
にある対向基板43には表示領域全体に対向電極44が
形成され、副画素電極との間にかかる電界で液晶層47
を動作させる。液晶層47には、ねじれ角90°のネマ
ティック型液晶よりなる、いわゆるツイステッド・ネマ
ティック型(TN型)の表示モードを用いた。さらに、
遮光膜45が走査電極線1とその周辺領域を覆って形成
され、この部分からのモレ光を遮断している。遮光膜4
5は、信号電極線2の周囲やTFT素子の周囲にも形成
されている。42と46は偏光表示を行うための偏光板
であり、互いの偏光軸を直交させたノーマリーホワイト
表示の構成となっている。
【0017】図3はTFT基板の平面図で、図1の構成
をより詳細に示している。走査電極線1a・1bの上に
形成されたアモルファスシリコンなどよりなる半導体層
4上に、信号電極線2の凸部とドレイン電極5が向き合
って配置され、逆スタガー型のTFTが構成されてい
る。ドレイン電極5は上下に分枝され、第1の副画素1
2a・13a側の分枝は対応する副画素に直接接続され
ている。一方、第2の副画素12b・13b側の分枝は
対応する副画素との接続部で絶縁層を間に挟んでおり、
この部分に制御容量6が形成されている。この結果、電
気的には第1の副画素はTFTの出力に直接接続され、
第2の副画素は直列接続された制御容量を介して接続さ
れたことになる。なお、本発明の液晶表示装置では走査
電極線1の上下に2つの副画素が振り分けられるので、
本図に示すように走査電極線(ゲート線)上にTFTを
設けたいわゆるオンゲート構造のTFTを用いることが
望ましいが、トランジスタ特性改善などのために別の構
造を用いた場合でも、以下に示す動作にはまったく違い
はない。
【0018】次に、本実施例の液晶表示装置の動作につ
いて説明する。図3において、副画素12a・12bに
対応する走査電極線1aにオン電圧を印加すると、この
ライン上の半導体層4が導通状態となり、信号電極線2
を通ってきた信号電圧はドレイン電極5に到達する。第
1の副画素12aはドレイン電極5に直接接続されてい
るので、この電極の電位は信号電圧に等しくなる。一
方、第2の副画素12bの電極電位は、信号電圧を制御
容量6と第2の副画素上の液晶容量によって分圧したも
のとなる。走査電極線1aがオフ状態となると、半導体
層4が非導通状態となり、これらの電位が保持される。
この結果、第1の副画素上の液晶層には信号電圧がその
まま印加されるが、第2の副画素上の液晶層にはそれよ
りも低い電圧が印加されることになり、特性の異なる2
つの副画素を得ることができ、視野角改善効果が生ず
る。
【0019】上記の走査電極線1aをオフ状態にした後
で、副画素13a・13bに対応する走査電極線1bに
オン電圧が印加され、上記と同様にして各副画素の電極
電位が定まる。
【0020】副画素12a・12bに対する信号電圧
と、副画素13a・13bに対する信号電圧が同じであ
る場合には、隣接する2つの第1の副画素12aと13
aの電位は等しくなる。従って、図2においては、これ
らの副画素と対向電極44との間にのみ電位差が存在
し、副画素間隙部には基板面内方向の電界成分はほとん
どない。この結果、副画素12a・13a間には配向異
常やディスクリネーションによる光散乱はまったく生じ
ない。同様に、副画素11a・11bに対する信号電圧
と、副画素12a・12bに対する信号電圧が等しい場
合には、隣接する2つの第2の副画素11bと12bの
電位が等しくなり、この間隙部からの光散乱はまったく
生じない。従って、上下につながる画素に同一の信号電
圧が入力される場合には、副画素間隙部での光散乱が起
きないことがわかる。
【0021】副画素間隙の光散乱が実用上最も問題とな
るのは、これが黒表示画面で生じてコントラストを低下
させることであるが、本発明の液晶表示装置において
は、黒画素が連続配置される場合には光散乱が生じない
ので、黒表示の劣化がなく、非常に良好なコントラスト
を得ることができる。この効果は、上下に隣接する画素
に若干の輝度差があり、その信号電圧が若干異なる場合
も同様である。上下に隣接する画素への信号電圧が大き
く異なる場合には、隣接副画素間の電位差が大きくな
り、副画素間隙部に配向異常やディスクリネーションが
生じて光散乱を引き起こすことがあるが、この場合はい
ずれかの画素が白表示状態となっているので、実用上の
表示品位の低下はない。
【0022】本実施例は、電圧の印加されない副画素間
隙部が白状態となるノーマリーホワイト表示を用いてい
るが、副画素間隙部の幅が液晶層の厚みの2倍以下であ
る場合には、信号電圧を増加していった時に実用的な信
号電圧の範囲で、副画素部分からの電界のしみ出しや副
画素部分の液晶分子の動きの影響で、この間隙部すべて
を黒状態にすることができるので、この部分に遮光層を
形成する必要がない。遮光層はプロセスマージンや光散
乱の発生領域を考えて副画素間隙部から各副画素に数μ
mから10μm程度重ねて形成されることが多く、その
幅は20〜30μm程度となるが、本構成ではこれを除
くことにより白表示時にこの部分を透過する光が利用で
きるので、液晶表示装置の輝度はこの分だけ向上する。
対角26cmで640×480ドットの液晶表示装置で
はその画素ピッチは300μm程度であるが、本発明を
適用することにより、白表示の輝度が約10%向上し
た。
【0023】副画素間隙部の幅が液晶層の厚みのほぼ2
〜3倍の範囲にある場合には、液晶層への印加電圧が高
くなる第1の副画素電極では間隙部のほぼすべてが黒状
態となるのに対し、液晶層への印加電圧の低い第2の副
画素電極ではその間隙部を黒表示とすることができず、
第2の副画素間隙部には遮光層を配置する必要がある。
副画素間隙部の幅が液晶層の厚みの3倍以上となる場合
には、第1・第2の副画素間隙部の双方に遮光層を形成
する必要がある。遮光層が必要となる場合には、副画素
間隙部の光を利用することはできないが、本発明の液晶
表示装置ではコントラスト低下をまねく光散乱が副画素
の領域内に侵入することがないので、この分だけ遮光層
の幅を狭くすることができ、この場合にも若干の輝度向
上効果が発揮される。
【0024】次に、本発明の液晶表示装置の駆動方法に
ついて説明する。ドットマトリクス型の液晶表示装置の
駆動には、1走査線上の画素を同時に駆動しながら走査
線を順次ずらしていく線順次駆動が一般に用いられる。
本実施例の液晶表示装置は、上記したように上下に隣接
する画素に等しい信号電圧が入力された場合にその効果
を発揮するものであるので、ある1列の画素を考えた場
合、第1走査電極から最終走査電極までの走査が完了す
る1フレームの間は、信号電圧の極性を同一に保つこと
が好ましい。一方、液晶の劣化を防ぐため液晶表示装置
は交流駆動を行う必要があるので、本発明においては1
フレーム終了の後、信号電圧の極性を反転させる駆動方
法を採用した。
【0025】図4(a)・(b)は、ある1列の画素の
電位が反転する様子を説明するための平面図である。前
フレームでこの列の画素電極はすべて負の電位となって
おり、このフレームの信号電圧の極性はすべてのタイミ
ングで正である。図4(a)は2番目の走査電極線1b
が走査されている状態を示したもので、TFT部3bが
導通状態となり、信号電極線2に印加された信号電圧+
V12が第1の副画素電極に与えられ、+V12が制御容量
と液晶容量により分圧された電位+V12’が第2の副画
素電極に与えられる。これらの副画素に隣接する副画素
の電位を考えると、このフレームでの走査が終了してい
る副画素の電位は+V11’と同一極性であるが、3番目
の走査電極線1cに対応する副画素の電位は−V13であ
り、走査された副画素の電位+V12とは逆極性となって
おり、これらの副画素間には電位差が生じている。しか
しながら、この電位差は次の走査タイミングで図4
(b)に示すように解消される。フレーム周波数を60
Hz、走査線の本数を480本とすると1ラインあたり
の走査時間は数十マイクロ秒であり、これは液晶の応答
時間に比べて非常に短いので、隣接副画素間における電
位差は実用上はまったく問題がない。
【0026】本実施例においては、上記の考えに基づい
て、第1フレームにはすべての信号電極線の信号電圧を
正極性に、第2フレームにはすべての信号を負極性と
し、以下これを繰り返して駆動を行なったところ、コン
トラストが高く非常に良好な品位の表示を得ることがで
きた。
【0027】なお、上記実施例において、第2の副画素
上の液晶層に印加される電圧が信号電圧の40〜80%
になるように制御容量の値を設定し、第1の副画素と第
2の副画素の面積の和で定義される1画素当りの有効表
示面積に対して、第1の副画素が60〜80%の割合を
占めるようにすれば、実用的に良好な視野角特性が得ら
れる。前者を50〜70%の間に設定したり、後者を6
5〜75%の間に設定したりすれば、さらに良好な視野
角特性を得ることができる。液晶は電圧によってその容
量値が変化するので、上記の第2の副画素への電圧分圧
比は液晶がオン状態にあるものとして定義されている。
【0028】(実施例2)本実施例は、第1の実施例に
おいて、2枚の偏光板42・46を互いに偏光軸が平行
となるように配置し、ノーマリーブラック表示を行なっ
たものである。その他の構成や動作、および駆動方法は
第1の実施例に示したものと同じである。
【0029】ノーマリーブラック表示では、液晶層に電
圧が印加されない副画素間隙部は黒状態となっている。
従って、図1に示す副画素配列により光散乱が起きない
ようにすれば、副画素間隙部幅の大小にかかわらず、こ
の部分に遮光層を形成しなくても良好なコントラストを
得ることができる。本実施例においては、信号電圧が高
い場合に、白表示領域が副画素部分からの電界のしみ出
しや副画素部分の液晶分子の動きの影響で副画素間隙部
に広がっていき、この部分の光を遮る遮光層がないの
で、白表示の輝度が向上する。
【0030】(実施例3)図5は、本発明の第3の実施
例を示す液晶表示装置の基板平面図である。本実施例
は、第2の副画素の液晶容量に並列に付加容量を形成し
た点が、上記2つの実施例と異なっている。以下の説明
において、上記の実施例と共通の部分には同一番号をつ
けて説明を省略する。図において、51は付加容量電極
であり、第2の副画素11b・12bや21b・22b
などとの間に絶縁層を挟んで、付加容量52を形成して
いる。付加容量電極51の電位が液晶層に影響するのを
防ぐため、付加容量電極51が基板側に、副画素電極1
1b・12b、21b・22bが液晶層側に形成されて
いる。
【0031】上記の構成により、本実施例の液晶表示装
置における1画素の等価回路は図6に示すものとなる。
図において55はTFTを表し、その出力と対向電極4
4の間に、第1の副画素では液晶容量54のみが存在
し、第2の副画素では制御容量6と液晶容量53が直列
接続されている。このため第2の副画素では、上記の2
つの実施例と同様に、信号電圧の一部が制御容量6にか
かるので、液晶層53に印加される電圧は信号電圧を所
定の比率で分圧したものになる。本実施例では、付加容
量電極51により、第2の副画素には付加容量52が液
晶容量53と並列に形成されているが、第1の副画素の
液晶容量54には付加容量は接続されていない。
【0032】以下、付加容量の働きについて説明する。
第1には、図6において付加容量52を第2の副画素の
液晶容量53と並列に配置することにより合成容量が増
加するので、TFTのオフ期間における電圧保持特性が
改善され、信号電圧が高い飽和領域での特性が良好にな
る。この結果、液晶の駆動に必要な最大の信号電圧(駆
動電圧)が低減される。第2の副画素に比べて、第1の
副画素の液晶層には高い電圧が印加されるので、通常
は、第2の副画素の電圧保持特性のみを改善すれば所望
の効果を得ることができる。
【0033】付加容量の第2の働きは次のようなもので
ある。液晶層は、図6には可変容量の記号で示されるよ
うに、印加電圧の増加とともに分子配列が変形し、容量
が増加する特性を持っている。通常の液晶材料では、オ
ン状態はオフ状態の1.5倍から3倍程度の容量値とな
っているが、材料によってはこれを越える変化率を示す
ものもある。付加容量52がない場合を考えると、第2
の副画素において制御容量6と液晶層53に印加される
電圧は、信号電圧をこれらの容量値の逆比に配分したも
のとなる。例えば、オフ状態で制御容量6と液晶容量5
3の比が6:4であり、オン状態での液晶容量がこの2
倍になるとすると、オフ状態では信号電圧の60%が第
2の副画素の液晶層に印加されるが、オン状態ではこの
容量比が6:8となるから、第2の副画素の液晶層に印
加される電圧の割合は信号電圧の約43%に低下してし
まう。このように第2の副画素においては電圧印加とと
もに液晶層への電圧配分比が低下するので、輝度−信号
電圧特性が第1の副画素に比べて緩やかなものとなり、
良好な表示を得るために必要な駆動電圧が高くなってし
まう。
【0034】一方、付加容量52が液晶容量53に並列
配置されている場合には、両者を加えた合成容量が制御
容量6に直列配置されることになるが、付加容量52は
固定容量であるため、オフ状態とオン状態での変化率が
付加容量52のない場合に比べて小さくなる。従って、
第2の副画素の輝度−信号電圧特性も付加容量52のな
い場合ほど緩やかなものではなくなり、飽和特性が改善
され、駆動電圧が低減できる。図7は、付加容量52が
ある場合とない場合について、正面方向からみた場合の
各副画素の輝度−信号電圧特性を示したものである。付
加容量の値はオンとオフの中間輝度の状態での液晶容量
53に等しくなるように設定されている。また、この中
間輝度状態で、信号電圧のうち第2の副画素の液晶層に
印加される電圧の割合が70%となるように、制御容量
の値がそれぞれの場合について設定されている。この図
よりわかるように、付加容量52の効果により駆動電圧
が約1.5ボルト低減された。
【0035】以上のように、本実施例の液晶表示装置で
は、画素電圧の保持と液晶層への電圧分配率の2つの面
から、第2の副画素の飽和特性を改善して駆動電圧を低
減できる。その他の動作については上記の2つの実施例
に示すものとほぼ同様であり、また、その駆動方法も上
記2つの実施例に示すものを用いることができる。
【0036】なお、表示モードは、第1の実施例に示す
ノーマリーホワイト、第2の実施例のノーマリーブラッ
クのいずれを用いてもかまわないが、液晶の飽和特性が
コントラストに大きく関係するノーマリーホワイト表示
において、本実施例の効果はより一層発揮される。
【0037】また、付加容量電極は、これを透明電極・
不透明電極のいずれを用いて形成してもよい。透明電極
を用いる場合には、この電極層を新たに形成する必要が
あるが、副画素間の光を利用することができ表示が明る
くなる。一方、不透明電極を用いる場合には、走査電極
線と同時にこれを形成することができる。第1の実施例
で説明したように、第2の副画素は第1の副画素に比べ
て液晶層に印加される電圧が低く、画素構成によっては
第2の副画素間隙部の液晶を信号電圧によって動作させ
ることは難しいが、不透明電極がこの部分を隠すので、
特にノーマリーホワイト表示でコントラストが向上す
る。この場合でも第1の副画素間隙は遮光されていない
ので、この分の明るさ向上効果は残っている。但し、第
1の副画素の電圧保持特性を高めるためにこの間隙部に
も付加容量を形成する場合には、本発明の効果を発揮す
るために透明電極を用いることが望ましい。
【0038】本実施例では上記に示した第2の効果によ
り、第2の副画素の液晶層への電圧分配率がオフ状態と
オン状態であまり異ならないので、オン状態で定義した
第2の副画素の液晶層への電圧分配比は、第1・第2の
実施例に示すものよりやや高めに設定することが望まし
い。オン状態で第2の副画素の液晶層に印加される電圧
が信号電圧の45〜85%になるように制御容量の値を
設定すれば実用的に良好な視野角特性が得られ、55〜
75%の間に設定すればさらに良好な視野角特性を得る
ことができる。付加容量は大きい方が本実施例の効果を
よりよく得ることができるが、第2の副画素の液晶が中
間輝度状態にある場合の容量に比べて付加容量の値が半
分以上、より好ましくは同等以上であれば本実施例の効
果は十分に発揮される。第1の副画素と第2の副画素の
面積比に関しては、上記2つの実施例と同様に、1画素
当りの有効表示面積に対して第1の副画素が占める割合
を60〜80%、より好ましくは65〜75%の間に設
定すれば、良好な視野角特性を得ることができる。
【0039】(実施例4)図8は、本発明の第4の実施
例における液晶表示装置の副画素配列を示すものであ
る。第1の実施例では、図1に示すように1列目の副画
素配列がそのまま2列目以降にも繰り返されるものとし
たが、本実施例では各走査電極線の上下に配置される第
1の副画素と第2の副画素の位置を列ごとに反転させて
いる。すなわち、左端の信号電極線2aにつながる画素
では副画素配列が11a・11b・12b・12a……
の順で第1の副画素より始まっているのに対し、その隣
の信号電極線2bでは21b・21a・22a・22b
……のように第2の副画素が一番上になっており、以
下、奇数列は第1列と、偶数列は第2列と同じ副画素配
列をとっている。本実施例では、走査電極線1の長さは
やや長くなるが、第1の副画素41と第2の副画素42
の重心が空間的に平均化される。図1の構成では輝度に
より画素の重心が若干移動するため、例えば横ストライ
プ表示を行なった場合に輝度により表示の中心線が上下
するが、本実施例では隣接する2つの列で重心の移動が
平均化されるので、この現象を防止することができる。
その他の構成や動作原理、および駆動方法は第1の実施
例に示すものと同じである。液晶の表示モードは、第1
の実施例に示すノーマリーホワイト表示、第2の実施例
のノーマリーブラックのいずれを用いてもかまわない。
【0040】(実施例5)本実施例の液晶表示装置の駆
動方法は、1つの信号電極線については、その信号電圧
の極性を1フレームの間は同一に保っておくが、隣接す
る信号電極線ごとには信号電圧の極性が反転されている
ものである。
【0041】上記の4つの実施例においては、同一フレ
ーム内では液晶表示装置の全画面を同一極性の信号電圧
で駆動した。この駆動法は簡便ではあるが、正負のパネ
ル特性に非対称性がある場合に、全画面が同方向の特性
に偏るためフリッカが見えやすいという欠点がある。こ
れらの実施例に示した液晶表示装置では、上下方向に直
接隣合った副画素には同一極性の電圧をかけるのが望ま
しいが、左右の副画素の間には信号電極線があるのでこ
れらの副画素電位は特に同一極性でなくてもかまわな
い。そこで、本実施例の駆動方法では、上記実施例の液
晶装置に対し列ごとに信号電圧の特性を逆として、ある
領域の特性としては正負の特性が平均化されるようにし
たものである。
【0042】図9(a)・(b)は、本実施例の駆動方
法の概念を示すもので、走査電極線1と信号電極線2の
交点にある丸印が2つの副画素を合わせた各画素を示
し、その中の記号が正負の充電状態を示している。図9
(a)は2本目の走査電極線が走査されている場合であ
り、このライン上の画素が信号電極線からの信号電圧の
極性に応じて充電されている。それぞれの信号電極線上
の信号電圧の極性は1フレーム間は一定であるので、各
列において1本目の走査電極線上にある画素は、現在充
電された2本目の走査電極線上の画素と同極性に既に充
電されている。次いで、図9(b)に示すように3本目
の走査電極線に走査が移り、このライン上の画素が各列
ごとにすぐ上にある画素と同一極性に充電されていく。
走査が最も下のラインまで達して1本目のラインに走査
が戻る時に、各列の走査信号の極性をすべて反転させれ
ば、次のフレームでは図9で書き込まれたのとは逆極性
の電圧が各画素に書き込まれていき、交流駆動を行うこ
とができる。左右の副画素の間には、図1に示すように
信号電極線が必ず存在するので、これらの副画素間に電
圧の極性差が存在しても、上記の実施例で説明した効果
はまったく損なわれない。
【0043】本実施例の駆動方法を、第1から第4の実
施例に示す液晶表示装置に適用したところ、いずれの場
合にもフリッカのない良好な表示を得ることができた。
【0044】なお、本実施例においては隣接する信号電
極線ごとに信号電圧の極性が逆になっているものとした
が、これは、数本の信号電極線を組にして、その信号電
極線の組ごとに信号電圧の極性が逆になるものとしても
ほぼ同様の効果を得ることができる。同一極性で駆動さ
れる画素列の幅が広い場合には、縦に筋状の構造が見え
るので、信号電極線の組はこの画素列の幅が3mm以
下、より好ましくは2mm以下となるように本数を設定
するのがよい。
【0045】(実施例6)図10は、本発明の第6の実
施例における液晶表示装置の副画素配列を示す平面図で
ある。本実施例は、図1の副画素配列において、奇数列
の信号電極線2a・2cの位置を対応する副画素の右側
に変更し、2つの副画素列21a・b、22a・b……
と31a・b、32a・b……とが左右方向に直接隣合
う構造としたものである。偶数列の信号電極線2b・2
dは対応画素の左側に配置されている。これにともなっ
て、奇数列の副画素11a・b、12a・b……、31
a・b、32a・b……においてはTFT部3が画素の
右側に、偶数列の副画素21a・b、22a・b……に
おいてはTFT部3が画素の左側に配置されるが、その
他の構成や動作、および駆動方法は第1の実施例に示す
ものと同様である。
【0046】本実施例においては、上下に隣合う副画素
(例えば22aと23a)の間隙部に加えて、左右に隣
合う副画素(例えば22aと32a)の間隙部にも本発
明の効果が発揮されるので、表示輝度がより一層向上す
ることに特長がある。第1の実施例に説明した対角26
cmで640×480ドットの液晶表示装置に本実施例
の構成を適用したところ、白表示の輝度がさらに5%向
上した。
【0047】なお、液晶の表示モードは、第1の実施例
に示すノーマリーホワイト表示、第2の実施例のノーマ
リーブラックのいずれを用いてもかまわない。
【0048】また、第3の実施例に示したように液晶容
量に並列の付加容量を形成して、液晶の飽和特性を改善
することもできる。第3の実施例では、第1の副画素電
極と第2の副画素電極の双方に不透明電極を用いて付加
容量を形成した場合は本発明の効果が失われると説明し
たが、本実施例においては、この場合にも左右の副画素
間隙部に対する輝度向上効果は残るので、この構成を採
用することも可能である。
【0049】さらに、同種の副画素が左右に隣接する2
つの列を1単位として、走査電極線に対する第1と第2
の副画素の位置を上下反転させれば、第4の実施例に示
す輝度による画素重心の変動抑制の効果を得ることもで
きる。
【0050】駆動方法に関しては、図10に示す21a
・b、22a・b………の副画素電極よりなる列と、3
1a・b、32a・b………の副画素電極よりなる列と
は、同一極性の電位である必要があるが、その左右にあ
る副画素電極の電位との間には特に制約はない。従っ
て、同種の副画素が左右に隣接する2列を最小単位とし
て、この最小単位またはその整数倍ごとに信号電圧を逆
極性とすれば、1つの行において正負の特性が平均化さ
れ、第5の実施例に示したようにフリッカのない良好な
表示が行える。
【0051】(実施例7)図11は、本発明の第7の実
施例における液晶表示装置の副画素配列を示す平面図で
ある。本実施例は、第1の実施例に示す副画素配列にお
いて、偶数行の走査電極線1b・1dに対応する副画素
12a・b、14a・b……、22a・b、24a・b
……を半ピッチだけ右側にずらしてデルタ型の画素配列
とし、表示画像をなめらかにしたものである。その他の
構成や動作、および駆動方法は第1の実施例に示すもの
と同様である。
【0052】本実施例の構成は、上記の実施例に示す画
素が縦ストライプ状に配置された場合に比べて、上下に
隣接する副画素間隙部の長さが約半分になり明るさ改善
の効果はやや劣るが、それでも本発明の効果により、高
コントラストで明るい液晶表示装置を得ることができ
た。
【0053】本実施例においても、液晶の表示モードは
ノーマリーホワイト、ノーマリーブラックのいずれを用
いてもよく、第3の実施例に示す付加容量を用いて液晶
表示の飽和特性を改善することもできる。また、配線構
造はさらに複雑なものとなるが、第4の実施例に示すよ
うに列ごとに第1の副画素と第2の副画素の位置を走査
電極線に対して反転させれば、さらになめらかな表示を
行うことができる。駆動方法については、第1の実施例
に示したもののほかに第5の実施例に示したものを用い
ることもできる。
【0054】本実施例は上記に説明したように明るさ改
善の効果がやや劣るので、第6の実施例に示した構成に
準じて、奇数列の信号電極線2a・2cを対応する副画
素の右側に配置し、左右に隣合う副画素にも直接の間隙
部を設けることが特に好ましい。この場合は、第6の実
施例に示された駆動方法を用いてもよい。
【0055】(実施例8)図12は、本発明の第8の実
施例における液晶表示装置の副画素配列を示す平面図で
ある。本実施例も前実施例と同様にデルタ型の画素配列
を用いたものであるが、本実施例においては、それぞれ
の信号電極線に対し、奇数行目の走査線では右側の副画
素が、偶数行目の走査線では左側の副画素が接続されて
いる。例えば、左端の信号電極線2aに接続される画素
を考えると、1行目や3行目では副画素11a・bや1
3a・bが右側に配置されているが、偶数行目の12a
・bや14a・bは走査電極線2aの左側に配置されて
いる。
【0056】この副画素配列を用いることにより、本実
施例では偶数行の各画素の構成は奇数行における画素構
成を180度回転させたものとなっており、前記の第7
の実施例に比べて構成上の対称性が改善されている。こ
のため、偶数行と奇数行での特性差がなく設計も容易で
ある。
【0057】本実施例においては、11bと22b、2
2aと13aなどのように上下に直接隣りあう副画素
は、それぞれ異なる信号電極線2aと2bに接続されて
いる。本発明の効果を得るためには、これらの画素が互
いに同極性となるように駆動すればよい。図13は、本
実施例の駆動方法を説明するもので、1a〜1gは走査
電極線、2a〜2dは信号電極線であり、各走査電極線
の左右にある丸印がその信号電極線に接続された画素を
示している。丸印につけられた番号は図12における副
画素a・bを合わせた画素番号に対応し、丸印の中の+
または−の記号はその画素の充電されている極性を示し
ている。本図は、このフレームでの走査が4本目の走査
電極線1dまで進み、画素14・24・34の充電が完
了した状態である。それぞれの走査電極線・信号電極線
には、図14に示す電圧が印加されている。走査電極に
は各ラインごとに走査電圧が順次印加されている。信号
電圧は、隣接する信号電極線ごとに逆極性であり、走査
パルスが次の走査線に移るたびにその極性が反転してい
る。図13において、走査が終了した1a〜1dにつな
がる画素電極では、例えば21と12や、23と14の
ように、2つの信号電極線に挟まれ上下に隣接している
画素は同極性の電位となっている。このため、一面の黒
表示を行なった場合には、図12において直接隣接する
副画素(11bと22b、22aと13aなど)が同電
位となり、この間に電界が発生しないので、光散乱がな
くなって高コントラスト表示が得られる。一方、信号電
極線2aと2bに挟まれた副画素は+電位に、信号電極
線2bと2cの間の副画素は−電位になっているため、
画面全体としては正負の特性が相殺されてフリッカのな
い良好な表示を得ることができる。
【0058】本実施例においても、上記した副画素配列
と駆動方法を用いることにより、視野角が広く、高コン
トラストで、明るい表示を行うことができた。
【0059】なお、液晶の表示モードはノーマリーホワ
イト、ノーマリーブラックのいずれを用いてもよく、第
3の実施例に示す付加容量を用いて液晶表示の飽和特性
を改善することもできる。また、配線構造はさらに複雑
なものとなるが、第4の実施例に準じて、2つの走査信
号線の間に挟まれた画素列ごとに第1の副画素と第2の
副画素の位置を走査電極線に対して反転させれば、さら
になめらかな表示を行うことができる。
【0060】また、駆動方法についても上記の説明に限
定されるものではなく、1フレームの間、全走査信号を
同一極性とする駆動方法を用いることもできる。
【0061】以上に示す実施例では、液晶表示装置は白
黒表示をするものとして説明を行なったが、これは白黒
表示に限定されるものではなく、液晶表示装置の対向側
あるいはTFT側の基板にカラーフィルターを形成すれ
ば、容易にカラー表示を行なうことができる。縦ストラ
イプの色配置を用いて、各信号電極線に赤・緑・青の3
色を対応させた場合には、第5の実施例においてこの3
色を1組として信号電圧を反転させる駆動方法をとるこ
ともできる。
【0062】また、液晶は約90度のねじれ角をもつT
N型であるとしたが、ねじれ角のないホモジニアス液晶
や、垂直配向したホメオトロピック液晶などにおいて
も、液晶分子が基板に対して斜めに配列した状態で中間
調表示を行なっているので、本発明の効果は同様に発揮
される。
【0063】
【発明の効果】 以上のように本発明の液晶表示装置お
よびその駆動方法は、1つの画素を特性の異なる2つの
副画素に分割し、この2つの副画素を走査電極線を挟ん
で配置し、かつ隣接する2本の走査電極間には同種の副
画素を配置する構成を有するものであり、これを走査電
極線および信号電極線のいずれをも挟むことなく隣接す
る副画素の電位が同一極性になるように信号電圧を印加
して駆動しているので、視野角特性が向上する一方で、
互いに隣接する同種の副画素が同極性の電位となるため
黒表示での光散乱がなく高コントラスト表示を行うこと
ができる。さらに、副画素間隙部の遮光膜が不要となる
ので表示の明るさも向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の液晶表示装置の副画素
配列を示す平面図
【図2】本発明の第1の実施例の液晶表示装置の構成を
示す断面図
【図3】本発明の第1の実施例の液晶表示装置のTFT
基板構成を示す平面図
【図4】本発明の第1の実施例における、ある走査信号
電極線上の副画素電位を示す平面図
【図5】本発明の第3の実施例の液晶表示装置のTFT
基板構成を示す平面図
【図6】本発明の第3の実施例における液晶表示装置の
1画素の等価回路図
【図7】本発明の第3の実施例における副画素の輝度−
電圧特性図
【図8】本発明の第4の実施例の液晶表示装置の副画素
配列を示す平面図
【図9】(a)は本発明の第5の実施例における駆動方
法の概念を示すもので、2本目の走査電極線が走査され
ている場合の概念図 (b)は3本目の走査電極線に走査されている場合の駆
動方法の概念図
【図10】本発明の第6の実施例の液晶表示装置の副画
素配列を示す平面図
【図11】本発明の第7の実施例の液晶表示装置の副画
素配列を示す平面図
【図12】本発明の第8の実施例の液晶表示装置の副画
素配列を示す平面図
【図13】本発明の第8の実施例の液晶表示装置の画素
電位を模式的に示す平面図
【図14】本発明の第8の実施例の液晶表示装置の駆動
方法を示す波形図
【図15】従来例の液晶表示装置の動作原理を説明する
等価回路図
【図16】従来例の液晶表示装置の構成を示す断面図
【図17】従来例の液晶表示装置の構成を示す平面図
【符号の説明】
1 走査電極線 2 信号電極線 3 TFT部 11a〜14a、21a〜24a 第1の副画素電極 11b〜14b、21b〜24b 第2の副画素電極

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】液晶層とこれを挟む2枚の基板と、上記基
    板のいずれか一方に形成された薄膜トランジスタと、こ
    れに接続された走査電極線および信号電極線と、上記の
    各薄膜トランジスタに接続された2つの異種の副画素よ
    りなる画素とを有し、上記の2つの副画素がそれに対応
    する走査電極線を挟んで配置され、かつ隣接する走査電
    極線の間には同種の副画素が配置されていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】2つの副画素はそれぞれ独立の副画素電極
    を有し、薄膜トランジスタのドレイン電極に対して、一
    方の副画素電極は直接に電気的に接続され、他方は直列
    接続された制御容量を介して電気的に接続されている請
    求項1記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】2種の副画素のうち片方にのみ付加容量が
    形成されている請求項1、または請求項2記載の液晶表
    示装置。
  4. 【請求項4】副画素に対する信号電極線の位置が、隣接
    する信号電極線ごとに逆側に配置されている請求項1、
    請求項2、または請求項3記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】液晶層が略90度ねじれたネマティック型
    の液晶であり、かつ上記2枚の基板の外側に2枚の偏光
    板を配置したことを特徴とする請求項1から請求項4ま
    でのいずれかに記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】隣接する副画素間の間隙が、液晶層の厚み
    の2倍以下である請求項5記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】請求項1から請求項6のいずれかに記載の
    液晶表示装置に、走査電極線および信号電極線のいずれ
    をも挟むことなく隣接する副画素の電位が同一極性にな
    るように信号電圧を印加する液晶表示装置の駆動方法。
  8. 【請求項8】1フレーム期間に印加される信号電圧の極
    性が、すべての信号電極線で同一である請求項7記載の
    液晶表示装置の駆動方法。
  9. 【請求項9】同一の信号電極には1フレーム期間は同一
    極性の信号電圧を印加する請求項7記載の液晶表示装置
    の駆動方法。
  10. 【請求項10】隣接する信号電極線ごとに信号電圧の極
    性が逆である請求項7、または請求項9記載の液晶表示
    装置の駆動方法。
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Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001021892A (ja) * 1999-06-08 2001-01-26 Robert Bosch Gmbh 液晶表示器
JP2003195312A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Hannstar Display Corp 偏曲垂直アラインメント・モードの液晶表示器
JP2006506683A (ja) * 2002-11-20 2006-02-23 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 液晶表示装置及びその駆動方法
KR100552291B1 (ko) * 1998-07-23 2006-05-23 삼성전자주식회사 광시야각 액정 표시 장치
JP2006317867A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Sharp Corp 薄膜トランジスタ基板及び液晶表示パネル
JP2007086791A (ja) * 2005-09-23 2007-04-05 Samsung Electronics Co Ltd 液晶パネル、その駆動方法、及びそれを用いた液晶表示装置
KR100711230B1 (ko) * 2003-12-05 2007-04-25 샤프 가부시키가이샤 액정표시장치
WO2007123244A1 (ja) * 2006-04-24 2007-11-01 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
JP2007328369A (ja) * 2004-04-30 2007-12-20 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器
WO2008010332A1 (fr) * 2006-07-20 2008-01-24 Sharp Kabushiki Kaisha dispositif d'affichage à cristaux liquides, et son procédé de fabrication
KR100855478B1 (ko) * 2001-12-28 2008-09-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널과 그의 구동장치 및 구동방법
US7460191B2 (en) 2001-11-22 2008-12-02 Samsung Electronics, Co., Ltd. Liquid crystal display
CN100465739C (zh) * 2007-01-18 2009-03-04 友达光电股份有限公司 液晶显示器及其驱动方法和电极配置方法
JP2009053718A (ja) * 2002-06-28 2009-03-12 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板
US7595781B2 (en) 2002-06-17 2009-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP2009250994A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置
US7649584B2 (en) 2002-10-21 2010-01-19 Lg Display Co., Ltd. LCD array substrate and fabrication method thereof
WO2010021210A1 (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
JP2010160493A (ja) * 2006-02-06 2010-07-22 Sharp Corp アクティブマトリクス基板、液晶表示装置、テレビジョン受像機
US7787086B2 (en) 1998-05-19 2010-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
EP2259134A1 (en) * 2008-03-31 2010-12-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix board, liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit and television receiver
JP2011008276A (ja) * 2010-08-02 2011-01-13 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2011053721A (ja) * 2005-06-09 2011-03-17 Sharp Corp 液晶表示装置
US7956942B2 (en) 2005-06-01 2011-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method thereof
US8044438B2 (en) 2000-11-29 2011-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and substrate thereof
US8319926B2 (en) 2006-12-05 2012-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8334954B2 (en) 2006-04-04 2012-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR101367744B1 (ko) * 2011-08-31 2014-02-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US8810606B2 (en) 2004-11-12 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device and driving method thereof
USRE45283E1 (en) 2002-06-06 2014-12-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US9041891B2 (en) 1997-05-29 2015-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
JP2018092204A (ja) * 2018-03-27 2018-06-14 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US10401673B2 (en) 2014-05-29 2019-09-03 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
CN115755472A (zh) * 2022-11-29 2023-03-07 惠科股份有限公司 阵列基板、液晶显示面板及驱动方法、液晶显示装置

Cited By (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9041891B2 (en) 1997-05-29 2015-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
US8711309B2 (en) 1998-05-19 2014-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
US8054430B2 (en) 1998-05-19 2011-11-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
US7787086B2 (en) 1998-05-19 2010-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
US7787087B2 (en) 1998-05-19 2010-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
US8400598B2 (en) 1998-05-19 2013-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display having wide viewing angle
KR100552291B1 (ko) * 1998-07-23 2006-05-23 삼성전자주식회사 광시야각 액정 표시 장치
JP2001021892A (ja) * 1999-06-08 2001-01-26 Robert Bosch Gmbh 液晶表示器
US8044438B2 (en) 2000-11-29 2011-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and substrate thereof
JP2010231244A (ja) * 2001-11-22 2010-10-14 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
US8248566B2 (en) 2001-11-22 2012-08-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
US7460191B2 (en) 2001-11-22 2008-12-02 Samsung Electronics, Co., Ltd. Liquid crystal display
US8031286B2 (en) 2001-11-22 2011-10-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having a particular arrangement of pixel electrodes
JP4541633B2 (ja) * 2001-12-27 2010-09-08 瀚宇彩晶股▲ふん▼有限公司 偏曲垂直アラインメント・モードの液晶表示器
JP2003195312A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Hannstar Display Corp 偏曲垂直アラインメント・モードの液晶表示器
KR100855478B1 (ko) * 2001-12-28 2008-09-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널과 그의 구동장치 및 구동방법
USRE47660E1 (en) 2002-06-06 2019-10-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
USRE45283E1 (en) 2002-06-06 2014-12-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
USRE46025E1 (en) 2002-06-06 2016-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US7595781B2 (en) 2002-06-17 2009-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8310643B2 (en) 2002-06-28 2012-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
JP2009053718A (ja) * 2002-06-28 2009-03-12 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板
US10969635B2 (en) 2002-06-28 2021-04-06 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
JP2010191476A (ja) * 2002-06-28 2010-09-02 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板
US10620488B2 (en) 2002-06-28 2020-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US9477121B2 (en) 2002-06-28 2016-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US8698990B2 (en) 2002-06-28 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US8743331B2 (en) 2002-06-28 2014-06-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
US7649584B2 (en) 2002-10-21 2010-01-19 Lg Display Co., Ltd. LCD array substrate and fabrication method thereof
JP2006506683A (ja) * 2002-11-20 2006-02-23 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 液晶表示装置及びその駆動方法
KR100711230B1 (ko) * 2003-12-05 2007-04-25 샤프 가부시키가이샤 액정표시장치
JP4582131B2 (ja) * 2004-04-30 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
JP2007328369A (ja) * 2004-04-30 2007-12-20 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器
US9058787B2 (en) 2004-11-12 2015-06-16 Samsung Display Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US8810606B2 (en) 2004-11-12 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9390669B2 (en) 2004-11-12 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP4703258B2 (ja) * 2005-05-16 2011-06-15 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及び液晶表示パネル
JP2006317867A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Sharp Corp 薄膜トランジスタ基板及び液晶表示パネル
US8174472B2 (en) 2005-06-01 2012-05-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method thereof
US7956942B2 (en) 2005-06-01 2011-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method thereof
JP4744518B2 (ja) * 2005-06-09 2011-08-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2011053721A (ja) * 2005-06-09 2011-03-17 Sharp Corp 液晶表示装置
US9019455B2 (en) 2005-06-09 2015-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8345197B2 (en) 2005-06-09 2013-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US7995177B2 (en) 2005-06-09 2011-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8207923B2 (en) 2005-09-23 2012-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel, method for driving the same, and liquid crystal display apparatus using the same
JP2007086791A (ja) * 2005-09-23 2007-04-05 Samsung Electronics Co Ltd 液晶パネル、その駆動方法、及びそれを用いた液晶表示装置
JP2010160493A (ja) * 2006-02-06 2010-07-22 Sharp Corp アクティブマトリクス基板、液晶表示装置、テレビジョン受像機
US8334954B2 (en) 2006-04-04 2012-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
WO2007123244A1 (ja) * 2006-04-24 2007-11-01 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
US8064018B2 (en) 2006-04-24 2011-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP4820866B2 (ja) * 2006-04-24 2011-11-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
US8144291B2 (en) * 2006-07-20 2012-03-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and production method thereof
WO2008010332A1 (fr) * 2006-07-20 2008-01-24 Sharp Kabushiki Kaisha dispositif d'affichage à cristaux liquides, et son procédé de fabrication
US8319926B2 (en) 2006-12-05 2012-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
CN100465739C (zh) * 2007-01-18 2009-03-04 友达光电股份有限公司 液晶显示器及其驱动方法和电极配置方法
EP2259134A4 (en) * 2008-03-31 2012-02-01 Sharp Kk ACTIVE MATRIX CARD, LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER
EP2259134A1 (en) * 2008-03-31 2010-12-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix board, liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit and television receiver
JP2009250994A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置
US8471972B2 (en) 2008-08-18 2013-06-25 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, television receiver
WO2010021210A1 (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
JP2011008276A (ja) * 2010-08-02 2011-01-13 Sharp Corp 液晶表示装置
KR101367744B1 (ko) * 2011-08-31 2014-02-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10401673B2 (en) 2014-05-29 2019-09-03 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
JP2018092204A (ja) * 2018-03-27 2018-06-14 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN115755472A (zh) * 2022-11-29 2023-03-07 惠科股份有限公司 阵列基板、液晶显示面板及驱动方法、液晶显示装置
CN115755472B (zh) * 2022-11-29 2023-11-14 惠科股份有限公司 阵列基板、液晶显示面板及驱动方法、液晶显示装置

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