CN1790140A - 薄膜晶体管阵列面板及其修理方法 - Google Patents

薄膜晶体管阵列面板及其修理方法 Download PDF

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CN1790140A
CN1790140A CNA2005101314702A CN200510131470A CN1790140A CN 1790140 A CN1790140 A CN 1790140A CN A2005101314702 A CNA2005101314702 A CN A2005101314702A CN 200510131470 A CN200510131470 A CN 200510131470A CN 1790140 A CN1790140 A CN 1790140A
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金贤昱
李准宇
郑东勋
严允成
柳在镇
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Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其修理方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括：栅线；数据线，与栅线相交；薄膜晶体管，连接到栅线和数据线且具有漏电极；像素电极，包括至少一个连接到薄膜晶体管的漏电极的第一子像素电极和电容性耦接到第一子像素电极的第二子像素电极。根据本发明的一个实施例的修理方法包括：从薄膜晶体管断开至少一个第二像素电极和至少一个第一像素电极。

Description

薄膜晶体管阵列面板及其修理方法
技术领域
本发明总体涉及一种液晶显示器。更具体而言，本发明涉及薄膜晶体管阵列面板及其修理方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。LCD包括设置有比如像素电极和公共电极的场产生电极的两个面板，和在两个面板之间夹置的液晶(LC)层。LCD通过将电压施加到场产生电极来显示图像，于是在LC层中诱发了电场，该电场决定在LC层中LC分子的取向来调整入射光的偏振。
在LCD中，垂直配向(VA)模式LCD由于其高对比率和宽基准视角是优选的，垂直配向(VA)模式排列LC分子使得在没有电场时LC分子的长轴垂直于面板。
通过在场产生电极中使用切口(cutout)及在场产生电极上使用突出(protrusion)，从而可以实现宽视角。因为这些切口和突出可以决定LC分子的倾斜方向，通过使用切口和突出从而可以将倾斜方向分布在几个方向上，从而加宽了基准视角。
但是，如此的LCD面板并非没有缺点。例如，VA模式LCD具有与正面可见度相比的差的横向可见度，且可以具有比如白缺陷的缺陷，或持续闪烁亮白的像素，使LCD面板的图像分散。
发明内容
在本发明的一个实施例中，提供了一种薄膜晶体管阵列面板的修理方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅线；数据线，与栅线相交；薄膜晶体管，连接到栅线和数据线且具有漏电极；像素电极，包括至少一个连接到薄膜晶体管的漏电极的第一子像素电极和电容性耦接到第一子像素电极的第二子像素电极。根据本发明的一个实施例的修理方法包括：从薄膜晶体管断开至少一个第二像素电极和至少一个第一像素电极。
根据本发明的另一实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：栅线；数据线，与栅线相交；薄膜晶体管，连接到栅线和数据线且具有漏电极；像素电极，包括至少一个连接到薄膜晶体管的漏电极的第一子像素电极和电容性耦接到第一子像素电极的第二子像素电极，其中像素电极具有用于将像素电极划分为至少两个分区的切口，该切口与漏电极重叠，且该切口的宽度在该重叠处较大。
附图说明
参考附图，通过详细描述其实施例，本发明将变得更加显见，在附图中：
图1是根据本发明的实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图；
图2是根据本发明的实施例的LCD的公共电极面板的布局图；
图3是包括图1所示的TFT阵列面板和图2所示的公共电极面板的LCd的布局图；
图4是沿线IV-IV’所取的图3所示的LCD的截面图；
图5是图1-4所示的LCD的等效电路图；
图6是根据本发明的另一实施例的LCD的布局图；
图7是沿线VII-VII’所取的图6所示的LCD的截面图；
图8是沿线IV-IV’所取的图3所示的LCD的截面图；
图9是根据本发明的另一实施例的LCD的布局图。
具体实施方式
现将参考附图在其后更加全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施例。但是，本发明可以实现为许多的不同的形式且不应解释为限于这里阐述的实施例。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜和区域的厚度。通篇相似的标号指示相似的元件。可以理解当比如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上或可以还存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间元件。
参考图1-5将详细描述根据本发明的实施例的LCD。
图1是根据本发明的实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图。图2是根据本发明的实施例的LCD的公共电极面板的布局图。图3是包括图1所示的TFT阵列面板和图2所示的公共电极面板的LCD的布局图。图4是沿线IV-IV’所取的图3所示的LCD的截面图，且图5是图1-4所示的LCD的等效电路图。
参考图1-4，根据本发明的实施例的LCD包括TFT阵列面板100、公共电极面板200和夹置在面板100和200之间的LC层。
参考图1、3和4，现详细描述TFT阵列面板100。
多个栅导体包括多条栅线121、多条存储电极线131和多个电容电极136，该多个栅导体形成于比如透明玻璃或塑料的绝缘基板110上。
栅线121传输栅信号且基本沿横向延伸。每条栅线121包括向上突起的多个栅电极124和具有用于与另一层或外部的驱动电路接触的大面积的端部分129。产生栅信号的栅驱动电路(未示出)可以安装在柔性印刷电路(FPC)膜(未示出)上，该FPC可以附着到基板110、直接安装在基板110上或集成到基板110之上。栅线121可以延伸以连接到驱动电路，而所述驱动电路可以集成在基板110上。
存储电极131提供有预定的电压，且每个存储电极131包括一对基本沿平行于栅线121延伸的下主干131a1和上主干131a2。每条存储电极线131设置于两个相邻的栅线121之间，且下、上主干131a1和131a2设置分别接近两个相邻的栅线121中的下、上栅线。下、上主干131a1和131a2分别包括向上、向下扩展的下、上存储电极137a1和137a2。但是，存储电极线131可以具有各种形状和设置。
每个电容电极136是平行于栅线121延长的矩形，且从栅线121和存储电极线131分开。每个电容电极136设置于一对下、上存储电极137a1和137a2之间，并且距下、上存储电极137a1和137a2和距相邻两条栅线121基本等距离。每个电容电极136包括漏斗状的左端部分，其具有与栅线121形成约45度的倾斜的边缘。
栅导体121、131和136优选地由金属制成，所述金属例如是比如Al和Al合金的含Al金属、比如Ag和Ag合金的含Ag金属、比如Cu和Cu合金的含Cu金属、比如Mo和Mo合金的含Mo金属、Cr、Ta或Ti。但是，它们可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同物理特性的两个导电膜(未示出)。两个膜之一优选地由低电阻率金属制成，所述金属包括含Al金属、含Ag金属和含Cu金属，以用于减小信号延迟或电压降。其他的膜优选地由比如含Mo金属、Cr、Ta或Ti的材料制成，所述金属具有与比如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其他材料具有好物理、化学和电接触特性。两个膜的组合的好的实例是下Cr膜和上Al(合金)膜以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。但是，栅导体121、131和136可以由各种金属或导体制成。
栅导体121、131和136的横侧面相对于基板110的表面倾斜，且其倾斜角范围在约30-80度。
栅绝缘层140优选地由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成，且形成于栅导体121、131和136上。
多个半导体岛154优选地由氢化非晶硅(简称“a-Si”)或多晶硅制成，且形成于栅绝缘层140上。半导体岛154设置于栅电极124上且包括覆盖栅线121的边缘的扩展部。多个其他的半导体岛(未示出)可以设置于存储电极线131上。
多个欧姆接触岛163和165形成于半导体条154上。欧姆接触163和165优选地由用比如磷的n型杂质重掺杂的n+氢化a-Si制成，或它们可以由硅化物制成。欧姆接触163和165成对地位于半导体岛154上。
半导体岛154与欧姆接触163和165的横侧面相对于基板110的表面倾斜，且其倾斜角优选地在约30-80度的范围中。
多个数据导体包括多条数据线171和多个漏电极175，且该多个数据导体形成于欧姆接触163和165与栅绝缘层140上。
数据线171传输数据信号且基本沿纵向延伸与栅线121和存储电极线131相交。每条数据线171包括向栅电极124突出的多个源电极173和具有用于与另一层或外部的驱动电路接触的大面积的端部分179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可以安装在FPC膜(未示出)上，所述FPC膜可以被附着到基板110、直接安装到基板110上或集成到基板110上。数据线171可以延伸来连接到驱动电路，所述驱动电路可以被集成到基板110上。
每个漏电极175从数据线171分开且包括端部分，所述端部分设置来相关于栅电极124与源电极173相对。该端部分由类似于字母U弯曲的源电极173部分地围绕。
每个漏电极175还包括下、上和中扩展部177a1、177a2和176以及连接扩展部177a1、177a2和176的一对互连178a1和178a2。每个扩展部177a1、177a2和176是平行于栅线121延长的矩形，且互连178a1和178a2在接近扩展部177a1、177a2和176的左侧连接其且基本平行于171延伸。
下、上电极177a1和177a2分别与下、上存储电极137a1和137a2重叠。
中心扩展部176与电容电极136重叠且其被称为“耦接电极”。耦接电极176具有过孔176H，过孔176H在接近左端部分暴露栅绝缘层140的顶表面且其具有与电容电极136几乎相同的形状。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体岛154一起形成TFT，该TFT具有形成于设置于源电极173和漏电极175之间的半导体岛154中的沟道。
数据导体171和175优选地由比如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金的难熔金属制成。但是，它们可以具有多层结构，该多层结构包括难熔金属膜(未示出)和低电阻率膜(未示出)。多层结构的好的实例为双层结构和三层结构，所述双层结构包括下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜，三层结构包括下Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜以及上Mo(合金)膜。但是，数据导体171和175可以由各种金属或导体制成。
数据导体171和175具有倾斜的边缘轮廓，且其倾斜角的范围在约30-80度内。
欧姆接触163和165仅夹置在下面的半导体岛154和上面于其上的数据导体171和175之间，且减小了它们之间的接触电阻。设置于栅线121的边缘上的半导体岛154的扩展部平滑了表面的轮廓，以防止该处的数据线171的断开。半导体岛151包括某些暴露的部分，其没有被数据导体171和175覆盖，比如位于源电极173和漏电极165之间的部分。
钝化层180形成于数据导体171和175以及半导体岛154的暴露的部分上。钝化层180优选地由无机或有机绝缘体制成，且可以具有平的表面。无机绝缘体的实例包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以具有光敏性且优选地具有小于约4.0的介电常数。钝化层180可以包括无机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜，从而其具有有机绝缘体的出色的绝缘特性并同时防止了半导体岛154的暴露的部分被有机绝缘体损伤。
钝化层180具有多个暴露数据线171的端部分179的接触孔182和多个分别暴露漏电极175的下、上扩展部177a1和177a2的接触孔185a1和185a2。钝化层180和栅绝缘层140具有多个暴露栅线121的端部分129的接触孔181和多个穿透过孔176H的接触孔186，接触孔186没有暴露耦接电极176而暴露了电容电极136的端部分。接触孔181、182、185a1、185a2和186可以具有倾斜或有台阶的侧壁，其可以通过使用有机材料从而容易地获得。
多个像素电极190、屏蔽电极88和多个接触辅助81和82形成于钝化层180上，它们优选地由比如ITO或IZO的透明导体或比如Ag、Al、Cr或其合金的反射导体制成。
每个像素电极190大致为具有斜切角的矩形，且像素电极190的斜切边缘与栅线121形成约45度的角。像素电极190与栅线121重叠以增加开口率。
每个像素电极190具有下、上间隙93a和93b，其将像素电极190分为下、上和中心子像素电极190a1、190a2和190b。下、上间隙93a和93b从像素电极190的左边缘向右边缘倾斜地延伸，从而中心子像素电极190b是旋转了直角的等腰梯形，而下、上子像素电极190a1和190a2是旋转了直角的直角梯形。下、上间隙93a和93b与栅线121形成约45度的角，且它们彼此垂直。
下、上子像素电极190a1和190a2分别通过接触孔185a1和185a2连接到漏电极175的下、上扩展部177a1和177a2。
中心子像素190b通过接触孔186连接到电容电极136且与耦接电极176重叠。中心子像素电极190b、电容电极136和耦接电极176形成了“耦接电容器”。
中心子像素电极190b具有中心切口91和92，下子像素电极190a1具有下切口94a和95a，上子像素电极190a2具有上切口94b和95b。切口91、92和94a-95b将子像素电极190b、190a1和190a2划分为多个分区。像素电极190具有切口91、92和94a-95以及间隙93a和93b(其后也称为切口)，且基本具有相关于电容电极136的反对称性。
每个下、上切口94a-95b大致从像素电极190的左角、下边缘或上边缘倾斜地延伸到大致像素电极190的右边缘。下、上切口94a-95b与栅线121形成约45度的角，且它们基本彼此垂直延伸。
每个中心切口91和92包括横向部分和一对连接到其的倾斜部分。横向部分沿电容电极136延伸，且倾斜部分从横向部分倾斜地向像素电极190的左边缘延伸，分别平行于下和上切口94a-95b。中心切口91与耦接电极176和电容电极136的漏斗形端部重叠。中心切口92的倾斜部分包括沿互连178a和178b延伸的扩展的端部分。扩展的端部分可以具有大于中心切口92的倾斜部分的其他部分的宽度，且优选的是为了修理，通过中心切口92的倾斜部分的扩展的端部分来暴露互连178a和178b。
切口和分区的数量可以根据以下的设计因素来改变，比如像素电极190的尺寸、像素电极190的横向边缘和纵向边缘的比例、液晶层3的类型和特性等。
屏蔽电极88提供有公共电压，且包括沿数据线171延伸的纵向部分和沿栅线127延伸以连接相邻的纵向部分的横向部分。纵向部分完全覆盖数据线171，尽管每个横向部分位于栅线121的边界内。
屏蔽电极88阻挡了数据线171和像素电极190之间以及数据线171和公共电极270之间的电磁干扰，以减小像素电极190的电压的失真以及由数据线171承载的数据电压的信号延迟。
接触辅助81和82分别通过接触孔181和182连接到栅线121的端部分129和数据线171的端部分179。接触辅助81和82保护端部分129和179且提高了端部分129和179与外部装置之间的粘结性。
参考图2-4在以下描述了公共电极面板200。
光阻挡构件220可以被称为用于防止光泄漏的黑矩阵，其形成于比如透明玻璃或塑料的绝缘基板210上。光阻挡构件220包括多个面对TFT阵列面板100上的数据线171的直线部分，和多个面对TFT阵列面板100的加宽的部分。否则，光阻挡构件220可以具有多个面对像素电极190的开口，且其可以具有与像素电极190基本相同的平面形状。
多个滤色器也可以形成于基板210上且它们基本设置于由光阻挡构件220包围的区域中。滤色器230可以基本沿纵向方向沿像素电极190延伸。滤色器230可以表现比如红、绿和蓝的三原色之一。
覆盖层250形成于滤色器230和光阻挡构件220上。覆盖层250优选地由(有机)绝缘体制成，并防止滤色器230被暴露，而且还提供了平表面。
公共电极270形成于覆盖层250上。公共电极270优选地由比如ITO和IZO的透明导电材料制成，且具有多组切口71、72、73、74a、74b、75a、75b、76a和76b。
一组切口71-76b面对像素电极190且包括中心切口71、72和73、下切口74a、75a和76a以及上切口74b、75b和76b。切口71设置接近接触孔186，且每个切口72-76b设置于像素电极190的相邻的切口91-95b之间或在切口95a或95b和像素电极190的斜切的边缘之间。每个切口71-76b至少具有平行于像素电极190的下切口93a-95a或上切口93b-95b延伸的倾斜部分。每个切口72-75b的倾斜部分具有凹痕，且切口71-76b基本具有相关于电容电极136的反对称性。
每个下、上切口74a-76b包括倾斜部分和一对横向和纵向部分或一对纵向部分。倾斜部分大致从像素电极190的左边缘、下边缘或上边缘延伸到像素电极190的右边缘。横向和纵向部分从倾斜部分各自的端部沿像素电极190的边缘延伸，与像素电极190的边缘重叠且与倾斜部分形成钝角。
每个中心切口71和72包括中心横向部分、一对倾斜部分和一对终端纵向部分，且中心切口73包括一对倾斜部分和一对终端纵向部分。中心横向部分设置接近像素电极190的左边缘或中心，且沿电容电极136延伸。倾斜部分从中心横向部分的端部或大致从像素电极190的右边缘的中心大致延伸到像素电极的左边缘。切口71和72的倾斜部分与中心横向部分形成倾斜的角度。终端纵向部分从各倾斜部分的端部沿像素电极190的左边缘延伸，与像素电极190的左边缘重叠，且与各自的倾斜部分形成钝角。
切口71-76b的数量还可以根据设计因素来改变，且光阻挡构件220可以与切口71-76b重叠来阻挡通过切口71-76b的光泄漏。
配向层11和21可以是同向扭转的，且涂布于面板100和200的内表面上，且偏振器12和22设置于面板100和200的外表面上，从而它们的偏振轴可以相交叉，且偏振轴之一可以平行于栅线121。当LCD是反射LCD时，可以省略偏振器12和22之一。
LCD可以还包括至少一个延迟膜(未示出)，用于补偿LC层3的延迟。该延迟膜具有双折射且给出与LC层3给出的相反的延迟。
LCD还包括背光单元(未示出)，其将光通过偏振器12和22、延迟膜以及面板100和200提供到LC层3。
优选地，LC层3具有负性介电各向异性，LC层3中的LC分子排列来使得在没有电场时它们的长轴基本垂直于面板100和200的表面。因此，入射光不能通过交叉的偏振系统12和22。
比如存储电极线131、电容电极136以及漏电极175的扩展部177a1、177a2和176与互连178a1和178a2的不透明构件以及比如具有开口91-95b与71-76b的像素电极190的透明构件关于电容电极136对称设置，并且电容电极136与相邻的栅线121等距。此刻，因为互连178a1和178a2设置得接近像素电极190的边缘，所以它们不会减小光透射区域，但阻挡了在光透射区域附近产生的纹理。
可将图1-4所示的LCD表示为图5中的等效电路。
参考图5，LCD的像素包括TFT Q、包括第一LC电容器CLCa和存储电容器CST的第一子像素、包括第二LC电容器CLCb和耦接电容器CCP的第二子像素。
第一LC电容器CLCa包括作为一个端子的下、上子像素电极190a1和190a2，作为另一端子的公共电极270的适当的部分，和作为介电体的设置于它们之间的部分的LC层3。相似地，第二LC电容器CLCb包括作为一个端子的中心子像素电极190b，作为另一端子的公共电极270的适当的部分，和作为介电体的设置于其上的部分的LC层3。
存储电容器CST包括作为一个端子的漏电极175的下、上扩展部177a1和177a2，作为另一端子的下、上存储电极137a1和137a2，和作为介电体的设置于它们之间的部分的栅极绝缘层140。耦接电容器CCP包括作为一个端子的中心子像素电极190b和电容电极136，作为另一端子的耦接电极176，和作为介电体的设置于它们之间的部分的钝化层180和栅极绝缘层140。
第一LC电容器CLCa和存储电容器CST并联连接到TFT Q的漏极。耦接电容器CCP连接在TFT Q的漏极和第二LC电容器CLCb之间。向公共电极270提供有公共电压Vcom，且向存储电极线131可以提供有公共电压Vcom。
TFTQ响应来自栅线121的栅信号将数据电压从数据线171施加到第一LC电容器CLCa和耦接电容器CCP，且耦接电容器CCP将幅度改变的数据电压传输到第二LC电容器CLCb。
如果存储电极线131提供有公共电压Vcom，且每个电容器CLCa、CST、CLCb、CCP及其电容用相同的参考符号指示，那么横跨第二LC电容器CLCb的电压Vb由以下等式给出：
Vb＝Va×[CCP/(CCP+CLCb)]
其中，Va指示第一LC电容器CLCa的电压。
因为CCP/(CCP+CLCb)项小于1，所以第二LC电容器CLCb的电压Vb大于第一LC电容器CLCa的电压。当存储电极线131的电压不等于公共电压Vcom时，该不等式也可以成立。
当横跨第一LC电容器CLCa或第二LC电容器CLCa产生电势差时，在LC层3中产生基本垂直于面板100和200的表面的电场。因此，下面，像素电极190和公共电极270被统称为场产生电极。当产生该基本垂直的电场时，LC层3中的LC分子响应电场倾斜，从而它们的长轴垂直于场方向。LC分子的倾斜角决定了入射到LC层3上的光的偏振的变化，且该光偏振的变化被转化为偏振器12和22的透光率的变化。以该方法，LCD显示图像。
LC分子的倾角取决于电场的强度。因为第一LC电容器CLCa的电压Va和第二LC电容器CLCb的电压Vb彼此不同，所以在第一子像素中的LC分子的倾斜方向不同于在第二子像素中的LC分子的倾斜方向，因此两个子像素的亮度不同。因此，在将两个子像素的平均亮度维持在目标的亮度的情况下，可以调整第一和第二子像素的电压Va和Vb，使得从侧面观看的图像接近从前面观看的图像，由此改善了横向可见度。
通过改变耦接电容器CCP的电容，可以调整电压Va和Vb的比例。通过改变耦接电极176和中心子像素电极190b(和电容电极136)之间的重叠面积和距离，可以改变该耦接电容CCP。例如，当去除电容电极136并将耦接电极176移动到电容电极136的位置时，耦接电极176和中心子像素电极190b之间的距离变大。优选地，第二LC电容器CLCb的电压Vb是从第一LC电容器CLCa的电压Va的0.6到0.8倍。
在第二LC电容器CLCb中充电的电压Vb可以大于第一LC电容器CLCa的电压Va。这可以通过采用比如公共电压Vcom的预定的电压来预充电第二LC电容器CLCb来实现。
第一子像素的下、上子像素电极190a1和190a2与第二子像素的中心子像素电极190b的比例优选地从约1∶0.85到约1∶1.15，且可以改变每个LC电容器CLCa和CLCb中的子像素电极的数量。
通过由扭曲电场的场产生电极190和270的切口91-95b和71-76b以及像素电极190的倾斜边缘产生的水平电压组分来决定LC分子的倾斜方向，所述电场基本垂直于切口91-95b和71-76b的边缘和像素电极190的倾斜边缘。参考图3，一组切口91-95b和71-76b将像素电极190分为多个子区域，所述子区域每个具有两个主边缘。因为每个子区域上的LC分子垂直于主边缘倾斜，所以倾斜方向的方位角分布被限于四个方向，由此增加了LCD的基准视角。
另外，当对于上述的四个倾斜方向可以传输光的区域相同时，对于各种观看方向可见度变得更好。因为倾斜构件对称设置，所以如上所述，透射区域的调整是容易的。
如上，切口72-75b中的凹痕决定了切口72-75b上的LC分子的倾斜方向，且它们可以设置在切口91-95b并可以具有各种形状和设置。
本领域的普通技术人员将观察到，可以改变用于决定LC分子的倾斜角的切口91-95b和71-76b的形状和设置，且切口91-95b和71-76b的至少之一可以用突出(未示出)或凹陷(未示出)来取代，并同时仍获得期望的结果。突出优选地由有机或无机材料制成，且设置于场产生电极190或270上或下。
同时，因为在屏蔽电极88和公共电极270之间不存在电场，所以屏蔽电极88上的LC分子保持了它们的初始取向，阻挡了入射光入射。因此，屏蔽电极88可以充当光阻挡构件，且可以省略光阻挡构件220。
在该构造中，假设如图3所示将电容电极136或中心子像素电极190b在点S处与漏电极175的耦接电极176短路。然后，中心子像素电极190b从漏电极175提供有与下、上子像素电极190a1和190a2相同的电压，从而该像素比其目标亮度和相邻的像素更亮。该结果是被称为“白缺陷”的像素，其产生了经常明显可见的白点(且对于低灰度更明显)。
为了修理该白缺陷，将互连178a2切割以将上子像素电极190a2从漏电极175断开，或将互连178a1切割以将上子像素电极190a2和耦接电极176从漏电极175断开，否则，将漏电极175的窄端部分切割以将下、上子像素电极190a1和190a2以及耦接电极176从TFT断开。然后，第一子像素的断开的部分具有零电压，产生“暗点”。相似地，第二子像素损失了由电容耦合导致的电压，也产生了暗点，从而像素变得更暗且被识别的可能性更小。
图3示出了对于上述三种情形的切割位置A、B和C。通过激光束可以执行该切割，且切割点A和B位于中心切口92的宽端部分中，用于防止互连178a2和178a1与中心子像素电极190b之间的短路。切割点A或B是优选地使得被修理的像素的亮度接近目标亮度。
换言之，虽然有缺陷的像素的所有或某些部分可以在修理之后变暗，但是优选的是该暗部分仅限于像素的一部分，而不是所有像素，从而对于缺陷的修理被识别的可能性更小。
在修理白缺陷的另一方法中，可以将漏电极175的所有或某些部分可能于存储电极线131短路，其从TFT或漏电极175断开或不断开所述部分。
将参考图6和7详细描述根据本发明的另一实施例的LCD。
图6是根据本发明的另一实施例的LCD的布局图，且图7是沿线VII-VII’所取的图6所示的LCD的截面图。
参考图6和7，根据本实施例的LCD还包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、夹置在面板100和200之间的LC层3，以及贴附到面板100和200的外表面上的一对偏振器12和22。
根据本实施例的面板100和200的分层结构与图1-4所示的分层结构几乎相同。
对于TFT阵列面板100，多条包括栅电极124和端部分129的栅线121、多条包括主干131a1和131a2以及存储电极137a1和137a2的存储电极线131以及多个电容电极136形成于基板110上。栅绝缘层140、多个半导体154和多个欧姆接触163和165依次形成于栅线121和存储电极线131上。多条包括源电极173和端部分179的数据线171以及多个包括扩展部177a、177a2和176和互连178a1和178a2的漏电极175形成于欧姆接触163和165上。钝化层180形成于数据线171、漏电极175和半导体154暴露的部分上。多个接触孔181、182、185a1、185a2和186设置于钝化层180和栅绝缘层140，且接触孔186穿过设置于漏电极175的扩展部176的过孔176H。多个包括子像素电极190a1、190a2和190b且具有切口91-95b的像素电极190、屏蔽电极88和多个接触辅助81和82形成于钝化层180上，且配向层11涂布于其上。
对于公共电极面板200，光阻挡构件220、多个滤色器230、覆盖层250、具有切口71-76b的公共电极270以及配向层21形成于绝缘基板210上。
与图1-4所示的LCD不同，根据该实施例的TFT阵列面板100的半导体154和欧姆接触163沿数据线171延伸以形成半导体条151和欧姆接触条161。另外，半导体条151具有与数据线171和漏电极175以及下面的欧姆接触163和165几乎相同的平面形状。但是，半导体154包括一些没有被数据线171和漏电极175覆盖的暴露的部分，比如位于源电极173和漏电极175之间的部分。
根据一个实施例的TFT阵列面板的制造方法使用一个光刻步骤同时形成数据线171和漏电极175、半导体151以及欧姆接触161和165。
用于光刻工艺的光致抗蚀剂掩模图案具有位置相关的厚度，且更具体而言具有厚部分和薄部分。厚部分位于将被数据线171和漏电极175占据的布线区上，且薄部分位于TFT的沟道区域上。
通过几种技术来获得光致抗蚀剂的位置相关的厚度，例如通过在曝光掩模上设置半透明区以及透明区和光阻挡不透明区。半透明区可以具有狭缝图案、格子图案、以及具有中间透射率或中间厚度的薄膜。当使用狭缝图案时，优选的是狭缝的宽度或狭缝之间的距离小于用于光刻的曝光器的分辨率。另一技术可以使用可回流光致抗蚀剂。具体而言，一旦(通过使用具有透明区和不透明区的常规的曝光掩模)形成了由可回流材料制成的光致抗蚀剂图案时，其进行回流工艺以将光致抗蚀剂流到没有光致抗蚀剂的区域上，由此形成了具有薄部分的曝光掩模。
因此，通过省略光刻步骤从而简化了制造工艺。
如图1-4所示的LCD的上述许多特征可以适于图6和7所示的LCD。
将参考图8详细描述根据本发明的另一实施例的LCD。
图8是沿线IV-IV’所取的图3所示的LCD的截面图。
参考图8，根据本实施例的LCD还包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、夹置在面板100和200之间的LC层3，以及贴附到面板100和200的外表面上的一对偏振器12和22。
根据本实施例的面板100和200的分层结构在许多方面与图1-4所示的分层结构相同。
对于TFT阵列面板100，多条包括栅电极124和端部分129的栅线121、多条包括主干131a1和131a2以及存储电极137a1和137a2的存储电极线131以及多个电容电极136形成于基板110上。栅绝缘层140、多个半导体154和多个欧姆接触163和165依次形成于栅线121和存储电极线131上。多个包括源电极173和端部分179的数据线171以及多个包括扩展部177a、177a2和176和互连178a1和178a2的漏电极175形成于欧姆接触163和165以及栅绝缘层140上。钝化层180形成于数据线171、漏电极175和半导体154暴露的部分上。多个接触孔181、182、185a1、185a2和186设置于钝化层180和栅绝缘层140，且接触孔186穿过设置于漏电极175的扩展部176的过孔176H。多个包括子像素电极190a1、190a2和190b且具有切口91-95b的像素电极190、屏蔽电极88和多个接触辅助81和82形成于钝化层180上，且配向层11涂布于其上。
对于公共电极面板200，光阻挡构件220、覆盖层250、具有切口71-76b的公共电极270以及配向层21形成于绝缘基板210上。
与图1-4所示的LCD不同，该TFT阵列面板100包括多个设置于钝化层180下的滤色器230，而且公共电极面板200没有滤色器。在该情形，从公共电极面板200去除覆盖层250。
滤色器230设置于两个相邻的数据线171之间，且它们具有多个过孔235和236，接触孔185和186分别通过所述过孔。滤色器230没有设置在设置有信号线121和171的端部分129和179的周边区域上。
滤色器230可以沿纵向延伸来形成条，相邻的两个滤色器230的边缘可以在数据线171上彼此严密地匹配。但是，滤色器230可以彼此重叠来阻挡在像素电极190之间的光泄漏，或可以从彼此分开。当滤色器230彼此重叠时，可以省略光阻挡构件220的线性部分。且在该情形，屏蔽电极88可以覆盖滤色器230的边缘。滤色器230的重叠部分可以具有减小的厚度以减小高度差。
滤色器230可以设置于钝化层180上，或可以省略钝化层180。
许多图1-4所示的LCD的上述的特征可以适于图8所示的LCD。
将参考图9详细描述根据本发明的另一实施例的LCD。
图9是根据本发明的另一实施例的LCD的布局图。
根据本实施例的分层结构与图1-4所示的分层结构几乎相同，且由此未示出其截面图。
根据本实施例的LCD还包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、夹置在所述面板之间的LC层3，以及贴附到面板100和200的外表面上的一对偏振器12和22。
对于TFT阵列面板100，多条包括栅电极124和端部分129的栅线121、多条包括存储电极137的存储电极线131以及多个电容电极136形成于基板110上。栅绝缘层140、多个半导体154和多个欧姆接触163和165依次形成于栅线121和存储电极线131上。多条包括源电极173和端部分179的数据线171、多个包括扩展部177的漏电极175以及耦接电极16形成于欧姆接触163和165以及栅绝缘层140上。钝化层180形成于数据线171、漏电极175和半导体154暴露的部分上。多个接触孔181、182、185a1、185a2和186设置于钝化层180和栅绝缘层140。多个包括子像素电极190a1、190a2和190b且具有切口97-98b的像素电极190和多个接触辅助81和82形成于钝化层180上，且配向层11涂布于其上。
对于公共电极面板200，光阻挡构件220、覆盖层250、具有切口77-78b的公共电极270以及配向层21形成于绝缘基板210上。
与图1-4所示的LCD不同，根据本实施例的TFT阵列面板100的每个存储电极131仅具有设置得接近于下栅线121的一个主干，且由此像素仅包括一个存储电极137。每个电容电极136平行于数据线171延长且包括向右突出的突出部139。每个漏电极175包括一个与存储电极137重叠的扩展部177、一个平行于数据线171且与电容电极136重叠的耦接电极176、以及连接扩展部177和耦接电极176的互连178。但是，电容电极136的突出139没有被耦接电极176覆盖，且其被接触孔186暴露。接触孔185a1和185a2暴露耦接电极176的端部分。
半导体154和欧姆接触163沿数据线171延伸来形成半导体条151和欧姆接触条161。
每个像素电极190仅包括三个切口97-98b且由切口98a和98b划分为子像素电极190a1、190a2和190b。切口97在横向延伸且具有自像素电极190的右边缘的入口，其具有一对分别基本平行于下切口92a和上切口92b的倾斜边缘。
相似地，公共电极270的切口组77-78b仅包括三个切口，中心切口77、下切口78a和上切口78b。切口78a重叠互连178，互连178可以阻挡在切口78a上的光泄漏。
许多图1-4所示的LCD的上述的特征可以适于图9所示的LCD。
虽然已经参考优选实施例详细描述了本发明，但是本领域的技术人员可以理解，在不脱离在权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下可以做出各种修改和替换。

Claims (18)

1、一种修理薄膜晶体管阵列面板的方法，所述薄膜晶体管阵列面板包括：栅线；数据线，与所述栅线相交；薄膜晶体管，连接到所述栅线和数据线且具有漏电极；像素电极，包括至少一个连接到所述薄膜晶体管的漏电极的第一子像素电极和电容性耦接到所述第一子像素电极的第二子像素电极，所述方法包括：
从所述薄膜晶体管断开所述第二像素电极或所述至少一个第一像素电极。
2、如权利要求1所述的方法，其中，所述像素电极具有与所述漏电极的部分重叠的切口，且其中，所述断开还包括：
切割所述漏电极的重叠部分。
3、如权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个第一子像素电极包括第三子像素电极和第四子像素电极，且其中，所述断开还包括：
从所述薄膜晶体管断开所述第三子像素电极和第四子像素电极之一。
4、如权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个第一子像素电极包括第三子像素电极和第四子像素电极，且其中，所述断开还包括：
从所述薄膜晶体管断开所述第二子像素电极以及所述第三子像素电极和第四子像素电极之一。
5、如权利要求2所述的方法，其中，所述断开还包括：
断开所述至少一个第一子像素电极和所述第二子像素电极。
6、如权利要求2所述的方法，其中，所述薄膜晶体管阵列面板还包括与所述像素电极或所述漏电极重叠的存储电极，且其中，所述方法还包括：
将所述像素电极的断开的部分连接到所述存储电极。
7、一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
栅线；
数据线，与所述栅线相交；
薄膜晶体管，连接到所述栅线和数据线且包括漏电极；和
像素电极，包括至少一个连接到所述薄膜晶体管的漏电极的第一子像素电极和电容性耦接到所述第一子像素电极的第二子像素电极，
其中，所述像素电极具有用于将像素电极划分为至少两个分区的切口，所述切口具有与所述漏电极重叠的部分，其中，所述重叠部分的宽度大于所述切口的其他部分的宽度。
8、如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述至少一个第一子像素电极包括设置于所述第二子像素电极相对侧的第三子像素电极和第四子像素电极。
9、如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述漏电极包括分别连接到所述第三子像素电极和第四子像素电极的第一扩展部和第二扩展部。
10、如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括与所述第一扩展部和第二扩展部分别重叠的第一存储电极和第二存储电极。
11、如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一存储电极和第二存储电极设置得基本相对于大致二均分所述像素电极的基准线对称且大致平行于所述栅线。
12、如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第三子像素电极和第四子像素电极设置得基本相对于所述基准线对称。
13、如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述漏电极还包括连接到所述第一扩展部和第二扩展部的互连。
14、如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述互连设置得接近所述数据线。
15、如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述漏电极还包括与所述第二子像素电极重叠的耦接电极。
16、如权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括连接到所述第二子像素电极且与所述耦接电极重叠的电容电极。
17、如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括从所述像素电极分开且与所述数据线或栅线至少部分重叠的屏蔽电极。
18、如权利要求17所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述像素电极和所述屏蔽电极在同一层内制造。
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