CN108008582A - 一种tft阵列基板、制作方法以及液晶显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面。本发明还公开了相应的制作方法及液晶显示面板。实施本发明实施例，可以减小TFT阵列基板表面过孔的高度差，提高配向膜厚度均匀性，以及平整度，以提高液晶显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种TFT阵列基板、制作方法以及液晶显示面板。
背景技术
由于液晶显示器（ Liquid Crystal Display，LCD ）具有工艺成熟，成本较低，可以实现高像素密度（Pixels Per Inch，PPI）及窄边框的优点，具有极大的市场竞争优势。
在现有的TFT-LCD 制程中， 配向膜PI（Polyimine，聚酰亚胺）制程主要为在TFT阵列基板一侧使用PI液涂布工程，使得液晶分子能沿特定方向取向排列，例如可以采用滴落（drop）以及狭缝式涂布（Slit Coating）等涂布方式进行PI液的涂布。
如图1所示，示出了现有的一种液晶显示装置的TFT阵列基板的示意图；从中可以看出，PI膜层18’设置于钝化层16’上，由于在钝化层16’上设置有过孔14’，故其表面存在较大的设计高度差；而因为这些高度差，故使在涂布PI液形成PI膜层时，会产生涂布不均的现象，如在过孔14’处，PI膜层的厚度与其他地方的厚度存在不同，且不够平坦。这样进而会引发TFT-LCD 显示面板的点灯画面不均匀状况出现。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种TFT阵列基板、制作方法以及液晶显示面板，可以减小TFT阵列基板表面过孔的高度差，提高配向膜厚度均匀性，以及平整度，以提高液晶显示面板的显示效果。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供一种TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面。
其中，所述TFT阵列基板包括：
所述衬底基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极；
钝化层，设置于所述薄膜晶体管层上，具有至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极；
一像素电极，设置于所述钝化层上且向所述过孔延伸，以与所述源极电性连接；
一配向层，覆盖所述钝化层以及像素电极。
其中，所述至少一个过孔包括设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔，以及设置所述源极之上的第二过孔，在所述第二过孔中，所述像素电极层与所述源极电连接。
其中，所述支撑物为柱状，其采用与所述钝化层相同的材料制成。
其中，所述像素电极的厚度小于300A，所述钝化层106的厚度处于1000A~2000A之间。
相应地，本发明还提供一种液晶显示面板，其包括相对设置的TFT阵列基板、CF基板以及在所述TFT阵列基板和CF基板中间的液晶层，其中：
在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑所述CF基板的下表面。
其中，所述TFT阵列基板包括：
所述衬底基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极；
钝化层，设置于所述薄膜晶体管层上，具有至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极；
一像素电极，设置于所述钝化层上且向所述过孔延伸，以与所述源极电性连接；
一配向层，覆盖所述钝化层以及像素电极。
其中，所述至少一个过孔包括设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔，以及设置所述源极之上的第二过孔，在所述第二过孔中，所述像素电极层与所述源极电连接。
相应地，本发明还提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤:
在TFT阵列基板的衬底基板形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极；
在所述薄膜晶体管层上形成钝化层，在所述纯化层上形成至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极；
在所述钝化层上形成一像素电极，所述像素电极向所述过孔延伸，并与所述源极电性连接；
在所述至少一个过孔中设置有支撑物，且所述支撑物上端具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面；
在所述钝化层以及像素电极上制作配向层。
其中，在所述纯化层上形成至少一个过孔的步骤具体包括：
在所述纯化层上形成形成设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔，以及形成设置所述源极之上的第二过孔，在所述第二过孔中，所述像素电极层与所述源极电连接。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明提供的TFT阵列基板、制作方法及液晶显示面板，通过将支撑物设置于TFT阵列基板的过孔中，然后制作配向层，由于所述支撑物的下部分可以占据所述过孔的空间，从而可以减小TFT阵列基板表面过孔的高度差，提高配向膜厚度均匀性，以及平整度，进而减轻TFT-LCD液晶面板的点灯画面不均匀状况产生，从而提高液晶显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是现有技术中液晶显示装置的TFT阵列基板的示意图；
图2是本发明提供的一种液晶显示面板的一个实施例的结构示意图；
图3是本发明提供的一种液晶显示面板的另一个实施例的结构示意图；
图4是本发明提供的一种液晶显示面板制作方法的一个实施例的主流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
如图2所示，是本发明提供的一种液晶显示面板的一个实施例的结构示意图。在该实施例中，该液晶显示装置至少包括一个液晶盒，其中，所述液晶盒包括相对设置的TFT阵列基板10、CF基板16以及在所述TFT阵列基板10和CF基板16中间的液晶层13；
其中，在所述TFT阵列基板10上至少设置有衬底基板100、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层106及像素电极层107，在所述钝化层上形成有至少一个过孔12、14；在所述过孔中设置有支撑物15，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑所述CF基板16的下表面，在一个例子中，所述支撑物为柱状，其采用与所述钝化层106相同的材料制成，例如，可以是树脂材料；
具体地，所述TFT阵列基板10包括：
所述衬底基板100，其可以为玻璃材质的基板或PI（聚酰亚胺）材质的基板；
薄膜晶体管层，设置于所述衬底基板100之上，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极101、一栅极绝缘层102、一有源层103、一源极104及一漏极105，其中有源层103可以采用诸如非晶硅、IGZO或多晶硅材料，所述栅极101、源极104及一漏极105均为金属层，所述栅极绝缘层102可以采用诸如SiNx或SiOx材料；可以理解的是，上述的“之上”指靠近液晶层13的一侧；
钝化层106，设置于所述薄膜晶体管层上，具有至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元的源极104；具体，所述至少一个过孔包括设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔12，以及设置所述源极104之上的第二过孔14；
一像素电极107，设置于所述钝化层106上且向所述第二过孔14延伸，在所述第二过孔14中，所述像素电极层107与所述源极104电连接，所述像素电极107可以为金属氧化物薄膜，如ITO；
一配向层108，覆盖所述钝化层106以及像素电极107，在一个例子中，所述配向层108厚度处于10~100um之间。
其中，所述CF基板16包括：
衬底基板160，其可以为玻璃材质的基板或PI（聚酰亚胺）材质的基板；
黑矩阵层161，设置于所述CF基板16的衬底基板160下侧，正对TFT阵列基板10中的薄膜晶体管单元，可以理解的是，其中，“下侧”靠近液晶层13的一侧；
彩色滤光片层162，设置于所述黑矩阵层161下侧,其具体包括红色滤光片、蓝色滤光片以及绿色滤光片；
公共电极层163，设置于所述彩色滤光片层162下侧，其可以为ITO（铟锡氧化物）材料；
保护层164，设置于所述公共电极层163下侧。
如图3所示，示出了是本发明提供的一种液晶显示面板的另一个实施例的结构示意图，在该实施例中，其与图2中示出的实施例中结构的区别在于，其中支撑物15的形状有所改变，其为纵截面为倒梯形的柱体，这样，其下端可以更好地充满所述第一过孔12和第二过孔。同样，在其他的实施例中，该支撑物15也可以采用不规则的形状。
其他结构可参考前述对图2的描述，在此不进行详述。
可以理解的是，在其他的一些实施例中，也可以通过缩小钝化层106的厚度，从而减少过孔的深度，以及缩小像素电极107的厚度，来缩小设计高度差；同样可以使配向层108更加平整。
具体地，在一些例子中，可以将像素电极107的厚度控制在300A以内；通过减少像素电极107的厚度，可以提高表面的均一性。
同时，在一些实施例中，可以将钝化层106的厚度设置为处于1000A~2000A之间，可以理解的是，需要同时考虑产品的绝缘需求来最终确定钝化层的厚度。
如图4所示，示出了图3是本发明提供的一种液晶显示面板制作方法的一个实施例的主流程示意图，所述方法用于制作图1所示的液晶显示面板。具体地，在本实施例中，所述方法包括如下步骤：
步骤S10，在TFT阵列基板的衬底基板形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极；可以理解的是，形成薄膜晶体管层的具体过程可以参照现有的技术，在此不进行详述；
步骤S11，在所述薄膜晶体管层上形成钝化层，在所述纯化层上形成至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极；在一具实施例中，在所述纯化层上形成形成设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔，以及形成设置所述源极之上的第二过孔，在所述第二过孔中，所述像素电极层与所述源极电连接；
步骤S12，在所述钝化层上形成一像素电极，所述像素电极向所述过孔延伸，并与所述源极电性连接；
步骤S13，在所述至少一个过孔中设置支撑物，且所述支撑物上端具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面；
步骤S14，在所述钝化层以及像素电极上制作配向层。
可以理解的是，在本发明实施例中，通过先在钝化层的过孔中设置支撑物，此时，支撑物的下部分可以占据所述过孔的空间，从而可以减小TFT阵列基板表面过孔的高度差；然后再进行配向层的涂布，从而可以提高配向厚度的南均匀性以及平整度。
同时，在本发明的一些实施例中，在形成配向层之后，仍可以在配向层上布置一些支撑物，以提高支撑效果。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明提供的TFT阵列基板、制作方法及液晶显示面板，通过将支撑物设置于TFT阵列基板的过孔中，然后制作配向层，由于所述支撑物的下部分可以占据所述过孔的空间，从而可以减小TFT阵列基板表面过孔的高度差，提高配向膜厚度均匀性，以及平整度，进而减轻TFT-LCD液晶面板的点灯画面不均匀状况产生，从而提高液晶显示面板的显示效果。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括：
所述衬底基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极；
钝化层，设置于所述薄膜晶体管层上，具有至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极；
一像素电极，设置于所述钝化层上且向所述过孔延伸，以与所述源极电性连接；
一配向层，覆盖所述钝化层以及像素电极。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述至少一个过孔包括设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔，以及设置所述源极之上的第二过孔，在所述第二过孔中，所述像素电极层与所述源极电连接。
4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述支撑物为柱状，其采用与所述钝化层相同的材料制成。
5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的厚度小于300A，所述钝化层106的厚度处于1000A~2000A之间。
6.一种液晶显示面板，其包括相对设置的TFT阵列基板、CF基板以及在所述TFT阵列基板和CF基板中间的液晶层，其特征在于：
在所述TFT阵列基板上至少设置有衬底基板、薄膜晶体管层，以及位于所述薄膜晶体管层上的钝化层及像素电极层，在所述钝化层上形成有至少一个过孔；在所述过孔中设置有支撑物，且所述支撑物具有同一水平面用于支撑所述CF基板的下表面。
7.如权利要求6所述的一种液晶显示面板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括：
所述衬底基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极；
钝化层，设置于所述薄膜晶体管层上，具有至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极；
一像素电极，设置于所述钝化层上且向所述过孔延伸，以与所述源极电性连接；
一配向层，覆盖所述钝化层以及像素电极。
8.如权利要求7所述的一种液晶显示面板，其特征在于，所述至少一个过孔包括设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔，以及设置所述源极之上的第二过孔，在所述第二过孔中，所述像素电极层与所述源极电连接。
9.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:
在TFT阵列基板的衬底基板形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上形成多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管层单元分别包括：一栅极、一栅极绝缘层、一有源层、一源极及一漏极；
在所述薄膜晶体管层上形成钝化层，在所述纯化层上形成至少一个过孔，其中一个过孔显露所述薄膜晶体管单元源极；
在所述钝化层上形成一像素电极，所述像素电极向所述过孔延伸，并与所述源极电性连接；
在所述至少一个过孔中设置有支撑物，且所述支撑物上端具有同一水平面用于支撑与所述TFT阵列基板对盒的CF基板的下表面；
在所述钝化层以及像素电极上制作配向层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述纯化层上形成至少一个过孔的步骤具体包括：
在所述纯化层上形成形成设置于所述薄膜晶体管的沟道之上的第一过孔，以及形成设置所述源极之上的第二过孔，在所述第二过孔中，所述像素电极层与所述源极电连接。
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