CN106200173A - 阵列基板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括：基板；薄膜晶体管，设置于基板上；有机平坦层，覆盖薄膜晶体管，有机平坦层中具有将薄膜晶体管的源极暴露出的通孔，有机平坦层的位于像素区域的部分凸起或凹陷；公共电极层，设置于有机平坦层上；钝化层，覆盖有机平坦层和公共电极层，钝化层填充通孔，钝化层中具有与通孔对应的过孔，过孔将薄膜晶体管的源极暴露出；像素电极，在钝化层上，像素电极填充过孔，以与薄膜晶体管的源极接触。本发明的阵列基板的有机平坦层在像素区的部分凸起或凹陷，使该有机平坦层在像素区内有两个方向的倾斜角度，从而使由该阵列基板制作的液晶面板中的液晶的有效旋转角度更佳，进而增加液晶面板的可视角。

Description

阵列基板及其制作方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体地讲，涉及一种用于液晶面板中且能够增加液晶面板的可视角的阵列基板及其制作方法。
背景技术
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。
目前，作为LCD的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜三极管(a-Si TFT)，但a-SiTFT LCD在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(Lower Temperature Polycrystal Silicon，LTPS)TFT LCD与a-Si TFT LCD相比，在满足上述要求方面，具有明显优势。
然而，在传统的阵列基板的制作过程中，特别是具有IPS(面内开关切换)模式或者具有FFS(边缘电场驱动)模式的阵列基板，会在源漏极制程(即S/D制程)后增加一道有机平坦层的制程，这样可以增加开口率且达到平坦化的效果，但受限于液晶的光学特性影响，利用这样的阵列基板制作成的液晶面板的可视角较小。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的提供了一种能够增加液晶面板的可视角的阵列基板及其制作方法。
根据本发明的一方面，提供了一种阵列基板，其包括：基板；薄膜晶体管，设置于所述基板上；有机平坦层，覆盖所述薄膜晶体管，所述有机平坦层中具有将所述薄膜晶体管的源极暴露出的通孔，所述有机平坦层的位于像素区域的部分凸起或凹陷；公共电极层，设置于所述有机平坦层上；钝化层，覆盖所述有机平坦层和所述公共电极层，所述钝化层填充所述通孔，所述钝化层中具有与所述通孔对应的过孔，所述过孔将所述薄膜晶体管的源极暴露出；像素电极，在所述钝化层上，所述像素电极填充所述过孔，以与所述薄膜晶体管的源极接触。
进一步地，所述公共电极层的与所述有机平坦层的凸起部分或凹陷部分相对的部分相应凸起或凹陷。
进一步地，所述钝化层的与所述有机平坦层的凸起部分或凹陷部分相对的部分相应凸起或凹陷。
进一步地，所述薄膜晶体管包括：遮挡层，设置于所述基板上；第一绝缘层，设置于所述基板上且覆盖所述遮挡层；多晶硅层，设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置于所述第一绝缘层上且覆盖所述多晶硅层；栅极，设置于所述第二绝缘层上；第三绝缘层，设置于所述第二绝缘层上且覆盖所述栅极；漏极，设置于所述第三绝缘层上，所述漏极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以与所述多晶硅层的一端接触；源极，设置于所述第三绝缘层上，所述源极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以与所述多晶硅层的另一端接触。
进一步地，所述多晶硅层的一端包括重掺杂区和轻掺杂区，所述漏极与所述多晶硅层的一端的重掺杂区接触；所述多晶硅层的另一端包括重掺杂区和轻掺杂区，所述源极与所述多晶硅层的另一端的重掺杂区接触。
根据本发明的另一方面，还提供了一种阵列基板的制作方法，其包括：在基板上形成薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管的有机平坦层，所述有机平坦层的位于像素区域的部分凸起或凹陷；在所述有机平坦层中形成将所述薄膜晶体管的源极暴露出的通孔；在所述有机平坦层上形成公共电极层；形成覆盖所述有机平坦层和所述公共电极层且填充所述通孔的钝化层；在所述钝化层中形成与所述通孔对应的过孔，所述过孔将所述薄膜晶体管的源极暴露出；在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极填充所述过孔，以与所述薄膜晶体管的源极接触。
进一步地，形成的所述公共电极层的部分凸起或凹陷，形成的所述公共电极层的部分与所述有机平坦层的凸起部分或凹陷部分相对。
进一步地，形成的所述钝化层的部分凸起或凹陷，形成的所述钝化层的部分与所述有机平坦层的凸起部分或凹陷部分相对。
进一步地，制作所述薄膜晶体管的方法包括：在所述基板上形成遮挡层；在所述基板上形成覆盖所述遮挡层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成多晶硅层；在所述第一绝缘层上形成覆盖所述多晶硅层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的第三绝缘层；在所述第三绝缘层上形成源极和漏极，所述漏极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以与所述多晶硅层的一端接触，所述源极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以与所述多晶硅层的另一端接触。
进一步地，在所述多晶硅层的一端形成重掺杂区和轻掺杂区，所述漏极与所述多晶硅层的一端的重掺杂区接触；在所述多晶硅层的另一端形成重掺杂区和轻掺杂区，所述源极与所述多晶硅层的另一端的重掺杂区接触。
本发明的有益效果：本发明的阵列基板的有机平坦层在像素区的部分凸起或凹陷，使阵列基板的有机平坦层在像素区内有两个方向的微倾斜角度，从而使由该阵列基板制作成的液晶面板中的液晶的有效旋转角度更佳，进而增加了液晶面板的可视角。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1A至图1N示出了根据本发明的第一实施例的阵列基板的制作方法的流程图；
图2A至图2N示出了根据本发明的第二实施例的阵列基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中，为了清楚元件，可以夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终被用于表示相同的元件。
图1A至图1N示出了根据本发明的第一实施例的阵列基板的制作方法的流程图。
首先，参照图1A，在基板10上形成遮挡层20。这里，遮挡层20可以由金属、单晶硅等材料制成。基板10可例如是透明的玻璃基板或者树脂基板。
接着，参照图1B，在基板10上形成覆盖遮挡层20的第一绝缘层30。这里，第一绝缘层30可例如由SiNx、SiOx等绝缘材料制成。第一绝缘层30也常常被称为缓冲层。
接着，参照图1C，在第一绝缘层30上形成多晶硅(p-Si)层40。多晶硅层40的形成方式可例如是：以溅射方式在第一绝缘层30表面形成一非晶硅(a-Si)层，再以退火方式使非晶硅层再结晶。这里，多晶硅层40与遮挡层20正相对。
接着，参照图1D，在多晶硅层40的一端形成第一重掺杂区41a和第一轻掺杂区41b，且在多晶硅层40的另一端形成第二重掺杂区42a和第二轻掺杂区42b。这里，第一重掺杂区41a中注入的离子(诸如磷/砷(P/As)离子)大于第一轻掺杂区41b注入的离子；第二重掺杂区42a中注入的离子大于第二轻掺杂区42b中注入的离子。
接着，参照图1E，在第一绝缘层30上形成覆盖多晶硅层40的第二绝缘层50。这里，第二绝缘层50可例如由SiNx、SiOx等绝缘材料制成。
接着，参照图1F，在第二绝缘层50上形成栅极60。栅极60可例如为钼铝钼(MoAlMo)结构或钛铝钛(TiAlTi)结构等。
接着，参照图1G，在第二绝缘层50上形成覆盖栅极60的第三绝缘层70。这里，第三绝缘层70可例如由SiNx、SiOx等绝缘材料制成。
接着，参照图1H，在第三绝缘层70上形成漏极80a和源极80b；其中，漏极80a贯穿第三绝缘层70和第二绝缘层50之后与多晶硅层40的一端的第一重掺杂区41a接触，而源极80b贯穿第三绝缘层70和第二绝缘层50之后与多晶硅层40的另一端的第二重掺杂区42a接触。漏极80a和源极80b均可例如为钼铝钼(MoAlMo)结构或钛铝钛(TiAlTi)结构等。
以上图1A至图1H为根据本发明的第一实施例的薄膜晶体管的制作过程。
接着，参照图1I，在第三绝缘层70上形成覆盖漏极80a和源极80b的有机平坦层90，该有机平坦层90的位于像素区PX的部分凸起。也就是说，形成的有机平坦层90覆盖薄膜晶体管。这里，有机平坦层90可例如由有机光阻等材料制成。进一步地，有机平坦层90的凸起部分与水平面(即基板10所在平面)之间具有两个方向的倾斜角度。
接着，参照图1J，在有机平坦层90中形成将源极80b暴露出的通孔91。
接着，参照图1K，在有机平坦层90上形成公共电极层100。进一步地，公共电极层100的部分凸起，其中，所述公共电极层100的凸起部分相对于有机平坦层90的凸起部分。这里，公共电极层100可例如由铟锡氧化物(ITO)、锌基氧化物(AZO、BZO等)、铟镓锌氧化物(IGZO)等透明的且导电能力较好的金属氧化物制成。
接着，参照图1L，在有机平坦层90上形成覆盖公共电极层100的钝化层110，该钝化层110将通孔91填满。这里，钝化层110可例如由SiNx、SiOx等绝缘材料制成。进一步地，钝化层110的部分凸起，其中，所述钝化层110的凸起部分相对于有机平坦层90的凸起部分。
接着，参照图1M，在钝化层110中形成将源极80b暴露出的过孔111，该过孔111对应于通孔91。
最后，参照图1N，在钝化层110上形成像素电极120，该像素电极120填充到过孔111中，以与源极80b接触。这里，像素电极120可例如由铟锡氧化物(ITO)、锌基氧化物(AZO、BZO等)、铟镓锌氧化物(IGZO)等透明的且导电能力较好的金属氧化物制成。
图2A至图2N示出了根据本发明的第二实施例的阵列基板的制作方法的流程图。
首先，参照图2A，在基板10上形成遮挡层20。这里，遮挡层20可以由金属、单晶硅等材料制成。基板10可例如是透明的玻璃基板或者树脂基板。
接着，参照图2B，在基板10上形成覆盖遮挡层20的第一绝缘层30。这里，第一绝缘层30可例如由SiNx、SiOx等绝缘材料制成。第一绝缘层30也常常被称为缓冲层。
接着，参照图2C，在第一绝缘层30上形成多晶硅(p-Si)层40。多晶硅层40的形成方式可例如是：以溅射方式在第一绝缘层30表面形成一非晶硅(a-Si)层，再以退火方式使非晶硅层再结晶。这里，多晶硅层40与遮挡层20正相对。
接着，参照图2D，在多晶硅层40的一端形成第一重掺杂区41a和第一轻掺杂区41b，且在多晶硅层40的另一端形成第二重掺杂区42a和第二轻掺杂区42b。这里，第一重掺杂区41a中注入的离子(诸如磷/砷(P/As)离子)大于第一轻掺杂区41b注入的离子；第二重掺杂区42a中注入的离子大于第二轻掺杂区42b中注入的离子。
接着，参照图2E，在第一绝缘层30上形成覆盖多晶硅层40的第二绝缘层50。这里，第二绝缘层50可例如由SiNx、SiOx等绝缘材料制成。
接着，参照图2F，在第二绝缘层50上形成栅极60。栅极60可例如为钼铝钼(MoAlMo)结构或钛铝钛(TiAlTi)结构等。
接着，参照图2G，在第二绝缘层50上形成覆盖栅极60的第三绝缘层70。这里，第三绝缘层70可例如由SiNx、SiOx等绝缘材料制成。
接着，参照图2H，在第三绝缘层70上形成漏极80a和源极80b；其中，漏极80a贯穿第三绝缘层70和第二绝缘层50之后与多晶硅层40的一端的第一重掺杂区41a接触，而源极80b贯穿第三绝缘层70和第二绝缘层50之后与多晶硅层40的另一端的第二重掺杂区42a接触。漏极80a和源极80b均可例如为钼铝钼(MoAlMo)结构或钛铝钛(TiAlTi)结构等。
以上图2A至图2H为根据本发明的第二实施例的薄膜晶体管的制作过程。
接着，参照图2I，在第三绝缘层70上形成覆盖漏极80a和源极80b的有机平坦层90’，该有机平坦层90’的位于像素区PX的部分凹陷。也就是说，形成的有机平坦层90’覆盖薄膜晶体管。这里，有机平坦层90’可例如由有机光阻等材料制成。进一步地，有机平坦层90’的凹陷部分与水平面(即基板10所在平面)之间具有两个方向的倾斜角度。
接着，参照图2J，在有机平坦层90’中形成将源极80b暴露出的通孔91’。
接着，参照图2K，在有机平坦层90’上形成公共电极层100’。进一步地，公共电极层100’的部分凹陷，其中，所述公共电极层100’的凹陷部分相对于有机平坦层90’的凹陷部分。这里，公共电极层100’可例如由铟锡氧化物(ITO)、锌基氧化物(AZO、BZO等)、铟镓锌氧化物(IGZO)等透明的且导电能力较好的金属氧化物制成。
接着，参照图2L，在有机平坦层90’上形成覆盖公共电极层100’的钝化层110’，该钝化层110’将通孔91’填满。这里，钝化层110’可例如由SiNx、SiOx等绝缘材料制成。进一步地，钝化层110’的部分凹陷，其中，所述钝化层110’的凹陷部分相对于有机平坦层90’的凹陷部分。
接着，参照图2M，在钝化层110’中形成将源极80b暴露出的过孔111’，该过孔111’对应于通孔91’。
最后，参照图2N，在钝化层110’上形成像素电极120，该像素电极120填充到过孔111’中，以与源极80b接触。这里，像素电极120可例如由铟锡氧化物(ITO)、锌基氧化物(AZO、BZO等)、铟镓锌氧化物(IGZO)等透明的且导电能力较好的金属氧化物制成。
综上所述，根据本发明的各实施例，阵列基板的有机平坦层在像素区的部分凸起或凹陷，使阵列基板的有机平坦层在像素区内有两个方向的微倾斜角度，从而使由该阵列基板制作成的液晶面板中的液晶的有效旋转角度更佳，进而增加了液晶面板的可视角。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管，设置于所述基板上；
有机平坦层，覆盖所述薄膜晶体管，所述有机平坦层中具有将所述薄膜晶体管的源极暴露出的通孔，所述有机平坦层的位于像素区域的部分凸起或凹陷；
公共电极层，设置于所述有机平坦层上；
钝化层，覆盖所述有机平坦层和所述公共电极层，所述钝化层填充所述通孔，所述钝化层中具有与所述通孔对应的过孔，所述过孔将所述薄膜晶体管的源极暴露出；
像素电极，在所述钝化层上，所述像素电极填充所述过孔，以与所述薄膜晶体管的源极接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层的与所述有机平坦层的凸起部分或凹陷部分相对的部分相应凸起或凹陷。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的与所述有机平坦层的凸起部分或凹陷部分相对的部分相应凸起或凹陷。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
遮挡层，设置于所述基板上；
第一绝缘层，设置于所述基板上且覆盖所述遮挡层；
多晶硅层，设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，设置于所述第一绝缘层上且覆盖所述多晶硅层；
栅极，设置于所述第二绝缘层上；
第三绝缘层，设置于所述第二绝缘层上且覆盖所述栅极；
漏极，设置于所述第三绝缘层上，所述漏极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以与所述多晶硅层的一端接触；
源极，设置于所述第三绝缘层上，所述源极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以与所述多晶硅层的另一端接触。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅层的一端包括重掺杂区和轻掺杂区，所述漏极与所述多晶硅层的一端的重掺杂区接触；
所述多晶硅层的另一端包括重掺杂区和轻掺杂区，所述源极与所述多晶硅层的另一端的重掺杂区接触。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成薄膜晶体管；
形成覆盖所述薄膜晶体管的有机平坦层，所述有机平坦层的位于像素区域的部分凸起或凹陷；
在所述有机平坦层中形成将所述薄膜晶体管的源极暴露出的通孔；
在所述有机平坦层上形成公共电极层；
形成覆盖所述有机平坦层和所述公共电极层且填充所述通孔的钝化层；
在所述钝化层中形成与所述通孔对应的过孔，所述过孔将所述薄膜晶体管的源极暴露出；
在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极填充所述过孔，以与所述薄膜晶体管的源极接触。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成的所述公共电极层的部分凸起或凹陷，形成的所述公共电极层的部分与所述有机平坦层的凸起部分或凹陷部分相对。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成的所述钝化层的部分凸起或凹陷，形成的所述钝化层的部分与所述有机平坦层的凸起部分或凹陷部分相对。
9.根据权利要求6至8任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作所述薄膜晶体管的方法包括：
在所述基板上形成遮挡层；
在所述基板上形成覆盖所述遮挡层的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成多晶硅层；
在所述第一绝缘层上形成覆盖所述多晶硅层的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成栅极；
在所述第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成源极和漏极，所述漏极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以与所述多晶硅层的一端接触，所述源极贯穿所述第三绝缘层和所述第二绝缘层，以与所述多晶硅层的另一端接触。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述多晶硅层的一端形成重掺杂区和轻掺杂区，所述漏极与所述多晶硅层的一端的重掺杂区接触；
在所述多晶硅层的另一端形成重掺杂区和轻掺杂区，所述源极与所述多晶硅层的另一端的重掺杂区接触。
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