CN206619596U - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括衬底，设置在所述衬底一侧表面上的氧化物薄膜晶体管；氧化物薄膜晶体管包括：栅极、源漏极层和氧化物有源层，其中，源漏极层包括沿第一方向排列的源极和漏极，氧化物有源层包括沿第一方向依次排列的源极区、沟道区和漏极区；沟道区包括沿第一方向依次排列的第一子沟道区、第二子沟道区和第三子沟道区，第一子沟道区沿第二方向的长度为a，第二子沟道区沿第二方向的长度为b，第三子沟道区沿第二方向的长度为c，a、b、c满足b＞a和/或b＞c。上述阵列基板中第一子沟道区和/或第三子沟道区沿第二方向的长度小于第二子沟道区沿第二方向的长度可以减小氧化物薄膜晶体管关断时的漏电流。

Description

阵列基板和显示面板

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板、以及包括该阵列基板的显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、电泳显示装置(Electro-Phoretic Display，EPD)和有机发光二极管显示装置(Organic LightEmitting Diode Display，OLED)的应用日渐广泛，通常上述各种显示装置需要设置薄膜晶体管阵列基板。

由于铟镓锌氧化物等金属氧化物制成的氧化物薄膜晶体管具有尺寸小、功耗低等优点，因此现有的阵列基板通常会选择氧化物薄膜晶体管制备显示装置。但是现有的氧化物薄膜晶体管具有容易产生漏电流的问题，并且产生的漏电流通常会较大，因此当阵列基板采用上述氧化物薄膜晶体管作为像素单元充放电的开关时，氧化物薄膜晶体管产生的漏电流会影响显示装置显示画面的品质。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷，本申请实施例提供一种阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板，来解决以上背景技术部分提到的技术问题。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括衬底，以及设置在衬底一侧表面上的氧化物薄膜晶体管；氧化物薄膜晶体管包括：栅极、源漏极层和氧化物有源层，其中，源漏极层包括沿第一方向排列的源极和漏极，氧化物有源层包括沿第一方向依次排列的源极区、沟道区和漏极区，源极区与源极相接触，漏极区与漏极相接触；沟道区包括沿第一方向依次排列的第一子沟道区、第二子沟道区和第三子沟道区，第一子沟道区沿第二方向的长度为a，第二子沟道区沿第二方向的长度为b，第三子沟道区沿第二方向的长度为c，上述a、b、c满足b＞a和/或b＞c，其中，第二方向与衬底的表面平行且与第一方向垂直。

可选地，上述a、b、c满足2/3b≤a＜b和2/3b≤c＜b；或者上述a、b、c满足2/3b≤a＜b且c＝b；或者上述a、b、c满足2/3b≤c＜b且a＝b。

可选地，第一子沟道区沿第一方向的长度为d，第三子沟道区沿第一方向的长度为e，其中，10μm≥d≥0.1μm和/或10μm≥e≥0.1μm。

可选地，上述d和e满足4μm≥d≥1μm和/或4μm≥e≥1μm。

可选地，阵列基板还包括设置于源漏极层与氧化物有源层之间的刻蚀阻挡层。

可选地，氧化物薄膜晶体管为底栅结构薄膜晶体管，或者氧化物薄膜晶体管为顶栅结构薄膜晶体管。

可选地，栅极包括第一栅极和第二栅极，第一栅极设置于氧化物有源层朝向衬底的一侧，第二栅极设置于氧化物有源层背离衬底的一侧。

可选地，第一子沟道区、第二子沟道区和第三子沟道区均包括第一侧边、第二侧边、上边和下边，且第一子沟道区的第二侧边与第二子沟道区的第一侧边重合，第三子沟道区的第一侧边与第二子沟道区的第二侧边重合，其中，第一侧边和第二侧边沿第一方向排列，上边和下边沿第二方向排列，第一子沟道区域的上边、第二子沟道区的上边和第三子沟道区的上边在同一直线上。

可选地，于形成氧化物有源层的材料包括：非晶相铟镓锌氧化物、氧化铟锌或氧化锌锡。

第二方面，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。

本申请实施例提供的阵列基板，可以包括衬底以及设置在衬底表面上的氧化物薄膜晶体管，并且该氧化物薄膜晶体管可以包括栅极、源极、漏极和氧化物有源层，氧化物有源层可以包括源极区、漏极区和沟道区，沟道区包括沿第一方向依次排列的第一子沟道区、第二子沟道区和第三子沟道区，第一子沟道区、第二子沟道区和第三子沟道区沿第二方向的长度分别为a、b、c，这里的a、b、c可以满足b＞a和/或b＞c，从而减小了氧化物晶体管关断时有源层中电子迁移路径的宽度，减小了氧化物薄膜晶体管关断时产生的漏电流。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1A示出了根据本申请的阵列基板的第一实施例的结构示意图；

图1B示出了图1A中阵列基板中的氧化物薄膜晶体管的一平面结构示意图；

图1C示出了图1B中氧化物薄膜晶体管沿虚线m的截面结构示意图；

图1D示出了本实施例的阵列基板的氧化物薄膜晶体管的另一平面结构示意图；

图1E示出了本实施例的阵列基板的氧化物薄膜晶体管的再一平面结构示意图；

图1F示出了本实施例的阵列基板的氧化物薄膜晶体管的又一平面结构示意图；

图1G示出了本实施例的阵列基板的氧化物薄膜晶体管的又一平面结构示意图；

图2A示出了第二实施例中的阵列基板中的氧化物薄膜晶体管的一平面结构示意图；

图2B示出了第二实施例中的阵列基板中的氧化物薄膜晶体管的另一平面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请的原理和特征作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关实用新型，而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与实用新型相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请参考图1A、图1B和图1C，其中图1A示出了根据本申请的阵列基板的第一实施例的结构示意图，图1B示出了图1A中阵列基板中的氧化物薄膜晶体管的一平面结构示意图，图1C示出了图1B中氧化物薄膜晶体管沿虚线m的截面结构示意图。如图1A所示，本申请的阵列基板可以包括衬底2以及氧化物薄膜晶体管1。这里，氧化物薄膜晶体管1可以包括栅极11、源漏极层和氧化物有源层13，如图1B和图1C所示。

在本实施例中，上述阵列基板中的氧化物薄膜晶体管1可以设置在衬底2的一侧表面，如图1A所示。通常，阵列基板可以包括多个氧化物薄膜晶体管1，各氧化物薄膜晶体管1可以通过栅极输入的信号控制阵列基板上的各像素电极的充放电时间，以使上述阵列基板所在的显示面板可以进行正常显示。

在本实施例中，上述氧化物薄膜晶体管1可以包括栅极11、源漏极层和氧化物有源层13，如图1B所示，并且源漏极层可以包括沿第一方向依次排列的源极121和漏极122，氧化物有源层13可以包括沿第一方向依次排列的源极区131、漏极区132和沟道区133。需要说明的是，结合图1B和图1C可以看出，源极区131可以与上述源极121相接触，漏极区132可以与上述漏极122相接触。

在本实施例中，上述沟道区133可以包括沿第一方向依次排列的第一子沟道区1331、第二子沟道区1332和第三子沟道区1333，如图1B所示。上述第一子沟道区1331沿第二方向的长度为a，上述第二子沟道区1332沿第二方向的长度为b，上述第三子沟道区1333沿第二方向的长度为c，需要说明的是，上述长度a、长度b和长度c可以满足b＞a和/或b＞c，使得沟道区133的平面形状可以如图1B所示。如图1B所示，上述第二方向与衬底2的表面平行且与第一方向垂直。上述氧化物有源层13的第一子沟道区域1331和/或第三子沟道区1333沿第二方向的长度小于位于沟道区133的中间位置的第二子沟道区1332沿第二方向的长度，可以使得氧化物薄膜晶体管1在关断状态下氧化物有源层13的电子迁移路径变窄，降低了氧化物薄膜晶体管1在关断状态下的漏电流。

需要说明的是，虽然上述氧化物有源层13可以包括源极区131、漏极区132和沟道区133，但是上述源极区131、漏极区132和沟道区131是一个整体，都为该氧化物有源层13的一部分，且相邻区之间并不是实质分离，如图1C所示。同样地，上述沟道区133还可以包括第一子沟道区1331、第二子沟道区1332和第三子沟道区1333，且各相邻子沟道区之间也不实质分离，如图1C所示。

在本实施例的一些可选地实现方式中，上述氧化物薄膜晶体管1还可以包括设置在上述源漏极层和氧化物有源层13之间的刻蚀阻挡层14，如图1C所示。该刻蚀阻挡层14可以覆盖上述沟道区133，如图1B或图1C所示，该刻蚀阻挡层14可以保护被其覆盖的沟道区133在氧化物薄膜晶体管1制备的过程中不被刻蚀。或者，上述氧化物薄膜晶体管1还可以如图1D所示，该氧化物薄膜晶体管1可以为背沟道刻蚀型氧化物薄膜晶体管，此时氧化物薄膜晶体管1中可以不需要刻蚀阻挡层。图1D示出了本实施例的阵列基板的氧化物薄膜晶体管的另一平面结构示意图。

在本实施例的一些可选的实现方式中，上述第一子沟道区1331沿第二方向的长度为a，上述第二子沟道区1332沿第二方向的长度为b，上述第三子沟道区1333沿第二方向的长度为c，长度a和长度b可以满足2/3b≤a＜b，以及长度b和长度c可以满足2/3b≤c＜b，使得沟道区133可以形成如图1B所示的中间宽两边窄的结构，并且上述长度a、长度b和长度c满足2/3b≤a＜b和2/3b≤c＜b，可以降低氧化物薄膜晶体管1在关断的状态产生的漏电流，同时可以避免因第一子沟道区1331的长度a和第三子沟道区1333的长度c过小引起的氧化物薄膜晶体管1导通时的导通电流过小。

在本实施例的一些可选的实现方式中，上述第一子沟道区1331沿第二方向的长度a、上述第二子沟道区1332沿第二方向的长度b和上述第三子沟道区1333沿第二方向长度c可以满足2/3b≤a＜b，以及可以满足c＝b，上述氧化物薄膜晶体管1的结构可以如图1E所示，图1E示出了本实施例的阵列基板的氧化物薄膜晶体管的再一平面结构示意图。如图1E所示的氧化物薄膜晶体管1中，仅存在第一子沟道区1331沿第二方向的长度a与第二子沟道区1332沿第二方向的长度b满足2/3b≤a＜b，且第三子沟道区1333沿第二方向的长度c与第二子沟道区1332沿第二方向的长度b相等，此种结构的沟道区133可以进一步地避免氧化物薄膜晶体管1的导通电流过小。

在本实施例的一些可选的实现方式中，上述第一子沟道区1331沿第二方向的长度a、上述第二子沟道区1332沿第二方向的长度b和上述第三子沟道区1333沿第二方向的长度c可以满足2/3b≤c＜b，以及可以满足a＝b，上述氧化物薄膜晶体管1的结构可以如图1F所示，图1F示出了本实施例的阵列基板的氧化物薄膜晶体管的又一平面结构示意图。如图1F所示的氧化物薄膜晶体管1中，仅存在第三子沟道区1333沿第二方向的长度c和第二子沟道区1332沿第二方向的长度b满足2/3b≤c＜b，且第一子沟道区1331沿第二方向的长度a与第二子沟道区1332沿第二方向的长度b相等，此种结构的沟道区133也可以进一步地避免氧化物薄膜晶体管1的导通电流过小。

在本实施例的一些可选的实现方式中，上述氧化物薄膜晶体管1可以为如图1B或图1C所示的底栅结构薄膜晶体管，此时氧化物薄膜晶体管1的栅极11可以设置衬底2和氧化物有源层13之间，使得栅极11可以位于该氧化物薄膜晶体管1的底层，氧化物有源层13和源漏极层可以覆盖在栅极层11上。或者上述氧化物薄膜晶体管1还可以为如图1G所示的顶栅结构薄膜晶体管，此时氧化物薄膜晶体管1的栅极11可以位于该氧化物薄膜晶体管1的顶层，使得栅极11可以位于氧化物有源层13和源漏极层上。图1G示出了本实施例的阵列基板的氧化物薄膜晶体管的又一平面结构示意图。

可选地，上述氧化物薄膜晶体管1可以仅包含一个栅极11，如图1B或1C所示，或者上述氧化物薄膜晶体管1还可以包括两个栅极11，即氧化物薄膜晶体管1为双栅结构薄膜晶体管，此种结构薄膜晶体管1可以包括第一栅极和第二栅极，且其中的第一栅极可以设置于氧化物有源层13朝向上述衬底2的一侧，其中的第二栅极设置于氧化物有源层13背离上述衬底2的一侧。双栅结构薄膜晶体管为本领域技术人员的所熟知的晶体管结构，这里不再赘述。

本实施例提供的阵列基板，可以包括衬底2以及设置在衬底2表面上的氧化物薄膜晶体管1，并且该氧化物薄膜晶体管1包括栅极11、源极121、漏极122和氧化物有源层13，氧化物有源层13可以包括源极区131、漏极区132和沟道区133，沟道区133包括第一子沟道区1331、第二子沟道区1332和第三子沟道区1333，第一子沟道区1331、第二子沟道区1332和第三子沟道区1333沿第二方向的长度分别为a、b、c，这里的长度a和/或长度c小于长度b，可以减小氧化物薄膜晶体管1关断时氧化物有源层13中电子迁移路径的宽度，从而可以减小氧化物薄膜晶体管1关断时产生的漏电流。

接下来继续描述本申请的第二实施例的阵列基板，在本实施例中，阵列基板通常可以包括多个氧化物薄膜晶体管，各氧化物薄膜晶体管可以设置在衬底的一侧表面。在本实施例中，阵列基板中的氧化物薄膜晶体管的结构可以如图2A所示。图2A示出了第二实施例中的阵列基板中的氧化物薄膜晶体管的一平面结构示意图。

在本实施例中，上述氧化物薄膜晶体管可以包括栅极21、源漏极层和氧化物有源层23，如图2A所示，并且源漏极层可以包括沿第一方向依次排列的源极221和漏极222，氧化物有源层23可以包括沿第一方向依次排列的源极区231、漏极区232和沟道区233。并且上述源极区231可以与上述源极221相接触，漏极区232可以与上述漏极222相接触。可选地，上述氧化物薄膜晶体管可以包括刻蚀阻挡层24，如图2A所示。

在本实施例中，上述沟道区233可以包括沿第一方向依次排列的第一子沟道区2331、第二子沟道区2332和第三子沟道区2333，如图2A所示。上述第一子沟道区2331沿第二方向的长度为a，上述第二子沟道区2332沿第二方向的长度为b，上述第三子沟道区2333沿第二方向的长度为c，需要说明的是，上述长度a、长度b和长度c可以满足2/3b≤a＜b和2/3b≤c＜b，或者上述长度a、长度b和长度c可以满足2/3b≤a＜b和c＝b，或者上述长度a、长度b和长度c可以满足2/3b≤c＜b且a＝b。例如，本实施例中的氧化物薄膜晶体管可以如图2A所示，长度a、长度b和长度c可以满足2/3b≤a＜b和2/3b≤c＜b。上述第二方向可以与衬底的表面平行且与上述第一方向垂直。上述氧化物有源层23的第一子沟道区域2331和/或第三子沟道区2333沿第二方向的长度小于位于沟道区233的中间位置的第二子沟道区2332沿第二方向的长度，可以使得氧化物薄膜晶体管在关断状态下氧化物有源层23的电子迁移路径变窄，降低了氧化物薄膜晶体管在关断状态下的漏电流。

进一步地，在本实施例中，上述第一子沟道区域2331沿第一方向的长度为d，第三子沟道区2333沿第一方向的长度为e，这里的长度d和长度e可以满足10μm≥d≥0.1μm和/或10μm≥e≥0.1μm。具体地，当上述第一子沟道区2331沿第二方向的长度的a、上述第二子沟道区2332沿第二方向的长度的b、上述第三子沟道区2333沿第二方向的长度c满足2/3b≤a＜b和2/3b≤c＜b时，如图2A所示，第一子沟道区域2331沿第一方向的长度d可以满足10μm≥d≥0.1μm，且第三子沟道区2333沿第一方向的长度e可以满足10μm≥e≥0.1μm。当上述第一子沟道区2331沿第二方向的长度的a、上述第二子沟道区2332沿第二方向的长度的b和上述第三子沟道区2333沿第二方向的长度c满足2/3b≤a＜b和b＝c时，第一子沟道区域2331沿第一方向的长度d可以满足10μm≥d≥0.1μm。当上述第一子沟道区2331沿第二方向的长度的a、上述第二子沟道区2332沿第二方向的长度的b和上述第三子沟道区2333沿第二方向的长度c满足2/3b≤c＜b且a＝b时，第三子沟道区域2333沿第一方向的长度e可以满足10μm≥e≥0.1μm。这里的第一子沟道区2331沿第一方向的长度d满足10μm≥d≥0.1μm和/或第三子沟道区2333沿第一方向的长度e满足10μm≥e≥0.1μm可以避免因长度d、长度e过小导致的漏电流过大，且可以避免因长度d、长度e过大导致的导通电流过小。

在本实施例的一些可选的实现方式中，上述第一子沟道区域2331沿第一方向的长度为d，第三子沟道区2333沿第一方向的长度为e，这里的长度d和长度e可以满足4μm≥d≥1μm和/或4μm≥e≥1μm。这里的长度d和长度e可以更好的在降低氧化物薄膜晶体管关断时的漏电流的同时保证氧化物薄膜晶体管导通时的导通电流足够大。

在本实施例的一些可选的实现方式中，上述第一子沟道区2331、第二子沟道区2332和第三子沟道区2333均可以包括第一侧边、第二侧边、上边和下边。这里，第一侧边和第二侧边沿第一方向延伸，上边和下边沿第二方向延伸。在沟道区233中，上述第一子沟道区2331的第二侧边与第二子沟道区2332的第一侧边重合，上述第三子沟道区2333的第一侧边与第二子沟道区2332的第二侧边重合，且上述第一子沟道区域2331的上边、第二子沟道区2332的上边和第三子沟道区2333的上边可以在同一直线上，如图2A所示。可选地，上述第一子沟道区域2331的下边、第二子沟道区2332的下边和第三子沟道区2333的下边可以在同一直线上。

在本实施例的一些可选的实现方式中，当上述第一子沟道区2331沿第二方向的长度a和第二子沟道区2332沿第二方向的长度b满足2/3b≤a＜b时，第一子沟道区2331的第二侧边的任意一端均可以不与第二子沟道区2332的对应的端重合，如图2B所示，即第一子沟道区2331和第二子沟道区2332的上边和下边可以均不在同一直线上。同样地，当上述第三子沟道区2333沿第二方向的长度c和第二子沟道区2332沿第二方向的长度b满足2/3b≤c＜b时，第三子沟道区2333和第二子沟道区2332的上边和下边均不在同一直线上如图2B所示。图2B示出了第二实施例中的阵列基板中的氧化物薄膜晶体管的另一平面结构示意图。上述各种形状的沟道区233均可以使得氧化物薄膜晶体管在关断时氧化物有源层23的电子迁移路径变窄，可以降低氧化物薄膜晶体管的漏电流。本领域的技术人员可以根据实际的需要选择制作的氧化物薄膜晶体管的沟道区233的具体形状。

本申请的上述实施例提供的阵列基板，其中的氧化物薄膜晶体管的氧化物有源层23中的第一子沟道区2331、第二子沟道区2332和第三子沟道区2333沿第二方向的长度a、长度b和长度c满足2/3b≤a＜b和2/3b≤c＜b，或者满足2/3b≤a＜b且c＝b，或者满足2/3b≤c＜b且a＝b，且第一子沟道区2331和第三子沟道区2333沿第一方向的长度d和长度e满足10μm≥d≥0.1μm和/或10μm≥e≥0.1μm，可以保证氧化物薄膜晶体管导通时的导通电流足够大的同时，还可以降低氧化物薄膜晶体管关断时的漏电流。

此外，本申请可以采用如下方法在衬底上制备上述氧化物薄膜晶体管。这里，可以以底栅结构薄膜晶体管为例，详细说明本申请阵列基板中的氧化物薄膜晶体管的制备方法。

首先，可以在预先准备的玻璃底板等衬底上形成栅极。这里形成上述栅极的材料可以为钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)或其组合(即两种以上上述材料的组合)。之后，可以采用化学沉淀等方法在该栅极上形成覆盖其上的至少一层栅极绝缘层。这里形成栅极绝缘层的材料可以为硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)等。而后，可以在上述栅极绝缘层上制备预设形状的氧化物有源层。上述预设形状的氧化物有源层可以如上述第一实施例或第二实施例所述，这里可以通过预置的掩膜板曝光形影形成上述预设形状的氧化物有源层。用于形成上述氧化物有源层的材料可以为非晶相铟镓锌氧化物、氧化铟锌或氧化锌锡等氧化物中的任意一种。可以理解，在上述氧化物有源层上还可以继续形成刻蚀阻挡层，这里的刻蚀阻挡层可以完全覆盖氧化物有源层的沟道区，该刻蚀阻挡层用于保护沟道区的氧化物半导体不被刻蚀。最后，可以继续形成源漏极层，源漏极层的源极可以覆盖氧化物有源层的源极区，源漏极层的漏极可以覆盖氧化物有源层的漏极区，如图所示。上述栅极、源漏极层中的源极和漏极、氧化物有源层可以构成本申请的阵列基板中的氧化物薄膜晶体管。

最后，本申请实施例还提供一种显示面板，包括上述实施例中的阵列基板。上述显示面板中阵列基板的具体结构和原理与上述实施例相同，这里不再赘述。需要说明的是，该显示面板可以使用在如液晶电视、液晶显示器、双曲面屏幕手机、平板电脑、智能手表、OLED电视、电子纸、柔性显示器等显示装置中。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底，以及设置在所述衬底一侧表面上的氧化物薄膜晶体管；

所述氧化物薄膜晶体管包括：

栅极、源漏极层和氧化物有源层，其中，所述源漏极层包括沿第一方向排列的源极和漏极，所述氧化物有源层包括沿所述第一方向依次排列的源极区、沟道区和漏极区，所述源极区与所述源极相接触，所述漏极区与所述漏极相接触；

所述沟道区包括沿所述第一方向依次排列的第一子沟道区、第二子沟道区和第三子沟道区，所述第一子沟道区沿第二方向的长度为a，所述第二子沟道区沿所述第二方向的长度为b，所述第三子沟道区沿所述第二方向的长度为c，所述a、b、c满足b＞a和/或b＞c，其中，所述第二方向与所述衬底的表面平行且与所述第一方向垂直。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述a、b、c满足2/3b≤a＜b和2/3b≤c＜b；或者

所述a、b、c满足2/3b≤a＜b且c＝b；或者

所述a、b、c满足2/3b≤c＜b且a＝b。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子沟道区沿所述第一方向的长度为d，所述第三子沟道区沿所述第一方向的长度为e，其中，10μm≥d≥0.1μm和/或10μm≥e≥0.1μm。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述d和e满足4μm≥d≥1μm和/或4μm≥e≥1μm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置于所述源漏极层与所述氧化物有源层之间的刻蚀阻挡层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管为底栅结构薄膜晶体管，或者

所述氧化物薄膜晶体管为顶栅结构薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极设置于所述氧化物有源层朝向所述衬底的一侧，所述第二栅极设置于所述氧化物有源层背离所述衬底的一侧。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子沟道区、第二子沟道区和第三子沟道区均包括第一侧边、第二侧边、上边和下边，且所述第一子沟道区的第二侧边与所述第二子沟道区的第一侧边重合，所述第三子沟道区的第一侧边与所述第二子沟道区的第二侧边重合，其中，所述第一侧边和第二侧边沿所述第一方向排列，上边和下边沿所述第二方向排列，所述第一子沟道区域的上边、第二子沟道区的上边和第三子沟道区的上边在同一直线上。

9.根据权利要求1-8之一所述的阵列基板，其特征在于，用于形成所述氧化物有源层的材料包括：非晶相铟镓锌氧化物、氧化铟锌或氧化锌锡。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9之一所述的阵列基板。