CN108538861A - 阵列基板及其制造方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板。阵列基板包括：基板；缓冲层，设置于基板上；有源层，设置于缓冲层上；第一绝缘层；栅极，设置于第一绝缘层上；第二绝缘层；触控信号线、源极和漏极，触控信号线、源极和漏极位于同层并设置于第二绝缘层上，源极和漏极分别连接于有源层；第一电极，设置于第二绝缘层上；平坦化层，设置于第一电极上；第二电极，设置于平坦化层上；第一电极、第二电极中的一者与漏极连接，第一电极、第二电极中的另一者与触控信号线连接。本发明能减少光罩制程，缩短制作周期。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。
【背景技术】
低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)具有高的电子迁移率，有利于减小薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件的面积，从而提升像素的开口率，增大显示面板的显示亮度以及降低显示面板整体的功耗。
然而，制造基于LTPS技术的显示面板的工艺较复杂，体现在：
基于LTPS技术的薄膜晶体管阵列基板需要成膜的膜层较多(一般需要10层甚至是更多层的膜层)，需要使用较多的光罩数量。
因此，传统的基于LTPS技术的薄膜晶体管阵列基板的制作方式不利于缩短制作周期。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，其能减少基于LTPS技术的阵列基板的制作过程中所需的光罩制程，缩短该阵列基板的制作周期。
为解决上述问题，本发明的技术方案如下：
一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上；有源层，所述有源层设置于所述缓冲层上；第一绝缘层；栅极，所述栅极设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层；触控信号线、源极和漏极，所述触控信号线、所述源极和所述漏极位于同层并设置于所述第二绝缘层上，所述源极和所述漏极分别连接于所述有源层；第一电极，所述第一电极设置于所述第二绝缘层上；平坦化层，所述平坦化层设置于所述第一电极上；第二电极，所述第二电极设置于所述平坦化层上；其中，所述第一电极、所述第二电极中的一者与所述漏极连接，所述第一电极、所述第二电极中的另一者与所述触控信号线连接。
在上述阵列基板中，所述第一电极与所述漏极连接，所述第一电极的至少一部分设置于所述漏极上，或者，所述漏极的至少一部分设置于所述第一电极上；所述触控信号线通过设置于所述平坦化层的第三通孔与所述第二电极连接。
在上述阵列基板中，所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层和所述平坦化层之间的第三绝缘层，以及连接电极，所述第二电极通过设置于所述平坦化层和所述第三绝缘层的第五通孔与所述漏极连接；所述第一电极设置于所述第三绝缘层上，所述连接电极通过设置于所述平坦化层和所述第三绝缘层的第三通孔和设置于所述平坦化层的第四通孔连接所述触控信号线和所述第一电极。
在上述阵列基板中，所述有源层设置有两轻掺杂区和两重掺杂区，两所述重掺杂区分别位于于所述有源层的两侧端，两所述轻掺杂区分别与两所述重掺杂区相邻接；所述源极和所述漏极通过贯穿所述第二绝缘层的第一通孔和第二通孔分别与所述有源层的两所述重掺杂区连接。
一种阵列基板的制造方法，所述方法包括以下步骤：A、在基板上设置缓冲层；B、在所述缓冲层上设置半导体材料层，并对所述半导体材料层实施第一光罩制程，以形成有源层；C、在所述有源层上以及所述缓冲层上设置第一绝缘层；D、在所述第一绝缘层上设置第一金属层，并对所述第一金属层实施第二光罩制程，以形成栅极；E、在所述栅极上以及所述第一绝缘层上设置第二绝缘层；F、在所述第二绝缘层上设置第二金属层，并对所述第二金属层实施第四光罩制程，以在所述第二绝缘层上形成触控信号线，以及在所述第二绝缘层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极连接于所述有源层；G、在所述第二绝缘层上设置第一电极层，并对所述第一电极层实施第五光罩制程，以形成第一电极；H、在所述第一电极上以及所述第二绝缘层上设置平坦化层；I、在所述平坦化层上设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程，以形成第二电极；其中，所述第一电极、所述第二电极中的一者与所述漏极连接，所述第一电极、所述第二电极中的另一者与所述触控信号线连接。
在上述阵列基板的制造方法中，在所述第一电极与所述漏极连接的情况下，所述第一电极的至少一部分设置于所述漏极上，所述步骤G实施于所述步骤F之后，所述步骤G包括：在所述第二绝缘层上以及所述漏极上设置所述第一电极层，并对所述第一电极层实施第五光罩制程，以形成所述第一电极；或者，在所述第一电极与所述漏极连接的情况下，所述漏极的至少一部分设置于所述第一电极上，所述步骤F实施于所述步骤G之后，所述步骤F包括：在所述第二绝缘层上以及所述第一电极上设置所述第二金属层，并对所述第二金属层实施第四光罩制程，以在所述第二绝缘层上形成所述触控信号线，以及在所述第二绝缘层上形成所述源极和所述漏极。
在上述阵列基板的制造方法中，在所述步骤H之后，以及在所述步骤I之前，所述方法还包括以下步骤：J、对所述平坦化层实施第六光罩制程，以在所述平坦化层中与所述触控信号线对应的部位形成第三通孔。
在上述阵列基板的制造方法中，在所述第二电极与所述漏极连接的情况下，所述阵列基板还包括第三绝缘层；在所述步骤F之后，以及在所述步骤G之前，所述方法还包括以下步骤：K、在所述第二绝缘层上以及在所述触控信号线、所述源极和所述漏极上设置所述第三绝缘层；所述第一电极设置于所述第三绝缘层上；所述步骤G包括：在层叠于所述第二绝缘层上的所述第三绝缘层上设置所述第一电极层，并对所述第一电极层实施所述第五光罩制程，以形成所述第一电极。
在上述阵列基板的制造方法中，所述步骤H包括：在所述第一电极上以及所述第三绝缘层上设置所述平坦化层；在所述步骤H之后，以及在所述步骤I之前，所述方法还包括以下步骤：L、对所述平坦化层和所述第三绝缘层实施第六光罩制程，以在所述平坦化层和所述第三绝缘层上与所述触控信号线、所述第一电极和所述漏极对应的部位分别形成第三通孔、第四通孔和第五通孔；所述阵列基板还包括连接电极；所述步骤I包括：在所述平坦化层上设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程，以形成所述第二电极以及所述连接电极，所述连接电极连接于所述触控信号线和所述第一电极。
一种显示面板，包括上述阵列基板，或包括根据上述方法制造的阵列基板。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【附图说明】
图1为本发明的阵列基板的第一实施例的示意图；
图2为本发明的阵列基板的第二实施例的示意图；
图3为本发明的阵列基板的第三实施例的示意图；
图4至11为本发明的阵列基板的第三实施例的制作方法的示意图；
图12为本发明的阵列基板的制造方法的第一实施例的流程图。
【具体实施方式】
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
本发明的显示面板包括彩膜基板、液晶层、阵列基板。所述彩膜基板与所述阵列基板叠加组合为一体，所述液晶层设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间。
参考图1至图11，图1为本发明的阵列基板的第一实施例的示意图，图2为本发明的阵列基板的第二实施例的示意图，图3为本发明的阵列基板的第三实施例的示意图，图4至11为本发明的阵列基板的第三实施例的制作方法的示意图。
在本发明的阵列基板的第一实施例至第三实施例中，阵列基板均包括基板101、缓冲层102、有源层103、第一绝缘层104、栅极105、第二绝缘层106、触控信号线107、源极108、漏极109、第一电极110、平坦化层111、第二电极112。
其中，所述缓冲层102设置于所述基板101上。
所述有源层103设置于所述缓冲层102上，所述有源层103是通过在所述缓冲层102上设置半导体材料层，并对所述半导体材料层实施第一光罩制程来形成的。所述有源层103包括两第一部分(重掺杂区)1031、两第二部分(轻掺杂区)1032和一第三部分1033，两所述第二部分1032分别设置于所述第三部分1033的两侧，两所述第一部分1031分别设置于由所述第三部分1033和所述第二部分1032构成的整体的两侧，所述第二部分1032植入有第二导电元素，所述第一部分1031植入有第一导电元素。所述有源层103所对应的材料为多晶硅或非晶硅。
即，所述有源层103设置有两轻掺杂区1032和两重掺杂区1031，两所述重掺杂区1031分别位于于所述有源层103的两侧端，两所述轻掺杂区1032分别与两所述重掺杂区1031相邻接。所述源极108和所述漏极109通过贯穿所述第二绝缘层106的第一通孔和第二通孔分别与所述有源层103的两所述重掺杂区1031连接。
所述重掺杂区1031是在形成所述栅极105之前，以具有第一遮挡范围的第一金属层为第一掩模，并向所述有源层103中未被所述第一金属层遮挡的部分植入第一导电元素来形成的。所述轻掺杂区1032是在形成所述栅极105之后，以具有第二遮挡范围的所述栅极105为第二掩模，并向所述有源层103中未被所述栅极105遮挡的部分植入第二导电元素来形成的。
所述第一导电元素和所述第二导电元素为相同的元素，或者，所述第一导电元素和所述第二导电元素分别为不同的两种元素。
所述第一绝缘层104设置于所述有源层103上以及所述缓冲层102除所述有源层103以外的部分上。
所述栅极105设置于所述第一绝缘层104上，所述栅极105是通过在所述第一绝缘层104上设置第一金属层，并对所述第一金属层实施第二光罩制程来形成的。
具体地，所述栅极105是通过在所述第一绝缘层104上依次设置第一金属层和光阻构件501，对所述第一金属层实施第二光罩制程，以使所述第一金属层在所述基板101所在的平面上具有第一遮挡范围，同时保持向具有所述第一遮挡范围的所述第一金属层实施所述第二光罩制程，以使所述第一金属层在所述基板101所在的平面上具有第二遮挡范围来形成的。
其中，所述第二遮挡范围小于所述第一遮挡范围。
此外，所述有源层103的第一部分1031中的N+离子是在向所述第一金属层实施所述第二光罩制程的过程中，使得所述第一金属层具有第一遮挡范围后，向所述有源层103中未被具有所述第一遮挡范围的所述第一金属层遮挡的第一部分1031植入的。
所述有源层103的第二部分1032中的N-离子是在向所述第一金属层实施所述第二光罩制程的过程中，使得所述第一金属层从第一遮挡范围缩减为第二遮挡范围后，向所述有源层103中未被具有所述第二遮挡范围的所述第一金属层遮挡的第二部分1032植入的。
所述第二绝缘层106设置于所述栅极105上以及所述第一绝缘层104上除所述栅极105以外的部分上，所述第二绝缘层106上设置有第一通孔701和第二通孔702，所述第一通孔701和所述第二通孔702是通过对所述第一绝缘层104和所述第二绝缘层106实施第三光罩制程来形成的。所述第一通孔701和所述第二通孔702均贯穿所述第二绝缘层106和所述第一绝缘层104，并且所述第一通孔701所在的位置和所述第二通孔702所在的位置分别与两个所述第一部分1031对应。
所述触控信号线107、所述源极108和所述漏极109是通过在所述第二绝缘层106上、所述第一通孔701中和所述第二通孔702中设置第二金属层，并对所述第二金属层实施第四光罩制程来形成的。所述触控信号线107、所述源极108和所述漏极109位于同层并设置于所述第二绝缘层106上，所述源极108和所述漏极109分别连接于所述有源层103，具体地，所述触控信号线107、所述源极108的一部分和所述漏极109的一部分设置于所述第二绝缘层106上，所述源极108的另一部分和所述漏极109的另一部分分别设置于所述第一通孔701和所述第二通孔702中，所述源极108的另一部分和所述漏极109的另一部分分别与所述有源层103中植入有N+离子的两所述第一部分1031接触。
所述第一电极110是通过在所述第二绝缘层106上设置第一电极层，并对所述第一电极层实施第五光罩制程来形成的，所述第一电极110设置于所述第二绝缘层106上。
所述平坦化层111设置有第三通孔113，所述第三通孔113是通过对所述平坦化层111实施第六光罩制程来形成的。所述第三通孔113贯穿所述平坦化层111，所述平坦化层111设置于所述第二绝缘层106和/或所述第一电极110上。
所述第二电极112是通过在所述平坦化层111上以及所述第三通孔113中设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程来形成的，所述第二电极112设置于所述平坦化层111上。
其中，所述第一电极110、所述第二电极112中的一者与所述漏极109连接，所述第一电极110、所述第二电极112中的另一者与所述触控信号线107连接。
所述第一电极110、所述第二电极112中的至少一者可例如为透明电极。
本发明的阵列基板的第一实施例、第二实施例、第三实施例三者相似，不同之处在于：
如图1和图2所示，在本发明的阵列基板的第一实施例和第二实施例中，所述第一电极110与所述漏极109连接；如图3所示，在本发明的阵列基板的第三实施例中，所述第二电极112通过设置于所述平坦化层111和所述第三绝缘层117的第五通孔115与所述漏极109连接。
在所述第一电极110与所述漏极109连接的情况下，所述第一电极110的至少一部分设置于所述漏极109上(如图1所示)，或者，所述漏极109的至少一部分设置于所述第一电极110上(如图2所示)。
在所述第一电极110与所述漏极109连接的情况下，所述触控信号线107通过设置于所述平坦化层111的第三通孔113与所述第二电极112连接，如图1和图2所示。
如图3所示，在本发明的阵列基板的第三实施例中，在所述第二电极112与所述漏极109连接的情况下，所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层106和所述平坦化层111之间的第三绝缘层117和连接电极116。
所述第三绝缘层117设置在所述第二绝缘层106上除所述触控信号线107、所述源极108、所述漏极109以外的部分上以及在所述触控信号线107、所述源极108和所述漏极109上，所述第一电极110设置于所述第三绝缘层117上，所述连接电极116通过设置于所述平坦化层111和所述第三绝缘层117的所述第三通孔113和设置于所述平坦化层111的第四通孔114连接所述触控信号线107和所述第一电极110。
所述第一电极110设置在所述第三绝缘层117上，所述第一电极110是通过在层叠于所述第二绝缘层106上的所述第三绝缘层117上设置第一电极层，并对所述第一电极层实施所述第五光罩制程来形成的。
所述平坦化层111设置在在所述第一电极110上以及所述第三绝缘层117除所述第一电极110以外的部分上，所述平坦化层111还设置有第四通孔114和第五通孔115，所述第三通孔113、所述第四通孔114和所述第五通孔115均贯穿所述平坦化层111和所述第三绝缘层117，所述第三通孔113、所述第四通孔114和所述第五通孔115是通过对所述平坦化层111和所述第三绝缘层117实施所述第六光罩制程来形成的。
所述第二电极112和所述连接电极116是通过在所述平坦化层111上以及所述第三通孔113、所述第四通孔114、所述第五通孔115中设置所述第二电极层，并对所述第二电极层实施所述第七光罩制程来形成的。
所述第三通孔113、所述第四通孔114和所述第五通孔115均贯穿所述平坦化层111和所述第三绝缘层117。
参考图12，图12为本发明的阵列基板的制造方法的第一实施例的流程图。
本实施例的阵列基板的制造方法包括以下步骤：
A(步骤1201)、在基板101上设置缓冲层102。
B(步骤1202)、在所述缓冲层102上设置半导体材料层，并对所述半导体材料层实施第一光罩制程，以形成有源层103。所述有源层103所对应的材料为多晶硅或非晶硅。
C(步骤1203)、在所述有源层103上以及所述缓冲层102上设置第一绝缘层104。具体地，在所述有源层103上以及所述缓冲层102除所述有源层103以外的部分上设置第一绝缘层104。
D(步骤1204)、在所述第一绝缘层104上设置第一金属层，并对所述第一金属层实施第二光罩制程，以形成栅极105。
其中，所述步骤D包括：
d1、在所述第一绝缘层104上依次设置第一金属层和光阻构件501，并对所述第一金属层实施第二光罩制程，以使所述第一金属层在所述基板101所在的平面上具有第一遮挡范围，并向所述有源层103未被具有所述第一遮挡范围的所述第一金属层遮挡的第一部分1031植入N+离子。
d2、保持向具有所述第一遮挡范围的所述第一金属层实施所述第二光罩制程，以形成在所述基板101所在的平面上具有第二遮挡范围的所述栅极105，并向所述有源层103未被具有所述第二遮挡范围的所述栅极105遮挡的第二部分1032植入N-离子。
其中，所述第二遮挡范围小于所述第一遮挡范围。所述第一遮挡范围小于所述有源层103的覆盖范围。
E(步骤1205)、在所述栅极105上以及所述第一绝缘层104上设置第二绝缘层106。具体地，在所述栅极105上以及所述第一绝缘层104上除所述栅极105以外的部分上设置第二绝缘层106，并对所述第一绝缘层104和所述第二绝缘层106实施第三光罩制程，以在所述第一绝缘层104和所述第二绝缘层106形成第一通孔701和第二通孔702。所述第一通孔701所在的位置和所述第二通孔702所在的位置分别与所述有源层103中植入有N+离子的两第一部分1031对应，所述第一通孔701和所述第二通孔702均贯穿所述第一绝缘层104和所述第二绝缘层106。
F(步骤1206)、在所述第二绝缘层106上设置第二金属层，并对所述第二金属层实施第四光罩制程，以在所述第二绝缘层106上形成触控信号线，以及在所述第二绝缘层106上形成源极108和漏极109。具体地，在所述第二绝缘层106上以及所述第一通孔701、所述第二通孔702中设置第二金属层，并对所述第二金属层实施第四光罩制程，以在所述第二绝缘层106上除所述第一通孔701和所述第二通孔702以外的部分上形成触控信号线107，以及在所述第二绝缘层106与所述第一通孔701和所述第二通孔702对应的部分上分别形成源极108和漏极109，所述源极108和所述漏极109连接于所述有源层103。
G(步骤1207)、在所述第二绝缘层106上设置第一电极层，并对所述第一电极层实施第五光罩制程，以形成第一电极110。
H(步骤1208)、在所述第一电极110上以及所述第二绝缘层106上设置平坦化层111。具体地，在所述第一电极110上以及所述第二绝缘层106除所述触控信号线107、所述源极108和所述漏极109以外的部分上设置平坦化层111，并对所述平坦化层111实施第六光罩制程，以在所述平坦化层111中与所述触控信号线107对应的部分形成第三通孔113。
I(步骤1209)、在所述平坦化层111上设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程，以形成第二电极112。具体地，在所述平坦化层111上以及所述第三通孔113中设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程，以形成第二电极112。
其中，所述第一电极110、所述第二电极112中的一者与所述漏极109连接，所述第一电极110、所述第二电极112中的另一者与所述触控信号线107连接。
本发明的阵列基板的制造方法的第一实施例与第二实施例相似，不同之处在于：
在本发明的阵列基板的制造方法的第一实施例中，所述第一电极110与所述漏极109连接，在所述第一电极110与所述漏极109连接的情况下，所述第一电极110的至少一部分设置于所述漏极109上，所述步骤G实施于所述步骤F之后，所述步骤G包括：
在所述第二绝缘层106上以及所述漏极109上设置所述第一电极层，并对所述第一电极层实施第五光罩制程，以形成所述第一电极110；
或者，在所述第一电极110与所述漏极109连接的情况下，所述漏极109的至少一部分设置于所述第一电极110上，所述步骤F实施于所述步骤G之后，所述步骤F包括：
在所述第二绝缘层106上以及所述第一电极110上设置所述第二金属层，并对所述第二金属层实施第四光罩制程，以在所述第二绝缘层上形成所述触控信号线107，以及在所述第二绝缘层106上形成所述源极108和所述漏极109。
在所述步骤H之后，以及在所述步骤I之前，所述方法还包括以下步骤：
J、对所述平坦化层111实施第六光罩制程，以在所述平坦化层111中与所述触控信号线107对应的部位形成第三通孔113。
所述触控信号线107与所述第二电极112连接。
在本发明的阵列基板的制造方法的第二实施例中，所述第二电极112与所述漏极109连接。
在本发明的阵列基板的制造方法的第二实施例中，所述阵列基板还包括第三绝缘层117和连接电极116。
在所述步骤F之后，以及在所述步骤G之前，所述方法还包括以下步骤：
K、在所述第二绝缘层106上除所述触控信号线107、所述源极108、所述漏极109以外的部分上以及在所述触控信号线107、所述源极108和所述漏极109上设置所述第三绝缘层117。
所述第一电极110设置于所述第三绝缘层117上，所述连接电极116连接所述触控信号线107和所述第一电极110。
所述步骤G包括：
在层叠于所述第二绝缘层106上的所述第三绝缘层117上设置第一电极层，并对所述第一电极层实施所述第五光罩制程，以形成所述第一电极110。
所述平坦化层111还设置有第四通孔114和第五通孔115，所述第三通孔113、所述第四通孔114和所述第五通孔115均贯穿所述平坦化层111和所述第三绝缘层117，所述步骤H包括：
在所述第一电极110上以及所述第三绝缘层117上设置所述平坦化层111。具体地，在所述第一电极110上以及所述第三绝缘层117除所述第一电极110以外的部分上设置平坦化层111，并对所述平坦化层111和所述第三绝缘层117实施第六光罩制程，以在所述平坦化层111和所述第三绝缘层117上与所述触控信号线107、所述第一电极110和所述漏极109对应的部分形成所述第三通孔113、所述第四通孔114和所述第五通孔115。
在所述步骤H之后，以及在所述步骤I之前，所述方法还包括以下步骤：
L、对所述平坦化层111和所述第三绝缘层117实施第六光罩制程，以在所述平坦化层111和所述第三绝缘层117上与所述触控信号线107、所述第一电极110和所述漏极109对应的部位分别形成第三通孔113、第四通孔114和第五通孔115。
所述步骤I包括：
在所述平坦化层111上设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程，以形成所述第二电极112以及所述连接电极116。具体地，在所述平坦化层111上以及所述第三通孔113、所述第四通孔114、所述第五通孔115中设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程，以形成所述第二电极112以及所述连接电极116。
所述连接电极116连接于所述触控信号线107和所述第一电极110。
本发明仅需使用七道光罩制程即可完成基于LTPS技术的阵列基板的制作，相对传统的基于LTPS技术的薄膜晶体管阵列基板，减少了至少三道光罩制程，因此，本发明能减少基于LTPS技术的阵列基板的制作过程中所需的光罩制程，缩短该阵列基板的制作周期。
本发明还实现了在不增加光罩制程的前提下在所述阵列基板内形成触控信号线107，兼容了in-cell touch设计。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板；
缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上；
有源层，所述有源层设置于所述缓冲层上；
第一绝缘层；
栅极，所述栅极设置于所述第一绝缘层上；
第二绝缘层；
触控信号线、源极和漏极，所述触控信号线、所述源极和所述漏极位于同层并设置于所述第二绝缘层上，所述源极和所述漏极分别连接于所述有源层；
第一电极，所述第一电极设置于所述第二绝缘层上；
平坦化层，所述平坦化层设置于所述第一电极上；
第二电极，所述第二电极设置于所述平坦化层上；
其中，所述第一电极、所述第二电极中的一者与所述漏极连接，所述第一电极、所述第二电极中的另一者与所述触控信号线连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与所述漏极连接，所述第一电极的至少一部分设置于所述漏极上，或者，所述漏极的至少一部分设置于所述第一电极上；
所述触控信号线通过设置于所述平坦化层的第三通孔与所述第二电极连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层和所述平坦化层之间的第三绝缘层，以及连接电极，所述第二电极通过设置于所述平坦化层和所述第三绝缘层的第五通孔与所述漏极连接；
所述第一电极设置于所述第三绝缘层上，所述连接电极通过设置于所述平坦化层和所述第三绝缘层的第三通孔和设置于所述平坦化层的第四通孔连接所述触控信号线和所述第一电极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层设置有两轻掺杂区和两重掺杂区，两所述重掺杂区分别位于于所述有源层的两侧端，两所述轻掺杂区分别与两所述重掺杂区相邻接；
所述源极和所述漏极通过贯穿所述第二绝缘层的第一通孔和第二通孔分别与所述有源层的两所述重掺杂区连接。
5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
A、在基板上设置缓冲层；
B、在所述缓冲层上设置半导体材料层，并对所述半导体材料层实施第一光罩制程，以形成有源层；
C、在所述有源层上以及所述缓冲层上设置第一绝缘层；
D、在所述第一绝缘层上设置第一金属层，并对所述第一金属层实施第二光罩制程，以形成栅极；
E、在所述栅极上以及所述第一绝缘层上设置第二绝缘层；
F、在所述第二绝缘层上设置第二金属层，并对所述第二金属层实施第四光罩制程，以在所述第二绝缘层上形成触控信号线，以及在所述第二绝缘层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极连接于所述有源层；
G、在所述第二绝缘层上设置第一电极层，并对所述第一电极层实施第五光罩制程，以形成第一电极；
H、在所述第一电极上以及所述第二绝缘层上设置平坦化层；
I、在所述平坦化层上设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程，以形成第二电极；
其中，所述第一电极、所述第二电极中的一者与所述漏极连接，所述第一电极、所述第二电极中的另一者与所述触控信号线连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第一电极与所述漏极连接的情况下，所述第一电极的至少一部分设置于所述漏极上，所述步骤G实施于所述步骤F之后，所述步骤G包括：
在所述第二绝缘层上以及所述漏极上设置所述第一电极层，并对所述第一电极层实施第五光罩制程，以形成所述第一电极；
或者，在所述第一电极与所述漏极连接的情况下，所述漏极的至少一部分设置于所述第一电极上，所述步骤F实施于所述步骤G之后，所述步骤F包括：
在所述第二绝缘层上以及所述第一电极上设置所述第二金属层，并对所述第二金属层实施第四光罩制程，以在所述第二绝缘层上形成所述触控信号线，以及在所述第二绝缘层上形成所述源极和所述漏极。
7.根据权利要求5或6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述步骤H之后，以及在所述步骤I之前，所述方法还包括以下步骤：
J、对所述平坦化层实施第六光罩制程，以在所述平坦化层中与所述触控信号线对应的部位形成第三通孔。
8.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二电极与所述漏极连接的情况下，所述阵列基板还包括第三绝缘层；
在所述步骤F之后，以及在所述步骤G之前，所述方法还包括以下步骤：
K、在所述第二绝缘层上以及在所述触控信号线、所述源极和所述漏极上设置所述第三绝缘层；
所述第一电极设置于所述第三绝缘层上；
所述步骤G包括：
在层叠于所述第二绝缘层上的所述第三绝缘层上设置所述第一电极层，并对所述第一电极层实施所述第五光罩制程，以形成所述第一电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤H包括：
在所述第一电极上以及所述第三绝缘层上设置所述平坦化层；
在所述步骤H之后，以及在所述步骤I之前，所述方法还包括以下步骤：
L、对所述平坦化层和所述第三绝缘层实施第六光罩制程，以在所述平坦化层和所述第三绝缘层上与所述触控信号线、所述第一电极和所述漏极对应的部位分别形成第三通孔、第四通孔和第五通孔；
所述阵列基板还包括连接电极；
所述步骤I包括：
在所述平坦化层上设置第二电极层，并对所述第二电极层实施第七光罩制程，以形成所述第二电极以及所述连接电极，所述连接电极连接于所述触控信号线和所述第一电极。
10.一种显示面板，包括如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，或包括根据权利要求5至9任一项所述的方法制造的阵列基板。
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