CN107170764B - 阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置，包括：衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个薄膜晶体管；薄膜晶体管包括栅极、半导体、同层设置的源极和漏极；半导体、源极和漏极均设置在栅极靠近衬底基板的一侧；像素电极层，像素电极层包括多个像素电极，像素电极与漏极电连接；多个触控电极和多条触控信号线，触控电极与至少一条触控信号线电连接并且与其余触控信号线绝缘；触控信号线与栅极的材料相同，并且触控信号线与栅极同层设置。相对于现有技术，节省了额外制作触控信号线的工艺制程，从而提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本，并且有利于阵列基板的轻薄化。

Description

阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，带有触控功能的显示面板越来越受到消费者的青睐。
图1是现有技术提供的一种显示面板的剖面结构示意图。图1提供的显示面板包括衬底基板00，以及设置在衬底基板00上的薄膜晶体管010，薄膜晶体管010包括栅极011、半导体012、源极013和漏极014。图1提供的显示面板还包括公共电极020和像素电极030，像素电极030与漏极014电连接。其中，公共电极020复用为触控电极，在显示面板的显示阶段，公共电极020接收公共电压信号，在显示面板的触控阶段，公共电极020用于接收触控信号。显示面板还包括触控信号线040，触控信号线040与公共电极020电连接，在显示面板的触控阶段，为公共电极020传输触控信号。为了实现触控信号线040与公共电极020电连接，设置了连接部031，连接部031与像素电极030同层设置，连接部031通过过孔分别与触控信号线040和公共电极020电连接，从而实现触控信号线040通过连接部031与公共电极020电连接。
现有技术提供的带有触控功能的显示面板中，在制造过程中，需要额外设置一道掩膜版(mask)以制备触控信号线040，降低了显示面板的生产效率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置。
本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个薄膜晶体管；薄膜晶体管包括栅极、半导体、同层设置的源极和漏极；半导体、源极和漏极均设置在栅极靠近衬底基板的一侧；像素电极层，像素电极层包括多个像素电极，像素电极与漏极电连接；多个触控电极和多条触控信号线，触控电极与至少一条触控信号线电连接并且与其余触控信号线绝缘；触控信号线与栅极的材料相同，并且触控信号线与栅极同层设置。
在一些可选的实施例中，源极和漏极设置在像素电极层背离衬底基板的一侧表面，半导体设置在源极和漏极背离衬底基板的一侧表面；像素电极层包括第一电极部和像素电极，第一电极部与源极电连接；源极向像素电极层的正投影位于第一电极部所在区域之内，漏极向像素电极层的正投影位于像素电极所在区域之内。
在一些可选的实施例中，阵列基板还包括公共电极层，公共电极层包括多个公共电极块，公共电极块复用为触控电极。
在一些可选的实施例中，多个公共电极块沿着行方向和列方向呈阵列式排布。
在一些可选的实施例中，半导体的材料包括低温多晶硅或者金属氧化物半导体。
在一些可选的实施例中，阵列基板还包括沿行方向延伸的栅极线，栅极线与栅极同层设置；触控信号线沿列方向延伸；触控信号线包括多个子触控信号线部，子触控信号线部设置在相邻的两条栅极线之间且与栅极线电绝缘；阵列基板还包括多个连接部，连接部与栅极异层设置，连接部用于电连接相邻的两个子触控信号线部。
在一些可选的实施例中，连接部与触控电极、源极和漏极、像素电极层中的任意一者同层设置。
本发明还提供了一种显示面板，包括本发明提供的阵列基板。
本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。
本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成半导体、源极和漏极、像素电极；形成栅极金属层，图案化栅极金属层，形成栅极和触控信号线；半导体、源极和漏极均设置在栅极靠近衬底基板的一侧；形成触控电极层，图案化触控电极层，形成多个触控电极；触控电极与至少一条触控信号线电连接并且与其余触控信号线绝缘。
在一些可选的实施例中，在衬底基板上形成半导体、源极和漏极、像素电极包括：在衬底基板上形成像素电极材料层；形成源漏金属层；源漏金属层形成在像素电极材料层背离衬底基板的一侧表面；使用半色调掩膜版图案化像素电极材料层和源漏金属层，形成像素电极层、源极和漏极；像素电极层包括第一电极部和像素电极；第一电极部与源极电连接，像素电极与漏极电连接；源极向像素电极层的正投影位于第一电极部所在区域之内，漏极向像素电极层的正投影位于像素电极所在区域之内；形成半导体材料层，图案化半导体材料层，形成半导体，半导体设置在源极和漏极背离衬底基板的一侧表面。
在一些可选的实施例中，触控电极复用为公共电极块。
在一些可选的实施例中，图案化栅极金属层还包括：图案化栅极金属层，形成多条沿行方向延伸的栅极线；触控信号线沿列方向延伸；触控信号线包括多个子触控信号线部，子触控信号线部设置在相邻的两条栅极线之间且与栅极线电绝缘；图案化触控电极层还包括：图案化触控电极层，形成多个连接部，连接部用于电连接相邻的两个子触控信号线部。
与现有技术相比，本发明提供的阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置中，包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管中的半导体、源极和漏极均设置在栅极靠近衬底基板的一侧；换言之，相对于半导体、源极和漏极而言，栅极较为远离衬底基板。本发明提供的阵列基板还包括多个触控电极和多条触控信号线，其中，触控信号线与栅极使用同种材料同层设置，可以在制造阵列基板的过程中，使用一道掩膜版同时制作触控信号线与栅极。除此之外，由于栅极较为远离衬底基板，栅极所在的膜层可以设置在较为靠近触控电极的位置，从而使触控信号线与触控电极电连接的结构简单。相对于现有技术，节省了额外制作触控信号线的工艺制程，从而提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本，并且有利于阵列基板的轻薄化。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是现有技术提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的阵列基板中的一种触控电极的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图；
图7是图6提供的阵列基板的一种剖面结构示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图；
图9是图8提供的阵列基板的一种剖面结构示意图；
图10是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图；
图11是图10提供的阵列基板的一种剖面结构示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图；
图13是图12提供的阵列基板的一种剖面结构示意图；
图14是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图15是本发明实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图；
图16是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图16a～图16f是图16提供的制造方法对应的阵列基板的剖面结构示意图；
图17是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图17a～图17e是图17提供的制造方法对应的阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请参考图2，图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底基板10，以及设置在衬底基板10上的多个薄膜晶体管20；薄膜晶体管包括栅极21、半导体22、同层设置的源极23和漏极24；半导体22、源极23和漏极24均设置在栅极21靠近衬底基板10的一侧；本实施例提供的阵列基板还包括像素电极层30，像素电极层30包括多个像素电极31，像素电极31与漏极24电连接；多个触控电极40和多条触控信号线50，触控电极40与至少一条触控信号线50电连接并且与其余触控信号线50绝缘；触控信号线50与栅极21的材料相同，并且触控信号线50与栅极21同层设置。需要说明的是，为了清楚的示意本实施例的技术方案，图2仅示意了一个薄膜晶体管20，可以理解的是，本实施例提供的阵列基板包括多个薄膜晶体管20。同理，图2仅示意了一个像素电极31，可以理解的是，像素电极层30包括多个像素电极31，像素电极31与薄膜晶体管20的漏极24电连接。
需要说明的是，图2仅示意了一个触控电极40和对应的一条触控信号线50，本实施例提供的阵列基板中，包括多个触控电极40和多条触控信号线50，触控电极40和触控信号线50的一种设置方式请参考图3，图3是本发明实施例提供的阵列基板中的一种触控电极的结构示意图。图3中，触控电极40有多个，一个触控电极40与一条触控信号线50电连接；可选的，一个触控电极40可以与两条以上触控信号线50电连接，当触控电极40对应电连接的触控信号线50中，如果存在某一条触控信号线50发生断路的情况，其余触控信号线50可以继续为触控电极40传输电信号，保证触控电极40的正常工作。需要说明的是，为了清楚的示意触控电极40和触控信号线50的设置方式，图3中仅示意了衬底基板10、触控电极40和触控信号线50。图3仅示意了触控电极40和触控信号线50的一种设置方式，触控电极40和触控信号线50的设置方式有多种，本实施例对于触控电极40的形状、大小、数量、排布方式均不作具体限制。
本实施例提供的阵列基板中，衬底基板10可以为硬质的，例如使用玻璃制作而成，也可以为柔性的，例如使用塑料制作而成，本实施例对此不作具体限制。薄膜晶体管20包括栅极21、半导体22、同层设置的源极23和漏极24，其中，可选的，栅极21、源极23和漏极24使用金属材料制作，半导体22使用半导体材料，例如单晶硅、多晶硅或者金属氧化物半导体。本实施例对栅极21、半导体22、源极23和漏极24的材料均不作具体限制。本实施例提供的薄膜晶体管20为顶栅结构，半导体22、源极23和漏极24均设置在栅极21靠近衬底基板10的一侧，换言之，相对于半导体22、源极23和漏极24而言，栅极21较为远离衬底基板10，栅极21所在的膜层可以设置在较为靠近触控电极40的位置。本实施例中，设置触控信号线50与栅极21的材料相同，并且触控信号线50与栅极21同层设置，即为触控信号线50所在的膜层在较为靠近触控电极40的位置，触控信号线50与触控电极40之间的膜层结构较少，有利于触控信号线50与触控电极40电连接。例如，可选的，触控信号线50与触控电极40之间包括至少一层绝缘层11，至少一层绝缘层11中设置有过孔111，触控电极40通过过孔111与触控信号线50电连接。由于触控信号线50所在的膜层在较为靠近触控电极40的位置，过孔111的深度较小，在制作阵列基板的过程中，制作深度较小的过孔111的工艺较为简单；如果过孔111的深度较大，不仅制作工艺复杂，还可能出现触控电极40在过孔111中断裂的情况，造成触控电极40与触控信号线50之间断路，影响阵列基板的良率。
本实施例提供的阵列基板，包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管中的半导体、源极和漏极均设置在栅极靠近衬底基板的一侧；换言之，相对于半导体、源极和漏极而言，栅极较为远离衬底基板。本发明实施例提供的阵列基板还包括多个触控电极和多条触控信号线，其中，触控信号线与栅极使用同种材料同层设置，可以在制造阵列基板的过程中，使用一道掩膜版同时制作触控信号线与栅极。除此之外，由于栅极较为远离衬底基板，栅极所在的膜层可以设置在较为靠近触控电极的位置，从而使触控信号线与触控电极电连接的结构简单。相对于现有技术，节省了额外制作触控信号线的工艺制程，从而提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本，并且有利于阵列基板的轻薄化。
需要说明的是，本实施例提供的阵列基板中，对源极23和漏极24、半导体22和像素电极31之间的相对位置关系不作具体限制。下面，本发明在此示例性的提供了三个实施例，以说明源极23和漏极24、半导体22和像素电极31之间的相对位置关系。
在一些可选的实施例中，请继续参考图2，源极23和漏极24设置在像素电极层30背离衬底基板10的一侧表面，半导体22设置在源极23和漏极24背离衬底基板10的一侧表面；像素电极层30包括第一电极部32和像素电极31，第一电极部32与源极23电连接；源极23向像素电极层30的正投影位于第一电极部32所在区域之内，漏极24向像素电极层30的正投影小于像素电极31所在区域之内。本实施例提供的阵列基板中，衬底基板10、像素电极层30、源极23和漏极24、半导体22依次堆叠，明显区别于现有技术提供的阵列基板。并且，像素电极层30包括第一电极部32和像素电极31，源极23设置在第一电极部32表面并与第一电极部32直接接触，二者电连接；漏极24设置在像素电极31表面，并且像素电极31与漏极24直接接触，二者电连接。源极23向像素电极层30的正投影位于第一电极部32所在区域之内，漏极24向像素电极层30的正投影位于像素电极31所在区域之内，因此，源极23的面积小于等于第一电极部32的面积，并且源极23不超出第一电极部32所在的区域；漏极24的面积小于像素电极31的面积，并且漏极24位于像素电极31所在的区域之内。在制作阵列基板的过程中，可以在形成源极和漏极的材料层和像素电极的材料层后，使用一道半色调掩膜版(Half ToneMask)刻蚀源极和漏极的材料层和像素电极的材料层，同时形成第一电极部32、像素电极31、源极23和漏极24。其中，半色调掩膜版可以控制通过的光的强度，从而控制对阵列基板中的膜层的刻蚀深度。通过使用半色调掩膜版，可以将源极和漏极的材料层通过刻蚀同时形成漏极24和像素电极31，漏极24的面积小于像素电极31的面积。漏极24的面积不宜过大，以免影响阵列基板的透光率，影响像素电极31的正常工作。本实施提供了一种全新的阵列基板的膜层结构的设置方式，明显区别于现有技术提供的阵列基板。除此之外，本实施例提供的阵列基板可以在制造过程中，可以使用一道半色调掩膜版，同时形成源极23、漏极24和像素电极31，进一步节省了工艺制程，提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本。
在一些可选的实施例中，请参考图4，图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图。图4沿用了图2的附图标记，相同之处不再赘述。本实施例提供的阵列基板包括：衬底基板10，以及设置在衬底基板10上的多个薄膜晶体管20；薄膜晶体管包括栅极21、半导体22、同层设置的源极23和漏极24；半导体22、源极23和漏极24均设置在栅极21靠近衬底基板10的一侧；本实施例提供的阵列基板还包括像素电极层30，像素电极层30包括多个像素电极31，像素电极31与漏极24电连接；多个触控电极40和多条触控信号线50，触控电极40与至少一条触控信号线50电连接并且与其余触控信号线50绝缘；触控信号线50与栅极21的材料相同，并且触控信号线50与栅极21同层设置。可选的，触控信号线50与触控电极40之间包括至少一层绝缘层11，至少一层绝缘层11中设置有过孔111，触控电极40通过过孔111与触控信号线50电连接。本实施例中，半导体22设置在源极23和漏极24背离衬底基板10的一侧表面，像素电极31设置在漏极24背离衬底基板10的一侧。在制造阵列基板的工艺制程中，刻蚀源极和漏极的材料层同时形成源极23和漏极24；然后形成半导体的材料层，刻蚀半导体的材料层形成半导体22；随后形成像素电极的材料层，刻蚀像素电极的材料层形成像素电极层30，像素电极层30包括多个像素电极31。
在一些可选的实施例中，请参考图5，图5为是本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图。图5沿用了图2的附图标记，相同之处不再赘述。本实施例提供的阵列基板包括：衬底基板10，以及设置在衬底基板10上的多个薄膜晶体管20；薄膜晶体管包括栅极21、半导体22、同层设置的源极23和漏极24；半导体22、源极23和漏极24均设置在栅极21靠近衬底基板10的一侧；本实施例提供的阵列基板还包括像素电极层30，像素电极层30包括多个像素电极31，像素电极31与漏极24电连接；多个触控电极40和多条触控信号线50，触控电极40与至少一条触控信号线50电连接并且与其余触控信号线50绝缘；触控信号线50与栅极21的材料相同，并且触控信号线50与栅极21同层设置。可选的，触控信号线50与触控电极40之间包括至少一层绝缘层11，至少一层绝缘层11中设置有过孔111，触控电极40通过过孔111与触控信号线50电连接。本实施例中，源极23和漏极24设置在半导体22背离衬底基板10的一侧表面，像素电极31设置在漏极24背离衬底基板10的一侧。在制造阵列基板的工艺制程中，形成半导体的材料层，刻蚀半导体的材料层形成半导体22；然后形成源极和漏极的材料层，刻蚀源极和漏极的材料层同时形成源极23和漏极24；随后形成像素电极的材料层，刻蚀像素电极的材料层形成像素电极层30，像素电极层30包括多个像素电极31。
图2、图4和图5示例性的说明了源极23和漏极24、半导体22和像素电极31之间的相对位置关系，可以理解的是，源极23和漏极24、半导体22和像素电极31之间的相对位置关系还有多种，本发明在此不再一一列举。
在一些可选的实施例中，请参考图6和图7，图6是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图，图7是图6提供的阵列基板的一种剖面结构示意图。图6沿用了图3的附图标记，图7沿用了图2的附图标记，相同之处不再赘述。图6和图7提供的实施例中，阵列基板还包括公共电极层，公共电极层包括多个公共电极块61，公共电极块61复用为触控电极。本实施例中，公共电极61设置在像素电极31背离衬底基板10的一侧，公共电极为狭缝电极。本实施例提供的阵列基板中，将公共电极块61复用为触控电极，在阵列基板的显示阶段，公共电极块接收公共电压信号、用于实现显示功能，在阵列基板的触控阶段，公共电极块接收触控信号，用于实现触控功能。本实施例提供的阵列基板，进一步节省了工艺制程，提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本，并且有利于实现阵列基板的轻薄化。图6和图7实施例提供的阵列基板，制造工艺流程较简单，只需要使用五道掩膜版即可完成。
可选的，请继续参考图6和图7，多个公共电极块61沿着行方向和列方向呈阵列式排布。本实施例提供的阵列基板中，公共电极块61复用为触控电极，并且公共电极块61的排布方向为沿着行方向和列方向呈阵列式排布，可选的，公共电极块61的形状为矩形。本实施例提供的阵列基板中，触控电极的工作模式为自电容式，具体的，一个触控电极与一条触控信号线50电连接，触控信号线50向触控电极输入触控发射信号，通常触控发射信号为脉冲信号，当触控电极检测到触控操作时，触控电极与大地形成的耦合电容发生变化、该电容的变化引起触控电极所带的电荷量的变化，电荷量的变化引起电流的变化，触控信号线50输出该电流的变化，经过计算分析该电流的变化可以确定触控操作的信息，该种触控电极的工作模式称为自电容式。本实施例提供的阵列基板，触控电极沿着行方向和列方向呈阵列式排布，结构简单，易于制作。
可选的，请继续参考图6和图7，触控信号线50可以沿着列方向延伸，也可以沿着行方向延伸，图6实施例中，以触控信号线50沿着行方向延伸为例进行说明，本实施例对触控信号线50的具体延伸方向不作限制。
在一些可选的实施例中，本发明上述任一实施例提供的阵列基板中，半导体的材料包括低温多晶硅或者金属氧化物半导体。其中，使用低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon，简称LTPS)制作半导体，可以将半导体设置的更薄更小，并且电子迁移速率快、稳定性更高。或者，使用金属氧化物半导体制作半导体，例如铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟锡氧化物或者铟锡锌氧化物。铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，铟镓锌氧化物在薄膜状时是透明的。铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，简称IZO)，也可称为掺铟氧化锌，导电性较好，电子迁移率较高，铟锌氧化物在薄膜状时是透明的。铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，简称ITO)，也可称为掺锡氧化铟，是一种铟氧化物(In2O3)和锡氧化物(SnO2)的混合物，导电性较好，氧化铟锡在薄膜状时是透明的。铟锡锌氧化物(Indium Tin Zinc，简称ITZO)具有光电性能优异、电学性能随厚度变化小等优点，铟锡锌氧化物在薄膜状时是透明的。本实施例中，半导体的材料可包括铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟锡氧化物、铟锡锌氧化物中的任意一者，或者半导体的材料可包括铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟锡氧化物、铟锡锌氧化物中的任意二者或者更多，本实施例对此不作具体限制。
在一些可选的实施例中，请参考图8和图9，图8是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图，图9是图8提供的阵列基板的一种剖面结构示意图。图9沿用了图2的附图标记。本实施例中，阵列基板还包括沿行方向延伸的栅极线22，栅极线22与栅极21同层设置；触控信号线沿列方向延伸；触控信号线包括多个子触控信号线部51，子触控信号线部51设置在相邻的两条栅极线22之间且与栅极线22电绝缘；阵列基板还包括多个连接部52，连接部52与栅极21异层设置，连接部52用于电连接相邻的两个子触控信号线部51。图8和图9所示的实施例中，以连接部52与触控电极同层设置为例进行说明。具体的，触控电极包括触控电极40a和触控电极40b，触控电极40a与触控信号线50a通过过孔111电连接、与其余的触控信号线绝缘，触控电极40b与触控信号线50b通过过孔111电连接、与其余的触控信号线绝缘。为了避免触控电极40b与触控信号线50a电连接，触控电极40b在连接部52对应的位置处需要与连接部52绝缘。例如，可以在触控电极40b中设置镂空区域，将连接部52设置在镂空区域中，以实现触控电极40b在连接部52对应的位置处与连接部52绝缘。连接部52用于电连接相邻的两个子触控信号线部51，例如，连接部52可以通过至少一层绝缘层11中的过孔521与子触控信号线部51电连接。本实施例提供的阵列基板中，连接部52与触控电极同层设置，用于电连接相邻的两个子触控信号线部51，多个子触控信号线部51与对应的多个连接部52形成通路，用于传输电信号。需要说明的是，为了清楚的示意本实施例的技术方案，图8中的触控电极没有设置填充图案。
在一些可选的实施例中，连接部可以与源极和漏极同层设置。请参考图10和图11，图10是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图，图11是图10提供的阵列基板的一种剖面结构示意图。本实施例与图8和图9提供的实施例的区别之处在于，连接部52与源极和漏极同层设置。具体的，连接部52用于电连接相邻的两个子触控信号线部51，子触控信号线部51可以通过过孔511与连接部52电连接。
在一些可选的实施例中，连接部可以与像素电极层同层设置。请参考图12和图13，图12是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部平面结构示意图，图13是图12提供的阵列基板的一种剖面结构示意图。本实施例与图8和图9提供的实施例的区别之处在于，连接部52可以与像素电极层同层设置。具体的，连接部52用于电连接相邻的两个子触控信号线部51，子触控信号线部51可以通过过孔511与连接部52电连接。
图8至图13实施例提供的阵列基板中，由于触控信号线与栅极线的延伸方向不同，为了防止二者交叉造成电连接，将触控信号线分段设置，一条触控信号线包括多个子触控信号线部，并且阵列基板还设置了连接部，连接部用于电连接相邻的两个子触控信号线部，且连接部与栅极线异层设置。图8至图13实施例提供的阵列基板，复用了阵列基板中原有的膜层结构设置连接部，可以进一步简化阵列基板的制造工艺，提高阵列基板的生产效率。
本发明还提供一种显示面板，包括本发明上述任一实施例提供的阵列基板。请参考图14，图14是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。图14所示的显示面板包括本发明上述任一实施例提供的阵列基板100，还包括对置基板200、以及夹持设置在阵列基板100和对置基板200之间的液晶层300。本发明上述任一实施例提供的阵列基板100适用于液晶显示面板，本实施例提供的显示面板为液晶显示面板。本实施例提供的显示面板，具有本发明上述任一实施例提供的阵列基板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于阵列基板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
本领域内技术人员也应该理解，本申请实施例提供的显示面板的具体类型可以是液晶显示面板，还可以包括但不限于OLED显示面板、Micro-LED(Micro Light EmittingDiodes，微缩型发光二极管)显示面板或QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板，本申请对此不做限定。
本发明还提供一种显示装置，包括本发明实施例提供的显示面板。请参考图15，图15是本发明实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图。图15所示的显示装置包括本发明实施例提供的显示面板400。图15实施例仅以手机为例，对显示装置进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，请结合参考图16、图16a～图16f。图16是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图，图16a～图16f是图16提供的制造方法对应的阵列基板的剖面结构示意图。本实施例提供的阵列基板的制造方法包括：
步骤S1：提供衬底基板；
具体的，请参考图16a，提供衬底基板10。衬底基板10可以为硬质的，例如使用玻璃制作而成，也可以为柔性的，例如使用塑料制作而成，本实施例对此不作具体限制。
步骤S2：在衬底基板上形成半导体、源极和漏极、像素电极；
具体的，请参考图16b，在衬底基板10上形成半导体22、源极23和漏极24、像素电极31。
步骤S3：形成栅极金属层，图案化栅极金属层，形成栅极和触控信号线；半导体、源极和漏极均设置在栅极靠近衬底基板的一侧；
具体的，请参考图16c，形成栅极金属层210；请参考图16d，图案化栅极金属层，形成栅极21和触控信号线50；半导体22、源极23和漏极24均设置在栅极21靠近衬底基板10的一侧。其中，栅极21、半导体22、源极23和漏极24组成了薄膜晶体管的基本结构。
步骤S4：形成触控电极层，图案化触控电极层，形成多个触控电极；触控电极与至少一条触控信号线电连接并且与其余触控信号线绝缘。
具体的，请参考图16e，形成触控电极层400；请参考图16f，图案化触控电极层400，形成多个触控电极40；触控电极40与至少一条触控信号线50电连接并且与其余触控信号线50绝缘。需要说明的是，为了清楚的示意本实施例的技术方案，图16e和图16f中仅示意了一个触控电极40和一条触控信号线50。可选的，本实施例提供的阵列基板的制造方法还包括，在形成栅极21和触控信号线50之后，在栅极21和触控信号线50上形成至少一层绝缘层11，图案化至少一层绝缘层11形成过孔111，触控电极40通过过孔111与触控信号线50电连接。
本实施例提供的阵列基板的制造方法中，在衬底基板上制作了薄膜晶体管，在制造半导体、源极和漏极的工艺制程后，再制造栅极，因而栅极较为远离衬底基板。并且，本实施例提供的阵列基板的制造方法中还包括制造多个触控电极和多条触控信号线，形成栅极金属层后，使用一道掩膜版同时制作触控信号线与栅极，可以节省工艺制程。除此之外，由于栅极较为远离衬底基板，栅极所在的膜层可以设置在较为靠近触控电极的位置，从而使触控信号线与触控电极电连接的结构简单。相对于现有技术，节省了额外制作触控信号线的工艺制程，从而提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本，并且有利于阵列基板的轻薄化。
在一些可选的实施例中，请参考图17、图17a～图17e，图17是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，图17a～图17e是图17提供的制造方法对应的阵列基板的剖面结构示意图。图16提供的阵列基板的制造方法中，在衬底基板上形成半导体、源极和漏极、像素电极的步骤S2包括：
步骤S21：在衬底基板上形成像素电极材料层；
具体的，请参考图17a，在衬底基板10上形成像素电极材料层300。
步骤S22：形成源漏金属层；源漏金属层形成在像素电极材料层背离衬底基板的一侧表面；
具体的，请参考图17b，形成源漏金属层230；源漏金属层230形成在像素电极材料层300背离衬底基板10的一侧表面。
步骤S23：使用半色调掩膜版图案化像素电极材料层和源漏金属层，形成像素电极层、源极和漏极；像素电极层包括第一电极部和像素电极；第一电极部与源极电连接，像素电极与漏极电连接；源极向像素电极层的正投影位于第一电极部所在区域之内，漏极向像素电极层的正投影小于像素电极所在区域；
具体的，请参考图17c，使用半色调掩膜版图案化像素电极层300和源漏金属层230，形成像素电极层30、源极23和漏极24；像素电极层30包括第一电极部32、像素电极31；第一电极部32与源极23电连接，像素电极31与漏极24电连接；源极23向像素电极层30的正投影位于第一电极部32所在区域之内，漏极24向像素电极层30的正投影小于像素电极31所在区域。其中，半色调掩膜版可以控制通过的光的强度，从而控制对阵列基板中的膜层的刻蚀深度。通过使用半色调掩膜版，可以将源极和漏极的材料层通过刻蚀同时形成漏极24和像素电极31，漏极24的面积小于像素电极31的面积。漏极24的面积不宜过大，以免影响阵列基板的透光率，影响像素电极31的正常工作。需要说明的是，在形成源极23、漏极24的同时形成了多条数据线，源极23或漏极24可以是数据线的一部分；在本实施例中，在数据线、源极23(或者漏极24)靠近衬底基板10的一侧均有第一电极部32。
步骤S24：形成半导体材料层，图案化半导体材料层，形成半导体，半导体设置在源极和漏极背离衬底基板的一侧表面。
具体的，请参考图17d，形成半导体材料层220；请继续参考图17e，图案化半导体材料层220，形成半导体22，半导体22设置在源极23和漏极24背离衬底基板10的一侧表面。本实施提供的制造方法，可以制造一种全新的阵列基板的膜层结构的设置方式，明显区别于现有技术提供的阵列基板。除此之外，本实施例提供的阵列基板的制造方法，可以在制造过程中，可以使用一道半色调掩膜版，同时形成源极23、漏极24和像素电极31，进一步节省了工艺制程，提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本。
在一些可选的实施例中，图16提供的阵列基板的制造方法中，触控电极复用为公共电极块。本实施例提供的阵列基板的制造方法中，无需增加额外的工艺制程以制造公共电极，将触控电极复用为公共电极，在阵列基板的显示阶段，触控电极接收公共电压信号、用于实现显示功能，在阵列基板的触控阶段，触控电极接收触控信号，用于实现触控功能。本实施例提供的阵列基板，进一步节省了工艺制程，提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本，并且有利于实现阵列基板的轻薄化。
在一些可选的实施例中，请结合图16，并参考图8和图9。图16提供的阵列基板的制造方法中，图案化栅极金属层还包括：
图案化栅极金属层210，形成多条沿行方向延伸的栅极线22；触控信号线50沿列方向延伸；触控信号线50包括多个子触控信号线部51，子触控信号线部51设置在相邻的两条栅极线22之间且与栅极线22电绝缘；图案化触控电极层还包括：图案化触控电极层400，形成多个连接部52，连接部52用于电连接相邻的两个子触控信号线部51。本实施例提供的阵列基板的制造方法中，连接部52与触控电极同层设置，用于电连接相邻的两个子触控信号线部51，例如，连接部52可以通过至少一层绝缘层11中的过孔521与子触控信号线部51电连接。多个子触控信号线部51与对应的多个连接部52形成通路，用于传输电信号。本实施例提供的阵列基板的制造方法中，使图案化触控电极层400，同时形成触控电极40和连接部52，无需设置额外的膜层制作连接部52，节省了阵列基板的制造工艺。本实施例提供的阵列基板的制造方法，最少只需使用五道掩膜版，即可制作完成阵列基板。相对于现有技术，提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的制作成本。
需要说明的是，在制造阵列基板的过程中，主要通过刻蚀工艺形成阵列基板中的结构，可以理解的是，阵列基板的制造方法中采用的图案化工艺可以是湿法刻蚀或者干法刻蚀。当采用湿法刻蚀时，可以针对阵列基板中形成各层的材料等的不同，采用不同的刻蚀液。当采用干法刻蚀时，可以针对阵列基板中形成各层的材料的不同，采用不同的刻蚀气体。本领域的技术人员可以理解，针对上述阵列基板种形成各层结构的材料等的不同，可以选择不同的刻蚀液或刻蚀气体，这里不再赘述。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (9)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的多个薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极、半导体、同层设置的源极和漏极；所述半导体、所述源极和所述漏极均设置在所述栅极靠近所述衬底基板的一侧；
像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接；
所述源极和所述漏极设置在所述像素电极层背离所述衬底基板的一侧表面；
多个触控电极和多条触控信号线，所述触控电极与至少一条触控信号线电连接并且与其余所述触控信号线绝缘；
所述触控信号线与所述栅极的材料相同，并且所述触控信号线与所述栅极同层设置；
所述阵列基板还包括公共电极层，所述公共电极层包括多个公共电极块，所述公共电极块复用为所述触控电极；
所述触控信号线和所述触控电极之间包括一层绝缘层，所述绝缘层中设置过孔，所述触控电极通过所述过孔与所述触控信号线电连接；
所述阵列基板还包括沿行方向延伸的栅极线，所述栅极线与所述栅极同层设置；所述触控信号线沿列方向延伸；
所述触控信号线包括多个子触控信号线部，所述子触控信号线部设置在相邻的两条栅极线之间且与所述栅极线电绝缘；
所述阵列基板还包括多个连接部，所述连接部与所述栅极异层设置，所述连接部用于电连接相邻的两个子触控信号线部；
所述连接部与所述触控电极同层设置，至少一个所述触控电极中设置镂空区域用于与所述触控信号线绝缘，所述连接部设置在所述镂空区域中。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述半导体设置在所述源极和所述漏极背离所述衬底基板的一侧表面；
所述像素电极层包括第一电极部和所述像素电极，所述第一电极部与所述源极电连接；
所述源极向所述像素电极层的正投影位于所述第一电极部所在区域之内，所述漏极向所述像素电极层的正投影位于所述像素电极所在区域之内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述多个公共电极块沿着行方向和列方向呈阵列式排布。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述半导体的材料包括低温多晶硅或者金属氧化物半导体。
5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的显示面板。
7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成半导体、源极和漏极、像素电极；
在所述衬底基板上形成像素电极材料层；
形成源漏金属层；所述源漏金属层形成在所述像素电极材料层背离所述衬底基板的一侧表面；
形成栅极金属层，图案化所述栅极金属层，形成栅极和触控信号线；所述半导体、所述源极和所述漏极均设置在所述栅极靠近所述衬底基板的一侧；
所述图案化所述栅极金属层还包括：图案化所述栅极金属层，形成多条沿行方向延伸的栅极线；
所述触控信号线沿列方向延伸；所述触控信号线包括多个子触控信号线部，所述子触控信号线部设置在相邻的两条栅极线之间且与所述栅极线电绝缘；
形成触控电极层，图案化所述触控电极层，形成多个触控电极；所述触控电极与至少一条触控信号线电连接并且与其余所述触控信号线绝缘；在形成栅极和触控信号线之后，在栅极和触控信号线上形成一层绝缘层，图案化至少一层绝缘层形成过孔，触控电极通过过孔与触控信号线电连接；
所述图案化所述触控电极层还包括：图案化所述触控电极层，形成多个连接部，所述连接部用于电连接相邻的两个子触控信号线部；
至少一个所述触控电极中设置镂空区域，所述连接部设置在所述镂空区域中。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，
所述在所述衬底基板上形成半导体、源极和漏极、像素电极包括：
使用半色调掩膜版图案化所述像素电极材料层和所述源漏金属层，形成像素电极层、源极和漏极；所述像素电极层包括第一电极部和像素电极；
所述第一电极部与所述源极电连接，所述像素电极与所述漏极电连接；所述源极向所述像素电极层的正投影位于所述第一电极部所在区域之内，所述漏极向所述像素电极层的正投影位于所述像素电极所在区域之内；
形成半导体材料层，图案化所述半导体材料层，形成所述半导体，所述半导体设置在所述源极和所述漏极背离所述衬底基板的一侧表面。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述触控电极复用为公共电极块。
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