CN112882596B - 显示面板及触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示面板，显示面板包括显示区域以及位于显示区域一侧的扇出区域，显示区域和扇出区域均包括：阵列基底，包括像素电路；触控走线层，包括从显示区域延伸到扇出区域的触控走线；平坦化层；第一电极层，包括位于显示区域中的像素电极和位于扇出区域中的连接线；像素限定层；第二电极层，包括位于显示区域中的阴电极和触控电极以及位于扇出区域中的桥接线，其中，触控电极与触控走线连接，触控走线延伸到扇出区域中，并通过桥接线与连接线连接，其中，连接线和像素电极位于同一层中，并且与像素电极均由Ag和ITO形成。根据本申请的显示面板能够避免触控金属线的Al迁移问题。

Description

显示面板及触控显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及触控显示装置。

背景技术

有机电致发光显示装置(OLED)以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐成为显示领域的主流技术，未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。

目前OLED相较于LCD(Liquid Crystal Display)可做到更薄，相应快，可折叠等优点，而将触摸功能集成于显示屏上可大大降低整体的厚度。例如，目前单层金属自容式触摸屏已广泛运用在中大尺寸OLED折叠领域。然而该技术在制程验证过程中，在屏体扇出区域，触摸金属线需要沉积在ELVSS或ELVDD等金属线上层，然而在蚀刻过程中容易造成铝迁移，对制程良率造成了很大影响。

因此，现有技术中存在Al迁移的问题需要解决。

发明内容

本申请的目的在于，针对现有技术中存在的问题，旨在改变扇出区域结构设计，将易发生Al迁移的触摸金属线用其他金属膜层代替，以求解决现有技术中Al迁移的问题。

本发明提出了一种显示面板，所述显示面板包括显示区域以及位于所述显示区域一侧的扇出区域，所述显示区域和所述扇出区域均包括：

阵列基底，在所述显示区域中，所述阵列基底包括像素电路；

触控走线层，位于所述阵列基底的一侧，所述触控走线层包括从所述显示区域延伸到所述扇出区域的触控走线；

平坦化层，位于所述触控走线层的远离所述阵列基底的一侧；

第一电极层，位于所述平坦化层的远离所述阵列基底的一侧，所述第一电极层包括位于所述显示区域中的像素电极和位于所述扇出区域中的连接线；

像素限定层，位于所述平坦化层的远离所述阵列基底的一侧上，

第二电极层，位于所述像素限定层的远离所述阵列基底的一侧上，所述第二电极层包括位于所述显示区域中的阴电极和触控电极以及位于所述扇出区域中的桥接线，

其中，所述触控电极与所述触控走线连接，所述触控走线在所述扇出区域中通过所述桥接线与所述连接线连接，

其中，所述连接线和所述像素电极位于同一层中，并且与所述像素电极均由Ag和ITO形成。

在本发明的一些实施例中，，所述像素电极为由ITO/Ag/ITO形成的叠层结构。

在本发明的一些实施例中，所述桥接线与所述触控电极位于同一层中，并且与所述触控电极由相同的材料形成。

在本发明的一些实施例中，所述触控电极和所述阴电极在垂直于所述阵列基底的方向上的投影彼此分离，所述触控电极通过贯穿所述像素限定层和所述平坦化层的通孔连接至所述触控走线。

在本发明的一些实施例中，在所述扇出区域中形成有分别暴露所述连接线和所述触控走线的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述像素限定层以暴露所述连接线，所述第二通孔贯穿所述像素限定层和所述平坦化层以暴露所述触控走线，所述桥接线通过所述第一通孔和所述第二通孔分别连接所述连接线和所述触控走线。

在本发明的一些实施例中，所述像素限定层上形成有挡止块，所述触控电极形成在所述挡止块上方，其中，所述挡止块与所述像素限定层由相同的材料形成。

在本发明的一些实施例中，所述触控走线层还包括源漏走线，所述源漏走线与所述触控走线彼此分离设置。

在本发明的一些实施例中，所述平坦化层中形成有暴露所述源漏走线的通孔，所述像素电极通过所述通孔连接至所述源漏走线，并通过所述源漏走线连接至所述像素电路。

在本发明的一些实施例中，在所述显示区域中，所述像素限定层具有暴露所述像素电极的开口，所述开口中形成有发光层，并且所述阴电极覆盖所述开口。

本发明还提出了一种触控显示装置，所述触控显示装置包括驱动模块与上所述的显示面板，所述驱动模块与所述连接线电连接。

有益效果：在根据本申请的显示面板和触控显示装置中，触控走线通过桥接线与连接线连接，连接线与像素电极位于同一层中，并且与像素电极由相同的材料形成。因此，根据本申请的显示面板和触控显示装置通常可以避免现有技术中触控金属线的Al迁移问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了根据本申请的实施例的显示面板的示意性剖视图。

图2示出了根据现有技术的显示面板的示意性剖视图。

图3示出了根据本申请的实施例的触控显示装置的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

图1示出了根据本申请的实施例的显示面板的示意性剖视图。

如图1所示，显示面板1包括显示区域NA以及位于显示区域一侧的扇出区域NDA，显示区域DA和扇出区域NDA均包括依次堆叠的阵列基底10、触控走线层20、平坦化层30、第一电极层40、像素限定层50和第二电极层60。

阵列基底10位于显示区域DA中并且包括像素电路。在一些实施例中，阵列基底10可以包括柔性基底110、组合绝缘层和数据布线层。

组合绝缘层设置在柔性基底110上方，并包括依次堆叠的第一绝缘层120和层间绝缘层130。柔性基底110上还形成有有源层140，有源层140包括沟道区以及位于沟道区两端的源区和漏区。有源层140被第一绝缘层120覆盖，因而其置于柔性基底110与第一绝缘层120之间。在第一绝缘层120上与有源层140对应的位置处形成有第一金属层150，第一金属层150被层间绝缘层130覆盖。此外，在一些实施例中，在第一金属层150上方还可以设置有第二金属层和第二绝缘层。其中，第一金属层和第二金属层可以为栅电极。

数据布线层形成在栅极绝缘层上方。数据布线层包括源极S、漏极D、数据线、电源线等多条金属布线。并且，如图1所示，源极S和漏极D通过形成在第一绝缘层120和层间绝缘层130上的过孔连接到位于第一绝缘层120下方的有源层140的源区和漏区。

其中，有源层140、第一金属层150和数据布线层中的各布线结构形成显示面板1的像素电路。

触控走线层20位于阵列基底10的一侧，并且，触控走线层210包括多条触控走线210，并且从图1可以看出，所述触控走线210从所述显示区域DA延伸到所述扇出区域NDA。

平坦化层30位于触控走线层20的远离阵列基底10的一侧上。

第一电极层40位于平坦化层30的远离阵列基底10的一侧上，如附图1所示，第一电极层40包括位于显示区域DA中的像素电极410和位于扇出区域NDA中的连接线420。在一些实施例中，像素电极410可以为阳电极。在一些实施例中，像素电极可以为多层结构，可选地，像素电极可以由ITO和Ag形成。

像素限定层50位于平坦化层30的远离阵列基底10的一侧上，并且在显示区域DA中，像素限定层50具有暴露像素电极410的开口510，开口510中形成有发光层。在一些实施例中，发光层可以只包括单层膜层，即只包括发光材料层，也可以包括依次堆叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层等形成的多层结构。并且，发光层可以包括红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层，进而实现多种颜色的显示。

第二电极层60位于像素限定层50的远离阵列基底10的一侧上，第二电极层60包括位于显示区域DA中的阴电极610和触控电极620以及位于扇出区域NDA中的桥接线630，并且阴电极610覆盖开口510。

其中，触控电极620由Ti和Al或Mo和Al形成。在一些实施例中，触控电极可以为叠层结构，例如，触控电极可以为包括层叠的钛层、铝层、钛层，也可以包括层叠的钼层、铝层、钼层，这样的设计可以起到降低电阻、提升导电性能降低阻抗的效果，从而提高了信号传输的可靠性。

进一步参照图1，在图1所示的显示装置中，触控电极620通过贯穿像素限定层50和平坦化层30的过孔与触控走线210连接，触控走线210延伸到扇出区域NDA中，并通过桥接线630与连接线420连接。

在根据本申请的显示装置中，连接线420与像素电极410位于同一层中，并且与像素电极由相同的材料形成，由此可以避免现有技术中触控金属线的Al迁移问题。

具体地，图2示出了根据现有技术的显示面板的示意性剖视图。在图2中，相同的附图标记表示相同的组件，因此，省略了对相关组件的重复描述。

显示面板1包括显示区域NA以及位于显示区域一侧的扇出区域NDA，显示区域DA和扇出区域NDA均包括依次堆叠的阵列基底10、触控走线层20、平坦化层30、第一电极层40、像素限定层50和第二电极层60。

其中，第二电极层60包括位于显示区域中的阴电极610和触控电极620以及位于扇出区域NDA中的连接线640，其中，触控电极620由Ti和Al形成。在一些实施例中，触控电极可以为叠层结构，例如，触控电极可以为Ti/Al/Ti构成的三层结构。

如图2所示，在显示区域DA中，触控电极620通过贯穿像素限定层50和平坦化层30的过孔连接至触控走线210，触控走线210从显示区域DA延伸至扇出区域NDA，并且位于扇出区域NDA中的连接线640通过贯穿平坦化层30和像素限定层50的过孔与连接延伸到扇出区域NDA的触控走线210连接以接收数据信号。然而，在现有技术中，连接线640与触控电极620形成于同一层，并通常具有相同的材料，即，连接线640通常由与触控电极620相同的Ti和Al形成。然而，在走线沉积时，Al元素在蚀刻过程中容易发生迁移，从而对制程良率造成了很大的影响。

与现有技术中的显示面板相比，在根据本申请的显示面板中，触控走线210通过桥接线630与连接线420连接，其中，仅桥接线630与触控电极620位于同一层并与触控电极620由相同的材料形成。然而，桥接线630的长度较短，因而不会对显示面板的性能造成影响。此外，连接线420与像素电极410位于同一层中，并且与像素电极由相同的材料形成，即，连接线420可以由ITO和Ag形成，而不含有Al元素，因此，根据本申请的显示面板中的连接线由此可以避免现有技术中触控金属线的Al迁移问题，从而提高显示面板的显示稳定性。

在一些实施例中，像素电极410可以为多层结构，可选地，像素电极410可以为三层结构，其中第一层与第三层可以为金属氧化物，例如可以为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等，中间的第二层可以为金属层，例如可以为银或铜。优选地，像素电极可以为由ITO/Ag/ITO形成的三层结构。

在一些实施例中，桥接线630与触控电极620位于同一层中，并且与触控电极620由相同的材料形成。因此，桥接线630同样可以为叠层结构，例如，桥接线630可以为包括层叠的钛层、铝层、钛层，也可以包括层叠的钼层、铝层、钼层，这样的设计可以起到降低电阻、提升导电性能降低阻抗的效果，从而提高了信号传输的可靠性。

在一些实施例中，触控电极620和阴电极610在垂直于阵列基底的方向上的投影彼此分离，触控电极620通过贯穿像素限定层50和平坦化层30的过孔连接至触控走线210。需要说明的是，触控电极620与阴电极610在阵列基板10的正投影彼此间隔可以防止阴电极610对触控电极620的触控信号造成的干扰。此外，触控电极620的制备材料可以与阴电极610的制备材料相同，两者可以采用同一道工序形成，由此可以减少生产工序，降低生产成本。

在一些实施例中，在扇出区域NDA中形成有分别暴露连接线420和触控走线210的第一通孔710和第二通孔720，第一通孔710贯穿像素限定层50以暴露连接线420，第二通孔720贯穿像素限定层50和平坦化层30以暴露触控走线210，桥接线630通过第一通孔710和第二通孔720以连接到连接线420和触控走线210。在本申请的显示面板中，将连接线420设置为与像素电极410位于同一层，并通过桥接线630将触控走线210和连接线420彼此连接，由此可以避免连接线420的Al迁移对显示性能的影响。

在一些实施例中，像素限定层50上形成有挡止块810，触控电极620形成在挡止块810上方，并通过贯穿挡止块810、像素限定层50和平坦化层30的过孔连接到触控走线210。在一些实施例中，挡止块810可以围绕像素限定层50的开口510设置，以在通过蒸镀或喷墨打印等方式形成发光层时防止发光材料扩散导致不同开口中的发光层连成一体。此外，在使用掩膜板蒸镀发光层时，挡止块810也可以作为放置掩膜板的支撑结构。

由于挡止块810的存在，挡止块810的顶面与像素限定层50的顶表面之间存在高度差，由此在像素限定层50上沉积金属材料时，落在挡止块810上的金属材料与落在像素限定层上的金属材料彼此断开，从而形成间隔的阴电极610和触控电极620，无需新增其他工艺来分离阴电极610和触控电极620。

在一些实施例中，挡止块810与所述像素限定层50由相同的材料形成从而减少生产工序。

在一些实施例中，触控走线层20还可以包括源漏走线220，像素电极通过源漏走线连接至像素电路的源漏极。其中，源漏走线与触控走线彼此分离设置，从而避免彼此信号的干扰。

在一些实施例中，平坦化层中形成有暴露源漏走线的通孔，像素电极通过通孔连接至源漏走线，并通过源漏走线连接线像素电路。

在根据本申请的显示装置中，触控走线通过桥接线630与连接线420连接，连接线420与像素电极410位于同一层中，并且与像素电极410由相同的材料形成，也即连接线420可以由ITO和Ag形成，而不含Al元素。因此，根据本申请的显示面板通常由此可以避免现有技术中连接线存在的Al迁移问题，从而提高了显示装置的显示稳定性。

图3示出了根据本申请的实施例的触控显示装置2的示意图。

如图3所示，根据本申请的触控显示装置2，包括驱动模块21和如上所述显示面板22。驱动模块21与显示面板22电连接。具体地，驱动模块21可以与显示面板22中的像素电路和连接线连接。驱动模块21可以包括显示驱动功能和触控驱动功能的电路，多条连接线和多个像素电路分别于驱动模块21连接，由此，驱动模块21为像素电路提供显示信号的同时，还为触控电极提供触控信号，触控和显示能够独立进行，由此有效地提升了显示装置的性能。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区域以及位于所述显示区域一侧的扇出区域，所述显示区域和所述扇出区域均包括：

阵列基底，在所述显示区域中，所述阵列基底包括像素电路；

触控走线层，位于所述阵列基底的一侧，所述触控走线层包括从所述显示区域延伸到所述扇出区域的触控走线；

平坦化层，位于所述触控走线层的远离所述阵列基底的一侧；

第一电极层，位于所述平坦化层的远离所述阵列基底的一侧，所述第一电极层包括位于所述显示区域中的像素电极和位于所述扇出区域中的连接线；

像素限定层，位于所述平坦化层的远离所述阵列基底的一侧上，

第二电极层，位于所述像素限定层的远离所述阵列基底的一侧上，所述第二电极层包括位于所述显示区域中的阴电极和触控电极以及位于所述扇出区域中的桥接线，

其中，所述触控电极与所述触控走线连接，所述触控走线在所述扇出区域中通过所述桥接线与所述连接线连接，

其中，所述连接线和所述像素电极位于同一层中，并且与所述像素电极均由Ag和ITO形成。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极和所述连接线为由ITO/Ag/ITO形成的叠层结构。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述桥接线与所述触控电极位于同一层中，并且与所述触控电极由相同的材料形成。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述触控电极和所述阴电极在垂直于所述阵列基底的方向上的投影彼此分离，所述触控电极通过贯穿所述像素限定层和所述平坦化层的通孔连接至所述触控走线。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述扇出区域中形成有分别暴露所述连接线和所述触控走线的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述像素限定层以暴露所述连接线，所述第二通孔贯穿所述像素限定层和所述平坦化层以暴露所述触控走线，所述桥接线通过所述第一通孔和所述第二通孔分别连接所述连接线和所述触控走线。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定层上形成有挡止块，所述触控电极形成在所述挡止块上方，其中，所述挡止块与所述像素限定层由相同的材料形成。

7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述触控走线层还包括源漏走线，所述源漏走线与所述触控走线彼此分离设置。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层中形成有暴露所述源漏走线的通孔，所述像素电极通过所述通孔连接至所述源漏走线，并通过所述源漏走线连接所述像素电路。

9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述显示区域中，所述像素限定层具有暴露所述像素电极的开口，所述开口中形成有发光层，并且所述阴电极覆盖所述开口。

10.一种触控显示装置，所述触控显示装置包括驱动模块与如权利要求1-9中任一项所述的显示面板，所述驱动模块与所述显示面板的连接线电连接。

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