CN107506076B - 一种触控显示基板、制造方法及显示装置 - Google Patents

一种触控显示基板、制造方法及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种触控显示基板、制造方法及显示装置，属于触控技术领域。该触控显示基板包括多行子像素单元，设置于子像素单元之间的列间隙处的数据线，数据线与位于其两侧的像素单元开关连接，设置于子像素单元之间的列间隙处的触控信号线，触控信号线与数据线同层设置且与数据线相互绝缘，通过设置同层的多条触控信号线和数据线，并将触控信号线与数据线之间进行绝缘，从而避免触控信号线与数据线发生短路。同时触控信号线与数据线同层设置，省去了在其之间设置绝缘层，简化了工艺。

Description

一种触控显示基板、制造方法及显示装置
技术领域
本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种触控显示基板、制造方法及显示装置。
背景技术
触控显示面板是一种兼具显示和指令输入功能的显示器件。用户可以用手或物体与触控显示面板接触，触控显示面板可以检测触摸区域，并根据检测到的触摸区域做出相应的响应。在诸多种类的触控显示面板中，内嵌式触控显示面板由于将触控电极内嵌在了显示面板内部，因此具有厚度薄，成本低的特点，受到各大面板厂家青睐。
现有的内嵌式触控显示面板为了满足触控精度，一般需要在显示面板内部设置多个触控电极，各触控电极均需要设置对应的触控信号线，触控信号线和数据线设置在不同层，为了减小显示面板的边框，数据线和触控信号线都设置在相邻的子像素单元的列间隙中，这样不同的层的膜层设置会增加工艺难度，增加成本。
发明内容
为了解决不同的层的膜层设置会增加工艺难度，增加成本的问题，本发明实施例提供了一种触控显示基板、制造方法及显示装置。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种触控显示基板，所述触控显示基板包括：
多行子像素单元，每相邻的两行所述子像素单元中各所述子像素单元之间在列方向上错开X个子像素单元的位置，0<X<1，每个所述子像素单元均包括像素单元开关；
设置于所述子像素单元之间的列间隙处的数据线，所述数据线与位于其两侧的像素单元开关连接，且，所述位于其两侧的像素单元开关位于不同行；
设置于所述子像素单元之间的列间隙处的触控信号线，所述触控信号线与所述数据线同层设置且与所述数据线相互绝缘。
优选地，所述像素单元开关包括有源层，所述有源层包括源区和漏区，所述源区通过过孔与所述数据线电连接，至少一条所述触控信号线在垂直于所述触控显示基板的方向上的投影位于第一像素单元开关的源区和漏区之间，所述第一像素单元开关为与第一数据线的同一侧连接的像素单元开关，所述第一数据线为所处列间隙设有触控信号线的数据线。
进一步地，所述第一像素单元开关的源区和漏区在行方向上的间距大于第二像素单元开关的源区和漏区在行方向上的间距，所述第二像素单元开关为连接在所述第一数据线的同一侧的像素单元开关，且所述第一像素单元开关和所述第二像素单元开关位于所连接的第一数据线的相反侧。
优选地，第一间距大于第二间距，其中，所述第一间距为最靠近同一条所述触控信号线的两条数据线之间的间距，所述第二间距为位于相邻的两条触控信号线之间的任意相邻的两条数据线之间的间距。
进一步地，在最靠近同一条所述触控信号线的两条数据线中，第二数据线和所述触控信号线之间的间距等于所述第二间距，其中，所述第二数据线为所处列间隙未设有触控信号线的数据线。
优选地，紧邻同一条所述第一数据线的两列子像素单元中，所述第一数据线与第一侧的所述子像素单元的像素单元电极的间距大于所述第一数据线与第二侧的所述子像素单元的像素单元电极的间距，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述第一数据线相反的两侧。
可选地，所处列间隙设有触控信号线的数据线包括汇总线和两分支线，所述触控信号线位于所述两分支线之间，所述两分支线中的一条与位于所述触控信号线一侧的所述像素单元开关连接，所述两分支线中的另一条与位于所述触控信号线另一侧的所述像素单元开关连接，所述两分支线的两端与所述汇总线连接。
优选地，所述像素单元开关为低温多晶硅型薄膜晶体管。
优选地，所述像素单元开关为顶栅型薄膜晶体管。
优选地，每条所述数据线与同一颜色的所述子像素单元的像素单元开关连接。
可选地，所述触控显示基板还包括多个触控检测电极，所述多个触控检测电极与各自对应的所述触控信号线连接。
进一步地，所述多个触控检测电极组成各个所述子像素单元的公共电极层。
可选地，各所述触控信号线与各所述数据线的延伸方向一致。
可选地，相互间隔的两行所述子像素单元中各所述子像素单元在列方向上对齐排列。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括前述的任一种触控显示基板。
再一方面，本发明实施例还提供了一种触控显示基板的制造方法，包括：
在衬底基板上形成多行像素单元开关，每个像素单元开关分别属于不同的子像素单元，每相邻的两行所述子像素单元中各所述子像素单元之间在列方向上错开X个子像素单元的位置，0<X<1；
在形成有所述多个像素单元开关的衬底基板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一图案层，所述第一图案层包括相互间隔的数据线和触控信号线，所述数据线与位于其两侧的所述像素单元开关连接，且，所述位于其两侧的像素单元开关位于不同行；
在所述第一图案层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成像素单元电极，每个所述像素单元电极均与对应的所述像素单元开关连接。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过设置同层的多条触控信号线和数据线，并将触控信号线与数据线之间进行绝缘，从而避免触控信号线与数据线发生短路。同时触控信号线与数据线同层设置，省去了在其之间设置绝缘层，简化了工艺。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种触控显示基板的局部结构示意图；
图2是图1中的局部放大示意图；
图3是图2中的A-A截面示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的局部截面示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的局部截面示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的局部放大结构示意图；
图7是图6中的B-B处截面示意图；
图8是本发明实施例提供的一种触控显示基板的制造方法的流程图；
图9是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的制造方法的流程图；
图10～图22是本发明实施例提供的一种触控显示基板的制作过程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种触控显示基板的局部结构示意图。如图1所示，该包括多行子像素单元10、多条数据线20、多条触控信号线30(图1中仅示出了其中1条)和多个触控检测电极(未示出)。
其中，每行子像素单元10中各子像素单元10对齐排列，每相邻的两行子像素单元10中各子像素单元10之间在列方向上错开X个子像素单元10的位置，0<X<1，例如，X可以为0.5。每个子像素单元10均包括像素单元开关11和像素单元电极12。每条数据线20均设置于子像素单元10之间的列间隙处，每条数据线20与位于其两侧的像素单元开关11连接。每条触控信号线30均设置于子像素单元10之间的列间隙处。由于触控信号线30的数量小于数据线20的数量，因此并非每一条数据线20所在的列间隙中都设置有一条触控信号线30，其中，数据线20可以包括第一数据线21和第二数据线22，第一数据线21为所处列间隙设有触控信号线30的数据线，第二数据线22为所处列间隙处未设有触控信号线30的数据线。
实现时，像素单元开关11为TFT(英文：Thin Film Transistor；中文：薄膜晶体管)。进一步地，TFT可以包括栅极113、有源层114、源区和漏区，源区和漏区可以为与数据线、像素电极电连的区域，也可以为有源层114上进行掺杂使导电率增大之后的区域。图2是图1中的局部放大示意图(为了便于说明，仅示意了数据线、触控信号线、有源层、像素单元电极等部分，其他如触控电极、膜层之间的绝缘层等未示出)，如图1和图2所示，源区112通过过孔101与数据线20电连接，漏区111通过过孔102与像素单元电极12电连接。具体实现时，TFT既可以是顶栅型的TFT，也可以是底栅型的TFT。本实施例中，选用的是底栅型的TFT。
与第一数据线21连接的像素单元开关10包括第一像素单元开关11a和第二像素单元开关11b，其中，第一像素单元开关11a为与第一数据线21的同一侧(例如图2中所示的第一数据线21的左侧)连接的像素单元开关，第二像素单元开关11b为连接在第一数据线21的同一侧的像素单元开关，且第一像素单元开关11a和第二像素单元开关11b位于所连接的第一数据线21的相反侧(例如图2中所示的第一数据线21的右侧)。
优选地，第一像素单元开关11a的源区112和漏区111在行方向上的间距d1大于第二像素单元开关11b的源区112和漏区111在行方向上的间距d2。这样可以便于设置触控信号线30。
优选可以为低温多晶硅型TFT，低温多晶硅型TFT相比于非晶硅型TFT具有更多的优势。图3是图2中的A-A截面示意图，结合图2和图3，低温多晶硅型TFT包括设置在衬底基板1上的栅极113、设置在栅极113上的栅极绝缘层2以及设置在栅极绝缘层2上的有源层114，栅极绝缘层2可以选用氧化硅或氮化硅材料，厚度可以为80～120nm。有源层114上具有相互间隔的漏区111和源区112，漏区111和源区112在衬底基板1上的正投影位于栅极113外。由于低温多晶硅的电子移动率比非晶硅的大的多，因此可以使得有源层114能做的更狭长，以增大第一像素单元开关11a的漏区111和源区112的间距，方便触控信号线30的设置。
如图3所示，多条触控信号线30与多条数据线20同层设置且与各数据线20相互绝缘。
TFT所在的膜层上设置有第一绝缘层3，第一绝缘层3的材料可以由氮化物、非金属氧化物，氮化物包括但不限于是SiNx，非金属氧化物包括但不限于是SiOx。
多个触控检测电极31与各自对应的触控信号线30连接。具体可以通过过孔103将触控检测电极31与对应的触控信号线30电连接。触控信号线30所在的膜层与触控检测电极31所在的膜层之间可以设置第二绝缘层4，使膜层的表面平坦化。实现时，第二绝缘层4的材料可以是树脂。
触控检测电极31所在的膜层和像素单元电极12所在的膜层之间可以设置第三绝缘层5，第三绝缘层5的材料可以是氮化硅，第三绝缘层5的厚度可以为100nm～200nm。
再次参照图2，任意触控信号线30在垂直于触控显示基板的方向上的投影位于第一像素单元开关11a的源区112和漏区111之间。即触控信号线30从第一像素单元开关11a的正上方跨过，以避免触控信号线30与数据线20发生短路。
如图2所示，第一间距d3大于第二间距d4，其中，第一间距d3为最靠近同一条触控信号线30的两条数据线20之间的间距，第二间距d4为位于相邻的两条触控信号线30之间的任意相邻的两条数据线20之间的间距。由于触控信号线30与第一数据线21之间的区域不发光，将第一间距设置的比第二间距大，可以在触控信号线30与第一数据线21之间的区域面积一定的情况下增大发光的区域面积。
紧邻同一条第一数据线21的两列子像素单元10中，第一数据线21与第一侧的子像素单元10的像素单元电极12的间距d5大于第一数据线21与第二侧的子像素单元10的像素单元电极12的间距d6，其中，第一侧和第二侧为第一数据线相反的两侧，由于第一数据线21与两侧的子像素单元之间的间距不相等，这样可以便于将触控信号线30设置在其中间距较大的一侧。需要说明的是，第一数据线与像素单元电极之间的间距指的是在行方向上，第一数据线与像素单元电极的边缘的最小距离。
优选地，在最靠近同一条触控信号线30的两条数据线20中，第二数据线22和触控信号线30之间的间距d7等于第二间距d4，这样可以使得各个子像素单元的发光面积相等。其中，最靠近是指两者之间没有触控信号线或是数据线，例如在图2中，最靠近第一数据线21的数据线则包括图2中第一数据线21左侧的第一条数据线和右侧的第一条数据线，并不指代实际距离的关系。
优选地，多个触控检测电极31组成各个子像素单元的公共电极层，从而可以采用多个触控检测电极31复用公共电极层，有利于降低显示基板的厚度。
如图3所示，数据线20和触控信号线30位于有源层14和公共电极层之间的膜层。
图4是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的局部截面示意图，图4所示的触控显示基板与图3所示的触控显示基板的结构基本相同，不同之处在于，图4中的触控显示基板的像素单元电极12位于触控检测电极31的下方。
图5是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的局部截面示意图，图5所示的触控显示基板与图3所示的触控显示基板的结构基本相同，不同之处在于，图5所示的触控显示基板中，像素单元开关为顶栅型的TFT。
需要说明的是，顶栅型的TFT在制作过程中，衬底基板1上正对栅极113的位置会设置遮光层，图5中省略了该遮光层结构。
通过设置同层的多条触控信号线和数据线，并将触控信号线与数据线之间进行绝缘，从而避免触控信号线与数据线发生短路。
如图1所示，相互间隔的两行子像素单元10中各子像素单元10在列方向上对齐排列，这样可以使子像素单元10排列的更加整齐，便于制作。
容易想到的是，在其他实施例中，相互间隔的两行子像素单元10中各子像素单元10在列方向上也可以不对齐排列，以适应不同的需要，例如在三角形的显示基板中，相互间隔的两行子像素单元10中各子像素单元10在列方向上可以逐行缩入多个子像素单元10的距离，在其他可能的形状的显示基板中，包括但不限于圆形、菱形、椭圆形、梯形，相互间隔的两行子像素单元10中各子像素单元10在列方向上也可以缩入或超出多个子像素单元10的距离，以使得像素单元按显示基板的形状排布。
在本实施例中，同一行中包括三种不同颜色的子像素单元10，在任意的相邻的两行子像素单元10的其中一行中，均以相邻的三个子像素单元10为周期排列。在非矩形的显示基板中，当需要缩入多个子像素单元10的距离时，可以缩入3的整数倍个子像素单元10的距离。对于同一行中只包括两种不同颜色的子像素单元10的显示基板，则可以缩入2的整数倍个子像素单元10的距离。
优选地，每个子像素单元10与相邻的各子像素单元10的颜色各不相同，这样可以在同一行中包括三种不同颜色的子像素单元10时方便子像素单元10的排布。
实现时，在任意相邻的两条数据线20之间，只设置有两种不同颜色的子像素单元10。
优选地，同一个像素单元可以包括6个子像素单元(如图1中的虚线框内的6个子像素单元)，适宜制作成UHD(英文：Ultra High Definition，中文：超高清)显示装置。相邻数据线20之间的间距越小，则单位面积内的像素单元的个数越多，通过缩小相邻数据线20之间的间距可以提高触控显示基板的PPI(英文：Pixels Per Inch，中文：像素单元密度)。
优选地，每条数据线20与同一颜色的子像素单元10的像素单元开关11连接，这样可以便于在显示单色画面时进行列反转(Column-inversion)。
如图1所示，每条数据线20仅与同一颜色的位于该数据线20不同侧的各子像素单元10的像素单元开关11连接。这样，在显示单色画面时，仅需要开启与显示的纯色相连的数据线20，例如需要显示红色画面时，则仅需要开启S1和S4两条数据线20，实现简单，操作方便。
图6是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的局部放大结构示意图，图7是图6中的B-B处截面示意图，如图6和图7所示，在该触控显示基板中，第一数据线21包括汇总线212和两分支线211，触控信号线30位于两分支线211之间，两分支线211中的一条与位于触控信号线30一侧的像素单元开关11连接，两分支线211中的另一条与位于触控信号线30另一侧的像素单元开关11连接，两分支线211的两端与汇总线212连接。通过设置具有两个分支线211的第一数据线21，两个分支线211中的每一个分支只与触控信号线30一侧的像素单元开关11连接，这样可以避免触控信号线30与像素单元开关11交叉。
如图6所示，两分支线211的延伸方向相同，两分支线211的两端分别相连，从而由两个分支线211构成一个封闭的框形结构，触控信号线30位于框形内部。两条汇总线212均连接在框形结构上。
在图2所示的触控显示基板中，各触控信号线30与各数据线的延伸方向一致。在该实施例中，各数据线20，距离触控信号线30最近的数据线20与触控信号线30之间的间距处处相等，这样可以在便于数据线20和触控信号线30设置的同时，避免数据线20与触控信号线30的局部间距较小而出现电荷在局部积累的情况。此外，由于数据线20不具有分支，其在衬底基板上的正投影的面积更小，有利于增大像素单元的开口率，在显示基板亮度相同的情况下有利于降低显示基板的功耗。图2中所示的显示基板相比于图4中所示的显示基板，其开口率提高了20％，通过实验测试，在显示相同的单色画面时，在亮度相同的情况下，图2中所示的显示基板的功耗要比图4所示的显示基板的功耗低20％左右。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括图1～图7任一项所示的触控显示基板。该显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
通过设置同层的多条触控信号线和数据线，并将触控信号线与数据线之间进行绝缘，从而避免触控信号线与数据线发生短路。同时数据线与触控信号线位于同一层，可以减小数据线与触控信号线之间的寄生电容。
图8是本发明实施例提供的一种触控显示基板的制造方法的流程图，该方法适用于制造图1～图7所示的触控显示基板，如图8所示，该制造方法可以包括：
S11：在衬底基板上形成多行像素单元开关。
其中，每个像素单元开关分别属于不同的子像素单元，每行子像素单元中各子像素单元对齐排列，每相邻的两行子像素单元中各子像素单元之间在列方向上错开X个子像素单元的位置，0<X<1。
S12：在形成有多个像素单元开关的衬底基板上形成第一绝缘层。
S13：在第一绝缘层上形成第一图案层。
其中，第一图案层包括相互间隔的数据线和触控信号线，数据线与位于其两侧的像素单元开关连接，且，位于其两侧的像素单元开关位于不同行。
S14：在第一图案层上形成第二绝缘层。
S15：在第二绝缘层上形成像素单元电极。
其中，每个像素单元电极均与像素单元开关连接。
通过设置同层的多条触控信号线和数据线，并将触控信号线与数据线之间进行绝缘，从而避免触控信号线与数据线发生短路。同时触控信号线与数据线同层设置，省去了在其之间设置绝缘层，简化了工艺。
图9是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的制造方法的流程图，该方法同样适用于制造图1～图4所示的触控显示基板，以下结合图10～图16对本制造方法进行详细说明，如图9所示，该制造方法可以包括：
S21：在衬底基板上形成TFT。
TFT是常见的像素单元开关，其制作过程与现有技术相同，此处不再详述。
具体实现时，既可以在衬底基板上形成顶栅型的TFT，也可以形成底栅型的TFT。如图10所示，在衬底基板8000上制作有底栅型的TFT，该TFT包括设置在衬底基板8000上的栅极8113、设置在栅极8113上的栅极绝缘层8002以及设置在栅极绝缘层8002上的有源层8114，有源层8114上具有相互间隔的漏区8111和源区8112，漏区8111和源区8112在衬底基板8000上的正投影位于栅极8113外。
多个TFT在衬底基板8000上阵列布置，以满足所需要制作的显示基板的子像素单元的排布方式。
优选可以采用低温多晶硅型TFT。
S22：在形成有TFT的衬底基板上形成第一绝缘层。
可选地，第一绝缘层的材料可以由氮化物、非金属氧化物制成，氮化物包括但不限于是SiNx，非金属氧化物包括但不限于是SiOx。
S23：在第一绝缘层上制作第一过孔。
如图11所示，第一过孔8011制作在第一绝缘层8010上位于TFT的源区8112的正上方位置，以使得后续步骤中制作的数据线可以通过第一过孔8011与源区8112电连接。
实现时，第一过孔8011可以通过构图工艺制作。
S24：在第一绝缘层上形成第一图案层。
实现时，第一图案层也可以通过构图工艺制作。
具体地，如图12所示，第一图案层包括多条数据线8200和多条触控信号线8300，触控信号线8300与数据线8200相互间隔。其中，数据线8200位于第一过孔8011的正上方，以使得数据线8200通过第一过孔8011与TFT的源区8112电连接。
可选地，数据线8200和触控信号线8300可以由金属材料制成，也可以由ITO(英文：Indium tin oxide，中文：氧化铟锡)制成，优选为金属Al。
在制作图6所示的触控显示基板时，第一数据线可以包括汇总线和两分支线，触控信号线位于两分支线之间，两分支线中的一条通过第一通孔与位于触控信号线一侧的TFT的源区连接，两分支线中的另一条通过第一通孔与位于触控信号线另一侧的TFT的源区连接，两分支线的两端与汇总线连接。
S25：在第一图案层上形成第二绝缘层。
实现时，第二绝缘层的材料可以是但不限于是树脂。
S26：在第二绝缘层上制作第二过孔。
第二过孔的制作方法与第一过孔的制作方法可以相同。
如图13所示，第二过孔8021制作在第二绝缘层8020上位于触控信号线8300的正上方位置，以使得后续步骤中制作的触控检测电极可以通过第二过孔8021与触控信号线8300相连。
S27：在第二绝缘层上形成触控检测电极。
实现时，触控检测电极可以通过构图工艺制作。
如图14所示，触控检测电极8031通过第二过孔8021与触控信号线8300电连接。
优选地，触控检测电极8031可以采用透明导电材料制作，例如ITO，以提高透光率。
S28：在形成有触控检测电极的衬底基板上形成第三绝缘层。
第三绝缘层的材料可以是氮化硅，第三绝缘层的厚度可以为100nm～200nm。
S29：制作第三过孔。
如图15所示，第三过孔8031位于TFT的漏区8111正上方，第三过孔8031贯穿第三绝缘层8030、第二绝缘层8020和第一绝缘层8010，以便于后续制作的像素单元电极与漏区8111电连接。
S30：在第三绝缘层上制作像素单元电极。
实现时，像素单元电极可以通过构图工艺制作。
如图16所示，像素单元电极8120通过第三过孔8031与漏区8111电连接。
优选地，像素单元电极8120可以采用透明导电材料制作，例如ITO，以提高透光率。
优选地，在进行步骤S23时，第一绝缘层8010的位于漏区8111的正上方区域也可以制作出过孔，这样在进行步骤S24时，可以在制作数据线8200和触控信号线8300时，在第一绝缘层8010上还制作出过渡电极，过渡电极通过第一绝缘层8010中位于漏区8111正上方的过孔与漏区8111电连接。如图17所示，通过在步骤S23中同时制作出过孔8031a，在步骤S24中同时制作出过渡电极8031b，这样可以使S29中所要加工的第三过孔8031只贯穿第三绝缘层8030和第二绝缘层8020，降低了第三过孔8031的深度，从而降低工艺难度，确保像素单元电极8120能够与漏区8111形成稳定的电连接，降低出现断路和接触不良的可能，同时由于过孔8031a可以与第一过孔8011同时制作，过渡电极8031b可以与触控信号线8300、数据线8200同时制作，无需增加额外的工艺步骤。
图18是本发明实施例提供的另一种触控显示基板的制造方法的流程图，该方法用于制作图4所示的触控显示基板，该制作方法包括S41～S50，其中步骤S41～S45分别与前述的步骤S21～S25相同，此处不再详述，以下结合图19～21对该方法的步骤S46～S50进行说明。
S46：在第二绝缘层上制作第四过孔。
第四过孔的制作方法与前述的第二过孔的制作方法相同。
如图19所示，第四过孔9021位于TFT的漏区9111正上方，第四过孔9021贯穿第二绝缘层9020和第一绝缘层9010，以便于后续制作的像素单元电极与漏区9111电连接。
S47：在第二绝缘层上形成像素单元电极。
实现时，像素单元电极可以通过构图工艺制作。
如图20所示，像素单元电极9120通过第四过孔9021与漏区9111电连接。
S48：在形成有像素单元电极的衬底基板上形成第三绝缘层。
第三绝缘层的制作可以参照前述的第三绝缘层的制作，此处不再详述。
S49：制作第五过孔。
如图21所示，第五过孔9031制作在触控信号线9300的正上方位置，第五过孔9031贯穿第三绝缘层9030和第二绝缘层9020，以使得后续步骤中制作的触控检测电极可以通过第五过孔9031与触控信号线9300相连。
S50：在第三绝缘层上制作触控检测电极。
实现时，触控检测电极可以通过构图工艺制作。
如图22所示，触控检测电极90通过第五过孔9031与触控信号线9300连接。
在制作图4所示的触控显示基板时，同样可以采用前述的增加过渡电极的方法降低出现断路和接触不良的可能，此处不再详述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种触控显示基板，其特征在于，包括：
多行子像素单元，每相邻的两行所述子像素单元中各所述子像素单元之间在列方向上错开X个子像素单元的位置，0<X<1，每个所述子像素单元均包括像素单元开关；
设置于所述子像素单元之间的列间隙处的数据线，所述数据线与位于其两侧的像素单元开关连接，且，所述位于其两侧的像素单元开关位于不同行；
设置于所述子像素单元之间的列间隙处的触控信号线，所述触控信号线与所述数据线同层设置且与所述数据线相互绝缘；
所述像素单元开关包括有源层，所述有源层包括源区和漏区，所述源区通过过孔与所述数据线电连接，至少一条所述触控信号线在垂直于所述触控显示基板的方向上的投影位于第一像素单元开关的源区和漏区之间，所述第一像素单元开关为与第一数据线的同一侧连接的像素单元开关，所述第一数据线为所处列间隙设有触控信号线的数据线。
2.根据权利要求1所述的触控显示基板，其特征在于，所述第一像素单元开关的源区和漏区在行方向上的间距大于第二像素单元开关的源区和漏区在行方向上的间距，所述第二像素单元开关为连接在所述第一数据线的同一侧的像素单元开关，且所述第一像素单元开关和所述第二像素单元开关位于所连接的第一数据线的相反侧。
3.根据权利要求1所述的触控显示基板，其特征在于，第一间距大于第二间距，其中，所述第一间距为最靠近同一条所述触控信号线的两条数据线之间的间距，所述第二间距为位于相邻的两条触控信号线之间的任意相邻的两条数据线之间的间距。
4.根据权利要求3所述的触控显示基板，其特征在于，在最靠近同一条所述触控信号线的两条数据线中，第二数据线和所述触控信号线之间的间距等于所述第二间距，其中，所述第二数据线为所处列间隙未设有触控信号线的数据线。
5.根据权利要求1所述的触控显示基板，其特征在于，紧邻同一条所述第一数据线的两列子像素单元中，所述第一数据线与第一侧的所述子像素单元的像素单元电极的间距大于所述第一数据线与第二侧的所述子像素单元的像素单元电极的间距，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述第一数据线相反的两侧。
6.根据权利要求1所述的触控显示基板，其特征在于，所处列间隙设有触控信号线的数据线包括汇总线和两分支线，所述触控信号线位于所述两分支线之间，所述两分支线中的一条与位于所述触控信号线一侧的所述像素单元开关连接，所述两分支线中的另一条与位于所述触控信号线另一侧的所述像素单元开关连接，所述两分支线的两端与所述汇总线连接。
7.根据权利要求1～5任一项所述的触控显示基板，其特征在于，所述像素单元开关为低温多晶硅型薄膜晶体管。
8.根据权利要求1～6任一项所述的触控显示基板，其特征在于，所述像素单元开关为顶栅型薄膜晶体管。
9.根据权利要求1～6任一项所述的触控显示基板，其特征在于，每条所述数据线与同一颜色的所述子像素单元的像素单元开关连接。
10.根据权利要求1～6任一项所述的触控显示基板，其特征在于，所述触控显示基板还包括多个触控检测电极，所述多个触控检测电极与各自对应的所述触控信号线连接。
11.根据权利要求10所述的触控显示基板，其特征在于，所述多个触控检测电极组成各个所述子像素单元的公共电极层。
12.根据权利要求1～6任一项所述的触控显示基板，其特征在于，各所述触控信号线与各所述数据线的延伸方向一致。
13.根据权利要求1～6任一项所述的触控显示基板，其特征在于，相互间隔的两行所述子像素单元中各所述子像素单元在列方向上对齐排列。
14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求 1～13任一项所述的触控显示基板。
15.一种触控显示基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成多行像素单元开关，每个像素单元开关分别属于不同的子像素单元，每相邻的两行所述子像素单元中各所述子像素单元之间在列方向上错开X个子像素单元的位置，0<X<1；
在形成有所述多个像素单元开关的衬底基板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一图案层，所述第一图案层包括相互间隔的数据线和触控信号线，所述数据线与位于其两侧的所述像素单元开关连接，且，所述位于其两侧的像素单元开关位于不同行；
在所述第一图案层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成像素单元电极，每个所述像素单元电极均与对应的所述像素单元开关连接；
其中，所述像素单元开关包括有源层，所述有源层包括源区和漏区，所述源区通过过孔与所述数据线电连接，至少一条所述触控信号线在垂直于所述触控显示基板的方向上的投影位于第一像素单元开关的源区和漏区之间，所述第一像素单元开关为与第一数据线的同一侧连接的像素单元开关，所述第一数据线为所处列间隙设有触控信号线的数据线。
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