CN113439339B - 显示基板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法。该显示基板具有用于显示的第一侧和与第一侧相对的第二侧，显示基板包括显示区域，显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕第一显示区域的第二显示区域，第一显示区域允许来自第一侧的光至少部分透射至第二侧；显示基板还包括在第一显示区域和第二显示区域中的至少一条第一连接走线，第一连接走线包括彼此电连接的位于第一显示区域的第一部分和位于第二显示区域的第二部分，第一部分包括第一透光走线层，第二部分包括金属走线层。该显示基板中的第一连接走线具有较低的电阻。

Description

显示基板及其制备方法

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示基板及其制备方法。

背景技术

目前，用于电子装置的显示屏正往大屏化、全屏化方向发展，以使用户具有更好的视觉体验。以手机、平板电脑等电子产品为例，由于这些电子装置需要结合摄像头、光线传感器等部件，而这些部件通常占据显示屏的显示区，由此导致显示屏难以实现全屏化设计。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板具有用于显示的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述显示基板包括显示区域，其中，所述显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕所述第一显示区域的第二显示区域，所述第一显示区域允许来自所述第一侧的光至少部分透射至所述第二侧；所述显示基板还包括在所述第一显示区域和所述第二显示区域中的至少一条第一连接走线，其中，所述第一连接走线包括彼此电连接的位于第一显示区域的第一部分和位于第二显示区域的第二部分，所述第一部分包括第一透光走线层，所述第二部分包括金属走线层。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一显示区域包括阵列排布的多个第一子像素，每个第一子像素包括第一发光器件，所述至少一条第一连接走线包括多条第一连接走线；所述第二显示区域包括多个第一像素电路，所述多个第一像素电路分别通过所述多条第一连接走线电连接所述多个第一子像素的第一发光器件，以用于驱动所述多个第一子像素的第一发光器件。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二部分还包括与所述金属走线层叠层的第二透光走线层，所述第二透光走线层与所述第一透光走线层同层设置且一体连接。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二部分还包括与所述金属走线层叠层的防氧化保护层，所述显示基板包括衬底基板，所述第二透光走线层位于所述衬底基板上，所述金属走线层位于所述第二透光走线层的远离所述衬底基板的一侧，所述防氧化保护层位于所述金属走线层的远离所述衬底基板的一侧。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述金属走线层的材料包括Ag、Al、Mo或Ti；所述防氧化保护层的材料包括透明氧化物。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一发光器件包括第一阳极结构、第一阴极结构以及在所述第一阳极结构与所述第一阴极结构之间的第一发光层，所述第一部分通过过孔与所述第一阳极结构电连接。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二显示区域还包括多个第二子像素，每个第二子像素包括第二发光器件以及与所述第二发光器件电连接的第二像素电路，所述第二像素电路配置为驱动所述第二发光器件，在所述第二显示区域中，所述多个第二像素电路呈第一阵列排布。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，在所述第二显示区域中，所述多个第一像素电路设置在所述第一阵列中，并与所述多个第二像素电路排布为第二阵列。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二发光器件包括第二阳极结构、第二阴极结构以及所述第二阳极结构与所述第二阴极结构之间的第二发光层，所述第二阳极结构通过过孔与所述第二像素电路电连接。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示区域还包括至少部分围绕所述第二显示区的第三显示区域，所述第三显示区域包括阵列排布的多个第三子像素，每个第三子像素包括第三发光器件以及与所述第三发光器件电连接的第三像素电路，所述第三像素电路配置为驱动所述第三发光器件，所述第三发光器件包括第三阳极结构、第三阴极结构以及所述第三阳极结构与所述第三阴极结构之间的第三发光层，所述第三阳极结构通过过孔与所述第三像素电路电连接。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示基板包括衬底基板，所述第一显示区域还包括位于所述衬底基板上的透明支撑层，所述第一发光器件位于所述透明支撑层的远离所述衬底基板的一侧。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一像素电路包括薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极和源漏电极；所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，所述有源层设置在所述衬底基板上，所述有源层的远离所述衬底基板的一侧设置有第一栅绝缘层，所述栅极和所述第一电容极板同层设置在所述第一栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅极和所述第一电容极板的远离所述衬底基板的一侧设置有第二栅绝缘层，所述第二电容极板设置在所述第二栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二电容极板的远离所述衬底基板的一侧设置有层间绝缘层，所述源漏电极设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层中的过孔与所述有源层电连接，所述源漏电极的远离所述衬底基板的一侧设置有平坦化层；所述透明支撑层与所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层、所述层间绝缘层和所述平坦化层中的至少一种同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括传感器，其中，所述传感器设置于所述显示基板的第二侧，并且所述传感器在所述衬底基板上的正投影与所述第一显示区域至少部分重叠，配置为接收所述来自所述第一侧的光。

本公开至少一实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板具有用于显示的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述制备方法包括：形成显示区域，所述显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕所述第一显示区域的第二显示区域，所述第一显示区域允许来自所述第一侧的光至少部分透射至所述第二侧；在所述第一显示区域和所述第二显示区域中形成至少一条第一连接走线，其中，所述第一连接走线包括彼此电连接的位于第一显示区域的第一部分和位于第二显示区域的第二部分，所述第一部分包括第一透光走线层，所述第二部分包括金属走线层。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中，形成所述显示区域还包括：在所述第一显示区域中形成阵列排布的多个第一子像素，每个第一子像素包括第一发光器件，在所述第二显示区域中形成多个第一像素电路，其中，所述至少一条第一连接走线包括多条第一连接走线；所述多个第一像素电路分别通过所述多条第一连接走线电连接所述多个第一子像素的第一发光器件，以用于驱动所述多个第一子像素的第一发光器件。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中，形成所述第一连接走线的第二部分还包括：形成与所述金属走线层叠层的第二透光走线层，其中，所述第二透光走线层与所述第一透光走线层同层形成且一体连接。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法还包括：提供衬底基板，其中，形成第一连接走线的第二部分还包括：形成与所述金属走线层叠层的防氧化保护层，其中，所述第二透光走线层形成于所述衬底基板上，所述金属走线层形成于所述第二透光走线层的远离所述衬底基板的一侧，所述防氧化保护层形成于所述金属走线层的远离所述衬底基板的一侧。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中，形成所述第一连接走线包括：通过掩膜板在所述第一显示区域和所述第二显示区域依次沉积透光走线材料层、金属走线材料层以及导电保护材料层；使用干刻蚀法刻蚀掉位于所述第一显示区域的金属走线材料层以及导电保护材料层。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中，形成所述第一连接走线包括：通过掩膜板在所述第一显示区域和所述第二显示区域依次沉积透光走线材料层、金属走线材料层以及导电保护材料层；使用湿刻蚀法刻蚀掉位于所述第一显示区域的金属走线材料层以及导电保护材料层；通过所述掩膜板在所述第一显示区域和所述第二显示区域再沉积一层透光走线材料层。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法中，形成所述第一像素电路包括形成薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极和源漏电极；所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，其中，所述有源层形成在所述衬底基板上，在所述有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第一栅绝缘层，所述栅极和所述第一电容极板同层形成在所述第一栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，在所述栅极和所述第一电容极板的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅绝缘层，所述第二电容极板形成在所述第二栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，在所述第二电容极板的远离所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层，所述源漏电极形成在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层中的过孔与所述有源层电连接，在所述源漏电极的远离所述衬底基板的一侧形成平坦化层；形成所述第一显示区域还包括：在所述衬底基板与所述第一发光器件之间形成透明支撑层，其中，所述透明支撑层与所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层、所述层间绝缘层中和所述平坦化层中的至少一种同层形成。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法还包括：提供传感器，并将所述传感器结合于所述显示基板的第二侧，其中，所述传感器在所述衬底基板上的正投影与所述第一显示区域至少部分重叠，配置为接收所述来自所述第一侧的光。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1A为一种显示基板的平面示意图；

图1B为一种显示基板的局部放大示意图；

图2为图1B中的显示基板沿A-A线的截面示意图；

图3为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图；

图4为图3中的显示基板沿B-B线的截面示意图；

图5为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第一显示区域和第二显示区域的平面示意图；

图6为图3中的显示基板沿B-B线的另一截面示意图；

图7为图3中的显示基板沿B-B线的另一截面示意图；

图8为图3中的显示基板沿B-B线的另一截面示意图；

图9为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第一显示区域和第二显示区域的另一平面示意图；

图10为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第一显示区域和第二显示区域的再一平面示意图；

图11为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的显示区域中子像素排布的平面示意图；

图12为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的显示区域中走线排布的平面示意图；

图13为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的显示区域中走线排布的另一平面示意图；

图14为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第一显示区域和第二显示区域的再一平面示意图；

图15为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第二显示区域的截面示意图；

图16为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第三显示区域的截面示意图；

图17A-图17B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板在制备过程中的截面示意图；以及

图18A-图18B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板在制备过程中的截面示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了实现显示屏的全屏化设计，在一些实施方式中，可以将用于安装传感器(例如图像传感器、红外传感器)等部件的部分显示区设计为透光显示区，由此该透光显示区可以在实现显示功能的同时，为安装传感器等部件提供便利。

例如，图1A示出了一种显示基板的平面示意图，图1B为图1A示出的的显示基板的局部放大示意图，图2示出了图1B中的显示基板沿A-A线的截面示意图。如图1A、图1B和图2所示，该显示基板的显示区包括透光显示区1、周边显示区2以及主体显示区3。

例如，主体显示区3为主要的显示区域，具有较高的分辨率(PPI，Pixel PerInch)，即主体显示区3内排布有密度较高的用于显示的子像素。每个子像素包括发光器件以及驱动发光器件的像素电路。透光显示区1可以允许从显示基板显示侧射入的光透过显示基板而到达显示基板的背侧，从而用于位于显示基板背侧的传感器等部件的正常工作。透光显示区1和周边显示区2也包括多个子像素，以用于显示。但是，由于子像素的像素电路通常不透光，为了保证透光显示区1的透光性，透光显示区1中子像素(例如图1B中透光显示区1内的方框所示)的像素电路可以设置在周边显示区2，如周边显示区2中的灰色方框所示，因此占据了周边显示区2的部分空间，而周边显示区2的剩余空间用于设置周边显示区2的子像素，例如周边显示区2中的每一个白色方框代表一个子像素。此时，周边显示区2的子像素(图1B中的白色方框)以及透光显示区1中子像素的像素电路(图1B中的灰色方框)在周边显示区2中排布为阵列。由此，透光显示区1和周边显示区2的分辨率低于主体显示区3的分辨率，即透光显示区1和周边显示区2内排布的用于显示的子像素的密度小于主体显示区3的子像素密度。

如图2所示，透光显示区1中的一个子像素的发光器件4包括阳极4A、阴极4C以及在阳极4A和阴极4C之间的发光层4B，阳极4A通过导电引线连接至周边显示区2中的像素电路5。

具体实施例中，导电引线可以是金属引线，例如可以和子像素的像素电路中源漏电极金属采用相同材料，也可以是透明走线(例如ITO走线)6电连接至周边显示区2中的像素电路5，从而位于周边显示区2的像素电路5可用于驱动位于透光显示区1的发光器件4。由于透明走线6具有较高的透光性，因此可保证透光显示区1也具有较高的透光性。由此，设置于显示基板背侧的传感器7等部件可以通过透光显示区1接收到从显示基板显示侧透过的光，以进行正常工作。

在上述情况下，透明走线6需要从周边显示区2的像素电路5延伸至透光显示区1的发光器件4，因此至少部分透明走线6的长度较长，例如其长度会跨过多于2个子像素区域的距离，另一方面，相比于源漏电极材料，如Ti/Al/Ti，或者任意一者，或者两者的组合；或者其他电极材料，如铜、钼、镁、银或者至少两种材料的组合等。透明走线6所采用的材料本身电阻也较大，并且其制备工艺容易产生偏差，使得透明走线6的整体电阻较大，因此像素电路5向透光显示区1中的子像素传输电信号的速度较慢，导致透光显示区1中的子像素与周边显示区2和主体显示区3中的子像素的驱动不同步，影响显示区的显示效果。

本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法，该显示基板具有用于显示的第一侧和与第一侧相对的第二侧，显示基板包括显示区域，显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕第一显示区域的第二显示区域，第一显示区域允许来自第一侧的光至少部分透射至第二侧；显示基板还包括在第一显示区域和第二显示区域中的至少一条第一连接走线，第一连接走线包括彼此电连接的位于第一显示区域的第一部分和位于第二显示区域的第二部分，第一部分包括第一透光走线层，第二部分包括金属走线层。该显示基板中的第一连接走线具有较低的电阻。

下面通过几个具体的实施例对本公开一些实施例的显示基板及其制备方法进行说明。

本公开至少一实施例提供一种显示基板，图3示出了该显示基板的平面示意图，图4示出了图3中的显示基板沿B-B线的截面示意图。

如图3和图4所示，该显示基板具有用于显示的第一侧(图4中示出为显示基板的上侧，也即显示基板的显示侧)和与第一侧相对的第二侧(图4中示出为显示基板的下侧)。该显示基板包括显示区域，该显示区域包括第一显示区域10以及至少部分围绕第一显示区域10的第二显示区域20，第一显示区域10允许来自第一侧的光至少部分透射至第二侧，即第一显示区域10至少部分透光，以便于图像传感器、红外传感器等部件的安装。

如图4所示，显示基板还包括在第一显示区域10和第二显示区域20中的至少一条第一连接走线15，第一连接走线15包括彼此电连接的位于第一显示区域10的第一部分15A和位于第二显示区域20的第二部分15B，第一部分15A包括第一透光走线层，第二部分15B包括金属走线层。

例如，第一透光走线层的材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明金属氧化物，金属走线层的材料可以包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)或钛(Ti)等金属材料或其合金材料。由于金属走线层的电阻较低，因此相比于只包括透光走线层的走线来说，第一连接走线15可具有较低的电阻。

例如，图5示出了一种第一显示区域10和第二显示区域20的平面示意图。如图5所示，在一些实施例中，第一显示区域10包括阵列排布的多个第一子像素，每个第一子像素包括第一发光器件11，显示区域包括多条第一连接走线15，第二显示区域20包括多个第一像素电路D，多个第一像素电路D分别通过多条第一连接走线15电连接多个第一子像素的第一发光器件11，以用于驱动多个第一子像素的第一发光器件11。

例如，在图5示出的实施例中，多个第一像素电路D与多个第一子像素的第一发光器件11一一对应且通过第一连接走线15电连接，此时，一个第一像素电路D用于驱动一个第一子像素的第一发光器件11。例如，在另一些实施例中，也可以是一个第一像素电路D分别通过多条第一连接走线15与多个第一子像素的第一发光器件11电连接，此时，一个第一像素电路D可用于驱动多个第一子像素的第一发光器件11。本公开的实施例对第一像素电路D和第一子像素的第一发光器件11的对应关系不做具体限定。

例如，在一些实施例中，如图4所示，第一连接走线15的第一部分15A包括第一透光走线层，第一连接走线15的第二部分15B包括金属走线层16以及与金属走线层16叠层的第二透光走线层15C，第二透光走线层15C与第一透光走线层同层设置且一体连接，即第二透光走线层15C与第一透光走线层同层设置且直接接触，从而形成一体结构。

需要注意的是，在本公开的实施例中，“同层设置”为两个功能层或结构层在显示基板的层级结构中同层且同材料形成，即在制备工艺中，该两个功能层或结构层可以由同一个材料层形成，且可以通过同一构图工艺形成所需要的图案和结构。一次构图工艺例如包括光刻胶的形成、曝光、显影、刻蚀等工序。

例如，在一些实施例中，如图4所示，第一连接走线15的第二部分15B还可以包括与金属走线层16叠层的防氧化保护层17，防氧化保护层17可以防止金属走线层16氧化，以保证金属走线层16维持较高的导电性能；另外，防氧化保护层17还可以增强金属走线层16与其上形成的绝缘层145的粘结性，以防止金属走线层16与绝缘层145连接不良。例如，在一些实施例中，防氧化保护层17可以采用透明氧化物材料，例如ITO、IZO等透明导电氧化物材料，由此还可以进一步降低第一连接走线15的电阻。

例如，如图4所示，显示基板包括衬底基板14，第二透光走线层15C位于衬底基板14上，金属走线层16位于第二透光走线层15C的远离衬底基板14的一侧，防氧化保护层17位于金属走线层16的远离衬底基板14的一侧。由此，第一连接走线15的第二部分15B形成为三层叠层的导电结构，该三层叠层的导电结构可显著降低第一连接走线15的电阻。当多条第一连接走线15分别用于为多个第一发光器件11传输驱动信号时，第一连接走线15的上述设计还可提高流经多条第一连接走线15的电流均一性，进而提高显示基板的显示效果。

例如，在图4示出的实施例中，第二透光走线层15C与防氧化保护层17间隔设置，没有接触。在另一些实施例中，由于制备工艺的不同，如图6所示，第二透光走线层15C与防氧化保护层17可以物理连接，即在图6示出的实施例中，防氧化保护层17还覆盖在金属走线层16的右侧，从而与第二透光走线层15C物理接触。该实施例提供的三层导电结构也可显著降低第一连接走线15的电阻。

例如，在一些实施例中，如图4和图6所示，第一发光器件11包括第一阳极结构111、第一阴极结构113以及在第一阳极结构111与第一阴极结构113之间的第一发光层112，第一连接走线15的第一部分15A通过过孔与第一阳极结构111电连接。例如，第一连接走线15上设置有绝缘层145，绝缘层145在第一显示区域10中具有过孔145A，第一连接走线15的第一部分15A通过绝缘层145中的过孔145A与第一阳极结构111电连接。

例如，在一些实施例中，第一阳极结构111包括多层阳极子层，例如图中示出为三层阳极子层。例如，该三层阳极子层为ITO/Ag/ITO三层叠层结构。例如，第一阴极结构113可以为显示基板上整面形成的结构，第一阴极结构113例如可以包括锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料。由于第一阴极结构113可以形成为很薄的一层，因此第一阴极结构113具有良好的透光性。

例如，在另一些实施例中，第一连接走线15和第一阳极结构111也可以采用与图4和图6不同的设计。例如，如图7所示，第一连接走线15的第一部分15A可以与第一阳极结构111所包括的多层阳极子层中的底层阳极子层(例如ITO层)同层设置且一体连接。另外，第一连接走线15的第二部分15B所包括的第二透光走线15C可以与第一部分15A同层设置且一体连接，第二部分15B所包括的金属走线层16与第一阳极结构111所包括的多层阳极子层中的中间层阳极子层(例如Ag层)同层设置，第二部分15B所包括的防氧化保护层17与第一阳极结构111所包括的多层阳极子层中的顶层阳极子层(例如ITO层)同层设置。由此可以简化显示基板的制备工艺。例如，相比于图4和图6所示的显示基板来说，图7中示出的显示基板可以采用相同的构图工艺同时形成第一连接走线15和第一阳极结构111，从而减少单独的第一连接走线1的制备工艺以及绝缘层145的制备工艺。

例如，在另一些实施例中，第一连接走线15也可以采用与图4、图6和图7均不同的设计。例如，如图8所示，第一连接走线的第一部分15A为第一透光走线层，第二部分15B为金属走线层，第一部分15A和第二部分15B通过过孔电连接。例如，第二部分15B上设置有绝缘层148，绝缘层148在第二显示区域20中具有过孔148A，第一部分15A和第二部分15B通过绝缘层148中的过孔148A电连接。

例如，图9示出了一种在上述情况下第一显示区域10和第二显示区域20的平面图。例如，如图9所示，第二显示区域20的靠近第一显示区域10的位置处具有过孔区(虚线框框出的区域)，多条第一连接走线15的第一部分15A和第二部分15B可以分别通过在该过孔区内设置的多个过孔148A进行电连接。在该实施例中，通过第二部分15B的金属走线层的设计，第一连接走线15仍可具有较低的电阻。

例如，在一些实施例中，如图5所示，第二显示区域20还包括多个第二子像素P，每个第二子像素P包括第二发光器件以及与第二发光器件电连接的第二像素电路，第二像素电路配置为驱动第二发光器件；在第二显示区域20中，多个第二像素电路呈第一阵列排布，即图5中灰色方格所排布的阵列。

例如，在一些实施例中，在第二显示区域20中，多个第一像素电路D分散设置在第一阵列中，并与多个第二像素电路D排布为第二阵列，即图5中灰色方格和白色方格共同排布的阵列。

例如，图10示出了另一种第一显示区域10和第二显示区域20的平面图。如图10所示，在一些实施例中，第一连接走线15可以跨过第二显示区域20中的第二子像素P以电连接位于第一显示区域10的第一发光器件11(例如包括阳极、发光层、阴极)以及位于第二显示区域20的用于驱动该第一发光器件11第一像素电路D(例如包括驱动晶体管、存储电容等)。例如，在图10示出的实施例中，第一连接走线15可以呈直线形电连接位于第一显示区域10的第一发光器件11以及位于第二显示区域20的用于驱动该第一发光器件11的第一像素电路D。例如，用于驱动第一显示区域10中第一子像素的数据线D(例如D1、D2)可以在第二显示区域20的靠近第一显示区域10的边界处绕线排布。

例如，位于同一列的子像素的像素电路可以电连接同一数据线，由此位于同一列的子像素的发光器件可以由相同的数据线驱动。例如，在图10示出的实施例中，左侧的数据线D1通过绕线电连接第一显示区域10中左侧第一列子像素的像素电路，右侧的数据线D2电连接第一显示区域10中左侧第二列子像素的像素电路。当然，第一显示区域10中其他列子像素也分别连接一条数据线，图中未示出。

需要说明的是，在本公开的实施例中，列方向指的是图中的竖直方向，行方向指的是图中的水平方向，在其他实施例中，列方向和行方向可以互换，本公开的实施例对此不做限定。

例如，第一显示区域10和第二显示区域20之间存在布线密集区，如图中的虚线框所示，此时，为了排线方便并节省空间，在一些实施例中，该布线密集区可以采用跳线设计，即将走线排布在不同的走线层中。

例如，图11示出了一种第一显示区域中第一子像素排列的图案。例如，第二显示区域20中的第二子像素也具有如图11所示的子像素排列规律。在该实施例中，每四个子像素构成一个重复单元，每个子像素具有不同的形状，相应地，每个子像素的发光器件的阳极结构也具有不同的形状，对应相同、或者不同颜色的发光器件，例如一个重复单元可以包括GGRB四个子像素。例如，如图11所示，在第一显示区域10的一个像素单元中，每个第一子像素的第一发光器件的第一阳极结构111具有不同的形状，并进行如图11所示的排布以对应用于发出相同、或者不同颜色的光，例如四个第一子像素111可以分别发出绿、绿、红、蓝等不同颜色的光线。

具体实施例中，上述重复单元可以不限于4个，例如可以是R、G、B三个，亦或者可以采取其他排列方式，如RGBG等。

例如，图12示出了第一显示区域10中的第一子像素和第二显示区域20中的第二子像素在进行上述子像素排布的情况下，数据线D的连接方式。如图12所示，数据线D在第二显示区域20的靠近第一显示区域10的边界处绕线排布，并且在第一显示区域10和第二显示区域20中，位于同一列的子像素的像素电路电连接同一条数据线D。例如，在图12所示的实施例中，用灰色方块示出的位于第二显示区域20中的第一像素电路通过第一连接走线15电连接位于第一显示区域10中的左侧第一个第一子像素的发光器件，通过数据线D的绕线，可以将与左侧第一个第一子像素位于同一列的子像素(无论是第一子像素还是第二子像素)的像素电路均电连接，从而将位于同一列的子像素的像素电路电连接同一数据线。例如，数据线D的一部分DA(图中示出为数据线D上侧水平延伸的粗线部分)可以采用跳线的方式设置，即数据线D的一部分DA可以与数据线D的其他部分设置在不同层中。例如，当数据线D的设置密度较大时，采用跳线设计可以缩减数据线的排布空间，从而更有利于走线的设置。

例如，图12仅示出了第一显示区域10中一个第一子像素的连接走线以及数据线等，第一显示区域10中的其他第一子像素也具有类似的连接关系，图中12未示出。例如，灰色方框所占据的区域可以具有一个像素重复单元中的一个，或者多个第一子像素的第一像素电路，此时，该一个或者多个第一像素电路可分别通过一条或者多条第一连接走线15电连接到第一显示区域10中一个像素重复单元的一个或者多个第一子像素。

例如，灰色方框所占据的区域可以具有一个像素单元的四个第一子像素的第一像素电路，此时，该四个第一像素电路可分别通过四条第一连接走线15电连接到第一显示区域10中一个像素单元的四个第一子像素。

例如，在一些实施例中，数据线D可以在第二显示区域20的一侧绕线，例如图12中示出了在第二显示区域20的上侧绕线的情况。在另一些实施例中，如图13所示，数据线D也可以同时在第二显示区域20的上侧和下侧绕线。

例如，在一些实施例中，数据线D可以在第二显示区域20的像素行之间进行绕线，本实施例不做限制。

例如，如图13所示，在该实施例中，在第一显示区域10和第二显示区域20中的左侧第一列子像素的像素电路采用同一条数据线D3(图中左侧的数据线)电连接，左侧第二列子像素的像素电路采用同一条数据线D4(图中右侧的数据线)电连接，此时，数据线在第二显示区域20的上下两侧同时绕线，以将位于同一列的子像素的像素电路电连接，由此位于同一列的子像素的发光器件可以由相同的数据线驱动。

类似地，数据线D3和数据线D4的一部分DA也可以采用跳线设计。例如，在第二显示区域20的边缘，数据线的排布较密集，因此在该边缘绕线的部分数据线可以采用跳线设计，以节省空间，并简化电路排布。

类似地，图13仅示出了第一显示区域10中四个第一子像素的连接走线以及数据线等，第一显示区域10中的其他第一子像素也具有类似的连接关系，图中13未示出。例如，灰色方框所占据的区域可以具有一个像素重复单元的四个第一子像素的第一像素电路，此时，该四个第一像素电路可分别通过四条第一连接走线15电连接到第一显示区域10中一个像素单元的四个第一子像素。

例如，如图14所示，位于第一显示区域10左侧第三列的第一子像素与第一显示区域10上方的第二显示区域20中的第二列第二子像素P位于同一列，并且位于第一显示区域10左侧第三列的第一子像素(具体为第一子像素的发光器件，如包括阳极、发光层、阴极)被第一显示区域10上方的第二显示区域20中的第一列中的第一像素电路(如包括驱动晶体管，存储电容等)D驱动，此时，数据线D可以通过在第二显示区域20中的第一列第一像素电路D和第二列第二子像素P中绕线，以将这些位于同一列的子像素的像素电路电连接到同一数据线，由此位于同一列的子像素的发光器件可以由相同的数据线驱动。

例如，位于同一行的子像素的像素电路可以电连接同一扫描线，由此位于同一行的子像素的发光器件可以由相同的扫描线驱动。例如，如图14所示，位于第一显示区域10中第一行第一个第一子像素的第一发光器件11与位于第一显示区域10左侧的第二显示区域20中的一个第一像素电路D电连接，位于第一显示区域10中第一行第二个第一子像素的发光器件11与位于第一显示区域10上侧的第二显示区域20中的一个第一像素电路D电连接，通过扫描线G1(图中左侧的扫描线)的绕线，可以将位于同一行(图中第一行)的这两个第一子像素的第一像素电路D电连接。类似地，位于第一显示区域10中第三行第一个第一子像素的第一发光器件11与位于第一显示区域10左侧的第二显示区域20中的一个第一像素电路D电连接，位于第一显示区域10中第三行第二个第一子像素的发光器件11与位于第一显示区域10上侧的第二显示区域20中的一个第一像素电路D电连接，通过扫描线G2(图中右侧的扫描线)的绕线，可以将位于同一行(图中第三行)的这两个第一子像素的第一像素电路D电连接。由此，位于同一行的子像素的发光器件可以由相同的扫描线驱动。

由此，在本公开的实施例中，通过扫描线和数据线的绕线，可以将位于同一列的子像素的像素电路电连接同一数据线，将位于同一行的子像素的像素电路电连接同一扫描线，以简化显示面板中各子像素的驱动控制。

例如，在图14中，不同线条的走线分别设置在不同的走线层中，即不同线条的走线异层设置。例如，图中颜色最深且线条最粗的第一连接走线15、颜色较深但线条较细的数据线D以及颜色最浅且线条较细的扫描线G分别设置在不同层，因此在制备工艺中分别采用不同的材料层制作。

例如，如图4所示，用于驱动第一发光器件11的第一像素电路D包括薄膜晶体管12和存储电容13，薄膜晶体管12包括有源层121、栅极122和源漏电极(即源极123和漏极124)等结构，存储电容13包括第一电容极板131和第二电容极板132。

例如，有源层121设置在衬底基板14上，有源层121的远离衬底基板14的一侧设置有第一栅绝缘层141，栅极122和第一电容极板131同层设置在第一栅绝缘层141的远离衬底基板14的一侧，栅极122和第一电容极板131的远离衬底基板14的一侧设置有第二栅绝缘层142，第二电容极板132设置在第二栅绝缘层的远离衬底基板14的一侧，第二电容极板132的远离衬底基板14的一侧设置有层间绝缘层143，源漏电极设置在层间绝缘层143的远离衬底基板14的一侧，并通过第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层143中的过孔与有源层121电连接，源漏电极的远离衬底基板14的一侧设置有平坦化层144，以平坦化第一像素电路。

例如，图15示出了一种第二显示区域20的截面示意图，如图15所示，第二显示区域20包括第二发光器件21以及驱动第二发光器件21的第二像素电路。例如，第二像素电路包括薄膜晶体管22和存储电容23等结构。第二发光器件21包括第二阳极结构211、第二阴极结构213以及第二阳极结构211与第二阴极结构213之间的第二发光层212，第二阳极结构211通过过孔与第二像素电路电连接。例如，第二阳极结构211可以包括多个阳极子层，例如包括ITO/Ag/ITO三层结构等(图中未示出)，本公开的实施例对第二阳极结构211的具体形式不做限定。

例如，薄膜晶体管22包括有源层221、栅极222和源漏电极(即源极223和漏极224)等结构，存储电容23包括第一电容极板231和第二电容极板232。例如，有源层221设置在衬底基板14上，有源层221的远离衬底基板14的一侧设置有第一栅绝缘层141，栅极222和第一电容极板231同层设置在第一栅绝缘层141的远离衬底基板14的一侧，栅极222和第一电容极板231的远离衬底基板14的一侧设置有第二栅绝缘层142，第二电容极板232设置在第二栅绝缘层142的远离衬底基板14的一侧，第二电容极板232的远离衬底基板14的一侧设置有层间绝缘层143，源漏电极设置在层间绝缘层143的远离衬底基板14的一侧，并通过第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层143中的过孔与有源层221电连接，源漏电极的远离衬底基板14的一侧设置有平坦化层144，以平坦化第二像素电路。

例如，平坦化层144中具有过孔144A，第二阳极结构211通过平坦化层144中过孔144A与薄膜晶体管22的源极223电连接。

例如，在一些实施例中，源极223与第二阳极结构211之间还可以具有过渡层(图中未示出)，该过渡层可以与第一连接走线15同层设置。

例如，如图3所示，显示区域还包括至少部分围绕第二显示区20的第三显示区域30，第三显示区域30包括阵列排布的多个第三子像素。例如，图16示出了一种第三显示区域30的截面示意图，如图16所示，每个第三子像素包括第三发光器件31以及与第三发光器件电连接的第三像素电路，第三像素电路配置为驱动第三发光器件31。第三发光器件31包括第三阳极结构311、第三阴极结构313以及第三阳极结构311与第三阴极结构313之间的第三发光层312，第三阳极结构311通过过孔与第三像素电路电连接。例如，第三阳极结构311可以包括多个阳极子层，例如包括ITO/Ag/ITO三层结构等(图中未示出)，本公开的实施例对第三阳极结构311的具体形式不做限定。

例如，第三像素电路包括薄膜晶体管32和存储电容33等结构。例如，薄膜晶体管32包括有源层331、栅极332和源漏电极(即源极233和漏极234)等结构，存储电容33包括第一电容极板331和第二电容极板332。例如，有源层321设置在衬底基板14上，有源层321的远离衬底基板14的一侧设置有第一栅绝缘层141，栅极322和第一电容极板331同层设置在第一栅绝缘层141的远离衬底基板14的一侧，栅极322和第一电容极板331的远离衬底基板14的一侧设置有第二栅绝缘层142，第二电容极板332设置在第二栅绝缘层142的远离衬底基板14的一侧，第二电容极板332的远离衬底基板14的一侧设置有层间绝缘层143，源漏电极设置在层间绝缘层143的远离衬底基板14的一侧，并通过第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层143中的过孔与有源层321电连接，源漏电极的远离衬底基板14的一侧设置有平坦化层144，以平坦化第三像素电路。

例如，平坦化层144中具有过孔144B，第三阳极结构311通过绝缘层145中的过孔144B与薄膜晶体管32的源极323电连接。

例如，在一些实施例中，源极323与第二阳极结构311之间还可以具有过渡层(图中未示出)，该过渡层可以与第一连接走线15同层设置。

例如，第二显示区域20中的第一像素电路和第二像素电路与第三显示区域30中的第三像素电路是同层设置的，因此在制备工艺中可采用相同的构图工艺形成。例如，第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142、层间绝缘层143以及平坦化层144在第二显示区域20和第三显示区域30是同层设置的，在一些实施例中还是一体连接的，因此在附图中采用了相同的标号。

例如，在一些实施例中，如图4和图6-图8所示，第一显示区域10还包括位于衬底基板14上的透明支撑层18，第一发光器件11位于透明支撑层18的远离衬底基板14的一侧。由此，相对于衬底基板14来说，第一显示区域10中的第一发光器件11可以与第二显示区域20中的第二发光器件21以及第三显示区域30中的第三发光器件31处于基本相同的高度，从而可以提高显示基板的显示效果。

例如，透明支撑层18与第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143和平坦化层144中的至少一种同层设置。例如，透明支撑层18与第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143和平坦化层144均同层设置，以使第一显示区域10中的第一发光器件11与第二显示区域20中的第二发光器件21以及第三显示区域30中的第三发光器件31处于基本相同的高度，并简化显示基板的制备工艺。

例如，在一些实施例中，显示基板还包括像素界定层146、封装层147等结构，例如，像素界定层146设置在第一阳极结构上，包括多个开口，第一发光层形成在像素界定层146的开口中。例如，封装层147可以包括单层或多层封装结构，多层封装结构例如包括无机封装层和有机封装层的叠层，由此提高对显示基板的封装效果。

例如，在第一显示区域10、第二显示区域20和第三显示区域30中，像素界定层146和封装层147是同层设置的，在一些实施例中还是一体连接的，因此在附图中采用了相同的标号。

例如，本公开的各个实施例中，衬底基板14可以为玻璃基板、石英基板、金属基板或树脂类基板等。本公开的实施例对此不作限制。

例如，第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142、层间绝缘层143以及平坦化层144、绝缘层145、像素界定层146、封装层147以及绝缘层148可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料，或者可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料。本公开的实施例对上述各功能层的材料均不做具体限定。

例如，有源层的材料可以包括多晶硅或氧化物半导体(例如，氧化铟镓锌)等半导体材料。例如，有源层121/221/321的部分可以通过掺杂等导体化处理以导体化，从而具有较高的导电性。

例如，栅极、第一电容极板和第二电容极板的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。

例如，源漏电极的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Ti/Al/Ti)等。

例如，本公开实施例提供的显示基板可以为有机发光二极管(OLED)显示基板或者量子点发光二极管(QLED)显示基板等显示基板，本公开的实施例对显示基板的具体种类不做限定。

例如，在显示基板为有机发光二极管显示基板的情形，发光层111/211/311可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等。并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，发光层111/211/311还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层。

例如，在显示基板为量子点发光二极管(QLED)显示基板的情形，发光层111/211/311可以包括量子点材料，例如，硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点等，量子点的粒径为2-20nm。

例如，在本公开的实施例中，第一显示区域10可以为圆形(图3中示出的情形)、矩形、三角形等各种形状，本公开的实施例第一显示区域10的形状不做限定。

例如，在一些实施例中，如图4、图6-图8所示，显示基板还可以包括传感器19，例如图像传感器、红外传感器、距离传感器等，传感器19例如可以实现为芯片等形式。例如，传感器19设置于显示基板的第二侧，例如传感器19通过双面胶等方式设置在显示面板的第二侧，并且传感器19在衬底基板14上的正投影与第一显示区域10至少部分重叠，配置为接收来自第一侧的光。由此，第一显示区域10在实现显示的同时，还为传感器19的设置提供了便利。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，该显示基板具有用于显示的第一侧(显示侧)和与第一侧相对的第二侧(非显示侧或背侧)，该制备方法包括：形成显示区域，以及在第一显示区域和第二显示区域中形成至少一条第一连接走线。显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕第一显示区域的第二显示区域，第一显示区域允许来自第一侧的光至少部分透射至第二侧。第一连接走线包括彼此电连接的位于第一显示区域的第一部分和位于第二显示区域的第二部分，第一部分包括第一透光走线层，第二部分包括金属走线层。

例如，在一些实施例中，形成显示区域还包括：在第一显示区域中形成阵列排布的多个第一子像素，每个第一子像素包括第一发光器件，并在第二显示区域中形成多个第一像素电路，至少一条第一连接走线包括多条第一连接走线；多个第一像素电路分别通过多条第一连接走线电连接多个第一子像素的第一发光器件，以用于驱动多个第一子像素的第一发光器件。

例如，在一些实施例中，形成第一连接走线的第二部分还包括：形成与金属走线层叠层的第二透光走线层，并且第二透光走线层与第一透光走线层同层形成且一体连接。

例如，在一些实施例中，显示基板的制备方法还包括：提供衬底基板，此时，形成第一连接走线的第二部分还包括：形成与金属走线层叠层的防氧化保护层。第二透光走线层形成于衬底基板上，金属走线层形成于第二透光走线层的远离衬底基板的一侧，防氧化保护层形成于金属走线层的远离衬底基板的一侧。

下面，以图4中示出的显示基板为例，对本公开至少一实施例提供的显示基板的制备方法进行介绍。

例如，如图17A所示，在衬底基板14上采用构图工艺同时形成第二显示区域20和第三显示区域30中的像素电路(包括第一像素电路、第二像素电路和第三像素电路)，并同时形成透明支撑层18。

以形成第一像素电路为例，如图17A所示，形成第一像素电路包括形成薄膜晶体管12和存储电容13，薄膜晶体管12包括有源层121、栅极122和源漏电极123和124；存储电容13包括第一电容极板131和第二电容极板132。如图17A所示，有源层121形成在衬底基板14上，在有源层121的远离衬底基板14的一侧形成第一栅绝缘层141，在第一栅绝缘层141上同层形成栅极122和第一电容极板131，在栅极122和第一电容极板131的远离衬底基板14的一侧形成第二栅绝缘层142，在第二栅绝缘层142的远离衬底基板14的一侧形成第二电容极板132，在第二电容极板132的远离衬底基板14的一侧形成层间绝缘层143，在层间绝缘层143的远离衬底基板14的一侧形成源漏电极123和124，源漏电极123和124通过第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层143中的过孔与有源层121电连接，然后在源漏电极123和124的远离衬底基板14的一侧形成平坦化层144。例如，平坦化层144中形成有暴露源漏极的过孔。例如，透明支撑层18与第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143和平坦化层144中的至少一种同层形成。例如，透明支撑层18与第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143和平坦化层144均同层形成。

例如，上述每一功能层均采用构图工艺形成。一次构图工艺例如包括光刻胶的形成、曝光、显影以及刻蚀等工序。

例如，在一些实施例中，在形成上述结构之前，还可以在衬底基板14上形成缓冲层(图中未示出)，缓冲层作为过渡层可以防止衬底基板14中的有害物质侵入显示基板的内部，并且还可以增加显示基板中的膜层在衬底基板14上的附着力。例如，缓冲层的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘材料形成的单层或多层结构。

例如，在上述结构形成后，在第一显示区域10和第二显示区域20中形成第一连接走线。例如，如图17A所示，通过掩膜板40在第一显示区域10和第二显示区域20依次沉积透光走线材料层151、金属走线材料层161以及导电保护材料层171。例如，掩膜板40具有镂空部分(即图中的白色部分)，以使材料通过镂空部分形成一定的图案。由此，通过掩膜板40沉积的透光走线材料层151、金属走线材料层161以及导电保护材料层171具有基本相同的图案。

然后，如图17B所示，使用干刻蚀法刻蚀掉位于第一显示区域10的金属走线材料层161以及导电保护材料层171，而仅保留位于第二显示区域20的金属走线材料层161以及导电保护材料层171。由此形成包括第一部分15A和第二部分15B的第一连接走线15。由于干刻蚀法易于控制，能够精确控制对金属走线材料层161以及导电保护材料层171的刻蚀厚度，因此可通过一次干刻蚀法即形成第一连接走线15。

例如，在另一些实施例中，在通过掩膜板40在第一显示区域10和第二显示区域20依次沉积透光走线材料层151、金属走线材料层161以及导电保护材料层171后，也可以使用湿刻蚀法刻蚀掉位于第一显示区域10的金属走线材料层161以及导电保护材料层171。但是，由于湿刻蚀法的刻蚀精确度较低，刻蚀厚度不易控制，为了保证完全除去第一显示区域10的金属走线材料层161以及导电保护材料层171，一般会采用过刻。此时，如图18A所示，透光走线材料层151位于第一显示区域10的部分可能会被部分刻蚀，为了保证第一显示区域10中透光走线材料层151的厚度及其与第二显示区域20中的透光走线材料层151的连接性，可以在上述湿法刻蚀后，通过掩膜板40在第一显示区域10和第二显示区域20中再沉积一层透光走线材料层，以增厚第一显示区域10中透光走线层的厚度，此时，透光走线材料层也会形成在金属走线材料层161的右侧面，如图18B所示。

例如，在一些实施例中，由于透光走线材料层151与导电保护材料层171可以采用相同的材料，例如采用ITO，因此在图18B中，透光走线材料层151与导电保护材料层171示出为一体连接的结构。

例如，在其他实施例中，也可以采用基本相同的方法形成如图7和图8所示的显示基板。例如，在形成如图7所示的显示基板时，在通过掩膜板40在第一显示区域10和第二显示区域20依次沉积透光走线材料层151、金属走线材料层161以及导电保护材料层171后，可以使用干刻蚀法刻蚀掉位于第一显示区域10中的部分金属走线材料层161以及导电保护材料层171，以同层形成第一连接走线15和第一阳极结构111。例如，在该实施例中，透光走线材料层151的材料可以采用ITO，金属走线材料层161的材料可以采用Ag，导电保护材料层171可以采用ITO。

例如，在形成图8所示的显示基板时，可采用构图工艺先形成第二部分15B的金属走线层，然后在金属走线层上形成绝缘层148，并在绝缘层148中形成过孔。之后，在绝缘层148上采用构图工艺形成第一部分15A的第一透光走线层，第一透光走线层通过绝缘层148中形成的过孔与第二部分15B电连接，由此形成包括第一部分15A和第二部分15B的第一连接走线。

例如，在第一连接走线15形成后，显示基板的制备方法还包括在第一连接走线15上形成像素界定层、发光器件以及封装层等结构，这些结构的具体形成方式可参见相关技术，在此不再赘述。

例如，参考图4和图6-图8，在显示基板的上述结构形成完成后，显示基板的制备方法还可以包括：提供传感器，并将传感器结合于显示基板的第二侧。此时，传感器在衬底基板上的正投影与第一显示区域至少部分重叠，由此可通过第一显示区域接收来自第一侧的光。

在本公开各实施例提供的显示基板及其制备方法中，第一显示区域具有较高的透光性，因此可以在实现显示的同时，为传感器的设置提供便利。另外，位于第一显示区域和第二显示区域的第一连接走线具有较低的电阻，由此可提高第一连接走线的信号传输速度；当采用为多条第一连接走线为第一显示区域的多个第一发光器件传输驱动信号时，流经多条第一连接走线15的电流具有较高的均一性，进而还可进一步提高显示基板的显示效果。

还有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种显示基板，具有用于显示的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述显示基板包括：

显示区域，其中，所述显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕所述第一显示区域的第二显示区域，所述第一显示区域允许来自所述第一侧的光至少部分透射至所述第二侧；

在所述第一显示区域和所述第二显示区域中的至少一条第一连接走线，其中，所述第一连接走线包括彼此电连接的位于所述第一显示区域的第一部分和位于所述第二显示区域的第二部分，所述第一部分包括第一透光走线层，所述第二部分包括金属走线层；

所述第一显示区域包括阵列排布的多个第一子像素，每个第一子像素包括第一发光器件，所述第二显示区域包括多个第一像素电路，以分别驱动所述多个第一子像素的多个第一发光器件；

所述至少一条第一连接走线包括多条第一连接走线；

所述多个第一像素电路分别通过所述多条第一连接走线电连接所述多个第一子像素的第一发光器件，以用于驱动所述多个第一子像素的第一发光器件。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二部分还包括与所述金属走线层叠层的第二透光走线层，所述第二透光走线层与所述第一透光走线层同层设置且一体连接。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第二部分还包括与所述金属走线层叠层的防氧化保护层，

所述显示基板包括衬底基板，所述第二透光走线层位于所述衬底基板上，所述金属走线层位于所述第二透光走线层的远离所述衬底基板的一侧，所述防氧化保护层位于所述金属走线层的远离所述衬底基板的一侧。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述金属走线层的材料包括Ag、Al、Mo或Ti；

所述防氧化保护层的材料包括透明氧化物。

5.根据权利要求1-4任一所述的显示基板，其中，所述第一发光器件包括第一阳极结构、第一阴极结构以及在所述第一阳极结构与所述第一阴极结构之间的第一发光层，

所述第一部分通过过孔与所述第一阳极结构电连接。

6.根据权利要求1-4任一所述的显示基板，其中，所述第二显示区域还包括多个第二子像素，每个第二子像素包括第二发光器件以及与所述第二发光器件电连接的第二像素电路，所述第二像素电路配置为驱动所述第二发光器件，

在所述第二显示区域中，所述多个第二像素电路呈第一阵列排布。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，在所述第二显示区域中，所述多个第一像素电路设置在所述第一阵列中，并与所述多个第二像素电路排布为第二阵列。

8.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述第二发光器件包括第二阳极结构、第二阴极结构以及所述第二阳极结构与所述第二阴极结构之间的第二发光层，

所述第二阳极结构通过过孔与所述第二像素电路电连接。

9.根据权利要求1-4任一所述的显示基板，其中，所述显示区域还包括至少部分围绕所述第二显示区的第三显示区域，所述第三显示区域包括阵列排布的多个第三子像素，每个第三子像素包括第三发光器件以及与所述第三发光器件电连接的第三像素电路，所述第三像素电路配置为驱动所述第三发光器件，

所述第三发光器件包括第三阳极结构、第三阴极结构以及所述第三阳极结构与所述第三阴极结构之间的第三发光层，所述第三阳极结构通过过孔与所述第三像素电路电连接。

10.根据权利要求1-4任一所述的显示基板，其中，所述显示基板包括衬底基板，

所述第一显示区域还包括位于所述衬底基板上的透明支撑层，所述第一发光器件位于所述透明支撑层的远离所述衬底基板的一侧。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述第一像素电路包括薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极和源漏电极；所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，

所述有源层设置在所述衬底基板上，所述有源层的远离所述衬底基板的一侧设置有第一栅绝缘层，

所述栅极和所述第一电容极板同层设置在所述第一栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅极和所述第一电容极板的远离所述衬底基板的一侧设置有第二栅绝缘层，

所述第二电容极板设置在所述第二栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二电容极板的远离所述衬底基板的一侧设置有层间绝缘层，

所述源漏电极设置在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层中的过孔与所述有源层电连接，所述源漏电极的远离所述衬底基板的一侧设置有平坦化层；

所述透明支撑层与所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层、所述层间绝缘层和所述平坦化层中的至少一种同层设置。

12.根据权利要求10所述的显示基板，还包括传感器，其中，所述传感器设置于所述显示基板的第二侧，并且所述传感器在所述衬底基板上的正投影与所述第一显示区域至少部分重叠，配置为接收所述来自所述第一侧的光。

13.一种显示基板的制备方法，所述显示基板具有用于显示的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述制备方法包括：

形成显示区域，所述显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕所述第一显示区域的第二显示区域，所述第一显示区域允许来自所述第一侧的光至少部分透射至所述第二侧；

在所述第一显示区域和所述第二显示区域中形成至少一条第一连接走线，其中，所述第一连接走线包括彼此电连接的位于所述第一显示区域的第一部分和位于所述第二显示区域的第二部分，所述第一部分包括第一透光走线层，所述第二部分包括金属走线层；

形成所述显示区域还包括：

在所述第一显示区域中形成阵列排布的多个第一子像素，每个第一子像素包括第一发光器件，以及

在所述第二显示区域中形成多个第一像素电路，以分别驱动所述多个第一子像素的多个第一发光器件；

其中，所述至少一条第一连接走线包括多条第一连接走线；

所述多个第一像素电路分别通过所述多条第一连接走线电连接所述多个第一子像素的第一发光器件，以用于驱动所述多个第一子像素的第一发光器件。

14.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法，其中，形成所述第一连接走线的第二部分还包括：

形成与所述金属走线层叠层的第二透光走线层，其中，所述第二透光走线层与所述第一透光走线层同层形成且一体连接。

15.根据权利要求14所述的显示基板的制备方法，还包括：提供衬底基板，其中，形成第一连接走线的第二部分还包括：形成与所述金属走线层叠层的防氧化保护层，

其中，所述第二透光走线层形成于所述衬底基板上，所述金属走线层形成于所述第二透光走线层的远离所述衬底基板的一侧，所述防氧化保护层形成于所述金属走线层的远离所述衬底基板的一侧。

16.根据权利要求15所述的显示基板的制备方法，其中，形成所述第一连接走线包括：

通过掩膜板在所述第一显示区域和所述第二显示区域依次沉积透光走线材料层、金属走线材料层以及导电保护材料层；

使用干刻蚀法刻蚀掉位于所述第一显示区域的金属走线材料层以及导电保护材料层。

17.根据权利要求15所述的显示基板的制备方法，其中，形成所述第一连接走线包括：

通过掩膜板在所述第一显示区域和所述第二显示区域依次沉积透光走线材料层、金属走线材料层以及导电保护材料层；

使用湿刻蚀法刻蚀掉位于所述第一显示区域的金属走线材料层以及导电保护材料层；

通过所述掩膜板在所述第一显示区域和所述第二显示区域再沉积一层透光走线材料层。

18.根据权利要求15所述的显示基板的制备方法，其中，形成所述第一像素电路包括形成薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极和源漏电极；所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，

其中，所述有源层形成在所述衬底基板上，在所述有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第一栅绝缘层，

所述栅极和所述第一电容极板同层形成在所述第一栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，在所述栅极和所述第一电容极板的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅绝缘层，

所述第二电容极板形成在所述第二栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，在所述第二电容极板的远离所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层，

所述源漏电极形成在所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述层间绝缘层中的过孔与所述有源层电连接，在所述源漏电极的远离所述衬底基板的一侧形成平坦化层；

形成所述第一显示区域还包括：在所述衬底基板与所述第一发光器件之间形成透明支撑层，

其中，所述透明支撑层与所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层、所述层间绝缘层中和所述平坦化层中的至少一种同层形成。

19.根据权利要求15所述的显示基板的制备方法，还包括：提供传感器，并将所述传感器结合于所述显示基板的第二侧，其中，所述传感器在所述衬底基板上的正投影与所述第一显示区域至少部分重叠，配置为接收所述来自所述第一侧的光。