CN114823832A - 一种显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示基板及显示装置，用以降低寄生电容，提高触控灵敏度。本申请实施例提供的一种显示基板，显示基板包括：衬底基板，位于衬底基板一侧的像素定义层，位于像素定义层背离衬底基板一侧的阴极，以及位于阴极背离像素定义层一侧的触控导电层；像素定义层包括多个发光开口区以及多个第一凹陷；第一凹陷位于所述发光开口区之外的区域；阴极覆盖发光开口区，且在发光开口区之外一体连接覆盖第一凹陷；覆盖第一凹陷区域的阴极与触控导电层之间的距离，大于在第一凹陷以及发光开口区之外的区域的阴极与触控导电层之间的距离。

Description

一种显示基板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

有机电致发光(OLED)器件，通过有机层自主发光显示，不需要背光源，不需要利用液晶的光学特性显示。因此其有更快的响应时间、更大的可视角度，对比度更高、重量更轻、低功耗和可使用灵活的基板制备，被认为是最有发展潜力的平板显示器件。

现有技术中，对于具有触控功能的显示产品，需要在传统OLED面板上设置触控模组。并且，OLED面板中多个子像素之间通常共用阴极，即阴极整面设置。由于触控模组中的触控电极与OLED阴极之间的距离很近，导致触控电极与OLED阴极之间形成寄生电容，影响触控灵敏度。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示基板及显示装置，用以降低寄生电容，提高触控灵敏度。

本申请实施例提供的一种显示基板，显示基板包括：衬底基板，位于衬底基板一侧的像素定义层，位于像素定义层背离衬底基板一侧的阴极，以及位于阴极背离像素定义层一侧的触控导电层；

像素定义层包括多个发光开口区以及多个第一凹陷；第一凹陷位于发光开口区之外的区域；

阴极覆盖发光开口区，且在发光开口区之外一体连接覆盖第一凹陷；

覆盖第一凹陷区域的阴极与触控导电层之间的距离，大于在第一凹陷以及发光开口区之外的区域的阴极与触控导电层之间的距离。

在一些实施例中，覆盖第一凹陷区域的阴极与触控导电层之间的距离，大于位于发光开口区底部的阴极与触控导电层之间的距离。

在一些实施例中，第一凹陷在衬底基板的正投影与触控导电层在衬底基板的正投影具有交叠。

在一些实施例中，触控导电层包括第一触控导电层以及位于第一触控导电层背离衬底基板一侧的第二触控导电层；

第一凹陷在衬底基板的正投影与第一触控导电层在衬底基板的正投影具有交叠。

在一些实施例中，第一凹陷贯穿像素定义层。

在一些实施例中，第一凹陷的深度大于等于1微米且小于等于2微米。

在一些实施例中，显示基板还包括：位于衬底基板与像素定义层之间的绝缘膜层；

绝缘膜层具有多个第二凹陷；第二凹陷在衬底基板的正投影位于第一凹陷在衬底基板的正投影内。

在一些实施例中，第二凹陷与第一凹陷一一对应。

在一些实施例中，绝缘膜层包括第一平坦化层，第二凹陷贯穿第一平坦化层。

在一些实施例中，显示基板还包括位于像素定义层与阴极之间的共通层；共通层覆盖第一凹陷以及第二凹陷。

在一些实施例中，显示基板还包括位于衬底基板和第一平坦化层之间的第一导电层；

第二凹陷露出部分第一导电层，共通层覆盖第二凹陷露出的第一导电层。

在一些实施例中，显示基板还包括：在发光开口区位于平坦化层与阴极之间的阳极，位于阳极与阴极之间的有机发光层；

共通层包括：位于阳极与有机发光层之间的第一共通层和/或位于有机发光层与阴极之间的第二共通层。

在一些实施例中，第一凹陷以及第二凹陷的总深度大于等于2微米且小于等于4微米。

本申请实施例提供的一种显示装置，显示装置包括本申请实施例提供的显示基板。

本申请实施例提供的显示基板及显示装置，由于像素定义层具有多个第一凹陷，一体连接的阴极覆盖第一凹陷，使得覆盖第一凹陷区域的阴极与触控导电层之间的距离，大于在第一凹陷以及发光开口区之外的区域的阴极与触控导电层之间的距离。即本申请通过在像素定义层形成第一凹陷增大部分区域阴极与触控导电层之间的距离，从而降低部分区域阴极与触控导电层之间的寄生电容，可以提高触控灵敏度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供一种显示基板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供另一种显示基板的结构的示意图；

图3为本申请实施例提供又一种显示基板的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

本申请实施例提供了一种显示基板，如图1所示，显示基板包括：衬底基板1，位于衬底基板1一侧的像素定义层2，位于像素定义层2背离衬底基板1一侧的阴极3，以及位于阴极3背离像素定义层2一侧的触控导电层4；

像素定义层2包括多个发光开口区5以及多个第一凹陷6；第一凹陷6位于发光开口区5之外的区域；

阴极3覆盖发光开口区5，且阴极3在发光开口区5之外一体连接覆盖第一凹陷6；

覆盖第一凹陷6区域的阴极3与触控导电层4之间的距离h1，大于在第一凹陷6以及发光开口区5之外的区域的阴极3与触控导电层4之间的距离h2。

本申请实施例提供的显示基板，由于像素定义层包括多个第一凹陷，一体连接的阴极覆盖第一凹陷，使得覆盖第一凹陷区域的阴极与触控导电层之间的距离，大于在第一凹陷以及发光开口区之外的区域的阴极与触控导电层之间的距离。即本申请通过在像素定义层形成第一凹陷增大部分区域阴极与触控导电层之间的距离，从而降低部分区域阴极与触控导电层之间的寄生电容，可以提高触控灵敏度。

在具体实施时，第一凹陷位于相邻发光开口区之间。

在一些实施例中，如图1所示，显示基板还包括：位于衬底基板1与像素定义层2之间的第一平坦化层10，第一平坦化层10与像素定义层3之间的阳极7、以及位于阳极7和阴极3之间的发光功能层8。在具体实施时，阳极7、发光功能层8均位于发光开口区5。发光开口区5的阳极7、发光功能层8以及阴极3组成发光器件。

在具体实施时，发光器件例如为有机发光二极管器件或量子点发光二极管器件。

在一些实施例中，如图1所示，显示基板还包括：位于第一平坦化层10与衬底基板1之间的驱动电路层；驱动电路层包括多个阵列排布的像素驱动电路9；像素驱动电路9包括薄膜晶体管TFT以及存储电容C；像素驱动电路用于驱动发光器件发光。

在一些实施例中，如图1所示，显示基板还包括：位于阴极2与触控导电层4之间的封装层12，以及位于触控导电层4与封装层12之间的第一缓冲层18。封装层12包括：依次叠层设置的第一无机封装层21、有机封装层22、第二无机封装层23。触控导电层4包括第一触控导电层35以及位于第一触控导电层35背离衬底基板1一侧的第二触控导电层36。

在具体实施时，本申请实施例采用柔性多层一体化集成触控技术(FlexibleMulti Layer On Cell，FMLOC)在封装层上形成第一缓冲层、触控导电层。

在一些实施例中，如图2所示，显示基板包括显示区31以及包围显示区31的周边区32；触控导电层4包括：位于显示区31的多个触控电极13，以及与触控电极13电连接、从显示区31延伸至周边区32的触控信号线33；触控电极13包括相互交叉的多个触控感应电极RX和多个触控驱动电极TX；每一触控感应电极RX包括：多个触控感应子电极17，以及连接相邻触控感应子电极17的连接部16；每一触控驱动电极TX包括：多个触控驱动子电极14，以及连接相邻触控驱动子电极14的桥接电极15。在具体实施时，触控感应子电极17以及连接部16一体连接，且触控感应子电极17、连接部16以及触控驱动子电极14同层设置，桥接电极15与触控感应子电极17、连接部16以及触控驱动子电极14位于不同层。例如，第二触控导电层36包括触控感应子电极17、连接部16以及触控驱动子电极14，第一触控导电层35包括桥接电极15。

需要说明的是，图2中以触控感应子电极和触控驱动子电极为菱形块电极为例进行举例说明。在具体实施时，触控感应电极以及触控驱动电极例如可以是网格状电极。

在一些实施例中，如图1所示，显示基板还包括：位于第一触控导电层35与第二触控导电层36之间的第一绝缘层19，位于第二触控导电层36背离第一触控导电层35一侧的第二绝缘层20。触控感应子电极14通过贯穿第一绝缘层19的过孔与桥接电极15电连接。

在一些实施例中，图2中，触控感应电极RX沿第一方向X延伸，触控驱动电极TX沿第二方向Y延伸，第一方向X与第二方向Y相交，例如第一方向X与第二方向Y垂直。当然，在具体实施时，触控感应电极RX与触控驱动电极TX的位置可以互换。

在具体实施时，如图2所示，触控感应电极RX和触控驱动电极TX均需要与触控信号线33电连接。在可以通过触控信号线向对应的触控电极提供驱动信号或者接收对应的触控电极上的感应信号。即与触控感应电极RX电连接的触控信号线接收对应的触控感应电极RX上的感应信号，与触控驱动电极TX电连接的触控走信号线用于向对应的触控驱动电极TX提供驱动信号。

在具体实施时，如图2所示，在周边区32，显示基板还包括与触控信号线33电连接的绑定端子34。

在具体实施时，绑定端子例如可以与柔性电路板等驱动单元绑定，从而柔性电路板等驱动单元可以提供驱动信号、接受感应信号。

在一些实施例中，如图1所示，覆盖第一凹陷6区域的阴极3与触控导电层4之间的距离h1，大于位于发光开口区5底部的阴极3与触控导电层4之间的距离h3。

在一些实施例中，如图1所示，第一凹陷6在衬底基板1的正投影与触控导电层4在衬底基板1的正投影具有交叠。

本申请实施例提供的显示基板，第一凹陷在衬底基板的正投影与触控导电层在衬底基板的正投影具有交叠，从而可以增大部分区域阴极与触控导电层之间的距离，从而降低部分区域阴极与触控导电层之间的寄生电容，可以提高触控灵敏度。

在一些实施例中，如图1所示，第一凹陷6在衬底基板1的正投影与第一触控导电层35在衬底基板1的正投影具有交叠。即第一凹陷6在衬底基板1的正投影与桥接电极15在衬底基板1的正投影具有交叠。

需要说明的是，与第二触控导电层与阴极之间的距离相比，第一触控导电层与阴极之间的距离更近，因此第一触控导电层与阴极之间更容易产生寄生电容。第一凹陷在衬底基板的正投影与第一触控导电层在衬底基板的正投影具有交叠，从而可以保证降低部分区域阴极与第一触控导电层之间的寄生电容，可以提高触控灵敏度。

在具体实施时，第一凹陷的数量以及位置可以根据第一触控导电层中桥接电极的数量和位置进行设置。例如，在发光开口区之外的区域，可以设置为第一凹陷与在发光开口区之外的区域的桥接电极一一对应。在相邻光开口区之间的区域可以设置多个第一凹陷。当然，为了简化显示基板制备难度，相邻光开口区之间也可以仅设置一个第一凹陷。

在一些实施例中，第一凹陷为对像素定义层进行图形化工艺形成的凹槽。即在具体实施时，可以对像素定义层进行图形化工艺，在发光开口区之间的区域形成凹槽。当然，在具体实施时，也可以是在发光开口区之间的区域，像素定义层下方的膜层具有凹陷以使像素定义层在凹陷区形成第一凹陷。

在一些实施例中，第一凹陷的深度小于像素定义层的厚度。

或者，在一些实施例中，如图1所示，第一凹陷6贯穿像素定义层2。即第一凹陷为贯穿像素定义层厚度的凹槽。从而可以进一步增加第一凹陷的区域阴极与触控导电层之间的距离，降低部分区域阴极与第一触控导电层之间的寄生电容，可以提高触控灵敏度。

在具体实施时，当第一凹陷贯穿像素定义层时，第一凹陷底部的边缘与阳极之间的距离大于0。从而保证阳极的边缘被像素定义层覆盖，避免在第一凹陷阳极与阴极之间出现短路。

在一些实施例中，当第一凹陷贯穿像素定义层时，第一凹陷的深度大于等于1微米且小于等于2微米。

在一些实施例中，如图3所示，显示基板还包括：位于衬底基板1与像素定义层2之间的绝缘膜层42；绝缘膜层42具有多个第二凹陷37；第二凹陷37在衬底基板1的正投影位于第一凹陷6在衬底基板1的正投影内。

本申请实施例提供的显示基板，绝缘膜层具有第二凹陷，且第二凹陷在衬底基板的正投影位于第一凹陷在衬底基板的正投影内，从而阴极覆盖第一凹陷以及第二凹陷，可以进一步增加第一凹陷、第二凹陷的区域阴极与触控导电层之间的距离，降低部分区域阴极与第一触控导电层之间的寄生电容，提高触控灵敏度。

在一些实施例中，第二凹陷与第一凹陷一一对应。

在一些实施例中，第二凹陷为在绝缘膜层上形成的凹槽。

在一些实施例中，如图3所示，绝缘膜层42包括第一平坦化层10；即第一平坦化层10具有多个第二凹陷37。

在一些实施例中，第二凹陷的深度小于第一平坦化层的厚度。

或者，在一些实施例中，第二凹陷贯穿第一平坦化层。即可以对第一平坦化层进行图形化工艺形成贯穿其厚度的凹槽作为第二凹陷。从而可以进一步增加第一凹陷、第二凹陷的区域阴极与触控导电层之间的距离，降低部分区域阴极与第一触控导电层之间的寄生电容，提高触控灵敏度。

在一些实施例中，当第二凹陷贯穿平坦化层时，第一凹陷以及第二凹陷的总深度大于等于2微米且小于等于4微米。

在一些实施例中，如图3所示，显示基板还包括位于像素定义层2与阴极3之间的共通层38；共通层38覆盖第一凹陷6以及第二凹陷37。

在具体实施时，如图3所示，发光功能层8包括：共通层38以及有机发光层39。在一些实施例中，共通层38包括：位于阳极7与有机发光层39之间的第一共通层40和/或位于有机发光层39与阴极3之间的第二共通层41。图3以及共通层38包括：位于阳极7与有机发光层39之间的第一共通层40和位于有机发光层39与阴极3之间的第二共通层41为例进行举例说明。

在具体实施时，第一共通层例如为空穴传输层，第二共通层例如为电子传输层。发光功能层还可以包括：位于阳极与空穴传输层之间的空穴注入层，以及位于电子传输层与阴极之间的电子注入层。

在一些实施例中，如图3所示，显示基板还包括位于衬底基板1和第一平坦化层10之间的第一导电层27；

第二凹陷37露出部分第一导电层27，共通层38覆盖第二凹陷37露出的第一导电层27。

本申请实施例提供的显示基板，共通层覆盖第二凹陷露出的第一导电层，从而可以避免阴极与第一导电层接触而短路。

在一些实施例中，如图3所示，第一导电层27包括：薄膜晶体管TFT的源极S和漏极D，以及存储电容C的第一电极28。第二凹陷37露出第一电极28。

在一些实施例中，如图3所示，薄膜晶体管TFT还包括：有源层29、位于有源层29与第一导电层27之间的栅极G；显示基板还包括：位于衬底基板1与有源层29之间的第二缓冲层24；位于有源层29和栅极G之间的第一栅绝缘层25、位于第一栅绝缘层25和第一导电层27之间的层间绝缘层26。阳极7通过贯穿第一平坦化层10的过孔与漏极D连接。在具体实施时，有源层包括半导体区域与导体化区域，源极S和漏极D通过贯穿层间绝缘层、第一栅绝缘层的过孔与有源层的导体化区域连接。

在一些实施例中，如图3所示，存储电容C还包括与有源层29同层设置的第二电极30。第二电极例如为半导体材料进行导体化形成的电极。

需要说明的是，图3以存储电容C的第一电极28与源极S和漏极D同层设置、第二电极30与有源层29同层设置为例进行举例说明。当然，在具体实施时，第一电极和第二电极中之一可以与栅极同层设置。或者也可以额外设置导电层制作第一电极和/或第二电极。

需要说明的是，图3以第一凹陷6、第二凹陷37与存储电容C设置的区域具有交叠为例进行举例说明。当然，在具体实施时，由于驱动电路层的版图设计不同，第一凹陷、第二凹陷的设置区域也可以与存储电容之外的其他区域。

需要说明的是，图3以绝缘膜层仅包括第一平坦化层、且第一导电层包括源极、漏极、第一电极为例进行说明。当然，在具体实施时，绝缘膜层还可以包括第一平坦化层与衬底基板之间的其他绝缘层，例如包括层间绝缘层、第一栅绝缘层、第二缓冲层中的至少一种。只要在绝缘膜层形成的第二凹陷不经过驱动电路层中的导电层即可。第一导电层也可以驱动电路层中的其他导电层。若第一凹陷的区域与第一导电层具有交叠，且第一导电层与像素定义层之间仅包括绝缘膜层而无其他导电层，则第二凹陷可以贯穿像素定义层与第一导电层之间的所有绝缘层。例如，当第一导电层包括栅极，当与第一凹陷具有交叠的第一导电层与素定义层之间仅包括绝缘膜层而无其他导电层时，包括第二凹陷的绝缘膜层可以包括：第一平坦化层、第一栅绝缘层。

在一些实施例中，衬底基板例如为柔性基板。第二缓冲层例如包括无机材料。第二缓冲层的材料可以为氮化硅(SiN_x)，氧化硅(SiO_x)，氮氧化硅(SiO_xN_y)。有源层的材料例如包括P-Si。栅极绝缘层、层间绝缘层的材料例如也可以为氮化硅(SiN_x)，氧化硅(SiO_x)，氮氧化硅(SiO_xN_y)等无机材料。第一平坦化层、像素定义层的材料例如为有机材料。

本申请实施例提供的一种显示装置，显示装置包括本申请实施例提供的显示基板。

本申请实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。

综上所述，本申请实施例提供的显示基板及显示装置，由于像素定义层具有多个第一凹陷，一体连接的阴极覆盖第一凹陷，使得覆盖第一凹陷区域的阴极与触控导电层之间的距离，大于在第一凹陷以及发光开口区之外的区域的阴极与触控导电层之间的距离。即本申请通过在像素定义层形成第一凹陷增大部分区域阴极与触控导电层之间的距离，从而降低部分区域阴极与触控导电层之间的寄生电容，可以提高触控灵敏度。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的像素定义层，位于所述像素定义层背离所述衬底基板一侧的阴极，以及位于所述阴极背离所述像素定义层一侧的触控导电层；

所述像素定义层包括多个发光开口区以及多个第一凹陷；所述第一凹陷位于所述发光开口区之外的区域；

所述阴极覆盖所述发光开口区，且在所述发光开口区之外一体连接覆盖所述第一凹陷；

覆盖所述第一凹陷区域的所述阴极与所述触控导电层之间的距离，大于在所述第一凹陷以及所述发光开口区之外的区域的所述阴极与所述触控导电层之间的距离。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，覆盖所述第一凹陷区域的所述阴极与所述触控导电层之间的距离，大于位于所述发光开口区底部的所述阴极与所述触控导电层之间的距离。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述第一凹陷在所述衬底基板的正投影与所述触控导电层在所述衬底基板的正投影具有交叠。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述触控导电层包括第一触控导电层以及位于所述第一触控导电层背离所述衬底基板一侧的第二触控导电层；

所述第一凹陷在所述衬底基板的正投影与所述第一触控导电层在所述衬底基板的正投影具有交叠。

5.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述第一凹陷贯穿所述像素定义层。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一凹陷的深度大于等于1微米且小于等于2微米。

7.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述衬底基板与所述像素定义层之间的绝缘膜层；

所述绝缘膜层具有多个第二凹陷；所述第二凹陷在所述衬底基板的正投影位于所述第一凹陷在所述衬底基板的正投影内。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二凹陷与所述第一凹陷一一对应。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘膜层包括第一平坦化层，所述第二凹陷贯穿所述第一平坦化层。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述像素定义层与所述阴极之间的共通层；所述共通层覆盖所述第一凹陷以及所述第二凹陷。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述衬底基板和所述第一平坦化层之间的第一导电层；

所述第二凹陷露出部分所述第一导电层，所述共通层覆盖所述第二凹陷露出的所述第一导电层。

12.根据权利要求10或11所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：在所述发光开口区位于所述平坦化层与所述阴极之间的阳极，位于所述阳极与所述阴极之间的有机发光层；

所述共通层包括：位于所述阳极与所述有机发光层之间的第一共通层和/或位于所述有机发光层与所述阴极之间的第二共通层。

13.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一凹陷以及所述第二凹陷的总深度大于等于2微米且小于等于4微米。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括根据权利要求1～13任一项所述的显示基板。

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