CN113130603B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置，包括：基板，其包括显示区域和非显示区域；无机层，其形成在基板上方；有机层，其形成在无机层上方；发光二极管，其形成在基板的显示区域中，并且包括第一电极、发光层和第二电极；以及接地线，其形成在有机层上，并且形成在非显示区域的至少一部分中，其中，接地线和第二电极彼此电连接，并且接地线包括被布置成彼此邻接的至少一个凹入部分和至少一个凸出部分。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0180093号的权益，通过引用将其并入在此，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及一种显示装置。
背景技术
通常，显示装置被广泛用作各种电子设备的显示屏，例如移动通信终端、电子日记、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器、超移动PC(UMPC)、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、手表电话、电子板、可穿戴设备、手表电话、便携式信息设备、车辆控制显示设备、电视、笔记本电脑和监视器。
可以在显示装置的非显示区域中形成用于向显示装置供应接地电源的接地线。如果接地线由具有高残余应力的材料形成或者以厚的厚度形成，则会在接地线中出现裂纹，由此在确保显示装置的可靠性方面出现问题。
发明内容
本公开内容的目的是提供一种对接地线的损坏具有高抵抗力的显示装置。
本公开内容的另一个目的是提供一种包括具有低电阻的接地线的显示装置。
除了以上提到的本公开内容的目的之外，本领域技术人员将从本公开内容的以下描述中清楚地理解本公开内容的其他目的和特征。
根据本公开内容的一方面，上述目的和其他目的可以通过提供一种显示装置来实现，该显示装置包括：基板，其包括显示区域和非显示区域；无机层，其形成在基板上方；有机层，其形成在无机层上方；发光二极管，其形成在基板的显示区域中，包括第一电极、发光层和第二电极；以及接地线，其形成在有机层上，并且形成在非显示区域的至少一部分中，其中，接地线和第二电极彼此电连接，并且接地线包括被布置成彼此邻接的至少一个凹入部分和至少一个凸出部分。
根据本公开内容，由于接地线包括具有台阶高度的凹入部分和凸出部分，因此可以提供一种显示装置，在该显示装置中，提高了对显示装置的制造过程中残留的应力或由外部因素引起的应力所造成的损坏的抵抗力。
根据本公开内容，由于接地线具有增大的表面积，因此提供了低电阻，由此可以提供亮度均匀性得到改善的显示装置。
除了如以上提到的本公开内容的效果之外，本领域技术人员将从本公开内容的以上描述中清楚地理解本公开内容的其他优点和特征。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和其他优点，在附图中：
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的平面视图；
图2是沿图1中示出的线I-I’截取的截面视图；
图3是沿图1中示出的线II-II’截取的截面视图；
图4是沿图1中示出的线III-III’截取的截面视图；
图5是示出图4的部分A的放大视图；
图6是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的平面视图；
图7简要示出了根据本公开内容的显示区域和接地线；
图8是沿图7中示出的线IV-IV’截取的截面视图；
图9是沿图7中示出的线V-V’截取的截面视图；
图10是沿图7中示出的线VI-VI’截取的截面视图；
图11是示出图10的部分B的放大视图；
图12是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的平面视图；
图13简要示出了根据本公开内容的显示区域和接地线；
图14是沿图13中示出的线VII-VII’截取的截面视图；
图15是沿图13中示出的线VIII-VIII’截取的截面视图；以及
图16是沿图13中示出的线IX-IX’截取的截面视图。
具体实施方式
将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容是透彻和完整的，并且向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。
在附图中公开的用于描述本公开内容的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，并且因此，本公开内容不限于所示出的细节。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开内容的要点模糊时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部分，除非使用“仅～”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非相反地指出。
在构造元件时，尽管没有明确描述，但是该元件被构造为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当将位置关系描述为“在...上”、“在...之上”、“在...以下”和“邻近...”时，可以在两个其他部分之间布置一个或更多个部分，除非使用“恰好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当将时间顺序描述为“之后～”、“随后～”、“接下来～”和“之前～”时，可以包括不连续的情况，除非使用“恰好”或“直接”。
将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
术语“至少一个”应理解为包括相关联的所列项中的一个或更多个的任意和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此不同地互操作并且在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的显示装置。在所有附图中，将尽可能使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分。由于为了便于描述附图中示出的每一个元件的比例与实际比例不同，因此本公开内容不限于所示的比例。
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的平面视图，图2是沿图1中示出的线I-I’截取的截面视图，以及图3是沿图1中示出的线II-II’截取的截面视图。
参照图1至图3，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置包括：基板110，其包括显示区域DA和非显示区域NDA；无机层120，其形成在基板110上方；有机层130，其形成在无机层120上方；发光二极管140，其形成在基板110的显示区域DA中，包括第一电极141、发光层143和第二电极145；以及接地线200，其形成在有机层130上并且形成在非显示区域NDA的至少一部分中，其中，接地线200和第二电极145彼此电连接，并且接地线200包括被布置成彼此邻接的至少一个凹入部分210和至少一个凸出部分230。
基板110是基础基板，并且可以是柔性基板或玻璃基板。根据一个示例，基板110可以包括透明聚酰亚胺材料，但是可以由诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的透明塑料材料制成，而不限于透明聚酰亚胺。根据一个示例，基板110可以是玻璃基板，其包括二氧化硅SiO2或氧化铝Al2O3作为主要成分。
基板110可以由显示画面的显示区域DA和围绕显示区域的非显示区域NDA来限定。此外，可以在非显示区域NDA的一侧处形成焊盘区域，并且可以在焊盘区域中布置稍后将描述的显示驱动电路180。
尽管无机层120可以包括形成在基板110上方的缓冲层121、栅极绝缘层123、层间介电层125和钝化层127，但是无机层的元素不限于图2中示出的缓冲层121、栅极绝缘层123、层间介电层125和钝化层127。
缓冲层121可以由作为无机材料的硅氮化物SiNx或硅氧化物SiOx的单层制成，或者由硅氮化物SiNx和硅氧化物SiOx的多个层叠的层制成。缓冲层121可以改善形成在缓冲层121上方的层与基板110之间的粘附性。
栅极绝缘层123布置在缓冲层121和稍后将描述的有源层ACT上方。栅极绝缘层123可以由作为无机材料的硅氮化物SiNx或硅氧化物SiOx的单层制成，或者由硅氮化物SiNx和硅氧化物SiOx的多个层叠的层制成。栅极绝缘层123包括用于使源电极SE和漏电极DE中的每一个接触到有源层ACT的源极区和漏极区中的每一个的接触孔。
层间介电层125可以被设置成覆盖栅电极GE，并且可以用于保护薄膜晶体管T。可以去除层间介电层125的相应区域，以使有源层ACT与源电极SE或漏电极DE接触。例如，层间介电层125可以包括源电极SE穿过的接触孔和漏电极DE穿过的接触孔。根据一个示例，层间介电层125可以包括二氧化硅SiO2膜或硅氮化物SiN膜，或者可以包括多个层，该多个层包含二氧化硅SiO2膜和硅氮化物SiN膜。
钝化层127可以被布置成覆盖稍后将描述的薄膜晶体管T。钝化层127是用于保护薄膜晶体管T的绝缘层。钝化层127可以由作为无机材料的硅氮化物SiNx或硅氧化物SiOx的单层制成，或者由硅氮化物SiNx和硅氧化物SiOx的多个层叠的层制成。钝化层127可以包括用于将发光二极管140的第一电极141与薄膜晶体管T连接的接触孔。
根据本公开内容的一个实施方式，考虑用于形成稍后将描述的沟槽部分的工艺方面，包括缓冲层121、栅极绝缘层123、层间介电层125和钝化层127的无机层120可以由选自二氧化硅SiO2和硅氮化物SiNx中的一种制成。然而，本公开内容的实施方式不限于该示例，并且选自二氧化硅SiO2和硅氮化物SiNx中的一种可以用作缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层和钝化层中的每一个，或者二氧化硅SiO2和硅氮化物SiNx的沉积结构可以应用于缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层和钝化层中的每一个。
构成缓冲层121、栅极绝缘层123、层间绝缘层125和钝化层127中的每一个的材料不限于二氧化硅SiO2或硅氮化物SiNx，并且可以不受限制地使用在本领域中用作缓冲层121、栅极绝缘层123、层间绝缘层125和钝化层127的材料。
有机层130可以布置在无机层120上方。有机层130是用于使薄膜晶体管T平坦化的绝缘层，并且可以由有机体制成。由于钝化层127沿着薄膜晶体管T的上部分的形状形成，因此钝化层127没有被薄膜晶体管T和存储电容器平坦化，由此可能存在着台阶高度。因此，当有机层130使薄膜晶体管T的上部分平坦化时，发光二极管140可以形成在基本上平坦的区域中。可以在有机层130中形成用于暴露薄膜晶体管T的漏电极DE的接触孔。根据一个示例，有机层130可以由诸如光丙烯酸或BCB的有机绝缘材料制成，其在沉积期间具有平坦化特性。
根据本公开内容的一个实施方式的有机层130可以以与显示区域DA的有机层130相比相对薄的厚度而设置在稍后将描述的与接地线200的凹入部分210交叠的区域中，以及可以以与显示区域DA的有机层130相比基本上相同的厚度而设置在与接地线200的凸出部分230交叠的区域中。
此外，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置可以包括至少一个薄膜晶体管T。例如，薄膜晶体管T可以是驱动薄膜晶体管或扫描薄膜晶体管。
根据一个示例，薄膜晶体管可以包括有源层ACT、形成在有源层ACT上方的栅电极GE、布置在有源层ACT与栅电极GE之间的栅极绝缘膜123、连接至有源层ACT的一侧的源电极SE、以及连接至有源层ACT的另一侧的漏电极DE，并且还可以包括层间介电膜125以及覆盖薄膜晶体管T的钝化层127，该层间介电膜125保护薄膜晶体管，同时将栅电极GE、源电极SE和漏电极DE在电方面彼此间隔开。在这种情况下，由于栅极绝缘膜123、层间介电膜125和钝化层127与前述描述的那些相同，因此将省略对它们的重复描述。
有源层ACT可以设置在基板110的像素区域中。有源层ACT可以被布置成与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE交叠，并且有源层ACT可以包括沟道区和源极区/漏极区，其中沟道区可以形成在有源层ACT的中央区域中，并且源极区/漏极区可以通过在其间插入沟道区而彼此平行地形成。
栅电极GE可以将栅极电压施加至薄膜晶体管T的有源层ACT。根据一个示例，栅电极GE可以通过沉积为单层或双层来形成。例如，尽管栅电极GE可以包括诸如Mo的金属材料，但是可以不受限制地使用本领域中已知的材料。
源电极SE和漏电极DE可以与有源层ACT的源极区和漏极区中的每一个形成欧姆接触，并且可以由具有低电阻的金属材料形成。
尽管图2示出了栅电极GE布置在有源层ACT上方的顶栅(top gate)结构的薄膜晶体管T，但是本公开内容的薄膜晶体管T不限于顶栅结构，并且本领域中使用的薄膜晶体管T的各种结构可以应用于本公开内容。
发光二极管140可以包括第一电极141、发光层143和第二电极145。也就是说，发光二极管140可以形成在显示区域中，并且可以包括与薄膜晶体管T电连接以驱动发光二极管的第一电极141、发光层143和第二电极145。
第一电极141是阳极电极，并且可以以图案形状设置在有机层130上方。第一电极141可以通过设置在有机层130中的接触孔与薄膜晶体管的漏电极DE电连接，以接收从薄膜晶体管输出的数据信号。第一电极141可以包括金属材料或透明导电氧化物，例如，诸如铜Cu、钼钛MoTi和铟锡氧化物ITO的材料。此外，第一电极141可以被设置为，但不限于，单层或多层。
发光层143是用于发射特定颜色的光的发光层EL，并且可以包括红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层之一。如果发光层EL包括白色发光层，则可以在发光二极管E上方布置用于将来自白色发光层的白光转换为另一种颜色的光的滤色器。此外，发光层EL除了发光层之外还可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层。
第二电极145可以由具有低的功函数(work function)的导电材料制成。例如，第二电极145可以由铝Al、镁Mg、银Ag或其合金形成。
在图1至图3中，尽管基于光通过第二电极145发射到外部的顶部发射型显示装置描述了包括第一电极141、发光层143和第二电极145的发光二极管140，但是本公开内容的实施方式不限于顶部发射型。
第二电极145可以共同地形成在多个像素中，以与显示区域DA交叠。此外，第二电极145可以被布置成与显示区域DA交叠并且形成为与非显示区域NDA的至少一部分交叠。详细地，如图1中所示，第二电极145可以形成为在与显示区域DA交叠的同时与非显示区域NDA的接地线200交叠。因此，第二电极145可以以与接地线200的物理接触结构形成在非显示区域NDA中。
此外，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置还可以包括堤部150。堤部150可以布置在有机层130上方，同时与第一电极141的至少一部分交叠。堤部150可以被布置成围绕显示区域DA的发光层143，并且可以布置在显示区域DA和非显示区域NDA的边界中。根据一个示例，堤部150可以由有机体制成。例如，堤部150可以由聚酰亚胺基树脂、丙烯酸基树脂或BCB基树脂制成，但不限于此。
在基板110的非显示区域NDA中设置扫描驱动集成电路170。扫描驱动集成电路170可以将从显示驱动电路180提供的扫描控制信号提供给设置在显示区域中的像素。
显示驱动电路180可以连接至设置在基板110的非显示区域NDA中的焊盘部分，以在每个像素中显示与从显示驱动系统提供的图像数据相对应的图像。根据一个示例的显示驱动电路180可以包括柔性电路膜181、数据驱动集成电路183、印刷电路板185和定时控制器187。
接地线200可以被布置成与邻近于显示区域DA的非显示区域NDA的至少一部分交叠，并且可以布置在有机层130上方。
尽管图1示出了接地线200形成在非显示区域NDA中，布置在基于显示区域DA的Y方向上的一侧和另一侧处，但是本公开内容的实施方式不限于该示例。例如，接地线200可以根据显示装置的设计条件形成在围绕显示区域DA的非显示区域的仅一侧处，或者可以另外布置在图1中示出的显示装置中的X方向上的一侧和另一侧处，以完全围绕显示区域DA的外部。接地线200可以是用于提供接地电源的线。
此外，发光二极管140的第二电极145可以被布置成与非显示区域NDA中的接地线200的至少一部分接触。
第二电极145可以被提供有接地电压或与接地线200接触的接地电压，并且可以与接地线200电接触以降低施加至第二电极145的电阻。
接地线200可以通过与第一电极141的工艺相同的工艺、由与发光二极管140的第一电极141的材料相同的材料形成。根据一个示例，接地线200和发光二极管140的第一电极141可以通过相同的工艺在有机层130上方由彼此相同的材料形成。随后，通过光刻工艺，第一电极141和接地线200可以通过预设图案彼此分辨开来。
例如，接地线200可以包括诸如铜Cu、钼钛MoTi和铟锡氧化物ITO的材料。此外，接地线200可以被设置为但不限于单层或多层。如果接地线200包括包含Mo的金属材料，并且由具有在制造过程期间生成的高应力的材料形成或者需要以厚的厚度形成，则由于在接地线200的制造过程期间所生成的应力或者在显示装置的驱动期间所生成的应力或外部冲击，可能会发生裂纹。
根据本公开内容的一个实施方式，显示装置还可以包括布置在非显示区域NDA中的链接线300。链接线300可以是用于驱动显示装置的像素的栅极链接线和数据链接线中的至少之一。然而，链接线300可以是驱动显示装置所需的各种链接线之一，而不限于栅极链接线或数据链接线。
根据一个示例，链接线300可以通过与薄膜晶体管T的栅电极GE的工艺相同的工艺、以与薄膜晶体管T的栅电极GE的材料相同的材料来制备，但不限于此。
如图3中所示，链接线300可以布置在非显示区域NDA的至少一部分中。此外，链接线300可以被布置成与接地线200的凹入部分210平行地与接地线200的凹入部分210部分地交叠。
如图1中所示，根据本公开内容的一个实施方式的接地线200可以包括被布置成彼此邻接的至少一个凹入部分210和至少一个凸出部分230。此外，凹入部分210和凸出部分230中的每一个可以以在一个方向上对准的线图案来形成。在这种情况下，一个方向可以优选地是Y方向，并且本公开内容的实施方式不限于Y方向。
此外，根据本公开内容的接地线200的凹入部分210和突出部分230可以形成为具有预定的台阶高度。如果在显示装置的制造过程期间可能出现的残余应力或在显示装置外部可能出现的应力以台阶高度施加至接地线200，则可以设置分散应力的结构，由此可以提高显示装置的可靠性。
如图2和图3中所示，如果第二电极145与对应于接地线200的凸出部分230的位置相接触，则可以将非显示区域NDA的有机层130的至少一部分设置为具有T1的厚度。在这种情况下，非显示区域NDA的有机层130的厚度T1可以与显示区域DA的有机层130的厚度基本上相同。如果第二电极145与对应于接地线200的凹入部分210的位置相接触，则可以将非显示区域NDA的有机层130的至少一部分设置为具有T2的厚度。在这种情况下，非显示区域NDA的有机层130的厚度T2可以大致对应于T1的厚度的一半。
根据一个示例，由于接地线200具有由凹入部分210和凸出部分230形成的台阶高度结构，因此其表面积可以增加。可以提供与不具有凹入部分210和凸出部分230的台阶高度结构的接地线200的结构相比、表面积增加的接地线200的结构。因此，包括根据本公开内容的接地线200的显示装置可以降低第二电极145的电阻值，增加像素中的亮度均匀性，并且提高显示装置的驱动可靠性。接地线200的凹入部分210和凸出部分230的台阶高度及其详细结构将稍后参照图4和图5进行描述。
图4是沿图1中示出的线III-III’截取的截面视图，以及图5是示出图4的部分A的放大视图。由于图4和图5中的显示装置除了非显示区域NDA的结构之外与图1至图3中描述的显示装置相同，因此将省略其重复描述。
参照图4和图5，由于接地线200具有由凹入部分210和凸出部分230形成的预定台阶高度h1，因此其表面积可以增加，并且可以提供与不具有凹入部分210和凸出部分230的台阶高度的接地线200的结构相比、表面积增加的接地线200的结构。因此，包括根据本公开内容的接地线200的显示装置可以降低发光二极管140的第二电极145的电阻值，并且提高显示装置的驱动可靠性。
在这种情况下，接地线200的凹入部分210和凸出部分230可以基于凹入部分210和凸出部分230的台阶高度h1如下地定义。凹入部分210可以被定义为以台阶高度h1的一半高度或更小而形成的区域，并且凸出部分230可以被定义为以台阶高度h1的一半高度或更大而形成的区域。
无机层120可以包括至少一个沟槽部分129，并且沟槽部分129可以被布置成与接地线200的凸出部分230交叠并且与接地线200的凹入部分210不交叠。在根据本公开内容的显示装置中，可以通过形成在无机层120中的至少一个沟槽部分129来减小传播通过无机层120的应力，并且可以提高显示装置的可靠性。此外，沟槽部分129可以被布置成与链接线300平行，并且沟槽部分129可以形成在与链接线300不交叠的区域中。
沟槽部分129可以形成为具有在200nm至800nm范围内的预定深度d1。根据一个示例，沟槽部分129可以被设置为具有大约200nm至800nm的深度，优选地可以被设置为具有大约600nm的深度。如果沟槽部分129的深度d1小于200nm，则可能会降低对传播通过无机层120的应力的分散效应，以及如果沟槽部分129的深度d1超过800nm，则形成在无机层120中的沟槽部分129的布置密度被限制，由此可能降低对应力的分散效应。然而，根据本公开内容的沟槽部分129的深度不限于以上数值范围，并且可以根据显示装置的设计而改变。
此外，尽管图4和图5示出了通过去除层间介电层125和钝化层127来形成沟槽部分129，但是本公开内容的实施方式不限于该示例。因此，本公开内容的实施方式中的沟槽部分129的深度可以制备为根据显示装置中所需的适当深度而选择性地去除缓冲层121、栅极绝缘层123、层间绝缘层125和钝化层127。
有机层130可以被布置成填充上述无机层120的沟槽部分129。此外，根据本公开内容的有机层130可以被制备成使得有机层130的上表面包括有机层凹入部分131和有机层凸出部分133，从而形成与凹入部分210和凸出部分230相对应的结构。根据一个示例，有机层凹入部分131和有机层凸出部分133可以制备为去除与非显示区域NDA的有机层130的凹入部分131相对应的部分。
根据一个示例，接地线200可以具有与有机层凹入部分131和有机层凸出部分133的形状相对应的形状，并且有机层凹入部分131和有机层凸出部分133可以被制备为具有与接地线200的凹入部分210和凸出部分230相同的台阶高度。此外，可以通过具有高台阶覆盖特性的工艺来制备接地线200，由此可以在保持有机层凹入部分131和有机层凸出部分133的形状的同时形成接地线200。
有机层130可以由第一表面130a、第二表面130b、第三表面130c和第四表面130d限定，第一表面130a是与接地线200的凸出部分230交叠的上表面，第二表面130b是与接地线200的凹入部分210交叠的上表面，第三表面130c是与接地线200的凸出部分230交叠的下表面，第四表面130d是与接地线200的凹入部分210交叠的下表面。
第一表面130a与第三表面130c之间的距离可以由有机层的第一厚度t1限定，并且第一厚度t1可以是通过将显示区域DA的有机层130的厚度添加至沟槽部分129的蚀刻深度d1的厚度而获得的厚度。因此，非显示区域NDA的有机层130的第一厚度t1可以是通过将T1的厚度添加至沟槽部分129的蚀刻深度d1而获得的厚度。第二表面130b与第四表面130d之间的距离可以由有机层的第二厚度t2限定，并且第二厚度t2可以是第一厚度t1的一半或更小的厚度。然而，在本公开内容中，有机层130的第二厚度t2不限于第一厚度t1的一半或更小。此外，第二厚度t2可以与图3中的有机层130的T2的厚度相同。
无机层120的厚度t3和t4可以如下地定义。在这种情况下，当限定无机层120的厚度时，可以将无机层120的下部设置为在与凹入部分210交叠的区域中链接线300的上表面，以及考虑到可以根据显示装置的配置而省略缓冲层121，可以将无机层120的下部设置为在与凸出部分230交叠的区域中缓冲层121的上表面。
无机层120的第四厚度t4可以由在链接线300的上表面上方与接地线200的凹入部分210交叠的无机层120的厚度来限定。无机层120的第三厚度t3可以由从缓冲层121的上表面与接地线200的凸出部分230交叠的无机层120的厚度来限定。以这种方式，通过排除缓冲层121的厚度来考虑第三厚度t3和第四厚度t4。
在本公开内容中的具有凹入部分210和凸出部分230的接地线200的结构中，为了使接地线200对于凹入部分210和凸出部分230具有相同水平的电容，基于第一厚度t1的有机层130和第三厚度t3的无机层120的电容值应等于基于第二厚度t2的有机层130和第四厚度t4的无机层120的电容值。如果与对应于有机层凸出部分133的第一厚度t1相比，与有机层凹入部分131相对应的第二厚度t2减小到预定厚度，则布置在有机层130下方的无机层120的厚度可以增大以补偿减小的厚度，由此接地线200可以被设置为具有与无机层120相等水平的寄生电容。
例如，如果有机层130的第一厚度t1为约2um，则有机层130的第二厚度t2可以为约1um。此时，无机层120的第四厚度t4可以具有补偿有机层130的第二厚度t2与有机层130的第一厚度t1之间的差的厚度。例如，如果有机层130被制备为光丙烯酸酯基树脂，则有机层130的介电常数为约3.7F/m，以及如果无机层120被制备为硅氧化物SiOx，则硅氧化物SiOx的介电常数为约4.3F/m。在这种情况下，注意，无机层120的介电常数比有机层130的介电常数高约1.16倍。
可以如以下等式(1)所表示的来计算电容C。
C＝ε0*εr*A/d
在这种情况下，ε0是真空的介电常数，εr是介电材料的介电常数，A是介电材料的面积，并且d是介电材料的两端之间的距离。
如等式(1)中所表示的，介电材料的电容与介电常数成比例，并且与距离成反比。因此，如果有机层130的预定厚度减小，则等式(1)中的电容值可以增大。因此，如果布置在接地线200下方的有机层130的厚度减小，则有机层130可能受到包括布置在接地线200下方的链接线300的金属线的影响。例如，如果将与接地线200的凹入部分210相对应的有机层130的厚度设置为通过与第一厚度相比将第二厚度t2减小1μm而获得的厚度，则优选的是无机层120补偿并设置无机膜的厚度，以另外确保与有机层130的减小后厚度的约1.16倍相对应的厚度。
接地线200的凹入部分210和凸出部分230的台阶高度h1可以描述如下。例如，如果有机层130的第一厚度t1为约2μm，则有机层130的第二厚度t2可以为约1μm。此时，如果上述无机层120的沟槽部分129的深度d1以约600nm的深度形成，则有机层凸出部分133和有机层凹入部分131的台阶高度可能会出现大约400nm。此外，布置在有机层130上方的接地线200可以被布置成保持由有机层凸出部分133和有机层凹入部分131生成的台阶高度不变，由此接地线200的凹入部分210和凸出部分230可以形成为具有等于400nm的台阶高度。因此，与具有较小台阶高度的接地线200相比，具有这样的台阶高度的接地线200可以提供增加的表面积。
此外，根据一个示例，如果布置在接地线200下方的有机层130的厚度设置在1.2um至2um的范围内，则由有机层130形成的电容可以处于不影响接地线200的操作的忽略不计的水平。
如图1和图2中所描述的，接地线200可以包括凹入部分210和凸出部分230，并且接地线200的凹入部分210和凸出部分230可以沿着形成在有机层130中的有机层凹入部分131和有机层凸出部分133形成。
在这种情况下，接地线200的凹入部分210和凸出部分230可以基于凹入部分210和凸出部分230的台阶高度h1如下地定义。接地线200的凹入部分210可以被定义为以台阶高度h1的一半高度或更小而形成的区域，并且接地线200的凸出部分230可以被定义为以台阶高度h1的一半高度或更大而形成的区域。
根据一个示例，链接线300可以布置在非显示区域NDA的至少一部分中，并且可以被布置成在一个方向上与接地线200的凹入部分210和凸出部分230中的每一个平行。此外，链接线300可以被布置成与凹入部分210部分交叠。
此外，可以在保持包括上述凹入部分210和凸出部分230的接地线200的形状的同时，形成被布置成与非显示区域NDA的接地线200交叠的第二电极145。因此，当第二电极145具有由接地线200的凹入部分210和凸出部分230形成的台阶高度结构时，其表面积可以增加以降低发光二极管140的第二电极145的电阻值，可以增强像素内的亮度均匀性，并且可以提高显示装置的驱动可靠性。此外，第二电极145可以由接地线200的凹入部分210和凸出部分230形成为具有预定的台阶高度。如果显示装置的残余应力或可能在显示装置外部出现的应力以台阶高度施加至第二电极145，则可以设置分散应力的结构，由此可以提高显示装置的可靠性。
图6是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的平面视图，图7简要示出了根据本公开内容的显示区域和接地线，以及图8是沿图7中示出的线IV-IV’截取的截面视图。由于图6至图8的显示装置除了以下特征之外与图1和图2的显示装置相同，因此将省略其重复描述：显示装置还包括被布置成与接地线200的凹入部分210部分地交叠的开口部分250，以及与接地线200的凹入部分210和凸出部分230有关的结构特征。尽管未示出，但是图6和图7中在Y方向上与接地线200的凸出部分230交叉的截面结构可以与图2的截面结构相同。
参照图6至图8，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置还可以包括形成为与凹入部分210部分地交叠的开口部分250。在这种情况下，接地线200的开口部分250可以被称为孔图案、沟槽图案等。
开口部分250可以形成在接地线200的凹入部分210中，并且可以被布置成与另一开口部分以恒定间隔分隔开。此外，开口部分250可以在一个方向例如X或Y方向上伸长。
尽管在图6和图7中开口部分250的形状显示为菱形形状，但是开口部分250不限于菱形形状，并且可以以各种形状形成，诸如圆形、椭圆形、正方形形状、矩形形状和多边形形状。如果开口部分250的尺寸可以容纳在凹入部分210中，则可以将其设置在不受限制的范围内。
在图6至图8的显示装置中，即使接地线200还包括与凹入部分210相对应的开口部分250，也可以仅在开口部分250中切掉接地线200，并且凹入部分210和凸出部分可以彼此连接作为一个元件。
根据一个示例，如果在形成显示装置或接地线200的过程期间生成的应力或由外部因素引起的应力被施加至接地线200或与接地线200相邻的区域，则接地线200的开口部分250可以用于分散应力。
形成在接地线200的上部分处的第二电极145可以被设置成填充开口部分250。
根据一个示例，可以通过引入开口部分250来减小接地线200的面积，由此可以增大接地线200的电阻。因此，如果根据本公开内容的一个实施方式的显示装置还包括开口部分250，则显示装置还可以包括用于补偿电阻减小的辅助接地线290。稍后将参照图12至图16描述包括辅助接地线290的显示装置。
图9是沿图7中示出的线V-V’截取的截面视图，图10是沿图7中示出的线VI-VI’截取的截面视图，以及图11是示出图10的部分B的放大视图。
参照图9和图11，当接地线200具有由凹入部分210和凸出部分230形成的多个台阶高度h1和h2时，其表面积可以增加。可以提供与不具有凹入部分210和凸出部分230的台阶高度结构的接地线200的结构相比、表面积增加的接地线200的结构。因此，包括根据本公开内容的接地线200的显示装置可以降低发光二极管140的第二电极145的电阻值并且提高显示装置的驱动可靠性。
根据一个示例，接地线200的凸出部分230可以具有多个阶梯的结构。当接地线200的凸出部分230具有多个阶梯时，如果在形成显示装置或接地线200的过程期间生成的应力或由外部因素引起的应力被施加至接地线200或与接地线200相邻的区域，则凸出部分230可以用于使应力更加分散。
在这种情况下，接地线200的凹入部分210和凸出部分230可以基于凹入部分210和凸出部分230的台阶高度h1如下地定义。凹入部分210可以被定义为以台阶高度h1的一半高度或更小而形成的区域，并且凸出部分230可以被定义为以台阶高度h1的一半高度或更大而形成的区域。
根据一个示例，如果接地线200的凸出部分230形成为包括两个阶梯的结构，则接地线200的凸出部分230可以包括从与有机层的第二表面130b交叠的凹入部分210的上表面起具有第一高度h1和第二高度h2的台阶高度的阶梯结构。此外，尽管图9至图11示出了凸出部分230具有两个阶梯的结构，但是本公开内容的实施方式不限于该示例，并且凸出部分230可以包括两个或更多个阶梯的多阶梯结构。
无机层120可以包括至少一个沟槽部分129，并且沟槽部分129可以被布置成与接地线200的凸出部分230交叠并且与接地线200的凹入部分210不交叠。在根据本公开内容的显示装置中，可以通过形成在无机层120中的至少一个沟槽部分129来减小传播通过无机层120的应力，并且可以提高显示装置的可靠性。此外，沟槽部分129可以被布置成与链接线300平行，并且沟槽部分129可以形成在与链接线300不交叠的区域中。
无机层120的沟槽部分129可以包括与形成在接地线200的凸出部分230中的多个台阶高度h1和h2相对应的多个深度d1和d2。此时，沟槽部分129的第二深度d2和无机层的第六厚度t6可以被控制以补偿有机层的第五厚度t5，该第五厚度与第一厚度t1相比减小。另外，尽管图9至图11示出了沟槽部分129具有两个阶梯的结构，但是本公开内容的实施方式不限于该示例，并且沟槽部分129可以包括具有两个或更多个阶梯的多阶梯结构。
此外，尽管图9至图11示出了通过去除层间介电层125和钝化层127来形成沟槽部分129，但是本公开内容的实施方式不限于该示例。因此，本公开内容的实施方式中的沟槽部分129的深度可以制备为根据显示装置中所需的适当深度而选择性地去除缓冲层121、栅极绝缘层123、层间绝缘层125和钝化层127。
有机层130可以被布置成填充上述无机层120的沟槽部分129。此外，根据本公开内容的有机层130可以被制备成使得有机层130的上表面包括有机层凹入部分131和有机层凸出部分133，从而形成与凹入部分210和凸出部分230相对应的结构。根据一个示例，有机层凹入部分131和有机层凸出部分133可以制备为去除与非显示区域NDA的有机层130的凹入部分131相对应的部分。
此时，有机层凸出部分133可以被制备为具有与上述接地线200的凸出部分230相对应的多阶梯结构。
根据一个示例，接地线200可以具有与有机层凹入部分131和有机层凸出部分133的形状相对应的形状，并且有机层凹入部分131和有机层凸出部分133可以被制备为具有与接地线200的凹入部分210和凸出部分230相同的台阶高度。此外，接地线200可以通过具有高台阶覆盖特性的过程来制备，由此可以在保持有机层凹入部分131和有机层凸出部分133的形状的同时形成接地线200。
有机层130可以由第一表面130a、第二表面130b、第三表面130c和第四表面130d限定，第一表面130a是与接地线200的凸出部分230交叠的上表面，第二表面130b是与接地线200的凹入部分210交叠的上表面，第三表面130c是与接地线200的凸出部分230交叠的下表面，第四表面130d是与接地线200的凹入部分210交叠的下表面。此外，有机层130还可以由第五表面130e和第六表面130f限定，该第五表面130e与在凸出部分230中另外形成的阶梯交叠，该第六表面130f与在沟槽部分129中另外形成的阶梯交叠。
第一表面130a与第三表面130c之间的距离可以由有机层的第一厚度t1限定，并且第一厚度t1可以是通过将显示区域DA的有机层130的厚度添加至沟槽部分129的蚀刻深度d1的厚度而获得的厚度。因此，非显示区域NDA的有机层130的第一厚度t1可以是通过将T1的厚度添加至沟槽部分129的蚀刻深度d1而获得的厚度。第二表面130b与第四表面130d之间的距离可以由有机层的第二厚度t2限定，并且第二厚度t2可以是第一厚度t1的一半或更小的厚度。然而，在本公开内容中，有机层130的第二厚度t2不限于第一厚度t1的一半或更小。此外，第二厚度t2可以与图3中的有机层130的T2的厚度相同。第五表面130e与第六表面130f之间的距离可以由第五厚度t5限定。第五厚度t5可以比第二厚度t2大且比第一厚度t1小。
无机层120的厚度t3、t4和t6可以如下地定义。在这种情况下，当限定无机层120的厚度时，可以将无机层120的下部设置为在与凹入部分210交叠的区域中链接线300的上表面，以及考虑到可以根据显示装置的配置而省略缓冲层121，可以将无机层120的下部设置为在与凸出部分230交叠的区域中缓冲层121的上表面。
无机层120的第四厚度t4可以由在链接线300的上表面上方与接地线200的凹入部分210交叠的无机层120的厚度来限定。无机层120的第三厚度t3可以由从缓冲层121的上表面起、与第一深度d1形成的沟槽部分129和接地线200的凸出部分230交叠的无机层120的厚度来限定。无机层120的第六厚度t6可以由从缓冲层121的上表面起、与第二深度d2形成的沟槽部分129和接地线200的凸出部分230交叠的无机层120的厚度来限定。以这种方式，通过排除缓冲层121的厚度来考虑第三厚度t3和第六厚度t6。
如果基于第一厚度t1将有机层130的厚度减小到第二厚度t2或第五厚度t5，则无机层120的厚度可以相应地增加到第四厚度t4或第六厚度t6以补偿减小的厚度。因此，在本公开内容中，接地线200的电容可以基本上保持在等同水平。
接地线200的凹入部分210和凸出部分230的台阶高度h1和h2可以描述如下。例如，如果有机层130的第一厚度t1为约2μm，则有机层130的第二厚度t2可以为约1μm。此外，如果上述无机层120的沟槽部分129的深度d1以600nm多的深度形成，则有机层凸出部分133和有机层凹入部分131的台阶高度可能出现400nm多。此外，布置在有机层130上方的接地线200可以被布置成保持由有机层凸出部分133和有机层凹入部分131生成的台阶高度不变，由此接地线200的凹入部分210和凸出部分230可以形成为具有等于400nm的台阶高度。因此，与具有较小台阶高度的接地线200相比，具有这样的台阶高度的接地线200可以提供增加的表面积。
此时，沟槽部分129的第二深度d2可以不受限制地设置在第一深度d1或更小的范围内，并且凸出部分230的第二台阶高度h2可以不受限制地设置在第一台阶深度h1或更小的范围内。
图12是示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的平面视图，图13简要示出了根据本公开内容的显示区域和接地线，图14是沿图13中示出的线VII-VII’截取的截面视图，图15是沿图13中示出的线VIII-VIII’截取的截面视图，以及图16是沿图13中示出的线IX-IX’截取的截面视图。
参照图12至图16，根据本公开内容的显示装置还可以包括辅助接地线290以及用于将接地线200与辅助接地线290电连接的接触孔CH。
如果将开口部分250引入凹入部分210中，则可以减小接地线200的面积，由此可以增加接地线200的电阻。图12至图16的显示装置还可以包括用于补偿接地线200的电阻增加的辅助接地线290。
根据一个示例，辅助接地线290可以被布置成容纳在无机层120中所形成的沟槽部分129中。此外，显示装置还可以包括用于将接地线200的凸出部分230连接至辅助接地线290的接触孔CH。
辅助接地线290可以被布置成容纳在无机层120的沟槽129中。在这种情况下，辅助接地线290可以被称为辅助金属层、辅助电极等。
接触孔CH可以布置在凸出部分230的至少一部分中，并且可以提供用于将接地线200的凸出部分230与辅助接地线290电连接的路径。接触孔CH可以形成在凸出部分230的至少一部分中，并且可以通过去除有机层130并去除无机层120的至少一部分来形成。
如图14中所示，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置还可以包括形成为与凹入部分210部分地交叠的开口部分250。在这种情况下，接地线200的开口部分250可以被称为孔图案、沟槽图案等。开口部分250可以形成在接地线200的凹入部分210中，并且可以被布置成与另一开口部分以恒定间隔分隔开。尽管在图12和图13中开口部分250的形状显示为菱形形状，但是开口部分250不限于菱形形状，并且可以以各种形状形成，诸如圆形、椭圆形、矩形形状和多边形形状。如果开口部分250的尺寸可以容纳在凹入部分210中，则可以将其设置在不受限制的范围内。
根据一个示例，如果在形成显示装置或接地线200的过程期间生成的应力或由外部因素引起的应力被施加至接地线200或与接地线200相邻的区域，则接地线200的开口部分250可以用于使应力更加分散。然而，开口部分250可以通过减小接地线200的面积来增大接地线200的电阻。
如图15和图16中所示，接地线200可以通过提供以下结构来补偿由于引入开口部分250而增大的电阻：凸出部分230通过接触孔CH与辅助接地线290电连接，该辅助接地线290形成为容纳在沟槽部分129中。此外，由于通过形成接触孔CH、通过接触孔CH中的增加的面积而形成接地线200，因此可以另外补偿由于引入开口部分250而增大的电阻。
根据一个示例，优选地，辅助接地线290被布置成与布置在基板110上方的链接线300不交叠，由此可以使辅助接地线290与链接线300之间的干扰最小化。
根据本公开内容的一个实施方式的显示装置可以描述如下。
根据本公开内容的一个实施方式的显示装置包括：基板，其包括显示区域和非显示区域；无机层，其形成在基板上方；有机层，其形成在无机层上方；发光二极管，其形成在基板的显示区域中，包括第一电极、发光层和第二电极；以及接地线，其形成在有机层上，并且形成在非显示区域的至少一部分中，其中，接地线和第二电极彼此电连接，并且接地线包括被布置成彼此邻接的至少一个凹入部分和至少一个凸出部分。
根据本公开内容的一些实施方式，无机层可以包括形成在非显示区域中的至少一个沟槽部分。
根据本公开内容的一些实施方式，沟槽部分可以与接地线的凸出部分交叠。
根据本公开内容的一些实施方式，有机层可以包括与接地线的凸出部分交叠的有机层凸出部分，以及与接地线的凹入部分交叠的有机层凹入部分。
根据本公开内容的一些实施方式，有机层可以具有与接地线的凸出部分相对应的第一厚度以及与接地线的凹入部分相对应的第二厚度，并且第一厚度可以比第二厚度大。
根据本公开内容的一些实施方式，无机层可以具有与接地线的凸出部分相对应的第三厚度以及与接地线的凹入部分相对应的第四厚度，并且第四厚度可以比第三厚度大。
根据本公开内容的一些实施方式，无机层的第四厚度可以被设置为补偿有机层的第一厚度与第二厚度之间的差。
根据本公开内容的一些实施方式，显示装置还可以包括形成在基板上方的链接线，其中，链接线可以被布置成不与接地线的凸出部分交叠。
根据本公开内容的一些实施方式，接地线的凹入部分和接地线的凸出部分可以被形成为具有范围从300nm至900nm的台阶高度。
根据本公开内容的一些实施方式，显示装置还可以包括被形成为与接地线的凹入部分部分地交叠的开口部分，其中，该开口部分可以穿过接地线的一个表面和另一个表面。
根据本公开内容的一些实施方式，接地线的凸出部分和接地线的凹入部分可以被形成为具有多个台阶高度。
根据本公开内容的一些实施方式，沟槽部分具有针对无机层的上表面的多个深度的台阶高度。
根据本公开内容的一些实施方式，显示装置还可以包括容纳在沟槽部分中的辅助接地线。
根据本公开内容的一些实施方式，钝化层可以包括用于暴露辅助接地线的至少一部分的接触孔，并且接地线可以被设置成填充接触孔的至少一部分。
对于本领域技术人员将明显的是，上述本公开内容不受上述实施方式和附图限制，并且可以在不背离本公开内容的精神或范围的情况下在本公开内容中进行各种替换、修改和变型。因此，本公开内容的范围由所附权利要求限定，并且从权利要求的含义、范围和等同概念得出的所有变型或修改落入本公开内容的范围内。
可以根据以上详述的描述对实施方式进行这些和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应解释为将权利要求限制为说明书和权利要求中公开的特定实施方式，而应解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求所赋予的等同物的全部范围。因此，权利要求不受公开内容限制。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
基板，其包括显示区域和非显示区域；
无机层，其形成在所述基板上方；
有机层，其形成在所述无机层上方；
发光二极管，其形成在所述基板的显示区域中，包括第一电极、发光层和第二电极；
接地线，其形成在所述有机层上，并且形成在所述非显示区域的至少一部分中，其中，所述接地线和所述第二电极彼此电连接，并且所述接地线包括被布置成彼此邻接的至少一个凹入部分和至少一个凸出部分；以及
开口部分，其被形成为与所述接地线的凹入部分部分地交叠，其中，所述开口部分穿过所述接地线的一个表面和另一个表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层包括形成在所述非显示区域中的至少一个沟槽部分。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述沟槽部分与所述接地线的凸出部分交叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层包括：
有机层凸出部分，其与所述接地线的凸出部分交叠；以及
有机层凹入部分，其与所述接地线的凹入部分交叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述有机层具有与所述接地线的凸出部分相对应的第一厚度以及与所述接地线的凹入部分相对应的第二厚度，并且所述第一厚度比所述第二厚度大。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述无机层具有与所述接地线的凸出部分相对应的第三厚度以及与所述接地线的凹入部分相对应的第四厚度，并且所述第四厚度比所述第三厚度大。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述无机层的第四厚度被设置为补偿所述有机层的第一厚度与第二厚度之间的差。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括形成在所述基板上方的链接线，其中，所述链接线被布置成不与所述接地线的凸出部分交叠。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述接地线的凹入部分和所述接地线的凸出部分被形成为具有范围从300nm至900nm的台阶高度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述接地线的凸出部分和所述接地线的凹入部分被形成为具有多个台阶高度。
11.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述沟槽部分具有针对所述无机层的上表面的多个深度的台阶高度。
12.根据权利要求2所述的显示装置，还包括容纳在所述沟槽部分中的辅助接地线。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，钝化层包括用于暴露所述辅助接地线的至少一部分的接触孔，并且所述接地线被设置成填充所述接触孔的至少一部分。
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