CN115942771A - 发光显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种发光显示装置，包括：电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；保护层，其叠覆电路层；接触部分，其被配置成暴露辅助电力电极的一部分；屋檐结构，其设置在辅助电力电极的一部分上方并且被配置成具有底切区域；像素电极，其设置在保护层上方并且连接至薄膜晶体管；发光层，其设置在像素电极上方；以及公共电极，其设置在发光层上方并且在屋檐结构的底切区域中连接至辅助电力电极，其中，屋檐结构由单一材料制成。

Description

发光显示装置

技术领域

本公开内容涉及发光显示装置。

背景技术

随着信息化社会的进步，对被配置成显示信息的显示装置的关注和要求已经以各种类型增加。

在这些显示装置中，发光显示装置根据发光层的材料分为无机发光显示装置和有机发光显示装置。例如，有机发光显示装置是自发光显示装置，其中有机发光显示装置可以通过将空穴和电子分别从用于注入空穴的阳极电极和用于注入电子的阴极电极注入到发光层中并且当注入的空穴和电子结合的激子从激发态下降到基态时发光来显示图像。

根据发光的方向，发光显示装置可以分为顶部发射型、底部发射型或双发射型。

在顶部发射型发光显示装置的情况下，具有透明特性的电极或具有半透射特性的电极可以用作阴极，以将从发光层发射的光发射到顶部。阴极电极具有薄的厚度以提高透射率，由此电阻增加。特别地，在大尺寸的发光显示装置的情况下，随着与电压供给焊盘部分的距离增大，电压降更加严重，因此可能产生与发光显示装置的亮度不均匀相关的问题。

为了解决由于阴极电极的电阻增加引起的电压降，提出了具有底切形状的阴极接触结构以将单独的辅助电极电连接至阴极电极。

然而，在阴极接触结构的情况下，不同材料层以堆叠结构形成，并且通过选择性蚀刻来形成底切形状，由此在不同材料层之间的界面处产生台阶，或频繁产生剥离现象，从而降低了发光显示装置的大规模生产。

上述背景技术的内容可以保留以用于发明人对本公开内容的推导，或者可以是通过实践本公开内容的实施方式而获知的技术信息。然而，上述背景技术的内容可能不是在应用本公开内容之前向公众公开的现有技术。

发明内容

鉴于上述问题做出了本公开内容，并且本公开内容的目的是提供一种发光显示装置，其能够在阴极接触区域中形成具有高抗剥离性的底切形状并且因此减少制造过程中出现的缺陷并提高生产率。

根据本公开内容的一方面，上述和其他目的可以通过提供一种发光显示装置来实现，该发光显示装置包括：电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；保护层，其叠覆电路层；接触部分，其被配置成暴露辅助电力电极的一部分；屋檐结构，其设置在辅助电力电极的一部分上方并且被配置成具有底切区域；像素电极，其设置在保护层上方并且连接至薄膜晶体管；发光层，其设置在像素电极上方；以及公共电极，其设置在发光层上方并且在屋檐结构的底切区域中连接至辅助电力电极，其中，屋檐结构由单一材料制成。

根据本公开内容的另一方面，上述和其他目的可以通过提供一种发光显示装置来实现，该发光显示装置包括：电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；第一保护层，其叠覆电路层；第二保护层，其设置在第一保护层上方；像素电极，其设置在第二保护层上方并且连接至薄膜晶体管；堤层，其设置在第二保护层上方并且被配置成在像素电极处限定开口；接触部分，其穿透第一保护层和第二保护层以及堤层以暴露辅助电力电极的一部分；屋檐结构，其设置在由接触部分暴露的辅助电力电极的一部分上方并且被配置成包括底切区域；发光层，其设置在像素电极和堤层上方；以及公共电极，其设置在发光层上方并且在屋檐结构的底切区域中连接至辅助电力电极。

根据本公开内容的另一方面，上述和其他目的可以通过提供一种发光显示装置来实现，该发光显示装置包括：电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；第一保护层，其叠覆电路层；第二保护层，其设置在第一保护层上方；接触部分，其被配置成暴露辅助电力电极的一部分；屋檐结构，其设置在辅助电力电极的一部分上方并且被配置成具有底切区域；支承图案，其在辅助电力电极的一部分与屋檐结构之间；像素电极，其设置在第二保护层上方并且连接至薄膜晶体管；发光层，其设置在像素电极上方；以及公共电极，其设置在发光层上方并且在屋檐结构的底切区域中连接至辅助电力电极。

应当理解，本公开内容的前述一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开内容的进一步说明。

附图说明

本公开内容的上述和其他目的、特征和其他优点将从以下结合附图进行的详细描述中得到更清楚的理解，在附图中：

图1是示意性地示出根据本公开内容的一个实施方式的发光显示装置的框图；

图2是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中的子像素的第一电极、堤层和接触部分的平面视图；

图3是根据本公开内容的第一实施方式的沿图2的I-I'的截面视图；

图4是示出根据本公开内容的第一实施方式的图3中的“A”部分的接触部分的平面视图；

图5是示出根据本公开内容的第一实施方式的图3中的“A”部分的接触部分的一个示例的截面视图；

图6是示出根据本公开内容的第一实施方式的图3中的“A”部分的接触部分的另一示例的截面视图；

图7是根据本公开内容的第二实施方式的沿图2的线I-I'的截面视图；

图8是示出根据本公开内容的第二实施方式的图7的“B”部分的接触部分的截面视图；

图9是示出根据本公开内容的第二实施方式的图7的“B”部分的接触部分的一个示例的截面视图；

图10是示出根据本公开内容的第二实施方式的图7的“B”部分的接触部分的另一示例的截面视图；

图11是根据本公开内容的第三实施方式的沿图2的线I-I'的截面视图；

图12是示出根据本公开内容的第三实施方式的图11的“C”部分的接触部分的平面视图；

图13是示出根据本公开内容的第三实施方式的图11的“C”部分的接触部分的一个示例的截面视图；以及

图14是示出根据本公开内容的第三实施方式的图11的“C”部分的接触部分的另一示例的截面视图。

具体实施方式

本公开内容的优点和特征及其实现方法将通过以下参照附图描述的实施方式阐明。然而，本公开内容可以以不同的形式实施并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，这些实施方式被提供，使得本公开内容将彻底和完整，并将向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。

在用于描述本公开内容的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅是示例，并且因此本公开内容不限于所示出的细节。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地使本公开内容的重点模糊时，将省略详细描述。

在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，可以添加其他部分，除非使用“仅～”。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

在解释元件时，该元件被解释为包括误差范围，尽管没有明确的描述。

在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在～上”、“在～之上”、“在～之下”和“接着～”时，一个或更多个部分可以布置在两个其他部分之间，除非使用“恰好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“之后”、“随后”、“接着”和“之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“恰好”或“直接”。

应当理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

术语“第一水平轴方向”、“第二水平轴方向”和“垂直轴方向”不应仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释，并且可以意指在本公开内容的部件可以在功能上操作的范围内具有更宽方向性的方向。

术语“至少一个”应理解为包括相关联所列项中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此互操作并在技术上被驱动，如本领域技术人员能够充分理解的那样。本公开内容的实施方式可以相互独立实施，或者可以以相互依赖的关系一起实施。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的发光显示装置的优选实施方式。在可能的情况下，将在整个附图中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。由于为了便于描述，附图中所示的元件中的每个元件的比例与实际比例不同，因此本公开内容不限于所示的比例。

图1是示意性地示出根据本公开内容的一个实施方式的发光显示装置的框图。

参照图1，根据本公开内容的一个实施方式的发光显示装置100可以包括显示面板110、图像处理器120、时序控制器130、数据驱动器140、扫描驱动器150和电源160。

显示面板110可以显示与从数据驱动器140提供的数据信号DATA、从扫描驱动器150提供的扫描信号和从电源160提供的电力相对应的图像。

显示面板110可以包括设置在多条栅极线GL和多条数据线DL的每个交叉处的子像素SP。子像素SP的结构可以根据显示装置100的类型而变化。

例如，子像素SP可以根据结构以顶部发射法、底部发射法或双发射法形成。子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。可替选地，子像素SP可以包括红色子像素、蓝色子像素、白色子像素和绿色子像素。根据发光特性，子像素SP可以具有一个或更多个其他发光区域。

一个或更多个子像素SP可以构成一个单位像素。例如，一个单位像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素可以重复布置。可替选地，一个单位像素可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，其中红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以重复布置，或者红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以以四边形类型布置。在根据本公开内容的实施方式中，子像素的颜色类型、布置类型、布置顺序等可以根据发光特性、器件的寿命、器件的规格等以各种形式配置，由此其不限于此。

显示面板110可以被划分为用于通过布置子像素SP来显示图像的显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域NA。扫描驱动器150可以设置在显示面板110的非显示区域NA上。另外，非显示区域NA可以包括焊盘区域。

图像处理器120可以输出数据使能信号DE连同从外部提供的数据信号DATA。除了数据使能信号DE之外，图像处理器120还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。

时序控制器130可以从图像处理器120接收数据信号DATA以及驱动信号。驱动信号可以包括数据使能信号DE。可替选地，驱动信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号。时序控制器130可以基于驱动信号输出用于控制数据驱动器140的操作时序的数据时序控制信号DDC和用于控制扫描驱动器150的操作时序的栅极时序控制信号GDC。

数据驱动器140可以响应于从时序控制器130提供的数据时序控制信号DDC，通过对从时序控制器130提供的数据信号DATA进行采样和锁存来将数据信号DATA转换为伽马参考电压，并且可以输出伽马参考电压。

数据驱动器140可以通过数据线DL输出数据信号DATA。数据驱动器140可以以集成电路IC的形式实现。例如，数据驱动器140可以通过柔性电路膜电连接至设置在显示面板110的非显示区域NA中的焊盘区域。

扫描驱动器150可以响应于从时序控制器130提供的栅极时序控制信号GDC输出扫描信号。扫描驱动器150可以通过栅极线GL输出扫描信号。扫描驱动器150可以以集成电路IC的形式实现或者可以以面板内栅极GIP方案来实现。

电源160可以输出用于驱动显示面板110的高电位电压和低电位电压。电源160可以通过第一电力线EVDD(或驱动电力线)向显示面板110提供高电位电压，并且可以通过第二电力线EVSS(或辅助电力线)向显示面板110提供低电位电压。

图2是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中的子像素的第一电极、堤层和接触部分的平面视图。

结合图1参照图2，根据本公开内容的实施方式的发光显示装置100的显示面板110可以被划分为显示区域AA和非显示区域NA，并且可以在显示区域AA的基板上包括由栅极线GL与数据线DL之间的交叉限定的多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4。

如图2中所示，多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。例如，第一子像素SP1可以发射红色光，第二子像素SP2可以发射绿色光，第三子像素SP3可以发射蓝色光，并且第四子像素SP4可以发射白色光，但不是必须的。可以省略用于发射白色光的第四子像素SP4。可以配置发射红色光、绿色光、蓝色光、黄色光、品红色光和青色光中的至少两种的子像素。此外，子像素SP1、SP2、SP3和SP4的布置顺序可以进行各种改变。

可以在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中设置像素电极PXL(例如，阳极电极或第一电极)。可以在像素电极PXL上设置堤层BA，堤层BA覆盖(或叠覆)像素电极PXL的边缘部分并限定与多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4相对应的开口。然后，可以在像素电极PXL和堤层BA上顺序地堆叠发光层(例如，有机发光层)和公共电极(例如，阴极电极或第二电极)。

根据本公开内容的实施方式，为了降低设置在显示面板110的整个表面上方的公共电极的电阻，单独的辅助电力电极可以由电阻低于公共电极的材料形成并且电连接至公共电极。堤层BA可以限定接触部分CA，该接触部分CA暴露辅助电力电极的一部分，以将辅助电力电极和公共电极彼此电连接。

可以针对构成一个单位像素同时平行于栅极线GL的四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个形成接触部分CA，然而，其不限于这种结构。可以每几个子像素形成接触部分CA。另外，接触部分CA可以按平行于数据线DL的方向上的每条水平线形成，但不限于此，并且可以每几条水平线形成接触部分CA。

第一实施方式

图3是根据本公开内容的第一实施方式的沿图2的I-I'的截面视图，图4是示出根据本公开内容的第一实施方式的图3中的“A”部分的接触部分的平面视图，图5是示出根据本公开内容的第一实施方式的图3中的“A”部分的接触部分的一个示例的截面视图，以及图6是示出根据本公开内容的第一实施方式的图3中的“A”部分的接触部分的另一示例的截面视图。

参照图3和图4，根据本公开内容的第一实施方式的发光显示装置可以包括基板SUB、遮光层LS、辅助电力线EVSS(或第二电力线)、缓冲层BUF、薄膜晶体管TR、存储电容器Cst、栅极绝缘膜GI、绝缘隔层ILD、辅助电力电极210、钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)、发光器件ED、堤层BA、接触部分CA和屋檐结构301。

基板SUB可以是基底基板，并且可以由玻璃或塑料材料制成。例如，基板SUB可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等的塑料材料形成，并且可以具有柔性特性。

在基板SUB上，可以针对多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个设置包括各种信号线、薄膜晶体管TR和存储电容器Cst的电路器件。信号线可以包括栅极线GL、数据线DL、电力线和参考线，并且薄膜晶体管TR可以包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、感测薄膜晶体管等。

遮光层LS和辅助电力线EVSS(或第二电力线)可以设置在基板SUB上。遮光层LS可以被设置成与薄膜晶体管TR交叠。例如，遮光层LS可以与薄膜晶体管TR的有源层ACT交叠。特别地，遮光层LS可以被设置成与有源层ACT的沟道区域交叠。遮光层LS可以用于阻挡外部光进入有源层ACT。另外，辅助电力线EVSS(例如，第二电力线或低电位电力线)可以用于将低电压施加至公共电极COM(例如，阴极电极或第二电极)。另外，辅助电力线EVSS可以用于与辅助电力电极210一起降低公共电极COM的电阻。

遮光层LS和辅助电力线EVSS可以由相同的材料在相同的层中形成。在这种情况下，遮光层LS和辅助电力线EVSS可以通过相同的工艺同时形成。

缓冲层BUF可以设置在基板SUB上以覆盖(或叠覆)遮光层LS和辅助电力线EVSS。缓冲层BUF可以通过堆叠单个无机层或多个无机层来形成。例如，缓冲层BUF可以由包括硅氧化物层SiOx、硅氮化物层SiN和硅氧氮化物层SiON的单层形成。可替选地，缓冲层BUF可以由其中堆叠了硅氧化物层SiO_X、硅氮化物层SiN和硅氧氮化物层SiON中的至少两层的多层形成。缓冲层BUF可以形成在基板SUB的整个上表面上以阻挡从基板SUB扩散的离子或杂质并且防止湿气穿过基板SUB渗透到发光器件ED中。

薄膜晶体管TR、存储电容器Cst和辅助电力电极210可以设置在缓冲层BUF上。薄膜晶体管TR可以设置在缓冲层BUF上的多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个上。例如，薄膜晶体管TR可以包括有源层ACT、与有源层ACT交叠的栅电极GA(栅极绝缘膜GI插入在有源层ACT与栅电极GA之间)、第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2。此外，存储电容器Cst可以以三重结构形成，其中，使用遮光层LS或辅助电力线EVSS的一些或全部部分的第一电容器电极、由与薄膜晶体管TR的栅电极GA相同的金属材料图案化的第二电容器电极、以及使用辅助电力电极210的一些或全部部分的第三电容器电极交叠，但不是必须的。如果需要，存储电容器Cst可以以由各种多层实现的多层结构形成。辅助电力电极210可以通过穿透缓冲层BUF和绝缘隔层ILD的接触孔电连接至辅助电力线EVSS。

薄膜晶体管TR的有源层ACT可以由硅基或氧化物基半导体材料制成并且可以形成在缓冲层BUF上。有源层ACT可以包括与栅电极GA交叠的沟道区域、以及连接至第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2的源/漏区域。

栅极绝缘膜GI可以形成在有源层ACT上。栅极绝缘膜GI可以设置在有源层ACT的沟道区域上并且可以使有源层ACT和栅电极GA彼此绝缘。栅极绝缘膜GI可以由无机绝缘材料制成，例如硅氧化物层SiOx、硅氮化物层SiN、硅氧氮化物层SiON或它们的多层。

栅电极GA可以形成在栅极绝缘膜GI上。栅电极GA可以与有源层ACT对置，其中栅极绝缘膜GI插入其间。栅电极GA可以由选自铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、钽(Ta)或钨(W)中的任意一层或多个层形成。此外，形成存储电容器Cst的一部分的第二电容器电极可以由与栅电极GA相同的材料形成在缓冲层BUF上。在这种情况下，薄膜晶体管TR的栅电极GA和存储电容器Cst的第二电容器电极可以通过相同的工艺同时形成。

覆盖栅电极GA的绝缘隔层ILD可以形成在缓冲层BUF上。此外，绝缘隔层ILD可以形成为覆盖存储电容器Cst的第二电容器电极。绝缘隔层ILD可以保护薄膜晶体管TR。绝缘隔层ILD可以由无机绝缘材料形成。例如，绝缘隔层ILD可以由硅氧化物层SiOx、硅氮化物层SiN、硅氧氮化物层SiON或它们的多层形成。

第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2可以形成在绝缘隔层ILD上。可以部分地去除绝缘隔层ILD以使有源层ACT与第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2接触。例如，第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2可以通过穿过绝缘隔层ILD的接触孔电连接至有源层ACT。

辅助电力电极210可以形成在绝缘隔层ILD上。为了使辅助电力线EVSS和辅助电力电极210接触，可以去除绝缘隔层ILD和其下方的缓冲层BUF的相应区域以使辅助电力线EVSS和辅助电力电极210接触。例如，辅助电力电极210可以通过穿透绝缘隔层ILD和缓冲层BUF的接触孔电连接至辅助电力线EVSS。此外，辅助电力电极210可以用作存储电容器Cst的第三电容器电极。

第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及辅助电力电极210可以由相同材料在相同层中形成。第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及辅助电力电极210可以通过相同的工艺同时形成。第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及辅助电力电极210可以以单层或多层结构设置。当第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及辅助电力电极210中的每一个以单层结构形成时，其可以由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)中的一种或更多种形成。当第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及辅助电力电极210中的每一个以多层结构形成时，可以使用钼/铝-钕、钼/铝、钛/铝或铜/钼钛的双层。可替选地，第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及辅助电力电极210可以由钼/铝-钕/钼、钼/铝/钼、钛/铝/钛或钼/铜/钼钛的三层形成。然而，其不限于这些结构。第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及辅助电力电极210可以由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)及其合金中的任何一种所制成的多层形成。

设置在基板SUB上的薄膜晶体管TR、存储电容器Cst和辅助电力电极210可以构成电路层(或薄膜晶体管阵列层)。

钝化层(或第一保护层)PAS可以设置在薄膜晶体管TR和辅助电力电极210上。钝化层PAS可以形成为覆盖薄膜晶体管TR和辅助电力电极210。钝化层PAS保护薄膜晶体管TR并且可以由无机绝缘材料制成。例如，钝化层PAS可以由硅氧化物层SiOx、硅氮化物层SiN、硅氧氮化物层SiON或它们的多层形成。

外涂层OC(或第二保护层)可以设置在钝化层PAS(或第一保护层)上。外涂层OC可以被设置为使其下方的台阶平坦化，并且可以由有机绝缘材料形成。例如，外涂层OC可以由选自光压克力、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂和丙烯酸酯基树脂中的至少一种材料形成。

像素电极PXL(例如，阳极电极或第一电极)可以设置在外涂层OC(或第二保护层)上。像素电极PXL可以针对多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个设置在外涂层OC上。像素电极PXL可以通过穿透外涂层OC和钝化层PAS的接触孔连接至薄膜晶体管TR的第一源/漏电极SD1。可替选地，像素电极PXL可以连接至薄膜晶体管TR的第二源/漏电极SD2。发光层EL和公共电极COM可以设置在像素电极PXL上。像素电极PXL、发光层EL和公共电极COM可以构成发光器件ED。

像素电极PXL可以由金属、其合金或者金属和氧化物金属的组合形成。例如，像素电极PXL可以以包括透明导电层和具有高反射效率的不透明导电层的多层结构形成。像素电极PXL的透明导电层由具有相对大的功函数值的材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成，并且不透明导电层可以由选自银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)或钨(W)中的任一层或多个层形成。例如，像素电极PXL可以以透明导电层、不透明导电层和透明导电层顺序堆叠的结构、或者透明导电层和不透明导电层顺序堆叠的结构形成。

堤层BA可以设置在像素电极PXL和外涂层OC上。堤层BA可以覆盖像素电极PXL的边缘部分并且可以限定子像素的开口。堤层BA可以由诸如聚酰亚胺、丙烯酸酯、苯并环丁烯系列树脂等的有机材料制成。由堤层BA暴露的像素电极PXL的中心部分可以被定义为发光区域。此外，堤层BA可以限定接触部分CA，该接触部分CA暴露辅助电力电极210的一部分以将辅助电力电极210和公共电极COM电连接。

如图4中所示，接触部分CA可以穿过钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构301可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

屋檐结构301可以设置在辅助电力电极210的一部分上并且可以包括底切区域。屋檐结构301以岛状图案形成在辅助电力电极210的一部分上，并且辅助电力电极210的暴露区域可以形成在屋檐结构301的外围。在接触部分CA中在屋檐结构301的外围暴露的辅助电力电极210可以与公共电极COM(例如，阴极电极或第二电极)接触并且可以电连接至公共电极COM。屋檐结构301可以由与堤层BA相同的材料制成。屋檐结构301和堤层BA可以通过相同的工艺同时形成。

发光层EL可以设置在像素电极PXL、堤层BA和屋檐结构301上。发光层EL可以在设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上的屋檐结构301的底切区域中断开。例如，发光层EL可以由具有较差台阶覆盖率的材料形成。因此，设置在辅助电力电极210上的发光层EL的面积通过屋檐结构301在尺寸上被最小化，并且发光层EL在屋檐结构301的底切区域中断开，由此设置在发光层EL下方的辅助电力电极210可能被暴露。

公共电极COM(例如，阴极电极或第二电极)可以设置在发光层EL和屋檐结构301上。公共电极COM可以设置在像素电极PXL和发光层EL上，从而构成发光器件ED。公共电极COM可以形成在基板SUB的整个表面上。公共电极COM可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成，并且可以由银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或其合金形成，其中公共电极COM足够薄以透射光。

公共电极COM可以与由接触部分CA暴露的辅助电力电极210接触并且可以电连接至由接触部分CA暴露的辅助电力电极210。公共电极COM被设置成覆盖堤层BA，并且可以设置在屋檐结构301的底切区域中的辅助电力电极210上。例如，公共电极COM可以由具有优异台阶覆盖率的材料形成。公共电极COM的台阶覆盖率大于通过蒸镀形成的发光层EL的台阶覆盖率，由此公共电极COM可以设置在由于发光层EL在屋檐结构301的底切区域中的断开而暴露于外部的辅助电力电极210的上表面上。因此，发光层EL在屋檐结构301的底切区域中不与辅助电力电极210接触，并且辅助电力电极210被暴露。然而，公共电极COM可以设置在没有被发光层EL覆盖的暴露的辅助电力电极210的上表面上，并且可以与辅助电力电极210直接接触并且可以电连接至辅助电力电极210。

参照图5，依据根据本公开内容的第一实施方式的发光显示装置中的接触部分CA的一个示例，接触部分CA可以穿透钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA，从而暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构301可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

根据本公开内容的第一实施方式的一个示例，包括由单一材料制成的屋檐部分311和支柱部分321的屋檐结构301以及位于屋檐结构301与辅助电力电极210之间的支承图案331可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。屋檐结构301可以穿过支承图案331接触辅助电力电极210的上表面。屋檐结构301和支承图案331可以由不同的材料制成。例如，屋檐结构301可以由与堤层BA相同的材料制成。屋檐结构301和堤层BA可以通过相同的工艺同时形成。另外，支承图案331可以由与钝化层PAS(或第一保护层)相同的材料形成。支承图案331和钝化层PAS可以通过相同的工艺同时形成。

屋檐结构301的屋檐部分311可以设置在辅助电力电极210的一部分上。屋檐部分311可以设置在支承图案331上，并且可以与暴露的辅助电力电极210的一部分交叠。

屋檐结构301的支柱部分321可以从屋檐部分311的下表面突出，并且可以穿过支承图案331与辅助电力电极210的上表面接触。

支承图案331可以包括具有第一宽度的下表面、具有比第一宽度窄的第二宽度的上表面、以及下表面与上表面之间的倾斜表面。此时，屋檐部分311的宽度可以具有比支承图案331的下表面的第一宽度宽的宽度。由于屋檐部分311具有比支承图案331宽的宽度，因此可以在屋檐部分311下方形成底切区域。底切区域可以包括在屋檐部分311下方的支承图案331的侧表面。

根据本公开内容的第一实施方式的一个示例，屋檐结构301的屋檐部分311与辅助电力电极210的暴露区域的一部分交叠，并且底切区域形成在屋檐部分311下方，使得发光层EL可以不设置在与底切区域相对应的辅助电力电极210上。由于发光层EL由不具有优异台阶覆盖率的材料制成，因此发光层EL不设置在底切区域的辅助电力电极210中并且在底切区域中断开，由此设置在发光层EL下方的辅助电力电极210可能会暴露。另一方面，由于公共电极COM由与发光层EL相比具有较大台阶覆盖率的材料制成，因此公共电极COM可以形成在底切区域的辅助电力电极210中并且可以直接与辅助电力电极210接触以与其电连接。因此，公共电极COM可以与辅助电力电极210电接触，从而减少由公共电极COM在整个显示面板上的电阻偏差引起的电压降不均匀。

根据本公开内容的第一实施方式的一个示例的屋檐结构301的屋檐部分311和支柱部分321以及支承图案331可以由与钝化层PAS和堤层BA的材料相同的材料形成。例如，钝化层PAS可以形成穿过位于其下方的辅助电力电极210的通孔。此外，对应于屋檐结构301的有机图案可以设置在钝化层PAS上并且可以由与堤层BA的材料相同的材料形成。在这种情况下，有机图案可以通过钝化层PAS的通孔与辅助电力电极210接触。然后，可以蚀刻钝化层PAS以暴露有机图案周围的辅助电力电极210的一部分。然后，接触部分CA在钝化层PAS上形成以暴露辅助电力电极210的一部分，并且由与堤层BA相同的材料制成的屋檐结构301可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210的一部分上，并且可以以岛状图案形成。此外，可以在屋檐结构301与辅助电力电极210之间设置由保留而未被蚀刻的钝化层PAS形成的支承图案331。

依据根据本公开内容的第一实施方式的发光显示装置的接触部分CA的一个示例，支承图案331可以形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上，并且屋檐结构301可以被设置为穿过支承图案331与辅助电力电极210直接接触。屋檐结构301的屋檐部分311形成为具有比支承图案331的宽度宽的宽度，并且屋檐结构301可以包括屋檐部分311下方的底切区域。因此，屋檐结构301可以由单一材料形成为一体，使得形成底切区域的屋檐部分311和直接接触辅助电力电极210的支柱部分321由单一材料形成，使得可以改善屋檐结构301的粘合力并防止诸如裂缝的损坏，从而形成具有高抗剥离性的底切形状。

参照图6，依据根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器的接触部分CA的另一示例，接触部分CA可以穿透钝化层(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA，以暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构301'可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

根据本公开内容的第一实施方式的另一示例，包括由单一材料制成的屋檐部分311'和支柱部分321'的屋檐结构301'可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。例如，屋檐结构301'可以由与堤层BA的材料相同的材料制成。屋檐结构301'和堤层BA可以通过相同的工艺同时形成。

屋檐结构301'的屋檐部分311'可以设置在辅助电力电极210的一部分上。屋檐部分311'可以与暴露的辅助电力电极210的一部分交叠。

屋檐结构301'的支柱部分321'可以从屋檐部分311'的下表面突出并且可以接触辅助电力电极210的上表面。

支柱部分321'可以包括具有倒锥形形状的倾斜表面，其从屋檐部分311'的下表面突出的上宽度比其接触辅助电力电极210的上表面的下宽度宽。由于屋檐部分311'与支柱部分321'相比具有较宽的宽度，因此可以在屋檐部分311'下方形成底切区域。该底切区域可以包括屋檐部分311'的下部和支柱部分321'的侧表面。

根据本公开内容的第一实施方式的另一示例，屋檐结构301'的屋檐部分311'与辅助电力电极210的暴露部分的一部分交叠，并且在其下方形成与前述根据图5所示的第一实施方式的一个示例的屋檐结构301相比较深的底切区域，使得可以增加辅助电力电极210的未被发光层EL覆盖的暴露部分。因此，可以增加公共电极COM与辅助电力电极210之间的接触面积。

根据本公开内容的第一实施方式的另一示例，屋檐结构301'的屋檐部分311'和支柱部分321'可以由与堤层BA相同的材料形成。例如，钝化层PAS可以形成穿过下面的辅助电力电极210的通孔。然后，对应于屋檐结构301'的有机图案可以形成在钝化层PAS上并且可以由与堤层BA相同的材料制成。此时，有机图案可以通过钝化层PAS的通孔与辅助电力电极210接触。然后，可以蚀刻钝化层PAS以暴露有机图案周围的辅助电力电极210的一部分。然后，暴露辅助电力电极210的一部分的接触部分CA可以形成在钝化层PAS上，并且由与堤层BA相同的材料制成的屋檐结构301'可以以岛状图案形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210的一部分上。另外，可以在屋檐结构301'与辅助电力电极210之间完全蚀刻钝化层PAS，从而形成屋檐结构301'的支柱部分321'。

依据根据本公开内容的第一实施方式的发光显示装置的接触部分CA的另一示例，包括与辅助电力电极210直接接触的支柱部分321'和形成底切区域的屋檐部分311'的屋檐结构301'可以形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。因此，由于屋檐部分311'和支柱部分321'由单一材料形成为一体，因此可以改善屋檐结构301'的粘合强度并防止诸如裂缝的损坏，从而形成具有高抗剥离性的底切形状。

第二实施方式

图7是根据本公开内容的第二实施方式的沿图2的线I-I'的截面视图，图8是示出根据本公开内容的第二实施方式的图7的“B”部分的接触部分的截面视图，图9是示出根据本公开内容的第二实施方式的图7的“B”部分的接触部分的一个示例的截面视图，以及图10是示出根据本公开内容的第二实施方式的图7的“B”部分的接触部分的另一示例的截面视图。在第二实施方式的描述中，将省略与第一实施方式的配置相同的配置的描述。

参照图7和图8，根据本公开内容的第二实施方式的发光显示装置可以包括基板SUB、遮光层LS、辅助电力线EVSS(或第二电力线)、缓冲层BUF、薄膜晶体管TR、存储电容器Cst、栅极绝缘膜GI、绝缘隔层ILD、辅助电力电极210、钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)、发光器件ED、堤层BA、接触部分CA和屋檐结构302。

如图8中所示，接触部分CA可以穿过钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构302可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

屋檐结构302可以设置在辅助电力电极210的一部分上并且可以包括底切区域。屋檐结构302以岛状图案形成在辅助电力电极210的一部分上，并且辅助电力电极210的暴露区域可以形成在屋檐结构302的外围。在接触部分CA中在屋檐结构302的外围暴露的辅助电力电极210可以与公共电极COM(例如，阴极电极或第二电极)接触并且可以电连接至公共电极COM。屋檐结构302可以由与外涂层OC相同的材料制成。屋檐结构302和外涂层OC可以通过相同的工艺同时形成。

发光层EL可以设置在像素电极PXL、堤层BA和屋檐结构302上。发光层EL可以在设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上的屋檐结构302的底切区域中断开。例如，发光层EL可以由具有较差台阶覆盖率的材料形成。因此，设置在辅助电力电极210上的发光层EL的面积通过屋檐结构302在尺寸上被最小化，并且发光层EL在屋檐结构302的底切区域中断开，由此设置在发光层EL下方的辅助电力电极210可能被暴露。

公共电极COM(例如，阴极电极或第二电极)可以设置在发光层EL和屋檐结构302上。公共电极COM可以设置在像素电极PXL和发光层EL上，从而构成发光器件ED。公共电极COM可以形成在基板SUB的整个表面上。公共电极COM可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成，并且可以由银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或其合金形成，其中公共电极COM足够薄以透射光。

公共电极COM可以与由接触部分CA暴露的辅助电力电极210接触并且可以电连接至由接触部分CA暴露的辅助电力电极210。公共电极COM被设置成覆盖堤层BA，并且可以设置在屋檐结构302的底切区域中的辅助电力电极210上。例如，公共电极COM可以由具有优异台阶覆盖率的材料形成。公共电极COM的台阶覆盖率大于通过蒸镀形成的发光层EL的台阶覆盖率，由此公共电极COM可以设置在由于发光层EL在屋檐结构302的底切区域中的断开而暴露于外部的辅助电力电极210的上表面上。因此，发光层EL在屋檐结构302的底切区域中不与辅助电力电极210接触，并且辅助电力电极210被暴露。然而，公共电极COM可以设置在没有被发光层EL覆盖的暴露的辅助电力电极210的上表面上，并且可以与辅助电力电极210直接接触并且可以电连接至辅助电力电极210。

参照图9，依据根据本公开内容的第二实施方式的发光显示装置中的接触部分CA的一个示例，接触部分CA可以穿透钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA，从而暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构302可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

根据本公开内容的第二实施方式的一个示例，包括由单一材料制成的屋檐部分312和支柱部分322的屋檐结构302以及位于屋檐结构302与辅助电力电极210之间的支承图案332可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。屋檐结构302可以穿过支承图案332接触辅助电力电极210的上表面。屋檐结构302和支承图案332可以由不同的材料制成。例如，屋檐结构302可以由与外涂层OC相同的材料制成。屋檐结构302和外涂层OC可以通过相同的工艺同时形成。另外，支承图案332可以由与钝化层PAS(或第一保护层)相同的材料形成。支承图案332和钝化层PAS可以通过相同的工艺同时形成。

屋檐结构302的屋檐部分312可以设置在辅助电力电极210的一部分上。屋檐部分312可以设置在支承图案332上，并且可以与暴露的辅助电力电极210的一部分交叠。

屋檐结构302的支柱部分322可以从屋檐部分312的下表面突出，并且可以穿过支承图案332与辅助电力电极210的上表面接触。

支承图案332可以包括具有第一宽度的下表面、具有比第一宽度窄的第二宽度的上表面、以及下表面与上表面之间的倾斜表面。此时，屋檐部分312的宽度可以具有比支承图案332的下表面的第一宽度宽的宽度。由于屋檐部分312具有比支承图案332宽的宽度，因此可以在屋檐部分312下方形成底切区域。底切区域可以包括在屋檐部分312下方的支承图案332的侧表面。

根据本公开内容的第二实施方式的一个示例，屋檐结构302的屋檐部分312与辅助电力电极210的暴露区域的一部分交叠，并且底切区域形成在屋檐部分312下方，使得发光层EL可以不设置在与底切区域相对应的辅助电力电极210上。由于发光层EL由不具有优异台阶覆盖率的材料制成，因此发光层EL不设置在底切区域的辅助电力电极210中并且在底切区域中断开，由此设置在发光层EL下方的辅助电力电极210可能会暴露。另一方面，由于公共电极COM由与发光层EL相比具有较大台阶覆盖率的材料制成，因此公共电极COM可以形成在底切区域的辅助电力电极210中并且可以直接与辅助电力电极210接触以电连接至辅助电力电极210。因此，公共电极COM可以与辅助电力电极210电接触，从而减少由公共电极COM在整个显示面板上的电阻偏差引起的电压降不均匀。

根据本公开内容的第二实施方式的一个示例的屋檐结构302的屋檐部分312和支柱部分322以及支承图案332可以由与钝化层PAS和外涂层OC的材料相同的材料形成。例如，钝化层PAS可以形成穿过位于其下方的辅助电力电极210的通孔。此外，对应于屋檐结构302的有机图案可以设置在钝化层PAS上并且可以由与外涂层OC的材料相同的材料形成。在这种情况下，有机图案可以通过钝化层PAS的通孔与辅助电力电极210接触。然后，可以蚀刻钝化层PAS以暴露有机图案周围的辅助电力电极210的一部分。然后，在钝化层PAS上形成接触部分CA以暴露辅助电力电极210的一部分，并且由与外涂层OC相同的材料制成的屋檐结构302可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210的一部分上，并且可以以岛状图案形成。此外，可以在屋檐结构302与辅助电力电极210之间设置由保留而未被蚀刻的钝化层PAS形成的支承图案332。

依据根据本公开内容的第二实施方式的发光显示装置的接触部分CA的一个示例，支承图案332可以形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上，并且屋檐结构302可以被设置成穿过支承图案332与辅助电力电极210直接接触。屋檐结构302的屋檐部分312形成为具有比支承图案332的宽度宽的宽度，并且屋檐结构302可以包括屋檐部分312下方的底切区域。因此，屋檐结构302可以由单一材料形成为一体，使得形成底切区域的屋檐部分312和直接接触辅助电力电极210的支柱部分322由单一材料形成，使得可以改善屋檐结构302的粘合力并防止诸如裂缝的损坏，从而形成具有高抗剥离性的底切形状。

参照图10，依据根据本公开内容的第二实施方式的发光显示器的接触部分CA的另一示例，接触部分CA可以穿透钝化层(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA，以暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构302'设置可以在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

根据本公开内容的第二实施方式的另一示例，包括由单一材料制成的屋檐部分312'和支柱部分322'的屋檐结构302'可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。例如，屋檐结构302'可以由与外涂层OC的材料相同的材料制成。屋檐结构302'和外涂层OC可以通过相同的工艺同时形成。

屋檐结构302'的屋檐部分312'可以设置在辅助电力电极210的一部分上。屋檐部分312'可以与暴露的辅助电力电极210的一部分交叠。

屋檐结构302'的支柱部分322'可以从屋檐部分312'的下表面突出并且可以接触辅助电力电极210的上表面。

支柱部分322'可以包括具有倒锥形形状的倾斜表面，其从屋檐部分312'的下表面突出的上宽度比其接触辅助电力电极210的上表面的下宽度宽。由于屋檐部分312'与支柱部分322'相比具有较宽的宽度，因此可以在屋檐部分312'下方形成底切区域。该底切区域可以包括屋檐部分312'的下部和支柱部分322'的侧表面。

根据本公开内容的第二实施方式的另一示例，屋檐结构302'的屋檐部分312'与辅助电力电极210的暴露部分的一部分交叠，并且在其下方形成与前述根据图9所示的第二实施方式的一个示例的屋檐结构302相比较深的底切区域，使得可以增加辅助电力电极210的未被发光层EL覆盖的暴露部分。因此，可以增加公共电极COM与辅助电力电极210之间的接触面积。

根据本公开内容的第二实施方式的另一示例，屋檐结构302'的屋檐部分312'和支柱部分322'可以由与外涂层OC相同的材料形成。例如，钝化层PAS可以形成穿过下面的辅助电力电极210的通孔。然后，对应于屋檐结构302'的有机图案可以形成在钝化层PAS上并且可以由与外涂层OC相同的材料制成。此时，有机图案可以通过钝化层PAS的通孔与辅助电力电极210接触。然后，可以蚀刻钝化层PAS以暴露有机图案周围的辅助电力电极210的一部分。然后，暴露辅助电力电极210的一部分的接触部分CA可以形成在钝化层PAS上，并且由与外涂层OC相同的材料制成的屋檐结构302'可以以岛状图案形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210的一部分上。另外，可以在屋檐结构302'与辅助电力电极210之间完全蚀刻钝化层PAS，从而形成屋檐结构302'的支柱部分322'。

依据根据本公开内容的第二实施方式的发光显示装置的接触部分CA的另一示例，包括与辅助电力电极210直接接触的支柱部分322'和形成底切区域的屋檐部分312'的屋檐结构302'可以形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。因此，由于屋檐部分312'和支柱部分322'由单一材料形成为一体，因此可以改善屋檐结构302'的粘合强度并防止诸如裂缝的损坏，从而形成具有高抗剥离性的底切形状。

第三实施方式

图11是根据本公开内容的第三实施方式的沿图2的线I-I'的截面视图，图12是示出根据本公开内容的第三实施方式的图11的“C”部分的接触部分的平面视图，图13是示出根据本公开内容的第三实施方式的图11的“C”部分的接触部分的一个示例的截面视图，以及图14是示出根据本公开内容的第三实施方式的图11的“C”部分的接触部分的另一示例的截面视图。在第三实施方式的描述中，将省略与第一实施方式和第二实施方式的配置相同的配置的描述。

参照图11和图12，根据本公开内容的第三实施方式的发光显示装置可以包括基板SUB、遮光层LS、辅助电力线EVSS(或第二电力线)、缓冲层BUF、薄膜晶体管TR、存储电容器Cst、栅极绝缘膜GI、绝缘隔层ILD、辅助电力电极210、钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)、发光器件ED、堤层BA、接触部分CA和屋檐结构303。

如图12中所示，接触部分CA可以穿过钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构303可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

屋檐结构303可以设置在辅助电力电极210的一部分上并且可以包括底切区域。屋檐结构303以岛状图案形成在辅助电力电极210的一部分上，并且辅助电力电极210的暴露区域可以形成在屋檐结构303的外围。在接触部分CA中在屋檐结构303的外围暴露的辅助电力电极210可以与公共电极COM(例如，阴极电极或第二电极)接触并且可以电连接至公共电极COM。屋檐结构303可以由与像素电极PXL相同的材料制成。屋檐结构303和像素电极PXL可以通过相同的工艺同时形成。

发光层EL可以设置在像素电极PXL、堤层BA和屋檐结构303上。发光层EL可以在设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上的屋檐结构303的底切区域中断开。例如，发光层EL可以由具有较差台阶覆盖率的材料形成。因此，设置在辅助电力电极210上的发光层EL的面积通过屋檐结构303在尺寸上被最小化，并且发光层EL在屋檐结构303的底切区域中断开，由此设置在发光层EL下方的辅助电力电极210可能被暴露。

公共电极COM(例如，阴极电极或第二电极)可以设置在发光层EL和屋檐结构303上。公共电极COM可以设置在像素电极PXL和发光层EL上，从而构成发光器件ED。公共电极COM可以形成在基板SUB的整个表面上。公共电极COM可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成，并且可以由银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或其合金形成，其中公共电极COM足够薄以透射光。

公共电极COM可以与由接触部分CA暴露的辅助电力电极210接触并且可以电连接至由接触部分CA暴露的辅助电力电极210。公共电极COM被设置成覆盖堤层BA，并且可以设置在屋檐结构303的底切区域中的辅助电力电极210上。例如，公共电极COM可以由具有优异台阶覆盖率的材料形成。公共电极COM的台阶覆盖率大于通过蒸镀形成的发光层EL的台阶覆盖率，由此公共电极COM可以设置在由于发光层EL在屋檐结构303的底切区域中的断开而暴露于外部的辅助电力电极210的上表面上。因此，发光层EL在屋檐结构303的底切区域中不与辅助电力电极210接触，并且辅助电力电极210被暴露。然而，公共电极COM可以设置在没有被发光层EL覆盖的暴露的辅助电力电极210的上表面上，并且可以与辅助电力电极210直接接触并且可以电连接至辅助电力电极210。

参照图13，依据根据本公开内容的第三实施方式的发光显示装置中的接触部分CA的一个示例，接触部分CA可以穿透钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA，从而暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构303可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

根据本公开内容的第三实施方式的一个示例，包括由单一材料制成的屋檐部分313和支柱部分323的屋檐结构303以及位于屋檐结构303与辅助电力电极210之间的支承图案333可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。屋檐结构303可以穿过支承图案333接触辅助电力电极210的上表面。屋檐结构303和支承图案333可以由不同的材料制成。例如，屋檐结构303可以由与像素电极PXL相同的材料制成。屋檐结构303和像素电极PXL可以通过相同的工艺同时形成。另外，支承图案333可以由与钝化层PAS(或第一保护层)相同的材料形成。支承图案333和钝化层PAS可以通过相同的工艺同时形成。

屋檐结构303的屋檐部分313可以设置在辅助电力电极210的一部分上。屋檐部分313可以设置在支承图案333上，并且可以与暴露的辅助电力电极210的一部分交叠。

屋檐结构303的支柱部分323可以从屋檐部分313的下表面突出，并且可以穿过支承图案333与辅助电力电极210的上表面接触。

支承图案333可以包括具有第一宽度的下表面、具有比第一宽度窄的第二宽度的上表面、以及下表面与上表面之间的倾斜表面。此时，屋檐部分313的宽度可以具有比支承图案333的下表面的第一宽度宽的宽度。由于屋檐部分313具有比支承图案333宽的宽度，因此可以在屋檐部分313下方形成底切区域。底切区域可以包括在屋檐部分313下方的支承图案333的侧表面。

根据本公开内容的第三实施方式的一个示例，屋檐结构303的屋檐部分313与辅助电力电极210的暴露区域的一部分交叠，并且底切区域形成在屋檐部分313下方，使得发光层EL可以不设置在与底切区域相对应的辅助电力电极210上。由于发光层EL由不具有优异台阶覆盖率的材料制成，因此发光层EL不设置在底切区域的辅助电力电极210中并且在底切区域中断开，由此设置在其下方的辅助电力电极210可能会暴露。另一方面，由于公共电极COM由与发光层EL相比具有较大台阶覆盖率的材料制成，因此公共电极COM可以形成在底切区域的辅助电力电极210中并且可以直接与辅助电力电极210接触以与其电连接。因此，公共电极COM可以与辅助电力电极210电接触，从而减少由公共电极COM在整个显示面板上的电阻偏差引起的电压降不均匀。

根据本公开内容的第三实施方式的屋檐结构303中的屋檐部分313和支柱部分323以及支承图案333可以由与钝化层PAS和像素电极PXL相同的材料形成。例如，钝化层PAS可以形成穿过下面的辅助电力电极210的通孔。对应于屋檐结构303的金属图案可以设置在钝化层PAS上并且可以由与像素电极PXL相同的材料形成。此时，金属图案可以通过钝化层PAS的通孔与辅助电力电极210接触。然后，可以蚀刻钝化层PAS以暴露金属图案周围的辅助电力电极210的一部分。然后，在钝化层PAS上形成接触部分CA以暴露辅助电力电极210的一部分，并且由与像素电极PXL相同的材料制成的屋檐结构303可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210的一部分上，并且可以以岛状图案形成。此外，可以在屋檐结构303与辅助电力电极210之间设置由保留而未被蚀刻的钝化层PAS形成的支承图案333。

依据根据本公开内容的第三实施方式的发光显示装置的接触部分CA的一个示例，支承图案333可以形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上，并且屋檐结构303可以被设置成穿过支承图案333与辅助电力电极210直接接触。屋檐结构303的屋檐部分313形成为具有比支承图案333的宽度宽的宽度，并且屋檐结构303可以包括屋檐部分313下方的底切区域。因此，屋檐结构303可以由单一材料形成为一体，使得形成底切区域的屋檐部分313和直接接触辅助电力电极210的支柱部分323由单一材料形成，使得可以改善屋檐结构303的粘合力并防止诸如裂缝的损坏，从而形成具有高抗剥离性的底切形状。

参照图14，依据根据本公开内容的第三实施方式的发光显示器的接触部分CA的另一示例，接触部分CA可以穿透钝化层(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)和堤层BA，以暴露辅助电力电极210的一部分。屋檐结构303'可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。

根据本公开内容的第三实施方式的另一示例，包括由单一材料制成的屋檐部分313'和支柱部分323'的屋檐结构303'可以设置在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。例如，屋檐结构303'可以由与像素电极PXL的材料相同的材料制成。屋檐结构303'和像素电极PXL可以通过相同的工艺同时形成。

屋檐结构303'的屋檐部分313'可以设置在辅助电力电极210的一部分上。屋檐部分313'可以与暴露的辅助电力电极210的一部分交叠。

屋檐结构303'的支柱部分323'可以从屋檐部分313'的下表面突出并且可以接触辅助电力电极210的上表面。

支柱部分323'可以包括具有倒锥形形状的倾斜表面，其从屋檐部分313'的下表面突出的上宽度比其接触辅助电力电极210的上表面的下宽度宽。由于屋檐部分313'与支柱部分323'相比具有较宽的宽度，因此可以在屋檐部分313'下方形成底切区域。该底切区域可以包括屋檐部分313'的下部和支柱部分323'的侧表面。

根据本公开内容的第三实施方式的另一示例，屋檐结构303'的屋檐部分313'与辅助电力电极210的暴露部分的一部分交叠，并且在其下方形成与前述根据图13所示的第三实施方式的一个示例的屋檐结构303相比较深的底切区域，使得可以增加辅助电力电极210的未被发光层EL覆盖的暴露部分。因此，可以增加公共电极COM与辅助电力电极210之间的接触面积。

根据本公开内容的第三实施方式的另一示例，屋檐结构303'的屋檐部分313'和支柱部分323'可以由与像素电极PXL相同的材料形成。例如，钝化层PAS可以形成穿过下面的辅助电力电极210的通孔。对应于屋檐结构303'的金属图案可以设置在钝化层PAS上并且可以由与像素电极PXL相同的材料形成。此时，金属图案可以通过钝化层PAS的通孔与辅助电力电极210接触。然后，可以蚀刻钝化层PAS以暴露金属图案周围的辅助电力电极210的一部分。然后，暴露辅助电力电极210的一部分的接触部分CA可以形成在钝化层PAS上，并且由与像素电极PXL相同的材料制成的屋檐结构303'可以以岛状图案形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210的一部分上。此外，可以在屋檐结构303'与辅助电力电极210之间完全蚀刻钝化层PAS，从而形成屋檐结构303'的支柱部分323'。

依据根据本公开内容的第三实施方式的发光显示装置的接触部分CA的另一示例，包括与辅助电力电极210直接接触的支柱部分323'和形成底切区域的屋檐部分313'的屋檐结构303'可以形成在由接触部分CA暴露的辅助电力电极210上。因此，由于屋檐部分313'和支柱部分323'由单一材料形成为一体，因此可以改善屋檐结构303'的粘合强度并防止诸如裂缝的损坏，从而形成具有高抗剥离性的底切形状。

根据本公开内容的实施方式的发光显示装置可以描述如下。

根据本公开内容的实施方式的发光显示装置可以包括：电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；保护层，其叠覆所述电路层；接触部分，其被配置成暴露所述辅助电力电极的一部分；屋檐结构，其设置在所述辅助电力电极的一部分上方并且被配置成具有底切区域；像素电极，其设置在所述保护层上方并且连接至所述薄膜晶体管；发光层，其设置在所述像素电极上方；以及公共电极，其设置在所述发光层上方并且在所述屋檐结构的底切区域中连接至所述辅助电力电极，其中，所述屋檐结构由单一材料制成。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐结构可以包括：屋檐部分，其设置在所述辅助电力电极的一部分上方；以及支柱部分，其从所述屋檐部分的下表面突出并且接触所述辅助电力电极的上表面，其中，所述底切区域对应于所述屋檐部分的下部。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述支柱部分可以包括具有倒锥形形状的倾斜表面，所述倒锥形形状的上宽度比所述倒锥形形状的下宽度宽，所述上宽度从所述屋檐部分的下表面突出，所述下宽度与所述辅助电力电极的上表面接触。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐结构可以以岛状图案形成在所述辅助电力电极的一部分上方，并且由所述接触部分暴露的所述辅助电力电极的一部分可以包括在所述屋檐结构的外围的所述辅助电力电极的暴露部分。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐部分可以与所述辅助电力电极的暴露部分的至少一部分交叠。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，可以包括在所述辅助电力电极的一部分与所述屋檐结构之间的支承图案，所述屋檐结构可以穿过所述支承图案与所述辅助电力电极的上表面接触。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐结构和所述支承图案可以由彼此不同的材料制成。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐结构可以包括：屋檐部分，其设置在所述支承图案上方；以及支柱部分，其从所述屋檐部分的下表面突出并且被配置成穿过所述支承图案与所述辅助电力电极的上表面接触，所述底切区域可以包括所述屋檐部分的下部和所述支柱部分的侧表面。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述支承图案可以包括具有第一宽度的下表面、具有比所述第一宽度窄的第二宽度的上表面、以及所述下表面与所述上表面之间的倾斜表面，所述屋檐部分的宽度可以比所述第一宽度宽。

根据本公开内容的实施方式的发光显示装置可以包括：电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；第一保护层，其叠覆所述电路层；第二保护层，其设置在所述第一保护层上方；像素电极，其设置在所述第二保护层上方并且连接至所述薄膜晶体管；堤层，其设置在所述第二保护层上方并且被配置成在所述像素电极处限定开口；接触部分，其穿透所述第一保护层和所述第二保护层以及所述堤层以暴露所述辅助电力电极的一部分；屋檐结构，其设置在由所述接触部分暴露的所述辅助电力电极的一部分上方并且被配置成包括底切区域；发光层，其设置在所述像素电极和所述堤层上方；以及公共电极，其设置在所述发光层上方并且在所述屋檐结构的底切区域中连接至所述辅助电力电极。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述第一保护层可以由无机绝缘材料制成，并且所述第二保护层可以由有机绝缘材料制成。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐结构的底切区域可以形成在与所述第一保护层相同的层处。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐结构可以由与所述堤层、所述第二保护层和所述像素电极中的至少一个的材料相同的材料制成。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐结构可以包括：屋檐部分，其设置在所述辅助电力电极的一部分上方；以及支柱部分，其从所述屋檐部分的下表面突出并且与所述辅助电力电极的上表面接触，其中，所述支柱部分的高度可以低于或等于所述第一保护层的高度。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述支柱部分可以包括具有倒锥形形状的倾斜表面，所述倒锥形形状的上宽度比所述倒锥形形状的下宽度宽，所述上宽度从所述屋檐部分的下表面突出，所述下宽度与所述辅助电力电极的上表面接触。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，可以包括在所述辅助电力电极的一部分与所述屋檐结构之间的支承图案，所述屋檐结构可以穿过所述支承图案与所述辅助电力电极的上表面接触。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述支承图案可以由与所述第一保护层的材料相同的材料制成。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述屋檐结构可以包括：屋檐部分，其设置在所述支承图案上方；以及支柱部分，其从所述屋檐部分的下表面突出并且穿过所述支承图案与所述辅助电力电极的上表面接触，所述支承图案可以包括具有第一宽度的下表面、具有比所述第一宽度窄的第二宽度的上表面、以及所述下表面与所述上表面之间的倾斜表面，并且所述屋檐部分的宽度可以比所述第一宽度宽。

根据本公开内容的实施方式的发光显示装置可以包括：电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；第一保护层，其叠覆电路层；第二保护层，其设置在第一保护层上方；接触部分，其被配置成暴露辅助电力电极的一部分；屋檐结构，其设置在辅助电力电极的一部分上方并且被配置成具有底切区域；支承图案，其在辅助电力电极的一部分与屋檐结构之间；像素电极，其设置在第二保护层上方并且连接至薄膜晶体管；发光层，其设置在像素电极上方；以及公共电极，其设置在发光层上方并且在屋檐结构的底切区域中连接至辅助电力电极。

在根据本公开内容的实施方式的发光显示装置中，所述支承图案可以由与所述第一保护层的材料相同的材料制成，并且所述屋檐结构可以由与所述支承图案不同的材料制成。

因此，根据本公开内容的发光显示装置可以通过在阴极接触区域中形成具有高抗剥离性的底切形状来减少制造过程期间产生的缺陷，从而能够实现大规模生产并提高发光显示装置的可靠性。

对本领域技术人员而言明显的是，上述本公开内容不受上述实施方式和附图的限制，并且可以在不背离本公开内容的精神或范围的情况下在本公开内容中进行各种替换、修改和变型。因此，本公开内容的范围由所附权利要求限定，并且从权利要求的含义、范围和等同构思衍生的所有变型或修改都旨在落入本公开内容的范围内。

Claims (20)

1.一种发光显示装置，包括：

电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；

保护层，其叠覆所述电路层；

接触部分，其被配置成暴露所述辅助电力电极的一部分；

屋檐结构，其设置在所述辅助电力电极的一部分上方并且被配置成具有底切区域；

像素电极，其设置在所述保护层上方并且连接至所述薄膜晶体管；

发光层，其设置在所述像素电极上方；以及

公共电极，其设置在所述发光层上方并且在所述屋檐结构的底切区域中连接至所述辅助电力电极，

其中，所述屋檐结构由单一材料制成。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述屋檐结构包括：

屋檐部分，其设置在所述辅助电力电极的一部分上方；以及

支柱部分，其从所述屋檐部分的下表面突出并且接触所述辅助电力电极的上表面，

其中，所述底切区域对应于所述屋檐部分的下部。

3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述支柱部分包括具有倒锥形形状的倾斜表面，所述倒锥形形状的上宽度比所述倒锥形形状的下宽度宽，所述上宽度从所述屋檐部分的下表面突出，所述下宽度与所述辅助电力电极的上表面接触。

4.根据权利要求2所述的发光显示装置，

其中，所述屋檐结构以岛状图案形成在所述辅助电力电极的一部分上方，并且

由所述接触部分暴露的所述辅助电力电极的一部分包括在所述屋檐结构的外围的所述辅助电力电极的暴露部分。

5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，所述屋檐部分与所述辅助电力电极的暴露部分的至少一部分交叠。

6.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括在所述辅助电力电极的一部分与所述屋檐结构之间的支承图案，

其中，所述屋檐结构穿过所述支承图案与所述辅助电力电极的上表面接触。

7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述屋檐结构和所述支承图案由彼此不同的材料制成。

8.根据权利要求6所述的发光显示装置，

其中，所述屋檐结构包括：

屋檐部分，其设置在所述支承图案上方；以及

支柱部分，其从所述屋檐部分的下表面突出并且被配置成穿过所述支承图案与所述辅助电力电极的上表面接触，

其中，所述底切区域包括所述屋檐部分的下部和所述支柱部分的侧表面。

9.根据权利要求8所述的发光显示装置，

其中，所述支承图案包括具有第一宽度的下表面、具有比所述第一宽度窄的第二宽度的上表面、以及所述下表面与所述上表面之间的倾斜表面，

其中，所述屋檐部分的宽度比所述第一宽度宽。

10.一种发光显示装置，包括：

电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；

第一保护层，其叠覆所述电路层；

第二保护层，其设置在所述第一保护层上方；

像素电极，其设置在所述第二保护层上方并且连接至所述薄膜晶体管；

堤层，其设置在所述第二保护层上方并且被配置成在所述像素电极处限定开口；

接触部分，其穿透所述第一保护层和所述第二保护层以及所述堤层以暴露所述辅助电力电极的一部分；

屋檐结构，其设置在由所述接触部分暴露的所述辅助电力电极的一部分上方并且被配置成包括底切区域；

发光层，其设置在所述像素电极和所述堤层上方；以及

公共电极，其设置在所述发光层上方并且在所述屋檐结构的底切区域中连接至所述辅助电力电极。

11.根据权利要求10所述的发光显示装置，

其中，所述第一保护层由无机绝缘材料制成，并且

所述第二保护层由有机绝缘材料制成。

12.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述屋檐结构的底切区域形成在与所述第一保护层相同的层处。

13.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，所述屋檐结构由与所述堤层、所述第二保护层和所述像素电极中的至少一个的材料相同的材料制成。

14.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，所述屋檐结构包括：

屋檐部分，其设置在所述辅助电力电极的一部分上方；以及

支柱部分，其从所述屋檐部分的下表面突出并且与所述辅助电力电极的上表面接触，

其中，所述支柱部分的高度低于或等于所述第一保护层的高度。

15.根据权利要求14所述的发光显示装置，其中，所述支柱部分包括具有倒锥形形状的倾斜表面，所述倒锥形形状的上宽度比所述倒锥形形状的下宽度宽，所述上宽度从所述屋檐部分的下表面突出，所述下宽度与所述辅助电力电极的上表面接触。

16.根据权利要求12所述的发光显示装置，还包括在所述辅助电力电极的一部分与所述屋檐结构之间的支承图案，

其中，所述屋檐结构穿过所述支承图案与所述辅助电力电极的上表面接触。

17.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述支承图案由与所述第一保护层的材料相同的材料制成。

18.根据权利要求16所述的发光显示装置，

其中，所述屋檐结构包括：

屋檐部分，其设置在所述支承图案上方；以及

支柱部分，其从所述屋檐部分的下表面突出并且穿过所述支承图案与所述辅助电力电极的上表面接触，

其中，所述支承图案包括具有第一宽度的下表面、具有比所述第一宽度窄的第二宽度的上表面、以及所述下表面与所述上表面之间的倾斜表面，

其中，所述屋檐部分的宽度比所述第一宽度宽。

19.一种发光显示装置，包括：

电路层，其具有在基板上方的薄膜晶体管和辅助电力电极；

第一保护层，其叠覆所述电路层；

第二保护层，其设置在所述第一保护层上方；

接触部分，其被配置成暴露所述辅助电力电极的一部分；

屋檐结构，其设置在所述辅助电力电极的一部分上方并且被配置成具有底切区域；

支承图案，其在所述辅助电力电极的一部分与所述屋檐结构之间；

像素电极，其设置在所述第二保护层上方并且连接至所述薄膜晶体管；

发光层，其设置在所述像素电极上方；以及

公共电极，其设置在所述发光层上方并且在所述屋檐结构的底切区域中连接至所述辅助电力电极。

20.根据权利要求19所述的发光显示装置，

其中，所述支承图案由与所述第一保护层的材料相同的材料制成，并且

所述屋檐结构由与所述支承图案不同的材料制成。

Images