CN118284186A - 发光显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种发光显示装置，该发光显示装置具有如下构造：在辅助布线上形成悬垂结构的有机绝缘膜图案与辅助布线直接接触并且经由不同锥形部与相邻的金属膜和绝缘膜的侧表面接触，使得可以获得岛型结构的结构鲁棒性并且可以加强与阴极的连接。发光显示装置包括位于基板上的辅助布线、位于辅助布线上的具有第一孔的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的具有与第一孔交叠的第二孔的第一金属层、位于第一金属层上的具有与第二孔交叠的第三孔的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的具有与第三孔交叠的第四孔的第二金属层以及填充第一孔至第四孔并接触辅助布线的有机绝缘膜图案。

Description

发光显示装置

技术领域

本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种发光显示装置，该发光显示装置包括岛型结构，该岛型结构具有针对辅助布线的改善的表面粘附性，以改善辅助布线与阴极之间的连接的可靠性，即使在重复清洁处理期间也不会发生岛型结构的分离。

背景技术

随着信息社会的出现，对用于显示图像的各种形式的显示装置的需求日益增加。

在每个像素中包括发光元件的发光显示装置不需要分离的光源单元，因此有效实现了轻薄化或灵活化，并且具有颜色纯度优异的优点。

例如，发光元件可以包括两个不同的电极和所述两个不同的电极之间的发光层，其中，从一个电极生成的电子和从另一电极生成的空穴被注入到发光层中，并且所注入的电子和空穴复合以生成激子。激子从激发态下降到基态，从而生成光。

在发光显示装置中，被包括在像素中的发光元件具有如下构造：两个相反电极中的一个电极被设置为公共电极，该公共电极对于所有像素是公共的。随着面积的增大，由于公共电极中由于距电源的距离差导致的区域之间的电阻差异，可能发生亮度不均匀性。另外，随着公共电极的厚度减小以提高公共电极的透明度，公共电极的电阻增大，从而导致电压降，进而导致发光元件的电流发生变化或减小。

发明内容

因此，本公开涉及一种发光显示装置，该发光显示装置基本上消除了由于相关技术的限制和缺点引起的一个或更多个问题。

本公开的发光显示装置具有如下构造：用作公共电极的阴极在与岛型结构相邻的中间层间隔开的区域中连接至辅助布线，使得能够通过阴极向整个显示区域施加均匀电压，并且可以防止亮度不均匀性。

另外，本公开的发光显示装置具有如下构造：有机绝缘膜图案形成为诱导形成悬垂结构的岛型结构，并且有机绝缘膜图案形成为接触辅助布线，使得其经由多个锥形部接触金属层和绝缘层的侧表面以及设置在下表面上的辅助布线，并因此可以改善粘接性。

本公开的发光显示装置具有如下构造：在辅助布线上导致悬垂结构的有机绝缘膜图案与辅助布线直接接触并且经由不同锥形部与相邻的金属膜和绝缘膜的侧表面接触，使得可以获得岛型结构的结构鲁棒性并且可以加强与阴极的连接。

本公开的附加优点、目的和特征将在以下说明书中部分阐述，并且在对以下内容进行审查后，对本领域普通技术人员将部分地变得显而易见，或者可以从本公开的实践中学习。本公开的目的和其它优点可以通过在书面说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其它优点并且根据本公开的目的，如本文所体现和广泛描述的，发光显示装置包括位于基板上的辅助布线、位于辅助布线上的具有第一孔的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的具有与第一孔交叠的第二孔的第一金属层、位于第一金属层上的具有与第二孔交叠的第三孔的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的具有与第三孔交叠的第四孔的第二金属层以及填充第一孔至第四孔并接触辅助布线的有机绝缘膜图案。

应理解，本公开的以上一般描述和以下具体描述是示例性和说明性的，并且旨在进一步解释要求保护的公开内容。

附图说明

被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入该说明书中并构成该说明书的一部分的附图例示了本公开的实施方式并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是例示了根据本公开的示例性实施方式的发光显示装置的示意性框图；

图2是例示了根据本公开的第一实施方式的发光显示装置的截面图；

图3是例示了图2的显示区域中的彼此相邻的第一堤部孔和第二堤部孔及其内部构造的平面图；

图4是沿图3的线I-I’截取的截面图；

图5A是沿图3的线II-II’截取的截面图；

图5B是沿图3的线I～III截取的截面图；

图6A至图6F是沿图4中的线I-I’截取的处理截面图；

图7是例示了根据本公开的第二示例性实施方式的发光显示装置的截面图；以及

图8是例示了根据本公开的第三示例性实施方式的发光显示装置的截面图。

具体实施方式

现在将详细地参考本公开的示例实施方式，附图例示了这些实施方式的示例。只要有可能，所有附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件，除非另有说明。

参考本文结合附图详细描述的示例实施方式，本公开的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得显而易见。本公开不应被解释为限于以下公开的示例实施方式，并且可以以各种不同的形式实施。因此，这些示例实施方式仅用于使本公开足够完整，并且帮助本领域技术人员完全理解本公开的范围。本公开的保护范围由权利要求及其等同物限定。

在本公开的以下描述中，其中，相关的已知步骤、元件、功能、技术和构造的详细描述可能不必要地模糊本公开的重要点，可以省略对这些步骤、元件、功能、技术和构造的详细描述。另外，在以下描述中使用的元件的名称是考虑到本说明书的描述清楚性而被选择的，并且可以不同于实际产品的元件的名称。此外，在本公开的以下详细描述中，给出了很多具体细节以提供对本公开的足够透彻的理解。然而，将理解，本公开可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在其它示例中，没有详细描述已知的方法、程序、部件和电路，以不给本公开的各方面带来不必要的模糊。

在附图中例示以描述本公开的各种示例实施方式的形状、大小、比率、角度、数字等仅通过示例的方式给出。本公开不限于附图中的例示。

在本说明书中，在使用诸如“包括”、“具有”、“包含”等的用语时，可以添加一个或更多个部件，除非使用了诸如“仅”的用语。如本文所使用的，用语“和/或”包括单个相关联的列出条目以及相关联的列出条目的两者或更多者的任何和所有组合。

当在元件列表之前时，诸如“至少一个”的表述可以修改整个元件列表，并且可以不修改列表的个体元件。用语“至少一个”应理解为包括相关联的列出条目中的一者或更多者的任何和所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一者”的含义涵盖所有三个列出元件的组合、三个元件中的任何两个元件的组合以及每个个体元件、第一元件、第二元件和第三元件。

本文使用的术语是为了描述特定方面，并且不旨在限制本公开。如本文所使用的，用于描述单数形式的元件的用语“一个”和“一”旨在包括多个元件。除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，反之亦然。

在构造部件或数值时，部件或数值应被解释为包括误差或公差范围，即使不提供对这种误差或公差范围的明确描述。

在描述本公开的各种示例实施方式时，其中两个元件之间的位置关系使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“附近”的用语来描述，至少一个中间元件可以存在于所述两个元件之间，除非使用了“直接”或“径直”或“紧密”。将理解，当一个元件或层称为“连接至”或“联接至”另一元件或层时，它可以直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。

在描述本公开的各种示例实施方式时，当使用诸如“之后”、“随后”、“下一”和“之前”的用语来描述两个事件之间的时间关系时，可以在它们之间发生另一事件，除非使用了更具限性制的用语，诸如“刚”、“立即”或“直接”。

在描述本公开的各种示例实施方式时，诸如“第一”和“第二”的用语可以用于描述各种部件。这些用语旨在将相同或相似的部件彼此区分开并且不限制部件。因此，在整个说明书中，除非另有具体提及，否则在本公开的技术构思内，“第一”部件可以与“第二”部件相同。

如本领域技术人员可以充分理解的，本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此联接或组合，并且可以彼此各种各样地互操作并且在技术上驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地实现，或者可以按照相互依存的关系一起实现。

在下文中，将参照附图描述发光显示装置以及制造该发光显示装置的方法。

图1是例示了根据本公开的示例性实施方式的发光显示装置的示意性框图。

如图1所示，根据本公开的示例性实施方式的发光显示装置1000包括显示面板11、图像处理器12、定时控制器13、数据驱动器14、扫描驱动器15和电源16。

显示面板11可以响应于从数据驱动器14供应的数据信号DATA、从扫描驱动器15供应的扫描信号以及从电源16供应的功率来显示图像。

显示面板11可以包括设置在多条选通线GL和多条数据线DL的交叉点中的每个交叉点处的子像素SP。子像素SP的结构可以根据发光显示装置1000的类型而变化。

例如，可以根据结构使用顶发光方法、底发光方法或双发光方法形成子像素SP。子像素SP是能够在具有或不具有特定类型的滤色器的情况下发射具有其自己颜色的光的单元。例如，子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。另选地，子像素SP例如可以包括红色子像素、蓝色子像素、白色子像素和绿色子像素。根据发光特性，子像素SP可以具有一个或更多个不同的发光区。例如，蓝色子像素和发射具有不同颜色的光的子像素可以具有不同的发光区。

一个或更多个子像素SP可以构成一个单位像素。例如，一个单位像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且可以具有重复地设置红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的构造。另选地，一个单位像素可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，并且可以具有重复地设置红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素的构造，或者红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素以四边形的形式(例如，以四个边的组，形状可以是正方形)设置。在根据本公开的实施方式中，子像素的颜色类型、设置类型以及设置顺序可以根据发光特性、元件寿命和装置规格而变化，但不限于此。

显示面板11可以被划分为显示区域AA和位于显示区域AA周围的非显示区域NA，在显示区域AA中，子像素SP被设置为显示图像。扫描驱动器15可以安装在显示面板11的非显示区域NA中。另外，非显示区域NA可以包括焊盘部分PAD，该焊盘部分PAD包括焊盘电极PD。

图像处理器12可以输出数据使能信号DE以及从外部供应的数据信号DATA。除了数据使能信号DE之外，图像处理器12还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的至少一者，尽管为了方便描述未示出这些信号。

定时控制器13可以从图像处理器12接收数据信号DATA以及驱动信号。驱动信号可以包括数据使能信号DE。另选地，驱动信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号。定时控制器13可以输出用于控制数据驱动器14的操作定时的数据定时控制信号DDC和用于基于驱动信号控制扫描驱动器15的操作定时的栅极定时控制信号GDC。

数据驱动器14可以响应于从定时控制器13供应的数据定时控制信号DDC对从定时控制器13供应的数据信号DATA进行采样和锁存、可以将数据信号DATA转换为伽马参考电压并且可以输出结果。

数据驱动器14可以通过数据线DL输出数据信号DATA。数据驱动器14可以以集成电路IC的形式实现。例如，数据驱动器14可以通过柔性电路膜(未示出)电连接至设置在显示面板11的非显示区域NA中的焊盘电极PD。

扫描驱动器15可以响应于从定时控制器13供应的栅极定时控制信号GDC输出扫描信号。扫描驱动器15可以通过选通线GL输出扫描信号。扫描驱动器15可以以集成电路IC的形式实现，或者可以以显示面板11中的面板内栅极GIP的形式实现。

电源16可以输出用于驱动显示面板11的高电位电压、低电位电压等。电源16可以通过第一电源线EVDD(驱动电源线或像素电源线)向显示面板11供应高电位，并且可以通过第二电源线EVSS(辅助电源线或公共电源线)向显示面板11供应低电位电压。

显示面板11被划分为显示区域AA和非显示区域NA，并且可以包括通过选通线GL和数据线DL限定的多个子像素SP，选通线GL和数据线DL在显示区域AA中在基板100上彼此交叉以形成矩阵。

子像素SP可以包括发出红光、绿光、蓝光、黄光、品红色光和青色光中的至少两者的子像素。此外，子像素SP可以在具有或不具有特定类型的滤色器的情况下发射具有其自己颜色的光，但是本公开不一定限于此。子像素SP的颜色类型、设置类型、设置顺序等可以根据发光特性、元件寿命、装置规格等而变化。

在下文中，将参照附图描述显示区域的每个子像素的结构和焊盘部分的构造。

图2是例示了根据本公开的第一实施方式的发光显示装置的截面图。

图2的截面图示出了包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的一个子像素，以及在显示区域AA中与该子像素相邻的连接区CA，以及非显示区域NA中的焊盘部分PAD。

根据本公开的示例性实施方式的发光显示装置包括基板100、遮光层112、辅助布线111、缓冲层116(在本公开中也称为第一绝缘层116)、薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst、栅极绝缘膜图案125(在本公开中也称为栅极绝缘层125)、层间绝缘膜140、无机保护层160、平坦化膜170、有机绝缘膜图案171、发光元件ED、堤部175、连接结构CSA、封装层310和焊盘电极PD。辅助布线111与阴极190之间的连接结构CSA设置在连接区CA处。

基板100是基础基板并且可以由玻璃或塑料制成。例如，基板100可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC)的塑料材料形成，并因此可以是柔性的。

包括各种信号线、薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst等的电路元件可以各自在基板100上形成在多个子像素中。信号线包括选通线GL、数据线DL、第一电源线EVDD(驱动电源线或像素电源线)、第二电源线EVSS(辅助电源线或公共电源线)、参考线等，并且薄膜晶体管TFT可以包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、感应薄膜晶体管等。

遮光层112和辅助布线111(第二电源线或公共电源线)可以设置在基板100上。遮光层112可以被设置成与薄膜晶体管TFT交叠。例如，遮光层112可以与薄膜晶体管(TFT)的第一半导体层120交叠，并且具体地，遮光层112可以被设置成与第一半导体层120的沟道区交叠，如在平面图中将看到的。遮光层112可以用于阻挡外部光进入第一半导体层120。另外，辅助电源线(参见图1中的EVSS)可以用于向阴极190(公共电极或第二电极)施加低电压。另外，辅助电源线可以用于降低阴极190与辅助布线111的电阻，并因此减轻跨显示装置的电压降。

遮光层112和辅助布线111可以由相同材料形成在同一层上。在这种情况下，遮光层112和辅助布线可以通过同一处理同时形成。

另外，存储电容器Cst的第一存储电极113可以与遮光层112形成在同一层上。

缓冲层116可以设置在基板100上，使得该缓冲层覆盖辅助布线111、遮光层112和第一存储电极113。缓冲层116可以通过层叠单个层或多个无机膜而形成。例如，缓冲层116可以形成为包括氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或氮氧化硅膜(SiOxNy)的单个层。另选地，缓冲层116可以是多层膜，其中，层叠了氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)和氮氧化硅膜(SiOxNy)中的至少两者。缓冲层116可以形成在基板100的整个上表面上方，以防止离子或杂质从基板100扩散并且防止湿气通过基板100渗透到发光元件ED中。

设置了遮光层112上的薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst的第二电极结构和缓冲层116上的栅极金属层134(在本公开中也称为第一金属层134)。

具体地，薄膜晶体管(TFT)包括：第一半导体层120；设置在第一半导体层120两侧之上的导电层123a、123b；栅极电极131，该栅极电极经由插设在第一半导体层120与该栅极电极之间的栅极绝缘膜125a与该第一半导体层120的沟道区交叠；以及连接至导电层123a的源极电极132和连接至导电层123b的漏极电极133。漏极电极133和源极电极132中的任一者可以连接至发光元件ED的阳极200。尽管所示示例示出了源极电极132连接至发光元件ED的阳极的状态，但是本公开不限于此。

另外，在图2所示的示例中，第一金属材料用于形成遮光层112、第一存储电极113和辅助布线111，并且第二金属材料用于形成栅极电极131、源极电极132、漏极电极133、第二存储电极135和栅极金属层134。图2示出了通过两层金属图案化处理形成薄膜晶体管阵列和连接结构的示例。通过减少待图案化的金属的数量，这种双层金属的使用可以有效地减少掩模的数量。在这种情况下，第一金属可以用于形成用于在显示区域AA中与栅极电极131和源极电极132的连接的线。

此外，遮光层112还可以设置在下部区域中，使得该遮光层在薄膜晶体管TFT的第一半导体层120下面与该第一半导体层交叠。

遮光层112与辅助布线111设置在同一层上，并且是位于设置在基板100上的金属当中的最下部区域中的金属。

遮光层112的一侧可以连接至漏极电极133或源极电极132。在这种情况下，可以防止遮光层在浮置状态下引起的第一半导体层120的电压波动。

缓冲层116设置在遮光层112与第一半导体层120之间，以维持遮光层112与第一半导体层120之间的绝缘。

第一半导体层120可以包括例如非晶硅半导体层、晶体硅半导体层、氧化物半导体层和金属诱导半导体层中的至少一者。在一些情况下，第一半导体层120可以由多个相同或不同类型的半导体层形成。

存储电容器Cst包括与遮光层112设置在同一层上的第一存储电极113和与栅极金属层134设置在同一层上的第二存储电极135。缓冲层116、第二半导体层121和导电层123c可以按这种顺序从底部依次设置在第一存储电极113与第二存储电极135之间。在这种情况下，导电层123c用作附加存储电极并且增加存储电容器在恒定面积中的容量。第一半导体层120和第二半导体层121可以被认为是同一半导体层的多个部分。

例如，当第一半导体层120和第二半导体层121由透明氧化物制成时，与第一半导体层120和第二半导体层121相比，导电层123a、123b和123c可以由高导电透明氧化物形成。在这种情况下，第一半导体层120以及导电层123a和123b在它们之间的界面处彼此接触，并且可以在沟道区域中去除导电层123a和123b。在存储电容器Cst中，第二半导体层121和导电层123c在它们之间的界面处彼此接触。

可以使用具有与设置在导电层123a和123b/123c下部的第一半导体层120和第二半导体层121不同的蚀刻选择性(蚀刻速度/速率)的蚀刻剂在同一处理中对该导电层123a和123b/123c进行图案化。

焊盘电极PD包括与栅极金属层134处于同一层上的焊盘金属层130和与包层金属150处于同一层上的焊盘保护电极151。在一些情况下，焊盘电极PD还可以包括与遮光层112处于同一层上的焊盘金属，或者可以由与遮光层112相同的层的焊盘金属形成。

焊盘保护电极151被设置为在与外部印刷电路膜接合期间保护焊盘电极PD的表面。焊盘保护电极151可以形成为完全覆盖下部焊盘金属层130。也就是说，焊盘保护电极151被形成为覆盖下部焊盘金属层130的上表面和侧表面并且延伸至缓冲层116的表面的一部分。

另外，可以依次形成层间绝缘膜140、无机保护层160和平坦化膜170，以保护薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和栅极金属层134。在该上下文中，依次意味着这些层以上述顺序层叠在彼此之上。其间可以存在其它层。

此外，缓冲层116、层间绝缘膜140和无机保护层160由无机绝缘材料制成。例如，缓冲层116、层间绝缘膜140和无机保护层160由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)或氧化铝(Al₂O₃)的材料形成。在一些情况下，可在缓冲层116上进一步设置附加缓冲层。在这种情况下，附加缓冲层可以由上面列出的无机绝缘材料形成。

栅极绝缘膜125a可以设置在第一半导体层120的沟道区域中，并且可以用于使第一半导体层120与栅极电极131绝缘。栅极绝缘膜125a、源极电极132/漏极电极133、第二存储电极135以及栅极绝缘膜图案125b、125c、125d和125e(设置在下部焊盘金属层130下方)可以由无机绝缘材料(例如，氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)或其多层膜)形成。

栅极绝缘膜125a、栅极绝缘膜图案125b、125c、125d、125e和125、层间绝缘膜140和无机保护层160由氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)或氧化铝膜(Al₂O₃)制成，类似于针对缓冲层116列出的材料。

另外，平坦化膜170用于提供平坦化并且由有机材料(诸如光丙烯酰基、聚酰亚胺、苯并环丁烯和丙烯酸酯树脂)中的至少一者制成。平坦化膜170的厚度为约1μm至约5μm。在一些情况下，平坦化膜170可以被分成多个部分。

辅助布线111和栅极金属层134可以由单个层或多个层形成，包括从由铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、钽(Ta)和钨(W)或其合金组成的组中选择的任一者。

例如，当辅助布线111和栅极金属层134为单个层时，它们可以由单个层或多个层形成，包括从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金组成的组中选择的任一者。另外，辅助布线111和栅极金属层134可以由诸如钼/铝-钕(Mo/Al-Nd)、钼/铝(Mo/Al)、钛/铝(Ti/Al)或铜/钼-钛(Cu/MoTi)的双层形成。另选地，辅助布线111和栅极金属层134可以由诸如钼/铝-钕/钼(Mo/Al-Nd/Mo)、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)、钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)或钼-钛/铜/钼-钛(MoTi/Cu/MoTi)的三层形成，但不限于此。辅助布线111和栅极金属层134可以是多层，包括从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金组成的组中选择的任一者。

栅极金属层134可以由与薄膜晶体管TFT的栅极电极131、源极电极132和漏极电极133以及存储电容器Cst的第二存储电极135和焊盘电极PD的下部焊盘金属层130相同的层上的相同材料形成。

发光元件ED设置在平坦化膜170上，并且发光元件ED包括阳极200(在本公开中也称为第一电极200)、中间层180和阴极190(在本公开中也称为第二电极190)。

中间层180可以包括例如空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。被包括在中间层180中的层中的至少一个层可以形成在整个显示区域AA上方。例如，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层中的至少一者可以形成在整个显示区域AA上方。

在一些情况下，中间层180可以包括多层叠结构，其中，每个层叠体包括一个或更多个发光层。在这种情况下，多个层叠体可以通过电荷生成层隔离。电荷生成层可以包括n型电荷生成层和p型电荷生成层。

多个层叠体中的每个层叠体可以包括例如空穴传输层、至少一个发光层和电子传输层。在一些情况下，n型电荷生成层还可以用作相邻层叠体的电子传输层。p型电荷生成层还可以用作相邻层叠体的空穴传输层。

阳极200(像素电极或第一电极)可以由金属、其合金或金属和金属氧化物的组合形成。例如，在顶部发光型中，阳极200可以形成为具有包括透明导电膜和具有高反射效率的不透明导电膜的多层结构。阳极200的透明导电膜由具有相对大的功函数值的材料(诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))制成，并且阳极200的不透明导电膜由单个层或多个层形成，所述单个层或多个层包括从由银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)和钨(W)或其合金组成的组中选择的任一者。例如，像素电极PXL可以具有如下结构：依次层叠了透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜，或者依次层叠了透明导电膜和不透明导电膜。

阴极190可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料制成，并且可以由足够薄以透射光的银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或镱(Yb)或包含其至少一者的合金形成。

阳极200在堤部175的第一堤部孔175H1中露出，以限定开口，并且光通过该部分发射。另外，阴极190与辅助布线111之间的连接结构形成在堤部175的第二堤部孔175H2中。

第二堤部孔175H2设置在堤部175中，并且辅助布线111设置在第二堤部孔175H2中。

缓冲层116、栅极绝缘膜图案125、栅极金属层134、层间绝缘膜140和包层金属150(在本公开中也表示为第二金属层150)设置在辅助布线111上。这些项可以依次设置在辅助布线111上。另外，缓冲层116、栅极绝缘膜图案125、栅极金属层134、层间绝缘膜140和包层金属150中的每一者都设置有孔结构，有机绝缘膜图案171嵌入该孔结构中，使得有机绝缘膜图案171在辅助布线111上直接接触辅助布线111。这将在后面描述。

本公开的发光显示装置的连接结构CSA是指具有用于支承辅助布线111与阴极190之间的电连接的岛形式的有机绝缘膜图案171的构造。图2例示了有机绝缘膜图案171与平坦化膜170一起形成的示例。本公开的示例不限于此，这将在后面描述。

连接结构CSA中的有机绝缘膜图案171形成悬垂结构，其中，阴极190在没有中间层180的情况下在与悬垂结构的下部包层金属150垂直间隔开的部分中连接至包层金属150的上表面。结果，提供了阴极包覆连接CTA。

此外，有机绝缘膜图案171在其上表面上还设置有中间层虚设图案181和阴极虚设图案191，中间层虚设图案181在悬垂结构与包层金属150交叠的区域中与中间层180分离，阴极虚设图案191设置在中间层虚设图案181上。

可以在发光元件ED和有机绝缘膜图案171上施加封装层310，以保护发光元件ED。

在一个实施方式中，封装层310可以由无机单层形成。例如，封装层EPAS可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)、氟化锂等制成。在另一实施方式中，封装层EPAS可以是无机层/有机层/无机层的多层。在这种情况下，无机层可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)、氟化锂等制成，如上所述，有机层可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、苯乙烯树脂等形成。

然而，封装层EPAS的结构不限于上述示例，并且封装层310的层叠结构可以变化。

图3是例示了图2的显示区域中的彼此相邻的第一堤部孔和第二堤部孔及其内部构造的平面图。图4是沿图3的线I-I’截取的截面图。图5A是沿图3的线II-II’截取的截面图。图5B是沿图3的线I～III截取的截面图。

如图3至图5B所示，根据本公开的示例性实施方式的发光显示装置包括：缓冲层116，该缓冲层位于辅助布线111上并具有第一孔116H；栅极金属层134(在本公开中也表示为第一金属层134)，该栅极金属层位于缓冲层116上并具有与第一孔116H交叠的第二孔134H；层间绝缘膜140(在本公开中也表示为第二绝缘层140)，该层间绝缘膜位于栅极金属层134上并具有与第二孔134H交叠的第三孔140H；以及包层金属150(在本公开中也表示为第二金属层150)，该包层金属位于层间绝缘膜140上并具有与第三孔140H交叠的第四孔150H。

另外，发光显示装置还可以包括有机绝缘膜图案171，该有机绝缘膜图案填充第一孔116H、第二孔134H、第三孔140H、第四孔150H，并接触辅助布线111。

这里，发光显示装置还可以包括位于栅极金属层134下方的栅极绝缘层125。栅极绝缘层125由与缓冲层116相同或相似的材料形成，因此具有相同的蚀刻特性并且具有相同的倾斜表面。栅极绝缘层125的孔被认为与缓冲层116的孔相同。

在本公开的发光显示装置中，如图4所示，具有与辅助布线111接触的底部的有机绝缘膜图案171在对应于第一孔116H、第二孔134H、第三孔140H、第四孔150H的厚度的水平嵌入在无机膜116、125、134、140和150的层叠结构中，并因此具有与无机膜116、125、134、140和150的侧表面接触的表面，从而通过物理紧固改善了接合的强度。换句话说，有机绝缘膜图案171可以填充第一孔至第四孔。因此，有机绝缘膜图案171未被分离，因此没有用作大异物的风险，并且稳定阴极与辅助布线111的连接，即使在形成处理之后向其施加诸如洗涤的物理刺激时也是如此。

例如，当在形成处理之后施加诸如清洁的物理刺激并且分离的有机岛状结构可以充当装置中的大异物时，可能会使由设置在层间绝缘膜上的外涂层图案形成的悬垂结构分离。然而，本公开的发光显示装置解决了该问题。

另外，在本公开的发光显示装置中，缓冲绝缘层的围绕第一孔116H的第一侧表面S1、栅极金属层134的围绕第二孔134H的第二侧表面S2、层间绝缘膜140的围绕第三孔140H的第三侧表面S3和包层金属150的围绕第四孔150H的第四侧表面S4在垂直方向上具有彼此相邻的不同锥形。也就是说，有机绝缘膜图案171接触具有彼此相邻的不同锥形的第一侧表面S1至第四侧表面S4的压印表面，并且具有多个接合表面，并因此具有对无机膜116、125、134、140和150的强粘接强度和物理稳健性。

这里，栅极金属层134的第二侧表面S2和包层金属150的第四侧表面S4彼此相似(其中，栅极金属层134和包层金属150均由金属部件形成)，并且缓冲层116的第一侧表面S1和层间绝缘膜140的第三侧表面S3可以彼此相似(其中，缓冲层116和层间绝缘膜140均由无机绝缘部件形成)。换句话说，第一侧表面S1和第三侧表面S3可以具有例如倒锥形，并且第二侧表面S2和第四侧表面S4可以具有规则的锥形。

另外，第二侧表面S2从底部和顶部附近从第一侧表面S1和第三侧表面S3垂直地突出，并且第四侧表面S4从与S4的下侧相邻的第三侧表面S3突出，以在有机绝缘膜图案171与侧表面之间延伸粘接区，从而改善其间的粘接性。

此外，如图3和图5B所示，辅助布线111和栅极金属层134可以通过在它们不与第一孔116H、第二孔134H、第三孔140H、第四孔150H交叠的区域中设置在缓冲层116中的第一接触孔CT1彼此连接。另外，栅极金属层134和包层金属150可以通过设置在层间绝缘膜140中的第二接触孔CT2彼此连接。因此，在辅助布线111、栅极金属层134和包层金属150之间设置了三连接，并且包层金属150的上表面连接至嵌入在有机绝缘膜图案171的悬垂结构中的阴极190，如图5A和图5B所示。结果，形成了基于辅助布线111、栅极金属层134、包层金属150和阴极190的四连接的电连接。

由于中间层180被设置为直的，所以其具有宽的覆盖范围，因此不会沉积在有机绝缘膜图案171与包层金属150部分交叠的区域中。具有相对优异的阶梯覆盖特性的阴极190穿过中间层180的边缘、进入与包层金属150交叠的有机绝缘膜图案171的悬垂结构的下侧并且连接至包层金属150。

此外，根据图2至图5B的实施方式中的悬垂结构的垂直高度可以由相邻的无机保护层160的厚度确定。图4示出了如下构造：当还形成无机保护层虚设图案161(在本公开中也表示为无机保护层虚设部161)时，具有较高选择性蚀刻速率的无机保护层160被蚀刻得比与包层金属150交叠的有机绝缘膜图案171的下侧的边缘多，并且无机保护层虚设图案161的部分宽度被保留并支承悬垂结构。在悬垂结构下方，无机保护层虚设图案161可以留在比悬垂结构的下端更靠内的地方。无机保护层虚设图案161可以与无机保护层160相同。

在下文中，将参考过程附图描述根据本公开的形成有机绝缘膜图案171的方法。

图6A至图6F是沿图3中的线I-I’截取的处理截面图。

如图6A所示，首先，在基板100上形成辅助布线111。

然后，形成覆盖辅助布线111的缓冲层材料1160。

然后，形成栅极绝缘层材料1250，并且缓冲层材料1160的一部分与栅极绝缘层材料1250一起被去除，以形成露出辅助布线111的一部分的缓冲层孔1160H。

然后，形成栅极金属材料，然后图案化栅极金属材料，以形成与缓冲层孔1160H交叠的第二孔134H。

然后，形成层间绝缘膜材料1400，然后图案化层间绝缘膜材料，以形成与第二孔134H交叠的层间绝缘膜孔1400H。

然后，图案化包层金属材料，以形成具有第四孔150H的包层金属150。

然后，在整个表面上方形成无机保护层材料1600A，使得其通过每个孔延伸至辅助布线111的顶部。

然后，如图6B所示，在包层金属150和栅极金属层134的倾斜表面上形成第一光刻胶膜310，使得露出内部无机保护层材料1600A。

如图6C所示，使用第一光刻胶膜310作为掩模并且使用相比于金属对无机膜具有更高的蚀刻选择性的蚀刻剂来对无机保护层材料1600A和层间绝缘膜材料1400进行湿法蚀刻，以与包层金属150和栅极金属层134相比而有所降低，进而形成比包层金属150、具有第一孔116H的缓冲层116和具有第三孔140H的层间绝缘膜140具有更大的孔的无机保护层图案1600B。

然后，通过剥离去除第一光刻胶膜310。

这里，无机保护层图案1600B的第五侧表面S5与位于辅助布线111上的缓冲层116的第一侧表面S1、栅极金属层134的第二侧表面S2、层间绝缘膜140的第三侧表面S3和包层金属150的第四侧表面S4一起形成。

无机绝缘膜材料的无机保护层图案1600B的第五侧表面S5、层间绝缘膜140的第三侧表面S3和缓冲层116的第一侧表面S1具有倒锥形，而栅极金属层134的第二侧表面S2和包层金属150的第四侧表面S4具有正锥形。

然后，如图6D所示，施加平坦化成膜材料，然后选择性地去除平坦化成膜材料，以在辅助布线111上形成具有平坦化膜孔170H的平坦化膜170，并且形成有机绝缘膜图案171，以被设置在平坦化膜孔170H中，进而覆盖无机保护层图案1600B的边缘并且与无机保护层图案1600B的宽度的一部分交叠。

这里，有机绝缘膜图案171的侧表面接触缓冲层116的第一侧表面S1、栅极金属层134的第二侧表面S2、层间绝缘膜140的第三侧表面S3、包层金属150的第四侧表面S4和无机保护层图案1600B的第五侧表面S5以及栅极绝缘层125的侧表面，并且有机绝缘膜图案171的下表面接触辅助布线111，使得在结构上赋予其下表面和侧表面三维粘接强度。

然后，对应于辅助布线111形成具有第二堤部孔175H2的堤部175。

然后，形成第二光刻胶层1600H，该第二光刻胶层的露出面积小于平坦化膜孔170H、部分地露出有机绝缘膜图案171并且无机保护层图案1600B与其相邻，然后该无机保护层图案用作掩模以通过底切去除第二光刻胶层1600H。通过该处理，如图6F所示，无机保护层虚设图案161具有从有机绝缘膜图案171的上表面向内去除的具有悬垂形状的第一底切部UCH1，并且与无机保护层虚设图案161间隔开的无机保护层160(也称为无机钝化层)具有第二底切部UCH2并且比平坦化膜170进一步突出。

在形成无机保护层160和无机保护层虚设图案161之后，去除第二光刻胶层320。

这里，无机保护层虚设图案161支承悬垂结构的有机绝缘膜图案171，并且与第一底切部UCH1相邻，使得阴极190在后续处理中连接至包层金属150以形成电连接。

图7是例示了根据本公开的第二示例性实施方式的发光显示装置的截面图。

如图7所示，根据本公开的第二实施方式的发光显示装置具有如下构造：有机绝缘膜图案171的悬垂结构下方的无机保护层虚设图案161通过图6F所述的蚀刻处理被完全去除。在这种情况下，阴极190可以在悬垂结构下方连接至包层金属150，使得其接触有机绝缘膜图案171的侧表面。这提供了阴极与有机绝缘膜图案171的侧表面之间的更多的接触面积。

图8是例示了根据本公开的第三示例性实施方式的发光显示装置的截面图。

如图8所示，根据本公开的第三示例性实施方式的发光显示装置具有如下构造：接触辅助布线111的有机绝缘膜图案385由与堤部375相同的材料形成。这可以使制造处理更加简单。

即使在这种情况下，阴极190也在有机绝缘膜图案171的悬垂结构下方连接至包层金属150，并且如图5B所示，通过辅助布线111、栅极金属层134和包层金属150之间的三连接，产生阴极190与辅助布线111之间的电连接。

在本公开的发光显示装置中，作为形成悬垂结构的岛结构的有机绝缘膜图案形成为与辅助布线接触，使得在有机绝缘膜图案的下表面和侧表面上形成多个接合表面，从而可以防止岛结构的分离。

根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置可以包括：辅助布线，该辅助布线位于基板上；第一绝缘层，该第一绝缘层位于辅助布线上并具有第一孔；第一金属层，该第一金属层位于第一绝缘层上并具有与第一孔交叠的第二孔；第二绝缘层，该第二绝缘层位于第一金属层上并具有与第二孔交叠的第三孔；第二金属层，该第二金属层位于第二绝缘层上并具有与第三孔交叠的第四孔；以及有机绝缘膜图案，该有机绝缘膜图案填充第一孔至第四孔并接触辅助布线。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，第一绝缘层的围绕第一孔的第一侧表面、第一金属层的围绕第二孔的第二侧表面、第二绝缘层的围绕第三孔的第三侧表面以及第二金属层的围绕第四孔的第四侧表面可以具有在垂直方向上彼此相邻的不同锥形。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，第一侧表面和第三侧表面可以具有倒锥形。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，第二侧表面可以从第一侧表面和第三侧表面突出。在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，第四侧表面可以从第三侧表面突出。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，在第一孔至第四孔不交叠的位置，辅助布线可以通过设置在第一绝缘层中的第一接触孔连接至第一金属层。第一金属层可以通过设置在第二绝缘层中的第二接触孔连接至第二金属层。

根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置还可以包括：平坦化膜，该平坦化膜在辅助布线周围与有机绝缘膜图案间隔开；根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置还可以包括发光元件。该发光元件可以包括在平坦化膜上层叠的第一电极、中间层和第二电极。根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置还可以包括设置在平坦化膜下方的薄膜晶体管。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，有机绝缘膜图案与平坦化膜可以包括相同的材料或者可以由相同的材料形成。或者，有机绝缘膜图案和平坦化膜可以是相同的材料。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，有机绝缘膜图案与限定第一电极的发光部分的堤部可以包括相同的材料或者可以由相同的材料形成。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，上部处的有机绝缘膜图案包括悬垂结构，该悬垂结构在第二金属层的上部上方与第二金属层交叠，并且悬垂结构与第二金属层的上表面垂直地间隔开预定距离。悬垂结构与第二金属层的上表面之间的垂直距离可以由无机保护层虚设图案161的厚度预先确定。无机保护层虚设图案161可以是与无机保护层160相同的材料。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，第二电极可以在悬垂结构的下部连接至第二金属层的上表面。

根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置还可以包括无机保护层，该无机保护层在第二绝缘层与平坦化膜之间。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，第二绝缘层与无机保护层可以依次覆盖薄膜晶体管。无机保护层可以比平坦化膜更靠近有机绝缘膜图案，并且有机绝缘膜图案可以与第二金属层的上表面垂直间隔开一定距离，该距离对应于无机保护层的厚度。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，无机保护层虚设图案可以与无机保护层间隔开并且与无机保护层包括相同的材料。无机保护层虚设图案可以具有与有机绝缘膜图案接触的一个侧表面并且支承悬垂结构的一部分。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，无机保护层可以覆盖第二金属层的外边缘并露出第二金属层的上表面。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，第一金属层可以与构成薄膜晶体管的至少一种金属位于同一层上。

在根据本公开的一个或更多个方面的发光显示装置中，第二金属层可以与保护焊盘部分的保护金属位于同一层上。

由上可知，在本公开的发光显示装置中，作为形成悬垂结构的岛结构的有机绝缘膜图案形成为与辅助布线接触，使得在有机绝缘膜图案的下表面和侧表面上形成多个接合表面，因此可以防止岛结构的分离。

在由有机绝缘膜图案形成的悬垂结构中，阴极连接至包层金属，并且辅助布线与包层金属之间的接触孔设置在不与有机绝缘膜图案交叠的区域中，以形成到金属的电连接路径，从而在阴极与辅助布线之间形成电连接。因此，通过将辅助布线连接至用作显示区域中的公共电极的阴极，可以在整个显示区域上向阴极施加均匀电压并防止亮度不均匀性。

本公开的发光显示装置使用如下部分作为接合表面：在该部分，由于金属层与绝缘层之间的蚀刻选择性的差异而在供有机绝缘膜图案穿过以到达辅助布线的孔的这一侧产生多个锥形。因此，有机绝缘膜图案在结构上与多锥形侧表面接合，以防止有机绝缘膜图案与孔分离，从而有效地防止由于岛型结构的分离而产生大异物。

另外，本公开的发光显示装置可以加强构成悬垂结构的有机绝缘膜图案的稳定性，从而防止在发光装置中产生诸如大异物的有害物质，并防止由此产生的缺陷。因此，发光显示装置在环境友好、低功耗和处理优化方面具有ESG(环境/社会/治理)效果。

对本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本公开的范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。因此，本公开旨在覆盖这样的修改及其变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年12月30日提交的韩国专利申请No.10-2022-0191246的优先权，该韩国专利申请通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。

Claims (15)

1.一种发光显示装置，所述发光显示装置包括：

辅助布线，所述辅助布线位于基板上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述辅助布线上并具有第一孔；

第一金属层，所述第一金属层位于所述第一绝缘层上并具有与所述第一孔交叠的第二孔；

第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一金属层上并具有与所述第二孔交叠的第三孔；

第二金属层，所述第二金属层位于所述第二绝缘层上并具有与所述第三孔交叠的第四孔；以及

有机绝缘膜图案，所述有机绝缘膜图案填充所述第一孔至所述第四孔并接触所述辅助布线。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述第一绝缘层的围绕所述第一孔的第一侧表面、所述第一金属层的围绕所述第二孔的第二侧表面、所述第二绝缘层的围绕所述第三孔的第三侧表面以及所述第二金属层的围绕所述第四孔的第四侧表面具有在垂直方向上彼此相邻的不同锥形。

3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述第一侧表面和所述第三侧表面具有倒锥形。

4.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述第二侧表面从所述第一侧表面和所述第三侧表面突出，并且

所述第四侧表面从所述第三侧表面突出。

5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，在所述第一孔至所述第四孔不交叠的位置，所述辅助布线通过设置在所述第一绝缘层中的第一接触孔连接至所述第一金属层，并且所述第一金属层通过设置在所述第二绝缘层中的第二接触孔连接至所述第二金属层。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光显示装置，所述发光显示装置还包括：

平坦化膜，所述平坦化膜在所述辅助布线周围与所述有机绝缘膜图案间隔开；

发光元件，所述发光元件包括层叠在所述平坦化膜上的第一电极、中间层和第二电极；以及

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述平坦化膜下方。

7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述有机绝缘膜图案与所述平坦化膜包括相同的材料。

8.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述有机绝缘膜图案与限定所述第一电极的发光部分的堤部包括相同的材料。

9.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，上部处的所述有机绝缘膜图案包括悬垂结构，所述悬垂结构在所述第二金属层的上表面上方与所述第二金属层交叠，并且所述悬垂结构与所述第二金属层的所述上表面垂直地间隔开预定距离，并且

所述第二电极在所述悬垂结构的下部连接至所述第二金属层的所述上表面。

10.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置还包括：

无机保护层，所述无机保护层在所述第二绝缘层与所述平坦化膜之间，

其中，所述第二绝缘层与所述无机保护层依次覆盖所述薄膜晶体管，并且

所述无机保护层比所述平坦化膜更靠近所述有机绝缘膜图案，并且所述有机绝缘膜图案与所述第二金属层的所述上表面垂直间隔开与所述无机保护层的厚度相对应的距离。

11.根据权利要求10所述的发光显示装置，所述发光显示装置还包括：

无机保护层虚设图案，所述无机保护层虚设图案与所述无机保护层间隔开并且与所述无机保护层包括相同的材料，

其中，所述无机保护层虚设图案具有与所述有机绝缘膜图案接触的一个侧表面并且支承所述悬垂结构的一部分。

12.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述无机保护层覆盖所述第二金属层的外边缘并露出所述第二金属层的上表面。

13.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述第一金属层与构成所述薄膜晶体管的至少一种金属位于同一层上。

14.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述第二金属层与保护焊盘部分的焊盘保护电极位于同一层上。

15.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中，所述第二电极在所述悬垂结构下方连接至所述第二金属层并且与所述无机保护层虚设图案的侧表面接触。