KR20220091214A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220091214A
KR20220091214A KR1020200182503A KR20200182503A KR20220091214A KR 20220091214 A KR20220091214 A KR 20220091214A KR 1020200182503 A KR1020200182503 A KR 1020200182503A KR 20200182503 A KR20200182503 A KR 20200182503A KR 20220091214 A KR20220091214 A KR 20220091214A
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경규원
김민규
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 표시 장치는, 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 중 상기 노치 영역 하부의 제1 표시 영역 및 상기 노치 영역 좌우의 제2 표시 영역에 배치된 복수의 센싱 터치전극 라인, 상기 노치 영역에 배치되며, 상기 노치 영역 좌우의 제2 표시 영역에 분리되어 배치된 센싱 터치전극 라인을 연결하는 노치부 센싱 터치라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인 주위에 배치되는 접지라인을 포함하며, 터치 센서 채널의 RC 부하 차이를 감소시킴으로써 터치감도 불균일을 개선하고 터치 성능을 최적화할 수 있다.

Description

표시 장치{Display DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 TOE(Touch On Encapsulation Layer) 구조의 터치 스크린 일체형 표시 장치에 관한 것이다.
전계 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 전계 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 널리 사용되고 있다.
전계 발광 표시 장치 중에 사용자의 터치를 인식할 수 있는 터치부를 포함하는 터치 스크린 일체형 표시 장치가 있다. 터치 스크린 일체형 표시 장치는 손가락이나 펜을 이용하여 직접 정보를 입력할 수 있어, 휴대용 단말기, 네비게이션(navigation) 및 가전 제품 등에 널리 적용된다.
또한, 최근에는 표시 장치를 구현하기 위한 기술이 발전하면서 많은 제품들이 양산됨에 따라, 표시 장치는 소비자가 원하는 디자인을 구현하기 위한 기술 위주로 발전하고 있다. 그 중 한가지는 영상이 구현되는 표시 영역의 형태의 다양화이다. 구체적으로, 표시 영역은 사각형의 형태에서 벗어나 다양한 형태가 요구되고 있다.
본 발명의 발명자들은 이형 구조를 갖는 표시 장치에 있어서 이형 구조, 즉 이형 변을 포함하는 표시 영역의 RC 부하(load)와 이형 변을 포함하지 않는 표시 영역의 RC 부하 사이에 차이가 발생하고, 이로 인해 터치감도가 균일하지 않아 터치 성능이 저하되는 문제를 인식하였다.
이에, 본 발명의 발명자들은 이형 구조를 갖는 표시 장치에서 발생할 수 있는 RC 부하 차이로 인한 터치감도 불균일의 문제점을 해결하기 위한 새로운 구조의 표시 장치를 개발하였다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 터치 센서 채널(touch sensor channel)간 RC 편차를 줄여줌으로써 터치감도 불균일의 문제점을 해결할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 중 상기 노치 영역 하부의 제1 표시 영역 및 상기 노치 영역 좌우의 제2 표시 영역에 배치된 복수의 센싱 터치전극 라인, 상기 노치 영역에 배치되며, 상기 노치 영역 좌우의 제2 표시 영역에 분리되어 배치된 센싱 터치전극 라인을 연결하는 노치부 센싱 터치라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인 주위에 배치되는 접지라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 배치된 복수의 센싱 터치전극 라인, 상기 표시 영역에 배치되며, 애노드와 발광층 및 캐소드로 구성되는 발광 소자, 상기 노치 영역에 배치되며, 상기 노치 영역 좌우의 상기 센싱 터치전극 라인을 연결하는 노치부 센싱 터치라인, 상기 노치부 센싱 터치라인 주위에 배치되는 접지라인 및 상기 접지라인 하부에 배치된 더미 접지라인을 포함하며, 상기 접지라인은 상기 노치부 센싱 터치라인으로 연장하여 상기 캐소드와 중첩하여 커패시터를 구성하는 동시에, 상기 노치부 센싱 터치라인과 중첩하여 추가 커패시터를 구성할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 노치 영역의 터치 라인 하부에 RC 부하 보상용 더미 배선을 배치하여 이형 변으로 인한 표시 영역과의 터치 센서 채널의 RC 부하 차이를 감소시킴으로써 터치감도 불균일을 개선하고 터치 성능을 최적화할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 3은 도 1의 A 영역에 대한 확대도이다.
도 4는 도 3의 III-III'에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서의 RC 매칭 결과를 보여주는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치 일부의 평면도이다.
도 7은 도 6의 VI-VI'에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서의 RC 매칭 결과를 보여주는 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면 '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 위(on)로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 1에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 기판(110), 캐소드(123), 각종 터치 배선(D-RL, S-RL1, S-RL2, D-TL, S-TL1, S-TL2, N-TL) 및 복수의 서브 화소(SP)만을 도시하였다.
도 1을 참조하면, 기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하기 위한 지지 부재로, 절연 물질로 이루어질 수 있다.
예를 들면, 기판(110)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 고분자 또는 폴리이미드(PI) 등과 같은 플라스틱으로 이루어질 수도 있고, 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.
기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)은 영상을 표시하는 영역이다. 표시 영역(AA)에는 영상을 표시하기 위한 복수의 서브 화소(SP) 및 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 회로부가 배치될 수 있다. 회로부는 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 다양한 박막 트랜지스터, 커패시터 및 배선 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 회로부는 구동 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 게이트 배선 및 데이터 배선 등과 같은 다양한 구성 요소로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 1의 표시 장치(100)는 터치 패널을 포함한다.
도 1에 예시된 터치 패널은 뮤추얼-커패시턴스 기반의 터치 센싱을 위한 터치 패널이다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
터치 패널에는 다수의 터치전극들이 배치되며, 이러한 터치전극들과 터치회로를 전기적으로 연결해주기 위한 각종 터치 배선(D-RL, S-RL1, S-RL2, D-TL, S-TL1, S-TL2, N-TL)이 배치될 수 있다. 이러한 터치 배선(D-RL, S-RL1, S-RL2, D-TL, S-TL1, S-TL2, N-TL)은 터치전극들 중의 최 외곽에 배치된 터치전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 터치 패널에는, 터치 배선(D-RL, S-RL1, S-RL2, D-TL, S-TL1, S-TL2, N-TL)과 터치회로를 전기적으로 연결해주기 위하여, 터치회로가 접촉하는 터치패드들이 존재할 수도 있다.
터치전극들 및 터치 배선(D-RL, S-RL1, S-RL2, D-TL, S-TL1, S-TL2, N-TL)은 동일한 층에 배치될 수도 있고, 서로 다른 층에 배치될 수도 있다.
한편, 전술한 표시 장치(100)가 뮤추얼-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식을 채택하고 있는 경우, 동일한 행(또는 동일한 열)에 배치되는 둘 이상의 터치전극은 전기적으로 연결되어 하나의 구동 터치전극 라인(Driving TE Line)을 형성할 수 있다. 동일한 열(또는 동일한 행)에 배치되는 둘 이상의 터치전극은 전기적으로 연결되어 하나의 센싱 터치전극 라인(Sensing TE Line)을 형성할 수 있다.
하나의 구동 터치전극 라인을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 전기적으로 연결되는데, 둘 이상의 터치전극이 일체화되어 전기적으로 연결되거나 브릿지 패턴에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
하나의 센싱 터치전극 라인을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 전기적으로 연결되는데, 둘 이상의 터치전극이 일체화 되어 전기적으로 연결되거나 브릿지 패턴에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
예를 들면, 하나의 구동 터치전극 라인(Driving TE Line)을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 일체화되어 전기적으로 연결되어 있고, 하나의 센싱 터치전극 라인(Sensing TE Line)을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 브릿지(bridge) 패턴에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 하나의 구동 터치전극 라인(Driving TE Line)을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 구동 터치전극(Driving TE)이라고 한다.
또한, 하나의 센싱 터치전극 라인(Sensing TE Line)을 형성하는 둘 이상의 터치전극(TE)은 센싱 터치전극(Sensing TE)이라고 한다.
하나의 구동 터치전극 라인마다 적어도 하나의 구동 터치라인(D-TL)이 연결되고, 하나의 센싱 터치전극 라인마다 적어도 하나의 센싱 터치라인(S-TL1, S-TL2)이 연결될 수 있다. 이때, 예를 들면, 센싱 터치라인(S-TL1, S-TL2)은 표시 영역(AA)의 좌측에서 연결되는 제1 센싱 터치라인(S-TL1) 및 표시 영역(AA)의 우측에서 연결되는 제2 센싱 터치라인(S-TL2)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 센싱 터치라인(S-TL1)과 제2 센싱 터치라인(S-TL2)은 서로 엇갈리게 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
하나의 터치라인마다 하나의 터치패드가 연결될 수 있다. 즉, 예를 들면, 센싱 터치라인(S-TL1, S-TL2)은 센싱 라우팅(routing) 배선(S-RL1, S-RL2)을 통해 터치패드에 연결되며, 구동 터치라인(D-TL)은 구동 라우팅 배선(D-RL)을 통해 터치패드에 연결될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되지 않는다.
센싱 라우팅 배선(S-RL2, S-RL2)은 제1 센싱 터치라인(S-TL1)에 연결되는 제1 센싱 라우팅 배선(S-RL1) 및 제2 센싱 터치라인(S-TL2)에 연결되는 제2 센싱 라우팅 배선(S-RL2)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 1을 참조하면, 표시 영역(AA)은 표시 영역(AA)을 이루는 네 개의 변 중 하나의 변이 이형 구조를 갖는 이형 변일 수 있다. 여기서, 이형 변은 네 개의 변 중 장변을 갖는 상하 변과 단변을 갖는 좌우 변 중 장변을 갖는 상하 변 중 하나일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되지 않는다. 이형 변은 직선 형상의 변이 아닌 굴곡진 형상을 갖는 변을 의미한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서 이형 구조는 이형 변에 의해 발생하는 구조로, 원, 삼각형, 사각형, 마름모, 오각형, 육각형 등 다각형이 변형되어 다각형으로 정의하기 어려운 변형된 형태 및 서브 화소(SP)가 배치되지 않아 영상을 표시할 때 서브 화소(SP)가 배치되지 않은 영역이 시인될 수 있도록 구성된 형태를 지칭한다.
도 1을 참조하면, 표시 영역(AA)의 상변, 하변, 좌변, 우변 중 상변이 이형 변에 해당한다. 본 발명에 따른 일 실시예에서는 이형 변을 포함하지 않는 표시 영역의 하부 영역을 제1 표시 영역(AA1)이라 지칭하고, 이형 변을 포함하는 표시 영역(AA)의 상부 영역을 제2 표시영역(AA2)이라 지칭하고자 한다.
제2 표시 영역(AA2)은 중앙부에 배치된 이형 변으로 인해 좌, 우측으로 분리될 수 있다. 제2 표시 영역(AA2)의 이형 변은 표시 영역(AA)의 하측 방향으로 오목하게 안쪽으로 들어간 형태이므로, 이형 변에 대응하는 오목부 형상의 이형 구조가 정의될 수 있다. 제2 표시 영역(AA2)의 이형 변이 오목하게 들어간 위치에는 서브 화소(SP)가 배치되지 않으므로 영상이 표시되지 않으며, 노치 영역(Notch Area; NTA)로 정의될 수 있다. 이에 따라, 제2 표시 영역(AA2)은 제1 표시 영역(AA1)과 서로 다른 크기의 표시 면적을 가질 수 있다. 즉, 예를 들면, 동일한 상하 폭에 대해 제2 표시 영역(AA2)의 표시 면적은 제1 표시 영역(AA1)의 표시 면적보다 작은 크기를 가질 수 있다.
노치 영역(NTA)은 영상이 표시되지 않는 영역이므로, 비표시 영역(NA)에 포함될 수 있다. 이렇게 이형 변이 오목하게 들어간 노치 영역(NTA)에는 물리적인 구성요소, 예를 들면, 버튼, 스피커, 카메라 및 스위치 등이 배치되어 표시 장치(100)의 다른 기능들이 구현될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱(sensing) 터치라인(S-TL1, S-TL2) 및 구동(driving) 터치라인(D-TL)은 표시 영역(AA)의 4개의 변 중 하나의 변이 이형 구조를 갖는 이형 변으로 구성되기 때문에 이형 구조가 배치되지 않은 제1 표시 영역(AA1)과 이형 구조가 배치된 제2 표시 영역(AA2)의 배선의 길이가 상이해진다. 즉, 제2 표시 영역(AA2)은 서브 화소(SP)가 배치되지 않는 노치 영역(NTA)으로 인해서 배선의 길이가 제1 표시 영역(AA1)에 비해 짧을 수 있다. 이에 따라 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 센싱 터치라인(S-TL1, S-TL2)과 제2 표시 영역(AA2)의 센싱 터치라인(S-TL1, S-TL2)의 RC 부하에 차이가 발생하게 된다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 터치라인(D-TL)은 이형 구조가 배치되지 않은 노치 영역(NTA) 하부와 이형 구조가 배치된 노치 영역(NTA) 좌우에서 배선의 길이가 상이해진다. 즉, 노치 영역(NTA) 하부는 화소가 배치되지 않는 노치 영역(NTA)으로 인해 배선의 길이가 노치 영역(NTA) 좌우에 비해 짧을 수 있다. 이에 노치 영역(NTA) 하부에 배치된 구동 터치라인(D-TL)과 노치 영역(NTA) 좌우에 배치된 구동 터치라인(D-TL)의 RC 부하에 차이가 발생하게 된다.
이를 보상하기 위해, 노치 영역(NTA)에는 본 발명의 RC 부하 보상용 노치부 센싱 터치라인(N-TL) 및 더미 배선이 배치될 수 있다.
도 1에서는 대략 사각형의 형태인 표시 영역(AA)의 변형 예로 사각형의 한 변의 일부가 오목하게 들어간 형태를 나타냈으나, 이에 한정되지 않고 여러 가지 형태로 구현될 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(AA)의 복수의 변이 이형 변으로 구현될 수도 있고, 표시 영역(AA) 내부에 다양한 형태의 구멍이 형성될 수도 있다. 구멍 안의 영역은 화소들이 배치되지 않아 영상을 표시하지 않는 영역이므로 비표시 영역(NA)에 포함될 수 있다.
비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(AA)에 배치된 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 다양한 배선, 구동 IC 등이 배치되는 영역이다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 다양한 구동 IC 등이 배치될 수 있다.
비표시 영역(NA)은 표시 장치(100)가 벤딩되는 벤딩 영역(BA)을 더 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
이때, 도 1에서는 비표시 영역(NA)이 표시 영역(AA)을 둘러싸는 것으로 도시되어 있으나, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)의 일측에서 연장된 영역일 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
기판(110)의 표시 영역(AA)에 복수의 서브 화소(SP)가 배치된다. 복수의 서브 화소(SP) 각각은 빛을 발광하는 개별 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각에는 발광 소자 및 구동 회로가 형성된다. 예를 들면, 복수의 서브 화소(SP)는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 복수의 서브 화소(SP)는 백색 서브 화소를 더 포함할 수도 있다.
이하에서는 복수의 서브 화소(SP)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2를 함께 참조한다.
도 2는 도 1의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판(110), 트랜지스터(TFT), 평탄화층(111), 발광 소자(120), 뱅크(112), 패드부(140), 댐(130), 봉지부(150) 및 터치부(160)를 포함할 수 있다.
기판(110) 상부에 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 트랜지스터(TFT)는 데이터 전압을 복수의 서브 화소로 전달할 수 있다.
트랜지스터(TFT)는 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 도 2에서는 편의상 트랜지스터(TFT)를 간략하게 도시하였다.
기판(110) 위에 액티브층이 배치될 수 있다. 액티브층은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다.
트랜지스터(TFT)의 구조에 따라, 액티브층의 상부 또는 하부에 게이트 전극이 배치될 수 있다. 게이트 전극은 도전성 물질, 예를 들면, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
액티브층과 게이트 전극 사이에 게이트 절연층이 배치될 수 있다. 게이트 절연층은 게이트 전극과 액티브층을 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단층이나 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
액티브층과 전기적으로 연결되고, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극이 배치될 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극은 도전성 물질, 예를 들면, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
트랜지스터(TFT)의 구조에 따라, 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 절연시키기 위해, 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 층간 절연층 등이 더 배치될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
트랜지스터(TFT) 위에 평탄화층(111)이 배치될 수 있다. 평탄화층(111)은 기판(110)의 일부 영역의 상부를 평탄화시킨다. 예를 들면, 평탄화층(111)은 표시 영역(AA)에 배치될 수 있고, 평탄화층(111)은 비표시 영역(NA)의 전체 또는 일부 영역에 배치되지 않을 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
평탄화층(111)은 단층 또는 복층으로 구성될 수 있으며, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(111)은 아크릴(acryl)계 유기 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 평탄화층(111)은 트랜지스터(TFT)와 발광 소자(120)를 전기적으로 연결시키기 위한 컨택홀(CH)을 포함할 수 있다.
평탄화층(111) 상부에 발광 소자(120)가 배치될 수 있다. 발광 소자(120)는 광을 발광하는 자발광 소자로, 트랜지스터(TFT)로부터 전압을 공급받아 구동될 수 있다. 발광 소자(120)는 애노드(121), 발광층(122) 및 캐소드(123)를 포함할 수 있다.
애노드(121)는 평탄화층(111) 위에서 각각의 서브 화소 별로 분리되어 배치될 수 있다. 이때, 애노드(121)는 평탄화층(111)에 형성된 컨택홀(CH)을 통해 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결될 수 있다. 애노드(121)는 발광층(122)에 정공을 공급할 수 있는 도전성 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 애노드(121)는 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질 및 은(Ag), 은 합금(Ag alloy)과 같은 반사성이 우수한 물질로 이루어지는 반사층을 포함할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
애노드(121) 및 평탄화층(111) 상부에 뱅크(112)가 배치될 수 있다.
뱅크(112)는 서로 인접한 서브 화소를 구분하기 위한 절연층이다. 뱅크(112)는 애노드(121)의 일부를 개구 시키도록 배치될 수 있으며, 뱅크(112)는 애노드(121)의 에지를 덮도록 배치된 유기 절연 물질일 수 있다.
애노드(121) 위에 발광층(122)이 배치될 수 있다. 발광층(122)은 하나의 발광층(122)으로 구성될 수도 있고, 서로 다른 색의 광을 발광하는 복수의 발광층(122)이 적층된 구조일 수도 있다. 발광층(122)은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 각각의 서브 화소에 배치된 발광층(122)은 서브 화소 별로 분리되어 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 발광층(122)의 전체 또는 일부는 복수의 서브 화소에 걸쳐 하나의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 발광층(122)은 유기물로 이루어지는 유기 발광층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 발광층(122)은 양자점 발광층 또는 마이크로 LED일 수 있다.
발광층(122) 위에 캐소드(123)가 배치될 수 있다.
캐소드(123)는 발광층(122)에 전자를 공급할 수 있는 도전성 물질로 이루어진다. 예를 들면, 캐소드(123)는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TO) 계열의 투명 도전성 산화물 또는 이테르븀(Yb) 합금으로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 도 2를 참조하면, 각각의 서브 화소에 배치되는 캐소드(123)는 서로 연결된 것으로 도시되어 있으나, 애노드(121)와 같이 서브 화소 별로 분리되어 배치될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
표시 영역(AA)은 복수의 발광 영역(EA) 및 복수의 발광 영역(EA) 사이의 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다.
복수의 발광 소자(120) 각각이 배치된 영역은 복수의 발광 영역(EA)일 수 있다. 복수의 발광 영역(EA) 각각은 독립적으로 한가지 색의 광을 발광할 수 있는 영역으로, 복수의 서브 화소에 대응되는 영역일 수 있고, 뱅크(112)가 배치되지 않은 영역일 수 있다. 예를 들면, 복수의 발광 영역(EA)은 적색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 청색 발광 영역을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 복수의 발광 영역(EA)은 서로 이격되어 배치될 수 있고, 예를 들면, 행 방향 및 열 방향으로 배열되는 격자 형태로 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
복수의 발광 소자(120)가 배치되지 않은 영역은 비발광 영역(NEA)일 수 있다. 비발광 영역(NEA)은 복수의 발광 영역(EA) 사이에 배치된 영역으로, 뱅크(112)가 배치된 영역일 수 있다. 비발광 영역(NEA)은 복수의 발광 영역(EA)을 둘러싸도록 배치되므로, 메시(mesh) 형태로 이루어질 수 있다.
비표시 영역(NA)에 댐(130)이 배치될 수 있다.
예를 들면, 비표시 영역(NA)의 기판(110) 위에 댐(130)이 배치될 수 있다. 댐(130)은 표시 영역(AA)을 덮도록 배치되는 봉지부(150) 중 유기 봉지층(152)의 퍼짐을 제어하기 위해 배치될 수 있다. 예를 들면, 댐(130)은 봉지부(150)의 유기 봉지층(152)의 오버플로우(overflow)를 억제할 수 있다. 댐(130)은 하나 이상으로 구성할 수 있으며, 배치되는 댐의 수에 제한되는 것은 아니다.
비표시 영역(NA)에 패드부(140)가 배치될 수 있다. 도 2를 참조하면, 패드부(140)는 댐(130)의 외측에 배치될 수 있다. 패드부(140)를 통해 기판(110)에 형성된 회로부, 구동 IC 등에 신호를 입력할 수 있다. 예를 들면, 패드부(140)는 외부로부터 공급되는 신호를 기판(110)의 회로부, 구동 IC 등으로 공급할 수 있다. 예를 들면, 패드부(140)는 터치 라인(TL) 및 터치부(160)의 터치전극(165) 등으로 터치부(160)를 구동하기 위한 신호를 공급할 수 있다.
발광 소자(120) 상부에 봉지부(150)가 배치될 수 있다. 봉지부(150)는 발광 소자(120)를 외부의 수분, 산소 및 충격 등으로부터 보호하는 밀봉 부재이다. 봉지부(150)는 발광 소자(120)가 배치된 표시 영역(AA) 전체를 덮도록 배치될 수 있고, 봉지부(150)는 표시 영역(AA)으로부터 연장된 비표시 영역(NA)의 일부까지 덮도록 배치될 수 있다. 봉지부(150)는 무기물로 이루어진 제1 무기 봉지층(151), 제1 무기 봉지층(151) 위에 배치되고 유기물로 이루어진 유기 봉지층(152) 및 유기 봉지층(152) 위에 배치된 제2 무기 봉지층(153)을 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지층(151)은 표시 영역(AA)을 밀봉하여 표시 영역(AA)으로 침투하는 산소 및 수분으로부터 발광 소자(120)를 보호할 수 있다. 제1 무기 봉지층(151)은 표시 영역(AA)만이 아니라, 표시 영역(AA)으로부터 연장된 비표시 영역(NA)에까지 배치될 수 있고, 비표시 영역(NA)의 댐(130) 등을 덮도록 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(151)은 무기물로 이루어지며, 예를 들면, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 무기 봉지층(151) 위에 유기 봉지층(152)이 배치될 수 있다. 유기 봉지층(152)은 제1 무기 봉지층(151) 상부를 평탄화하기 위한 층으로, 제1 무기 봉지층(151)에 발생할 수 있는 크랙을 충진하고, 제1 무기 봉지층(151) 상부에 이물질이 배치되는 경우, 이물질 상부를 평탄화할 수 있다. 유기 봉지층(152)은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)으로부터 연장된 비표시 영역(NA)의 일부까지 배치될 수 있고, 댐(130)의 내측으로 배치될 수도 있다. 유기 봉지층(152)은 에폭시(Epoxy) 계열 또는 아크릴(Acryl) 계열의 폴리머가 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
유기 봉지층(152) 위에 제2 무기 봉지층(153)이 배치될 수 있다. 제2 무기 봉지층(153)은 표시 장치의 외곽에서 제1 무기 봉지층(151)과 접하는 방식으로 제1 무기 봉지층(151)과 함께 유기 봉지층(152)을 밀봉할 수 있다. 제2 무기 봉지층(153)은 표시 영역(AA)으로부터 연장된 비표시 영역(NA) 일부까지 배치될 수 있고, 제2 무기 봉지층(153)은 비표시 영역(NA)에 배치된 제1 무기 봉지층(151)과 접하도록 배치될 수 있다. 제2 무기 봉지층(153)은 무기물로 이루어지며, 예를 들면, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
예를 들면, 제1 무기 봉지층(151) 및 제2 무기 봉지층(153)의 굴절률은 유기 봉지층(152)의 굴절률보다 클 수 있다. 예를 들면, 유기 봉지층(152)으로 아크릴(Acryl) 계열의 폴리머가 사용되는 경우, 유기 봉지층(152)의 굴절률은 약 1.58일 수 있고, 유기 봉지층(152)으로 사용될 수 있는 다른 물질들도 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 또한, 제1 무기 봉지층(151) 및 제2 무기 봉지층(153)으로 실리콘 질화물(SiNx)이 사용되는 경우 제1 무기 봉지층(151) 및 제2 무기 봉지층(153)의 굴절률은 약 1.85일 수 있고, 제1 무기 봉지층(151) 및 제2 무기 봉지층(153)으로 사용될 수 있는 다른 물질들도 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 이 경우, 발광 소자(120)로부터 발광된 광은 제1 무기 봉지층(151)과 유기 봉지층(152)의 계면 및/또는 유기 봉지층(152)과 제2 무기 봉지층(153)의 계면에서 굴절되거나 전반사 될 수 있다.
도 2에서는 봉지부(150)가 제1 무기 봉지층(151), 유기 봉지층(152) 및 제2 무기 봉지층(153)을 포함하는 것으로 도시하였으나, 봉지부(150)에 포함되는 무기 봉지층의 개수 및 유기 봉지층(152)의 개수는 이에 제한되지 않는다.
봉지부(150) 상부에 터치부(160)가 배치될 수 있다. 터치부(160)는 발광 소자(120)를 포함하는 표시 영역(AA)에 배치되어 터치 입력을 센싱 할 수 있다. 터치부(160)는 사용자의 손가락 또는 터치 펜 등을 이용한 외부의 터치 정보를 감지할 수 있다. 터치부(160)는 제1 무기 절연층(161), 제2 무기 절연층(162), 유기 절연층(163), 터치 라인(TL), 브릿지 패턴(164) 및 터치전극(165)을 포함할 수 있다.
봉지부(150) 상부에 제1 무기 절연층(161)이 배치될 수 있다. 제1 무기 절연층(161)은 봉지부(150)의 제2 무기 봉지층(153) 위에 접할 수 있다. 제1 무기 절연층(161)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 무기 절연층(161)은 생략될 수도 있다.
제1 무기 절연층(161) 위에 브릿지 패턴(164)이 배치될 수 있다. 브릿지 패턴(164)은 제1 무기 절연층(161) 위에서, 비발광 영역(NEA)에 배치될 수 있다.
브릿지 패턴(164) 및 제1 무기 절연층(161) 위에 제2 무기 절연층(162)이 배치될 수 있다. 제2 무기 절연층(162)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제2 무기 절연층(162) 위에 터치전극(165) 및 터치 라인(TL)이 배치될 수 있다. 터치전극(165)은 행 방향 및 열 방향으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 트랜지스터(TFT)애 대해 행 방향 또는 열 방향 중 어느 한 방향으로 배치된 터치전극(165)은 브릿지 패턴(164) 상부에 배치될 수 있고, 행 방향 또는 열 방향 중 나머지 한 방향으로 배치된 터치전극(165)은 제2 무기 절연층(162) 위에 배치될 수 있다. 열 방향으로 배치된 터치전극(165)과 행 방향으로 배치된 터치전극(165)은 브릿지 패턴(164)을 통해 각각 연결되어 메시 형태의 구조를 가질 수 있다. 도 2에서는 발광 영역(EA)에 터치전극(165)이 배치된 것으로 도시되어 있으나, 터치전극(165)은 발광 영역(EA)에 배치되지 않을 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
터치 라인(TL)은 행 방향 또는 열 방향으로 배치될 수 있다. 터치 라인(TL)은 터치부(160)를 구동하기 위한 터치 구동 신호를 공급한다. 또한, 터치 라인(TL)은 터치부(160)에서 감지한 터치 정보를 구동 IC로 전달할 수 있다.
표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 터치전극(165)은 비표시 영역(NA)의 패드부(140)에까지 연장되어, 패드부(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 터치전극(165)은 표시 영역(AA) 상의 터치 위치를 감지할 수 있고, 터치 위치를 포함하는 터치 정보를 패드부(140)로 전달할 수 있다.
터치전극(165) 및 제2 무기 절연층(162) 위에 유기 절연층(163)이 배치될 수 있다. 유기 절연층(163)은 터치전극(165)의 상부를 평탄화할 수 있고, 유기 절연층(163) 하부의 구성들을 보호할 수 있다. 유기 절연층(163)은 에폭시(Epoxy) 계열 또는 아크릴(Acryl) 계열의 폴리머가 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
터치부(160) 상부에 편광판이 더 배치될 수 있다. 편광판은 터치부(160) 상부에 배치되어, 표시 장치로 입사하는 외부 광의 반사를 저감할 수 있다. 또한, 터치부(160) 상부에는 다양한 광학 필름이나 보호 필름 등이 배치될 수도 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는, 노치 영역의 터치 라인 하부에 RC 부하 보상용 더미 배선을 배치하여 이형 변으로 인한 표시 영역과의 터치 센서 채널의 RC 부하 차이를 감소시킬 수 있는데, 도 3 및 도 4를 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 도 1의 A 영역에 대한 확대도이다.
도 4는 도 3의 III-III'에 따른 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제2 표시 영역(AA2)의 이형 변이 오목하게 들어간 위치에는 서브 화소가 배치되지 않으므로 영상이 표시되지 않으며, 이를 노치 영역(NTA)으로 정의할 수 있다. 제2 표시 영역(AA2)은 제1 표시 영역(AA1)과 서로 다른 크기의 표시 면적을 가질 수 있다. 즉, 예를 들면, 동일한 상하 폭에 대해 제2 표시 영역(AA2)의 표시 면적은 제1 표시 영역(AA1)의 표시 면적보다 작은 크기를 가질 수 있다.
제2 표시 영역(AA2)은 서브 화소가 배치되지 않는 노치 영역(NTA)으로 인해서 배선의 길이가 제1 표시 영역(AA1)에 비해 짧을 수 있다. 이에 따라, 예를 들면, 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))과 제2 표시 영역(AA2)에 배치된 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))의 RC 부하에 차이가 발생하게 된다.
이에, 이를 보상하기 위해, 도 3 및 도 4를 참조하면, 노치 영역(NTA)에는 본 발명의 일 실시예에 따른 RC 부하 보상용 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))이 배치될 수 있다.
노치 영역(NTA)에는, 예를 들면, 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))이 배치될 수 있다. 그리고, 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n)) 하부에는 각각 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))을 따라서 더미 접지라인(170a) 및 더미 노치부 센싱 터치라인(170b)이 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
이때, 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))은 노치 영역(NTA)의 형상을 따라 배치될 수 있다.
터치 감도를 고려하여 노치 영역(NTA) 좌우의 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))은 2열로 배치할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 예를 들면, n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n)) 및 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))과 수직한 방향으로 m번째 구동 터치전극 라인(D-TL(m)) 및 m+1번째 구동 터치전극 라인(D-TL(m+1))이 배치될 수 있다.
구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))은 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))과 동일한 물질로 구성되고, 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 이 경우 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))은 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))과의 단락을 방지하기 위해서 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))이 지나가는 영역에서 양측으로 분리되며, 분리된 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))은 브릿지 패턴(164)을 통해 연결될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 즉, 양측으로 분리된 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))은 제1 컨택홀(140a)을 통해 브릿지 패턴(164)과 전기적으로 연결됨에 따라 서로 연결될 수 있다.
반면에, 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))은 양측으로 분리된 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1)) 사이에서 연장되어 상하로 연결될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한, 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))은 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))과 동일한 물질로 구성되고, 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
또한, 더미 접지라인(170a) 및 더미 노치부 센싱 터치라인(170b)은 브릿지 패턴(164)과 동일한 물질로 구성되고, 브릿지 패턴(164)이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))은 연결 라인(CL)을 통해 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 연결 라인(CL)이 지나가는 접지라인(GL)은 상하로 분리되며, 분리된 접지라인(GL)은 제2 컨택홀(140b)을 통해 더미 접지라인(170a)과 전기적으로 연결됨에 따라 서로 연결될 수 있다.
노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))은 제3 컨택홀(140c)을 통해 더미 노치부 센싱 터치라인(170b)과 전기적으로 연결되어 이중 배선을 형성할 수 있으며, 이에 저항을 감소시킬 수 있게 된다.
더미 접지라인(170a) 및 더미 노치부 센싱 터치라인(170b)은 각각 하부의 캐소드(123)와 중첩하여 배치될 수 있다. 캐소드(123)는 비표시 영역으로 연장될 수 있으며, 노치 영역(NTA)으로도 연장될 수 있다.
즉, 더미 접지라인(170a)은 봉지부(150) 및 제1 무기 절연층(161) 하부에 배치되는 캐소드(123)와 함께 커패시터(Cgc)를 형성할 수 있다. 또한, 더미 노치부 센싱 터치라인(170b)은 봉지부(150) 및 제1 무기 절연층(161) 하부에 배치되는 캐소드(123)와 함께 커패시터(Csc)를 형성할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예는, 노치 영역(NTA)에 RC 부하 보상용 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n)) 및 더미 노치부 센싱 터치라인(170b)을 배치함에 따라, 예를 들면, 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))과 제2 표시 영역(AA2)에 배치된 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n)) 사이의 RC 부하 차이를 개선할 수 있다.
다만, 본 발명의 일 실시예는, 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))과 제2 표시 영역(AA2)에 배치된 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n)) 사이에 여전히 커패시턴스 차이가 있음을 알 수 있으며, 이를 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서의 RC 매칭 결과를 보여주는 그래프이다.
도 5는 센싱 터치전극 라인의 순서에 따른 RC 딜레이(τ)를 보여주고 있다.
여기서, 1번째 센싱 터치전극 라인은 표시 영역의 최하단에 배치되는 센싱 터치전극 라인을 의미하며, 29번째 센싱 터치전극 라인은 노치 영역을 포함하는 표시 영역의 최상단에 배치되는 센싱 터치전극 라인을 의미한다.
도 5를 참조하면, 노치 영역을 제외한 표시 영역에서는 RC 딜레이(τ)가 약 4.0% 내에서 제어되는 것을 알 수 있다.
반면, 노치 영역을 포함하는 표시 영역에서는 RC 딜레이(τ)가 약 54.6%로 변동되는 것을 알 수 있다. 즉, 29번째 센싱 터치전극 라인에서의 RC 딜레이(τ)는 급격하게 감소하는 것을 알 수 있다.
이는, 노치 영역에 위치하는 29번째 센싱 터치전극 라인이 이외의 표시 영역에 위치하는 1-28번째 센싱 터치전극 라인에 비해 커패시턴스(capacitance)가 감소되는 점에 기인한다. 이와 같이 영역별로 RC 편차가 발생할 경우, 터치 센싱의 차이를 유발하고, 터치 감도의 차이가 발생될 수 있다.
이에, 본 발명의 다른 실시예에서는, 노치 영역에 위치하는 센싱 터치전극 라인의 부족한 커패시턴스를 보상해 주기 위해, 더미 접지라인을 노치부 센싱 터치라인으로 연장하여 노치부 센싱 터치라인과 추가 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하며, 이를 도 6 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치 일부의 평면도이다.
도 7은 도 6의 VI-VI'에 따른 단면도이다.
도 6 및 도 7의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)는, 도 1 내지 도 4의 표시 장치(100)와 비교하여, 더미 접지라인(270)의 구성만이 상이할 뿐이며, 다른 구성들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하기로 한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 전술한 바와 같이 제2 표시 영역(AA2)은 서브 화소가 배치되지 않는 노치 영역(NTA)으로 인해서 배선의 길이가 제1 표시 영역(AA1)에 비해 짧을 수 있다. 이에 따라, 예를 들면, 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))과 제2 표시 영역(AA2)에 배치된 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))의 RC 부하에 차이가 발생하게 된다.
이에, 이를 보상하기 위해, 본 발명의 다른 실시예는 노치 영역(NTA)에 RC 부하 보상용 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))을 배치하고, 더미 접지라인(270)을 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n)) 쪽으로 연장하여 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과 중첩시키는 것을 특징으로 한다.
노치 영역(NTA)에는, 예를 들면, 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))이 배치될 수 있다. 또한, 접지라인(GL) 하부에는 접지라인(GL)을 따라 더미 접지라인(270)이 배치될 수 있다. 그리고, 더미 접지라인(270)은 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n)) 쪽으로 연장하여 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과 중첩할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
이때, 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))은 노치 영역(NTA)의 형상을 따라 배치될 수 있다.
터치 감도를 고려하여 노치 영역(NTA) 좌우의 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))은 2열로 배치할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 예를 들면, n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n)) 및 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))과 수직한 방향으로 m번째 구동 터치전극 라인(D-TL(m)) 및 m+1번째 구동 터치전극 라인(D-TL(m+1))이 배치될 수 있다.
구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))은 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))과 동일한 물질로 구성되고, 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 이 경우 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))은 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))과의 단락을 방지하기 위해서 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))이 지나가는 영역에서 양측으로 분리되며, 분리된 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))은 브릿지 패턴(164)을 통해 연결될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 즉, 양측으로 분리된 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))은 제1 컨택홀(140a)을 통해 브릿지 패턴(164)과 전기적으로 연결됨에 따라 서로 연결될 수 있다.
반면에, 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1))은 양측으로 분리된 구동 터치전극 라인(D-TL(m), D-TL(m+1)) 사이에서 연장되어 상하로 연결될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한, 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))은 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))과 동일한 물질로 구성되고, 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1), S-TL(n))이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
또한, 더미 접지라인(270)은 브릿지 패턴(164)과 동일한 물질로 구성되고, 브릿지 패턴(164)이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))은 연결 라인(CL)을 통해 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 연결 라인(CL)이 지나가는 접지라인(GL)은 상하로 분리되며, 분리된 접지라인(GL)은 제2 컨택홀(140b)을 통해 더미 접지라인(170a)과 전기적으로 연결됨에 따라 서로 연결될 수 있다.
더미 접지라인(270)은 하부의 캐소드(123)와 중첩하여 배치될 수 있다. 캐소드(123)는 비표시 영역으로 연장될 수 있으며, 노치 영역(NTA)으로도 연장될 수 있다. 즉, 더미 접지라인(270)은 봉지부(150) 및 제1 무기 절연층(161) 하부에 배치되는 캐소드(123)와 함께 커패시터(Cgc)를 형성할 수 있다.
또한, 더미 접지라인(270)은 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))으로 연장하여 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과 중첩할 수 있다. 즉, 더미 접지라인(270)은 제2 무기 절연층(162) 위에 배치되는 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과 함께 추가 커패시터(Cgs)를 형성할 수 있다.
더미 접지라인(270)은 접지라인(GL) 및 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n)) 사이에도 배치될 수 있다.
더미 접지라인(270)은 제2 컨택홀(140b)을 통해 접지라인(GL)과 연결되는 반면, 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과는 절연될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 다른 실시예는, 노치 영역(NTA)에 RC 부하 보상용 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))을 배치하고, 더미 접지라인(270)을 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))으로 연장하여 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과 중첩하여 추가 커패시터(Cgs)를 형성함에 따라, 예를 들면, 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))과 제2 표시 영역(AA2)에 배치된 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n)) 사이의 RC 부하 차이를 현저하게 개선할 수 있다.
즉, 본 발명의 다른 실시예는, 전술한 본 발명의 일 실시예에 비해 추가 커패시터(Cgs)의 형성으로 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))과 제2 표시 영역(AA2)에 배치된 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n)) 사이에 커패시턴스 차이를 보상할 수 있게 된다.
본 발명의 다른 실시예는, 예를 들면, 노치 영역(NTA) 좌우에 마지막으로 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))이 배치될 경우, 노치 영역(NTA)에 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))을 추가로 형성하는 동시에, 더미 접지라인(270)을 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))으로 연장하여 노치부 센싱 터치라인(N-TL(n))과 중첩시킴으로써 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))의 커패시턴스를 보상하는 것을 특징으로 한다. 즉, 노치 영역(NTA)에 설계된 n번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n))과 그 외 영역에 설계된 n-1번째 센싱 터치전극 라인(S-TL(n-1))을 포함하는 센싱 터치전극 라인 사이의 RC 편차가 보상될 수 있다. 이에 따라 터치 감도 불균일을 개선하고, 터치 성능을 최적화할 수 있게 된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서의 RC 매칭 결과를 보여주는 그래프이다.
도 8은 센싱 터치전극 라인의 순서에 따른 RC 딜레이(τ)를 보여주고 있다.
여기서, 1번째 센싱 터치전극 라인은 표시 영역의 최하단에 배치되는 센싱 터치전극 라인을 의미하며, 29번째 센싱 터치전극 라인은 노치 영역을 포함하는 표시 영역의 최상단에 배치되는 센싱 터치전극 라인을 의미한다.
도 8을 참조하면, 노치 영역을 포함하여 전 표시 영역에서 RC 딜레이(τ)가 약 4.9% 내에서 제어되는 것을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 다른 실시예는, 전술한 본 발명의 일 실시예에 비해 추가 커패시터(Cgs)의 형성으로 29번째 센싱 터치전극 라인에서의 RC 딜레이(τ) 역시 1-28번째 센싱 터치전극 라인에서의 RC 딜레이(τ)와 유사하게 유지되는 것을 알 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역 중 상기 노치 영역 하부의 제1 표시 영역 및 상기 노치 영역 좌우의 제2 표시 영역에 배치된 복수의 센싱 터치전극 라인, 상기 노치 영역에 배치되며, 상기 노치 영역 좌우의 제2 표시 영역에 분리되어 배치된 센싱 터치전극 라인을 연결하는 노치부 센싱 터치라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인 주위에 배치되는 접지라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 표시 장치는, 상기 표시 영역에 배치되며, 애노드와 발광층 및 캐소드로 구성되는 발광 소자를 더 포함하며, 상기 캐소드는, 상기 노치 영역을 포함하여 상기 비표시 영역으로 일부 연장될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 표시 장치는, 상기 접지라인 하부에 배치된 더미 접지라인을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 표시 장치는, 상기 노치부 센싱 터치라인 하부에 배치된 더미 노치부 센싱 터치라인을 더 포함하며, 상기 더미 전지라인 및 상기 더미 노치부 센싱 터치라인은 상기 접지라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인을 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 표시 장치는, 상기 표시 영역에 배치되며, 상기 복수의 센싱 터치전극 라인과 수직한 방향으로 배치되는 복수의 구동 터치전극 라인을 더 포함하며, 상기 구동 터치전극 라인은, 상기 센싱 터치전극 라인과 동일한 물질로 구성되고, 상기 센싱 터치전극 라인이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 센싱 터치전극 라인은, 상기 구동 터치전극 라인이 지나가는 영역에서 양측으로 분리되며, 상기 분리된 센싱 터치전극 라인은 브릿지 패턴을 통해 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 분리된 센싱 터치전극 라인은 제1 컨택홀을 통해 상기 브릿지 패턴에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 구동 터치전극 라인은 상기 분리된 구동 터치전극 라인 사이에서 연장되어 상하로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 접지라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인은, 상기 센싱 터치전극 라인과 동일한 물질로 구성되고, 상기 센싱 터치전극 라인이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노치부 센싱 터치라인은 연결 라인을 통해 상기 제2 표시 영역에 배치된 상기 센싱 터치전극 라인과 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 접지라인은 상기 연결 라인이 지나가는 영역에서 상하로 분리되며, 상기 상하로 분리된 접지라인은 제2 컨택홀을 통해 상기 더미 접지라인과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노치부 센싱 터치라인은, 제3 컨택홀을 통해 상기 더미 노치부 센싱 터치라인과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 더미 접지라인 및 상기 더미 노치부 센싱 터치라인은 상기 캐소드와 중첩하여 각각 커패시터를 구성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 더미 접지라인은 상기 브릿지 패턴과 동일한 물질로 구성되고, 상기 브릿지 패턴이 배치되는 동일한 층에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 더미 접지라인은, 상기 노치부 센싱 터치라인으로 연장하여 상기 캐소드와 중첩하여 커패시터를 구성하며, 상기 노치부 센싱 터치라인과 중첩하여 추가 커패시터를 구성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 더미 접지라인은, 상기 접지라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인 사이에도 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 더미 접지라인은 상기 노치부 센싱 터치라인과 절연될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 배치된 복수의 센싱 터치전극 라인, 상기 표시 영역에 배치되며, 애노드와 발광층 및 캐소드로 구성되는 발광 소자, 상기 노치 영역에 배치되며, 상기 노치 영역 좌우의 상기 센싱 터치전극 라인을 연결하는 노치부 센싱 터치라인, 상기 노치부 센싱 터치라인 주위에 배치되는 접지라인 및 상기 접지라인 하부에 배치된 더미 접지라인을 포함하며, 상기 접지라인은 상기 노치부 센싱 터치라인으로 연장하여 상기 캐소드와 중첩하여 커패시터를 구성하는 동시에, 상기 노치부 센싱 터치라인과 중첩하여 추가 커패시터를 구성할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200: 표시 장치
110: 기판
111: 평탄화층
112: 뱅크
120: 발광 소자
121: 애노드
122: 발광층
123: 캐소드
130: 댐
140: 패드부
150: 봉지부
151: 제1 무기 봉지층
152: 유기 봉지층
153: 제2 무기 봉지층
160: 터치부
161: 제1 무기 절연층
162: 제2 무기 절연층
163: 유기 절연층
164: 브릿지 패턴
165: 터치전극
170a, 270: 더미 접지라인
170b: 더미 노치부 센싱 터치라인
AA: 표시 영역
AA1: 제1 표시 영역
AA2: 제2 표시 영역
D-RL: 구동 라우팅 배선
D-TL: 구동 터치라인
EA: 발광 영역
GL: 접지라인
NA: 비표시 영역
NEA: 비발광 영역
NTA: 노치 영역
N-TL, N-TL(n): 노치부 센싱 터치라인
SP: 서브 화소
S-RL1, S-RL2: 센싱 라우팅 배선
S-TL1, S-TL2: 센싱 터치라인
TFT: 트랜지스터

Claims (18)

  1. 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역 중 상기 노치 영역 하부의 제1 표시 영역 및 상기 노치 영역 좌우의 제2 표시 영역에 배치된 복수의 센싱 터치전극 라인;
    상기 노치 영역에 배치되며, 상기 노치 영역 좌우의 제2 표시 영역에 분리되어 배치된 센싱 터치전극 라인을 연결하는 노치부 센싱 터치라인; 및
    상기 노치부 센싱 터치라인 주위에 배치되는 접지라인을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시 영역에 배치되며, 애노드와 발광층 및 캐소드로 구성되는 발광 소자를 더 포함하며,
    상기 캐소드는, 상기 노치 영역을 포함하여 상기 비표시 영역으로 일부 연장되는, 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 접지라인 하부에 배치된 더미 접지라인을 더 포함하는, 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 노치부 센싱 터치라인 하부에 배치된 더미 노치부 센싱 터치라인을 더 포함하며,
    상기 더미 전지라인 및 상기 더미 노치부 센싱 터치라인은 상기 접지라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인을 따라 배치되는, 표시 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 표시 영역에 배치되며, 상기 복수의 센싱 터치전극 라인과 수직한 방향으로 배치되는 복수의 구동 터치전극 라인을 더 포함하며,
    상기 구동 터치전극 라인은, 상기 센싱 터치전극 라인과 동일한 물질로 구성되고, 상기 센싱 터치전극 라인이 배치되는 동일한 층에 배치되는, 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 센싱 터치전극 라인은, 상기 구동 터치전극 라인이 지나가는 영역에서 양측으로 분리되며, 상기 분리된 센싱 터치전극 라인은 브릿지 패턴을 통해 연결되는, 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 분리된 센싱 터치전극 라인은 제1 컨택홀을 통해 상기 브릿지 패턴에 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 구동 터치전극 라인은 상기 분리된 구동 터치전극 라인 사이에서 연장되어 상하로 연결되는, 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 접지라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인은, 상기 센싱 터치전극 라인과 동일한 물질로 구성되고, 상기 센싱 터치전극 라인이 배치되는 동일한 층에 배치되는, 표시 장치.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 노치부 센싱 터치라인은 연결 라인을 통해 상기 제2 표시 영역에 배치된 상기 센싱 터치전극 라인과 연결되는, 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 접지라인은 상기 연결 라인이 지나가는 영역에서 상하로 분리되며,
    상기 상하로 분리된 접지라인은 제2 컨택홀을 통해 상기 더미 접지라인과 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 노치부 센싱 터치라인은, 제3 컨택홀을 통해 상기 더미 노치부 센싱 터치라인과 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
  13. 제 4 항에 있어서,
    상기 더미 접지라인 및 상기 더미 노치부 센싱 터치라인은 상기 캐소드와 중첩하여 각각 커패시터를 구성하는, 표시 장치.
  14. 제 6 항에 있어서,
    상기 더미 접지라인은 상기 브릿지 패턴과 동일한 물질로 구성되고, 상기 브릿지 패턴이 배치되는 동일한 층에 배치되는, 표시 장치.
  15. 제 3 항에 있어서,
    상기 더미 접지라인은, 상기 노치부 센싱 터치라인으로 연장하여 상기 캐소드와 중첩하여 커패시터를 구성하며, 상기 노치부 센싱 터치라인과 중첩하여 추가 커패시터를 구성하는, 표시 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 더미 접지라인은, 상기 접지라인 및 상기 노치부 센싱 터치라인 사이에도 배치되는, 표시 장치.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 더미 접지라인은 상기 노치부 센싱 터치라인과 절연되는, 표시 장치.
  18. 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역에 배치된 복수의 센싱 터치전극 라인;
    상기 표시 영역에 배치되며, 애노드와 발광층 및 캐소드로 구성되는 발광 소자;
    상기 노치 영역에 배치되며, 상기 노치 영역 좌우의 상기 센싱 터치전극 라인을 연결하는 노치부 센싱 터치라인;
    상기 노치부 센싱 터치라인 주위에 배치되는 접지라인; 및
    상기 접지라인 하부에 배치된 더미 접지라인을 포함하며,
    상기 접지라인은 상기 노치부 센싱 터치라인으로 연장하여 상기 캐소드와 중첩하여 커패시터를 구성하는 동시에, 상기 노치부 센싱 터치라인과 중첩하여 추가 커패시터를 구성하는, 표시 장치.
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