CN106020544B - 一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置，涉及显示技术领域，以减少触控显示装置的触控不良率。所述触控显示面板包括依次层叠设置的薄膜晶体管、公共电极和像素电极，薄膜晶体管的栅极位于源极和漏极的下方，形成栅极的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物；还包括触控块金属和触控过渡块，触控块金属与源极和漏极同层设置且互不相连；触控过渡块与栅极同层设置且互不相连；触控过渡块分别与公共电极和触控块金属连接。触控信号经触控过渡块在公共电极和触控块金属之间传递，减小触控信号在公共电极与触控块金属之间传递时阻力，减小触控显示装置的触控不良率。本发明提供的触控显示面板用于触控显示装置中。

Description

一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，触控显示装置被人们广泛地使用于智能手机、平板电脑、电视等电子产品中，以使人们的生活更加便捷。目前，触控显示装置通常分为外挂式的触控显示装置和内嵌式的触控显示装置，其中，内嵌式的触控显示装置包括触控显示面板，触控显示面板中集成有具有触控功能的触控电极，内嵌式的触控显示装置具有结构轻薄及窄边框等优点，是目前触控显示装置的主要发展趋势。

通常，在现有的内嵌式的触控显示装置中，其中一种触控显示面板包括依次层叠设置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)、公共电极和像素电极，薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，薄膜晶体管的栅极位于源极和漏极的下方，通常，公共电极可充当触控电极，上述触控显示面板还包括触控块金属(Touch Pattern Metal，TPM)，触控块金属与薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，公共电极与触控块金属连接，触控信号(Touch信号)在触控块金属和公共电极之间传递。

在上述触控显示面板中，薄膜晶体管的源极和漏极的材料通常为钛-铝-钛(Ti-Al-Ti)，因而触控块金属的材料也为钛-铝-钛，公共电极与触控块金属中的钛(Ti)连接，由于钛在等离子环境或者由高温切换至低温的情况下容易发生氧化，且钛的氧化物难以去除，因而导致公共电极与触控块金属之间的电阻较大，进而引起触控信号在公共电极与触控块金属之间传递时发生延迟，导致触控显示装置的触控不良的现象的发生，触控显示装置的触控不良率较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置，用于减少触控显示装置的触控不良率。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种触控显示面板，包括依次层叠设置的薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置且互不相连，所述漏极与所述像素电极连接；所述薄膜晶体管的栅极位于所述源极和所述漏极的下方，形成所述栅极的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物；

所述触控显示面板还包括触控块金属和触控过渡块，所述触控块金属与所述源极和所述漏极同层设置且互不相连；所述触控过渡块与所述栅极同层设置且互不相连；所述触控过渡块分别与所述公共电极和所述触控块金属连接。

基于上述触控显示面板的技术方案，本发明的第二方面提供一种触控显示装置，所述触控显示装置设置有如上述技术方案所述的触控显示面板。

基于上述触控显示面板的技术方案，本发明的第三方面提供一种触控显示面板的制作方法，用于制作如上述技术方案所述的触控显示面板，包括：

形成薄膜晶体管、触控块金属和触控过渡块，其中，所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置且互不相连；所述薄膜晶体管的栅极位于所述源极和所述漏极的下方，形成所述栅极的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物；所述触控块金属与所述源极和所述漏极同层设置且互不相连；所述触控过渡块与所述栅极同层设置且互不相连，所述触控过渡块与所述触控块金属连接；

在所述薄膜晶体管的上方形成公共电极，所述公共电极与所述触控过渡块连接；

在所述公共电极的上方形成像素电极，所述像素电极与所述漏极连接。

在本发明提供的触控显示面板中，栅极位于源极和漏极的下方，触控过渡块与栅极同层设置，触控块金属与源极和漏极同层设置，触控过渡块分别与公共电极和触控块金属连接，因此，在制作本发明提供的触控显示面板时，触控过渡块先于触控块金属形成，而由于形成栅极的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物，因而形成栅极的金属对应的金属氧化物容易去除，也就是说，形成触控过渡块的金属对应的金属氧化物容易去除，因此，触控块金属和公共电极分别与触控过渡块连接时，可以对触控过渡块进行清理，以减少金属氧化物的量，减小触控块金属与触控过渡块之间、公共电极与触控过渡块之间的电阻，减小触控信号在公共电极与触控块金属之间传递时阻力，从而减小触控显示装置的触控不良的现象的发生，进而减小触控显示装置的触控不良率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的触控显示面板的俯视图；

图2为本发明实施例提供的触控显示面板的截面图；

图3为本发明实施例提供的一种触控显示面板的制作方法的流程图；

图4为本发明实施例提供的另一种触控显示面板的制作方法的流程图。

附图标记：

1-衬底基板， 2-遮光层，

3-缓冲层， 4-多晶硅有源层，

5-栅极绝缘层， 6-栅极，

7-触控过渡块， 8-第一层间绝缘层，

9-源极， 10-漏极，

11-触控块金属， 12-第二层间绝缘层，

13-公共电极， 14-第三层间绝缘层，

15-像素电极。

具体实施方式

为了进一步说明本发明实施例提供的触控显示面板及其制作方法、触控显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

请参阅图1和图2，本发明实施例提供的触控显示面板包括依次层叠设置的薄膜晶体管、公共电极13和像素电极15，薄膜晶体管的源极9和漏极10同层设置且互不相连，漏极10与像素电极15连接；薄膜晶体管的栅极6位于源极9和漏极10的下方，形成栅极6的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物；所述触控显示面板还包括触控块金属11和触控过渡块7，触控块金属11与源极9和漏极10同层设置且互不相连；触控过渡块7与栅极6同层设置且互不相连；触控过渡块7分别与公共电极13和触控块金属11连接。

具体实施时，请继续参阅图1和图2，本发明实施例提供的触控显示面板包括：衬底基板1，以及形成在衬底基板1的上方的薄膜晶体管、公共电极13、像素电极15、触控过渡块7和触控块金属11，其中，薄膜晶体管包括栅极6、源极9和漏极10，源极9和漏极10同层设置且互不相连，即形成源极9的金属和形成漏极10的金属相同，且源极9和漏极10通过一次构图工艺同时形成，栅极6位于源极9和漏极10背向公共电极13的一侧，即栅极6位于源极9和漏极10的下方，且形成栅极6的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物，例如，形成栅极6的金属可以为钼或者钼-铝，钼的氧化物通常为水溶性氧化物；触控过渡块7与栅极6同层设置，且触控过渡块7与栅极6不相连，即形成触控过渡块7的金属和形成栅极6的金属相同，且触控过渡块7和栅极6通过一次构图工艺同时形成；触控块金属11与源极9和漏极10同层设置，且触控块金属11不与源极9和漏极10相互连接，即形成触控块金属11的金属与形成源极9和漏极10的金属相同，且触控块金属11、源极9和漏极10通过一次构图工艺同时形成，触控块金属11与触控过渡块7连接；公共电极13和像素电极15依次层叠设置在薄膜晶体管的上，公共电极13与触控过渡块7连接，像素电极15与漏极10连接。当上述触控显示面板工作时，触控信号可以通过触控过渡块7在触控块金属11和公共电极13之间传递，例如，触控信号由触控块金属11经触控过渡块7传递至公共电极13，或者，触控信号由公共电极13经触控过渡块7传递至触控块金属11。

在本发明实施例提供的触控显示面板中，栅极6位于源极9和漏极10的下方，触控过渡块7与栅极6同层设置，触控块金属11与源极9和漏极10同层设置，触控过渡块7分别与公共电极13和触控块金属11连接，因此，在制作本发明实施例提供的触控显示面板时，触控过渡块7先于触控块金属11形成，而由于形成栅极6的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物，因而形成栅极6的金属对应的金属氧化物容易去除，也就是说，形成触控过渡块7的金属对应的金属氧化物容易去除，因此，触控块金属11和公共电极13分别与触控过渡块7连接时，可以对触控过渡块7进行清理，以减少金属氧化物的量，减小触控块金属11与触控过渡块7之间、公共电极13与触控过渡块7之间的电阻，减小触控信号在公共电极13与触控块金属11之间传递时阻力，从而减小触控显示装置的触控不良的现象的发生，进而减小触控显示装置的触控不良率。

另外，在本发明实施例中，触控过渡块7与栅极6同层设置，触控块金属11与源极9和漏极10同层设置，即触控过渡块7和栅极6通过一次构图工艺同时形成，触控块金属11、源极9和漏极10通过一次构图工艺同时形成，因此，与分别单独形成触控过渡块7和触控块金属11相比，可以减少掩膜板的使用数量，降低成本，并减少制作触控显示面板的工艺，节省时间。

在本发明实施例中，所述触控显示面板还包括黑矩阵，触控过渡块7在黑矩阵上的正投影落入黑矩阵内；触控块金属11在黑矩阵上的正投影落入黑矩阵内。举例来说，本发明实施例提供的触控显示面板可以包括与衬底基板1相对设置的透明基板，透明基板朝向衬底基板1的侧面上设置有黑矩阵，黑矩阵与衬底基板1上的栅线和数据线对应，触控过渡块7在黑矩阵上的正投影落入黑矩阵内，即触控过渡块7在衬底基板1上的正投影落入黑矩阵在衬底基板1上的正投影内，或者，触控过渡块7在透明基板上的正投影落入黑矩阵在透明基板上的正投影内；触控块金属11在黑矩阵上的正投影落入黑矩阵内，即触控块金属11在衬底基板1上的正投影落入黑矩阵在衬底基板1上的正投影内，或者，触控块金属11在透明基板上的正投影落入黑矩阵在透明基板上的正投影内。如此设计，可以避免触控过渡块7和触控块金属11占据触控显示面板的像素区，从而可以防止触控显示面板的开口率降低。

上述实施例提供的触控显示面板中，薄膜晶体管的栅极6位于源极9和漏极10的下方，在实际应用中，薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管，或者，薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管。

在本发明实施例中，请继续参阅图1和图2，薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管包括：依次层叠设置的多晶硅有源层4、栅极绝缘层5、栅极6、第一层间绝缘层8，以及设置在第一层间绝缘层8上的源极9和漏极10，源极9和漏极10分别与多晶硅有源层4连接。具体地，上述触控显示面板包括衬底基板1，衬底基板1的上方依次层叠设置有多晶硅有源层4、栅极绝缘层5、栅极6、第一层间绝缘层8，源极9和漏极10设置在第一层间绝缘层8上，其中，栅极绝缘层5覆盖多晶硅有源层4和多晶硅有源层4下面的结构层，第一层间绝缘层8覆盖栅极6、栅极绝缘层5以及与栅极6同层设置的触控过渡块7，衬底基板1的上方还设置有分别依次贯穿第一层间绝缘层8、栅极绝缘层5的源极过孔和漏极过孔，以及贯穿第一层间绝缘层8的第一过孔，源极过孔和漏极过孔分别暴露出多晶硅有源层4，第一过孔暴露出触控过渡块7，源极9通过源极过孔与多晶硅有源层4连接，漏极10通过漏极过孔与多晶硅有源层4连接，触控块金属11通过第一过孔与触控过渡块7连接。

请继续参阅图2，本发明实施例提供的触控显示面板还包括设置在多晶硅有源层4背向栅极绝缘层5的一侧的遮光层2和缓冲层3，遮光层2与栅极6相对；缓冲层3位于遮光层2和多晶硅有源层4之间。具体地，本发明实施例提供的触控显示面板包括衬底基板1，衬底基板1上设置有遮光层2，遮光层2与栅极6相对，衬底基板1和遮光层2上覆盖有缓冲层3。遮光层2的设置，可以防止背光源提供的背光对多晶硅有源层4和栅极6产生不良影响；缓冲层3的设置，可以将多晶硅有源层4与衬底基板1隔离，防止衬底基板1中的离子在背光源提供的背光的作用下移至多晶硅有源层4中，进而防止薄膜晶体管失效。

请继续参阅图2，在本发明实施例提供的触控显示面板中，公共电极13与薄膜晶体管之间设置有第二层间绝缘层12；像素电极15与公共电极13之间设置有第三层间绝缘层14。具体地，本发明实施例提供的触控显示面板包括衬底基板1，衬底基板1上依次层叠设置有遮光层2、缓冲层3、薄膜晶体管、第二层间绝缘层12、公共电极13、第三层间绝缘层14和像素电极15，薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管包括依次层叠设置在缓冲层3上的多晶硅有源层4、栅极绝缘层5、栅极6、第一层间绝缘层8、源极9和漏极10，其中源极9和漏极10同层设置；衬底基板1的上方还设置有触控过渡块7和触控块金属11，触控过渡块7与栅极6同层设置，触控块金属11与源极9和漏极10同层设置；第二层间绝缘层12设置在源极9和漏极10上，且第二层间绝缘层12覆盖源极9、漏极10、触控块金属11以及第一层间绝缘层8；第三层间绝缘层14设置在公共电极13上，且第三层间绝缘层14覆盖公共电极13和第二层间绝缘层12。

本发明实施例还提供一种触控显示装置，所述触控显示装置设置有如上述实施例所述的触控显示面板。

所述触控显示装置与上述触控显示面板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。

请参阅图3，本发明实施例还提供一种触控显示面板的制作方法，用于制作如上述实施例所述的触控显示面板，包括：

步骤100、形成薄膜晶体管、触控块金属和触控过渡块，其中，薄膜晶体管的源极和漏极同层设置且互不相连；薄膜晶体管的栅极位于源极和漏极的下方，形成栅极的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物；触控块金属与源极和漏极同层设置且互不相连；触控过渡块与栅极同层设置且互不相连，触控过渡块与触控块金属连接；

步骤300、在薄膜晶体管的上方形成公共电极，公共电极与触控过渡块连接；

步骤500、在公共电极的上方形成像素电极，像素电极与漏极连接。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于面板实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见面板实施例的部分说明即可。

请参阅图4，薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管包括多晶硅有源层、栅极绝缘层、栅极、第一层间绝缘层、源极和漏极；步骤100、形成薄膜晶体管、触控块金属和触控过渡块包括：

步骤110、形成多晶硅有源层；

步骤120、在多晶硅有源层上形成栅极绝缘层；

步骤130、在栅极绝缘层上形成栅极和触控过渡块；

步骤140、在栅极和触控块金属上形成第一层间绝缘层；

步骤150、形成贯穿第一层间绝缘层和栅极绝缘层的源极过孔和漏极过孔，以及贯穿第一层间绝缘层的第一过孔，源极过孔和漏极过孔分别暴露出多晶硅有源层，第一过孔暴露出触控过渡块；

步骤160、在第一层间绝缘层上形成源极、漏极和触控块金属，源极通过源极过孔与多晶硅有源层连接，漏极通过漏极过孔与多晶硅有源层连接，触控块金属通过第一过孔与触控过渡块连接。

请继续参阅图4，触控显示面板还包括遮光层和缓冲层；在步骤100、形成薄膜晶体管、触控块金属和触控过渡块之前，所述触控显示面板的制作方法还包括：

步骤10、形成遮光层，遮光层与栅极相对；

步骤20、在遮光层上形成缓冲层。

请继续参阅图4，公共电极与薄膜晶体管之间设置有第二层间绝缘层；像素电极与公共电极之间设置有第三层间绝缘层；在步骤160、在第一层间绝缘层上形成源极、漏极和触控块金属之后，在步骤300、在薄膜晶体管的上方形成公共电极之前，所述触控显示面板的制作方法还包括：

步骤210、在源极、漏极和触控块金属上形成第二层间绝缘层；

步骤220、形成贯穿第二层间绝缘层和第一层间绝缘层的第二过孔，第二过孔暴露出触控过渡块。

在薄膜晶体管的上方形成公共电极后，即在第二层间绝缘层上形成公共电极后，公共电极即可通过第二过孔与触控过渡块连接。

在步骤300、在薄膜晶体管的上方形成公共电极之后，在步骤500、在公共电极的上方形成像素电极之前，所触控显示面板的制作方法还包括：

步骤410、在公共电极上形成第三层间绝缘层；

步骤420、形成贯穿第三层间绝缘层和第二层间绝缘层的像素过孔，像素过孔暴露出漏极。

在公共电极的上方形成像素电极后，即在第三层间绝缘层上形成像素电极后，像素电极即可通过像素过孔与漏极连接。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种触控显示面板，其特征在于，包括依次层叠设置的薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置且互不相连，所述漏极与所述像素电极连接；所述薄膜晶体管的栅极位于所述源极和所述漏极的下方，形成所述栅极的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物；

所述触控显示面板还包括触控块金属和触控过渡块，所述触控块金属与所述源极和所述漏极同层设置且互不相连；所述触控过渡块与所述栅极同层设置且互不相连；形成所述触控过渡块的金属与形成所述栅极的金属相同；所述触控过渡块分别与所述公共电极和所述触控块金属连接。

2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括黑矩阵，所述触控过渡块在所述黑矩阵上的正投影落入所述黑矩阵内；所述触控块金属在所述黑矩阵上的正投影落入所述黑矩阵内。

3.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：依次层叠设置的多晶硅有源层、栅极绝缘层、所述栅极、第一层间绝缘层，以及设置在所述第一层间绝缘层上的所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别与所述多晶硅有源层连接。

4.根据权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括设置在所述多晶硅有源层背向所述栅极绝缘层的一侧的遮光层和缓冲层，所述遮光层与所述栅极相对；所述缓冲层位于所述遮光层和所述多晶硅有源层之间。

5.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述公共电极与所述薄膜晶体管之间设置有第二层间绝缘层；所述像素电极与所述公共电极之间设置有第三层间绝缘层。

6.一种触控显示装置，其特征在于，所述触控显示装置设置有如权利要求1-5任一所述的触控显示面板。

7.一种触控显示面板的制作方法，用于制作如权利要求1-5任一所述的触控显示面板，其特征在于，包括：

形成薄膜晶体管、触控块金属和触控过渡块，其中，所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置且互不相连；所述薄膜晶体管的栅极位于所述源极和所述漏极的下方，形成所述栅极的金属对应的金属氧化物为水溶性金属氧化物；所述触控块金属与所述源极和所述漏极同层设置且互不相连；所述触控过渡块与所述栅极同层设置且互不相连，形成所述触控过渡块的金属与形成所述栅极的金属相同；所述触控过渡块与所述触控块金属连接；

在所述薄膜晶体管的上方形成公共电极，所述公共电极与所述触控过渡块连接；

在所述公共电极的上方形成像素电极，所述像素电极与所述漏极连接。

8.根据权利要求7所述的触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括多晶硅有源层、栅极绝缘层、所述栅极、第一层间绝缘层、所述源极和所述漏极；

所述形成薄膜晶体管、触控块金属和触控过渡块的步骤包括：

形成所述多晶硅有源层；

在所述多晶硅有源层上形成所述栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成所述栅极和所述触控过渡块；

在所述栅极和所述触控块金属上形成所述第一层间绝缘层；

形成贯穿所述第一层间绝缘层和所述栅极绝缘层的源极过孔和漏极过孔，以及贯穿所述第一层间绝缘层的第一过孔，所述源极过孔和所述漏极过孔暴露出所述多晶硅有源层，所述第一过孔暴露出所述触控过渡块；

在所述第一层间绝缘层上形成所述源极、所述漏极和所述触控块金属，所述源极通过所述源极过孔与所述多晶硅有源层连接，所述漏极通过所述漏极过孔与所述多晶硅有源层连接，所述触控块金属通过所述第一过孔与所述触控过渡块连接。

9.根据权利要求8所述的触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述触控显示面板还包括遮光层和缓冲层；

在所述形成薄膜晶体管、触控块金属和触控过渡块的步骤之前，所述触控显示面板的制作方法还包括：

形成所述遮光层，所述遮光层与所述栅极相对；

在所述遮光层上形成所述缓冲层。

10.根据权利要求8所述的触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述公共电极与所述薄膜晶体管之间设置有第二层间绝缘层；所述像素电极与所述公共电极之间设置有第三层间绝缘层；

所述在所述第一层间绝缘层上形成所述源极、所述漏极和所述触控块金属的步骤之后，所述在所述薄膜晶体管的上方形成公共电极的步骤之前，所述触控显示面板的制作方法还包括：

在所述源极、所述漏极和所述触控块金属上形成所述第二层间绝缘层；

形成贯穿所述第二层间绝缘层和所述第一层间绝缘层的第二过孔，所述第二过孔暴露出所述触控过渡块；

所述在所述薄膜晶体管的上方形成公共电极之后、所述在所述公共电极的上方形成像素电极之前，所述触控显示面板的制作方法还包括：

在所述公共电极上形成所述第三层间绝缘层；

形成贯穿所述第三层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的像素过孔，所述像素过孔暴露出所述漏极。