CN114721553B - 触控结构、oled触控显示面板及制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及显示技术领域，提供了触控结构、OLED触控显示面板及制作方法，触控结构包括：间隔设置的第一栅极、第二栅极及信号传输层；覆盖第一栅极、第二栅极及信号传输层的栅极绝缘层；间隔设置于栅极绝缘层的上表面的各金属氧化物层，以及间隔设置在各金属氧化物层的上表面对应的源极和漏极；隔开各源极和漏极的第一绝缘层，第一绝缘层的上表面设有与信号传输层连接的第一触控电极；覆盖第一触控电极的第二绝缘层；以及设置于第二绝缘层的上表面的第二触控电极，第二触控电极与第一漏极及第二源极连接。本实施例的触控结构，降低了触控结构的重量及厚度，从而降低了OLED触控显示面板的重量及厚度。

Description

触控结构、OLED触控显示面板及制作方法

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种触控结构、OLED触控显示面板及制作方法。

背景技术

随着电子信息技术的迅速发展，电容式触控显示屏广泛应用于智能手机、车载显示、游戏设备、办公设备等各种领域。在OLED显示领域中，现有技术的触控结构通过光学胶黏剂贴附在OLED显示模组上，外挂式OLED触控显示面板具有重量大、厚度大等缺点。

因此，现有技术的外挂式OLED触控显示面板存在重量大、厚度大的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种触控结构、OLED触控显示面板及制作方法，旨在解决现有技术的外挂式OLED触控显示面板存在重量大、厚度大的问题。

本申请实施例的第一方面提供了一种触控结构，包括：

间隔设置的第一栅极、第二栅极及信号传输层；

覆盖所述第一栅极、所述第二栅极及所述信号传输层的栅极绝缘层；

间隔设置于所述栅极绝缘层的上表面的第一金属氧化物层及第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层设置于所述第一栅极上方对应的区域，所述第二金属氧化物层设置于所述第二栅极上方对应的区域；

间隔设置于所述第一金属氧化物层的上表面的第一源极和第一漏极；

间隔设置于所述第二金属氧化物层的上表面的第二源极和第二漏极；

覆盖所述第一源极、所述第一漏极、所述第一金属氧化物层暴露于所述第一源极及所述第一漏极的部分、所述第二源极、所述第二漏极、所述第二金属氧化物层暴露于所述第二源极及第二漏极所述的部分、所述栅极绝缘层暴露于所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层的部分的第一绝缘层，所述第一绝缘层的上表面设有与所述信号传输层连接的第一触控电极；

覆盖所述第一触控电极及所述第一绝缘层暴露于所述第一触控电极的部分的第二绝缘层；以及

设置于所述第二绝缘层的上表面的第二触控电极，所述第二触控电极与所述第一漏极及所述第二源极连接；

所述第二触控电极通过贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的第二通孔与所述第一漏极连接，所述第二触控电极通过贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的第三通孔与所述第二源极连接。

在其中一个实施例中，所述第一触控电极设置于所述信号传输层上方对应的区域，所述第一触控电极通过贯穿所述第一绝缘层与所述栅极绝缘层的第一通孔与所述信号传输层连接。

在其中一个实施例中，

在第一方向上，所述第一栅极的长度大于或者等于所述第一金属氧化物层的长度，所述第二栅极的长度大于或者等于所述第二金属氧化物层的长度，所述第一方向为所述第一栅极和所述第二栅极的排列方向。

在其中一个实施例中，

所述第一绝缘层的厚度大于所述栅极绝缘层的厚度；和/或

所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

在其中一个实施例中，所述触控结构还包括用于承载所述第一栅极、所述第二栅极及所述信号传输层的缓冲层；

所述栅极绝缘层的厚度大于或者等于所述缓冲层的厚度。

在其中一个实施例中，

所述第一栅极的厚度大于或者等于所述第一金属氧化物层的厚度，所述第二栅极的厚度大于或者等于所述第二金属氧化物层的厚度，其中，所述第一栅极的厚度等于所述第二栅极的厚度，所述第一金属氧化物层的厚度等于所述第二金属氧化物层。

本申请实施例的第二方面提供了一种OLED触控显示面板，包括OLED显示模组及触控模组，所述触控模组包括如第一方面内容中任一项所述的触控结构，所述触控结构的第一栅极及第二栅极的一面与所述OLED显示模组的显示面贴合，所述触控模组设在所述OLED显示模组的显示面上。

在其中一个实施例中，所述OLED触控显示面板还包括：

衬底基板；

设于所述衬底基板之上的所述OLED显示模组；

其中，所述OLED触控显示面板还包括沿行方向间隔排列的扫描线及沿列方向间隔排列的数据线，所述扫描线和所述数据线限定出至少一个触控区；

所述第一栅极和所述第二栅极分别与一所述扫描线连接，所述第一源极和所述第二漏极分别与一所述数据线连接，所述第二触控电极与所述第一漏极及所述第二源极连接，所述第一触控电极和所述第二触控电极均设置于所述触控区。

本申请实施例的第三方面提供了一种OLED触控显示面板的制作方法，包括：

在衬底基板的上表面形成所述OLED显示模组；

在所述OLED显示模组的显示面的上表面形成缓冲层；

在所述缓冲层的上表面依次间隔形成第一栅极、第二栅极及信号传输层；

在所述第一栅极、所述第二栅极、所述信号传输层以及被所述第一栅极、所述第二栅极、所述信号传输层覆盖之外的所述缓冲层的上表面形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层的上表面间隔形成第一金属氧化物层及第二金属氧化物层；

在所述第一金属氧化物层的上表面间隔形成第一源极和第一漏极，在所述第二金属氧化物层的上表面间隔形成第二源极和第二漏极；

在所述第一源极、所述第一漏极、所述第一金属氧化物层暴露于所述第一源极及所述第一漏极的部分、所述第二源极、所述第二漏极、所述第二金属氧化物层暴露于所述第二源极及所述第二漏极的部分、所述栅极绝缘层暴露于所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层的部分的上表面形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层的上表面形成与所述信号传输层连接的第一触控电极；

在所述第一触控电极及所述第一绝缘层暴露于所述第一触控电极的部分的上表面形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层的上表面形成与所述第一漏极及所述第二源极连接的第二触控电极；

所述第二触控电极通过贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的第二通孔与所述第一漏极连接，所述第二触控电极通过贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的第三通孔与所述第二源极连接；

在所述第二触控电极的上表面形成钝化层，

其中，所述OLED触控显示面板还包括沿行方向间隔排列的扫描线以及沿列方向间隔排列的数据线，所述扫描线和所述数据线限定出至少一个触控区；

所述第一栅极和所述第二栅极分别与一所述扫描线连接，所述第一源极和所述第二漏极分别与一所述数据线连接，所述第一触控电极和所述第二触控电极均设置于所述触控区。

本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：

通过间隔设置第一栅极、第二栅极及信号传输层；覆盖第一栅极、第二栅极及信号传输层的栅极绝缘层；间隔设置于栅极绝缘层的上表面的第一金属氧化物层及第二金属氧化物层；间隔设置于第一金属氧化物层的上表面的第一源极和第一漏极，间隔设置于第二金属氧化物层的上表面的第二源极和第二漏极；设置覆盖第一源极、第一漏极、第一金属氧化物层暴露于第一源极及第一漏极的部分、第二源极、第二漏极、第二金属氧化物层暴露于第二源极及第二漏极的部分、栅极绝缘层暴露于第一金属氧化物层及第二金属氧化物层的部分的第一绝缘层，在第一绝缘层的上表面设置与信号传输层连接的第一触控电极；设置覆盖第一触控电极及第一绝缘层暴露于第一触控电极的部分的第二绝缘层；设置于第二绝缘层的上表面的第二触控电极，第二触控电极与第一漏极及第二源极连接；由于采用了间隔设置的水平栅极及信号传输层，并将第一触控电极埋设于第二触控电极下方的部分区域，故降低了触控结构的重量，降低了触控结构的厚度，上述触控结构也未使用光学胶黏剂，进而降低了OLED触控显示面板的重量，还降低了OLED触控显示面板的厚度。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种触控结构的剖面结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种OLED触控显示面板示意图；

图3为本申请实施例提供的一种OLED触控显示面板的等效电路示意图；

图4为本申请实施例提供的一种OLED触控显示面板的制作方法的流程示意图；

图5是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S200对应的剖面示意图；

图6是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S300对应的剖面示意图；

图7是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S400对应的剖面示意图；

图8是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S500形成第一金属氧化物层和第二金属氧化物层对应的剖面示意图；

图9是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S500形成第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极对应的剖面示意图；

图10是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S600对应的剖面示意图；

图11是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S700对应的剖面示意图；

图12是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S800对应的剖面示意图；

图13本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S900对应的剖面示意图；

图14是本申请实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法中S1000对应的剖面示意图。

各附图中标记：

100、OLED显示模组；200、触控结构；300、触控区；400、OLED触控显示面板；

41、衬底基板；20、缓冲层；

21、第一薄膜晶体管T1；211、第一栅极；212、第一金属氧化物层；213、第一源极；214、第一漏极；

22、第二薄膜晶体管T2；221、第二栅极；222、第二金属氧化物层；223、第二源极；224、第二漏极；

23、信号传输层；24、栅极绝缘层；251、第一绝缘层；252、第二绝缘层；261、第一触控电极；262、第二触控电极；27、钝化层；

42、扫描线；43、数据线；

C1、第一电容；C2、第二电容；A、节点；V1、第一信号；V2、第二信号；V3、第三信号。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

如图1所示，本申请实施例提供了一种触控结构200，包括：缓冲层20、第一栅极211、第二栅极221、信号传输层23、栅极绝缘层24、第一金属氧化物层212、第二金属氧化物层222、第一源极213、第一漏极214、第二源极223、第二漏极224、第一绝缘层251、第一触控电极261、第二绝缘层252、第二触控电极262以及钝化层27。

其中，第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23间隔设置于缓冲层20的上表面，栅极绝缘层24覆盖第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23，第一金属氧化物层212及第二金属氧化物层222间隔设置于栅极绝缘层24的上表面，第一金属氧化物层212设置于第一栅极211上方对应的区域，第二金属氧化物层222设置于第二栅极221上方对应的区域，第一漏极214和第一源极213间隔设置于第一金属氧化物层212的上表面，第二源极223和第二漏极224间隔设置于第二金属氧化物层222的上表面，第一绝缘层251覆盖第一源极213、第一漏极214、第一金属氧化物层212暴露于第一源极213及第一漏极214的部分、第二源极223、第二漏极224、第二金属氧化物层222暴露于第二源极223及第二漏极224的部分、栅极绝缘层24暴露于第一金属氧化物层212及第二金属氧化物层222的部分，第一绝缘层251的上表面设有与信号传输层23连接的第一触控电极261，第二绝缘层252覆盖第一触控电极261及第一绝缘层251暴露于第一触控电极261的部分；第二绝缘层252的上表面设有第二触控电极262，第二触控电极262与第一漏极214及第二源极223连接，钝化层27覆盖第二触控电极262。第一薄膜晶体管21包括第一栅极211、第一金属氧化物层212、第一源极213以及第一漏极214，第二薄膜晶体管22包括第二栅极221、第二金属氧化物层222、第二源极223以及第二漏极224。本实施例由于采用了间隔设置的水平栅极及信号传输层23，并将第一触控电极261埋设于第二触控电极262下方的部分区域，故降低了触控结构200的重量，降低了触控结构200的厚度，上述触控结构200也未使用光学胶黏剂，进而降低了OLED触控显示面板的重量，还降低了OLED触控显示面板的厚度。

在一些实施例中，第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23都为金属层，第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23均位于缓冲层20的上表面，由栅极绝缘层24将第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23隔开。其中，第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23均可由任意电的良导体材料构成，例如，由铝（Al）、铜（Au）、银（Ag）、钼（Mo）中至少一种材料构成，或为铝（Al）、铜（Au）、银（Ag）、钼（Mo）的任意组合比例形成的合金材料构成。第一金属氧化物层212及第二金属氧化物层222起到有源层的作用。第一金属氧化物层212及第二金属氧化物层222由金属氧化物半导体构成，例如铟镓锌氧化物IGZO(Indium GalliumZinc Oxide)或铟锌氧化物IZO（Indium Zinc Oxide）。

在一些实施例中，栅极绝缘层24和钝化层27(Passivation，PVX)可以由任意电的不良导体材料构成，例如，由氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiOx)层中至少一种材料构成。栅极绝缘层24用于隔离第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23的作用，钝化层27既用于作为具有一定强度的保护层，也具有绝缘的作用。

在一个实施例中，第一触控电极261设置于信号传输层23上方对应的区域，第一触控电极261通过贯穿第一绝缘层251与栅极绝缘层24的第一通孔与信号传输层23连接，使得第一触控电极261与第二触控电极262形成第一电容C1，使得在触控模式时，便于外部的第二信号V2经过信号传输层23通过第一通孔传输到第一触控电极261中。

在一个实施例中，第二触控电极262通过贯穿第二绝缘层252与第一绝缘层251的第二通孔与第一漏极214连接，第二触控电极262通过贯穿第二绝缘层252与第一绝缘层251的第三通孔与第二源极223连接，使得在触控模式时，便于第一信号V1通过第二通孔和第三通孔传输到第二触控电极262中。其中，第一触控电极261的厚度与第二触控电极262的厚度相等，有利于触控结构200的工艺制作，也有利于提升触控结构200的电性能。

在一个实施例中，在第一方向上，第一栅极211的长度大于或者等于第一金属氧化物层212的长度，第二栅极221的长度大于或者等于第二金属氧化物层222的长度，第一方向为图1中箭头所指方向，第一方向为平行于缓冲层20的、第一栅极211和第二栅极221的排列方向。优选地，第一栅极211的长度与第一金属氧化物层212的长度的比例为5:4，第二栅极221的长度与第二金属氧化物层222的长度的比例为5:4。第一栅极211的长度与第一金属氧化物层212的长度的比例，以及第二栅极221的长度与第二金属氧化物层222的长度的比例在本实施例中不进行具体比例的限制，根据触控结构200的薄膜晶体管的性能需求而进行设置，例如，比例还包括3:2、2:1、4:3等。第一栅极211的长度比第一金属氧化物层212的长度长并保持比例，以及第二栅极221的长度与第二金属氧化物层222的长度长并保持比例，有利于第一栅极211和第二栅极221输入电压信号时，能对应形成覆盖第一金属氧化物层212和第二金属氧化物层222的电场，便于控制第一薄膜晶体管21和第二薄膜晶体管22的导通或截止性能。

在一个实施例中，第一绝缘层251的厚度大于栅极绝缘层24的厚度，由于第一绝缘层251中的第一金属氧化物层212、第二金属氧化物层222、第一源极213、第一漏极214、第二源极223以及第二漏极224的厚度大于栅极绝缘层24中第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23的厚度，并为了更好的隔离第一源极213与第一漏极214，更好的隔离第二源极223与第二漏极224，故有利于提升触控结构200的绝缘性能。

在一个实施例中，第一绝缘层251的厚度大于第二绝缘层252的厚度，由于第一绝缘层251中的金属导电能力大于第二绝缘层252中的第一触控电极261的导电能力，故有利于提升触控结构200的绝缘性能。

在另一个实施例中，第一绝缘层251的厚度大于栅极绝缘层24的厚度，且第一绝缘层251的厚度大于第二绝缘层252的厚度。

在一个实施例中，第二绝缘层252的厚度大于或者等于钝化层27的厚度，由于第二绝缘层252中包括第一触控电极261，而钝化层27中没有导电部件，故有利于提升触控结构200的绝缘性能。

在一个实施例中，触控结构200还包括用于承载第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23的缓冲层20，栅极绝缘层24的厚度大于或者等于缓冲层20的厚度，由于栅极绝缘层24中包括第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23，而缓冲层20中没有导电部件，故有利于提升触控结构200的绝缘性能。

在一个实施例中，第一栅极211的厚度大于或者等于第一金属氧化物层212的厚度，第二栅极221的厚度大于或者等于第二金属氧化物层222的厚度，由于第一栅极211和第二栅极221需要传输电压信号，为了降低电阻，故需要增加厚度，而第一金属氧化物层212和第二金属氧化物层222起有源区的作用，主要为半导体材料构成，需要便于控制源漏极的导通或截止程度，故不能做太厚，栅极的厚度大于金属氧化物层的厚度，有利于提升触控结构200的控制性能。其中，第一栅极211的厚度等于第二栅极221的厚度，第一金属氧化物层212的厚度等于第二金属氧化物层222的厚度，有利于提升薄膜晶体管的电性能。可选地，第一栅极211的厚度和第二栅极221的厚度均设置为3000Å~5000Å，第一金属氧化物层212的厚度和第二金属氧化物层222的厚度均设置为1000Å~2000Å。对于第一栅极211的厚度、第二栅极221的厚度、第一金属氧化物层212的厚度及第二金属氧化物层222的厚度的具体数值不进行具体的限定，根据触控结构200的薄膜晶体管的性能需求而进行设置，可选地，第一栅极211的厚度和第二栅极221的厚度均设置为4000Å，第一金属氧化物层212的厚度和第二金属氧化物层222的厚度均设置为1500Å。

如图2所示，本申请实施例的第二方面提供了一种OLED触控显示面板400，包括OLED显示模组100及触控模组（图中未示出），触控模组包括如第一方面内容中任一项所述的触控结构200，触控结构200的第一栅极211及第二栅极221的一面与OLED显示模组100的显示面贴合，触控模组设在OLED显示模组100的显示面上。

在一个实施例中，OLED触控显示面板400还包括：衬底基板41，设于衬底基板41之上的OLED显示模组100。其中，OLED触控显示面板400还包括沿行方向间隔排列的扫描线42及沿列方向间隔排列的数据线43，扫描线42和数据线43限定出至少一个触控区300，第一栅极211和第二栅极221分别与一扫描线42连接，第一源极213和第二漏极224分别与一数据线43连接，第二触控电极262与第一漏极214及第二源极223连接，第一触控电极261和第二触控电极262均设置于触控区300。可以理解的是，图2和图3仅示意了一个触控区300，2条扫描线42和2条数据线43。

在一个实施例中，OLED触控显示面板400包括设于衬底基板41的上表面的OLED显示模组100，以及设于OLED显示模组100之上的触控模组，通过将降低了重量和降低了厚度的触控结构200与OLED显示模组100集成，从而降低了OLED触控显示面板400的重量和厚度。

如图2、图3所示，21为第一薄膜晶体管T1，22为第二薄膜晶体管T2，211为第一栅极G1，213为第一源极S1，214为第一漏极D1，221为第二栅极G2，223为第二源极S2，224为第二漏极D2，其中，T1和T2均为N型薄膜晶体管，U1为信号放大器。

当OLED触控显示面板处于信号重置模式时，由于与第二薄膜晶体管T2的第二栅极G2连接的扫描线42输入高电平Vrst至第二薄膜晶体管T2的第二栅极G2，使得第二薄膜晶体管T2为导通状态，与第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2连接的数据线43输入初始驱动第一信号V1，第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2接入初始驱动信号V1，第二薄膜晶体管T2的第二源极S2输出，以便驱动触控结构200的信号进行复位，触控结构200的信号重置后，控制第二薄膜晶体管T2为截止状态。

当OLED触控显示面板处于触控模式时，与第二薄膜晶体管T2的第二栅极G2连接的扫描线42停止输入高电平Vrst至第二薄膜晶体管T2的第二栅极G2，使得第二薄膜晶体管T2为截止状态；同时，与第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1连接的扫描线42输入高电平VGH至第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1，使得第一薄膜晶体管T1为导通状态。而第一触控电极261与第二触控电极262形成第一电容C1，而手指未触碰第二触控电极262时，手指和第二触控电极262形成第二电容C2。第一电容C1的第一触控电极261端接入经信号传输层23的第二信号V2，由于C1和C2为并联，根据电容计算式，节点A的输入电压V为V1+V2，电容计算式为：V=Q/（c1+c2），其中，Q为电容C1和C2所带的电量，V是节点A电势差，c1为电容C1的电容量，c2为电容C2的电容量。

当手指触碰第二触控电极262时，由于人体接地，会吸收第二电容C2的电流，第二电容C2产生负向电压V3，故节点A的电压变化值为ΔV，ΔV=V1+V2-V3。触控模式结束后，与第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1连接的扫描线42输入低电平VGL至第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1，使得第一薄膜晶体管T1为截止状态。

当OLED触控显示面板处于读取模式时，与第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1连接的扫描线42输入高电平VGH至第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1，使得第一薄膜晶体管T1为导通状态，控制第二薄膜晶体管T2为截止状态。节点A电压变化值为ΔV’=（V2-V3），手指触控第二触控电极262产生的触控电压信号V3，通过第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1流入第一源极S1，经过信号放大器U1放大后被与触控结构200连接的触控芯片读取，通过触控模组的电压信号变化从而定位到触控点的位置。

本实施例与现有技术相比存在的有益效果是：

本实施例提供的一种触控结构及OLED触控显示面板，通过间隔设置第一栅极、第二栅极及信号传输层；覆盖第一栅极、第二栅极及信号传输层的栅极绝缘层；间隔设置于栅极绝缘层的上表面的第一金属氧化物层及第二金属氧化物层；间隔设置于第一金属氧化物层的上表面的第一源极和第一漏极，间隔设置于第二金属氧化物层的上表面的第二源极和第二漏极；设置覆盖第一源极、第一漏极、第一金属氧化物层暴露于第一源极及第一漏极的部分、第二源极、第二漏极、第二金属氧化物层暴露于第二源极及第二漏极的部分、栅极绝缘层暴露于第一金属氧化物层及第二金属氧化物层的部分的第一绝缘层，在第一绝缘层的上表面设置与信号传输层连接的第一触控电极；设置覆盖第一触控电极及第一绝缘层暴露于第一触控电极的部分的第二绝缘层；设置于第二绝缘层的上表面的第二触控电极，第二触控电极与第一漏极及第二源极连接；由于采用了间隔设置的水平栅极及金属传输层，并将第一触控电极埋设于第二触控电极下方的部分区域，故降低了触控结构的重量，降低了触控结构的厚度，上述触控结构也未使用光学胶黏剂，OLED触控显示面板集成了OLED显示模组和触控模组，进而降低了OLED触控显示面板的重量，还降低了OLED触控显示面板的厚度。

如图4所示，本申请实施例的第三方面提供了一种OLED触控显示面板400的制作方法，包括：

S100，在衬底基板41的上表面形成OLED显示模组100。

由于在衬底基板41的上表面形成OLED显示模组100为现有技术，在本实施例不再进行赘述。其中，衬底基板41可以为玻璃基板。

S200，如图5所示，在OLED显示模组100的显示面的上表面形成缓冲层20。

其中，缓冲层20（Buffer）为一层光学透过率较高的透明膜层。

S300，如图6所示，在缓冲层20的上表面的依次间隔形成第一栅极211、第二栅极221及信号传输层23。

在一些实施例中，在缓冲层20的上表面通过沉积工艺，形成第一金属层，然后通过掩膜并光刻形成第一栅极211、第二栅极221以及信号传输层23，第一栅极211和第二栅极221同时还用作于扫描线42。沉积工艺包括物理气相沉积和化学气相沉积。

S400，如图7所示，在第一栅极211、第二栅极221、信号传输层23以及被第一栅极211、第二栅极221、信号传输层23覆盖之外的缓冲层20的上表面形成栅极绝缘层24。

在一些实施例中，在栅极611及栅极611以外的衬底基板41的上表面通过化学气相沉积的方式，再通过掩膜并光刻形成栅极绝缘层24，栅极绝缘层24的材料包括氮化硅进而氧化硅中至少一种。

S500，如图8、图9所示，在栅极绝缘层24的上表面间隔形成第一金属氧化物层212及第二金属氧化物层222，并在第一金属氧化物层212的上表面间隔形成第一源极213和第一漏极214，在第二金属氧化物层222的上表面间隔形成第二源极223和第二漏极224。

在一个实施例中，在栅极绝缘层24的上表面通过物理气相沉积工艺形成金属氧化物半导体层，然后通过掩膜光刻制程形成第一金属氧化物层212及第二金属氧化物层222，第一金属氧化物层212及第二金属氧化物层222也形成有源区。可选地，金属氧化物半导体层还能采用磁控溅射等其他的沉积工艺，金属氧化物包括IGZO(氧化铟镓锌)或IZO（氧化铟锌）。

S600，如图10所示，在第一漏极214、第一源极213、第一金属氧化物层212暴露于第一漏极214及第一源极213的部分、第二源极223、第二漏极224、第二金属氧化物层222暴露于第二源极223及第二漏极224的部分、栅极绝缘层24暴露于第一金属氧化物层212及第二金属氧化物层222的部分的上表面形成第一绝缘层251。

在一个实施例中，第一绝缘层251由有机材料采用物理气相沉积工艺形成。可选地地，第一绝缘层251还能采用化学气相沉积，蒸镀、溅镀、液相沉积中任一种沉积工艺形成。

S700，如图11所示，在第一绝缘层251的上表面形成与信号传输层23连接的第一触控电极261。

在一个实施例中，在第一绝缘层251的上表面采用溅镀的工艺形成与信号传输层23连接的第一触控电极261。第一触控电极261的材料包括氧化铟锡（Indium tin oxide，ITO）。

S800，如图12所示，在第一触控电极261及第一绝缘层251暴露于第一触控电极261的部分的上表面形成第二绝缘层252。

在一个实施例中，第二绝缘层252由有机材料采用物理气相沉积工艺形成。可选地地，第二绝缘层252还能采用化学气相沉积，蒸镀、溅镀、液相沉积中任一种沉积工艺形成。

S900，如图13所示，在第二绝缘层252的上表面形成与第一漏极214及第二源极223连接的第二触控电极262。

在一个实施例中，在第二绝缘层252的上表面采用溅镀的工艺形成与第一漏极214及第二源极223连接的第二触控电极262。第二触控电极262的材料包括氧化铟锡（Indiumtin oxide，ITO）、氧化铟锌、氧化铝锌中至少一种。

S1000，如图14所示，在第二触控电极262的上表面形成钝化层27。

其中，OLED触控显示面板400还包括沿行方向间隔排列的扫描线42以及沿列方向间隔排列的数据线43，扫描线42和数据线43限定出触控区300；

第一栅极211和第二栅极221分别与一扫描线42连接，第一源极213和第二漏极224分别与一数据线43连接，第一触控电极261和第二触控电极262均设置于触控区300。

钝化层27（Passivation，PAS）可由有机材料或无机材料采用物理气相沉积、化学气相沉积，蒸镀、溅镀、液相沉积中的任一种形成，钝化层27可以只形成一层，也可由有机材料或无机材料形成多层堆叠后形成钝化层27。

上述的有机材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（简称：PET）、聚乙烯（简称：PE）、聚萘二甲酸乙二醇酯（简称：PEN）以及可熔性聚四氟乙烯（Perfluoroalkoxy，PFA）中至少一种；无机材料包括氧化硅、氮化硅中至少一种。

本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：

本实施例提供的一种OLED触控显示面板的制作方法，由于采用了间隔设置的水平栅极及金属传输层，并将第一触控电极埋设于第二触控电极下方的部分区域，故降低了触控结构的重量，降低了触控结构的厚度，上述触控结构也未使用光学胶黏剂，OLED触控显示面板在基板上集成了OLED显示模组和触控模组，进而降低了OLED触控显示面板的重量，还降低了OLED触控显示面板的厚度。

应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种触控结构，其特征在于，包括：

间隔设置的第一栅极、第二栅极及信号传输层；

覆盖所述第一栅极、所述第二栅极及所述信号传输层的栅极绝缘层；

间隔设置于所述栅极绝缘层的上表面的第一金属氧化物层及第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层设置于所述第一栅极上方对应的区域，所述第二金属氧化物层设置于所述第二栅极上方对应的区域；

间隔设置于所述第一金属氧化物层的上表面的第一源极和第一漏极；

间隔设置于所述第二金属氧化物层的上表面的第二源极和第二漏极；

覆盖所述第一源极、所述第一漏极、所述第一金属氧化物层暴露于所述第一源极及所述第一漏极的部分、所述第二源极、所述第二漏极、所述第二金属氧化物层暴露于所述第二源极及第二漏极所述的部分、所述栅极绝缘层暴露于所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层的部分的第一绝缘层，所述第一绝缘层的上表面设有与所述信号传输层连接的第一触控电极；

覆盖所述第一触控电极及所述第一绝缘层暴露于所述第一触控电极的部分的第二绝缘层；以及

设置于所述第二绝缘层的上表面的第二触控电极，所述第二触控电极与所述第一漏极及所述第二源极连接；

所述第二触控电极通过贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的第二通孔与所述第一漏极连接，所述第二触控电极通过贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的第三通孔与所述第二源极连接；

其中，第一薄膜晶体管包括所述第一栅极、所述第一源极及所述第一漏极，第二薄膜晶体管包括所述第二栅极、所述第二源极及所述第二漏极；

信号重置模式时，所述第二薄膜晶体管为导通状态，所述第二薄膜晶体管的所述第二漏极接入初始驱动信号V1，并从所述第二薄膜晶体管的所述第二源极输出所述初始驱动信号V1，以驱动触控结构的信号进行复位；

触控模式时，所述第二薄膜晶体管为截止状态，所述第一薄膜晶体管为导通状态，若手指触碰所述第二触控电极，节点A的第一电压变化值

，所述节点A为所述第二触控电极、所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的共接点；

读取模式时，所述第一薄膜晶体管为导通状态，所述第二薄膜晶体管为截止状态，若手指触碰所述第二触控电极，所述节点A的第二电压变化值为

，通过所述节点A的电压信号变化从而定位到触控点的位置；

其中，ΔV为所述节点A的第一电压变化值，ΔV’为所述节点A的第二电压变化值，V1为所述初始驱动信号，V2为所述第一触控电极端接入经所述信号传输层的第二信号，V3为手指触碰所述第二触控电极产生的负向电压。

2.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，

所述第一触控电极设置于所述信号传输层上方对应的区域，所述第一触控电极通过贯穿所述第一绝缘层与所述栅极绝缘层的第一通孔与所述信号传输层连接。

3.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，

在第一方向上，所述第一栅极的长度大于或者等于所述第一金属氧化物层的长度，所述第二栅极的长度大于或者等于所述第二金属氧化物层的长度，所述第一方向为所述第一栅极和所述第二栅极的排列方向。

4.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，

所述第一绝缘层的厚度大于所述栅极绝缘层的厚度；和/或

所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

5.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述触控结构还包括用于承载所述第一栅极、所述第二栅极及所述信号传输层的缓冲层；

所述栅极绝缘层的厚度大于或者等于所述缓冲层的厚度。

6.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，

所述第一栅极的厚度大于或者等于所述第一金属氧化物层的厚度，所述第二栅极的厚度大于或者等于所述第二金属氧化物层的厚度，其中，所述第一栅极的厚度等于所述第二栅极的厚度，所述第一金属氧化物层的厚度等于所述第二金属氧化物层。

7.一种OLED触控显示面板，其特征在于，包括OLED显示模组及触控模组，所述触控模组包括如权利要求1至6 中任一项所述的触控结构，所述触控结构的第一栅极及第二栅极的一面与所述OLED显示模组的显示面贴合，所述触控模组设在所述OLED显示模组的显示面上。

8.如权利要求7所述的OLED触控显示面板，其特征在于，所述OLED触控显示面板还包括：

衬底基板；

设于所述衬底基板之上的所述OLED显示模组；

其中，所述OLED触控显示面板还包括沿行方向间隔排列的扫描线及沿列方向间隔排列的数据线，所述扫描线和所述数据线限定出至少一个触控区；

所述第一栅极和所述第二栅极分别与一所述扫描线连接，所述第一源极和所述第二漏极分别与一所述数据线连接，所述第二触控电极与所述第一漏极及所述第二源极连接，所述第一触控电极和所述第二触控电极均设置于所述触控区。

9.一种OLED触控显示面板的制作方法，包括：

在衬底基板的上表面形成OLED显示模组；

其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述OLED显示模组的显示面的上表面形成缓冲层；

在所述缓冲层的上表面依次间隔形成第一栅极、第二栅极及信号传输层；

在所述第一栅极、所述第二栅极、所述信号传输层以及被所述第一栅极、所述第二栅极、所述信号传输层覆盖之外的所述缓冲层的上表面形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层的上表面间隔形成第一金属氧化物层及第二金属氧化物层；

在所述第一金属氧化物层的上表面间隔形成第一源极和第一漏极，在所述第二金属氧化物层的上表面间隔形成第二源极和第二漏极；

在所述第一源极、所述第一漏极、所述第一金属氧化物层暴露于所述第一源极及所述第一漏极的部分、所述第二源极、所述第二漏极、所述第二金属氧化物层暴露于所述第二源极及所述第二漏极的部分、所述栅极绝缘层暴露于所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层的部分的上表面形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层的上表面形成与所述信号传输层连接的第一触控电极；

在所述第一触控电极及所述第一绝缘层暴露于所述第一触控电极的部分的上表面形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层的上表面形成与所述第一漏极及所述第二源极连接的第二触控电极；

所述第二触控电极通过贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的第二通孔与所述第一漏极连接，所述第二触控电极通过贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的第三通孔与所述第二源极连接；

在所述第二触控电极的上表面形成钝化层，

其中，所述OLED触控显示面板还包括沿行方向间隔排列的扫描线以及沿列方向间隔排列的数据线，所述扫描线和所述数据线限定出至少一个触控区；

所述第一栅极和所述第二栅极分别与一所述扫描线连接，所述第一源极和所述第二漏极分别与一所述数据线连接，所述第一触控电极和所述第二触控电极均设置于所述触控区；

其中，第一薄膜晶体管包括所述第一栅极、所述第一源极及所述第一漏极，第二薄膜晶体管包括所述第二栅极、所述第二源极及所述第二漏极；

信号重置模式时，所述第二薄膜晶体管为导通状态，所述第二薄膜晶体管的所述第二漏极接入初始驱动信号V1，并从所述第二薄膜晶体管的所述第二源极输出所述初始驱动信号V1，以驱动触控结构的信号进行复位；

触控模式时，所述第二薄膜晶体管为截止状态，所述第一薄膜晶体管为导通状态，若手指触碰所述第二触控电极，节点A的第一电压变化值

，所述节点A为所述第二触控电极、所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管的共接点；

读取模式时，所述第一薄膜晶体管为导通状态，所述第二薄膜晶体管为截止状态，若手指触碰所述第二触控电极，所述节点A的第二电压变化值为

，通过所述节点A的电压信号变化从而定位到触控点的位置；

其中，ΔV为所述节点A的第一电压变化值，ΔV’为所述节点A的第二电压变化值，V1为所述初始驱动信号，V2为所述第一触控电极端接入经所述信号传输层的第二信号，V3为手指触碰所述第二触控电极产生的负向电压。

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