CN108932085B - 阵列基板、显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。该阵列基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、数据线、第一电极和第二电极。第一薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极；第一源极和第二源极分别与数据线相连，第一漏极和第一电极相连，第二源极和第二电极相连。该阵列基板可同时实现显示功能和触控功能。并且，该阵列基板无需额外设置触控金属层和触控信号线，从而可降低该阵列基板的掩膜工艺次数，从而降低该阵列基板的成本。

Description

阵列基板、显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明的实施例涉及一种阵列基板、一种显示装置以及一种显示装置的驱动方法。
背景技术
随着智能显示设备的不断发展，触控已经成为了智能显示设备不可或缺的一个功能。因此，既可用于显示又可用于实现触控操作的触控屏在手机、平板、笔记本电脑等智能显示设备中的应用日益广泛。
通常，触控技术包括光学式、电阻式、电容式、电磁式触控技术等不同的技术方向；在众多的触控技术中，电容式触控技术凭借其较低的成本和优异的用户体验已成为触控技术的主流。电容式触控计算出又可分为自电容式和互电容式两种方式。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。该阵列基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、数据线、第一电极和第二电极。第一薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极；第一源极和第二源极分别与数据线相连，第一漏极和第一电极相连，第二源极和第二电极相连。该阵列基板可同时实现显示功能和触控功能。并且，该阵列基板无需额外设置触控金属层和触控信号线，从而可降低该阵列基板的掩膜工艺次数，从而降低该阵列基板的成本。
本发明至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底基板；以及设置在所述衬底基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、数据线、第一电极和第二电极，所述第一薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第二源极分别与所述数据线相连，所述第一漏极与所述第一电极相连，所述第二源极与所述第二电极相连。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的数量之比大于等于1:1。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述数据线被配置为加载显示数据信号、触控信号以及公共电压信号。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述数据线依次加载所述显示数据信号、所述触控信号以及所述公共电压信号。
例如，本发明一实施例提供的阵列基板还包括存储电极，与所述第二电极同层设置，所述存储电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管同层设置。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一源极、所述第二源极以及所述数据线一体成型。
例如，本发明一实施例提供的阵列基板还包括：钝化层，设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧；以及绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述第二电极设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一电极通过所述钝化层中的第一过孔与所述第一漏极相连，所述第二电极通过所述钝化层中的第二过孔与所述绝缘层中的第三过孔与所述第二漏极相连。
例如，本发明一实施例提供的阵列基板还包括：第一栅线；以及第二栅线，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第一栅极与所述第一栅线相连，所述第二栅极与所述第二栅线相连。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一栅线与所述第二栅线平行设置。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第一有源层设置在所述第一栅极与所述第一源极和所述第一漏极之间，所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层，所述第二有源层设置在所述第二栅极与所述第二源极和所述第二漏极之间。
本发明至少一个实施例提供一种显示装置，其包括上述任一项所述的阵列基板。
例如，本发明一实施例提供的显示装置还包括：第一驱动器，被配置为按时序为所述数据线提供显示数据信号、触控信号以及公共电压信号；以及第二驱动器，被配置为按时序导通或断开所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。
例如，本发明一实施例提供的显示装置还包括：对置基板，与所述阵列基板相对设置；以及液晶层，设置在所述阵列基板和所述对置基板之间，所述第一电极和所述第二电极被配置为产生电场以驱动所述液晶层中的液晶分子偏转。
本发明至少一个实施例提供一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括上述任一项所述的阵列基板，所述驱动方法包括：在第一时间段，向所述数据线施加显示数据信号并导通所述第一薄膜晶体管，断开所述第二薄膜晶体管，所述数据线将所述显示数据信号通过所述第一薄膜晶体管传输至所述第一电极；在第二时间段，向所述数据线施加触控信号并断开所述第二薄膜晶体管，导通所述第二薄膜晶体管，所述数据线将所述触控信号通过所述第二薄膜晶体管传输至所述第二电极；以及在第三时间段，向所述数据线施加公共电压信号，所述数据线将所述公共电压信号通过所述第二薄膜晶体管传输至所述第二电极。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种阵列基板的平面示意图；
图2为一种触控电极结构的平面示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图；
图4为本发明一实施例提供的一种阵列基板沿图3中AA’方向的截面示意图；
图5为本发明一实施例提供的另一种阵列基板的平面示意图；
图6为本发明一实施例提供的另一种阵列基板的平面示意图；
图7为本发明一实施例提供的一种显示装置的示意图；
图8为本发明一实施例提供的另一种显示装置的示意图；以及
图9为本发明一实施例提供的一种显示装置的驱动方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
目前，触控屏可以包括外挂式(On-cell)触控屏和内嵌式(In-cell)触控屏等。外挂式触控屏例如将触控面板设置在液晶面板的彩膜基板和偏振片之间，因此外挂式触控屏比较厚重，难以满足智能显示设备轻薄化的需求。而内嵌式触控屏将触控传感器设置在液晶面板内部，而外部可仅贴合一层保护玻璃，因而具有高透光度、高贴合率以及轻薄化等优点。
图1示出了一种阵列基板。如图1所示，该阵列基板包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管10、栅线20、数据线50、像素电极30以及公共电极40。薄膜晶体管10包括栅极12、有源层14、源极16和漏极18。栅极12与栅线20电性相连，例如栅极12和栅线20可由同一导电层图案化得到；源极16与数据线50电性相连，例如源极16和数据线50也可由同一导电层图案化得到。由此，该阵列基板可通过栅线的扫描逐行通过数据线向像素电极加载显示信号，从而可实现显示功能。
在一些示例中，公共电极40为狭缝电极，像素电极30为板装电极或狭缝电极，公共电极40位于像素电极30的与衬底基板相反的一侧。
图2示出了一种触控电极结构。如图2所示，该触控电极结构包括阵列设置的多个触控电极45，多个触控电极45分别与多条信号传输线46相连。该触控电极结构的原理为：多个触控电极45同层设置且相互绝缘；每个触控电极45可通过信号传输线46连接到触控侦测芯片。当人体未触摸屏幕时，各自电容电极的电容为一固定值；当发生触摸时，触摸位置对应的触控电极45的电容为固定值叠加人体电容，触控侦测芯片通过检测各触控电极45的电容值的变化情况可以判断出触摸位置。
本发明实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。该阵列基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、数据线、第一电极和第二电极。第一薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极；第一源极和第二源极分别与数据线相连，第一漏极和第一电极相连，第二源极和第二电极相连。该阵列基板可通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管将数据线上的信号分时加载给第一电极和第二电极，从而同时实现显示功能和触控功能。并且，该阵列基板无需额外设置触控金属层和触控信号线，从而可降低该阵列基板的掩膜工艺次数，从而降低该阵列基板的成本。
实施例一
本实施例提供一种阵列基板。图3示出了根据本实施例的一种阵列基板。如图3所示，该阵列基板包括衬底基板101以及设置在衬底基板101上的第一薄膜晶体管110、第二薄膜晶体管120、数据线150、第一电极130和第二电极140。第一薄膜晶体管110包括第一源极116和第一漏极118；第二薄膜晶体管120包括第二源极126和第二漏极128；第一源极116和第二源极126分别与数据线150相连，第一漏极118和第一电极130相连，第二源极128和第二电极140相连。例如，如图3所示，在数据线150的延伸方向上相邻设置的第一薄膜晶体管110的第一源极116和第二薄膜晶体管120的第二源极126与同一数据线150相连，第一源极116和第二源极126分别与数据线150相连，第一漏极118和第一电极130相连，第二源极128和第二电极140相连。
在本实施例提供的阵列基板中，该阵列基板可通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管将数据线上的信号分时加载给第一电极和第二电极，从而同时实现显示功能和触控功能。例如，当第一薄膜晶体管导通，第二薄膜晶体管断开时，数据线上的信号可加载到第一电极，此时数据线上可通过加载显示数据信号，从而可实现显示功能；当第一薄膜晶体管断开，第二薄膜晶体管导通时，数据线上的信号可加载到第二电极，此时数据线上可通过分时加载触控信号和公共电压信号，从而在实现显示功能的同时实现触控功能。另外，该阵列基板无需额外设置触控金属层和触控信号线，从而可降低该阵列基板的掩膜工艺次数，从而降低该阵列基板的成本。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，第一电极可为像素电极，第二电极为公共电极。当然，本发明实施例包括但不限于此，第一电极也可为公共电极，第二电极为像素电极。需要说明的是，在本发明实施例中，公共电极既可在用于进行显示时作为与像素电极形成电场的公共电极，也可在用于进行触控时的触控电极。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，如图3所示，该阵列基板还包括存储电极145与第二电极140同层设置，存储电极145在衬底基板101上的正投影与第一电极130在衬底基板101上的正投影至少部分重叠。由此，存储电极145和第一电极130可构成存储电容，从而存储在第一电极上的显示数据信号。
例如，如图3所示，存储电极145可与数据线150平行设置，并且设置在相邻的子像素之间。例如，各存储电极可与公共电压信号相连。当然，本发明实施例包括但不限于此，各存储电极也可与栅线平行设置，只要存储电极与第一电极可形成存储电容即可。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，数据线可加载显示数据信号，触控信号以及公共电压信号。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，数据线依次加载显示数据信号、触控信号以及公共电压信号。由此，当本实施例提供的阵列基板进行显示和触控时，在第一时间段，数据线加载显示数据信号，此时，可导通与像素电极相连的薄膜晶体管(第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管)，像素电极完成充电，在第二时间段，数据线加载触控信号，此时，可导通与公共电极相连的薄膜晶体管(第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管)，公共电极可作为触控电极，在第三时间段，数据线加载公共电压信号，公共电极完成充电，从而与像素电极形成电场以驱动液晶分子偏转，从而实现显示。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，第一电极和/或第二电极可采用透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)等透明氧化物导电材料。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，如图3所示，第一源极、第二源极以及数据线一体成型。由此，第一源极、第二源极和数据线可通过图案化同一导电层得到，从而节省掩膜工艺。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，如图3所示，该阵列基板还包括第一栅线171和第二栅线172。第一薄膜晶体管110包括第一栅极112，第二薄膜晶体管120包括第二栅极122，第一栅极112与第一栅线171相连，第二栅极122与第二栅线172相连。由此，可通过第一栅线和第二栅线分别驱动第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。
例如，如图3所示，第一栅极112和第一栅线171可一体成型。由此，第一栅极和第一栅线可通过图案化同一导电层得到。
例如，如图3所示，第二栅极122和第二栅线172可一体成型。由此，第二栅极和第二栅线可通过图案化同一导电层得到。
例如，如图3所示，第一栅线171和第二栅线172平行设置。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，如图3所示，第一薄膜晶体管110还包括第一有源层114，第一有源层114设置在第一栅极112与第一源极116和第一漏极118(源漏电极层)之间，第二薄膜晶体管120还包括第二有源层124，第二有源层124设置在第二栅极122与第二源极126和第二漏极128(源漏电极层)之间。当然，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管还包括其他必需的层结构，具体可参见现有设计，本发明实施例在此不作限制。需要说明的是，本发明实施例提供的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可采用顶栅型结构也可在底栅型结构。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，如图3所示，该阵列基板还包括第一连接电极181和第二连接电极182。第一连接电极181将第一漏极118和第一电极130相连；第二连接电极182将第二漏极128和第二电极140相连。
例如，第一连接电极和第一电极可一体成型。例如，通过在第一薄膜晶体管远离衬底基板的一侧形成导电层，导电层可通过例如过孔与第一漏极相连，然后图案化导电层可得到第一连接电极和第一电极。当然，本发明实施例包括但不限于此。
例如，类似地，第二连接电极和第二电极可一体成型。
图4示出了根据本实施例的一种阵列基板沿图3中AA’方向的截面示意图。如图4所示，第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管120同层设置。由此，可同时形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，不会增加掩膜工艺；并且还可减少该阵列基板的厚度。需要说明的是，上述的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管同层设置是指第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的功能层(栅极、有源层、源漏电极层等)分别同层设置。例如，如图4所示，第一薄膜晶体管110的栅极112和第二薄膜晶体管120的栅极122同层设置；第一薄膜晶体管110的有源层114和第二薄膜晶体管120的有源层124同层设置；第一薄膜晶体管110的源极116和漏极118和第二薄膜晶体管120的源极126和漏极128同层设置。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，如图4所示，该阵列基板还包括钝化层117和绝缘层119；钝化层117设置在第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管120远离衬底基板101的一侧；绝缘层119设置在第一电极130和第二电极140之间。第一电极130设置在钝化层117远离衬底基板101的一侧，第二电极140设置在绝缘层119远离衬底基板101的一侧。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，如图4所示，第一电极130通过钝化层117中的第一过孔1171与第一漏极118相连，例如，如图4所示，第一电极130通过第一连接电极181和第一过孔1171与第一漏极118相连；第二电极140通过钝化层117中的第二过孔1172与绝缘层119中的第三过孔1191与第二漏极128相连，例如，如图4所示，第二电极140通过第二连接电极182和第二过孔1172和第三过孔1191与第二漏极128相连。
实施例二
在实施例一的基础上，本实施例提供一种阵列基板。在该阵列基板中，第一薄膜晶体管110与第二薄膜晶体管120的数量之比大于等于1:1。图5示出了根据本实施例的一种阵列基板。如图5所示，第一电极130为像素电极，第二电极140为公共电极，第一薄膜晶体管110与第二薄膜晶体管120的数量之比为1:1。由于一个公共电极可对应多个像素电极，例如，如图5所示，一个第二电极140对应三个第一电极130，此时第二电极140通过三个薄膜晶体管120与数据线150连接。图6示出了根据本实施例的另一种阵列基板。如图6所示，第一薄膜晶体管110与第二薄膜晶体管120的数量之比为3:1。由于一个公共电极可与多个像素电极相对设置，因此第二薄膜晶体管的数量可少于第一薄膜晶体管的数量。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的数量之比可根据实际情况进行调节，只要保证每个公共电极至少与一个第二薄膜晶体管的漏极相连。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，如图5和图6所示，该阵列基板还包括存储电极145与第二电极140同层设置，存储电极145在衬底基板101上的正投影与第一电极130在衬底基板101上的正投影至少部分重叠。由此，存储电极145和第一电极130可构成存储电容，从而存储在第一电极上的显示数据信号。
例如，如图5和图6所示，存储电极145可与第一栅线171或第二栅线172平行设置。例如，各存储电极可与公共电压信号相连。需要说明的是，当第二电极作为触控电极时，可通过将多个第二电极进行组合以形成一个触控电极。例如，通过驱动电路的算法将多个第二电极进行组合。
例如，在本实施例的一示例提供的阵列基板中，第一电极(即像素电极)的数量为720*3*1080＝2332800个(720*1080个像素)，则第一薄膜晶体管的数量也为2332800个；第二电极(公共电极和触控电极)的数量为32*18＝576个。因此，为保证每个公共电极至少与一个第二薄膜晶体管的漏极相连，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的数量之比的范围为4050:1-1:1。例如，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的数量之比的范围大于1:1且小于4050:1，这样，在不影响触摸精度的情况下可以减少第二薄膜晶体管的数量。
例如，在本实施例一示例提供的阵列基板中，第一栅线与第二栅线的数量比大于或等于1:1。也就是说，第一栅线的数量可大于等于第二栅线的数量。当公共电极可与属于多行的多个像素电极相对设置，因此第一栅线的数量可大于第二栅线的数量。
实施例三
本实施例提供一种显示装置。图7示出了根据本实施例的一种显示装置。如图6所示，该显示装置包括根据实施例一和实施例二中任一项所描述的阵列基板100。由此，该显示装置可通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管将数据线上的信号分时加载给第一电极和第二电极，从而同时实现显示功能和触控功能。另外，该显示装置无需额外设置触控金属层和触控信号线，从而可降低该阵列基板的掩膜工艺次数，从而降低该阵列基板的成本。
例如，在本实施例一示例提供的显示装置中，如图7所示，该显示装置还包括第一驱动器500和第二驱动器600，第一驱动器500用于按时序为数据线提供显示数据信号、触控信号以及公共电压信号，第二驱动器600用于按时序导通或断开第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。由此，第一驱动器和第二驱动器可分别对数据线与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管进行分时驱动，从而实现显示和触控功能。
例如，第一驱动器和第二驱动器可集成为一个驱动器。
图8示出了根据本实施例的一种显示装置。如图8所示，该显示装置还包括对置基板200和液晶层300。对置基板200与阵列基板100相对设置，液晶层300设置在阵列基板100和对置基板200之间，第一电极130和第二电极140可在施加有电压时产生电场以驱动液晶层300中的液晶分子。
实施例四
本实施例提供一种显示装置的驱动方法。图9为根据本实施例的一种显示装置的驱动方法的流程示意图。如图9所示，该驱动方法包括以下步骤S401-S403。
步骤S401：在第一时间段，向数据线施加显示数据信号并导通第一薄膜晶体管，断开第二薄膜晶体管，数据线将显示数据信号通过第一薄膜晶体管传输至第一电极。
步骤S402：在第二时间段，向数据线施加触控信号并断开第一薄膜晶体管，导通第二薄膜晶体管，数据线将触控信号通过第二薄膜晶体管传输至第二电极。
步骤S403：在第三时间段，向数据线施加公共电压信号，数据线将公共电压信号通过第二薄膜晶体管传输至第二电极。
在本实施例提供的显示装置的驱动方法中，可通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管将数据线上的信号分时加载给第一电极和第二电极，从而同时实现显示功能和触控功能。在第一时间段，向数据线施加显示数据信号并导通第一薄膜晶体管，断开第二薄膜晶体管，数据线将显示数据信号通过第一薄膜晶体管传输至第一电极，第一电极进行充电；在第二时间段，向数据线施加触控信号并断开第二薄膜晶体管，导通第二薄膜晶体管，数据线将触控信号通过第二薄膜晶体管传输至第二电极，第二电极作为触控电极以进行触控；在第三时间段，向数据线施加公共电压信号，数据线将公共电压信号通过第二薄膜晶体管传输至第二电极，第二电极进行充电并与第一电极之间形成电场驱动液晶层中的液晶分子偏转。需要说明的是，上述第一时间段、第二时间段以及第三时间段的顺序可根据实际情况进行设置，本发明实施例在此不作限制。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图中，只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本发明同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；以及
设置在所述衬底基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、数据线、第一电极和第二电极，
其中，所述第一薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第二源极分别与所述数据线相连，所述第一漏极与所述第二电极相连，所述第二漏极与所述第一电极相连，所述第一源极、所述第二源极以及所述数据线一体成型，并且所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管的数量之比大于1:1，
所述阵列基板还包括存储电极，与所述第二电极同层设置，所述存储电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述数据线被配置为加载显示数据信号、触控信号以及公共电压信号。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述数据线被配置为依次加载所述显示数据信号、所述触控信号以及所述公共电压信号。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管同层设置。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，还包括：
钝化层，设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧；以及
绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，
其中，所述第一电极设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述第二电极设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一电极通过所述钝化层中的第一过孔与所述第一漏极相连，所述第二电极通过所述钝化层中的第二过孔与所述绝缘层中的第三过孔与所述第二漏极相连。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，还包括：
第一栅线；以及
第二栅线，
其中，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第一栅极与所述第一栅线相连，所述第二栅极与所述第二栅线相连。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第二栅线与所述第一栅线的数量比大于或等于1:1。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第一有源层设置在所述第一栅极与所述第一源极和所述第一漏极之间，所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层，所述第二有源层设置在所述第二栅极与所述第二源极和所述第二漏极之间。
11.一种显示装置，包括根据权利要求1-10中任一项所述的阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
第一驱动器，被配置为按时序为所述数据线提供显示数据信号、触控信号以及公共电压信号；以及
第二驱动器，被配置为按时序导通或断开所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。
13.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
对置基板，与所述阵列基板相对设置；以及
液晶层，设置在所述阵列基板和所述对置基板之间，
其中，所述第一电极和所述第二电极被配置为产生电场以驱动所述液晶层中的液晶分子偏转。
14.根据权利要求12所述的显示装置，还包括：
对置基板，与所述阵列基板相对设置；以及
液晶层，设置在所述阵列基板和所述对置基板之间，
其中，所述第一电极和所述第二电极被配置为产生电场以驱动所述液晶层中的液晶分子偏转。
15.一种根据权利要求11-14任一项所述的显示装置的驱动方法，包括：
在第一时间段，向所述数据线施加显示数据信号并导通所述第一薄膜晶体管，断开所述第二薄膜晶体管，所述数据线将所述显示数据信号通过所述第一薄膜晶体管传输至所述第一电极；
在第二时间段，向所述数据线施加触控信号并断开所述第一薄膜晶体管，导通所述第二薄膜晶体管，所述数据线将所述触控信号通过所述第二薄膜晶体管传输至所述第二电极；以及
在第三时间段，向所述数据线施加公共电压信号并断开所述第一薄膜晶体管，导通所述第二薄膜晶体管，所述数据线将所述公共电压信号通过所述第二薄膜晶体管传输至所述第二电极。
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