CN105514119A - Tft基板的制作方法及tft基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器，实现内嵌式触控功能，与现有技术相比，节省了一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、节约原料的目的，进而实现缩短TFT基板的制程时间以及降低TFT基板的制造成本的效果。本发明的TFT基板，具有内嵌式触控功能，且结构简单，制作成本低。

Description

TFT基板的制作方法及TFT基板
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种用于内嵌式触控显示面板中的TFT基板的制作方法及该TFT基板。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
触控液晶显示面板依感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种，目前主流的触控技术为电容式，其中电容式又分为自电容式和互电容式，目前市场上的电容式触控显示面板为主要为互电容式，互电容的优点在于可实现多点触控。触控显示面板根据结构不同可划分为：触控电路覆盖于液晶盒上式(OnCell)，触控电路内嵌在液晶盒内式(InCell)、以及外挂式。其中，外挂式触控显示面板是将触控面板与液晶显示面板分开生产，然后贴合到一起成为具有触控功能的显示面板，外挂式触控显示面板存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。内嵌式触控显示面板具有成本较低、厚度较薄等优点，受到各大面板厂家青睐，已演化为未来触控技术的主要发展方向。
如图1-2所示，为一种现有的用于内嵌式触控显示面板中的TFT基板，其包括：基板100、遮光层200、缓冲层300、多晶硅层400、栅极绝缘层500、栅极520、第一层间绝缘层600、源/漏极610、平坦层700、公共电极810与触控扫描线(Tx)820、第二层间绝缘层850、触控感应线(Rx)870、钝化层900、及像素电极950。其中，所述触控感应线820与公共电极810位于同一层，由金属材料制作的触控感应线870位于单独的一层，且与触控扫描线820之间间隔一第二层间绝缘层850，因此，该TFT基板的制作过程中，需要单独制作触控感应线870，同时需要制作第二层间绝缘层850，这会造成TFT基板的制程时间较长，且生产本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，与现有技术相比，节省一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、及节约原料的目的。
本发明的目的还在于提供一种TFT基板，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线共同构成触摸传感器，实现内嵌式触控(inCellTouch)功能，结构简单，制程时间短，且节省成本。
为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，同时得到数个遮光金属块、及数条触控扫描线；
步骤2、在所述数个遮光金属块、触控扫描线、及基板上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成覆盖缓冲层的多晶硅层，对整个多晶硅层进行P型轻掺杂后，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图案化，得到对应于遮光金属块上方的第一多晶硅段、及与第一多晶硅段间隔设置的第二多晶硅段；
步骤3、对所述第一多晶硅段进行N型掺杂，形成位于两端的N型重掺杂区、位于中间的第一沟道区、及位于N型重掺杂区与第一沟道区之间的N型轻掺杂区；
步骤4、在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段、及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一多晶硅段与第二多晶硅段上方的第一栅极与第二栅极；
步骤5、对所述第二多晶硅段两侧进行P型重掺杂，得到位于两端的P型重掺杂区、及位于两P型重掺杂区之间的第二沟道区；
步骤6、在所述第一栅极、第二栅极、及栅极绝缘层上沉积层间绝缘层，通过光刻制程对所述层间绝缘层与栅极绝缘层进行图案化处理，在所述层间绝缘层与栅极绝缘层上形成对应于N型重掺杂区上方的第一过孔、及对应于P型重掺杂区上方的第二过孔，在所述层间绝缘层上形成对应于第二栅极上方的第三过孔；
步骤7、在所述层间绝缘层上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及位于第二源极与第二漏极之间的金属块；所述第一源极、第一漏极分别通过第一过孔与N型重掺杂区相接触，所述第二源极、第二漏极分别通过第二过孔与P型重掺杂区相接触，所述金属块通过第三过孔与第二栅极相接触；
步骤8、在所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及金属块上方形成平坦层，对所述平坦层进行图案化处理，在所述平坦层上形成对应于第一漏极上方的第四过孔；
在所述平坦层上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，同时得到公共电极、及数条触控感应线；
步骤9、在所述公共电极、触控感应线、及平坦层上形成钝化层，之后对钝化层进行图案化处理，得到位于第四过孔中的第五过孔，且所述第五过孔的孔壁属于钝化层；
在所述钝化层上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，得到像素电极，所述像素电极通过第五过孔与第一漏极相接触。
所述触控扫描线与数个遮光金属块串联在一起。
所述数条触控扫描线与数条触控感应线在水平方向上垂直交叉排列，且所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器。
所述第一源极、第一漏极、第一栅极与第一多晶硅段构成NMOS晶体管；所述第二源极、第二漏极、第二栅极与第二多晶硅段构成PMOS晶体管。
所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；所述缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
本发明还提供一种TFT基板，包括基板，位于基板上的数个遮光金属块及数条触控扫描线，位于遮光金属块、触控扫描线、及基板上的缓冲层，位于所述缓冲层上的第一多晶硅段与第二多晶硅段，位于第一多晶硅段、第二多晶硅段、及缓冲层上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层上的第一栅极与第二栅极，位于所述第一栅极、第二栅极、及栅极绝缘层上的层间绝缘层，位于层间绝缘层上的第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及位于第二源极与第二漏极之间的金属块，位于所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、金属块、及层间绝缘层上的平坦层，位于平坦层上的公共电极与数条触控感应线，位于公共电极、触控感应线、及平坦层上的钝化层，以及位于钝化层上的像素电极。
所述第一多晶硅段包括位于两端的N型重掺杂区、位于中间的第一沟道区、及位于N型重掺杂区与第一沟道区之间的N型轻掺杂区；所述第二多晶硅段包括位于两端的P型重掺杂区、及位于两P型重掺杂区之间的第二沟道区。
所述层间绝缘层与栅极绝缘层上设有对应于N型重掺杂区上方的第一过孔、及对应于P型重掺杂区上方的第二过孔，所述层间绝缘层上设有对应于第二栅极上方的第三过孔；所述第一源极、第一漏极分别通过第一过孔与N型重掺杂区相接触，所述第二源极、第二漏极分别通过第二过孔与P型重掺杂区相接触，所述金属块通过第三过孔与第二栅极相接触；
所述平坦层上设有对应于第一漏极上方的第四过孔，所述钝化层上设有位于第四过孔中的第五过孔，且所述第五过孔的孔壁属于钝化层，所述像素电极通过第五过孔与第一漏极相接触。
所述触控扫描线与数个遮光金属块串联在一起。
所述数条触控扫描线与数条触控感应线在水平方向上垂直交叉排列，且所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器。
本发明的有益效果：本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器，实现内嵌式触控(inCellTouch)功能，与现有技术相比，节省了一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、节约原料的目的，进而实现缩短TFT基板的制程时间以及降低TFT基板的制造成本的效果。本发明的TFT基板，具有内嵌式触控功能，且结构简单，制作成本低。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的用于内嵌式触控显示面板中的TFT基板的剖视示意图；
图2为图1的TFT基板中的遮光层的结构示意图；
图3为本发明的TFT基板的制作方法步骤1的示意图；
图4为本发明的TFT基板的制作方法步骤1中制得的遮光金属块及触控扫描线的结构示意图；
图5为本发明的TFT基板的制作方法步骤2的示意图；
图6为本发明的TFT基板的制作方法步骤3的示意图；
图7为本发明的TFT基板的制作方法步骤4的示意图；
图8为本发明的TFT基板的制作方法步骤5的示意图；
图9为本发明的TFT基板的制作方法步骤6的示意图；
图10为本发明的TFT基板的制作方法步骤7的示意图；
图11为本发明的TFT基板的制作方法步骤8的示意图；
图12为本发明的TFT基板的制作方法步骤9的示意图暨本发明的TFT基板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3-12，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图3-4所示，提供一基板10，在所述基板10上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，同时得到数个遮光金属块20、及数条触控扫描线(Tx)21。
具体的，如图4所示，所述触控扫描线21与数个遮光金属块20串联在一起。
具体的，所述基板10为透明基板，优选为玻璃基板。
具体的，所述第一金属层的材料可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组合。
步骤2、如图5所示，在所述数个遮光金属块20、触控扫描线21、及基板10上形成缓冲层23，在所述缓冲层23上形成覆盖缓冲层23的多晶硅层，对整个多晶硅层进行P型轻掺杂后，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图案化，得到对应于遮光金属块20上方的第一多晶硅段30、及与第一多晶硅段30间隔设置的第二多晶硅段40。
具体的，所述缓冲层23为氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
通过将第一多晶硅段30设置于遮光金属块20上方，从而有效防止光线进入第一多晶硅段30的沟道区中，可以起到降低漏电流、提高TFT器件电学性能的作用。
步骤3、如图6所示，对所述第一多晶硅段30进行N型掺杂，形成位于两端的N型重掺杂区31、位于中间的第一沟道区32、及位于N型重掺杂区31与第一沟道区32之间的N型轻掺杂区33。
具体的，所述N型掺杂中掺入的离子可以为磷(P)离子或砷(As)离子。
步骤4、如图7所示，在所述第一多晶硅段30、第二多晶硅段40、及缓冲层23上沉积栅极绝缘层50，在所述栅极绝缘层50上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一多晶硅段30与第二多晶硅段40上方的第一栅极51与第二栅极52。
具体的，所述栅极绝缘层50为氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
具体的，所述第二金属层的材料可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组合。
步骤5、如图8所示，对所述第二多晶硅段40两侧进行P型重掺杂，得到位于两端的P型重掺杂区41、及位于两P型重掺杂区41之间的第二沟道区42。
具体的，所述P型重掺杂掺入的离子可以为硼(B)离子或镓(Ga)离子。
步骤6、如图9所示，在所述第一栅极51、第二栅极52、及栅极绝缘层50上沉积层间绝缘层60，通过光刻制程对所述层间绝缘层60与栅极绝缘层50进行图案化处理，在所述层间绝缘层60与栅极绝缘层50上形成对应于N型重掺杂区31上方的第一过孔67、及对应于P型重掺杂区41上方的第二过孔68，在所述层间绝缘层60上形成对应于第二栅极52上方的第三过孔69。
具体的，所述层间绝缘层60为氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
步骤7、如图10所示，在所述层间绝缘层60上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一源极61、第一漏极62、第二源极63、第二漏极64、及位于第二源极63与第二漏极64之间的金属块65；所述第一源极61、第一漏极62分别通过第一过孔67与N型重掺杂区31相接触，所述第二源极63、第二漏极64分别通过第二过孔68与P型重掺杂区41相接触，所述金属块65通过第三过孔69与第二栅极52相接触。
具体的，所述第三金属层的材料可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组合。
具体的，所述第一源极61、第一漏极62、第一栅极51与第一多晶硅段30构成NMOS(Negativechannel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体)晶体管；所述第二源极63、第二漏极64、第二栅极52与第二多晶硅段40构成PMOS(Positivechannel-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金属氧化物半导体)晶体管。所述NMOS晶体管用于TFT基板的显示电路中，所述PMOS晶体管、及位于第二源极63与第二漏极64之间且与第二栅极52相连的金属块65用于TFT基板的驱动电路中。
步骤8、如图11所示，在所述第一源极61、第一漏极62、第二源极63、第二漏极64、及金属块65上方形成平坦层70，对所述平坦层70进行图案化处理，在所述平坦层70上形成对应于第一漏极62上方的第四过孔71；
在所述平坦层70上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，同时得到公共(COM)电极81、及数条触控感应线(Rx)82。
具体的，所述第一透明导电层的材料为透明金属氧化物，所述透明金属氧化物可以为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
具体的，所述数条触控扫描线21与数条触控感应线82在水平方向上垂直交叉排列，且所述触控扫描线21与触控感应线82之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器。
步骤9、如图12所示，在所述公共电极81、触控感应线82、及平坦层70上形成钝化层90，之后对钝化层90进行图案化处理，得到位于第四过孔71中的第五过孔91，且所述第五过孔91的孔壁属于钝化层90；
在所述钝化层90上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，得到像素电极95，所述像素电极95通过第五过孔91与第一漏极62相接触。
具体的，所述钝化层90的材料为氮化硅或氧化硅。
具体的，所述第二透明导电层的材料为透明金属氧化物，所述透明金属氧化物可以为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
上述TFT基板的制作方法，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器，实现内嵌式触控(inCellTouch)功能，与现有技术相比，节省了一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、节约原料的目的，进而实现缩短TFT基板的制程时间以及降低TFT基板的制造成本的效果。
请参阅图12，同时参阅图3-11，本发明还提供一种TFT基板，包括基板10，位于基板10上的数个遮光金属块20及数条触控扫描线21，位于遮光金属块20、触控扫描线21、及基板10上的缓冲层23，位于所述缓冲层23上的第一多晶硅段30与第二多晶硅段40，位于第一多晶硅段30、第二多晶硅段40、及缓冲层23上的栅极绝缘层50，位于所述栅极绝缘层50上的第一栅极51与第二栅极52，位于所述第一栅极51、第二栅极52、及栅极绝缘层50上的层间绝缘层60，位于层间绝缘层60上的第一源极61、第一漏极62、第二源极63、第二漏极64、及位于第二源极63与第二漏极64之间的金属块65，位于所述第一源极61、第一漏极62、第二源极63、第二漏极64、金属块65、及层间绝缘层60上的平坦层70，位于平坦层70上的公共电极81与数条触控感应线82，位于公共电极81、触控感应线82、及平坦层70上的钝化层90，以及位于钝化层90上的像素电极95。
具体的，所述第一多晶硅段30包括位于两端的N型重掺杂区31、位于中间的第一沟道区32、及位于N型重掺杂区31与第一沟道区32之间的N型轻掺杂区33；所述第二多晶硅段40包括位于两端的P型重掺杂区41、及位于两P型重掺杂区41之间的第二沟道区42。所述N型重掺杂区31与N型轻掺杂区33中掺入的离子可以为磷(P)离子或砷(As)离子；所述P型重掺杂区41中掺入的离子可以为硼(B)离子或镓(Ga)离子。
具体的，所述层间绝缘层60与栅极绝缘层50上设有对应于N型重掺杂区31上方的第一过孔67、及对应于P型重掺杂区41上方的第二过孔68，所述层间绝缘层60上设有对应于第二栅极52上方的第三过孔69；
所述第一源极61、第一漏极62分别通过第一过孔67与N型重掺杂区31相接触，所述第二源极63、第二漏极64分别通过第二过孔68与P型重掺杂区41相接触，所述金属块65通过第三过孔69与第二栅极52相接触。
所述平坦层70上设有对应于第一漏极62上方的第四过孔71，所述钝化层90上设有位于第四过孔71中的第五过孔91，且所述第五过孔91的孔壁属于钝化层90，所述像素电极95通过第五过孔91与第一漏极62相接触。
具体的，所述第一源极61、第一漏极62、第一栅极51与第一多晶硅段30构成NMOS晶体管；所述第二源极63、第二漏极64、第二栅极52与第二多晶硅段40构成PMOS晶体管。所述NMOS晶体管用于TFT基板的显示电路中，所述PMOS晶体管、及位于第二源极63与第二漏极64之间且与第二栅极52相连的金属块65用于TFT基板的驱动电路中。
具体的，所述第一多晶硅段30对应于遮光金属块20上方设置，通过将第一多晶硅段30设置于遮光金属块20上方，从而有效防止光线进入第一多晶硅段30的沟道区中，可以起到降低漏电流、提高TFT器件电学性能的作用。
具体的，如图4所示，所述触控扫描线21与数个遮光金属块20串联在一起。
所述数条触控扫描线21与数条触控感应线82在水平方向上垂直交叉排列，且所述触控扫描线21与触控感应线82之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器。
具体的，所述基板10为透明基板，优选为玻璃基板。
所述遮光金属块20、触控扫描线21、第一栅极51、第二栅极52、、第一源极61、第一漏极62、第二源极63、第二漏极64、及金属块65的材料可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组合。
所述缓冲层23、栅极绝缘层50、层间绝缘层60为氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
所述公共电极81、触控感应线82、及像素电极95的材料为透明金属氧化物，所述透明金属氧化物可以为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
所述钝化层90的材料为氮化硅或氧化硅。
上述TFT基板，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触控感应器，实现内嵌式触控(inCellTouch)功能，与现有技术相比，节省了一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、节约原料的目的，进而实现缩短TFT基板的制程时间以及降低TFT基板的制造成本的效果。
综上所述，本发明提供的一种TFT基板的制作方法及TFT基板，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线共同构成触摸传感器，实现内嵌式触控(inCellTouch)功能，与现有技术相比，节省了一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、节约原料的目的，进而实现缩短TFT基板的制程时间以及降低TFT基板的制造成本的效果。本发明的TFT基板，具有内嵌式触控功能，且结构简单，制作成本低。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，同时得到数个遮光金属块(20)、及数条触控扫描线(21)；
步骤2、在所述数个遮光金属块(20)、触控扫描线(21)、及基板(10)上形成缓冲层(23)，在所述缓冲层(23)上形成覆盖缓冲层(23)的多晶硅层，对整个多晶硅层进行P型轻掺杂后，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图案化，得到对应于遮光金属块(20)上方的第一多晶硅段(30)、及与第一多晶硅段(30)间隔设置的第二多晶硅段(40)；
步骤3、对所述第一多晶硅段(30)进行N型掺杂，形成位于两端的N型重掺杂区(31)、位于中间的第一沟道区(32)、及位于N型重掺杂区(31)与第一沟道区(32)之间的N型轻掺杂区(33)；
步骤4、在所述第一多晶硅段(30)、第二多晶硅段(40)、及缓冲层(23)上沉积栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一多晶硅段(30)与第二多晶硅段(40)上方的第一栅极(51)与第二栅极(52)；
步骤5、对所述第二多晶硅段(40)两侧进行P型重掺杂，得到位于两端的P型重掺杂区(41)、及位于两P型重掺杂区(41)之间的第二沟道区(42)；
步骤6、在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)、及栅极绝缘层(50)上沉积层间绝缘层(60)，通过光刻制程对所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层(50)进行图案化处理，在所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层(50)上形成对应于N型重掺杂区(31)上方的第一过孔(67)、及对应于P型重掺杂区(41)上方的第二过孔(68)，在所述层间绝缘层(60)上形成对应于第二栅极(52)上方的第三过孔(69)；
步骤7、在所述层间绝缘层(60)上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、及位于第二源极(63)与第二漏极(64)之间的金属块(65)；所述第一源极(61)、第一漏极(62)分别通过第一过孔(67)与N型重掺杂区(31)相接触，所述第二源极(63)、第二漏极(64)分别通过第二过孔(68)与P型重掺杂区(41)相接触，所述金属块(65)通过第三过孔(69)与第二栅极(52)相接触；
步骤8、在所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、及金属块(65)上方形成平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行图案化处理，在所述平坦层(70)上形成对应于第一漏极(62)上方的第四过孔(71)；
在所述平坦层(70)上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，同时得到公共电极(81)、及数条触控感应线(82)；
步骤9、在所述公共电极(81)、触控感应线(82)、及平坦层(70)上形成钝化层(90)，之后对钝化层(90)进行图案化处理，得到位于第四过孔(71)中的第五过孔(91)，且所述第五过孔(91)的孔壁属于钝化层(90)；
在所述钝化层(90)上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，得到像素电极(95)，所述像素电极(95)通过第五过孔(91)与第一漏极(62)相接触。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述触控扫描线(21)与数个遮光金属块(20)串联在一起。
3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述数条触控扫描线(21)与数条触控感应线(82)在水平方向上垂直交叉排列，且所述触控扫描线(21)与触控感应线(82)之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器。
4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第一栅极(51)与第一多晶硅段(30)构成NMOS晶体管；所述第二源极(63)、第二漏极(64)、第二栅极(52)与第二多晶硅段(40)构成PMOS晶体管。
5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；所述缓冲层(23)、栅极绝缘层(50)、层间绝缘层(60)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
6.一种TFT基板，其特征在于，包括基板(10)，位于基板(10)上的数个遮光金属块(20)及数条触控扫描线(21)，位于遮光金属块(20)、触控扫描线(21)、及基板(10)上的缓冲层(23)，位于所述缓冲层(23)上的第一多晶硅段(30)与第二多晶硅段(40)，位于第一多晶硅段(30)、第二多晶硅段(40)、及缓冲层(23)上的栅极绝缘层(50)，位于所述栅极绝缘层(50)上的第一栅极(51)与第二栅极(52)，位于所述第一栅极(51)、第二栅极(52)、及栅极绝缘层(50)上的层间绝缘层(60)，位于层间绝缘层(60)上的第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、及位于第二源极(63)与第二漏极(64)之间的金属块(65)，位于所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、金属块(65)、及层间绝缘层(60)上的平坦层(70)，位于平坦层(70)上的公共电极(81)与数条触控感应线(82)，位于公共电极(81)、触控感应线(82)、及平坦层(70)上的钝化层(90)，以及位于钝化层(90)上的像素电极(95)。
7.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述第一多晶硅段(30)包括位于两端的N型重掺杂区(31)、位于中间的第一沟道区(32)、及位于N型重掺杂区(31)与第一沟道区(32)之间的N型轻掺杂区(33)；所述第二多晶硅段(40)包括位于两端的P型重掺杂区(41)、位于中间的第二沟道区(42)、及位于两P型重掺杂区(41)之间的第二沟道区(42)。
8.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层(50)上设有对应于N型重掺杂区(31)上方的第一过孔(67)、及对应于P型重掺杂区(41)上方的第二过孔(68)，所述层间绝缘层(60)上设有对应于第二栅极(52)上方的第三过孔(69)；所述第一源极(61)、第一漏极(62)分别通过第一过孔(67)与N型重掺杂区(31)相接触，所述第二源极(63)、第二漏极(64)分别通过第二过孔(68)与P型重掺杂区(41)相接触，所述金属块(65)通过第三过孔(69)与第二栅极(52)相接触；
所述平坦层(70)上设有对应于第一漏极(62)上方的第四过孔(71)，所述钝化层(90)上设有位于第四过孔(71)中的第五过孔(91)，且所述第五过孔(91)的孔壁属于钝化层(90)，所述像素电极(95)通过第五过孔(91)与第一漏极(62)相接触。
9.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述触控扫描线(21)与数个遮光金属块(20)串联在一起。
10.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述数条触控扫描线(21)与数条触控感应线(82)在水平方向上垂直交叉排列，且所述触控扫描线(21)与触控感应线(82)之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106252356A (zh) * 2016-08-12 2016-12-21 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN106775108A (zh) * 2016-12-30 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 一种In‑Cell触控阵列基板及其制作方法
CN107046003A (zh) * 2017-06-02 2017-08-15 武汉华星光电技术有限公司 低温多晶硅tft基板及其制作方法
CN107123654A (zh) * 2017-05-26 2017-09-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN107422560A (zh) * 2017-09-04 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其检测方法及显示装置
CN107731748A (zh) * 2017-09-26 2018-02-23 武汉华星光电技术有限公司 显示装置、阵列基板及其制造方法
CN108108070A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Tft基板及应用其的触控显示面板
CN108447875A (zh) * 2018-03-29 2018-08-24 武汉华星光电技术有限公司 一种触摸显示面板及其制造方法
CN108538861A (zh) * 2018-05-04 2018-09-14 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
WO2018233295A1 (zh) * 2017-06-19 2018-12-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN109656073A (zh) * 2019-01-03 2019-04-19 昆山龙腾光电有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN109683740A (zh) * 2018-12-17 2019-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN109696759A (zh) * 2018-12-29 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
CN110034131A (zh) * 2019-04-17 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN110164963A (zh) * 2018-02-12 2019-08-23 信利（惠州）智能显示有限公司 一种薄膜晶体管以及显示面板
CN110620118A (zh) * 2019-08-20 2019-12-27 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及其制备方法
CN110718565A (zh) * 2019-09-05 2020-01-21 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110767676A (zh) * 2018-08-06 2020-02-07 昆山国显光电有限公司 透明显示面板、显示屏和显示终端
WO2020191981A1 (zh) * 2019-03-27 2020-10-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板以及全面屏显示装置
US10802627B2 (en) 2018-03-29 2020-10-13 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch panel and manufacturing method thereof
US10884273B1 (en) 2019-09-05 2021-01-05 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel comprising a photosensitive component that receives reflected light of a fingerprint and is connected to an underside of a second thin film transistor layer and display device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100127329A1 (en) * 2005-08-13 2010-05-27 Kyung-Min Park Thin Film Transistor Substrate And Method Of Manufacturing The Same
CN101980365A (zh) * 2010-09-07 2011-02-23 友达光电股份有限公司 画素结构及其制造方法
CN103677475A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 内嵌式触控显示面板及其触摸定位方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100127329A1 (en) * 2005-08-13 2010-05-27 Kyung-Min Park Thin Film Transistor Substrate And Method Of Manufacturing The Same
CN101980365A (zh) * 2010-09-07 2011-02-23 友达光电股份有限公司 画素结构及其制造方法
CN103677475A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 内嵌式触控显示面板及其触摸定位方法、显示装置

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106252356A (zh) * 2016-08-12 2016-12-21 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN106252356B (zh) * 2016-08-12 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN108108070A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Tft基板及应用其的触控显示面板
CN108108070B (zh) * 2016-11-24 2021-06-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Tft基板及应用其的触控显示面板
CN106775108A (zh) * 2016-12-30 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 一种In‑Cell触控阵列基板及其制作方法
CN107123654A (zh) * 2017-05-26 2017-09-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
WO2018214774A1 (zh) * 2017-05-26 2018-11-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
US10795478B2 (en) 2017-05-26 2020-10-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and preparation method therefor, and display apparatus
CN107046003B (zh) * 2017-06-02 2019-05-03 武汉华星光电技术有限公司 低温多晶硅tft基板及其制作方法
CN107046003A (zh) * 2017-06-02 2017-08-15 武汉华星光电技术有限公司 低温多晶硅tft基板及其制作方法
US10355138B2 (en) 2017-06-02 2019-07-16 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. LTPS TFT substrate and method for manufacturing the same
US11393871B2 (en) 2017-06-19 2022-07-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display panel having force TFT
WO2018233295A1 (zh) * 2017-06-19 2018-12-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN107422560A (zh) * 2017-09-04 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其检测方法及显示装置
CN107731748A (zh) * 2017-09-26 2018-02-23 武汉华星光电技术有限公司 显示装置、阵列基板及其制造方法
CN110164963A (zh) * 2018-02-12 2019-08-23 信利（惠州）智能显示有限公司 一种薄膜晶体管以及显示面板
CN110164963B (zh) * 2018-02-12 2022-07-12 信利（惠州）智能显示有限公司 一种薄膜晶体管以及显示面板
US10802627B2 (en) 2018-03-29 2020-10-13 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch panel and manufacturing method thereof
CN108447875B (zh) * 2018-03-29 2021-04-27 武汉华星光电技术有限公司 一种触摸显示面板及其制造方法
WO2019184318A1 (zh) * 2018-03-29 2019-10-03 武汉华星光电技术有限公司 一种触摸显示面板及其制造方法
CN108447875A (zh) * 2018-03-29 2018-08-24 武汉华星光电技术有限公司 一种触摸显示面板及其制造方法
CN108538861A (zh) * 2018-05-04 2018-09-14 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
US11106070B2 (en) 2018-05-04 2021-08-31 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Array substrate and manufacturing method of the same and display panel
CN110767676B (zh) * 2018-08-06 2022-04-15 昆山国显光电有限公司 透明显示面板、显示屏和显示终端
CN110767676A (zh) * 2018-08-06 2020-02-07 昆山国显光电有限公司 透明显示面板、显示屏和显示终端
US11460941B2 (en) 2018-12-17 2022-10-04 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Touch display panel
CN109683740A (zh) * 2018-12-17 2019-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN109696759A (zh) * 2018-12-29 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
US10976586B2 (en) 2018-12-29 2021-04-13 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacturing method for liquid crystal display panel with high transmittance and display panel thereof
CN109656073A (zh) * 2019-01-03 2019-04-19 昆山龙腾光电有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
WO2020191981A1 (zh) * 2019-03-27 2020-10-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板以及全面屏显示装置
CN110034131A (zh) * 2019-04-17 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN110620118A (zh) * 2019-08-20 2019-12-27 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及其制备方法
CN110620118B (zh) * 2019-08-20 2021-03-16 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及其制备方法
WO2021031532A1 (zh) * 2019-08-20 2021-02-25 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及其制备方法
CN110718565A (zh) * 2019-09-05 2020-01-21 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及显示装置
US10884273B1 (en) 2019-09-05 2021-01-05 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel comprising a photosensitive component that receives reflected light of a fingerprint and is connected to an underside of a second thin film transistor layer and display device

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