CN106252356A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板，包括：依次层叠的透明基板、遮挡层及半导体层，还包括漏极、栅极、像素电极层、公共电极层及扫描电极层；其中，像素电极层与漏极接触，栅极连接扫描电极层；遮挡层包括第一部分和第二部分，第一部分对应半导体层设置，第二部分与公共电极层或扫描电极层电连接。本发明还公开了一种显示面板。本发明通过将遮挡层与公共电极层或扫描电极层电连接的方式，使得遮挡层的金属材料得到了充分的利用；且增加了存储电容的正对面积，提高了存储电容大小保证像素工作稳定性。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
在显示技术领域，LTPS-LCD的制程中，沉积多晶硅薄膜晶体管之前，先沉积了一层遮挡层以防止多晶硅薄膜晶体管受光产生光电效应。
现有技术中，遮挡层是相互独立不连接的挡光块构成的金属层，没有得到有效利用；且在实际面板设计中，由于画素的尺寸较小，一般面板的存储电容都比较小，会影响到面板的稳定性，面板很容易出现串扰、闪烁等现象，降低了面板的显示性能。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示面板，旨在解决LTPS-LCD的遮挡层利用率不高的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：依次层叠的透明基板、遮挡层及半导体层，还包括漏极、栅极、像素电极层、公共电极层及扫描电极层；
其中，所述像素电极层与所述漏极接触，所述栅极连接所述扫描电极层；所述遮挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分对应所述半导体层设置，所述第二部分与所述公共电极层或所述扫描电极层电连接。
其中，所述栅极与所述扫描电极层同层设置。
其中，所述公共电极层与所述像素电极层存在部分交叠，构成电容结构。
其中，所述第二部分与所述像素电极层存在部分交叠，构成电容结构。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种 显示面板，包括：间隔设置的第一基板和第二基板，所述第二基板包括依次层叠的透明基板、遮挡层及半导体层，还包括漏极、栅极、像素电极层、公共电极层及扫描电极层；
其中，所述像素电极层与所述漏极接触，所述栅极连接所述扫描电极层；所述遮挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分对应所述半导体层设置，所述第二部分与所述公共电极层或所述扫描电极层电连接。
其中，所述栅极与所述扫描电极层同层设置。
其中，所述公共电极层与所述像素电极层存在部分交叠，构成电容结构。
其中，所述第二部分与所述像素电极层存在部分交叠，构成电容结构。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明遮挡层包括第一部分和第二部分，通过将遮挡层的第二部分与公共电极层或扫描电极层电连接的方式，使遮挡层第二部分具有一个电位，从而使得遮挡层与像素电极层的交叠部分形成了一个电容，增加了存储电容面积，使得遮挡层的金属材料得到了充分的利用，进而提高了像素工作稳定性。
附图说明
图1是本发明阵列基板第一实施例的截面示意图；
图2是本发明阵列基板第一实施例中遮挡层的结构示意图；
图3是本发明阵列基板第二实施例的截面示意图；
图4是本发明阵列基板第二实施例中遮挡层的结构示意图；
图5是本发明显示面板实施例的截面示意图；
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种阵列基板和显示面板做进一步详细描述。
参阅图1，本发明阵列基板第一实施例包括：依次层叠的透明基板10、遮挡层101及半导体层103，还包括漏极109、栅极105、扫描电极 层106、公共电极层111及像素电极层113，进一步包括第一绝缘层102、第二绝缘层104、层间介质层107、源极108、平坦层110、第三绝缘层112。
具体地，遮挡层101设置在透明基板10上，第一绝缘层102覆盖遮挡层101，半导体层103设置在第一绝缘层102上，第二绝缘层104覆盖半导体层103，栅极105及扫描电极层106同层设置在第二绝缘层104上，层间介质层107覆盖栅极105及扫描电极层106，源极108及漏极109穿过层间介质层107及第二绝缘层104的过孔与半导体层103两端的接触区接触，平坦层110覆盖源极108及漏极109设置在层间介质层107上，公共电极层111设置在平坦层110上，第三绝缘层112覆盖公共电极层111，像素电极层112设置在第三绝缘层112上。
其中，像素电极层112与漏极109接触，具体地，像素电极层112穿过第三绝缘层112、公共电极层111及平坦层过孔1101与漏极109接触。
其中，公共电极层111与像素电极层113存在部分交叠，构成电容结构，形成第一电容，具体地，像素电极层113与公共电极层111均有电位，且像素电极层113与公共电极层111之间有第三绝缘层112，因而使得像素电极层113与公共电极层111的交叠部分形成第一电容。
其中，遮挡层101是金属材料蚀刻而成的金属层，参阅图2，遮挡层101包括第一部分1011和第二部分1012，且第二部分1012与公共电极层111电连接。
具体地，第一部分1011包括多个呈阵列式排布的金属遮光块，第一部分1011对应半导体层103设置，用于防止半导体层103受光产生光电效应；第二部分1012延伸至透明基板10两侧，与公共电极层105电连接。
其中，第二部分1012与像素电极层113存在部分交叠，构成电容结构。
具体地，遮挡层101第二部分1012与公共电极层105电连接，使得第二部分1012与公共电极层111具有相同的电位，且像素电极层113 与第二部分1012之间有绝缘层，因而使得第二部分1012与像素电极113的交叠部分形成第二电容。第一电容与第二电容并联构成了该阵列基板的存储电容，相比于现有技术，一方面提升了存储电容的面积，另一方面存储电容用公共电极充电，电压稳定，使跳变电压变小，进而提高像素工作稳定性。
共同参阅图3及图4，本发明阵列基板第二实施例中遮挡层201包括第一部分2011和第二部分2012，且第二部分2012与扫描电极层206电连接。
具体地，第一部分2011包括多个呈阵列式排布的金属遮光块，第一部分2011对应半导体层203设置，用于防止半导体层203受光产生光电效应；第二部分2012穿过第一绝缘层202与第二绝缘层204的过孔与扫描电极层206电连接。
进一步地，公共电极层211与像素电极层213存在部分交叠，构成电容结构，形成第一电容，此原理与上述第一实施例相同，在此不作详细描述。
第二部分2012与像素电极层213存在部分交叠，构成电容结构，具体地，第二部分2012与扫描电极层206电连接，使得第二部分2012与扫描电极层206具有相同的电位，且像素电极层213与第二部分2012之间有绝缘层，因而使得第二部分2012与像素电极213的交叠部分形成第二电容。第一电容与第二电容并联构成了该阵列基板的存储电容，相比于现有技术，一方面提升了存储电容的面积，另一方面存储电容用公共电极充电，电压稳定，使跳变电压变小，进而提高像素工作稳定性。
本实施例中其余结构及原理与上述第一实施例相同，在此不再作详细描述。
相较于现有技术，本发明遮挡层包括第一部分和第二部分，通过将遮挡层的第二部分与公共电极层或扫描电极层连接，使遮挡层第二部分具有一个电位，与像素电极层形成一个存储电容，进而使得遮挡层的金属材料得到了充分的利用；且增加了存储电容面积，提高了存储电容及像素工作稳定性。
参阅图5，本发明还提供了一种显示面板，该显示面板包括：间隔设置的第一基板1和第二基板2，且第二基板2包括上述任一实施例的阵列基板，其结构和原理与上述实施例相同，在此不作详细描述。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：依次层叠的透明基板、遮挡层及半导体层，还包括漏极、栅极、像素电极层、公共电极层及扫描电极层；
其中，所述像素电极层与所述漏极接触，所述栅极连接所述扫描电极层；所述遮挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分对应所述半导体层设置，所述第二部分与所述公共电极层或所述扫描电极层电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述扫描电极层同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层与所述像素电极层存在部分交叠，构成电容结构。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二部分与所述像素电极层存在部分交叠，构成电容结构。
5.一种显示面板，其特征在于，包括：间隔设置的第一基板和第二基板，所述第二基板包括依次层叠的透明基板、遮挡层及半导体层，还包括漏极、栅极、像素电极层、公共电极层及扫描电极层；
其中，所述像素电极层与所述漏极接触，所述栅极连接所述扫描电极层；所述遮挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分对应所述半导体层设置，所述第二部分与所述公共电极层或所述扫描电极层电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述栅极与所述扫描电极层同层设置。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述公共电极层与所述像素电极层存在部分交叠，构成电容结构。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二部分与所述像素电极层存在部分交叠，构成电容结构。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107065357A (zh) * 2017-05-18 2017-08-18 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板
CN107180598A (zh) * 2017-07-21 2017-09-19 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
US10459300B2 (en) 2017-05-18 2019-10-29 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Array substrate and a method for fabricating the same, a liquid crystal display panel

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1945838A (zh) * 2006-10-27 2007-04-11 京东方科技集团股份有限公司 一种tft lcd阵列基板结构及其制造方法
CN101063781A (zh) * 2006-04-30 2007-10-31 京东方科技集团股份有限公司 一种tft lcd阵列基板器件结构及其制造方法
CN101211083A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 精工爱普生株式会社 液晶装置及电子设备
CN101872770A (zh) * 2009-04-27 2010-10-27 上海天马微电子有限公司 像素单元、共面转换型液晶显示装置及制造方法
US20110309397A1 (en) * 2010-06-22 2011-12-22 Au Optronics Corporation Pixel structure and manufacturing method thereof
CN103472646A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
JP2016009719A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜半導体装置
CN105514119A (zh) * 2016-01-04 2016-04-20 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及tft基板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101063781A (zh) * 2006-04-30 2007-10-31 京东方科技集团股份有限公司 一种tft lcd阵列基板器件结构及其制造方法
CN1945838A (zh) * 2006-10-27 2007-04-11 京东方科技集团股份有限公司 一种tft lcd阵列基板结构及其制造方法
CN101211083A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 精工爱普生株式会社 液晶装置及电子设备
CN101872770A (zh) * 2009-04-27 2010-10-27 上海天马微电子有限公司 像素单元、共面转换型液晶显示装置及制造方法
US20110309397A1 (en) * 2010-06-22 2011-12-22 Au Optronics Corporation Pixel structure and manufacturing method thereof
CN103472646A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
JP2016009719A (ja) * 2014-06-23 2016-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜半導体装置
CN105514119A (zh) * 2016-01-04 2016-04-20 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及tft基板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107065357A (zh) * 2017-05-18 2017-08-18 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板
WO2018209761A1 (zh) * 2017-05-18 2018-11-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板
US10459300B2 (en) 2017-05-18 2019-10-29 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Array substrate and a method for fabricating the same, a liquid crystal display panel
CN107180598A (zh) * 2017-07-21 2017-09-19 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板

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