CN204315573U - 一种阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，以降低制备窄边框显示面板的难度。所述阵列基板，包括依次形成于衬底基板上的金属导电层、所述金属导电层上方的绝缘层和所述绝缘层上方的辅助导电层；所述金属导电层包括多条第一导线，所述辅助导电层包括多条第二导线，每一条所述第一导线对应至少一条所述第二导线；所述第二导线经所述绝缘层上的连接结构与相对应的所述第一导线电连接，所述连接结构的垂直投影位于所述阵列基板的非显示区内。

Description

一种阵列基板、显示面板和显示装置

技术领域

本实用新型涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

如今，平板显示器由于轻、薄、低辐射等因素，已经成为目前显示应用的主流。对于平板显示器的显示面板而言，窄边框的显示面板外形美观且有利于实现拼接大尺寸显示产品，因此，很多制造厂商都在追求窄边框设计，显示面板的窄边框设计已成为显示领域发展的重要趋势。

目前，显示面板的窄边框的实现通常有如下方式：一是减小显示面板的非显示区内的信号线的线宽和线间距，从而节省空间来实现窄边框；二是对栅极驱动电路(gate driver)进行设计，例如减少栅极驱动电路中的元件数量或元件尺寸，从而压缩栅极驱动电路所占用的空间。

但是，对于第一种方式，由于其实现受到对准误差、mura不良和工艺稳定性等方面的限制，实现大幅节省显示面板的非显示区内的信号线所占用的空间比较困难；第二种方式中，减少栅极驱动电路中的元件数量或元件尺寸需要考虑信号稳定性和抗静电能力，因此对栅极驱动电路的改进同样具有较高的难度。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以降低制备窄边框显示面板的难度。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括依次形成于衬底基板上的金属导电层、所述金属导电层上方的绝缘层和所述绝缘层上方的辅助导电层；

所述金属导电层包括多条第一导线，所述辅助导电层包括多条第二导线，每一条所述第一导线对应至少一条所述第二导线；

所述第二导线经所述绝缘层上的连接结构与相对应的所述第一导线电连接，所述连接结构的垂直投影位于所述阵列基板的非显示区内。

本实用新型实施例中，阵列基板的所述金属导电层的所述第一导线通过与之电连接的所述第二导线延伸至辅助导电层，即所述第一导线原本在所述非显示区的走线转移至所述辅助导电层，可以减少所述非显示区的面积或宽度，所述阵列基板应于显示面板时，可以降低实现窄边框的显示面板的难度。

优选的，所述金属导电层包括源漏极金属层和/或栅极金属层，所述第一导线包括数据线、栅线、电源信号线、接地线、公共电极线、时钟信号线中的至少一种。本实用新型实施例中，所述第一导线可以为所述源漏极金属层和/或所述栅极金属层所包括多种导线中的一种或几种，与所述第二导线纵向电连接后，可以减少所述第一导线在所述源漏极金属层和/或所述栅极金属层的所述非显示区的占用的走线空间；同时，由所述第二导线作为所述第一导线的延伸线，能够增强所述第一导线的抗静电能力。

优选的，所述绝缘层为钝化层和平坦化层中的任一种或组合，所述钝化层为氧化硅膜层和氮化硅膜层中的任意一种或复合膜层，所述平坦化层为聚甲基丙烯酸甲酯膜层。

优选的，所述连接结构为过孔，所述第二导线经所述过孔与相对应的所述第一导线电连接。

优选的，所述连接结构为切口，所述第二导线在所述切口处覆盖相对应的所述第一导线。本实用新型实施例中，在所述第二导线和所述第一导线的电连接处，所述第二导线对所述第一导线进行覆盖保护。

优选的，所述第二导线具有镂空结构。本实用新型实施例中，镂空结构的导线结构，能够减少所述第二导线所在层和所述第一导线所在层之间的寄生电容。

优选的，所述第二导线的材料为氧化铟锡ITO。本实用新型实施例中，在所述第二导线和所述第一导线的电连接处，所述第二导线对所述第一导线进行覆盖保护，且由于所述第二导线为ITO材料，能够对电连接处的所述第一导线进行防水保护和抗氧化保护。

本实用新型实施例有益效果如下：阵列基板的所述金属导电层的所述第一导线通过与之电连接的所述第二导线延伸至辅助导电层，即所述第一导线原本在所述非显示区的走线转移至所述辅助导电层，可以减少所述非显示区的面积或宽度，所述阵列基板应于显示面板时，可以降低实现窄边框的显示面板的难度，由于不需要对线宽或线间距进行调整，也不需要改进栅极驱动电路，因此容易实现且成本较低。

本实用新型实施例提供一种显示面板，包括如上实施例提供的所述阵列基板。

本实用新型实施例有益效果如下：阵列基板的所述金属导电层的所述第一导线通过与之电连接的所述第二导线延伸至辅助导电层，即所述第一导线原本在所述非显示区的走线转移至所述辅助导电层，可以减少所述非显示区的面积或宽度，所述阵列基板应于显示面板时，可以降低实现窄边框的显示面板的难度，由于不需要对线宽或线间距进行调整，也不需要改进栅极驱动电路，因此容易实现且成本较低。

本实用新型实施例提供一种显示装置，包括如上实施例提供的所述显示面板。

本实用新型实施例有益效果如下：阵列基板的所述金属导电层的所述第一导线通过与之电连接的所述第二导线延伸至辅助导电层，即所述第一导线原本在所述非显示区的走线转移至所述辅助导电层，可以减少所述非显示区的面积或宽度，所述阵列基板应于显示面板时，可以降低实现窄边框的显示面板的难度，由于不需要对线宽或线间距进行调整，也不需要改进栅极驱动电路，因此容易实现且成本较低。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供绝缘层的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的第一种具体的阵列基板的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的第二种具体的阵列基板的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的第三种具体的阵列基板的结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本实用新型实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参见附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

参见图1，本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括依次形成于衬底基板1上的金属导电层、金属导电层上方的绝缘层3和绝缘层3上方的辅助导电层；金属导电层包括多条第一导线2，辅助导电层包括多条第二导线4，每一条第一导线2对应至少一条第二导线4；第二导线4经绝缘层3上的连接结构5与相对应的第一导线2电连接，连接结构5的垂直投影位于阵列基板的非显示区内。本实用新型实施例中，阵列基板的金属导电层的第一导线2通过与之电连接的第二导线4延伸至辅助导电层，即第一导线2原本在非显示区的走线转移至辅助导电层，可以减少非显示区的面积或宽度，阵列基板应于显示面板时，可以降低实现窄边框的显示面板的难度。

图1中的连接结构5可以为过孔51，第二导线4经过孔51与相对应的第一导线2电连接；和/或，连接结构5可以为切口52，第二导线4在切口52处覆盖相对应的第一导线2。图2示出了绝缘层3的结构示意图，绝缘层3包括过孔51和切口52，当然也可以仅包括过孔51和切口52中的一种。

阵列基板上通常形成有薄膜晶体管TFT阵列，TFT包括源漏极金属层和栅极金属层，源漏极金属层和栅极金属层均包括大量的信号线或元件的构成部分(如TFT的源电极、漏电极和栅电极)。源漏极金属层包括TFT的源电极、TFT的漏电极、数据线和电源信号线等，栅极金属层包括TFT的栅极、栅线和公共电极线等。本实施例中的金属导电层并非限定于单一的一个金属层，根据不同的阵列基板的结构或设计要求，金属导电层可以为单一的金属层或多个金属层的组合，当金属导电层为多个金属层的组合时，各个金属层是彼此绝缘的；例如：金属导电层可以是源漏极金属层，第一导线2可以为数据线、电源信号线和接地线中的至少一种；或者，金属导电层可以是栅极金属层，第一导线2可以为栅线和公共电极线中的至少一种；或者，金属导电层可以是源漏极金属层和栅极金属层的组合，当然源漏极金属层和栅极金属层之间通常设置有栅极绝缘层实现绝缘，第一导线2可以为源漏极金属层和/或栅极金属层所包括多种导线中的至少一种，例如第一导线2为数据线、栅线、电源信号线、接地线、公共电极线、时钟信号线、栅极驱动信号线、直流控制信号线和交流控制信号线中的至少一种。第一导线2与第二导线4纵向电连接后，可以减少第一导线2在源漏极金属层和/或栅极金属层的非显示区的占用的走线空间，同时，由第二导线4作为第一导线2的延伸线，能够增强第一导线2的抗静电能力。相应的，基于阵列基板的结构，在金属导电层上方的绝缘层3可以为钝化层，也可以为平坦化层，也可以为平坦化层和钝化层的组合，钝化层为氧化硅膜层和氮化硅膜层中的任意一种或复合膜层，平坦化层为聚甲基丙烯酸甲酯膜层。此外，本实施例中的金属导电层上方的绝缘层3和绝缘层3上方的辅助导电层，是指绝缘层3可以形成于金属导电层之上并相互接触，也可以是绝缘层3与金属导电层之间存在其他层，辅助导电层可以形成于绝缘层3之上并相互接触，也可以是辅助导电层与绝缘层3存在其他层；例如，阵列基板上的TFT为底栅型，如果金属导电层仅包括栅极金属层，绝缘层3为钝化层，则栅极金属层和钝化层之间可以依次设置栅极绝缘层、有源层和源漏极金属层；又例如，阵列基板上的TFT为底栅型，如果金属导电层仅包括源漏极金属层，绝缘层3为钝化层，钝化层通常形成于源漏极金属层之上，则绝缘层3形成于金属导电层之上并直接接触；又例如，阵列基板上的TFT为顶栅型，如果金属导电层仅包括栅极金属层，绝缘层3为钝化层，钝化层通常形成于栅极金属层之上，则绝缘层3形成于金属导电层之上并直接接触；又例如，阵列基板上的TFT为顶栅型，如果金属导电层仅包括源漏极金属层，绝缘层3为钝化层，源漏极金属层与钝化层之间依次设置有源层、栅极绝缘层和栅极金属层；又例如，阵列基板上的TFT为顶栅型，如果金属导电层包括源漏极金属层和栅极金属层，绝缘层3为钝化层，钝化层通常形成于栅极金属层之上，则绝缘层3形成于金属导电层之上并直接接触，当然，此处的金属导电层的源漏极金属层和栅极金属层之间需要设置有栅极绝缘层进行绝缘。本实用新型实施例中仅是对部分优选实施例进行了说明，基于实际的TFT的结构，可以根据本实施例进行变型，其仍在本实用新型的保护范围内。

为了更清楚的描述本实用新型实施例提供的阵列基板的结构，结合图3至5示出的阵列基板进行详细说明如下：

参见图3(与图1相同的附图标记具有相同含义)，示出的第一种具体的阵列基板的结构示意图，阵列基板包括TFT 6，TFT 6包括栅电极61、源电极62、漏电极63和有源层64，源电极62和漏电极63所在层为源漏极金属层，栅电极61所在层为栅极金属层，源漏极金属层和栅极金属层之间设置栅极绝缘层7。在本实施例中，第一导线2仅设置于源漏极金属层，即第一导线2与源电极62和漏电极63同层设置，第一导线2可以为数据线、电源信号线、接地线、时钟信号线和公共电极线中的至少一种。各第一导线2分别通过过孔51和切口52与对应的第二导线4电连接。第一导线2仅设置于栅极绝缘层7的情况与图3结构相似，在此不再赘述。需要说明的是，TFT 6的结构不限于图3所示的底栅型，也可以为顶栅型或其他结构，顶栅型或其他结构的TFT同样适用于本实施例，第二导线4的材料可以为氧化铟锡ITO，因此不会影响阵列基板各像素的开口率。

参见图4(与图3相同的附图标记具有相同含义)，示出的第二种具体的阵列基板的结构示意图，阵列基板包括TFT 6，TFT 6包括栅电极61、源电极62、漏电极63和有源层64，源电极62和漏电极63所在层为源漏极金属层，栅电极61所在层为栅极金属层，源漏极金属层和栅极金属层之间设置栅极绝缘层7。在本实施例中，第一导线2设置于源漏极金属层和栅极绝缘层7，即部分第一导线2与源电极62和漏电极63同层设置，部分第一导线2与栅电极61同层设置，第二导线4可以为数据线、电源信号线、接地线、栅线、时钟信号线和公共电极线的至少一种。各第一导线2分别通过过孔51和切口52与对应的第二导线4电连接。需要说明的是，TFT 6的结构不限于图4所示的底栅型，也可以为顶栅型或其他结构，顶栅型或其他结构的TFT同样适用于本实施例。本实施例中，第二导线4的材料可以为氧化铟锡ITO，在第二导线4和第一导线2的电连接处，第二导线4对第一导线2进行覆盖保护，能够对电连接处的第一导线2进行防水保护和抗氧化保护。

图3和图4所示的阵列基板中的绝缘层3可以仅为钝化层或仅为平坦化层，当然也可以为钝化层和平坦化层的组合。参见图5，示出了第三种具体的阵列基板的结构示意图，图5所示的阵列基板与图4所示的阵列基板具有相似的结构，不同之处在于图5所示的阵列基板的绝缘层3包括平坦层31和钝化层32，当然平坦化层31和钝化层32的层叠顺序可以互换。

优选的，为了减小第二导线4所在的辅助导电层上与第一导线2所在的金属导电层之间的寄生电容，第二导线4可以设计为镂空结构，该镂空结构的图形可以灵活设置。

本实用新型实施例有益效果如下：阵列基板的金属导电层的第一导线通过与之电连接的第二导线延伸至辅助导电层，即第一导线原本在非显示区的走线转移至辅助导电层，可以减少第一导线在金属导电层的非显示区内所占用的走线空间，从而减小非显示区的面积或宽度，利于实现窄边框的显示面板；同时，阵列基板应于窄边框的显示面板时，由于不需要对非显示区内的线宽或线间距进行调整，也不需要改进栅极驱动电路，因此容易实现且成本较低。

本实用新型实施例提供一种显示面板，包括如上实施例提供的阵列基板。

本实用新型实施例有益效果如下：阵列基板的金属导电层的第一导线通过与之电连接的第二导线延伸至辅助导电层，即第一导线原本在非显示区的走线转移至辅助导电层，可以减少第一导线在金属导电层的非显示区内所占用的走线空间，从而减小非显示区的面积或宽度，利于实现窄边框的显示面板；同时，阵列基板应于窄边框的显示面板时，由于不需要对非显示区内的线宽或线间距进行调整，也不需要改进栅极驱动电路，因此容易实现且成本较低。

本实用新型实施例提供一种显示装置，包括如上实施例提供的显示面板。

本实用新型实施例有益效果如下：阵列基板的金属导电层的第一导线通过与之电连接的第二导线延伸至辅助导电层，即第一导线原本在非显示区的走线转移至辅助导电层，可以减少第一导线在金属导电层的非显示区内所占用的走线空间，从而减小非显示区的面积或宽度，利于实现窄边框的显示面板；同时，阵列基板应于窄边框的显示面板时，由于不需要对非显示区内的线宽或线间距进行调整，也不需要改进栅极驱动电路，因此容易实现且成本较低。

参见图6，本实用新型实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：

601，在衬底基板上形成金属导电层，金属导电层包括多条第一导线。

金属导电层可以包括栅极金属层和源漏极金属层中的任一种或组合。当然，如果金属导电层包括栅极金属层和源漏极金属层的组合时，栅极金属层和源漏极金属层之间应当具有栅极绝缘层。这也意味着第一导线可以仅形成于栅极金属层，或仅形成于源漏极金属层，或形成于栅极金属层和源漏极金属层。

602，在金属导电层上方形成绝缘层，绝缘层上形成有多个连接结构，连接结构的垂直投影位于阵列基板的非显示区内。

603，在绝缘层上方形成辅助导电层，辅助导电层包括多条第二导线，第二导线经连接结构与相对应的第一导线电连接。

需要说明的是，本实施例中的金属导电层上方的绝缘层3和绝缘层3上方的辅助导电层，是指绝缘层3可以形成于金属导电层之上并相互接触，也可以是绝缘层3与金属导电层之间存在其他层，辅助导电层可以形成于绝缘层3之上并相互接触，也可以是辅助导电层与绝缘层3存在其他层。因此，根据阵列基板上TFT的不同结构或者层级结构，在本实施例提供的制备方法的基础上，可以进行一些调整，其仍在本实用新型的保护范围内，在此不再赘述。

本实用新型实施例有益效果如下：阵列基板的金属导电层的第一导线通过与之电连接的第二导线延伸至辅助导电层，即第一导线原本在非显示区的走线转移至辅助导电层，可以减少第一导线在金属导电层的非显示区内所占用的走线空间，从而减小非显示区的面积或宽度，利于实现窄边框的显示面板；同时，阵列基板应于窄边框的显示面板时，由于不需要对非显示区内的线宽或线间距进行调整，也不需要改进栅极驱动电路，因此容易实现且成本较低。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次形成于衬底基板上的金属导电层、所述金属导电层上方的绝缘层和所述绝缘层上方的辅助导电层；

所述金属导电层包括多条第一导线，所述辅助导电层包括多条第二导线，每一条所述第一导线对应至少一条所述第二导线；

所述第二导线经所述绝缘层上的连接结构与相对应的所述第一导线电连接，所述连接结构的垂直投影位于所述阵列基板的非显示区内。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属导电层包括源漏极金属层和/或栅极金属层，所述第一导线包括数据线、栅线、电源信号线、接地线、公共电极线、时钟信号线中的至少一种。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为钝化层和平坦化层中的任一种或组合，所述钝化层为氧化硅膜层和氮化硅膜层中的任意一种或复合膜层，所述平坦化层为聚甲基丙烯酸甲酯膜层。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述连接结构为过孔，所述第二导线经所述过孔与相对应的所述第一导线电连接。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述连接结构为切口，所述第二导线在所述切口处覆盖相对应的所述第一导线。

6.如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导线具有镂空结构。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导线的材料为氧化铟锡ITO。

8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。