CN203218262U - 静电防护单元、静电防护结构及阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型的实施例提供一种静电防护单元、静电防护结构及阵列基板和显示面板，涉及显示器制造领域，能够保证静电防护单元的电流疏导能力同时提高其耐击穿能力。一种静电防护单元，包括两个串联的一级结构，所述一级结构为并联的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接。本实用新型的实施例应用于显示器制造。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示器制造领域，尤其涉及一种静电防护单元、静电防护结构及阵列基板和显示面板。
背景技术
静电积累和释放是半导体领域中造成器件破坏的主要因素之一。ESD(Electro-Static discharge，静电释放)保护电路的作用是有效阻隔或疏导静电，避免器件被静电破坏。而是否能够较好的阻隔或疏导静电，关键是ESD设计方案的合理性。
ESD的击穿电压VB∝EBd，公式中EB为绝缘层击穿的临界电场，与绝缘层材料相关；d为绝缘层厚度；在材料确定的情况下，EB为常量，击穿电压VB与绝缘层厚度d成正比。
在现有的显示器制造过程中发明人发现，在产品的制程过程中，由于外围Common(公共)电极线面积较大，在等离子气相沉积环境中容易积累大量的电荷，而当这些电荷向阵列基板的内部释放时容易造成内部电路的静电击穿现象发生，在现有技术中Panel Short Ring(像素短路环)与外围Common(公共)电极线连接处设置有静电防护单元(ESD防护线)，这种静电防护单元所采用的结构有利于电荷传输，但耐击穿电压较低，很容易被静电击穿进而导致产品显示不良。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种静电防护单元、静电防护结构及阵列基板和显示面板，能够提高显示面板制程过程中静电防护单元的耐击穿能力，同时在制程结束后保证静电防护单元的电流疏导能力进而提高了产品良率。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种静电防护单元，包括两个串联的一级结构，所述一级结构为并联的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接。
可选的，所述第一晶体管包括第一栅极，覆盖所述第一栅极的第一栅绝缘层，位于所述第一栅绝缘层上方的第一有源层、第一源极和第一漏极，覆盖所述第一有源层、所述第一源极和所述第一漏极的第一保护层；
所述第二晶体管包括第二栅极，覆盖所述第二栅极的第二栅绝缘层，位于所述第二栅绝缘层上方的第二有源层、第二源极和第二漏极，覆盖所述第二有源层、所述第二源极和所述第二漏极的第二保护层；所述第一源极和第二漏极连接。
可选的，所述第一晶体管的第一栅极和第一源极连接，所述第二TFT的第二栅极和第二源极连接；
其中，所述第一栅极上的所述第一栅绝缘层和所述第一保护层包含第一过孔，所述第一源极上的所述第一保护层包含第二过孔，所述第一漏极上的所述第一保护层包含第三过孔，所述第一栅极与所述第一源极被第一导电层图形通过所述第一过孔和所述第二过孔导通；
所述第二栅极上的所述第二栅绝缘层和所述第二保护层上包含第四过孔，所述第二源极上的所述第二保护层上包含第五过孔，所述第二栅极、所述第二源极与所述第一漏极被第二导电层图形通过所述第三过孔、所述第四过孔和所述第五过孔导通；
所述静电防护单元的一个所述一级结构的第一晶体管的第一栅极与像素短路环电连接，另一所述一级结构的第二晶体管的第二栅极与外围公共电极线电连接，两个所述一级结构的另外两个晶体管的栅极电连接。
可选的，所述第一栅极与所述第二栅极为同层导电材料。
可选的，所述第一栅绝缘层与所述第二栅绝缘层为同层绝缘材料层。
可选的，所述第一有源层与所述第二有源层为同层半导体材料层。
可选的，所述第一晶体管和第二晶体管均为“P”型晶体管或所述第一晶体管和第二晶体管均为“N”型晶体管。
可选的，所述第一保护层与所述第二保护层为同层绝缘材料层。
可选的，所述第一导电层图形与所述第二导电层图形为同层透明导电材料层。
一方面，提供一种静电防护结构，包括两个或两个以上上述的静电防护单元并联。
一方面，提供一种阵列基板，包括至少一个上述的静电防护单元，其中所述静电防护单元的一个一级结构的第一晶体管的第一栅极与像素短路环电连接，另一一级结构的第二晶体管的第二栅极与外围公共电极线电连接，两个一级结构的另外两个晶体管的栅极电连接。
一方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本实用新型提供的一种静电防护单元、静电防护结构及阵列基板和显示面板，在制程中能够通过两级隔离的静电防护单元隔断像素短路环和外围公共电极线，进而有效的阻隔静电释放，提高了耐击穿电压，提高了ESD的防护能力，在制程结束后通过像素电极层图形将像素短路环和外围公共电极线间的电路结构导通，保证了较高的电流疏导能力，从而提高了产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的一种静电防护单元结构示意图；
图3为本实用新型实施例提供的如图2所示的静电防护单元A-A’截面的结构示意图；
图4为本实用新型实施例提供的另一静电防护单元结构示意图；
图5为本实用新型实施例提供的如图4所示的静电防护单元制作过程中的结构在A-A’截面的结构示意图；
图6为本实用新型的提供的一种静电防护结构的等效电路图。
附图标记：
1a-外围公共电极线；1b-像素短路环；1c-静电防护单元；2a-第一栅绝缘层；2b-第二栅绝缘层；3a-第一栅极；3b-第二栅极；4a-第一源极；4b-第二源极；5a-第一漏极；5b-第二漏极；6a-第一有源层；6b-第二有源层；7a-第一保护层；7b-第二保护层；8a-第一过孔；8b-第二过孔；8c-第三过孔；8d-第四过孔；8e-第五过孔；9a-第一导电层图形；9b-第二导电层图形。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参照图1所示，显示器件制造过程中，阵列基板上像素区域的外围电路包括外围公共电极线1a(com线)和像素短路环1b及连接公共电极线1a和像素短路环1b的静电防护单元1c。
参照图2、3所示，本实用新型的实施例提供一种阵列基板，包括透明基板及设置在透明基板上的外围公共电极线1a与像素短路环1b，外围公共电极线1a与像素短路环1b之间设置有至少一个静电防护单元1c，其中每个静电防护单元1c包括两个串联的一级结构，一级结构为并联的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接；
其中第一晶体管包括第一栅极3a，覆盖第一栅极的第一栅绝缘层2a，位于第一栅绝缘层2a上方的第一有源层6a、第一源极4a和第一漏极5a，覆盖第一有源层6a、第一源极4a和第一漏极5a的第一保护层7a；其中第一栅极3a上的第一栅绝缘层2a和第一保护层7a包含第一过孔8a，第一源极4a上的第一保护层7a包含第二过孔8b，第一漏极5a上的第一保护层7a包含第三过孔8c，第一栅极3a与第一源极4a被第一导电层图形9a通过第一过孔8a和第二过孔8b导通；
第二晶体管包括第二栅极3b，覆盖第二栅极3b的第二栅绝缘层2b，位于第二栅绝缘层2b上方的第二有源层6b、第二源极4b和第二漏极5b，覆盖第二有源层6b、第二源极4b和第二漏极5b的第二保护层7b其中第二栅极3b上的第二栅绝缘层2b和第二保护层7b包含第四过孔8d，第二源极4b上的第二保护层7b包含第五过孔8e，第二栅极3b、第二源极6b与第一漏极5a被第二导电层图形9b通过第三过孔8c、第四过孔8d和第五过孔8e导通；
第一源极6a与第二漏极5b直接电连接，静电防护单元1c的一个一级结构的第一晶体管的第一栅极3a与像素短路环1b电连接，另一一级结构的第二晶体管的第二栅极3b与外围公共电极线1a电连接，两个一级结构的另外两个晶体管的栅极电连接。
上述两个或两个以上如图2所示的静电防护单元1c的并联构成本实用新型的实施例所提供的静电防护结构，其中图2中示出了两个静电防护单元1c的并联结构示意图。
当然根据阵列基板的制程工艺，外围公共电极线1a、像素短路环1b、第一栅极3a与第二栅极3b为同层金属，即可以与阵列基板制程中用作像素单元的晶体管的栅极及栅线经过同一次构图工艺形成；这里第一栅绝缘层2a与第二栅绝缘层2b为同层绝缘层，即可以与阵列基板制程中用作像素单元的晶体管的栅绝缘层经过同一次构图工艺形成；第一有源层4a与第二有源层4b为同层半导体材料层，即可以与阵列基板制程中用作像素单元的晶体管的有源层经过同一次构图工艺形成。第一源极4a、第一漏极5a、第二源极4b与第二漏极5b为同层金属材料层，即可以与阵列基板制程中用作像素单元的晶体管的源极、漏极及数据线经过同一次构图工艺形成；第一保护层7a和第二保护层7b为同层绝缘材料层，即可以与阵列基板制程中用作像素单元的晶体管的保护层经过同一次构图工艺形成；第一导电层图形8a与第二导电层图形8b为同层透明导电材料层，即可以与阵列基板制程中用作像素单元的像素电极层经过同一次构图工艺形成；此外本实用新型所采用的晶体管全部为同类型的晶体管，即全部为N型或P型，以实现构成电路后的电流疏通作用，同时降低制程工艺的复杂度。
在制作过程中，参照图4、5所示，在像素电极图形成形之前，各晶体管之间还没有形成电连接关系，这样像素短路环1b与外围公共电极线1a是不导通的，即本实用新型的实施例所提供的另一种静电防护单元，此时每个静电防护单元1c包括两个串联的一级结构，一级结构为并联的第一TFT和第二TFT，第一TFT的源极与所述第二TFT的漏极连接；其中第一晶体管包括第一栅极3a，覆盖第一栅极的第一栅绝缘层2a，位于第一栅绝缘层2a上方的第一有源层6a、第一源极4a和第一漏极5a，覆盖第一有源层6a、第一源极4a和第一漏极5a的第一保护层7a；第二晶体管包括第二栅极3b，覆盖第二栅极3b的第二栅绝缘层2b，位于第二栅绝缘层2b上方的第二有源层6b、第二源极4b和第二漏极5b，覆盖第二有源层6b、第二源极4b和第二漏极5b的第二保护层7b，第一源极与第二漏极5b直接电连接。此外上述两个或两个以上如图4所示的静电防护单元1c的并联构成本实用新型的实施例所提供的静电防护结构，其中图4中示出了两个静电防护单元1c的并联结构示意图。
在制作过程中，由于本实用新型提供的静电防护单元为二级隔离的即在像素短路环1b与外围公共电极线1a之间直连的导电线上存在两处隔断，参照图4所示B1(参照图5，即每个静电防护单元的一级结构中第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极之间的隔离带)和B2处，这样避免了在像素电极沉积前的等离子环境大量电荷在外围公共电极线1a积累后向像素区域电路转移，因而有效地避免了静电击穿现象的发生，而当像素电极沉积结束并形成图形后，静电防护单元所包含的晶体管形成如图6所示的等效电路图示出的连接关系，具体的参照图6所示，提供的静电防护单元的等效电路图，包括四个晶体管(T1、T2、T3和T4)，其中T1的源极与栅极电连接像素短路环1b，T2的源极电连接像素短路环1b，T3的源极和栅极电连接T1的漏极，T3的漏极电连接外围公共电极线1a，T4的源极电连接T2的漏极和栅极，T4的漏极和栅极电连接外围公共电极线1a，这样从电路构造上分析，阵列基板上的像素电极层图形形成后，无论是像素短路环的电位较高还是外围公共电极线上的电位较高，都能良好的实现电流的疏导，当然图中是以两条并联的静电防护单元为例进行说明，当然设置的静电防护单元增多时可以更加有效的降低静电防护单元的总电阻，实现更好的电流疏导作用，但是考虑大量的静电防护单元设计会占用阵列基板上的像素外围空间影响到其他部分外围电路的设计，此外静电流不会无限大，因此一般只设置两条并联的静电防护单元便可达到现有技术中对电流疏导作用的效果。
本实用新型提供的阵列基板，在制程中能够通过两级隔离的静电防护单元隔断像素短路环和外围公共电极线，进而有效的阻隔静电释放，提高了耐击穿电压，提高了ESD的防护能力，在制程结束后通过像素电极层图形将像素短路环和外围公共电极线间的电路结构导通，保证了较高的电流疏导能力，从而提高了产品良率。
本实用新型的实施例提供一种显示面板，包括上述的任一阵列基板，当然该显示面板可以为电子纸、掌上电脑、手机、电视及显示器等显示设备。
本实用新型提供的显示面板，在制程中能够通过两级隔离的静电防护单元隔断像素短路环和外围公共电极线，进而有效的阻隔静电释放，提高了耐击穿电压，提高了ESD的防护能力，在制程结束后通过像素电极层图形将像素短路环和外围公共电极线间的电路结构导通，保证了较高的电流疏导能力，从而提高了产品良率。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种静电防护单元，其特征在于，包括两个串联的一级结构，所述一级结构为并联的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的静电防护单元，其特征在于，
所述第一晶体管包括第一栅极，覆盖所述第一栅极的第一栅绝缘层，位于所述第一栅绝缘层上方的第一有源层、第一源极和第一漏极，覆盖所述第一有源层、所述第一源极和所述第一漏极的第一保护层；
所述第二晶体管包括第二栅极，覆盖所述第二栅极的第二栅绝缘层，位于所述第二栅绝缘层上方的第二有源层、第二源极和第二漏极，覆盖所述第二有源层、所述第二源极和所述第二漏极的第二保护层；所述第一源极和第二漏极连接。
3.根据权利要求2所述的静电防护单元，其特征在于，
所述第一晶体管的第一栅极和第一源极连接，所述第二晶体管的第二栅极和第二源极连接；
其中，所述第一栅极上的所述第一栅绝缘层和所述第一保护层包含第一过孔，所述第一源极上的所述第一保护层包含第二过孔，所述第一漏极上的所述第一保护层包含第三过孔，所述第一栅极与所述第一源极被第一导电层图形通过所述第一过孔和所述第二过孔导通；
所述第二栅极上的所述第二栅绝缘层和所述第二保护层上包含第四过孔，所述第二源极上的所述第二保护层上包含第五过孔，所述第二栅极、所述第二源极与所述第一漏极被第二导电层图形通过所述第三过孔、所述第四过孔和所述第五过孔导通；
所述静电防护单元的一个所述一级结构的第一晶体管的第一栅极与像素短路环电连接，另一所述一级结构的第二晶体管的第二栅极与外围公共电极线电连接，两个所述一级结构的另外两个晶体管的栅极电连接。
4.根据权利要求2-3任一项所述的静电防护单元，其特征在于，所述第一栅极与所述第二栅极为同层导电材料。
5.根据权利要求2-3任一项所述的静电防护单元，其特征在于，所述第一栅绝缘层与所述第二栅绝缘层为同层绝缘材料层。
6.根据权利要求2-3任一项所述的静电防护单元，其特征在于，所述第一有源层与所述第二有源层为同层半导体材料层。
7.根据权利要求1-3任一项所述的静电防护单元，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管均为“P”型晶体管或所述第一晶体管和第二晶体管均为“N”型晶体管。
8.根据权利要求2-3任一项所述的静电防护单元，其特征在于，所述第一保护层与所述第二保护层为同层绝缘材料层。
9.根据权利要求3所述的静电防护单元，其特征在于，所述第一导电层图形与所述第二导电层图形为同层透明导电材料层。
10.一种静电防护结构，其特征在于，包括两个或两个以上如权利要求1-9任一项所述的静电防护单元并联。
11.一种阵列基板，其特征在于，包括至少一个如权利要求1-9任一项所述的静电防护单元，其中所述静电防护单元的一个一级结构的第一晶体管的第一栅极与像素短路环电连接，另一一级结构的第二晶体管的第二栅极与外围公共电极线电连接，两个一级结构的另外两个晶体管的栅极电连接。
12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求11所述的阵列基板。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130925 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |