CN100399569C - 像素结构和液晶显示器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

一种像素结构适用于液晶显示器，包括扫描线、数据线、薄膜晶体管设置于基板上，且薄膜晶体管具有源极连接数据线、栅极连接扫描线，遮蔽电极设置于基板上，其中遮蔽电极、源极及漏极由同一金属层构成，而数据线由两层以上非同一时间形成的金属图案层电性相连而成，以及，像素电极覆盖部分遮蔽电极且电连接于漏极。

Description

像素结构和液晶显示器及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种像素结构和液晶显示器及其制作方法，特别是一种降低杂散电容的像素结构和液晶显示器及其制作方法。

背景技术

由于液晶显示器具有小体积、低辐射等优点，所以液晶显示器成为市场上最常见的显示器。而制作液晶显示器时，像素结构开口率(aperture ratio)的大小因为会直接影响到背光光源的利用率，进而影响到液晶显示器的显示亮度，所以如何增加像素结构开口率为研发液晶显示器重要的研究方向。

一般而言，影响像素结构开口率大小的最主要因素在于像素电极(pixelelectrode)与数据线(data line)之间的距离，当像素电极与数据配线过于接近时，像素电极与数据线之间所产生的杂散电容(Cpd，capacitance between pixeland data line)会增大，导致像素电极上充饱的电荷在下个显示画面转换前，会受到数据线传送不同的电压影响，产生串音效应(cross talk)，影响显示品质。

请参考图1，图1为现有技术中液晶显示器的像素结构示意图。液晶显示器的阵列结构包括有薄膜晶体管102、多条彼此平行的数据线104和多条彼此平行的扫描线106，其中，数据线104与该扫描线106交错定义出一矩阵状的像素结构108，而每一个像素结构108内又配置有一像素电极110，以及一遮蔽电极112位于像素电极110的下方。

请参考图2，图2为图1沿AA’切线方向的剖面示意图。如图2所示，遮蔽电极112上方覆盖一栅极绝缘层122，数据线104位于栅极绝缘层122上方且位于两个遮蔽电极112之间，栅极绝缘层122和数据线104上方又覆盖一护层124，护层124上方具有像素电极110。其中，像素电极110与数据线104间的杂散电容126大小，即是影响串音效应的主要因素之一；而储存电容(storage-capacitance)128则包括有像素电极110、护层124、栅极绝缘层122和遮蔽电极112。

在现有技术中为了降低杂散电容的效应，必须将数据线和像素电极分开至一定距离以上，但是，数据线和像素电极分开越远，像素结构的开口率就越低，影响了背光源的利用率。另外一种降低杂散电容的效应的方法，是提高储存电容的比例，使得杂散电容占电容总效应的比例下降，以降低杂散电容的影响，一般而言，欲提高储存电容，可以通过增加构成储存电容间的两电极的重叠面积来达成，然而，一般的工艺上，构成储存电容的电极中，其中一层常使用非透光性的金属层，因此利用增大重叠面积来增加储存电容，亦会使得像素结构的开口率下降。

发明内容

本发明提供一种像素结构和液晶显示器及其制作方法以解决上述问题。

本发明的一实施例提供一种适用于液晶显示器的像素结构，包括扫描线、数据线设置于基板上，且扫描线与数据线相交，薄膜晶体管设置于基板上具有栅极、源极及漏极，源极电连接于数据线，栅极电连接于扫描线，遮蔽电极设置于基板上，其中遮蔽电极、源极及漏极由同一金属层构成，并且遮蔽电极至少具有一主部分平行于数据线且设置在像素电极边缘与数据线之间，该数据线由两层以上非同一时间形成的金属图案层电性相连而成，以及，像素电极覆盖部分遮蔽电极且电连接于漏极。

本发明的另一实施例提供一种适用于液晶显示器的像素结构，包括像素电极、数据线、扫描线，且扫描线与数据线相交，像素结构又包括薄膜晶体管具有栅极、源极及漏极，栅极电连接于扫描线，源极电连接于数据线，漏极电连接于像素电极，以及遮蔽电极覆盖部分像素电极，其中遮蔽电极及扫描线由同金属层所构成，且遮蔽电极至少具有一主部分平行于数据线且设置在像素电极边缘与数据线之间。

本发明的另一实施例提供一种液晶显示器的制造方法，包括形成扫描线、连接电极于基板上；形成绝缘层于基板上并覆盖扫描线及连接电极，其中位于连接电极上的绝缘层具有一第一孔洞以曝露出部分连接电极；形成通道层于绝缘层上且位于栅极上；形成欧姆接触图案层于通道层上；形成金属层于欧姆接触图案层后，且金属层于栅极上定义为源极/漏极，用以形成薄膜晶体管，金属层并定义一遮蔽电极，遮蔽电极至少具有一主部分平行于连接电极且设置在像素电极边缘与该连接电极之间，并且，金属层至少还包括一部分跨越扫描线，且透过第一孔洞与连接电极电连接，用以形成一数据线；覆盖保护层，于金属层上，保护层具有孔洞位于源极/漏极处，以及，形成像素电极于保护层上，并覆盖部分遮蔽电极，且透过第二孔洞与源极/漏极电连接。

本发明的另一实施例提供一种液晶显示器的制造方法，包括形成像素电极于基板上，形成缓冲图案层于基板上并覆盖部分像素电极；形成扫描线、遮蔽电极于缓冲图案层上，扫描线沿着第一方向配置，遮蔽电极至少有一部分覆盖部分像素电极且沿着第二方向配置；形成绝缘层于缓冲图案层上且覆盖于扫描线及遮蔽电极；依序形成通道层及欧姆接触图案层于绝缘层上；形成一第一孔洞在像素电极上，用以挖开部分覆盖在像素电极上方的缓冲图案层与绝缘层；形成数据线与源极/漏极，其中数据线沿着第二方向平行遮蔽电极而设置，而该定义的源极/漏极位于栅极上，用以形成薄膜晶体管，并且，该源极与数据线电性相连接，该漏极透过第一孔洞与像素电极电连接；以及覆盖保护层于金属层上。

本发明的另一实施例提供一种液晶显示器的制造方法，包括形成缓冲图案层于基板上；形成金属层于缓冲图案层上，金属层具有至少一第一部分及至少一第二部分，其中第一部分定义为源极/漏极，第二部分定义为数据线；依序形成欧姆接触图案层及通道层；形成绝缘层于通道层上且覆盖数据线；形成扫描线及遮蔽电极于绝缘层上，其中遮蔽电极至少具有一部分平行数据线配置；形成保护层于缓冲图案层上，并覆盖扫描线及遮蔽电极，且保护层具有孔洞，分别位于源极/漏极其中之一；形成像素电极，于保护层上并覆盖部分遮蔽电极，且透过孔洞与源极/漏极其中之一电连接。

本发明的另一实施例提供一种液晶显示器的制造方法，包括形成扫描线、连接电极，分别沿着第一方向及第二方向于基板上；形成绝缘层于基板上，且覆盖栅极及连接电极；形成通道层于部分绝缘层上；形成蚀刻终止图案层，于通道层上，且相对应于栅极部位；形成欧姆接触图案层于通道层上，并覆盖蚀刻终止图案层的二端；形成一第一孔洞，以曝露出部分连接电极；形成金属层，此金属层至少定义三部分，第一部分于栅极上定义为源极/漏极，用以形成薄膜晶体管，于第二部分定义一遮蔽电极，该遮蔽电极至少有一部分平行该连接电极，第三部分形成一金属线段，以跨越与扫描线交叉的地方，并透过第一孔洞与该连接电极电连接，用以形成数据线；覆盖保护层，于金属层上，保护层具有第二孔洞，位于源极/漏极处；以及于保护层上形成像素电极，并覆盖部分遮蔽电极，且透过第二孔洞与源极/漏极电连接。

由于本发明的遮蔽电极的金属层设置在相对于像素电极层与数据线层之间，所以可以通过遮蔽电极的电场遮蔽效应，减低数据线对像素电极产生的杂散电容，让像素电极的边缘与数据线间的距离设计可以缩小，而得到较高的开口率；另一方面，本发明构成储存电容的结构可以在不牺牲开口率的情形下得到较大的储存电容设计值，较大的储存电容值可以降低其它杂散电容的效应，而得到较稳定的显示品质。

附图说明

图1为现有技术中液晶显示器的像素结构的示意图。

图2为图1沿AA’切线的剖面示意图。

图3为本发明的杂散电容、储存电容结构示意图。

图4至5是2D mos软件仿真在电场屏蔽效应下液晶分子受数据线电场影响的结果。

图6为本发明另一实施例的像素结构的示意图。

图7至9为图6分别沿BB’和CC’切线的工艺示意图。

图10至13为图6分别沿BB’和CC’切线的工艺示意图。

图14为本发明另一实施例的像素结构的示意图。

图15至16为图14分别沿DD’和EE’切线的工艺示意图。

图17为本发明另一实施例的像素结构的示意图。

图18为图17分别沿FF’和GG’切线的工艺示意图。

简单符号说明

102、502、1302、1602薄膜晶体管

104、304、504、1304、1604数据线

106、506、1306、1606扫描线

108、508、1308、1608像素结构

110、310、510、1310、1610像素电极

112、312、512、1312、1612遮蔽电极

122、322、606、906、1408、1704栅极绝缘层

124、324护层

126、326杂散电容

128、328、518、1318、1618储存电容

402液晶分子

502a、1302a、1602a源极

502b、1302b、1602b栅极

502c、1302c、1602c漏极

504a、504b数据线区段

504c连接电极

512a、1312a、1612a主要遮蔽电极

512b、1312b、1612b、1612c子遮蔽电极

514、1314、1614接触孔

600、900、1400、1700基板

608、908、1708晶体管通道

608a、908a、1404b、1708a通道层

608b、908b、1404a、1708b欧姆接触图案层

702、1002开口

802、1202、1502、1706介电层

910岛型绝缘层

1410光遮蔽层

1402、1702缓冲图案层

具体实施方式

本发明主要特点，是提供多种显示器制造方法，将如图2所示现有技术的数据线在遮蔽电极层与像素电极层间的结构，做成如图3所示的遮蔽电极层在数据线与像素电极层之间的结构。

请参考图3，图3为本发明的杂散电容、储存电容的结构示意图。如图3所示，一栅极绝缘层322覆盖数据线304，遮蔽电极312则位于栅极绝缘层322上方，栅极绝缘层322和遮蔽电极312上方又覆盖一护层324，而护层324上方具有像素电极310。在本实施例中，像素电极310、护层324、栅极绝缘层322和数据线304即构成杂散电容326，而储存电容328包括有像素电极310、护层324和遮蔽电极312。

将数据线、像素电极和遮蔽电极的结构关系由图2改做成图3有几个好处：

第一个好处是增大了储存电容，在图3实施例中，储存电容328的电容介电层为护层324，而图2中的储存电容128的介电层包括护层124和栅极绝缘层122，根据平行电容公式Cs＝(ε₀×ε×A)/d(d为电容介电层厚度，A为电容重叠面积)的计算，在考虑相同的工艺因素下，因为图3介电层的厚度d变小，所以其储存电容328的电容值会变大。较大的储存电容值可使杂散电容占电容总效应的比例下降，减少了串音效应的发生，使液晶显示器的显示效果得以提升，同时亦可以增加储存电容与开口率设计的空间。

另外一个好处，是遮蔽电极的电场屏蔽效应，图4至5是2D mos软件仿真在电场屏蔽效应下液晶分子受数据线电场影响的结果。由图4中可以看出，遮蔽电极312位于数据线304和像素电极310之间，可以减低数据线304本身所产生的电场对像素电极310和数据线304附近的液晶分子的影响，此时像素电极310与其边缘液晶分子402主要是受遮蔽电极312的电场影响。如图5所示，当遮蔽电极312完全覆盖过数据线304时，数据线304的电场会被遮蔽电极312完全屏蔽掉，此时液晶分子402不受数据线304电场影响，同时像素电极310与数据线304间亦不会有杂散电容Cpd(capacitancebetween pixel and data line)的效应产生。因此只要像素电极和数据线之间有一层遮蔽电极阻隔，就可以让像素电极边缘更接近数据线，可以增加像素的开口率。

以下列举四个实施例，并且依照其结构与工艺作说明：

第一实施例：

请参考图6，图6为本发明另一实施例的像素结构的示意图。像素结构508位于一液晶显示器中，其包括有一沿第一方向配置的扫描线506设置于基板600上，一沿第二方向配置的连接电极504c，一数据线区段504a跨越过扫描线506，且透过连接电极504c电连接于另一数据线区段504b，用以形成一完整的数据线504，且扫描线506与数据线504交错定义出一矩阵状的像素结构508。

像素结构508又包括一薄膜晶体管502具有栅极502b、源极502a以及漏极502c，源极502a电连接于数据线504，而栅极502b电连接于扫描线506。再者，像素结构508又具有一遮蔽电极512，其包括一主要遮蔽电极512a平行于构成数据线504中的连接电极504c，且两主要遮蔽电极512a间，至少有一遮蔽电极连接线512b电性相连接。而且，遮蔽电极512、源极502a、漏极502c及数据线区段504a、504b由同一金属层所构成。

另外，像素电极510设置于基板600上并覆盖部分遮蔽电极512，其通过接触孔514电连接于漏极502c。其中，像素电极510及其覆盖的部分遮蔽电极512构成储存电容518。

请参考图7至9，图7至9为图6分别沿BB’和CC’的工艺示意图。请参照第7图，首先，在基板600表面形成一图案化金属层，其包括有一沿着第一方向设置的扫描线、栅极502b及一沿着第二方向设置的连接电极504c。接着，利用等离子体增强化学气相沉积工艺，于栅极502b、连接电极504c和基板600上方形成一栅极绝缘层606。然后，于栅极502b的栅极绝缘层606上方形成晶体管通道608，其中，晶体管通道608是利用两次化学气相沉积工艺，于栅极绝缘层606上方分别沉积一非晶硅(a-Si)层、一掺杂非晶硅层后，再进行蚀刻工艺，以形成一非晶硅(a-Si)构成的通道层608a和一掺杂非晶硅构成的欧姆接触图案层608b的堆栈结构，以形成晶体管通道608。

请参考图8，先进行一蚀刻工艺去除连接电极504c上方的栅极绝缘层606以形成开口702，再形成一图案化金属层作为薄膜晶体管502的源极502a、漏极502c和遮蔽电极512，此图案化金属层又有一部分填入开口702中，以于连接电极504c上方形成数据线区段504a，其中，连接电极504c和数据线区段504a相互电连接构成数据线504的一部分。

请参考图9，在薄膜晶体管502、遮蔽电极512和数据线504上方覆盖一介电层802作为护层使用，其材料可为氮化硅等介电材料。接着，进行一蚀刻工艺于介电层802上形成一接触孔514直达漏极502c。尔后，再形成像素电极510于介电层802上方，且填入该接触孔514中，使得像素电极510和漏极502c得以通过接触孔514电连接。在此实施例中，主要的储存电容则是由像素电极510、介电层802和被像素电极510覆盖的遮蔽电极512所构成。值得注意的是，图6的CC’切线特别横剖至数据线504的数据线区段504a连接至连接电极504c的部分。而如图6所示，对于像素结构508来说，由于像素电极510与数据线504c中间有遮蔽电极512的屏蔽，可以有效的减低数据线504c对像素电极510杂散电容的影响，因而可以让像素电极边缘更接近数据线而得到更高开口率的设计。

第二实施例：

第二实施例的像素结构的示意图和第一实施例相似，故第二实施利亦可利用图6作为像素结构的示意图说明。但是，第一实施例和第二实施例的工艺不同，第一实施例利用后通道蚀刻(BCE，back channel etching)工艺来制作薄膜晶体管；第二实施例则是利用后通道保护(Etch stop)工艺来制作薄膜晶体管来制作薄膜晶体管，所以，第二实施例的剖面结构不同于第一实施例。

请参考图10至13，图10至13为图6分别沿BB’和CC’切线的工艺示意图。请参照图10，先在基板900上形成一图案化金属层，其包括有一沿着第一方向设置的扫描线(未显示)、位于扫描线上的栅极502b及一沿着第二方向设置的连接电极504c。接着，利用等离子体增强化学气相沉积工艺，于栅极502b、连接电极504c和基板900上方依序沉积一栅极绝缘层906与一通道层908a，之后，再沉积一介电层并进行一蚀刻工艺，以形成一岛型绝缘层910作为之后制作晶体管通道时的蚀刻终止图案层。

请参考图11，进行一化学气相沉积工艺，形成一欧姆接触图案层908b，接着，利用一蚀刻工艺，去除部分连接电极504c上方的栅极绝缘层906、通道层698a和欧姆接触图案层908b，以形成一开口1002暴露出连接电极504c。

请参考图12，形成一图案化金属层图案化金属层一部分作为薄膜晶体管502的源极502a、漏极502c、图案化金属层另一部分作为遮蔽电极512，以及图案化金属层的另外一部分作为于连接电极504c上方形成一数据线区段504a，其中，连接电极504c、504d相互电连接构成数据线504。然后，以该图案化金属层为硬掩模层(hard mask)，进行一蚀刻工艺，以去除该图案化金属层覆盖以外的欧姆接触图案层908b及通道层908a，，且该蚀刻工艺又以岛型绝缘层910与栅极绝缘层906作为蚀刻停止层，以形成一晶体管通道908在栅极502b的上方，其中，薄膜晶体管502包括有源极502a、漏极502c和栅极502b。

请参考图13，在薄膜晶体管502、遮蔽电极512和数据线504上方覆盖一介电层1202作为护层使用，其材料可为氮化硅等介电材料。接着，进行一蚀刻工艺于介电层1202上形成一接触孔514直达漏极502c。尔后，再形成像素电极510于介电层1202上方，且填入该接触孔514中，使得像素电极510和漏极502c得以通过接触孔514电连接。在此实施例中，主要的储存电容则是由像素电极510、介电层1202和遮蔽电极512所构成。

第三实施例：

请参考图14，图14为本发明另一实施例的像素结构的示意图。像素结构1308应用于一液晶显示器中，其包括一沿着第一方向配置的数据线1304设置在基板1400上，一沿着第二方向配置的扫描线1306，扫描线1306与数据线1304相交。像素结构1308另有一薄膜晶体管1302具有栅极1302b、源极1302a及漏极1302c，栅极1302b电连接于扫描线1306，源极1302a则电连接于数据线1304，漏极1302通过接触孔1314电连接于像素电极1310。像素结构1308又包括有一遮蔽电极1312，其具有一主要遮蔽电极1312a平行于数据线1304且覆盖部分的像素电极1310，另外又包括有遮蔽连接电极1312b用以电连接于主要遮蔽电极1312a。值得一提的是遮蔽电极1312和栅极1302b由同一金属层所构成。另外，像素结构1308又包括一像素电极1310覆盖在基板1400上，且像素电极1310覆盖在部分遮蔽电极1312上，并且和漏极1302c形成电连接。其中，像素电极1310及其覆盖的部分遮蔽电极1312构成储存电容1318。

请参考图15至16，图15至16为图14分别沿DD’和EE’切线的工艺示意图。请参照图15，先在基板1400形成数个光遮蔽层1410，再形成一缓冲图案层1402覆盖在光遮蔽层1410和基板1400上方。接着，于缓冲图案层1402上形成一图案化金属层，此图案化金属层的一部分作为源极1302a、漏极1302c，另一部分作为数据线1304。再于源极1302a、漏极1302c上方形成一欧姆接触图案层1404a。接着，利用一化学气相沉积工艺，在基板1400上方沉积一通道层1404b，再沉积一栅极绝缘层1408在通道层1404b上方。

请参考图16，形成一图案化金属层作为薄膜晶体管1302的栅极1302b和遮蔽电极1312，同时利用此一图案金属层为阻挡层，蚀刻掉曝露出来的栅极绝缘层1408与通道层1404b。然后，沉积一介电层1502作为护层使用，其材料可为氮化硅等介电材料。接着，进行一蚀刻工艺于介电层1502上形成一接触孔1314直达漏极1302c。尔后，再形成像素电极1310于介电层1502上方，且填入该接触孔1314中，使得像素电极1310和漏极1302c得以通过接触孔1314电连接。在此实施例中，主要的储存电容则是由像素电极1310、介电层1302和遮蔽电极1312所构成。

第四实施例：

请参考图17，图17为本发明另一实施例的像素结构的示意图。像素结构1608应用于一液晶显示器中，像素结构1608包括有一像素电极1610设置于基板1700上，一沿着第一方向的数据线1604，一沿着第二方向的扫描线1606，扫描线1606与数据线1604相交。像素结构1608又包括有一薄膜晶体管1602具有栅极1602b、源极1602a及漏极1602c，栅极1602b电连接于扫描线1606，源极1602a电连接于数据线1604，漏极1602通过接触孔1614电连接于像素电极1610。再者，像素结构1608也包括一遮蔽电极1612，其具有一主要遮蔽电极1612a平行于数据线1604且覆盖部分的像素电极1610，又具有子遮蔽电极1612b用以连接于主要遮蔽电极1612a。而且，遮蔽电极1612和扫描线1606由同一金属层所构成。其中，遮蔽电极1612及其覆盖的部分像素电极1610构成储存电容1618。

请参考图18，图18为图17分别沿FF’和GG’切线的工艺示意图。请参照图18，先在基板1700上形成数个像素电极1610，再形成一缓冲图案层1702覆盖在像素电极1610和基板1700上方。接着，形成一图案化金属层作为扫描线1606、薄膜晶体管1602的栅极1602b以及遮蔽电极1612，其中，扫描线1606沿着第一方向配置，遮蔽电极1612a则是沿着第二方向配置。然后，利用等离子体增强化学气相沉积工艺，形成一栅极绝缘层1704。

尔后，在栅极绝缘层1704上方形成一晶体管通道1708，此晶体管通道1708包括一通道层1708a和一欧姆接触图案层1708b。接着，在像素电极的上方至少形成一接触孔洞1614，以曝露出部分像素电极。尔后，形成一图案化金属层作为薄膜晶体管1602的源极1602a和漏极1602c与数据线1604，其中，源极1602a和漏极1602c位于欧姆接触图案层1708b上，数据线1604则沿着第二方向平行遮蔽电极1612a配置，而且，漏极1602c通过接触孔1614和像素电极1610形成电连接。然后，在薄膜晶体管1602、数据线1604和栅极绝缘层1704上方覆盖一介电层1706作为护层使用，其材料可为氮化硅等介电材料。接着，进行一蚀刻工艺，去除像素电极1610上方多余的介电层1706和栅极绝缘层1704。在此实施例中，主要的储存电容则是由像素电极1610、缓冲图案层1702和遮蔽电极1612c所构成。

由于本发明的结构，在形成像素电极层与主要数据线段中间，都具有一遮蔽电极设置，因此可以确保数据线段与像素电极间的杂散电容被阻隔屏障掉；且由于形成储存电容的电容介电层只有使用护层或栅极绝缘层中的一层，较原本两层都使用来的薄，所以，储存电容的电容设计值可以增大，一方面可以使液晶显示器的显示效果得以提升，另一方面在开口率的设计上也可以得到比较大的空间。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (24)

1.一种像素结构，适用于液晶显示器，包括：

至少一扫描线，沿着第一方向设置于基板上；

至少一连接电极，沿着第二方向设置于该基板上；

至少一第一数据线区段及至少一第二数据线区段，沿着该第二方向设置于该基板上，该第一数据线区段透过该连接电极电连接于该第二数据线区段，用以形成至少一数据线，且该扫描线与该数据线相交；

至少一薄膜晶体管，其具有栅极、源极及漏极，该源极电连接于该数据线，该栅极电连接于该扫描线；

至少一遮蔽电极，设置于该基板上，且其具有主要部分，该主要部分沿着该第二方向平行于该数据线，其中该遮蔽电极、该源极及该漏极由同一金属层所构成，而该数据线由两层以上非同一时间形成的多个金属图案层电性相连而成；以及

像素电极，设置于基板上，并覆盖部分该遮蔽电极，且其电连接于该漏极；

其中，该遮蔽电极平行于该数据线的部分位于该像素电极和该数据线之间，且该遮蔽电极分别与该像素电极和该数据线至少间隔一介电层。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该像素电极及其覆盖的部分该遮蔽电极构成储存电容。

3.如权利要求1所述的像素结构，其中该遮蔽电极还包括至少一子部分，该子部分用以连接于该主要部分。

4.一种像素结构，适用于液晶显示器，包括：

像素电极；

至少一数据线，沿着第一方向设置于基板上；

至少一扫描线，沿着第二方向设置于该基板上，该扫描线与该数据线相交；

至少一薄膜晶体管，其具有栅极、源极及漏极，该栅极电连接于该扫描线，该源极电连接于该数据线，该漏极电连接于该像素电极；以及

至少一遮蔽电极，具有主要部分，该主要部分沿着该第一方向平行于该数据线，且其覆盖部分像素电极，其中该遮蔽电极及该扫描线由同一金属层所构成；

其中，该遮蔽电极平行于该数据线的部分，位于该像素电极和该数据线之间，且该遮蔽电极分别与该像素电极和该数据线至少间隔一介电层。

5.如权利要求4所述的像素结构，其中该遮蔽电极及其覆盖的部分该像素电极构成储存电容。

6.如权利要求4所述的像素结构，其中该遮蔽电极还包括至少一子部分，用以连接于该主要部分。

7.一种液晶显示器，包括：

至少一扫描线，沿着第一方向形成于基板上；

至少一连接电极，沿着第二方向形成于该基板上，且该第一方向和第二方向彼此相交；

至少一绝缘层，形成该基板上，且覆盖该扫描线及该连接电极，其中位于连接电极上的该绝缘层具有至少一第一孔洞，以曝露出部分该连接电极；

至少一通道层，形成于该绝缘层上，且其位于该扫描线上；

至少一欧姆接触图案层，形成于该通道层上；

金属层，其包括第一部分、第二部分、第三部分，分别形成于该欧姆接触图案层上、该绝缘层上及该第一孔洞中，且该金属层的该第一部分于该扫描线上方定义为源极或漏极，用以形成薄膜晶体管，该金属层的该第二部分于该绝缘层上定义为至少一遮蔽电极，该遮蔽电极至少具有一主部分，该主部分沿第二方向平行该连接电极，该金属层的该第三部分定义为跨越该扫描线的金属线段，且透过第一孔洞与该连接电极电连接，用以形成至少一数据线；

至少一保护层，覆盖于该金属层，该保护层具有至少一第二孔洞，位于该源极或该漏极处；以及

至少一像素电极，形成于该保护层上并覆盖部分该遮蔽电极，且透过该第二孔洞与该源极或该漏极电连接。

8.如权利要求7所述的液晶显示器，其中，该像素电极及其覆盖的部分该遮蔽电极构成储存电容。

9.一种液晶显示器，包括：

至少一扫描线，沿着第一方向形成于基板上；

至少一连接电极，沿着第二方向形成于该基板上，且该第一方向和第二方向彼此相交；

至少一绝缘层，形成于该基板上，且覆盖该扫描线及该连接电极；

至少一通道层，形成于该绝缘层上；

至少一蚀刻终止图案层，形成于该通道层上，且相对应于该扫描线；

至少一欧姆接触图案层，形成于部分该通道层上，并覆盖该蚀刻终止图案层的二端；

至少一第一孔洞，以曝露出部分连接电极；

金属层，其包括第一部分、第二部分、第三部分分别形成于该欧姆接触图案层上及该第一孔洞中，该金属层的该第一部分于该扫描线上方定义为源极或漏极，用以形成薄膜晶体管，该金属层的该第二部分用以定义遮蔽电极，该遮蔽电极至少具有一主部分，该主部分沿第二方向平行该连接电极，该金属层的该第三部分定义为跨越扫描线的金属线段，且透过该第一孔洞与该连接电极电连接，用以形成至少一数据线；

至少一保护层，覆盖于该金属层上，该保护层具有至少一第二孔洞，位于该源极或该漏极处；以及

至少一像素电极，形成于该保护层上并覆盖部分该遮蔽电极，且透过该第二孔洞与该源极或该漏极电连接。

10.如权利要求9所述的液晶显示器，其中，该像素电极及其覆盖的部分该遮蔽电极构成储存电容。

11.一种液晶显示器，包括：

至少一像素电极，形成于基板上；

至少一缓冲图案层，形成于该基板上，且覆盖部分该像素电极；

至少一扫描线、至少一遮蔽电极，形成于该缓冲图案层上，该扫描线沿着第一方向配置，该遮蔽电极至少有一主部分是沿着第二方向配置且覆盖部分该像素电极，且该第一方向和第二方向彼此相交；

至少一绝缘层，形成于该缓冲图案层上，且覆盖于该扫描线和该遮蔽电极上，其中该绝缘层具有至少一第一孔洞；

至少一通道层及至少一欧姆接触图案层，依序形成于该绝缘层上；

金属层，其包括第一部分、第二部分，分别形成于该欧姆接触图案层上及该绝缘层上，该金属层的该第一部分用以形成数据线，且沿着该第二方向平行该遮蔽电极的该主部分，该金属层的该第二部分于该扫描线上方定义为源极或漏极，用以形成一薄膜晶体管，其中，该源极电连接该数据线，而该漏极透过该第一孔洞与该像素电极电连接；以及

至少一保护层，覆盖该金属层及该缓冲图案层。

12.如权利要求11所述的液晶显示器，其中该遮蔽电极及其覆盖的部分该像素电极构成储存电容。

13.一种液晶显示器，包括：

至少一缓冲图案层，形成于基板上；

金属层，形成于该缓冲图案层上，该金属层具有至少一第一部分及至少一第二部分，其中该第一部分定义为源极或漏极，该第二部分定义为至少一数据线；

至少一欧姆接触图案层，形成于该等第一部分上；

至少一通道层，形成于该欧姆接触图案层上；

至少一绝缘层，形成于该通道层上；

至少一扫描线、至少一遮蔽电极，形成于绝缘层上，其中该遮蔽电极至少具有一主部分平行数据线配置；

至少一保护层，覆盖该扫描线及该遮蔽电极，且该保护层具有至少一第二孔洞，位于该源极和该漏极其中之一上；

至少一像素电极，形成于该保护层上并覆盖部分该遮蔽电极，且透过该第二孔洞与该源极和该漏极其中之一电连接。

14.如权利要求13所述的液晶显示器，包括该像素电极及其覆盖的部分该遮蔽电极构成储存电容。

15.如权利要求13所述的液晶显示器，还包括：

光遮蔽层，形成该缓冲图案及该基板之间，且分别对应于该扫描线及该数据线。

16.一种液晶显示器的制造方法，包括：

形成至少一沿着第一方向的扫描线于基板上；

形成于至少一沿着第二方向的连接电极于该基板上，且该第一方向和第二方向彼此相交；

形成至少一绝缘层，于该基板上，并覆盖该扫描线及该连接电极，其中位于该连接电极上的该绝缘层具有至少一第一孔洞，以曝露出部分该连接电极；

形成至少一通道层，于该绝缘层上且位于与该扫描线电连接的栅极上；

形成至少一欧姆接触图案层，于该通道层上；

分别形成金属层，于该欧姆接触图案层上、该绝缘层上及该第一孔洞中，且该金属层于该扫描线上方定义为源极或漏极，用以形成薄膜晶体管，于该绝缘层上定义为至少一遮蔽电极，其中该遮蔽电极至少具有一主部分平行于该连接电极且设置在该像素电极边缘与该连接电极之间，并且，该金属层至少包括一部分跨越该扫描线，且透过该第一孔洞与该连接电极电连接，用以形成至少一数据线；

覆盖至少一保护层，于该金属层上，该保护层具有至少一第二孔洞，位于该源极或该漏极处；以及

形成至少一像素电极，于该保护层上，并覆盖部分该遮蔽电极，且透过该第二孔洞与该源极或该漏极电连接。

17.如权利要求16所述的制造方法，其中，该像素电极及其覆盖的部分该遮蔽电极构成储存电容。

18.一种液晶显示器的制造方法，包括：

形成至少一像素电极，于基板上；

形成至少一缓冲图案层，于该基板上，并覆盖部分该像素电极；

形成至少一扫描线、至少一遮蔽电极于该缓冲图案层上，该扫描线沿着第一方向配置，该遮蔽电极至少具有一主遮蔽电极覆盖部分该像素电极，且沿着第二方向配置；

形成至少一绝缘层，于该缓冲图案层上，且覆盖于该扫描线和该遮蔽电极上；

依序形成至少一通道层及至少一欧姆接触图案层，于该绝缘层上；

去除部分覆盖在该像素电极上方的该缓冲图案层与该绝缘层以形成第一孔洞于该像素电极上；

形成金属层作为数据线与源极或漏极，其中该数据线沿着第二方向平行该主遮蔽电极而设置，而该源极或该漏极位于与该扫描线电连接的栅极上方，用以形成薄膜晶体管，且该源极与该数据线电性相连接，该漏极透过该第一孔洞与该像素电极电连接；以及

覆盖至少一保护层，于该金属层上及该缓冲图案层上。

19.如权利要求18所述的制造方法，其中该遮蔽电极及其覆盖的部分该像素电极构成储存电容。

20.一种液晶显示器的制造方法，包括：

形成至少一缓冲图案层，于基板上；

形成金属层，于该缓冲图案层上，该金属层具有至少一第一部分及至少一第二部分，其中该第一部分定义为源极或漏极，该第二部分定义为至少一数据线；

依序形成至少一欧姆接触图案层及通道层，于该漏极或该源极上；

形成至少一绝缘层，于该通道层上且覆盖该数据线；

形成至少一扫描线、至少一遮蔽电极于绝缘层上，其中该遮蔽电极至少具有一主部分平行于该数据线；

形成至少一保护层，于该缓冲图案层上，并覆盖该扫描线及该遮蔽电极，且该保护层具有至少一孔洞，位于该源极和该漏极其中之一上；

形成至少一像素电极，于该保护层上并覆盖部分该遮蔽电极，且透过该孔洞与该源极和该漏极其中之一电连接。

21.如权利要求20所述的制造方法，该像素电极及其覆盖的部分该遮蔽电极构成储存电容。

22.如权利要求20所述的制造方法，还包括：

形成光遮蔽层，于该缓冲图案及该基板之间，且分别对应于该扫描线及该数据线。

23.一种液晶显示器的制造方法，包括：

形成至少一沿着第一方向的扫描线于基板上；

形成至少一沿着第二方向的连接电极该基板上，且该第一方向和第二方向彼此相交；

形成至少一绝缘层，于该基板上，且覆盖与该扫描线电连接的栅极及该连接电极；

形成至少一通道层，于部分该绝缘层上；

形成至少一蚀刻终止图案层，于该通道层上，且相对应于该栅极；

形成至少一欧姆接触图案层，于部分该通道层上，并覆盖该蚀刻终止图案层的二端；

形成第一孔洞，以曝露出部分该连接电极；

形成金属层包括有第一部分、第二部分和第三部分，该第一部分于该栅极上定义为源极或漏极，用以形成薄膜晶体管，于该第二部分上定义为至少一遮蔽电极，该遮蔽电极至少有一部分平行于该连接电极，该第三部分为金属线段，该金属段跨越扫描线，且透过第一孔洞与该连接电极电连接，用以形成至少一数据线；

覆盖至少一保护层，于该金属层上，该保护层具有至少一第二孔洞，位于该源极或该漏极处；以及

形成至少一像素电极，于该保护层上并覆盖部分该遮蔽电极，且透过该第二孔洞与该源极或该漏极电连接。

24.如权利要求23所述的制造方法，其中，该像素电极及其覆盖的部分该遮蔽电极构成储存电容。

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