CN104701302A - 阵列基板及其制作方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种阵列基板及其制作方法以及显示装置，上述阵列基板包括：多条扫描线和多条信号线，所述多条扫描线和多条信号线限定多个像素区域；屏蔽电极线，设置于相邻像素区域之间的信号线上方，用于屏蔽相邻像素区域中像素电极之间的信号干扰。通过本发明的技术方案，设置在相邻像素之间的屏蔽电极线可以屏蔽相邻像素的像素电极之间的常温串扰，并且可以与像素中的像素电极形成横向的存储电容，从而增加总的存储电容，保持像素电极与公共电极之间的电压差值，使得高温漏电流的影响变小，有效预防高温串扰。

Description

阵列基板及其制作方法以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、一种显示装置和一种阵列基板制作方法。
背景技术
随着生产力的发展，市场竞争力的加剧，高PPI(Pixels Per Inch，单位面积像素数量)的产品越来越成为市场的需求和主流方向。PPI的增高和分辨率的提升会导致像素和亚像素(dot)大小急剧下降，dot变小的有两个直接后果：
其一，是相邻两个像素电极距离变近而更容易发生常温串扰(crosstalk)；
其二，是像素电极与公共电极的交叠面积变小，使得像素的存储电容会变小，进而导致在高温运行时，随着漏电流(Ioff)的变大，较小的存储电容无法保持像素电极与公共电极的压差，当极性反转时，产生高温串扰。
现有技术中增加存储电容的方法一般是利用扫描线做一层公共电极线，如图1所示，这种设计有两个弊端：
其一，增加的公共电极线与像素电极中间隔着一层有机膜层，提高电容较少；
其二，扫描线由于不透光，从而使得整个dot的开口率降低，从而导致透过率的下降。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，如何降低相邻像素中像素电极之间的信号干扰，以及提高像素的存储电容。
为此目的，本发明提出了一种阵列基板，包括：
多条扫描线和多条信号线，所述多条扫描线和多条信号线限定多个像素区域；
屏蔽电极线，设置于相邻像素区域之间的信号线上方，用于屏蔽相邻像素区域中像素电极之间的信号干扰。
优选地，还包括：
绝缘层，设置于所述信号线之上，
其中，所述屏蔽电极线设置于所述绝缘层之上与所述信号线相对应的区域。
优选地，所述屏蔽电极线的宽度大于或等于所述信号线的宽度。
优选地，所述屏蔽电极线与所述像素区域的公共电极的材料相同。
优选地，所述屏蔽电极线与所述像素区域的公共电极通过同一道工艺形成。
优选地，还包括：
第一导线，用于为所述屏蔽电极线提供电信号；
第二导线，用于为所述公共电极提供电信号。
优选地，所述第一导线为所述屏蔽电机线提供的电信号，与所述第二导线为所述公共电极提供的电信号相同。
优选地，所述屏蔽电极线到所述相邻的像素区域中每个像素区域的像素电极距离相等。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明还提出了一种阵列基板制作方法，包括：
形成多条扫描线和多条信号线，以使所述多条扫描线和多条信号线限定多个像素区域；
在相邻像素之间的信号线上方形成屏蔽电极线，以屏蔽相邻像素区域中像素电极之间的信号干扰。
优选地，还包括：
在所述信号线之上形成绝缘层，
则所述形成屏蔽电极线包括：
在所述绝缘层之上与所述信号线相对应的区域形成所述屏蔽电极线。
优选地，所述屏蔽电极线的宽度大于或等于所述信号线的宽度。
优选地，所述屏蔽电极线与所述像素区域的像素区域的公共电极的材料相同。
优选地，在形成所述像素区域的公共电极的同时形成所述屏蔽电极线。
优选地，还包括：
形成电隔离的第一导线和第二导线，使所述第一导线为所述屏蔽电极线提供电信号。
优选地，所述第一导线为所述屏蔽电机线提供的电信号，与所述第二导线为所述公共电极提供的电信号相同。
优选地，所述屏蔽电极线到所述相邻的像素区域中每个像素区域的像素电极距离相等。
通过上述技术方案，设置在相邻像素之间的屏蔽电极线可以屏蔽相邻像素的像素电极之间的常温串扰，并且可以与像素中的像素电极形成横向的存储电容，从而增加总的存储电容，保持像素电极与公共电极之间的电压差值，使得高温漏电流的影响变小，有效预防高温串扰。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1示出了现有技术中添加扫描线的阵列基板的结构示意图；
图2示出了现有技术中显示面板中公共电极线的结构示意图；
图3示出了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图4示出了根据本发明一个实施例的阵列基板制作方法的示意流程图。
附图标号说明：
1-扫描线；2-信号线；3-屏蔽电极线；4-像素电极；5-公共电极。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
如图3所示，根据本发明一个实施例的阵列基板，包括：
多条扫描线1(即栅线)和多条信号线2，多条扫描线1和多条信号线2限定多个像素区域；
屏蔽电极线3，设置于相邻像素区域之间的信号线2上方，用于屏蔽相邻像素区域中像素电极4之间的信号干扰。
屏蔽电极线3设置在相邻的像素区域之间，可以有效隔离相邻的两个像素中像素电极之间的常温串扰。
屏蔽电极线3还可以与相邻像素区域中每个像素形成横向存储电容，使得像素结构的存储电容总量增大，以保证每个像素区域中像素电极和公共电极的电压差，降低高温状态下漏电流导致的不良影响，有效地避免高温串扰。
需要说明的是，在本发明提出的阵列基板中还存在源极、漏极、有源层、钝化层等阵列基板的常规结构，只是在图3中并没有示出，在此不再赘述。
一般地，还包括：
绝缘层，设置于信号线2之上，
其中，屏蔽电极线3设置于绝缘层之上与信号线2相对应的区域。
通过设置绝缘层，可以保证屏蔽电极线3与信号线2之间电隔离，信号线2中的电流不会对屏蔽电极线3造成影响。
一般地，屏蔽电极线3的宽度大于或等于信号线2的宽度。
可以保证屏蔽电极线3完全遮蔽信号线2，并使得屏蔽电极线3具有较小的电阻。
需要说明的是，图3为了表明屏蔽电极线3与信号线2的上下关系以及宽度关系，在屏蔽电极线3的两端露出了信号线2，实际上，屏蔽电极线3可以设置得与信号线2等长或比信号线2长，并完全遮蔽信号线2，具体长度和宽度可以根据需要进行选择设置，在此不再赘述。
一般地，屏蔽电极线3与像素区域的公共电极5的材料相同。
屏蔽电极线3可以采用透明导电材料，保证导电的同时，提高阵列基板的开口率。
一般地，屏蔽电极线3与像素区域的公共电极5通过同一道工艺形成。
可以减少形成阵列基板的工艺次数，从而简化阵列基板的制作流程，并且无需改变阵列基板中原有的布线方式。
一般地，还包括：
第一导线，用于为屏蔽电极线3提供电信号；
第二导线，用于为公共电极5提供电信号。
通过电隔离的第一导线和第二导线分别为屏蔽电极线3和公共电极5供电，可以分别为屏蔽电极线3和公共电极5提供不同或相同的电信号(具体情况可以根据需要进行设置)，从而保证屏蔽电极线3对相邻像素区域中的像素电极4起到更好的抗干扰作用，以及使得像素电极4能够更好地与公共电极5驱动晶体管。
一般地，第一导线为屏蔽电机线3提供的电信号，与第二导线为公共电极5提供的电信号相同。
本实施例中的屏蔽电极线3设置在相邻的像素区域之间，整体上相当于在显示区域增加了多条与扫描线1垂直的电极线。在为屏蔽电极线3提供与公共电极5相同的电信号时，屏蔽电极线3亦可起到公共电极线的作用，即相当于在显示区域增加了多条与扫描线1垂直的公共电极线。相对于图2所示现有技术中在显示区域的边框设置公共电极线的方式，由于屏蔽电极线3可以起到公共电极线的作用，因此可以省去在边框设置的公共电极线，从而降低边框宽度，有利于窄边框的实现。
一般地，屏蔽电极线3到相邻的像素区域中每个像素区域的像素电极4距离相等。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项的阵列基板。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明还提出了一种阵列基板制作方法，包括：
S1，形成多条扫描线1和多条信号线2，以使多条扫描线1和多条信号线2限定多个像素区域；
S2，在相邻像素之间的信号线2上方形成屏蔽电极线3，以屏蔽相邻像素区域中像素电极4之间的信号干扰。
一般地，还包括：
在信号线2之上形成绝缘层，
则形成屏蔽电极线3包括：
在绝缘层之上与信号线2相对应的区域形成屏蔽电极线3。
一般地，屏蔽电极线3的宽度大于或等于信号线2的宽度。
一般地，屏蔽电极线3与像素区域的像素区域的公共电极5的材料相同。
一般地，在形成像素区域的公共电极5的同时形成屏蔽电极线3。
一般地，还包括：
形成第一导线和第二导线，使第一导线为屏蔽电极线3提供电信号，使第二导线为公共电极5提供电信号。
第一导线和第二导线可以是在同一次工艺中形成的，也可以是在不同次工艺中形成的，并且形成第一导线和第二导线的操作可以在形成公共电极5之前或之后进行，依具体工艺需要而定。
一般地，第一导线为屏蔽电机线3提供的电信号，与第二导线为公共电极5提供的电信号相同。
一般地，屏蔽电极线3到相邻的像素区域中每个像素区域的像素电极4距离相等。
其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到现有技术中，为了提高PPI，会导致相邻像素中的像素电极容易发生常温串扰，以及导致像素的存储电容减小，容易产生高温串扰。通过本发明的技术方案，设置在相邻像素之间的屏蔽电极线可以屏蔽相邻像素的像素电极之间的常温串扰，并且可以与像素中的像素电极形成横向的存储电容，从而增加总的存储电容，保持像素电极与公共电极之间的电压差值，使得高温漏电流的影响变小，有效预防高温串扰。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
多条扫描线和多条信号线，所述多条扫描线和多条信号线限定多个像素区域；
屏蔽电极线，设置于相邻像素区域之间的信号线上方，用于屏蔽相邻像素区域中像素电极之间的信号干扰。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
绝缘层，设置于所述信号线之上，
其中，所述屏蔽电极线设置于所述绝缘层之上与所述信号线相对应的区域。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极线的宽度大于或等于所述信号线的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极线与所述像素区域的公共电极的材料相同。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极线与所述像素区域的公共电极通过同一道工艺形成。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第一导线，用于为所述屏蔽电极线提供电信号；
第二导线，用于为所述公共电极提供电信号。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导线为所述屏蔽电机线提供的电信号，与所述第二导线为所述公共电极提供的电信号相同。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极线到所述相邻的像素区域中每个像素区域的像素电极距离相等。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至8中任一项所述的阵列基板。
10.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：
形成多条扫描线和多条信号线，以使所述多条扫描线和多条信号线限定多个像素区域；
在相邻像素之间的信号线上方形成屏蔽电极线，以屏蔽相邻像素区域中像素电极之间的信号干扰。
11.根据权利要求10所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括：
在所述信号线之上形成绝缘层，
则所述形成屏蔽电极线包括：
在所述绝缘层之上与所述信号线相对应的区域形成所述屏蔽电极线。
12.根据权利要求11所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述屏蔽电极线的宽度大于或等于所述信号线的宽度。
13.根据权利要求10所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述屏蔽电极线与所述像素区域的像素区域的公共电极的材料相同。
14.根据权利要求13所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在形成所述像素区域的公共电极的同时形成所述屏蔽电极线。
15.根据权利要求14所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括：
形成第一导线和第二导线，使所述第一导线为所述屏蔽电极线提供电信号，使所述第二导线为所述公共电极提供电信号。
16.根据权利要求15所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述第一导线为所述屏蔽电机线提供的电信号，与所述第二导线为所述公共电极提供的电信号相同。
17.根据权利要求10至16中任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述屏蔽电极线到所述相邻的像素区域中每个像素区域的像素电极距离相等。
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