CN112419884A - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子装置，包括基板、多条横向信号线、第一纵向信号线、第二纵向信号线、屏蔽走线以及多个像素结构。第一纵向信号线与多条横向信号线相交。第二纵向信号线与多条横向信号线相交且连接多条横向信号线的其中一条。屏蔽走线在基板的垂直投影位于第一纵向信号线在基板的垂直投影与第二纵向信号线在基板的垂直投影之间。多个像素结构的其中一者被多条横向信号线的对应一条以及第二纵向信号线围绕且包括主动元件。主动元件的栅极电性连接对应一条横向信号线，且主动元件的源极电性连接第一纵向信号线。

Description

电子装置
技术领域
本发明是有关于一种电子装置。
背景技术
为了达到使用与操作的便利性，显示技术已广泛应用于各式电子装置中，其中不同电子装置可能需要在不同尺寸、不同形状的区域中提供显示功能。因此，显示功能相关的线路与电路在布局设计上可能面临不同的议题。举例而言，如何缩减显示区域的周边线路布局面积、如何在不同形状的面积内提供显示功能等都是电子装置的制造与设计上所面临的议题。
发明内容
本发明提供一种电子装置，可以提供理想的显示效果。
在本发明的一实施例中，上述的电子装置包括基板、多条横向信号线、第一纵向信号线、第二纵向信号线、屏蔽走线以及多个像素结构。横向信号线沿一第一方向延伸，且配置于基板上。第一纵向信号线沿一第二方向延伸，配置于基板上，且与多条横向信号相交。第二纵向信号线配置于基板上，且与多条横向信号线相交。第二纵向信号线连接多条横向信号线的其中一条。屏蔽走线在基板的垂直投影位于第一纵向信号线在基板的垂直投影与第二纵向信号线在基板的垂直投影之间。多个像素结构的其中一者被多条横向信号线的对应一条以及第二纵向信号线围绕且包括主动元件。主动元件的栅极电性连接对应一条横向信号线，且主动元件的源极电性连接第一纵向信号线。
在本发明的一实施例中，上述的电子装置包括多条横向信号线、第一纵向信号线、第二纵向信号线以及多个像素结构。第一纵向信号线与横向信号线相交。第二纵向信号线与横向信号线相交，且第二纵向信号线连接多条横向信号线的其中一条。多个像素结构的其中一者被多条横向信号线的对应一条以及第一纵向信号线围绕，且包括主动元件与像素电极。主动元件的栅极电性连接对应的一条横向信号线，主动元件的源极电性连接第一纵向信号线，像素电极电性连接主动元件的漏极，且第一纵向信号线重叠像素电极。
基于上述，本揭露各实施例的电子装置包括设置于相邻纵向信号线之间的屏蔽走线，且屏蔽走线与纵向信号线可对应于像素结构设置，以确保电子装置的品质。
附图说明
图1为一种的电子装置的局部上视示意图。
图2A为本揭露一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图2B为图2A的电子装置沿线I-I的剖面示意图。
图3为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图4A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图4B为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图5A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图5B为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图6为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图7为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图8为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图9为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
图10为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。
其中，附图标记：
100’、100、200、300、300’、400、400’、500、600、700、800、900：电子装置
110：基板
120：横向信号线
130、138’、DL、DLA、DLB、DLB’、DLC、DLD、VLA、VLB、VL、VGL、530、DLA1、DLA2、DLB1、DLB2、DLC1、DLC2、VL1、VL2、VL3、VL4、830：纵向信号线
132：第一纵向信号线
132A、136A、136’A：横移段
132B、136B、136’B：连接段
134：第二纵向信号线
136、136’、836：第三纵向信号线
138：第四纵向信号线
140、240、240A、240B、240C、940：像素结构
142：主动元件
144、244A、244B、244C、444A、444B、444C：像素电极
150、152、154、156、158、250、252、254、256、258、350、550、552、554、556、558、650、652、654、850、852、854、856A、856B、856C、950、952：屏蔽走线
160：共用电极线
162：第一共用电极线
164：第二共用电极线
852A、952A：第一段
852B、952B：第二段
CH：半导体层
cp：耦合部
D：漏极
D1：第一方向
D2：第二方向
ES：狭缝
EW1、EW2、S1、S1A、S1B、S2、S3、S3A、S3B、S4：距离
FA、FB、FC：外框部
G：栅极
I-I：线
IC：驱动电路
IN：绝缘层
MA、MB、MC：主干部
MHA、MHB、MHC：横向主干部
MVA、MVB、MVC：纵向主干部
R1：第一行
R2：第二行
S：源极
SEA1、SEB1、SEC1：第一子电极
SEA2、SEB2、SEC2：第二子电极
SLA、SLB、SLC：斜向条纹部
SMV1：第一纵向主干部
SMV2：第二纵向主干部
SSL1：第一斜向条纹部
SSL2：第二斜向条纹部
VIA：导通结构
W136'、W132：线宽
WA1、WB1：第一宽度
WA2、WB2：第二宽度
WA3、WB3：第三宽度
WA4、WB4：第四宽度
WA5、WB5：第五宽度
WA6、WB6：第六宽度
WA7、WB7：第七宽度
WA8、WB8：第八宽度
wcp：宽度
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1为一种的电子装置的局部上视示意图。在图1中，电子装置100’包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130以及多个像素结构140。像素结构140以阵列排列的方式配置于基板110上。换言之，像素结构140沿着第一方向D1以及相交于第一方向D1的第二方向D2排列。以沿着第一方向D1排成一行的像素结构140来说，各像素结构140连接于多条横向信号线120的其中一条。另外，多条纵向信号线130可以划分成直接连接像素结构140的纵向信号线DL以及没有直接连接像素结构140的纵向信号线VL。沿着第一方向D1排成一行的像素结构140夹于两条纵向信号线DL之间，且各个像素结构140连接于纵向信号线DL的其中一条。在部分实施例中，沿着第二方向D2排列在同一列的不同像素结构140可以分别连接至位于第一侧的纵向信号线DL以及位于相对的第二侧的纵向信号线DL。各纵向信号线VL则夹于两列像素结构140之间以及两条纵向信号线DL之间，且纵向信号线VL的至少一部分连接于横向信号线120。
在部分的实施例中，电子装置100’可更包括驱动电路IC，且驱动电路IC位于纵向信号线130的一端。纵向信号线DL与纵向信号线VL可以直接接收由驱动电路IC所提供的信号，而横向信号线120则可通过至少部分的纵向信号线VL(VGL)接收到对应的信号。在一些实施例中，电子装置100’中的部分纵向信号线VL可以不用来传递横向信号线120需要的信号，而是被输入直流电位。如此一来，电子装置100'在第一方向D1的两端无须设置传递信号用的线路或是相关电路而可达到窄边框的设计，并且电子装置100’的轮廓也无须受限。举例而言，由上视视角来看，电子装置100’可以具有非矩形的轮廓。
在部分实施例中，各像素结构140可包括主动元件142以及连接于主动元件142的像素电极144，其中每个主动元件142可以为具有栅极、源极与漏极的晶体管，栅极可连接到其中一条横向信号线120，源极连接到其中一条纵向信号线130，而漏极连接到像素电极144。另外，每一条横向信号线120都连接至其中一条纵向信号线VGL。因此，主动元件142的栅极的信号可以由纵向信号线VGL传递给横向信号线120，再由横向信号线120输入给栅极。具体而言，为了避免横向信号线120与纵向信号线130之间的短路，横向信号线120与纵向信号线130可由不同膜层构成，且横向信号线120与纵向信号线130之间可夹有一或多层绝缘层。在一些实施例中，为了将信号由纵向信号线VGL传递给横向信号线120，可以在对应的纵向信号线VGL与横向信号线120之间设置导通结构VIA。如此，栅极需要的信号可由纵向信号线VGL藉由导通结构VIA传递给横向信号线120，再由横向信号线120传递给栅极。
图2A为本揭露一实施例的电子装置的局部上视示意图。图2A的电子装置100具有大致相似于图1的电子装置100’的布局设计，因此两者的说明中采用相同的元件符号来表示相同的构件。电子装置100包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构140以及多条屏蔽走线150。为了方便说明，以下主要阐述单一个像素结构140周边的信号线路。
具体而言，多条横向信号线120各自沿第一方向D1延伸，且纵向信号线130各自沿第二方向D1延伸而相交于横向信号线120。这些纵向信号线130可以包括第一纵向信号线132以及第二纵向信号线134。第一纵向信号线132沿第二方向D2延伸，且与这些横向信号120相交。第二纵向信号线134也与多条横向信号线120相交，且第二纵向信号线134可以连接多条横向信号线120的其中一条(参照图1，第二纵向信号线134可以通过对应的结构VIA连接至其中一条横向信号线120)。像素结构140的其中一者被多条横向信号线120的对应一条以及第二纵向信号线134围绕，且像素结构140包括主动元件142与像素电极144。主动元件142包括栅极G、源极S、漏极D与半导体层CH，其中栅极G电性连接对应的一条横向信号线120，源极S与漏极D位于半导体层的两侧，且源极S电性连接第一纵向信号线132。此外，像素结构140可更包括像素电极144，且主动元件142的漏极D可以连接像素电极144。
第一纵向信号线132与第二纵向信号线134相邻设置，不过，第一纵向信号线132所传递的信号为提供给像素结构140的数据信号，而第二纵向信号线134所传递的信号为提供给横向信号线120的栅极信号。因此，第一纵向信号线132与第二纵向信号线134相邻的设置方式可能使得两者的信号相互干扰。在本实施例中，屏蔽走线150在基板110的垂直投影位于第一纵向信号线132在基板110的垂直投影与第二纵向信号线134在基板110的垂直投影之间，因此屏蔽走线150的设置有助于减轻第一纵向信号线132与第二纵向信号线134的信号互扰的现象。在部分实施例中，屏蔽走线150与多条横向信号线120可以为相同膜层，且屏蔽走线150位于多条横向信号线120的相邻两条之间。
第一纵向信号线132包括横移段132A以及连接段132B，且连接段132B横跨横向信号线120，而横移段132A相对于连接段132B更远离第二纵向信号线134。换言之，第二纵向信号线134与横移段132A之间的距离S1大于第二纵向信号线134与连接段132B之间的距离S2。屏蔽走线150可包括屏蔽走线152以及屏蔽走线154。屏蔽走线152在基板110上的垂直投影位于横移段132A在基板110上的垂直投影与第二纵向信号线134在基板110上的垂直投影之间，且像素电极144重叠横移段132A与屏蔽走线152。屏蔽走线154在基板110上的垂直投影位于连接段132B在基板110上的垂直投影与第二纵向信号线134在基板110上的垂直投影之间。另外，屏蔽走线152至横移段132A之间的距离S1A与屏蔽走线152至第二纵向信号线134之间的距离S1B可选择性的相同或是不同。屏蔽走线150位于第二纵向信号线134与第一纵向信号线132之间的设计有助于减轻第二纵向信号线134与第一纵向信号线132之间的信号互扰的情形。
电子装置100可更包括共用电极线160。共用电极线160与多条横向信号线120也可以为相同膜层，且共用电极线160位于横向信号线120的其中两条之间。屏蔽走线150则连接至共用电极线160，因此屏蔽走线150不与任何的横向信号线120连接。共用电极线160例如包括第一共用电极线162以及第二共用电极线164。第一共用电极线162位于第二共用电极线164与对应的横向信号线120之间。屏蔽走线152例如连接于第一共用电极线162与第二共用电极线164之间。屏蔽走线154例如由第一共用电极线162朝向对应的横向信号线120延伸，而不到达对应的横向信号线120。换言之，屏蔽走线152与屏蔽走线154例如由第一共用电极线162朝相反方向延伸出去，且屏蔽走线154不会连接到横向信号线120，即，屏蔽走线154和横向信号线120间具一间隙。如图2B所示，横向信号线120与屏蔽走线154例如为相同膜层，而第一纵向信号线132与第二纵向信号线134为相同膜层，且横向信号线120与屏蔽走线154的膜层以及第一纵向信号线132与第二纵向信号线134的膜层之间设置有绝缘层IN。
在本实施例中，纵向信号线130还包括第三纵向信号线136与第四纵向信号线138。第三纵向信号线136位于第一纵向信号线132与第四纵向信号线138之间。像素结构140例如设置于第二纵向信号线134与第四纵向信号线138之间。第三纵向信号线136包括横移段136A与连接段136B。连接段136B横越对应的横向信号线120，而横移段136A相对于连接段136B更远离第四纵向信号线138。第四纵向信号线138与横移段136A之间的距离S3大于第四纵向信号线138与连接段136B之间的距离S4。另外，第四纵向信号线138与横移段136A之间的距离S3可以大致相同于第二纵向信号线134与横移段132A之间的距离S1，而使第一纵向信号线132与第三纵向信号线136具有大致对称的布局。不过，在其他实施例中，第四纵向信号线138与横移段136A之间的距离S3可选择地不同于第二纵向信号线134与横移段132A之间的距离S1。在部分实施例中，第四纵向信号线138，可类似于第二纵向信号线134，电性连接至多条横向信号线120的其中一条。在另一部分实施例中，第四纵向信号线138可以连接至一直流电位，而不与任何的横向信号线120连接。
视需要，屏蔽走线150可选择性包括位于第三纵向信号线136与第四纵向信号线138之间的屏蔽走线156与屏蔽走线158，其中屏蔽走线156的布局设计类似于屏蔽走线152，而屏蔽走线158的布局设计类似于屏蔽走线154。换言之，屏蔽走线156延伸于第一共用电极线162与第二共用电极线164之间，而屏蔽走线158由第一共用电极线162朝向对应的横向信号线120延伸而不连接到横向信号线120。屏蔽走线156位于横移段136A与第四纵向信号线138之间，而屏蔽走线158位于连接段136B与第四纵向信号线138之间。屏蔽走线156至横移段136A之间的距离S3A与屏蔽走线156至第四纵向信号线138之间的距离S3B可选择性的相同或是不同。屏蔽走线156与屏蔽走线158都连接至共用电极线160。屏蔽走线156与屏蔽走线158可以减轻第三纵向信号线136与第四纵向信号线138之间的信号互扰情形而有助于确保电子装置100的显示品质。不过，在部分实施例中，电子装置100可省略屏蔽走线156与屏蔽走线158。
图3为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。图3的电子装置200中，有部分构件相同于前述图1与图2的实施例，因此这些实施例中相同的元件符号表示相同的构件。电子装置200包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250以及共用电极线160。在此，多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250以及共用电极线160都配置于基板110上，且基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130以及共用电极线160的布局设计可参照前述实施例的描述，而不再重述。
像素结构240包括像素结构240A、像素结构240B以及像素结构240C，且像素结构240A、像素结构240B以及像素结构240C可以具有不同的结构设计。像素结构240A包括主动元件142以及连接于主动元件142的像素电极244A。像素电极244A包括主干部MA以及多条斜向条纹部SLA，其中多条斜向条纹部SLA连接主干部MA，且这些斜向条纹部SLA由多条狭缝ES分隔开来。主干部MA可包括纵向主干部MVA与横向主干部MHA。纵向主干部MVA与横向主干部MHA相交设置而划分出四个子区域，且各子区域中所设置的多条斜向条纹部SLA例如彼此平行。这些斜向条纹部SLA可直接连接纵向主干部MVA、横向主干部MHA或两者。另外，像素电极244A还可包括外框部FA，其围成框形图案而围绕纵向主干部MVA、横向主干部MHA与斜向条纹部SLA。在此，纵向主干部MVA的中心轴到像素电极244A沿第一方向D1延伸之边缘的距离EW1例如不同于到像素电极244A沿第一方向D1延伸之另一边缘的距离EW2，但不以此为限。
像素结构240B包括主动元件142以及连接于主动元件142的像素电极244B。像素电极244B包括主干部MB以及多条斜向条纹部SLB，其中多条斜向条纹部SLB连接主干部MB，且这些斜向条纹部SLB由多条狭缝ES分隔开来。主干部MB可包括纵向主干部MVB与横向主干部MHB。这些斜向条纹部SLB可直接连接纵向主干部MVB、横向主干部MHB或两者。另外，像素电极244B还可包括外框部FB，其围成框形图案而围绕纵向主干部MVB、横向主干部MHB与斜向条纹部SLB。
像素结构240C包括主动元件142以及连接于主动元件142的像素电极244C。像素电极244C包括主干部MC以及多条斜向条纹部SLC，其中多条斜向条纹部SLC连接主干部MC，且这些斜向条纹部SLC由多条狭缝ES分隔开来。主干部MC可包括纵向主干部MVC与横向主干部MHC。这些斜向条纹部SLC可直接连接纵向主干部MVC、横向主干部MHC或两者。另外，像素电极244C还可包括外框部FC，其围成框形图案而围绕纵向主干部MVC、横向主干部MHC与斜向条纹部SLC。
多条纵向信号线130可对应于这些像素结构240设置。举例而言，纵向信号线130可包括对应于像素结构240A的第一纵向信号线132、第二纵向信号线134、第三纵向信号线136以及第四纵向信号线138。第一纵向信号线132与第三纵向信号线136横越像素结构240A且重叠像素结构240A的像素电极244A。第二纵向信号线134位于像素结构240A与像素结构240B之间，而第四纵向信号线138位于像素结构240A与像素结构240C之间。换言之，第一纵向信号线132与第三纵向信号线136位于第二纵向信号线134以及第四纵向信号线138之间。在部分实施例中，位于第二纵向信号线134两侧的像素结构240A与像素结构240B可以其一为红色像素结构而另一为蓝色像素结构，且像素结构240C可以为绿色像素结构，但不以此为限。
另外，纵向信号线130还可包括对应于像素结构240B的纵向信号线DLA、DLB与VLA以及对应于像素结构240C的纵向信号线DLC、DLD与VLB。纵向信号线DLA与DLB重叠像素结构240B的像素电极244B，而纵向信号线DLC与DLD重叠像素结构240C的像素电极244C。同时，纵向信号线DLA与DLB位于第二纵向信号线134与纵向信号线VLA之间，而纵向信号线DLC与DLD位于第四纵向信号线138与纵向信号线VLB之间。
像素结构240A可电性连接至第一纵向信号线132，而与像素结构240A排列在同一纵向方向(第二方向D2)上的另一像素结构(图未示)电性连接至第三纵向信号线136。像素结构240B可电性连接至纵向信号线DLA，而与像素结构240B排列在同一纵向方向(第二方向D2)上的另一像素结构(图未示)电性连接至纵向信号线DLB。像素结构240C可电性连接至纵向信号线DLC，而与像素结构240C排列在同一纵向方向(第二方向D2)上的另一像素结构(图未示)电性连接至纵向信号线DLD。
在本实施例中，第一纵向信号线132、第三纵向信号线136以及纵向信号线DLA～DLD所传递的信号为提供给像素结构240的数据信号，第二纵向信号线134所传递的信号例如为提供给其中一条横向信号线130的栅极信号。第二纵向信号线134上的信号为脉冲信号，其可能与相邻的纵向信号线130(例如第一纵向信号线132与纵向信号线DLA)上的信号相互干扰。因此，电子装置200中的屏蔽走线250包括位于第二纵向信号线134与第一纵向信号线132之间的屏蔽走线252与屏蔽走线254；以及位于第二纵向信号线134与纵向信号线DLA之间的屏蔽走线256与屏蔽走线258。
屏蔽走线252与屏蔽走线254由共用电极线160的第一共用电极线162朝相反方向延伸出去而不重叠任何横向信号线120，且相似的，屏蔽走线256与屏蔽走线258由共用电极线160的第一共用电极线162朝相反方向延伸出去而不重叠任何横向信号线120。另外，第四纵向信号线138与邻近的像素结构240之间并无设置屏蔽走线，但不以此为限。在图3中，屏蔽走线252与屏蔽走线256并不连接至共用电极线160的第二共用电极线164，但不以此为限。在其他实施例中，屏蔽走线252与屏蔽走线256可选择的连接至共用电极线160的第二共用电极线164。
第四纵向信号线138例如连接至直流电位。如此一来，第四纵向信号线138的信号对邻近的纵向信号线130(例如第三纵向信号线136以及纵向信号线DLD)的干扰不明显。因此，电子装置200可不在第四纵向信号线138与第三纵向信号线136之间设计屏蔽走线，也可不在第四纵向信号线138与纵向信号线DLD之间设计屏蔽走线。
在本实施例中，用于传递数据信号的纵向信号线130可以具有折曲状的结构。举例而言，第一纵向信号线132可包括横移段132A以及连接段132B。连接段132B连接横移段132A且横越横向信号线120。连接段132B与第二纵向信号线134之间的距离小于横移段132A与第二纵向信号线134之间的距离。另外，横移段132A与屏蔽走线252在基板110上的正投影都位于第二纵向信号线134在基板110上的正投影与纵向主干部MVA在基板110上的正投影之间。
第三纵向信号线136则包括横移段136A以及连接段136B。连接段136B与第四纵向信号线138之间的距离小于横移段136A与第四纵向信号线138之间的距离。在部分实施例中，屏蔽走线252、横移段132A与横移段136A可采用金属材料制作而不透光，因此像素电极244A被屏蔽走线252、横移段132A与横移段136A遮蔽的部分可能无法提供显示，但不以此为限。如此一来，像素电极244A的宽度可被屏蔽走线252、横移段132A与横移段136A划分成由第二纵向信号线134朝向第四纵向信号线138依序排列的第一宽度WA1、第二宽度WA2、第三宽度WA3与第四宽度WA4。另外，横移段136A在基板110上的正投影大致上重叠像素电极244A的纵向主干部MVA在基板110上的正投影。此时，第一宽度WA1、第二宽度WA2、第三宽度WA3的区域与第四宽度WA4的区域例如位于纵向主干部MVA的相对两侧。在部分实施例中，第一宽度WA1、第二宽度WA2与第三宽度WA3的总和(例如WA1+WA2+WA3)可以为第四宽度WA4的0.8至1.2倍。如此一来，像素电极244A在纵向主干部MVA的相对两侧具有大致接近显示面积，而有助于在不同视角处提供接近或大致相同的显示亮度。
在像素结构240B中，像素电极244B的结构设计可与像素电极244A呈现对称关系，且纵向信号线DLA、纵向信号线DLB与屏蔽走线256对应于第二纵向信号线134的设置关系可与第一纵向信号线132、第三纵向信号线136与屏蔽走线252对应于第二纵向信号线134的设置关系成对称。举例而言，纵向信号线DLB在基板110上的正投影可以重叠像素电极244B的纵向主干部MVB在基板110上的正投影。纵向信号线DLA与屏蔽走线256在基板110上的正投影位于第二纵向信号线134在基板110上的正投影与纵向信号线DLB在基板110上的正投影之间。纵向信号线DLA、纵向信号线DLB与屏蔽走线256可将像素电极244B的宽度划分成由第二纵向信号线134朝向纵向信号线VLA依序排列的第五宽度WA5、第六宽度WA6、第七宽度WA7与第八宽度WA8。第五宽度WA5、第六宽度WA6与第七宽度WA7的区域与第八宽度WA8的区域位于纵向主干部MVB的相对两侧，且第五宽度WA5、第六宽度WA6与第七宽度WA7的总和(例如WA5+WA6+WA7)可以为第八宽度WA8的0.8至1.2倍。如此，像素结构240B可以在不同视角处提供接近或大致相同的显示亮度。
电子装置200在像素结构240C处不设置屏蔽走线。在像素结构240C中，纵向主干部MVC可以设置于像素电极244C的中线，而纵向信号线DLD在基板110上的正投影位于纵向主干部MVC在基板110上的正投影与第四纵向信号线138在基板110上的正投影之间，且纵向信号线DLC在基板110上的正投影位于纵向主干部MVC在基板110上的正投影与纵向信号线VLB在基板110上的正投影之间。另外，纵向信号线DLC与纵向信号线DLD可以分别为折曲状的信号线，且两者呈现对称关系，但不以此为限。在本实施例中，第二纵向信号线134两侧的构件结构大致彼此对称，但第四纵向信号线138两侧的构件结构不同，但不以此为限。在其他实施例中，像素结构240C与对应的纵向信号线DLC及DLD的布局设计可用以取代像素结构240B与对应的纵向信号线DLA及DLB。也就是说，屏蔽走线256可选择性被省略。
图4A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。在图4A中，电子装置300具有的构件大致相同于电子装置200，因此两实施例中采用相同的元件符号来表示相同的构件。具体来说，电子装置300包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250与共用电极线160。多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250与共用电极线160的具体结构与相对配置关系相似于前述实施例，于此不再重述。在本实施例中，像素结构240中的像素结构240A、240B与240C具有不同的结构。像素结构240A包括主动元件142与像素电极244A，像素结构240B包括主动元件142与像素电极244B，而像素结构240C包括主动元件142与像素电极244C，其中像素电极244A与像素电极244B对应于纵向信号线130的配置方式不同于图3的实施例，而像素电极244C对应于纵向信号线130的配置方式相同于图3的实施例。在本实施例中，多条屏蔽走线250中的屏蔽走线252与屏蔽走线256的两端分别连接于共用电极线160的第一共用电极线162与第二共用电极线164，但不以此为限。在部分实施例中，屏蔽走线252与屏蔽走线256可以不连接至第二共用电极线164而与图3的屏蔽走线252与屏蔽走线256具有相同的配置方式。
在图4A中，像素电极244A的纵向主干部MVA大致位于像素电极244A的中线，且第一纵向信号线132的横移段132A重叠像素电极244A的纵向主干部MVA。在部分实施例中，第三纵向信号线136的横移段136A与第四纵向信号线138之间的距离S3小于第一纵向信号线132的横移段132A与第二纵向信号线134之间的距离S1。屏蔽走线252位于第二纵向信号线134与像素电极244A的纵向主干部MVA之间，而第三纵向信号线136的横移段136A位于第四纵向信号线136与像素电极244A的纵向主干部MVA之间。如此，屏蔽走线252、重叠于纵向主干部MVA的第一纵向信号线132以及第三纵向信号线136将像素电极244A的宽度划分成由第二纵向信号线134朝第四纵向信号线138依序排列的第一宽度WB1、第二宽度WB2、第三宽度WB3与第四宽度WB4。在部分实施例中，第一宽度WB1与第二宽度WB2的总和(例如WB1+WB2)可以为第三宽度WB3与第四宽度WB4的总和(例如WB3+WB4)的0.8至1.2倍。如此一来，像素电极244A在纵向主干部MVA的相对两侧具有大致接近显示面积，而有助于在不同视角处提供接近或大致相同的显示亮度。在部分实施例中，第三纵向信号线136的横移段136A与第一纵向信号线132的横移段132A之间的距离WB3可以等于屏蔽走线252与第一纵向信号线132的横移段132A之间的距离WB2，使得第二宽度WB2与第三宽度WB3可以大致相同。在部分实施例中，第一宽度WB1与第二宽度WB2可选择性的大致相同。在部分实施例中，第三宽度WB3与第四宽度WB4可选择性的大致相同。在部分实施例中，第一宽度WB1、第二宽度WB2、第三宽度WB3与第四宽度WB4可选择性的彼此大致相同。
另外，在像素结构240B中，纵向信号线DLA重叠于像素电极244B的纵向主干部MVB。屏蔽走线256位于第二纵向信号线134与像素电极244B的纵向主干部MVB之间，而第三纵向信号线DLB位于纵向信号线VLA与像素电极244B的纵向主干部MVB之间。屏蔽走线256、重叠于纵向主干部MVB的纵向信号线DLA以及纵向信号线DLB将像素电极244B的宽度划分成由第二纵向信号线134朝纵向信号线VLA依序排列的第五宽度WB5、第六宽度WB6、第七宽度WB7与第八宽度WB8。在部分实施例中，第五宽度WB5与第六宽度WB6的总和(例如WB5+WB6)可以为第七宽度WB7与第八宽度WB8的总和(例如WB7+WB8)的0.8至1.2倍。如此一来，像素电极244B可以在不同视角处提供接近或大致相同的显示亮度。在本实施例中，第二纵向信号线134两侧的结构设计大致彼此对称，但不以此为限。在其他实施例中，像素结构240C与对应的纵向信号线DLC及DLD的布局设计可用以取代像素结构240B与对应的纵向信号线DLA及DLB。也就是说，屏蔽走线256可选择性被省略。
图4B为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。在图4B中，电子装置300’具有的构件大致相同于电子装置200，因此两实施例中采用相同的元件符号来表示相同的构件。具体来说，电子装置300’包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250与共用电极线160。纵向信号线130包括纵向信号线DLA～DLD、纵向信号线VLA与VLB、第一纵向信号线132、第二纵向信号线134、第三纵向信号线136与第四纵向信号线138。像素结构240包括像素结构240A、240B与240C。屏蔽走线250包括屏蔽走线252与屏蔽走线256。共用电极线160包括第一共用电极线162与第二共用电极线164。多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250与共用电极线160的具体结构与相对配置关系相似于图4A的实施例，于此不再重述。在本实施例中，像素结构240中的像素结构240A、240B与240C具有不同的结构，且电子装置300’更包括另一屏蔽走线350，且屏蔽走线350设置于像素结构240C之下，重叠于像素结构240C的像素电极244C。如此一来，屏蔽走线350、纵向信号线DLC及纵向信号线DLD可将像素电极244C在第四纵向信号线138与另一纵向信号线VLB之间的面积划分成四个区域，且这四个区域在第一方向D1测量的宽度可以大致相同。换言之，第四纵向信号线138至纵向信号线DLD的距离、纵向信号线DLD至屏蔽走线350的距离、屏蔽走线350至纵向信号线DLC的距离以及纵向信号线DLC至另一条纵向信号线VLB的距离可以大致相同，但不以此为限。如此一来，像素结构240A、像素结构240B、像素结构240C及像素结构240D各自都被纵向的走线划分成四个区域而达成均匀的布局结构。
图5A为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。在图5A中，电子装置400具有的构件大致相同于电子装置200，因此两实施例中采用相同的元件符号来表示相同的构件。具体来说，电子装置400包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250与共用电极线160。多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250与共用电极线160的具体结构与相对配置关系相似于前述实施例，于此不再重述。
在本实施例中，多条屏蔽走线250中的屏蔽走线252与屏蔽走线256的两端分别连接于共用电极线160的第一共用电极线162与第二共用电极线164，但不以此为限。在部分实施例中，屏蔽走线252与屏蔽走线256可以不连接至第二共用电极线164而与图3的屏蔽走线252与屏蔽走线256具有相同的配置方式。在本实施例中，像素结构240中的像素结构240A、240B与240C具有不同的结构，其中像素结构240C的结构设计与设置方式相同于图3的实施例。不过，像素结构240A的像素电极444A与像素结构240B的像素电极444B的结构设计不同于图3的实施例。
像素结构240A的像素电极444A包括第一子电极SEA1与第二子电极SEA2，且第一子电极SEA1位于第二子电极SEA2与第二纵向信号线134之间。第一子电极SEA1包括第一纵向主干部SMV1与多条第一斜向条纹部SSL1，且多条第一斜向条纹部SSL1连接第一纵向主干部SMV1。第一纵向主干部SMV1在部分实施例中可以设置于第一子电极SEA1的中线。第二子电极SEA2包括第二纵向主干部SMV2与多条第二斜向条纹部SSL2，其中多条第二斜向条纹部SSL2连接第二纵向主干部SMV2。第二纵向主干部SMV2在部分实施例中可以设置于第二子电极SEA2的中线。在此，第一子电极SEA1与第二子电极SEA2具有大致相同的结构，但不以此为限。
在图5A中，第一纵向信号线132的横移段132A位在第一子电极SEA1与第二子电极SEA2之间。也就是说，第一纵向信号线132在基板110上的正投影位于第一子电极SEA1在基板110上的正投影与第二子电极SEA2在基板110上的正投影之间。另外，屏蔽走线252重叠第一纵向主干部SMV1，而第三纵向信号线136重叠第二纵向主干部SMV2。在部分实施例中，屏蔽走线252可以位于第一子电极SEA1的中线，而第三纵向信号线136重叠像素电极444A的部分可以位于第二子电极SEA1的中线，但不以此为限。
像素电极444B可包括第一子电极SEB1与第二子电极SEB2，其中第一子电极SEB1与第二子电极SEB2各自包括一纵向主干部以及多条斜向条纹部。屏蔽走线256重叠第一子电极SEB1的纵向主干部，而纵向信号线DLB重叠第二子电极SEB2的纵向主干部。另外，纵向信号线DLA位于第一子电极SEB1与第二子电极SEB2之间。像素结构240B的像素电极444B可与像素结构240A的像素电极444A成对称设计，但不以此为限。在其他实施例中，像素结构240B可具有类似于像素结构240C的设计，且电子装置400可省略屏蔽走线256。
图5B为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。在图5B中，电子装置400’具有的构件大致相同于图5A的电子装置400，因此两实施例中采用相同的元件符号来表示相同的构件。具体来说，电子装置400’包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250与共用电极线160。纵向信号线130包括纵向信号线DLA～DLD与VLA、第一纵向信号线132、第二纵向信号线134、第三纵向信号线136与第四纵向信号线138。像素结构240包括像素结构240A、240B与240C。屏蔽走线250包括屏蔽走线252与屏蔽走线256。共用电极线160包括第一共用电极线162与第二共用电极线164。多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线250与共用电极线160的具体结构与相对配置关系相似于前述实施例，于此不再重述。本实施例与图4A的实施例的差异主要在于，电子装置400’中，像素结构240C的像素电极444C包括第一子电极SEC1与第二子电极SEC2，且第一子电极SEC1位于第二子电极SEC2与第四纵向信号线138之间。换言之，电子装置400’中，像素结构240A、像素结构240B与像素结构240C都具有大致相同的像素电极图案设计。在一些实施例中，纵向信号线DLC与纵向信号线DLD可分别位于第二子电极SEC2与第一子电极SEC1的中心线上，但不以此为限。
图6为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。图6的电子装置500中，有部分构件相同于前述图1与图2的实施例，因此这些实施例中相同的元件符号表示相同的构件。电子装置500包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线530、多个像素结构240、多条屏蔽走线550以及共用电极线160。在此，多条横向信号线120、多条纵向信号线530、多个像素结构240、多条屏蔽走线550以及共用电极线160都配置于基板110上，且基板110、多条横向信号线120、像素结构240以及共用电极线160的布局设计可参照前述实施例的描述，而不再重述。
在本实施例中，纵向信号线530包括用以传递数据信号的纵向信号线DLA1、DLA2、DLB1、DLB2、DLC1与DLC2以及、用以传递横向信号线120的信号的纵向信号线VL1与VL2以及连接至直流电位的纵向信号线VL3与VL4。纵向信号线DLA1与DLA2设置于纵向信号线VL1与VL2之间，纵向信号线DLB1与DLB2设置于纵向信号线VL1与VL3之间，而纵向信号线DLC1与DLC2设置于纵向信号线VL2与VL4之间。另外，纵向信号线VL1与VL2设置于纵向信号线VL3与VL4之间，纵向信号线VL1设置于纵向信号线VL2与VL3之间，而纵向信号线VL2设置于纵向信号线VL1与VL4之间。
像素结构240包括不同结构设计的像素结构240A、像素结构240B以及像素结构240C。像素结构240C位于纵向信号线VL1与VL2之间，且纵向信号线DLA1与DLA2都重叠像素结构240C。纵向信号线DLA1与DLA2所传递的信号用于提供给像素结构240C以及设置于纵向信号线VL1与VL2之间的其他像素结构(未示出)。像素结构240B位于纵向信号线VL1与VL3之间，且纵向信号线DLB1与DLB2都重叠像素结构240B。纵向信号线DLB1与DLB2所传递的信号用于提供给像素结构240B以及设置于纵向信号线VL1与VL3之间的其他像素结构(未示出)。像素结构240A位于纵向信号线VL2与VL4之间，且纵向信号线DLC1与DLC2都重叠像素结构240A。纵向信号线DLC1与DLC2所传递的信号用于提供给像素结构240A以及设置于纵向信号线VL2与VL4之间的其他像素结构(未示出)。
像素结构240C包括主动元件142与像素电极244C，其中像素电极244C的具体结构可参照图3的相关说明，在此不另重述。像素结构240B包括主动元件142与像素电极244B，其中像素电极244B的具体结构可参照图3的相关说明，在此不另重述。像素结构240A包括主动元件142与像素电极244A，其中像素电极244A的具体结构可参照图3的相关说明，在此不另重述。
在本实施例中，纵向信号线VL1与VL2都用来传递横向信号线120需要的栅极信号，而纵向信号线DLA1、DLA2、DLB1与DLC1都用来传递要输入给像素结构240的数据信号。为了减轻栅极信号与数据信号的互相干扰，电子装置500中设置有屏蔽走线550来降低信号向之间的互扰现象。为了方便说明，将屏蔽走线550分别标注为屏蔽走线552、屏蔽走线554、屏蔽走线556与屏蔽走线558来说明。
屏蔽走线552在基板110上的正投影位于纵向信号线DLA1在基板110上的正投影与纵向信号线VL1在基板110上的正投影之间，其中纵向信号线DLA1与屏蔽走线552都重叠像素电极244C。屏蔽走线552在基板110上的正投影与纵向信号线DLA1在基板110上的正投影都位于像素电极244C的纵向主干部MVC在基板110上的正投影与纵向信号线VL1在基板110上的正投影之间。
屏蔽走线554在基板110上的正投影位于纵向信号线DLA2在基板110上的正投影与纵向信号线VL2在基板110上的正投影之间，其中纵向信号线DLA2与屏蔽走线554都重叠像素电极244C。屏蔽走线554在基板110上的正投影与纵向信号线DLA2在基板110上的正投影都位于像素电极244C的纵向主干部MVC在基板110上的正投影与纵向信号线VL2在基板110上的正投影之间。在本实施例中，纵向信号线DLA1、屏蔽走线552与纵向信号线VL1位于纵向主干部MVC的第一侧，而纵向信号线DLA2、屏蔽走线554与纵向信号线VL2位于纵向主干部MVC的第二侧，且第一侧与第二侧相对。
在部分实施例中，纵向主干部MVC可以位于像素电极244C的中心线上。纵向信号线DLA1与纵向信号线DLA2可例如以纵向主干部MVC为中心成对称分布。屏蔽走线552与屏蔽走线554可例如以纵向主干部MVC为中心成对称分布。纵向信号线VL1与纵向信号线VL2可例如以纵向主干部MVC为中心成对称分布。不过，上述对称分布的描述仅是一种可能的实施方式，并不以此为限。
屏蔽走线556在基板110上的正投影位于纵向信号线DLB1在基板110上的正投影与纵向信号线VL1在基板110上的正投影之间。同时，屏蔽走线556在基板110上的正投影与纵向信号线DLB1在基板110上的正投影都位于像素电极244B的纵向主干部MVB在基板110上的正投影与纵向信号线VL1在基板110上的正投影之间。纵向信号线DLB2在基板110上的正投影则重叠像素电极244B的纵向主干部MVB在基板110上的正投影。
在本实施例中，所有的信号线例如是由金属材料制作而具有遮光性质，而纵向信号线DLB2与纵向信号线VL3之间可以没有屏蔽走线。因此，屏蔽走线556、纵向信号线DLB1与纵向信号线DLB2可将像素电极244B划分成由纵向信号线VL1朝向纵向信号线VL3依序排列的可提供显示效果的四个部分，其中三个部分位于纵向主干部MVB与纵向信号线VL1之间，而另一部分位于纵向主干部MVB与纵向信号线VL3之间。在部分实施例中，位于纵向主干部MVB与纵向信号线VL1之间的三个可显示部分的宽度总和可以接近或是大致等于位于纵向主干部MVB与纵向信号线VL3之间的单个部分的宽度，以在各视角呈现均匀的显示效果。
屏蔽走线558在基板110上的正投影位于纵向信号线DLC1在基板110上的正投影与纵向信号线VL2在基板110上的正投影之间。同时，屏蔽走线558在基板110上的正投影与纵向信号线DLC1在基板110上的正投影都位于像素电极244A的纵向主干部MVA在基板110上的正投影与纵向信号线VL2在基板110上的正投影之间。纵向信号线DLC2在基板110上的正投影则重叠像素电极244A的纵向主干部MVA在基板110上的正投影。
类似于像素结构240B的设计，在像素结构240A中，屏蔽走线558、纵向信号线DLC1与纵向信号线DLC2可将像素电极244A划分成由纵向信号线VL2向纵向信号线VL4依序排列的四个可提供显示效果的部分，其中三个部分位于纵向主干部MVA与纵向信号线VL2之间，而另一部分位于纵向主干部MVA与纵向信号线VL4之间。在部分实施例中，位于纵向主干部MVA与纵向信号线VL2之间的三个部分的宽度总和可以接近或是大致等于位于纵向主干部MVA与纵向信号线VL4之间的单个部分的宽度，以在各视角呈现均匀的显示效果。
图7为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。在图7中，电子装置600具有的构件大致相同于电子装置200，因此两实施例中采用相同的元件符号来表示相同的构件。具体来说，电子装置600包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多个像素结构240、多条屏蔽走线650与多条共用电极线160。两实施例中标示相同标号的构件的具体结构与相对配置关系相似于前述图3的实施例，于此不再重述。
在本实施例中，像素结构240包括不同结构的像素结构240A、240B与240C具有不同的结构，且像素结构240沿着第一方向D1与第二方向D2排列成阵列。具体而言，位于第一行R1的三个像素结构240包括由纵向信号线VLB沿着第一方向D1朝纵向信号线VLA依序排列的像素结构240C、像素结构240A以及像素结构240B。位于第二行R2的三个像素结构240包括由纵向信号线VLB沿着第一方向D1朝纵向信号线VLA依序排列的像素结构240C、像素结构240B以及像素结构240A。位于第三行R3的三个像素结构240则包括由纵向信号线VLB沿着第一方向D1朝纵向信号线VLA依序排列的像素结构240C、像素结构240A以及像素结构240B。
在本实施例中，像素结构240A与像素结构240B交替的沿第二方向D2排列于第二纵向信号线134与第四纵向信号线138之间。于第二纵向信号线134与第四纵向信号线138之间，除了屏蔽走线252外，屏蔽走线650还包括屏蔽走线652，其中屏蔽走线252重叠第一行R1的像素结构240A而屏蔽走线652重叠第二行R2的像素结构240B。屏蔽走线252位于第一纵向信号线132与第二纵向信号线134之间，不过屏蔽走线652位于第三纵向信号线136与第四纵向信号线138之间。也就是说，位于第一行R1的屏蔽走线252与位于第二行R2的屏蔽走线652并非同时设置于第一纵向信号线132与第二纵向信号线134之间，而是分别的设置于第一纵向信号线132与第二纵向信号线134之间以及第三纵向信号线136与第四纵向信号线138之间。
相似的，像素结构240B与像素结构240A交替的沿第二方向D2排列于第二纵向信号线134与纵向信号线VLA之间。于第二纵向信号线134与纵向信号线VLA，除了屏蔽走线256外，屏蔽走线650还包括屏蔽走线654，其中屏蔽走线256重叠第一行R1的像素结构240B，而屏蔽走线654重叠第二行R2的像素结构240A。屏蔽走线256位于第二纵向信号线134与纵向信号线DLA之间，不过屏蔽走线654位于纵向信号线DLB与纵向信号线VLA之间。换言之，不同行的像素结构240中，屏蔽走线650可以设置于不同组纵向信号线130之间。第四纵向信号线138与纵向信号线VLB之间的像素结构240则可以都是像素结构240C。
在本实施例中，第一纵向信号线132在第一行R1处重叠像素电极244A的纵向主干部MVA，而在第二行R2处则位于像素电极244B的纵向主干部MVB与第二纵向信号线134之间。第三纵向信号线136在第一行R1处位于像素电极244A的纵向主干部MVA与第四纵向信号线138之间，而在第二行R2处重叠像素电极244B的纵向主干部MVB。同时，在第二纵向信号线134与第四纵向信号线138之间，像素结构240A中像素电极244A的纵向主干部MVA可以大致上对齐像素结构240B中像素电极244B的纵向主干部MVB。如此，第一纵向信号线132在第一行R1的弯折幅度大于在第二行R2的弯折幅度，而第三纵向信号线136在第一行R1的弯折幅度小于在第二行的弯折幅度。整体而言，第一纵向信号线132的线长可以接近于第三纵向信号线136的线长，从而具有接近的阻抗，这有助于使第一纵向信号线132与第二纵向信号线136达到接近的传输品质。
相似的，纵向信号线DLA与纵向信号线DLB的弯折幅度在第一行R1与第二行R2也是交替的变化。纵向信号线DLA在第一行R1可重叠像素电极244B的纵向主干部MVB，而在第二行R1处位于像素电极244A的纵向主干部MVA与第二纵向信号线134之间。因此，纵向信号线DLA在第一行R1的弯折幅度大于在第二行R2的弯折幅度。纵向信号线DLB在第一行R1可位于像素电极244B的纵向主干部MVB与纵向信号线VLA之间，而在第二行R1处重叠像素电极244A的纵向主干部MVA。因此，纵向信号线DLB在第一行R1的弯折幅度小于在第二行R2的弯折幅度。在这样的设计下，纵向信号线DLA的线长可以与纵向信号线DLB的线长，从而达成近似的信号传输性质而有助于确保电子装置600的性能。
图8为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。在图8中，电子装置700具有的构件大致相同于图4A的电子装置300，因此两实施例中采用相同的元件符号来表示相同的构件。具体来说，电子装置700包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线130、包括像素电极240A～240C的多个像素结构240、包括屏蔽走线252与256的多条屏蔽走线250与包括第一共用电极线162以及第二共用电极线164的多条共用电极线160。本实施例的结构设计大致相同舆图4A的实施例，因此两实施例中标示相同标号的构件的具体结构与相对配置关系相似于前述图4A的实施例，于此不再重述。具体而言，本实施例不同于图4A的实施例之处主要在于纵向信号线130的线宽设计。
在本实施例中，纵向信号线130包括第一纵向信号线132、第二纵向信号线134、第三纵向信号线136'、第四纵向信号线138以及纵向信号线DLA、DLB’、VLA等。在本实施例中，第一纵向信号线132的横移段132A与第二纵向信号线134之间的距离S1大于第三纵向信号线136'的横移段136’A与第四纵向信号线138之间的距离S3，但第一纵向信号线132的连接段132B与第二纵向信号线134之间的距离S2大致接近第三纵向信号线136'的连接段136’B与第四纵向信号线138之间的距离S4。因此，第一纵向信号线132的弯折程度大于第三纵向信号线136’，也就是说，第一纵向信号线132的线长大于第三纵向信号线136’的线长。在本实施例中，第三纵向信号线136'的线宽W136'可以小于第一纵向信号线132的线宽W132。如此，第一纵向信号线132的整体线长/线宽比与第三纵向信号线136’的整体线长/线宽比可以大致接近。在部分实施例中，第一纵向信号线132的整体线长比线宽具有第一比值，第三纵向信号线136’的整体线长比线宽具有第二比值，且第一比值与第二比值的比在0.8至1.2的范围中。由于第一纵向信号线132与第三纵向信号线136’的线长/线宽比近似，两信号线可具有接近的阻抗而提供大致一致的信号传输性质。
另外，第三纵向信号线136’可更包括耦合部cp，且耦合部cp的宽度wcp大于第三纵向信号线136’的其他部分。像素结构240A的像素电极可设计成重叠耦合部cp。如此一来，即使第三纵向信号线136’的线宽W136’较第一纵向信号线132的线宽W132更小，像素结构240A与第三纵向信号线136’之间的耦合电容可以接近于像素结构240A与第一纵向信号线132之间的耦合电容，从而让第一纵向信号线132与第三纵向信号线136’的负载接近或是大致相同。
在电子装置700中，纵向信号线DLA的线长也大于纵向信号线DLB’。因此，纵向信号线DLB’的线宽也可小于纵向信号线DLA，且纵向信号线DLB’可选择的更包括耦合部cp。如此一来，纵向信号线DLA与纵向信号线DLB’也具有一致的信号传输品质，且像素结构240B在纵向信号线DLA与纵向信号线DLB’上产生的耦合电容也可大致相同，以确保电子装置700的品质。
图9为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。图9的电子装置800中，有部分构件相同于前述图1与图2的实施例，因此这些实施例中相同的元件符号表示相同的构件。电子装置800包括基板110、多条横向信号线120、多条纵向信号线830、多个像素结构240、多条屏蔽走线850以及共用电极线160。在此，多条横向信号线120、多个像素结构240、多条屏蔽走线850以及共用电极线160都配置于基板110上，且基板110、横向信号线120、像素结构240以及共用电极线160的布局设计可参照前述实施例的描述，而不再重述。
图9中的纵向信号线830包括第一纵向信号线132、第二纵向信号线134、第三纵向信号线836、第四纵向信号线138以及纵向信号线DLC、DLD与VLB，其中第一纵向信号线132、第二纵向信号线134、第四纵向信号线138以及纵向信号线DLC、DLD与VLB的布局方式可参照图3的相关说明，在此不再重述。在电子装置800中，像素结构240包括设置于第二纵向信号线134与第四纵向信号线138之间的像素极构240A以及设置于第四纵向信号线138与纵向信号线VLB之间的像素结构240C，其中像素结构240A以及像素结构240C的结构设计可参照图3的说明。
屏蔽走线850包括位于第一纵向信号线132与第二纵向信号线134之间的屏蔽走线852以及屏蔽走线854。第一纵向信号线132、屏蔽走线852、屏蔽走线854与第二纵向信号线134的设置关系可参照图3中第一纵向信号线132、屏蔽走线252、屏蔽走线254与第二纵向信号线134的设置关系。具体而言，第一纵向信号线132的横移段132A可相对于邻近的连接段132B更远离第二纵向信号线134，屏蔽走线852位于第二纵向信号线134与横移段132A之间，且屏蔽走线854位于第二纵向信号线134与连接段132B之间。屏蔽走线854由第一共用电极线162远离第二共用电极线164延伸，而屏蔽走线852设置于第一共用电极线162与第二共用电极线164之间。
在本实施例中，屏蔽走线852包括由第一共用电极线162朝第二共用电极线164延伸的第一段852A以及由第二共用电极线164朝第一共用电极线162延伸的第二段852B，且第一段852A与第二段852B间隔开来。在部分实施例中，像素电极244A的横向主干部MHA可以位在第一段852A与第二段852B之间，且第一段852A与第二段852B可以都不横越横向主干部MHA，甚至不重叠横向主干部MHA，但不以此为限。
第三纵向信号线836重叠于像素电极244A的区段也可相对于邻近的区段更远离第四纵向信号线138，不过第三纵向信号线836与第四纵向信号线138之间没有任何的屏蔽走线。另外，第一纵向信号线132与第三纵向信号线836重叠像素结构240A的像素电极244A。第一纵向信号线132与第三纵向信号线836可以位于像素电极244A的纵向主干部MVA的相对两侧，且第一纵向信号线132与第三纵向信号线836都不重叠纵向主干部MVA。
在本实施例中，像素结构240C相对于第四纵向信号线138与纵向信号线DLC、DLD以及VLB的设置关系可参照图3的相关说明。另外，电子装置800中的屏蔽走线850还包括屏蔽走线856A、856B与856C。屏蔽走线856A、856B与856C都是由第一共用信号线162朝向邻近的横向信号线120延伸而不重叠任何的像素电极。屏蔽走线856A位于第四纵向信号线138与第三纵向信号线836之间，屏蔽走线856B位于纵向信号线DLD与第四纵向信号线138之间，而屏蔽走线856C位于纵向信号线DLC与纵向信号线VLB之间。第三纵向信号线836与纵向信号线DLD、DLC都用以传输数据信号，而第四纵向信号线138与纵向信号线VLB都是用以传输其他信号。第三纵向信号线836与纵向信号线DLD、DLC在第一共用电极线162与对应的横向信号线120之间的区段(前述实施例中以连接段来说明)都较接近邻近的第四纵向信号线138或纵向信号线VLB。因此，屏蔽走线856A、856B与856C设置于传输数据信号的信号线的连接段与非传输数据信号的信号线之间，有助于减轻这些纵向信号线130之间的干扰，且有助于确保电子装置800的显示效能。
图10为本揭露另一实施例的电子装置的局部上视示意图。图10中仅展示出电子装置900的局部构件，其中各像素结构的像素电极被省略以清楚呈现信号线的布局设置，不过，各像素结构的像素电极可采用前述实施例中任一种像素电极的设计。电子装置900的信号线包括多条横向信号线120、多条纵向信号线130、多条共用电极线160以及多条屏蔽走线950，且电子装置900包括多个像素结构940，其中各像素结构940可包括主动元件142以及未示出的像素电极。
在本实施例中，多条纵向信号线130包括第一纵向信号线132、第二纵向信号线134、第三纵向信号线136以及第四纵向信号线138。像素结构940在第二纵向信号线134与第四纵向信号线138之间排成多行。另外，第一纵向信号线132与第三纵向信号线136位于第二纵向信号线134与第四纵向信号线138之间，且第一纵向信号线132与第三纵向信号线134例如可重叠各像素结构940的像素电极。
电子装置900的屏蔽走线950包括设置于第一行R1的屏蔽走线852以及设置于第二行R2的屏蔽走线952。屏蔽走线852延伸于第一行R1的第一共用电极线162与第二共用电极线164之间，且位于第一纵向信号线132与第二纵向信号线134之间。屏蔽走线952延伸于第二行R2的第一共用电极线162与第二共用电极线164之间，且位于第三纵向信号线136与第四纵向信号线138之间。在第一行R1中，第三纵向信号线136与第四纵向信号线138之间没有屏蔽走线，而在第二行R2中，第一纵向信号线132与第二纵向信号线134之间没有屏蔽走线。不过，在其他的实施例中，第一行R1的屏蔽走线852与第二行R2的屏蔽走线952可以都设置于第一纵向信号线132与第二纵向信号线134之间或是都设置于第三纵向信号线136与第四纵向信号线138之间。
屏蔽走线852的结构可参照图9的说明，其包括第一段852A与第二段852B，且第一段852A与第二段852B彼此相隔开来。相似的，屏蔽走线952可包括第一段952A与第二段952B，且第一段952A与第二段952B彼此相隔开来。不过，在其他的实施例中，屏蔽走线852与屏蔽走线952可以连续的延伸于对应的第一共用电极线162与第二共用电极线164之间。
综上所述，本揭露各实施例的电子装置包括设置于相邻纵向信号线之间的屏蔽走线，以减轻相邻信号线之间的干扰，藉此确保电子装置的品质。另外，屏蔽走线与纵向信号线可对应于像素结构设置，使得像素结构可以在各视角呈现处接近的显示效果。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
基板；
多条横向信号线沿一第一方向延伸，配置于该基板上；
第一纵向信号线沿一第二方向延伸，配置于该基板上，与该多条横向信号线相交；
第二纵向信号线，配置于该基板上，与该多条横向信号线相交，且该第二纵向信号线连接该多条横向信号线的其中一条；
屏蔽走线，该屏蔽走线在该基板的垂直投影位于该第一纵向信号线在该基板的垂直投影与该第二纵向信号线在该基板的垂直投影之间；以及
多个像素结构，该多个像素结构的其中一者被该多条横向信号线的对应一条以及该第二纵向信号线围绕且包括主动元件，其中该主动元件的栅极电性连接该多条横向信号线的该对应一条，且该主动元件的源极电性连接该第一纵向信号线。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括共用电极线，该共用电极线位于该些横向信号线的其中两条之间，且该屏蔽走线连接至该共用电极线。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该屏蔽走线与该多条横向信号线为相同膜层，且该屏蔽走线位于该多条横向信号线的相邻两条之间。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一纵向信号线与该第二纵向信号线为相同膜层。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括：
第三纵向信号线，与该多条横向信号线相交，该第一纵向信号线位于该第三纵向信号线与该屏蔽走线之间；以及
第四纵向信号线，与该多条横向信号线相交，其中该第一纵向信号线与该第三纵向信号线位于该第二纵向信号线与该第四纵向信号线之间。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该第一纵向信号线包括横移段，该第三纵向信号线包括另一横移段，该第一纵向信号线的该横移段位于该第三纵向信号线的该另一横移段与该屏蔽走线之间。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该第三纵向信号线的该另一横移段与该第四纵向信号线之间的距离小于该第一纵向信号线的该横移段与该第二纵向信号线之间的距离。
8.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该第三纵向信号线的该另一横移段与该第一纵向信号线的该横移段之间的距离等于该屏蔽走线与该第一纵向信号线的该横移段之间的距离。
9.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该多个像素结构的该其中一者的宽度被该屏蔽走线、该横移段与该另一横移段划分成由该第二纵向信号线朝向该第四纵向信号线依序排列的第一宽度、第二宽度、第三宽度与第四宽度，且该第一宽度、该第二宽度与该第三宽度的总和为该第四宽度的0.8至1.2倍。
10.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该第三纵向信号线的线宽小于该第一纵向信号线的线宽。
11.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第三纵向信号线更包括耦合部，该耦合部的宽度大于该第三纵向信号线的其他部分。
12.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第一纵向信号线的线长比线宽具有第一比值，该第三纵向信号线的线长比线宽具有第二比值，且第一比值与第二比值的比在0.8至1.2的范围中。
13.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，更包括：
另一屏蔽走线，配置于该另一横移段与该第四纵向信号线之间。
14.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一纵向信号线包括横移段，该多个像素结构的该其中一者更包括像素电极，该像素电极连接该主动元件的漏极，且该像素电极重叠该横移段与该屏蔽走线。
15.如权利要求14所述的电子装置，其特征在于，该像素电极包括纵向主干部以及多条斜向条纹部，该多条斜向条纹部连接该纵向主干部。
16.如权利要求14所述的电子装置，其特征在于，该像素电极包括第一子电极与第二子电极，该第一子电极包括第一纵向主干部与多条第一斜向条纹部，该多条第一斜向条纹部连接该第一纵向主干部，该第二子电极包括第二纵向主干部与多条第二斜向条纹部，该多条第二斜向条纹部连接该第二纵向主干部，且该第一子电极位于该第二子电极与该第二纵向信号线之间。
17.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，该屏蔽走线重叠该第一纵向主干部。
18.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二纵向信号线位于该多个像素结构的相邻两者之间，且该多个像素结构的该相邻两者的其一为红色像素结构而另一为蓝色像素结构。
19.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括第一共用电极线与第二共用电极线，位于相邻两条横向信号线之间，该屏蔽走线包括由该第一共用电极线朝该第二共用电极线延伸的第一段以及由该第二共用电极线朝该第一共用电极线延伸的第二段，且该第一段与该第二段间隔开来。
20.一种电子装置，其特征在于，包括：
多条横向信号线；
第一纵向信号线，与该多条横向信号线相交；
第二纵向信号线，与该多条横向信号线相交，且该第二纵向信号线连接该多条横向信号线的其中一条；以及
多个像素结构，该多个像素结构的其中一者被该多条横向信号线的对应一条以及该第一纵向信号线围绕，且包括主动元件与像素电极，其中该主动元件的栅极电性连接该多条横向信号线的该对应一条，该主动元件的源极电性连接该第一纵向信号线，该像素电极电性连接该主动元件的漏极，且该第一纵向信号线重叠该像素电极。
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