CN102403320A - 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，其中所述阵列基板包括显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，所述显示区域包括：多条正交且相互绝缘的数据线以及扫描线；所述数据线以及扫描线将显示区域划分为多个阵列排布的像素区，各像素区内包括像素电极以及薄膜晶体管；还包括多条扫描连接线，所述扫描连接线与数据线平行设置，并将对应的各条扫描线与外部驱动芯片电连接。本发明将扫描连接线设置于显示区域，利用扫描连接线将扫描驱动电路信号传输至相应的扫描线，节约了边框区域的扫描连接线面积，改善了基板的利用率。

Description

阵列基板及其制作方法、液晶显示面板

技术领域

本发明涉及液晶面板，特别涉及缩小液晶显示面板的边框宽度以提高显示范围的窄边框设计的阵列基板及其制作方法和液晶显示面板。

背景技术

平面显示器为目前主要流行的显示器，其中液晶显示器更因为具有外型轻薄，省电以及无辐射等特征，而被广泛地应用于电脑屏幕、移动电话、个人数字助理、平面电视等电子产品上。

请参考图1，为现有的液晶显示面板。包括彩膜基板10、与彩膜基板10相对设置的阵列基板30，液晶层20夹合于彩膜基板10与阵列基板30之间。所述阵列基板30相对于彩膜基板10的内侧设置有多个像素电极和薄膜晶体管。其中，每一薄膜晶体管与像素电极电连接，并且在彩膜基板10与阵列基板30正对的表面上制作一公共电极，在公共电极与像素电极之间的电位差，驱动液晶层20内的液晶分子转向。

图2为液晶显示面板的俯视结构示意图。所述阵列基板30与彩膜基板相对的表面分为显示区域310与边框区域320。所述显示区域310是位于阵列基板30的中央位置，边框区域320包围所述显示区域310。请参考图3与图4，图3对应于图2中的位置D，而图4对应于图3沿A-A线的剖面结构示意图。多个薄膜晶体管330排布于显示区域310上。所述薄膜晶体管330的栅极与沿行方向排列的栅极线(或扫描线)340相连，薄膜晶体管330的源极与沿列方向排列的数据线(或信号线)350相连，并且，每一薄膜晶体管330的漏极分别与像素电极60相连。此外，多条栅极连接线322制作于边框区域320，每一栅极连接线322分别与栅极线340相电连接。栅极驱动电路360通过栅极连接线322控制栅极线340的扫描时序。

通常，为了简化工艺制程，各个薄膜晶体管330的栅极、栅极线340、以及栅极连接线322制作于同一金属层，然而，受到光刻工艺的分辨率以及制程环境中污染颗粒的尺寸的限制，在各个栅极连接线之间必须设置一定的间隔，以避免产生短路。因此，在阵列基板上必须预留足够的边框区域320以容纳所述栅极连接线322。这导致显示区域320的尺寸收到限制，无法进一步加大。

如何缩小边框区域的面积，以增大显示区域的面积，提高阵列基板及液晶显示面板的利用率成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，减小了阵列基板及液晶显示面板的边框区域的面积，增大了显示区域的面积，提高了阵列基板及液晶显示面板的利用率。

本发明提供的阵列基板，包括显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，所述显示区域包括：

多条正交且相互绝缘的数据线以及扫描线；

所述多条数据线及扫描线将显示区域划分为多个阵列排布的像素区，各像素区内包括像素电极以及薄膜晶体管；

还包括多条扫描连接线，所述扫描连接线与数据线平行设置，并将对应的各条扫描线与外部驱动芯片电连接。

可选地，所述扫描连接线位于数据线的下方且被数据线覆盖，并且所述扫描连接线与数据线绝缘。

可选地，每行像素区内的薄膜晶体管的栅极对应与一条扫描线电连接；每列像素区内的薄膜晶体管的漏极对应与一条数据线电连接，源极对应与该像素区内的像素电极电连接。

可选地，所述像素区内还包括公共电极，所述公共电极位于像素电极下方，并与像素电极之间设置有绝缘介质层，所述公共电极、绝缘介质层以及像素电极构成存储电容。

可选地，各相邻像素区内的公共电极相互连接并覆盖所述相邻像素区之间的区域。

可选地，所述公共电极与扫描线为同一层金属。

可选地，所述公共电极位于数据线的下方并覆盖所述扫描连接线，并且所述公共电极分别和数据线、扫描连接线绝缘。

可选地，所述公共电极电压采用直流驱动。

可选地，所述扫描连接线与扫描线通过位于其上的过孔以及位于过孔内的其他层金属电连接。

可选地，所述扫描连接线与扫描线之间设置形成有过孔的绝缘介质层，所述扫描连线通过在过孔内沉积与扫描线连接线直接电连接。

可选地，还包括如权利要求1-10任一所述的阵列基板，所述液晶层位于所述阵列基板和彩膜基板之间。

本发明还提供如上所述的阵列基板的第一种制作方法，包括：

提供基板，所述基板分为显示区域以及包围所述显示区域的边框区域；

在所述显示区域内形成第一金属层，并采用第一道掩模、光刻工艺图形化所述第一金属层形成扫描连接线，所述扫描连接线用于与外部驱动芯片电连接；

在所述第一金属层上形成第一绝缘介质层；

在第一绝缘介质层上形成第二金属层，采用第二道掩模、光刻工艺图形化所述第二金属层形成扫描线和薄膜晶体管的栅极以及公共电极，所述扫描线与扫描连接线垂直；

在上述结构表面形成第二绝缘介质层、非晶硅层、掺杂的非晶硅层，并采用第三道掩模、光刻工艺刻蚀形成薄膜晶体管的有源层；

在上述结构表面形成第三金属层，采用第四道掩模、光刻工艺图形化所述第三金属层形成数据线和薄膜晶体管的源漏极金属，所述数据线与扫描连接线平行；

在上述结构表面形成第三绝缘介质层，采用第五道掩模、光刻工艺图形化所述第三绝缘介质层形成分别位于薄膜晶体管漏极上方、扫描线上方和扫描连接线上方的过孔结构；

所述数据线与扫描线将显示区域划分为阵列排布的像素区，在上述结构表面沉积像素电极材料，采用第六道掩模、光刻工艺在所述像素区内形成像素电极以及电连接扫描线和扫描连接线的连接部，所述像素电极通过位于薄膜晶体管漏极上方的过孔和漏极电连接，所述扫描线和扫描连接线通过过孔和连接部电连接。

本发明还提供如上所述的阵列基板的第二种制作方法，包括：

提供基板，所述基板分为显示区域以及包围所述显示区域的边框区域；

在所述显示区域内形成第一金属层，并采用第一道掩模、光刻工艺图形化所述第一金属层形成扫描连接线，所述扫描连接线用于与外部驱动芯片电连接；

在扫描连接线上形成第一绝缘介质层；

采用第二道掩模、光刻工艺在所述第一绝缘介质层上形成露出扫描连接线的过孔；

在第一绝缘介质层表面以及开槽内形成第二金属层，采用第三道掩模、光刻工艺图形化所述第二金属层形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极，所述扫描线与扫描连接线垂直且在所述过孔直接电连接；

在上述结构表面形成第二绝缘介质层、非晶硅层、掺杂的非晶硅层，并采用第四道掩模、光刻工艺刻蚀形成薄膜晶体管的有源层；

在上述结构表面形成第三金属层，采用第五道掩模、光刻工艺图形化所述第三金属层形成数据线和薄膜晶体管的源漏极金属，所述数据线与扫描连接线平行；

在上述结构表面形成第三绝缘介质层，采用第六道掩模、光刻工艺图形化所述第三绝缘介质层形成位于薄膜晶体管漏极上方的过孔结构；

所述数据线与扫描线将显示区域划分为阵列排布的像素区，在上述结构表面沉积像素电极材料，采用第七道掩模、光刻工艺在所述像素区内形成像素电极，所述像素电极通过位于薄膜晶体管漏极上方的过孔与漏极电连接。

可选地，所述数据线覆盖扫描连接线。

可选地，每行像素区内的薄膜晶体管的栅极对应与一条扫描线电连接；每列像素区内的薄膜晶体管的漏极对应与一条数据线电连接，源极对应与该像素区内的像素电极电连接。

可选地，所述公共电极覆盖扫描连接线。

与现有技术相比，本发明有以下优点：将扫描连接线设置于显示区域，利用扫描连接线将扫描驱动电路信号传输至相应的扫描线，节约了边框区域的扫描连接线面积，提高了显示区域的面积，改善了基板的利用率。

进一步优化地，所述扫描连接线位于最底层的金属，被数据线所覆盖，而不会与像素区重叠，提高了显示区域的开口率。

此外公共电极在液晶显示面板的工作过程中，可以采用直流驱动，以避免干扰同层金属的扫描线的电压；而当公共电极覆盖扫描连接线时，还可以起到屏蔽作用使得扫描连接线与数据线或像素电极之间不会存在或大大降低相互的串扰。

附图说明

图1是现有的液晶显示面板；

图2为液晶显示面板的俯视结构示意图；

图3是图2的局部俯视示意图；

图4是图3沿A-A方向的剖面结构示意图；

图5是本发明第一实施例的阵列基板俯视结构示意图；

图6是图5沿B-B方向的剖面结构示意图；

图7至图18是本发明第一实施例阵列基板制作方法的示意图；

图19是本发明第二实施例的阵列基板俯视结构示意图；

图20是图19沿C-C方向的剖面结构示意图；

图21至图24是本发明第二实施例阵列基板制作方法的示意图。

具体实施方式

现有的液晶显示面板的阵列基板上的扫描连接线通常设置于边框区域，使得显示区域的尺寸受到限制，无法降低边框区域的面积，从而造成阵列基板的利用率不高。

为了解决上述问题，本发明的发明人提出一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板和位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。所述彩膜基板和液晶层的结构与现有技术相同，所述阵列基板分为显示区域以及包围所述显示区域的边框区域。其中，阵列基板的显示区域包括：

多条正交且相互绝缘的数据线以及扫描线；所述数据线以及扫描线将显示区域划分为多个阵列排布的像素区，各像素区内包括像素电极以及薄膜晶体管；

还包括多条扫描连接线，所述扫描连接线与数据线平行，并将扫描线与外部驱动芯片电连接。

下面将结合具体实施例对本发明的技术方案进行详细的说明。

第一实施例

参考图5，为本发明第一实施例的阵列基板俯视结构示意图。

所述阵列基板分为显示区域以及围绕显示区域的边框区域，为简化图示，图5中仅示出显示区域中部分区域的俯视示意图。所述显示区域内包括：玻璃基板；位于玻璃基板上的多条扫描线：扫描线101、扫描线103、扫描线105等，多条数据线：数据线102、数据线104、数据线106等，各扫描线与数据线正交且相互绝缘，数据线与扫描线为不同层金属，所述数据线位于扫描线上方，两者将显示区域划分为阵列排布的多个像素区，在每个像素区内均包括一个薄膜晶体管110以及像素电极120。

图5中的阵列结构具有2行2列，仅为示意。其中，每行像素区内的薄膜晶体管的栅极对应与一条扫描线电连接，每列像素区内的薄膜晶体管110的漏极对应与一条数据线电连接，各个薄膜晶体管的源极通过接触孔107与该像素区内的像素电极120电连接。具体的连接方式与现有技术相同，作为本领域技术人员的公知常识，此处不再赘述。

此外，在显示区域内还包括多条扫描连接线：扫描连接线201、扫描连接线202、扫描连接线203等，所述扫描连接线与数据线平行设置，并将扫描线与外部驱动芯片电连接(图上未示出)。

具体的，所述扫描连接线位于数据线以及扫描线的下方(作为阵列基板的最底层金属)，且被数据线所覆盖。例如图5中，扫描连接线201对应被数据线102覆盖，扫描连接线202对应被数据线104覆盖，扫描连接线203对应被数据线106覆盖。这样设置的好处在于：扫描连接线并未占用像素区的面积，也即避免了影响显示区域的开口率，可以改善阵列基板的成像质量。

各条扫描连接线与相应的扫描线连接：例如扫描连接线202与扫描线101通过过孔结构141连接，扫描连接线203与扫描线103通过过孔结构142连接。

为了更好地说明上述过孔结构，请参考图6，为图5所示阵列基板沿B-B线的剖面结构示意图。所述过孔结构包括：连接所述扫描连接线202的过孔151、连接所述扫描线101的过孔152以及覆盖上述过孔的桥接金属层160。由于扫描连接线202与扫描线101并非位于同一层金属，因此可以通过填充有金属的过孔151以及过孔152将相应的扫描连接线202以及扫描线101引出至同一桥接金属层160上，利用覆盖过孔的桥接金属层160，将扫描连接线202与扫描线101电连接。所述桥接金属层160可以与数据线或像素电极为同一层金属，也可以在阵列基板的最顶部另行制作。所述过孔151穿透了扫描连接线202与扫描线101之间、以及扫描线101表面的绝缘介质层，而过孔152则仅穿透了扫描线101表面的绝缘介质层，上述过孔在制作时均需要避开数据线，以避免造成数据线与扫描线的短路。

本实施例所述与数据线平行，并位于最底层的扫描连接线，使得扫描线与外部的驱动芯片电连接，从而将扫描驱动芯片的驱动信号传输至扫描线上，选中相应行的像素区，控制各像素区内薄膜晶体管110的开启或关闭。

接着参考图5，作为完整的阵列基板，显示区域内还应当包括公共电极130，所述公共电极130位于像素电极120的下方，并与像素电极120有交叠，两者之间设置有绝缘介质层(图上未示出)，所述公共电极130、像素电极120以及两者之间的绝缘介质层构成了显示区域的存储电容。

作为优选的方案，本实施例中，所述公共电极130与扫描线为同一层金属，可以利用同一金属层图形化制作完成，简化了阵列基板的结构，并降低阵列基板的制作工艺难度。

作为优选的方案，本实施例中，还将各相邻像素区内的公共电极130相互连接，使得所述公共电极130部分位于数据线底部，即跨越相邻的像素区，并覆盖相邻像素区之间的区域。这样设置的好处在于：由于位于不同像素区的像素电极之间是互相独立的，使得液晶层中位于相邻像素区之间的区域的液晶分子不能受到电场作用而形成杂乱的排列，为了避免此区域的液晶分子漏光，通常需要使用黑矩阵进行遮挡，黑矩阵是位于彩膜基板上的，为了保证阵列基板和彩膜基板对位偏差的影响通常黑矩阵需要设置的比实际遮光区域宽，这样会降低液晶显示面板的开口率。本实施例所提供的阵列基板，将各相邻像素区内的公共电极130连接在一起，并遮盖两个相邻像素区之间的区域，降低对位偏差的对显示效果的影响，而可以减少黑矩阵的面积，提高了液晶显示面板的开口率。

需要另行指出的是，由于本实施例中公共电极130与扫描线为同一层金属，所述扫描线已将各行像素区划分开，因此仅能将同一行像素区内的公共电极130相连，而不能将跨行的相邻像素区内的公共电极130相连。

作为优选的方案，当公共电极130跨越相邻的像素区，并位于数据线120的下层时，还可以使得该部分公共电极130覆盖扫描连接线，即公共电极所在层位于数据线所在层和扫描连接线所在层之间。这样设置的好处在于：公共电极130在液晶显示面板的工作过程中，可以采用直流驱动，以避免干扰同层金属的扫描线的电压；而当公共电极所在层位于数据线所在层和扫描连接线所在层之间时，公共电极130还可以起到屏蔽作用使得扫描连接线与数据线或像素电极之间不会存在或大大降低相互串扰。

为制造上述结构的阵列基板，本实施例还提供了相应的制作方法。请参考图7至图17，为本实施例所述制作方法的示意图。需要指出的是，以下剖面示意图并未按比例绘制，重点在于示出本发明制作方法的主旨。为清楚起见，放大了层和区域的尺寸，且各步骤的视角并不相同，此外对各结构另行编号。

首先，参考图7，提供玻璃基板400，所述玻璃基板400分为显示区域和边框区域，所述边框区域包围所述显示区域。为简化说明，以下图示仅示出显示区域的剖面示意图。

参考图8所示，在所述玻璃基板400的表面形成第一金属层500，所述第一金属层可以利用物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)或金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等方法形成。

参考图9所示，采用第一道掩模，使用光刻工艺，图形化所述第一金属层500，形成扫描连接线501，所述扫描连接线501将用于与外部驱动芯片电连接，各条扫描连接线501之间互相平行。

参考图10所示，在所述扫描连接线501以及玻璃基板400的表面形成第一绝缘介质层601。所述第一绝缘介质层601可以利用化学气相沉积形成，材质可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等常规的绝缘材料。

参考图11所示，在所述第一绝缘介质层601的表面形成第二金属层700，所述第二金属层700也可以利用化学气相沉积、物理气相沉积等工艺形成。

参考图12为刻蚀完第二金属层的基板俯视图，采用第二道掩模、光刻工艺图形化所述第二金属层700，形成扫描线701以及公共电极702，所述各条扫描线701之间互相平行，但与扫描连接线501垂直。通常在图形化第二金属层700时，还可以同时形成薄膜晶体管的栅极703。可以预先定义显示区域中阵列排布的像素区，在各像素区内制作薄膜晶体管的栅极703，并使得同行像素区内的栅极703与相应的一条扫描线701电连接。此外使得同行像素区内的公共电极702相连，并覆盖相邻像素区之间的区域。此外，在定义像素区时，应当使得扫描连接线501也位于相邻像素区之间的区域，这样公共电极702便能够覆盖扫描连接线501。

参考图13所示(剖视图，剖线为图12中的D-D线)，在图12所示结构的基础上，连续形成第二绝缘介质层602，以及非晶硅层603、掺杂非晶硅层604，然后采用第三道掩模、光刻工艺刻蚀非晶硅层603、掺杂非晶硅层604形成所需薄膜晶体管的有源层。其中第二绝缘介质层602可以作为薄膜晶体管的栅介质层。非晶硅层603用于形成薄膜晶体管的导电沟道，掺杂的非晶硅层604用于和后续形成的源漏电极形成欧姆接触。

参考图14，形成第三金属层800，所述第三金属层800用于形成数据线和薄膜晶体管的源漏电极。

参考图15，采用第四道掩模、光刻工艺刻蚀第三金属层800形成数据线801以及薄膜晶体管的源极802和漏极803，并且所述数据线801覆盖各对应位于其下方的扫描连接线501，同时可参考图16为图15D-D截面图，刻蚀第三金属层800时会稍微过刻蚀，将掺杂非晶硅层604刻蚀断开以露出位于其下方的非晶硅层603，使薄膜晶体管的源极802和漏极803与相应的硅岛连接，且相互绝缘。每条数据线801与同列像素区内的薄膜晶体管的源极802连接。所述多条数据线801与多条扫描线701之间相互垂直，构成正交，即可以将各像素区划分开。进一步的，本实施例中所述数据线801还覆盖扫描连接线501，使得在透光方向上，数据线801、公共电极702、扫描连接线501具有重叠。

参考图17，形成第三绝缘介质层900覆盖形成上述工艺的后基板400，采用第五道掩模、光刻工艺刻蚀所述第三绝缘介质层900、第二绝缘介质层602、第一绝缘介质层601，形成位于薄膜晶体管的漏极803上的过孔901使漏极803透过第三绝缘介质层900暴露出来，还形成位于扫描连接线501上的过孔605使扫描连接线501透过第三绝缘介质层900、第二绝缘介质层602、第一绝缘介质层601暴露出来。同时请参考图18，图18为图17的俯视图，同时还形成位于扫描线701上的过孔606使扫描线701透过第三绝缘介质层900、第二绝缘介质层602、第一绝缘介质层601暴露出来。

参考图19所示，形成像素电极层，采用第六道掩模、光刻工艺刻蚀所述像素电极层在各像素区内形成像素电极902，所述像素电极902通过接触孔901与同一像素区内薄膜晶体管的源极连接，且与公共电极702具有重叠部分。这样公共电极702、保护绝缘层以及像素电极902便构成了阵列基板显示区域的存储电容。所述形成像素电极层的同时，像素电极层也在过孔605、606内沉积，扫描连接线501、扫描线701通过像素电极层形成电连接；所述刻蚀像素电极层时形成连接扫描连接线501、扫描线701的连接部903。需要指出的是，本实施例中所述像素电极902的材质为氧化铟锡(ITO)。

经过上述制作工艺，便形成了本实施例所述的阵列基板。

第二实施例

在上述实施例中，扫描连接线与扫描线通过过孔使用其他导电层电连接，需要进行形成各位于扫描连接线与扫描线其上的过孔的对准、刻蚀以及导电层沉积等工艺。作为另一个可选实施例，所述扫描连接线与扫描线还可以直接电连接不使用其他导电层，进而简化阵列基板的结构，并提高连接的可靠性。

具体的，参考图20所示，是本发明第二实施例的阵列基板俯视结构示意图。将图19与图5比较可见，本实施例与第一实施例的区别仅在于：扫描连接线与扫描线之间的连接结构是通过过孔直接连接的，没有使用其他导电层。

为了更好地说明上述过孔结构，请参考图21，为图20所示阵列基板沿C-C线的剖面结构示意图。在所述扫描连接线202表面的绝缘介质层内，形成有过孔170，所述过孔170底部露出了扫描连接线202。当在绝缘介质层上形成金属层时，所述过孔170内会填满金属。然后图形化所述金属层形成扫描线101时，使得扫描线101与扫描连接线202在过孔170处电连接。

为制造本实施例的阵列基板，还提供了相应阵列基板的制作方法。由于本实施例与第一实施例区别仅在于扫描连接线与扫描线之间的连接结构。因此以下仅描述相关连接结构的形成工艺。请参考图22至图24，为本实施例所述制作方法的示意图。为简化说明，本实施例以第一实施例制作方法的剖面示意图为基础，同样未按比例绘制也未与图18所示俯视结构相对应，仅示出本发明制作方法的主旨。

参考图22所示，当完成第一绝缘介质层601的制作后，在图10所示结构的基础上，采用一道额外的掩模、光刻工艺，图形化所述第一绝缘介质层601，形成露出扫描连接线501的过孔170。所述过孔170即预先定义扫描连接线501与扫描线的连接位置。

参考图23所示，在图22所示结构基础上，形成第二金属层700，所述第二金属层700可以利用化学气相沉积、物理气相沉积等工艺形成。其中，第二金属层700不但覆于第一绝缘层601的表面，还填充于过孔170内，与开槽底部的扫描连接线501电连接。

参考图24所示，采用掩模、光刻工艺图形化所述第二金属层700，形成扫描线701以及公共电极702。所述各条扫描线701之间相互平行，但与扫描连接线501垂直，且扫描线701在过孔170处与相应的扫描连接线501电连接。

在完成上述扫描线701的制作后，再进行数据线、薄膜晶体管源漏电极、像素电极等阵列基板其余部分的形成工艺，与第一实施例不同之处仅在于不在需要制造位于扫描线和扫描连接线的过孔以及电连接扫描线和扫描连接线的连接部。本领域技术人员应当容易根据第一实施例所公开方案推得具体的制作方法，此处不再赘述。

本实施例，虽然增加了一道对第一绝缘介质层601的掩模、光刻工艺，但由于无需制作分别位于扫描线和扫描连接线其上的过孔以及相关的连接部，避免了形成穿透多层绝缘介质层的过孔时可能存在的刻蚀问题，因此进一步简化了工艺流程。

综上，本发明提供的阵列基板将扫描连接线设置于显示区域，通过扫描连接线将扫描线与外部驱动芯片电连接。由于边框区域无需设置扫描连接线，因而减小了边框区域的扫描连接线面积，提高了显示区域的面积，提高了玻璃基板的利用率。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (16)

1.一种阵列基板，包括显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，其特征在于，所述显示区域包括：

多条正交且相互绝缘的数据线以及扫描线；

所述多条数据线及扫描线将显示区域划分为多个阵列排布的像素区，各像素区内包括像素电极以及薄膜晶体管；

还包括多条扫描连接线，所述扫描连接线与数据线平行设置，并将对应的各条扫描线与外部驱动芯片电连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描连接线位于数据线的下方且被数据线覆盖，并且所述扫描连接线与数据线绝缘。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每行像素区内的薄膜晶体管的栅极对应与一条扫描线电连接；每列像素区内的薄膜晶体管的漏极对应与一条数据线电连接，源极对应与该像素区内的像素电极电连接。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区内还包括公共电极，所述公共电极位于像素电极下方，并与像素电极之间设置有绝缘介质层，所述公共电极、绝缘介质层以及像素电极构成存储电容。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，各相邻像素区内的公共电极相互连接并覆盖所述相邻像素区之间的区域。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极与扫描线为同一层金属。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极位于数据线的下方并覆盖所述扫描连接线，并且所述公共电极分别和数据线、扫描连接线绝缘。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极电压采用直流驱动。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描连接线与扫描线通过位于其上的过孔以及位于过孔内的其他层金属电连接。

10.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描连接线与扫描线之间设置形成有过孔的绝缘介质层，所述扫描连线通过在过孔内沉积与扫描线连接线直接电连接。

11.一种液晶显示面板，包括液晶层和彩膜基板，其特征在于，还包括如权利要求1-10任一所述的阵列基板，所述液晶层位于所述阵列基板和彩膜基板之间。

12.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板分为显示区域以及包围所述显示区域的边框区域；

在所述显示区域内形成第一金属层，并采用第一道掩模、光刻工艺图形化所述第一金属层形成扫描连接线，所述扫描连接线用于与外部驱动芯片电连接；

在所述第一金属层上形成第一绝缘介质层；

在第一绝缘介质层上形成第二金属层，采用第二道掩模、光刻工艺图形化所述第二金属层形成扫描线和薄膜晶体管的栅极以及公共电极，所述扫描线与扫描连接线垂直；

在上述结构表面形成第二绝缘介质层、非晶硅层、掺杂的非晶硅层，并采用第三道掩模、光刻工艺刻蚀形成薄膜晶体管的有源层；

在上述结构表面形成第三金属层，采用第四道掩模、光刻工艺图形化所述第三金属层形成数据线和薄膜晶体管的源漏极金属，所述数据线与扫描连接线平行；

在上述结构表面形成第三绝缘介质层，采用第五道掩模、光刻工艺图形化所述第三绝缘介质层形成分别位于薄膜晶体管漏极上方、扫描线上方和扫描连接线上方的过孔结构；

所述数据线与扫描线将显示区域划分为阵列排布的像素区，在上述结构表面沉积像素电极材料，采用第六道掩模、光刻工艺在所述像素区内形成像素电极以及电连接扫描线和扫描连接线的连接部，所述像素电极通过位于薄膜晶体管漏极上方的过孔和漏极电连接，所述扫描线和扫描连接线通过过孔和连接部电连接。

13.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板分为显示区域以及包围所述显示区域的边框区域；

在所述显示区域内形成第一金属层，并采用第一道掩模、光刻工艺图形化所述第一金属层形成扫描连接线，所述扫描连接线用于与外部驱动芯片电连接；

在扫描连接线上形成第一绝缘介质层；

采用第二道掩模、光刻工艺在所述第一绝缘介质层上形成露出扫描连接线的过孔；

在第一绝缘介质层表面以及开槽内形成第二金属层，采用第三道掩模、光刻工艺图形化所述第二金属层形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极，所述扫描线与扫描连接线垂直且在所述过孔直接电连接；

在上述结构表面形成第二绝缘介质层、非晶硅层、掺杂的非晶硅层，并采用第四道掩模、光刻工艺刻蚀形成薄膜晶体管的有源层；

在上述结构表面形成第三金属层，采用第五道掩模、光刻工艺图形化所述第三金属层形成数据线和薄膜晶体管的源漏极金属，所述数据线与扫描连接线平行；

在上述结构表面形成第三绝缘介质层，采用第六道掩模、光刻工艺图形化所述第三绝缘介质层形成位于薄膜晶体管漏极上方的过孔结构；

所述数据线与扫描线将显示区域划分为阵列排布的像素区，在上述结构表面沉积像素电极材料，采用第七道掩模、光刻工艺在所述像素区内形成像素电极，所述像素电极通过位于薄膜晶体管漏极上方的过孔与漏极电连接。

14.如权利要求12或13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述数据线覆盖扫描连接线。

15.如权利要求12或13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，每行像素区内的薄膜晶体管的栅极对应与一条扫描线电连接；每列像素区内的薄膜晶体管的漏极对应与一条数据线电连接，源极对应与该像素区内的像素电极电连接。

16.如权利要求12或13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述公共电极覆盖扫描连接线。

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