CN101963729B - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板，其包括第一基板、位于第一基板对向的第二基板以及位于第一基板与第二基板之间的显示介质。第一基板上包括设置有扫描线、数据线以及与扫描线及数据线电性连接的主动元件。第二基板上包括设置有共享电极层、覆盖共享电极层的绝缘层、位于绝缘层上的像素电极以及位于绝缘层上的接触结构，其中接触结构与像素电极电性连接并且与位于第一基板上的主动元件电性连接。

Description

显示面板

技术领域

本发明涉及一种显示面板，且尤其涉及一种液晶显示面板。

背景技术

目前市场对于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)都朝向高对比(contrastratio)、无灰阶反转(gray scale inversion)、高亮度(brightness)、高色饱和度(colorsaturation)、快速反应(response)以及广视角(viewing angle)等方向发展。目前常见的广视角技术包括：扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(In-Plane Switching，IPS)液晶显示器、边际场切换式(Fringe FieldSwitching，FFS)液晶显示器与多域垂直配向式(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)液晶显示器。

对于IPS液晶显示器以及FFS液晶显示器来说，通常是由主动阵列基板、设置于主动阵列基板之上的彩色滤光基板、以及设置于主动阵列基板与彩色滤光基板之间的液晶层所构成。其中，主动阵列基板由一主动阵列设置于第一基板(也称为第一基材)内表面上所构成，且主动阵列包含多个像素电极及共享电极。而彩色滤光基板由一彩色滤光图案设置于第二基板(也称为第二基材)内表面上所构成。因为，当使用者的手指碰触到显示面板时造成显示面板内部的电场改变而影响显示质量，因此，需要在彩色滤光基板的外表面另外形成一层透光导电层(也称为额外的透光导电层)。即另外形成一层透光导电层于第二基板的外表面上，此外表面与彩色滤光图案其设置于第二基板的内表面为不同表面，以避免手指碰触到显示面板时造成显示面板内部的电场改变而影响显示质量。然而，此透光导电层往往会使显示面板的穿透度下降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种显示面板，其可以不需要在彩色滤光基板的外表面另外设置透光导电层，因此可避免显示面板的穿透度下降。

本发明提出一种显示面板，其包括第一基板、位于第一基板对向的第二基板以及位于第一基板与第二基板之间的显示介质。第一基板上包括设置有扫描线、数据线以及与扫描线及数据线电性连接的主动元件。第二基板上包括设置有共享电极层、覆盖共享电极层的绝缘层、位于绝缘层上的像素电极以及位于绝缘层上的接触结构，其中接触结构与像素电极电性连接并且与位于第一基板上的主动元件电性连接。

其中，该接触结构是由一绝缘间隙物与覆盖该绝缘间隙物的该像素电极所构成。

其中，该接触结构是由一绝缘间隙物以及覆盖在该绝缘间隙物的一导电材料层所构成，且该导电材料层与该像素电极电性连接。

其中，该接触结构是一导电间隙物。

其中，该第一基板上更包括：一保护层，覆盖该主动元件；以及一导电层，位于该主动元件上方的该保护层上。

其中，该导电层与该主动元件电性连接，且该接触结构与该导电层电性接触。

其中，该导电层的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。

其中，该第一基板上更包括一或多个堆栈图案，该主动元件覆盖该堆栈图案，且该堆栈图案对应该第二基板上的该接触结构设置。

其中，该第二基板更包括：一彩色滤光阵列；一平坦层，覆盖该彩色滤光阵列，其中该共享电极层位于该平坦层上。

其中，该主动元件为一薄膜晶体管，其具有一栅极、一源极以及一漏极，该源极与该漏极的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。

其中，该像素电极具有一分支状图案。

本发明提出一种显示面板，其包括第一基板、位于第一基板对向的第二基板以及位于第一基板与第二基板之间的显示介质。第一基板上包括设置有扫描线、数据线以及与扫描线及数据线电性连接的主动元件。第二基板包括设置有像素电极、与像素电极电性连接并且与位于第一基板上的主动元件电性连接的接触结构以及与像素电极交错设置的共享电极。

其中，该接触结构是由一绝缘间隙物与覆盖该绝缘间隙物的该像素电极所构成。

其中，该接触结构是由一绝缘间隙物以及覆盖在该绝缘间隙物的一导电材料层所构成，且该导电材料层与该像素电极电性连接。

其中，该接触结构是一导电间隙物。

其中，该第一基板上更包括：一保护层，覆盖该主动元件；以及一导电层，位于该主动元件上方的该保护层上。

其中，该导电层与该主动元件电性连接，且该接触结构与该导电层电性接触。

其中，该导电层的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。

其中，该第一基板上更包括一或多个堆栈图案，该主动元件覆盖该堆栈图案，且该堆栈图案对应该第二基板上的该接触结构设置。

其中，该第二基板更包括：一彩色滤光阵列；一平坦层，覆盖该彩色滤光阵列，其中该像素电极以及该共享电极位于该平坦层上。

其中，该主动元件为一薄膜晶体管，其具有一栅极、一源极以及一漏极，该源极与该漏极的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。

其中，该像素电极及该共享电极分别具有一分支状图案。

基于上述，本发明将显示面板中的像素电极以及共享电极层(共享电极)设置在第二基板上。因此，当手指碰触到显示面板(即第二基板)时不会造成显示面板内部的电场改变。因此，本发明不需另外在第二基板的外表面形成透光导电层，因而可以避免显示面板的穿透度下降。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1是根据本发明的的一实施例的显示面板的剖面示意图；

图2A是图1所示的显示面板的第一基板的上视图；

图2B是图1所示的显示面板的第二基板的上视图；

图3及图4是根据本发明的其它实施例的显示面板的剖面示意图；

图5是根据本发明的另一实施例的显示面板的剖面示意图；

图6A是图5所示的显示面板的第一基板的上视图；

图6B是图5所示的显示面板的第二基板的上视图；

图7及图8是根据本发明的其它实施例的显示面板的剖面示意图；

图9A至图9D是根据本发明的实施例的接触结构的示意图；

图10A是图1所示的显示面板的第一基板的像素阵列的上视图；

图10B是图1所示的显示面板的第二基板的的像素阵列的上视图；

图11A是图5所示的显示面板的第一基板的像素阵列的上视图；

图11B是图5所示的显示面板的第二基板的的像素阵列的上视图。

其中，附图标记：

100：第一基板

101、110：基材

102：绝缘层

104：保护层

106a、106b：导电层

112a：彩色滤光图案

112b：遮光图案

114：平坦层

116：共享电极层

118：绝缘层

120、126：像素电极

120a、125a：细长开口

121：导电间隙物

122：绝缘间隙物

123：导电材料层

124、127、128：接触结构

125：共享电极

130：第二基板

140：堆栈图案

150：显示介质

T：主动元件

G：栅极

C：通道

S：源极

D：漏极

SL：扫描线

DL：数据线

具体实施方式

图1是根据本发明的一实施例的显示面板的剖面示意图。图2A是图1所示的显示面板的第一基板的上视图。图2B是图1所示的显示面板的第二基板的上视图。请参照图1、图2A以及图2B，本实施例的显示面板包括第一基板100、第二基板130以及显示介质150，其中显示介质130为于第一基板100与第二基板130之间，其可包括液晶分子、电泳显示介质、或是其它可适用的介质。在本发明下列实施例中的显示介质是以液晶分子当作范例，但不限于此。再者，在本发明下列实施例中的液晶分子，较佳地，是以可被水平电场转动或切换的液晶分子或者是可被横向电场转动或切换的液晶分子为范例，但不限于此。

值得一提的是，为了清楚说明本发明，图2A与图2B仅绘示出显示面板中的其中一个像素结构为例来说明。此领域技术人员应当可以了解，显示面板是由多个阵列排列的像素结构(又称为像素阵列)所构成。换言之，显示面板的第一基板上的像素阵列结构例如是如图10A所示，其是由多个如图2A所示的像素结构所构成。显示面板的第二基板上的像素阵列结构例如是如图10B所示，其是由多个如图2B所示的像素结构所构成。在以下针对图2A与图2B的说明主要是以单一个像素结构来作详细说明，然也可同时参照图10A以及图10B来了解本发明所主张之显示面板。

第一基板100包括基材101、扫描线SL、数据线DL、主动元件T。基材101(也可称为第一基材)的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。

扫描线SL与数据线DL设置于基材101上，且扫描线SL与数据线DL彼此交错设置。换言之，数据线DL的延伸方向与扫描线SL的延伸方向不平行，较佳的是，数据线DL的延伸方向与扫描线SL的延伸方向垂直。另外，扫描线SL与数据线DL属于不同的膜层。基于导电性的考虑，扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其它实施例，扫描线SL与数据线DL也可以使用其它导电材料(例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料)、或是金属材料与其它导材料的堆栈层。

主动元件T例如是底部栅极型薄膜晶体管，其包括栅极G、通道C、源极S以及漏极D。栅极G与扫描线SL电性连接。通道C位于栅极G的上方。此外，栅极与通道C之间更包括设置有一层绝缘层102，其又可称为栅极绝缘层。源极S以及漏极D位于通道C的上方，且源极S与数据线DL电性连接。再者，在主动元件T上更覆盖有一层保护层104。根据另一实施例，主动元件T也可以是顶部栅极型薄膜晶体管，即栅极G位于通道C的上方。

根据本实施例，在主动元件T上方的保护层104上可更设置有一层导电层106a且在保护层104中可更设置有导电层106b。导电层106a、106b的材质例如是抗氧化金属或是金属氧化物。导电层106a覆盖主动元件T可以遮蔽主动元件T于操作时所产生的光电效应。而导电层106b是位于保护层104中以与主动元件T的漏极D电性连接。再者，导电层106b可选择性地与导电层106a电性连接与否。在本实施例导电层106b并未与导电层106a电性连接为范例，但不限于此。在本发明中，导电层106a、106b并非必要构件，因此，在其它实施例中可以省略导电层106a、106b的制作。

第二基板130设置在第一基板100的对向，其包括基材(也可称为第二基材)110、共享电极层116、绝缘层118、像素电极120以及接触结构124。基材110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或其它合适的材料。

根据本发明的一实施例，第二基板130包括更包括彩色滤光图案112a、遮光图案112b以及平坦层114。彩色滤光图案112a以及遮光图案112b设置在基材110上以构成一彩色滤光阵列。对于一个像素结构来说，其彩色滤光图案112a可为红色、绿色与蓝色三种颜色的任一。遮光图案112b可为金属材料或是黑色树脂材料，其又可称为黑矩阵。平坦层114覆盖彩色滤光图案112a以及遮光图案112b。较佳地，平坦层114为一层未图案化的膜层，但不以此为限。其中，平坦层114的材料包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或上述的组合。

共享电极层116设置在平坦层114上。共享电极层116为一层未图案化的膜层，因此，其是全面地覆盖在基材110(平坦层114)上。共享电极层116为透明导电层，其材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。此外，共享电极层116是电性连接至共享电压(common voltage)，因此共享电极层116又可称为参考电极。再者，共享电极层116会传递共享信号，例如：共享电位，但不限于此。

绝缘层118覆盖共享电极层116。绝缘层118的材料包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料(例如：)、或其它合适的材料、或上述的组合。

像素电极120形成在绝缘层118上。根据本实施例，像素电极120具分支状图案，如图2B所示。更详细来说，像素电极120的内部具有多个平行排列的细长开口120a，以暴露出以下的绝缘层118。像素电极120可为透明导电材料，其包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者之堆栈层。此外，如图10B所示，各个像素结构中之像素电极120是彼此分离的。

接触结构124位于绝缘层118上，且接触结构124与像素电极120电性连接并且与第一基板上130的主动元件T电性连接。在图1及图2A与图2B的实施例中，接触结构124是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的像素电极120所构成。而且，接触结构124与第一基板100上的导电层106b电性接触，以使第二基板130上的像素电极120与第一基板100上的主动元件T电性连接。当然，根据其它实施例，倘若第一基板100上不设置导电层106b，那么接触结构124是直接与第一基板100上的主动元件T电性连接，以使第二基板130上的像素电极120与第一基板100上的主动元件T电性连接。

值得一提的是，如图10B所示，在第二基板的每一个像素结构中都分别设置有一个绝缘间隙物122，且每一像素电极120覆盖对应的绝缘间隙物122，以使第二基板上的各像素电极120与对应的主动元件T电性连接。

如同以上所述，本发明是将像素电极120设置在第二基板130上，且利用接触结构124将主动元件T与像素电极120电性连接。因此经由主动元件T的驱动信号(例如：像素电位，但不限于此)便可通过接触结构124而传递至第二基板130上的像素电极120，进而操控位于像素电极120上的显示介质150。而由于共享电极层116以及像素电极120都是设置在第二基板130上。因此，当手指碰触到显示面板(第二基板130的外表面)时就不会造成显示面板内部的电场改变。因此，本发明不需另外在第二基板130的外表面形成透光导电层，因而，可以避免显示面板的穿透度下降的问题。此外，因共享电极层116是设置在第二基板130上，因此共享电极层116就不会与第一基板100上的扫描线SL及数据线DL产生耦合效应而影响扫描线SL及数据线DL上的信号传递。

图3是根据本发明的另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图3，图3的实施例与图1的实施例相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。图3的实施例与图1的实施例不同之处在于，在第一基板100上的主动元件T(薄膜晶体管)，其源极S与漏极D的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。由于源极S与漏极D的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物(例如是铟锡氧化物或是铟锌氧化物)，因此，此实施例可以省去保护层的制作，也就是不再主动元件T上覆盖保护层，而使主动元件T裸露出来。而接触结构124是直接与裸露出来的主动元件T的漏极D电性接触。

图4是根据本发明的另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图4，图4的实施例与图1及图3的实施例相似，因此，相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。图4的实施例与图1及图3的实施例不同之处在于，第一基板100上更包括一或多个堆栈图案140(图式中仅画出一个，但不限于此，可以二个以上)，且主动元件T的漏极D覆盖堆栈图案140，而且堆栈图案140是对应第二基板130上的接触结构124设置。堆栈图案140可以是单一膜层或是多层膜层，且堆栈图案140也可以是多个具有不同尺寸的图案。由于堆栈图案140可将主动元件T的漏极D垫高，因此，可以增加主动元件T的漏极D与接触结构124之间的导电效果。本实施例中，较佳地，堆栈图案140的电位为浮置(floating)为范例。

在上述数个实施例中，接触结构124是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的像素电极120所构成，但本发明不限于此。根据其它的实施例，接触结构可以还可以是其它种变化。请参照图9A至图9D，在图9A中所绘示的接触结构124是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的像素电极120所构成。图9B所示的接触结构127是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的导电材料层123所构成，其中绝缘间隙物122设置在像素电极120上，且导电材料层123覆盖绝缘间隙物122并与像素电极120电性连接。在此，导电材料层123可以使用与像素电极120相同或是不相同的材料。基于导电性的考虑，导电材料层123较佳的是使用金属材料，其例如是采用扫描线或是与数据线相同的材料。此外，图9C所示的接触结构127是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的导电材料层123所构成，其中绝缘间隙物122不直接设置在像素电极120上，而覆盖在绝缘间隙物122表面的导电材料层123会与像素电极120电性连接。再者，图9D所示的接触结构是由单纯的导电间隙物121构成。值得一提的是，图9B至图9D中所绘示的接触结构可以应用于图1、图3以及图4的显示面板中，也就是可将图9B至图9D中所绘示的接触结构取代图1、图3以及图4中的接触结构124。

上述几个实施例的显示面板又可称为边际场切换式(Fringe FieldSwitching，FFS)显示面板或者是超级边际场切换式(Advanced Fringe FiledSwitching，AFFS)。而本发明将像素电极设置在第二基板上，且利用接触结构将主动元件与像素电极电性连接的方式也可以应用于共平面切换式(In-PlaneSwitching，IPS)显示面板、超级共平面切换式显示面板(Super-In Plane Switching，S-IPS)、超先进共平面切换式显示面板(Advanced Super In-Plane Switching，AS-IPS)。

图5是根据本发明的另一实施例的显示面板的剖面示意图。图6A是图5所示的显示面板的第一基板的上视图。图6B是图5所示的显示面板的第二基板的上视图。请参照图5、图6A以及图6B，图5(即图6A与图6B)的实施例与图1(即图2A与图2B)的实施例相似，因此，相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。

同样地，为了清楚说明本发明，图6A与图6B仅绘示出显示面板中的其中一个像素结构为例来说明。此领域技术人员应当可以了解，显示面板是由多个阵列排列的像素结构(又称为像素阵列)所构成。换言之，此实施例的显示面板的第一基板上的像素阵列结构例如是如图11A所示，其是由多个如图6A所示的像素结构所构成。显示面板的第二基板上的像素阵列结构例如是如图11B所示，其是由多个如图6B所示之像素结构所构成。在以下针对图6A与图6B的说明主要是以单一个像素结构来作详细说明，然也可同时参照图11A以及图11B来了解本发明所主张的显示面板。

图5(即图6A与图6B)的实施例与图1(即图2A与图2B)的实施例不同之处在于，第二基板132包括基材110、像素电极126、共享电极125以及接触结构128。类似地，根据本发明的一实施例，第二基板132可更包括彩色滤光图案112a、遮光图案112b以及平坦层114。

在本实施例中，像素电极126与共享电极125分别具有分支状图案，如图6B所示，像素电极126与共享电极125两者彼此交错设置。换言之，像素电极126与共享电极125之间具有细长开口125a以使彼此电性绝缘。此外，每一像素结构的共享电极125都是电性连接至同一个共享电压。另外，像素电极126与共享电极125可为透明导电材料，其包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。

值得一提的是，如图11B所示，各个像素结构中的像素电极126是彼此分离的。而每一列的像素结构中的共享电极125则可以彼此连接在一起，或是通过其它方式而电性连接在一起。

同样地，接触结构128与像素电极126电性连接并且与第一基板上100的主动元件T电性连接。在图5的实施例中，接触结构128是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的像素电极126所构成。而且，接触结构128与第一基板100上的导电层106b电性接触，以使第二基板132上的像素电极120与第一基板100上的主动元件T电性连接。

类似地，如图11B所示，在第二基板的每一个像素结构中都分别设置有一个绝缘间隙物122，且每一像素电极126覆盖对应的绝缘间隙物122，以使第二基板上的各像素电极126与对应的主动元件T电性连接。

再者，导电层106b可选择性地与导电层106a电性连接与否。在本实施例导电层106b并未与导电层106a电性连接为范例，但不限于此。当然，倘若第一基板100上不设置导电层106b，那么接触结构128是直接与第一基板100上的主动元件T电性连接，以使第二基板132上的像素电极126与第一基板100上的主动元件T电性连接。

如同以上所述，本发明是将像素电极126设置在第二基板132上，且利用接触结构128将主动元件T与像素电极126电性连接。因此经由主动元件T的驱动信号(例如：像素电位，但不限于此)便可通过接触结构128而传递至第二基板132上的像素电极126，进而操控位于像素电极126上的显示介质150。而由于共享电极125以及像素电极126都是设置在第二基板132上。因此，当手指碰触到显示面板(第二基板132的外表面)时就不会造成显示面板内部的电场改变。因此，本发明不需另外在第二基板132的外表面形成透光导电层，因而可以避免显示面板的穿透度下降的问题。此外，因共享电极125是设置在第二基板132上，因此共享电极125不会与第一基板100上的扫描线SL及数据线DL产生耦合效应而影响扫描线SL及数据线DL上的信号传递。

图7是根据本发明的另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图7，图7的实施例与图5的实施例相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。图7的实施例与图5的实施例不同之处在于，在第一基板100上的主动元件T(薄膜晶体管)，其源极S与漏极D的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。由于源极S与漏极D的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物(例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层)，因此此实施例可以省去保护层的制作，也就是不再主动元件T上覆盖保护层，而使主动元件T裸露出来。而接触结构128是直接与裸露出来的主动元件T的漏极D电性连接。

图8是根据本发明的另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图8，图8的实施例与图5的实施例相似，因此，相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。图8的实施例与图5的实施例不同之处在于，第一基板100上更包括一或多个堆栈图案140(图式中仅画出一个)，且主动元件T的漏极D覆盖堆栈图案140，而且堆栈图案140是对应第二基板130上的接触结构124设置。堆栈图案140可以是单一膜层或是多层膜层，且堆栈图案140也可以是多个具有不同尺寸的图案。堆栈图案140由于将主动元件T的漏极D垫高，因此，可以增加主动元件T的漏极D与接触结构128之间的导电效果。

类似地，在上述数个实施例中，接触结构128是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的像素电极126所构成，但本发明不限于此。根据其它的实施例，如图9B所示，接触结构127可以是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的导电材料层123所构成，其中绝缘间隙物122设置在像素电极120上，且导电材料层123覆盖绝缘间隙物122并与像素电极120电性连接。在此，导电材料层123可以使用与像素电极120相同或是不相同的材料。基于导电性的考虑，导电材料层123较佳的是使用金属材料，其例如是采用扫描线或是与数据线相同的材料。此外，如图9C所示，接触结构127是由绝缘间隙物122与覆盖绝缘间隙物122的导电材料层123所构成，其中绝缘间隙物122不直接设置在像素电极120上，而覆盖在绝缘间隙物122表面的导电材料层123会与像素电极120电性连接。再者，如图9D所示，接触结构也可以是由单纯的导电间隙物121构成。上述图9B至图9D的接触结构可以应用于图5、图7以及图8的显示面板中。

再者，本发明上述实施例(例如：图1、图3、图4、图5、图7、图8)至少其中一者中，彩色滤光图案112a是设置于基材110上为较佳范例，但不限于此。于第一变形实施例中，彩色滤光图案112a可选择性的设置于基材101上。其中彩色滤光图案112a可选择性位于主动元件T之上，可称为彩色滤光图案112a位于主动层之上(color filter on array，COA)或者彩色滤光图案112a可选择性位于主动元件T之下可称为彩色滤光图案112a位于主动层之下(array on colorfilter，AOC)。

此外，本发明上述实施例(例如：图1、图3、图4、图5、图7、图8)至少其中一者中，遮光图案112b是设置于基材110上为较佳范例，但不限于此。于第二变形实施例中，遮光图案112b可选择性的设置于基材101上，即遮光图案112b设置于主动元件T之上，可称为黑色矩阵位于主动层之上(black matrix onarray，BOA)。

另外，依照上述二个变形实施例设计方式外，在第三变形例中，当遮光图案112b与彩色滤光图112a一起设置于基材101之上时，基材110上的平坦层114可选择性地移除。此时，共同电极116就会直接形成于基材110上。

综上所述，由于本发明将显示面板中的像素电极以及共享电极层(共享电极)设置在第二基板上。当手指碰触到显示面板时不会造成显示面板内部的电场改变。因此，本发明不需另外在第二基板的外表面形成透光导电层，因而可以避免显示面板的穿透度下降。

此外，因显示面板中的共享电极层(共享电极)是设置在第二基板上，因此共享电极层(共享电极)就不会与第一基板上的扫描线及数据线产生耦合效应而影响扫描线及数据在线的信号传递。这样一来，也可以降低共享电极层(共享电极)的负载(loading)。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

一第一基板，该第一基板包括：

一扫描线与一数据线；

一主动元件，其与该扫描线与该数据线电性连接；

一第二基板，位于该第一基板的对向，其中该第二基板包括：

一共享电极层；

一绝缘层，覆盖该共享电极层；

一像素电极，位于该绝缘层上；

一接触结构，位于该绝缘层上，其中该接触结构与该像素电极电性连接并且与位于该第一基板上之主动元件电性连接；以及

一显示介质，位于该第一基板与该第二基板之间。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该接触结构是由一绝缘间隙物与覆盖该绝缘间隙物的该像素电极所构成。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该接触结构是由一绝缘间隙物以及覆盖在该绝缘间隙物的一导电材料层所构成，且该导电材料层与该像素电极电性连接。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该接触结构是一导电间隙物。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一基板上更包括：

一保护层，覆盖该主动元件；以及

一导电层，位于该主动元件上方的该保护层上；

其中该导电层与该主动元件电性连接，且该接触结构与该导电层电性接触。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，该导电层的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一基板上更包括一或多个堆栈图案，该主动元件覆盖该堆栈图案，且该堆栈图案对应该第二基板上的该接触结构设置。 

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第二基板更包括：

一彩色滤光阵列；

一平坦层，覆盖该彩色滤光阵列，其中该共享电极层位于该平坦层上。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该主动元件为一薄膜晶体管，其具有一栅极、一源极以及一漏极，该源极与该漏极的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该像素电极具有一分支状图案。

11.一种显示面板，其特征在于，包括：

一第一基板，该第一基板包括：

一扫描线与一数据线；

一主动元件，其与该扫描线与该数据线电性连接；

一第二基板，位于该第一基板的对向，其中该第二基板包括：

一像素电极；

一接触结构，其与该像素电极电性连接并且与位于该第一基板上之主动元件电性连接；

一共享电极，其与该像素电极交错设置；以及

一显示介质，位于该第一基板与该第二基板之间。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该接触结构是由一绝缘间隙物与覆盖该绝缘间隙物的该像素电极所构成。

13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该接触结构是由一绝缘间隙物以及覆盖在该绝缘间隙物的一导电材料层所构成，且该导电材料层与该像素电极电性连接。

14.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该接触结构是一导电间隙物。

15.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该第一基板上更包括：

一保护层，覆盖该主动元件；以及

一导电层，位于该主动元件上方的该保护层上；

其中该导电层与该主动元件电性连接，且该接触结构与该导电层电性接 触。

16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，该导电层的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。

17.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该第一基板上更包括一或多个堆栈图案，该主动元件覆盖该堆栈图案，且该堆栈图案对应该第二基板上的该接触结构设置。

18.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该第二基板更包括：

一彩色滤光阵列；

一平坦层，覆盖该彩色滤光阵列，其中该像素电极以及该共享电极位于该平坦层上。

19.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该主动元件为一薄膜晶体管，其具有一栅极、一源极以及一漏极，该源极与该漏极的材质包括抗氧化金属或是金属氧化物。

20.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该像素电极及该共享电极分别具有一分支状图案。 

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