TWI412828B - 顯示面板 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種液晶顯示面板。
目前市場對於薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)皆朝向高對比(contrast ratio)、無灰階反轉(gray scale inversion)、高亮度(brightness)、高色飽和度(color saturation)、快速反應(response)以及廣視角(viewing angle)等方向發展。目前常見的廣視角技術包括：扭轉向列型液晶(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式(In-Plane Switching，IPS)液晶顯示器、邊際場切換式(Fringe Field Switching，FFS)液晶顯示器與多域垂直配向式(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)液晶顯示器。
對於IPS液晶顯示器以及FFS液晶顯示器來說，通常是由主動陣列基板、設置於主動陣列基板之上之彩色濾光基板、以及設置於主動陣列基板與彩色濾光基板之間之液晶層所構成。其中，主動陣列基板由一主動陣列設置於第一基板(亦稱為第一基材)內表面上所構成，且主動陣列包含多個畫素電極及共用電極。而彩色濾光基板由一彩色濾光圖案設置於第二基板(亦稱為第二基材)內表面上所構成。因為，當使用者的手指碰觸到顯示面板時造成顯示面板內部的電場改變而影響顯示品質，因此，需要在彩色濾
光基板的外表面另外形成一層透光導電層(亦稱為額外的透光導電層)。即另外形成一層透光導電層於第二基板之外表面上，此外表面係與彩色濾光圖案其設置於第二基板之內表面為不同表面，以避免手指碰觸到顯示面板時造成顯示面板內部的電場改變而影響顯示品質。然而，此透光導電層往往會使顯示面板的穿透度下降。
本發明提供一種顯示面板，其可以不需要在彩色濾光基板的外表面另外設置透光導電層，因此可避免顯示面板的穿透度下降。
本發明提出一種顯示面板，其包括第一基板、位於第一基板對向的第二基板以及位於第一基板與第二基板之間的顯示介質。第一基板上包括設置有掃描線、資料線以及與掃描線及資料線電性連接的主動元件。第二基板上包括設置有共用電極層、覆蓋共用電極層的絕緣層、位於絕緣層上的畫素電極以及位於絕緣層上的接觸結構，其中接觸結構與畫素電極電性連接並且與位於第一基板上之主動元件電性連接。
本發明提出一種顯示面板，其包括第一基板、位於第一基板對向的第二基板以及位於第一基板與第二基板之間的顯示介質。第一基板上包括設置有掃描線、資料線以及與掃描線及資料線電性連接的主動元件。第二基板包括設置有畫素電極、與畫素電極電性連接並且與位於第一基板
上之主動元件電性連接的接觸結構以及與畫素電極交錯設置的共用電極。
基於上述，本發明將顯示面板中的畫素電極以及共用電極層(共用電極)設置在第二基板上。因此當手指碰觸到顯示面板(即第二基板)時不會造成顯示面板內部的電場改變。因此，本發明不需另外在第二基板的外表面形成透光導電層，因而可以避免顯示面板的穿透度下降。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是根據本發明之一實施例之顯示面板的剖面示意圖。圖2A是圖1所示之顯示面板的第一基板的上視圖。圖2B是圖1所示之顯示面板的第二基板的上視圖。請參照圖1、圖2A以及圖2B，本實施例之顯示面板包括第一基板100、第二基板130以及顯示介質150，其中顯示介質130為於第一基板100與第二基板130之間，其可包括液晶分子、電泳顯示介質、或是其它可適用的介質。在本發明下列實施例中的顯示介質係以液晶分子當作範例，但不限於此。再者，在本發明下列實施例中的液晶分子，較佳地，係以可被水平電場轉動或切換的液晶分子或者是可被橫向電場轉動或切換的液晶分子為範例，但不限於此。
值得一提的是，為了清楚說明本發明，圖2A與圖2B僅繪示出顯示面板中的其中一個畫素結構為例來說明。此
領域技術人員應當可以瞭解，顯示面板是由多個陣列排列的畫素結構(又稱為畫素陣列)所構成。換言之，顯示面板之第一基板上的畫素陣列結構例如是如圖10A所示，其是由多個如圖2A所示之畫素結構所構成。顯示面板之第二基板上的畫素陣列結構例如是如圖10B所示，其是由多個如圖2B所示之畫素結構所構成。在以下針對圖2A與圖2B之說明主要是以單一個畫素結構來作詳細說明，然亦可同時參照圖10A以及圖10B來瞭解本發明所主張之顯示面板。
第一基板100包括基材101、掃描線SL、資料線DL、主動元件T。基材101(亦可稱為第一基材)之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。
掃描線SL與資料線DL設置於基材101上，且掃描線SL與資料線DL彼此交錯設置。換言之，資料線DL的延伸方向與掃描線SL的延伸方向不平行，較佳的是，資料線DL的延伸方向與掃描線SL的延伸方向垂直。另外，掃描線SL與資料線DL屬於不同的膜層。基於導電性的考量，掃描線SL與資料線DL一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，掃描線SL與資料線DL也可以使用其他導電材料(例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。
主動元件T例如是底部閘極型薄膜電晶體，其包括閘極G、通道C、源極S以及汲極D。閘極G與掃描線SL電性連接。通道C位於閘極G的上方。此外，閘極與通道C之間更包括設置有一層絕緣層102，其又可稱為閘極絕緣層。源極S以及汲極D位於通道C的上方，且源極S與資料線DL電性連接。再者，在主動元件T上更覆蓋有一層保護層104。根據另一實施例，主動元件T也可以是頂部閘極型薄膜電晶體，即閘極G位於通道C的上方。
根據本實施例，在主動元件T上方的保護層104上可更設置有一層導電層106a且在保護層104中可更設置有導電層106b。導電層106a、106b的材質例如是金屬或是金屬氧化物。導電層106a覆蓋主動元件T可以遮蔽主動元件T於操作時所產生的光電效應。而導電層106b是位於保護層104中以與主動元件T的汲極D電性連接。再者，導電層106b可選擇性地與導電層106a電性連接與否。在本實施例導電層106b並未與導電層106a電性連接為範例，但不限於此。在本發明中，導電層106a、106b並非必要構件，因此在其他實施例中可以省略導電層106a、106b的製作。
第二基板130設置在第一基板100的對向，其包括基材(亦可稱為第二基材)110、共用電極層116、絕緣層118、畫素電極120以及接觸結構124。基材110之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或其它合適的材料。
根據本發明之一實施例，第二基板130包括更包括彩
色濾光圖案112a、遮光圖案112b以及平坦層114。彩色濾光圖案112a以及遮光圖案112b設置在基材110上以構成一彩色濾光陣列。對於一個畫素結構來說，其彩色濾光圖案112a可為紅色、綠色與藍色三種顏色之任一。遮光圖案112b可為金屬材料或是黑色樹脂材料，其又可稱為黑矩陣。平坦層114覆蓋彩色濾光圖案112a以及遮光圖案112b。較佳地，平坦層114為一層未圖案化的膜層，但不以此為限。其中，平坦層114之材料包含無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其它合適的材料、或上述之組合)、或其它合適的材料、或上述之組合。
共用電極層116設置在平坦層114上。共用電極層116為一層未圖案化的膜層，因此其是全面地覆蓋在基材110(平坦層114)上。共用電極層116為透明導電層，其材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。此外，共用電極層116是電性連接至共用電壓(common voltage)，因此共用電極層116又可稱為參考電極。再者，共用電極層116會傳遞共用訊號，例如：共用電位，但不限於此。
絕緣層118覆蓋共用電極層116。絕緣層118的材料包含無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合
適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：)、或其它合適的材料、或上述之組合。
畫素電極120形成在絕緣層118上。根據本實施例，畫素電極120具分支狀圖案，如圖2B所示。更詳細來說，畫素電極120的內部具有多個平行排列的細長開口120a，以暴露出以下的絕緣層118。畫素電極120可為透明導電材料，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。此外，如圖10B所示，各個畫素結構中之畫素電極120是彼此分離的。
接觸結構124位於絕緣層118上，且接觸結構124與畫素電極120電性連接並且與第一基板上130之主動元件T電性連接。在圖1及圖2A與圖2B的實施例中，接觸結構124是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的畫素電極120所構成。而且，接觸結構124與第一基板100上的導電層106b電性接觸，以使第二基板130上的畫素電極120與第一基板100上的主動元件T電性連接。當然，根據其他實施例，倘若第一基板100上不設置導電層106b，那麼接觸結構124是直接與第一基板100上的主動元件T電性連接，以使第二基板130上的畫素電極120與第一基板100上的主動元件T電性連接。
值得一提的是，如圖10B所示，在第二基板之每一個畫素結構中都分別設置有一個絕緣間隙物122，且每一畫素電極120覆蓋對應的絕緣間隙物122，以使第二基板上
的各畫素電極120與對應的主動元件T電性連接。
如同以上所述，本發明是將畫素電極120設置在第二基板130上，且利用接觸結構124將主動元件T與畫素電極120電性連接。因此經由主動元件T的驅動訊號(例如：畫素電位，但不限於此)便可透過接觸結構124而傳遞至第二基板130上的畫素電極120，進而操控位於畫素電極120上的顯示介質150。而由於共用電極層116以及畫素電極120都是設置在第二基板130上。因此當手指碰觸到顯示面板(第二基板130的外表面)時就不會造成顯示面板內部的電場改變。因此，本發明不需另外在第二基板130的外表面形成透光導電層，因而可以避免顯示面板的穿透度下降的問題。此外，因共用電極層116是設置在第二基板130上，因此共用電極層116就不會與第一基板100上的掃描線SL及資料線DL產生耦合效應而影響掃描線SL及資料線DL上的訊號傳遞。
圖3是根據本發明之另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖3，圖3之實施例與圖1之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖3之實施例與圖1之實施例不同之處在於，在第一基板100上的主動元件T(薄膜電晶體)，其源極S與汲極D的材質包括金屬或是金屬氧化物。由於源極S與汲極D的材質包括金屬或是金屬氧化物(例如是銦錫氧化物或是銦鋅氧化物)，因此此實施例可以省去保護層的製作，也就是不再主動元件T上覆蓋保護層，而使主動元件T裸露出來。而接
觸結構124是直接與裸露出來的主動元件T的汲極D電性接觸。
圖4是根據本發明之另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖4，圖4之實施例與圖1及圖3之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖4之實施例與圖1及圖3之實施例不同之處在於，第一基板100上更包括一或多個堆疊圖案140(圖式中僅畫出一個，但不限於此，可以二個以上)，且主動元件T的汲極D覆蓋堆疊圖案140，而且堆疊圖案140是對應第二基板130上之接觸結構124設置。堆疊圖案140可以是單一膜層或是多層膜層，且堆疊圖案140也可以是多個具有不同尺寸的圖案。由於堆疊圖案140可將主動元件T的汲極D墊高，因此可以增加主動元件T的汲極D與接觸結構124之間的導電效果。本實施例中，較佳地，堆疊圖案140之電位為浮置(floating)為範例。
在上述數個實施例中，接觸結構124是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的畫素電極120所構成，但本發明不限於此。根據其他的實施例，接觸結構可以還可以是其他種變化。請參照圖9A至圖9D，在圖9A中所繪示的接觸結構124是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的畫素電極120所構成。圖9B所示的接觸結構127是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的導電材料層123所構成，其中絕緣間隙物122設置在畫素電極120上，且導電材料層123覆蓋絕緣間隙物122並與畫素電極120
電性連接。在此，導電材料層123可以使用與畫素電極120相同或是不相同的材料。基於導電性的考量，導電材料層123較佳的是使用金屬材料，其例如是採用掃描線或是與資料線相同的材料。此外，圖9C所示的接觸結構127是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的導電材料層123所構成，其中絕緣間隙物122不直接設置在畫素電極120上，而覆蓋在絕緣間隙物122表面的導電材料層123會與畫素電極120電性連接。再者，圖9D所示的接觸結構是由單純的導電間隙物121構成。值得一提的是，圖9B至圖9D中所繪示的接觸結構可以應用於圖1、圖3以及圖4的顯示面板中，也就是可將圖9B至圖9D中所繪示的接觸結構取代圖1、圖3以及圖4中的接觸結構124。
上述幾個實施例之顯示面板又可稱為邊際場切換式(Fringe Field Switching，FFS)顯示面板或者是超級邊際場切換式(Advanced Fringe Filed Switching,AFFS)。而本發明將畫素電極設置在第二基板上，且利用接觸結構將主動元件與畫素電極電性連接的方式也可以應用於共平面切換式(In-Plane Switching，IPS)顯示面板、超級共平面切換式顯示面板(Super-In Plane Switching,S-IPS)、超先進共平面切換式顯示面板(Advanced Super In-Plane Switching,AS-IPS)。
圖5是根據本發明之另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。圖6A是圖5所示之顯示面板的第一基板的上視圖。圖6B是圖5所示之顯示面板的第二基板的上視圖。請參
照圖5、圖6A以及圖6B，圖5(即圖6A與圖6B)之實施例與圖1(即圖2A與圖2B)之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。
同樣地，為了清楚說明本發明，圖6A與圖6B僅繪示出顯示面板中的其中一個畫素結構為例來說明。此領域技術人員應當可以瞭解，顯示面板是由多個陣列排列的畫素結構(又稱為畫素陣列)所構成。換言之，此實施例之顯示面板之第一基板上的畫素陣列結構例如是如圖11A所示，其是由多個如圖6A所示之畫素結構所構成。顯示面板之第二基板上的畫素陣列結構例如是如圖11B所示，其是由多個如圖6B所示之畫素結構所構成。在以下針對圖6A與圖6B之說明主要是以單一個畫素結構來作詳細說明，然亦可同時參照圖11A以及圖11B來瞭解本發明所主張之顯示面板。
圖5(即圖6A與圖6B)之實施例與圖1(即圖2A與圖2B)之實施例不同之處在於，第二基板132包括基材110、畫素電極126、共用電極125以及接觸結構128。類似地，根據本發明之一實施例，第二基板132可更包括彩色濾光圖案112a、遮光圖案112b以及平坦層114。
在本實施例中，畫素電極126與共用電極125分別具有分支狀圖案，如圖6B所示，畫素電極126與共用電極125兩者彼此交錯設置。換言之，畫素電極126與共用電極125之間具有細長開口125a以使彼此電性絕緣。此外，每一畫素結構的共用電極125都是電性連接至同一個共用
電壓。另外，畫素電極126與共用電極125可為透明導電材料，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
值得一提的是，如圖11B所示，各個畫素結構中之畫素電極126是彼此分離的。而每一列之畫素結構中之共用電極125則可以彼此連接在一起，或是透過其他方式而電性連接在一起。
同樣地，接觸結構128與畫素電極126電性連接並且與第一基板上100之主動元件T電性連接。在圖5的實施例中，接觸結構128是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的畫素電極126所構成。而且，接觸結構128與第一基板100上的導電層106b電性接觸，以使第二基板132上的畫素電極120與第一基板100上的主動元件T電性連接。
類似地，如圖11B所示，在第二基板之每一個畫素結構中都分別設置有一個絕緣間隙物122，且每一畫素電極126覆蓋對應的絕緣間隙物122，以使第二基板上的各畫素電極126與對應的主動元件T電性連接。
再者，導電層106b可選擇性地與導電層106a電性連接與否。在本實施例導電層106b並未與導電層106a電性連接為範例，但不限於此。當然，倘若第一基板100上不設置導電層106b，那麼接觸結構128是直接與第一基板100上的主動元件T電性連接，以使第二基板132上的畫素電
極126與第一基板100上的主動元件T電性連接。
如同以上所述，本發明是將畫素電極126設置在第二基板132上，且利用接觸結構128將主動元件T與畫素電極126電性連接。因此經由主動元件T的驅動訊號(例如：畫素電位，但不限於此)便可透過接觸結構128而傳遞至第二基板132上的畫素電極126，進而操控位於畫素電極126上的顯示介質150。而由於共用電極125以及畫素電極126都是設置在第二基板132上。因此當手指碰觸到顯示面板(第二基板132的外表面)時就不會造成顯示面板內部的電場改變。因此，本發明不需另外在第二基板132的外表面形成透光導電層，因而可以避免顯示面板的穿透度下降的問題。此外，因共用電極125是設置在第二基板132上，因此共用電極125不會與第一基板100上的掃描線SL及資料線DL產生耦合效應而影響掃描線SL及資料線DL上的訊號傳遞。
圖7是根據本發明之另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖7，圖7之實施例與圖5之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖7之實施例與圖5之實施例不同之處在於，在第一基板100上的主動元件T(薄膜電晶體)，其源極S與汲極D的材質包括金屬或是金屬氧化物。由於源極S與汲極D的材質包括抗氧化金屬或是金屬氧化物(例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層)，因此此實
施例可以省去保護層的製作，也就是不再主動元件T上覆蓋保護層，而使主動元件T裸露出來。而接觸結構128是直接與裸露出來的主動元件T的汲極D電性連接。
圖8是根據本發明之另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖8，圖8之實施例與圖5之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。圖8之實施例與圖5之實施例不同之處在於，第一基板100上更包括一或多個堆疊圖案140(圖式中僅畫出一個)，且主動元件T的汲極D覆蓋堆疊圖案140，而且堆疊圖案140是對應第二基板130上之接觸結構124設置。堆疊圖案140可以是單一膜層或是多層膜層，且堆疊圖案140也可以是多個具有不同尺寸的圖案。堆疊圖案140由於將主動元件T的汲極D墊高，因此可以增加主動元件T的汲極D與接觸結構128之間的導電效果。
類似地，在上述數個實施例中，接觸結構128是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的畫素電極126所構成，但本發明不限於此。根據其他的實施例，如圖9B所示，接觸結構127可以是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的導電材料層123所構成，其中絕緣間隙物122設置在畫素電極120上，且導電材料層123覆蓋絕緣間隙物122並與畫素電極120電性連接。在此，導電材料層123可以使用與畫素電極120相同或是不相同的材料。基於導電性的考量，導電材料層123較佳的是使用金屬材料，其例如是採用掃描線或是與資料線相同的材料。此外，如圖
9C所示，接觸結構127是由絕緣間隙物122與覆蓋絕緣間隙物122的導電材料層123所構成，其中絕緣間隙物122不直接設置在畫素電極120上，而覆蓋在絕緣間隙物122表面的導電材料層123會與畫素電極120電性連接。再者，如圖9D所示，接觸結構也可以是由單純的導電間隙物121構成。上述圖9B至圖9D的接觸結構可以應用於圖5、圖7以及圖8的顯示面板中。
再者，本發明上述實施例(例如：圖1、圖3、圖4、圖5、圖7、圖8)至少其中一者中，彩色濾光圖案112a是設置於基材110上為較佳範例，但不限於此。於第一變形實施例中，彩色濾光圖案112a可選擇性的設置於基材101上。其中彩色濾光圖案112a可選擇性位於主動元件T之上，可稱為彩色濾光圖案112a位於主動層之上(color filter on array,COA)或者彩色濾光圖案112a可選擇性位於主動元件T之下可稱為彩色濾光圖案112a位於主動層之下(array on color filter,AOC)。
此外，本發明上述實施例(例如：圖1、圖3、圖4、圖5、圖7、圖8)至少其中一者中，遮光圖案112b是設置於基材110上為較佳範例，但不限於此。於第二變形實施例中，遮光圖案112b可選擇性的設置於基材101上，即遮光圖案112b設置於主動元件T之上，可稱為黑色矩陣位於主動層之上(black matrix on array,BOA)。
另外，依照上述二個變形實施例設計方式外，在第三變形例中，當遮光圖案112b與彩色濾光圖112a一起設置
於基材101之上時，基材110上的平坦層114可選擇性地移除。此時，共同電極116就會直接形成於基材110上。
綜上所述，由於本發明將顯示面板中的畫素電極以及共用電極層(共用電極)設置在第二基板上。當手指碰觸到顯示面板時不會造成顯示面板內部的電場改變。因此，本發明不需另外在第二基板的外表面形成透光導電層，因而可以避免顯示面板的穿透度下降。
此外，因顯示面板中的共用電極層(共用電極)是設置在第二基板上，因此共用電極層(共用電極)就不會與第一基板上的掃描線及資料線產生耦合效應而影響掃描線及資料線上的訊號傳遞。這樣一來，也可以降低共用電極層(共用電極)的負載(loading)。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧第一基板
101、110‧‧‧基材
102‧‧‧絕緣層
104‧‧‧保護層
106a、106b‧‧‧導電層
112a‧‧‧彩色濾光圖案
112b‧‧‧遮光圖案
114‧‧‧平坦層
116‧‧‧共用電極層
118‧‧‧絕緣層
120、126‧‧‧畫素電極
120a、125a‧‧‧細長開口
121‧‧‧導電間隙物
122‧‧‧絕緣間隙物
123‧‧‧導電材料層
124、127、128‧‧‧接觸結構
125‧‧‧共用電極
130‧‧‧第二基板
140‧‧‧堆疊圖案
150‧‧‧顯示介質
T‧‧‧主動元件
G‧‧‧閘極
C‧‧‧通道
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
圖1是根據本發明之一實施例之顯示面板的剖面示意圖。
圖2A是圖1所示之顯示面板的第一基板的上視圖。
圖2B是圖1所示之顯示面板的第二基板的上視圖。
圖3及圖4是根據本發明之其他實施例之顯示面板的剖面示意圖。
圖5是根據本發明之另一實施例之顯示面板的剖面示意圖。
圖6A是圖5所示之顯示面板的第一基板的上視圖。
圖6B是圖5所示之顯示面板的第二基板的上視圖。
圖7及圖8是根據本發明之其他實施例之顯示面板的剖面示意圖。
圖9A至圖9D是根據本發明之實施例的接觸結構的示意圖。
圖10A是圖1所示之顯示面板的第一基板的畫素陣列之上視圖。
圖10B是圖1所示之顯示面板的第二基板的的畫素陣列之上視圖。
圖11A是圖5所示之顯示面板的第一基板的畫素陣列之上視圖。
圖11B是圖5所示之顯示面板的第二基板的的畫素陣列之上視圖。
100‧‧‧第一基板
101、110‧‧‧基板
102‧‧‧絕緣層
104‧‧‧保護層
106a、106b‧‧‧導電層
112a‧‧‧彩色濾光圖案
112b‧‧‧遮光圖案
114‧‧‧平坦層
116‧‧‧共用電極層
118‧‧‧絕緣層
120‧‧‧畫素電極
122‧‧‧絕緣間隙物
124‧‧‧接觸結構
130‧‧‧第二基板
150‧‧‧顯示介質
T‧‧‧主動元件
G‧‧‧閘極
C‧‧‧通道
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
Claims (22)
- 一種顯示面板，包括：一第一基板，該第一基板包括：一掃描線與一資料線；一主動元件，其與該掃描線與該資料線電性連接；一第二基板，位於該第一基板的對向，其中該第二基板包括：一共用電極層；一絕緣層，覆蓋該共用電極層；一畫素電極，位於該絕緣層上；一接觸結構，位於該絕緣層上，其中該接觸結構與該畫素電極電性連接並且與位於該第一基板上之主動元件電性連接；以及一顯示介質，位於該第一基板與該第二基板之間，其中該顯示介質與該第一基板之間未設置任何共用電極層。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該接觸結構是由一絕緣間隙物與覆蓋該絕緣間隙物之該畫素電極所構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該接觸結構是由一絕緣間隙物以及覆蓋在該絕緣間隙物之一導電材料層所構成，且該導電材料層與該畫素電極電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該接觸結構是一導電間隙物。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第 一基板上更包括：一保護層，覆蓋該主動元件；以及一導電層，位於該主動元件上方之該保護層上。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示面板，其中該導電層與該主動元件電性連接，且該接觸結構與該導電層電性接觸。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示面板，其中該導電層的材質包括金屬或是金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一基板上更包括一或多個堆疊圖案，該主動元件覆蓋該堆疊圖案，且該堆疊圖案對應該第二基板上之該接觸結構設置。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二基板更包括：一彩色濾光陣列；一平坦層，覆蓋該彩色濾光陣列，其中該共用電極層位於該平坦層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該主動元件為一薄膜電晶體，其具有一閘極、一源極以及一汲極，該源極與該汲極的材質包括金屬或是金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該畫素電極具有一分支狀圖案。
- 一種顯示面板，包括：一第一基板，該第一基板包括： 一掃描線與一資料線；一主動元件，其與該掃描線與該資料線電性連接；一第二基板，位於該第一基板的對向，其中該第二基板包括：一畫素電極；一接觸結構，其與該畫素電極電性連接並且與位於該第一基板上之主動元件電性連接；一共用電極，其與該畫素電極交錯設置；以及一顯示介質，位於該第一基板與該第二基板之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中該接觸結構包是由一絕緣間隙物與覆蓋該絕緣間隙物之該畫素電極所構成。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中該接觸結構是由一絕緣間隙物以及覆蓋在該絕緣間隙物之一導電材料層所構成，且該導電材料層與該畫素電極電性連接。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中該接觸結構是一導電間隙物。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中該第一基板上更包括：一保護層，覆蓋該主動元件；以及一導電層，位於該主動元件上方之該保護層上。
- 如申請專利範圍第16項所述之顯示面板，其中該導電層與該主動元件電性連接，且該接觸結構與該導電層 電性接觸。
- 如申請專利範圍第16項所述之顯示面板，其中該導電層的材質包括金屬或是金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中該第一基板上更包括一或多個堆疊圖案，該主動元件覆蓋該堆疊圖案，且該堆疊圖案對應該第二基板上之該接觸結構設置。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中該第二基板更包括：一彩色濾光陣列；一平坦層，覆蓋該彩色濾光陣列，其中該畫素電極以及該共用電極位於該平坦層上。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中該主動元件為一薄膜電晶體，其具有一閘極、一源極以及一汲極，該源極與該汲極的材質包括金屬或是金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示面板，其中該畫素電極及該共用電極分別具有一分支狀圖案。
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- 2010-08-18 US US12/858,443 patent/US8143622B2/en active Active
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