CN102411242B - 像素结构及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种像素结构及其驱动方法，此像素结构包括扫描线、数据线、驱动元件、第一像素电极、绝缘层、第二像素电极以及分享开关元件。驱动元件与扫描线以及数据线电性连接。第一像素电极与驱动元件电性连接。绝缘层覆盖第一像素电极。第二像素电极位于绝缘层上，其中第二像素电极与驱动元件电性连接，且第二像素电极与第一像素电极不直接连接或不接触。

Description

像素结构及其驱动方法
技术领域
本发明涉及一种像素结构及其驱动方法，且特别是有关于一种能够降低显示器的色偏(color washout)现象的像素结构及其驱动方法。
背景技术
现今，市场上对于液晶显示器的性能要求是朝向高对比、快速反应与广视角等特性发展，而目前能够达成广视角要求的技术例如包括有多域垂直配向(MVA)、多域水平配向(MHA)、扭转向列加视角扩大膜(TN+film)及横向电场形式(IPS)。虽然通过上述所列的技术的液晶显示器可以达到广视角的目的，但是其所存在的色偏(color washout)现象仍存在许多改善空间。
一般而言，所谓的色偏指的是当使用者以不同的观赏角度在观看液晶显示器所显示的影像画面时，使用者会看见不同色彩阶调的影像画面。举例来说，假若使用者站在以较为偏斜的角度(例如60度)在观看液晶显示器所显示的影像画面时，其所看见的影像画面的色彩阶调会偏白于站在正视的角度(亦即90度)所看见的影像画面的色彩阶调。
目前用来解决液晶显示器的色偏问题的方法是将单一个像素结构中的像素电极分割成至少一主像素电极以及至少一次像素电极，并且分别对上述的主像素电极以及次像素电极给予不同的电压值。但是，此种方法的缺点是会降低像素结构的开口率。这是因为，此方法必须于像素电极中形成至少一个间隔空隙(spacing)，以分割出主像素电极以及次像素电极。然而上述间隔空隙所在之处因无法驱动液晶分子的扭转而导致此处无法透光。换言之，此种像素结构因为间隔空隙的存在而损失开口率。
发明内容
本发明提供一种像素结构及其驱动方法，其可以解决公知将单一个像素电极分割成主像素电极以及次像素电极时所存在的损失像素结构开口率的问题。
本发明提出一种像素结构，此像素结构包括扫描线、数据线、驱动元件、第一像素电极、绝缘层、第二像素电极以及分享开关元件。驱动元件(drivingdevice)与扫描线以及数据线电性连接。第一像素电极与驱动元件电性连接。绝缘层覆盖第一像素电极。第二像素电极位于绝缘层上，其中第二像素电极与驱动元件电性连接，且第二像素电极与第一像素电极不直接连接或不接触。
本发明提出一种像素结构，此像素结构包括扫描线、数据线、驱动元件、第一像素电极、绝缘层、第二像素电极以及分享开关元件。驱动元件(drivingdevice)与第一扫描线以及数据线电性连接。第一像素电极与驱动元件电性连接，且第一像素电极具有第一面积(A1)。绝缘层覆盖第一像素电极。第二像素电极位于绝缘层上且与驱动元件电性连接，其中第二像素电极具有第二面积(A2)，且第一像素电极与第二像素电极的重叠部分具有一重叠面积(A0)，其中A0/(A1+A2-A0)约为0％至15％。
本发明提出一种像素结构，此像素结构包括第一扫描线、第二扫描线、与第二扫描线电性连接的分享开关元件(sharing switch device)、数据线、驱动元件、第一像素电极、绝缘层、第二像素电极以及分享开关元件。其中分享开关元件电性连接第一像素电极或是第二像素电极，驱动元件(driving device)与第一扫描线以及数据线电性连接。第一像素电极与驱动元件电性连接。绝缘层覆盖第一像素电极。第二像素电极位于绝缘层上，其中第二像素电极与驱动元件电性连接，且第二像素电极与第一像素电极不直接连接或不接触。
本发明提出一种像素结构的驱动方法，其包括提供如上所述的像素结构。接着，在第一时间区间中对第一扫描线输入第一扫描信号并且对数据线输入数据信号。之后，在第二时间区间中对第二扫描线输入第二扫描信号并且对数据线输入数据信号。特别是，在第二时间区间中，第一像素电极具有第一电压值且第二像素电极具有第二电压值，其中第一电压值与第二电压值不相同。
基于上述，本发明将第一像素电极以及第二像素电极设置在不同的两膜层，且两者之间通过绝缘层而隔离开来。因此，本发明不需在像素结构中形成间隔空隙来分割出主像素电极以及次像素电极，因此可以解决传统方法所存在的影响像素结构的开口率的问题。另外，本发明通过分享开关元件的设计，即可以使得此像素结构在驱动过程之中使得第一像素电极以及第二像素电极具有不同的电压，进而达到降低显示面板的色偏问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图；
图2是沿着图1的剖面线I-I’、剖面线II-II’、剖面线III-III’的剖面示意图；
图3是图1的像素结构的等效电路图；
图4是根据本发明一实施例之的像素结构的俯视示意图；
图5是沿着图4的剖面线I-I’、剖面线II-II’、剖面线III-III’的剖面示意图；
图6至图15是根据本发明数个实施例的像素结构的俯视示意图；
图16是根据本发明一实施例的像素结构的驱动方法示意图；
图17至图19是根据本发明数个实施例的像素结构的俯视示意图；
图20是根据本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。
其中，附图标记
具体实施方式
图1是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图2是沿着图1的剖面线I-I’、剖面线II-II’、剖面线III-III’的剖面示意图。图3是图1的像素结构的等效电路图。请参照图1、图2以及图3，本实施例的像素结构是配置在基板100上，其包括第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、数据线DL、驱动元件T、第一像素电极PE1、绝缘层104、第二像素电极PE2以及分享开关元件T3。
基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2以及数据线DL是设置在基板100上。第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2与数据线DL彼此交越(cross-over)设置，且第一扫描线SL1(以及第二扫描线SL2)和数据线DL之间夹有绝缘层(例如是绝缘层102)。换言之，数据线DL的延伸方向与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2的延伸方向不平行，较佳的是，数据线DL的延伸方向与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2的延伸方向垂直。基于导电性的考虑，第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2与数据线DL一般是使用金属材料。但，本发明不限于此，根据其他实施例，第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2与数据线DL也可以使用其他导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
驱动元件T与第一扫描线SL1以及数据线DL电性连接。根据本实施例，所述驱动元件T包括第一主动元件T1以及第二主动元件T2。第一主动元件T1与第一扫描线SL1以及数据线DL电性连接，且第二主动元件T2也与第一扫描线SL1以及数据线DL电性连接。更详细而言，第一主动元件T1包括栅极G、通道CH、源极S1以及漏极D1。栅极G与第一扫描线SL1电性连接，绝缘层102仅覆盖栅极G以及共用电压线CL，通道CH位于栅极G的上方，源极S1以及漏极D1位于通道CH的上方，且源极S1与数据线DL电性连接。第二主动元件T2包括栅极G、通道CH、源极S2以及漏极D2。栅极G与第一扫描线SL1电性连接，绝缘层102覆盖栅极G以及第一扫描线SL1，通道CH位于栅极G的上方，源极S2以及漏极D2位于通道CH的上方，且源极S2也与数据线DL电性连接。在本实施例中，第一主动元件T1以及第二主动元件T2共用同一个栅极G并且共用同一个通道CH。此外，本实施例的第一主动元件T1以及第二主动元件T2是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。根据其他实施例，上述的第一主动元件T1以及第二主动元件T2也可是以顶部栅极型薄膜晶体管。
第一像素电极PE1与驱动元件T电性连接。根据本实施例，第一像素电极PE1是与驱动元件T的第一主动元件T1电性连接。更详细的说明是，第一像素电极PE1是与第一主动元件T1的漏极D1直接接触，如图2所示。换言之，第一像素电极PE1是设置在绝缘层102上，且直接与第一主动元件T1的漏极D1电性接触。在此实施例中，第一像素电极PE1可为穿透式像素电极或是反射式像素电极。穿透式像素电极的材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。反射式像素电极的材质包括具有高反射率的金属材料。
绝缘层104是设置在基板100上且覆盖第一像素电极PE1。绝缘层104的材质可包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。特别是，绝缘层104中具有接触窗C1，此接触窗C1与驱动元件T的第二主动元件T2电性连接。更详细的说明是，此接触窗C1与第二主动元件T2的漏极D2电性连接。
值得一提的是，虽然本实施例的接触窗C1是设置在像素结构的中央位置，但本发明不限于此。根据其他实施例，接触窗C1也可以设置在像素结构的其他位置，只要能够使接触窗C1可以与第二主动元件T2的漏极D2电性连接的位置皆可。
第二像素电极PE2位于绝缘层104上，如图2所示，且第二像素电极PE2通过接触窗C1而与驱动元件T电性连接。更详细的说明是，第二像素电极PE2是位于绝缘层104上，通过位于绝缘层104中的接触窗C1而与第二主动元件T2之漏极D2电性连接。在此实施例中，第二像素电极PE2可为穿透式像素电极或是反射式像素电极。穿透式像素电极的材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。反射式像素电极的材质包括具有高反射率的金属材料。
承上所述，在本实施例中，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2两者被绝缘层104分离开来，以使得第一像素电极PE1与第二像素电极PE2之间彼此不直接接触，即第一像素电极PE1与第二像素电极PE2可为间接电性连接。此外，根据本实施例，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2两者彼此不重叠设置或是少部分重叠设置。举例来说，若第一像素电极PE1具有第一面积(A1)，第二像素电极PE2具有第二面积(A2)，那么第一像素电极PE1与第二像素电极PE2的重叠部分具有重叠面积(A0)，且A0/(A1+A2-A0)约为0％至15％。换言之，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间大部分都是不重叠设置，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间只有少部份重叠。在另一实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间不重叠设置，且第一像素电极PE1的边缘以及第二像素电极PE2的边缘彼此切齐。在另一实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间不重叠设置，且第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间具有间隙。
分享开关元件T3与第二扫描线SL2电性连接。分享开关元件T3包括栅极G3、通道CH’、源极S3以及漏极D3。栅极G3与第二扫描线SL2电性连接，绝缘层102覆盖栅极G3以及第二扫描线SL2，通道CH’位于栅极G3的上方，且源极S3以及漏极D3位于通道CH’的上方。在本实施例中，分享开关元件T3是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。根据其他实施例，分享开关元件T3也可是以顶部栅极型薄膜晶体管。
此外，在本实施例中，分享开关元件T3是与第一像素电极PE1电性连接。更详细来说，分享开关元件T3的源极S3是与直接与第一像素电极PE1电性接触，如图2所示。
承上所述，在本实施例的像素结构中，与驱动元件T电性连接的第二像素电极PE2一般又可称为主像素电极(main pixel electrode)。而与驱动元件T电性连接又与分享开关元件T3电性连接的第一像素电极PE1一般又称之为次像素电极(sub pixel electrode)。而根据图1的实施例，第一像素电极PE1(次像素电极)是位于第二像素电极PE2(主像素电极)的两侧。换言之，第二像素电极PE2(主像素电极)是位于第一像素电极PE1(次像素电极)的内部或中间，但本发明不限于此，第一像素电极PE1举例可在第二像素电极PE2的外部。
除此之外，本实施例的像素结构更包括共用电压线CL，其设置于第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的下方。以图1的实施例为例，共用电压线CL在像素结构中是呈现十字形图案，但本发明不限于此。共用电压线CL是电性连接至共用电压(Vcom)。而共用电压线CL与第一像素电极PE1重叠之处构成第一储存电容器CS1，且共用电压线CL与第二像素电极PE2重叠之处构成第二储存电容器CS2。
再者，本实施例的像素结构还包括电容器CS，其与分享开关元件T3电性连接。更详细来说，电容器CS包括上电极TE以及下电极BE。上电极TE与分享开关元件T3的漏极D3电性连接(例如是直接电性接触)，而下电极BE则是电性连接至共用电压(Vcom)。根据本实施例，下电极BE是通过共用电压线CL而电性连接至共用电压(Vcom)。
另外，在本实施例中，像素结构的第一像素电极PE1中更进一步包括第一狭缝ST1，且第二像素电极PE2中更包括第二狭缝ST2，以使此像素结构能够达到多域配向的目的，以使得显示器具有广视角的功能。而第一狭缝ST1以及第二狭缝ST2的图案设计或是排列方式可以是已知各种布局以及设计，换言之，本发明不限制第一狭缝ST1以及第二狭缝ST2的图案设计或是排列方式。
以本实施例为例，在第一扫描线SL1、第二扫描线SK2以及数据线DL之间可定义出一个像素区域P，那么在所述像素区域P中可定义出多个配向区域R1～R4。而上述第一狭缝ST1与第二狭缝ST2在同一个配向区域(R1～R4之任一个)中是彼此平行设置。举例来说，在配向区域R1中，第一像素电极PE1的第一狭缝ST1与第二像素电极PE2的第二狭缝ST2是彼此平行设置，且第一狭缝ST1与第二狭缝ST2是往第一方向延伸。在配向区域R2中，第一像素电极PE1的第一狭缝ST1与第二像素电极PE2的第二狭缝ST2是彼此平行设置，且第一狭缝ST1与第二狭缝ST2是往第二方向延伸。在配向区域R3中，第一像素电极PE1的第一狭缝ST1与第二像素电极PE2的第二狭缝ST2是彼此平行设置，且第一狭缝ST1与第二狭缝ST2是往第三方向延伸。在配向区域R4中，第一像素电极PE1的第一狭缝ST1与第二像素电极PE2的第二狭缝ST2是彼此平行设置，且第一狭缝ST1与第二狭缝ST2是往第四方向延伸。而上述第一、第二、第三、第四方向完全不相同。
如上所述，本实施例将第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2设置在不同的两膜层，且两者之间通过绝缘层104而隔离开来。因此，本实施例不需在像素结构中形成间隔空隙(spacing)将第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2分离开来，因此可以解决传统像素结构因间隔空隙的存在而影响像素结构的开口率的问题。
图4是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图5是沿着图4的剖面线I-I’、剖面线II-II’、剖面线III-III’的剖面示意图。本实施例的像素结构与上述图1的像素结构相似，因此相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。请参照图4以及图5，在本实施例的像素结构中，第一像素电极PE1与驱动元件T的第二主动元件T2电性连接，且第二像素电极PE2与驱动元件T的第一主动元件T1电性连接。
更详细的说明是，第一像素电极PE1与驱动元件T的第二主动元件T2的漏极D2直接电性接触。绝缘层104覆盖第一像素电极PE1。第二像素电极PE2是设置在绝缘层104上，且绝缘层104中具有接触窗C2。而第二像素电极PE2是透过绝缘层104中的接触窗C2而与驱动元件T的第一主动元件T1的漏极D1电性连接。
此外，分享开关元件T3是与第二像素电极PE2电性连接。特别是，分享开关元件T3的源极S3是通过位于绝缘层104中的接触窗C3(如图5所示)而与第二像素电极PE2电性连接。因此，在本实施例中，与驱动元件T电性连接的第一像素电极PE1一般又可称为主像素电极(main pixel electrode)。而与驱动元件T电性连接又与分享开关元件T3电性连接的第二像素电极PE2一般又称之为次像素电极(sub pixel electrode)。而根据图4的实施例，第二像素电极PE2(次像素电极)是位于第一像素电极PE1(主像素电极)的两侧。换言之，第一像素电极PE1(主像素电极)是位于第二像素电极PE2(次像素电极)的内部或中间。
图6是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。本实施例的像素结构与上述图1的像素结构相似，因此相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。请参照图6，在本实施例的像素结构中，第一像素电极PE1与驱动元件T的第一主动元件T1电性连接，且第二像素电极PE2与驱动元件T的第二主动元件T2电性连接。
更详细的说明是，第一像素电极PE1与驱动元件T的第一主动元件T1的漏极D1直接电性接触。绝缘层104覆盖第一像素电极PE1。第二像素电极PE2是设置在绝缘层104上，且绝缘层104中具有接触窗C1。而第二像素电极PE2是透过绝缘层104中的接触窗C1而与驱动元件T的第二主动元件T2的漏极D2电性连接。
此外，分享开关元件T3是与第一像素电极PE1电性连接。特别是，分享开关元件T3的源极S3是直接与第一像素电极PE1电性连接。因此，在本实施例中，与驱动元件T电性连接的第二像素电极PE2一般又可称为主像素电极(main pixel electrode)。而与驱动元件T电性连接又与分享开关元件T3电性连接的第一像素电极PE1一般又称之为次像素电极(sub pixel electrode)。而根据图6的实施例，第二像素电极PE2(主像素电极)是位于第一像素电极PE1(次像素电极)的两侧。换言之，第一像素电极PE1(次像素电极)是位于第二像素电极PE2(主像素电极)的内部或中间。
图7是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。本实施例的像素结构与上述图1的像素结构相似，因此相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。请参照图7，在本实施例的像素结构中，第一像素电极PE1与驱动元件T的第一主动元件T1电性连接，且第二像素电极PE2与驱动元件T的第二主动元件T2电性连接。
更详细的说明是，第一像素电极PE1与驱动元件T的第一主动元件T1的漏极D1直接电性接触。绝缘层104覆盖第一像素电极PE1。第二像素电极PE2是设置在绝缘层104上，且绝缘层104中具有接触窗C1。而第二像素电极PE2是通过绝缘层104中的接触窗C1而与驱动元件T的第二主动元件T2的漏极D2电性连接。
此外，分享开关元件T3是与第一像素电极PE1电性连接。特别是，分享开关元件T3的源极S3是直接与第一像素电极PE1电性连接。因此，在本实施例中，与驱动元件T电性连接的第二像素电极PE2一般又可称为主像素电极(main pixel electrode)。而与驱动元件T电性连接又与分享开关元件T3电性连接的第一像素电极PE1一般又称之为次像素电极(sub pixel electrode)。而根据图7的实施例，第二像素电极PE2(主像素电极)是位于第一像素电极PE1(次像素电极)的两侧(举例为上下两侧)。换言之，第一像素电极PE1(次像素电极)是位于第二像素电极PE2(主像素电极)的内部或中间。
图8是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图8的实施例的像素结构与上述图1的像素结构相似，因此在此与图1相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图8的实施例与图1的实施例不相同之处在于，位于像素结构的内部的第二像素电极PE2(主像素电极)的形状与图1的第二像素电极PE2的形状不同。在图1的实施例中，第二像素电极PE2(主像素电极)的形状为双边凹陷形。而在图8的实施例中，第二像素电极PE2(主像素电极)的形状为六角形。
图9是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图9的实施例的像素结构与上述图4的像素结构相似，因此在此与图4相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图9的实施例与图4的实施例不相同之处在于，位于像素结构的内部的第一像素电极PE1(主像素电极)的形状与图4的第一像素电极PE1的形状不同。在图4的实施例中，第一像素电极PE1(主像素电极)的形状为双边凹陷形。而在图9的实施例中，第一像素电极PE1(主像素电极)的形状为六角形。
图10是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图10的实施例的像素结构与上述图6的像素结构相似，因此在此与图6相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图10的实施例与图6的实施例不相同之处在于，位于像素结构的内部的第一像素电极PE1(次像素电极)的形状与图6的第一像素电极PE1(次像素电极)的形状不同。在图6的实施例中，第一像素电极PE1(次像素电极)的形状为双边凹陷形。而在图10的实施例中，第一像素电极PE1(次像素电极)的形状为六角形。
图11是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图11的实施例的像素结构与上述图7的像素结构相似，因此在此与图7相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图11的实施例与图7的实施例不相同之处在于，位于像素结构的内部的第一像素电极PE1(次像素电极)的形状与图7的第一像素电极PE1(次像素电极)的形状不同。在图7的实施例中，第一像素电极PE1(次像素电极)的形状为双边凹陷形。而在图11的实施例中，第一像素电极PE1(次像素电极)的形状为六角形。
图12是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图12的实施例的像素结构与上述图1的像素结构相似，因此在此与图1相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图12的实施例与图1的实施例不相同之处在于，位于像素结构的内部的第二像素电极PE2(主像素电极)的形状与图1的第二像素电极的形状不同。在图1的实施例中，第二像素电极PE2(主像素电极)的形状为双边凹陷形。而在图12的实施例中，第二像素电极PE2(主像素电极)的形状为四边形。
图13是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图13的实施例的像素结构与上述图4的像素结构相似，因此在此与图4相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图13的实施例与图4的实施例不相同之处在于，位于像素结构的内部的第一像素电极PE1(主像素电极)的形状与图4的第一像素电极的形状不同。在图4的实施例中，第一像素电极PE1(主像素电极)的形状为双边凹陷形。而在图13的实施例中，第一像素电极PE1(主像素电极)的形状为四边形。
图14是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图14的实施例的像素结构与上述图6的像素结构相似，因此在此与图6相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图14的实施例与图6的实施例不相同之处在于，位于像素结构的内部的第一像素电极PE1(次像素电极)的形状与图6的第一像素电极PE1(次像素电极)的形状不同。在图6的实施例中，第一像素电极PE1(次像素电极)的形状为双边凹陷形。而在图14的实施例中，第一像素电极PE1(次像素电极)的形状为四边形。
图15是根据本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图15的实施例的像素结构与上述图7的像素结构相似，因此在此与图7相同或相似的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图15的实施例与图7的实施例不相同之处在于，位于像素结构的内部的第一像素电极PE1(次像素电极)的形状与图7的第一像素电极PE1(次像素电极)的形状不同。在图7的实施例中，第一像素电极PE1(次像素电极)的形状为双边凹陷形。而在图15的实施例中，第一像素电极PE1(次像素电极)的形状为四边形。
上述数个实施例列举了数个第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的形状组合来说明。但本发明不限制第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的形状。换言之，在其他的实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的形状还可以是其他形状，例如是圆形、多边形或是不规则形的组合。
以上所列举的各实施例的像素结构可以与显示介质、对向基板组合成显示面板，如图20所示，此显示面板包括其包括下基板1000、上基板3000以及位于两基板1000、3000之间的显示介质2000。而上述图1至图15任一个像素结构可以设置于下基板1000，上基板3000具有共用电极层，且显示介质2000可为液晶显示介质、电泳显示介质或是其他适用的显示介质。
此外，以上所列举的各实施例的像素结构的驱动方法皆可以采用下列所述的方法来进行。图16是根据本发明一实施例的像素结构的驱动方法示意图。请参照图16，本实施例的驱动方法可针对上述图1至图15任一个像素结构进行驱动。
此方法包括在第一时间区间t1中对第一扫描线SL1输入第一扫描信号SN1，并且对数据线DL输入数据信号DS。此时，由于第一扫描线SL1被输入第一扫描信号SN1且数据线DL被输入数据信号DS，因此主像素电极(第一像素电极PE1与第二像素电极PE2其中之一)以及次像素电极(第一像素电极PE1与第二像素电极PE2的另一个)会同时被充入电荷，因而使得主像素电极具有电压值V main，且次像素电极具有电压值Vsub。在此第一时间区间t1中，主像素电极之电压值V main与次像素电极的电压值Vsub相当。
接着，在第二时间区间t2中对第二扫描线SL2输入第二扫描信号SN2并且对数据线DL输入数据信号DS。类似地，由于第一扫描线SL1被输入第一扫描信号SN1且数据线DL被输入数据信号DS，因此主像素电极(第一像素电极PE1与第二像素电极PE2其中之一)以及次像素电极(第一像素电极PE1与第二像素电极PE2的另一个)同样会被充入电荷。特别是，在第二时间区间t2中，与第二扫描线SL2电性连接的分享开关元件T3会被开启，因此与分享开关元件T3电性连接的电容器CS被充入电荷而使电容器CS具有电压值Vcs。
此时，由于电容器CS的作用将使得与分享开关元件T3电性连接的次像素电极的电压Vsub产生压降，因而造成次像素电极的电压值Vsub与主像素电极之电压值Vmain不相同。根据本实施例，在第二时间区间t2中，由于分享开关元件T3以及电容器CS的作用，可使得次像素电极的电压值Vsub低于主像素电极的电压值Vmain。
在上述像素结构的驱动过程，于第二时间区间t2中，主像素电极(第一像素电极PE1与第二像素电极PE2其中之一)的电压值Vmain就会与次像素电极(第一像素电极PE1与第二像素电极PE2的另一个)的电压值Vsub不相同。换言之，本实施例的像素结构在驱动过程之中便可使单一像素结构中的像素电极具有不同的电压值，因而可以使得单一像素结构中各配向区域所对应的显示介质2000(如图20所示)被不同的电压值驱动，而呈现多域排列以达到改善显示器的色偏(color washout)现象的目的。
上述图1至图15所示的像素结构是通过第二扫描线SL2以及分享开关元件T3的设计，而使得第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2在驱动过程具有不同的电压值，以改善显示器的色偏现象。然，本发明不限于此，在其他的实施例中，还可以采用其他种设计方式来达到使得位于第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2上的显示介质感受到不同的电压，进而达到以改善显示器的色偏现象的目的。
图17是根据本发明实施例的像素结构的俯视示意图。请参照图17，此实施例与上述图1的实施例相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。在图17的实施例中，此像素结构包括第一扫描线SL1、数据线DL、驱动元件T、第一像素电极PE1、绝缘层104、以及第二像素电极PE2。换言之，本实施例的像素结构可省略设置第二扫描线以及分享开关元件。
在本实施例中，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2皆与驱动元件T电性连接，且第一像素电极PE1与第二像素电极PE2之间通过绝缘层104隔离开来。在此实施例中，第一像素电极PE1是与驱动元件T(第一主动元件T1的漏极D1)直接接触，且第二像素电极PE2是透过接触窗C1而与驱动元件T(第二主动元件T2的漏极D2)电性连接。
另外，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2两者彼此不重叠设置或是少部分重叠设置。举例来说，若第一像素电极PE1具有第一面积(A1)，第二像素电极PE2具有第二面积(A2)，那么第一像素电极PE1与第二像素电极PE2的重叠部分具有重叠面积(A0)，且A0/(A1+A2-A0)约为0％至15％。换言之，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间大部分都是不重叠设置，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间只有少部份重叠。在另一实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间不重叠设置，且第一像素电极PE1的边缘以及第二像素电极PE2的边缘彼此切齐。在另一实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间不重叠设置，且第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间具有间隙。
承上所述，由于第一像素电极PE1与第二像素电极PE2之间具有绝缘层104，因此当驱动信号通过驱动元件T而对第一像素电极PE1与第二像素电极PE2充入电荷信号时，即使第一像素电极PE1与第二像素电极PE2被给予相同的电压，但位于第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2上方的显示介质将会感受到不同的电压值。举例来说，本实施例的第一像素电极PE1位于绝缘层104下方，且第二像素电极PE2位于绝缘层104上方。当第一像素电极PE1与第二像素电极PE被施予相同的电压时，位于第一像素电极PE1上方的显示介质所感受到的电压值会小于位于第二像素电极PE2上方的显示介质所感受到的电压值。由于位于第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2上方的显示介质将会感受到不同的电压值，而能够使得显示介质(液晶分子)呈现多域排列，因此此种像素结构的设计同样可以达到改善显示器的色偏问题。
另外，图4以及图6～图15的像素结构的第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的图案设计也可以应用于如图17所示的像素结构之中。换言之，在图4以及图6～图15的像素结构中，也可以省略第二扫描线SL2以及分享开关元件T3的设计，其同样可以达到使位于第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2上方的显示介质感受到不同的电压值，以达到改善显示器的色偏的目的。
图18是根据本发明实施例的像素结构的俯视示意图。请参照图18，此实施例与上述图17的实施例相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图18的实施例与图17的实施例不相同之处在于，图18的像素结构中的驱动元件T是由单一薄膜晶体管构成，其具有栅极G、源极S以及漏极D。第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2都是与驱动元件T的漏极D电性连接。特别是，第一像素电极PE1是直接与驱动元件T的漏极D接触，且第二像素电极PE2是通过位于绝缘层104中的接触窗C而与驱动元件T的漏极D电性连接。
同样地，在本实施例中，因第一像素电极PE1与第二像素电极PE2之间具有绝缘层104，因此当驱动信号通过驱动元件T而对第一像素电极PE1与第二像素电极PE2充入电荷信号时，位于第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2上方的显示介质将会感受到不同的电压值。举例来说，在本实施例中，第一像素电极PE1位于绝缘层104下方，而第二像素电极PE2位于绝缘层104上方，因此位于第一像素电极PE1上方的显示介质所感受到的电压值会小于位于第二像素电极PE2上方的显示介质所感受到的电压值。由于位于第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2上方的显示介质将会感受到不同的电压值，因此像素结构的设计同样可以达到改善显示器的色偏问题。
另外，图4以及图6～图15的像素结构的第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的图案设计也可以应用于如图18所示的像素结构之中。换言之，在图4以及图6～图15的像素结构中，也可以省略第二扫描线SL2以及分享开关元件T3的设计，并且采用单一薄膜晶体管结构的驱动元件T。
图19是根据本发明实施例的像素结构的俯视示意图。请参照图19，此实施例与上述图18的实施例相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。图19的实施例与图18的实施例不相同之处在于，图19的像素结构包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一扫描线SL1、驱动元件T(第一主动元件T1、第二主动元件T2)、第一像素电极PE1、绝缘层104以及第二像素电极PE2。
第一主动元件T1与第一数据线DL1以及第一扫描线SL1电性连接，且第一像素电极PE1与第一主动元件T1电性连接。第二主动元件T2与第二数据线DL2以及第一扫描线SL1电性连接，且第二像素电极PE2与第二主动元件T2电性连接。换言之，第一像素电极PE1的信号是由第一主动元件T1所控制，且第二像素电极PE是由第二主动元件T2所控制。因此第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2是经由第一数据线DL1以及第二数据线DL2而分别充入不同的电荷量，以使得同一个像素结构内的第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2具有不同的电压值。
类似地，在本实施例中，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2两者彼此不重叠设置或是少部分重叠设置。举例来说，若第一像素电极PE1具有第一面积(A1)，第二像素电极PE2具有第二面积(A2)，那么第一像素电极PE1与第二像素电极PE2的重叠部分具有重叠面积(A0)，且A0/(A1+A2-A0)约为0％至15％。换言之，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间大部分都是不重叠设置，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间只有少部份重叠。在另一实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间不重叠设置，且第一像素电极PE1的边缘以及第二像素电极PE2的边缘彼此切齐。在另一实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间不重叠设置，且第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2之间具有间隙。
另外，图4以及图6～图15的像素结构的第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2的图案设计也可以应用于如图19所示的像素结构之中。
承上所述，本实施例是通过第一数据线DL 1以及第二数据线DL2而各自给予第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2不同的电压，以使得同一个像素结构内的第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2具有不同的电压值。因此，此种设计同样可以达到解决显示器的色偏问题。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (15)

1.一种像素结构，其特征在于，包括： 
一第一扫描线以及一第一数据线； 
一驱动元件，其与该第一扫描线以及该第一数据线电性连接； 
一第一像素电极，该第一像素电极与该驱动元件电性连接； 
一绝缘层，覆盖该第一像素电极；以及 
一第二像素电极，位于该绝缘层上，其中该第二像素电极与该驱动元件电性连接，且该第二像素电极与该第一像素电极不直接连接或不接触； 
其中第一像素电极具有一第一面积A1,第二像素电极具有一第二面积A2，第一像素电极与第二像素电极的重叠部分具有一重叠面积A0，其中A0/(A1+A2-A0)为0%至15%。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括： 
一第二扫描线；以及 
一分享开关元件，其与该第二扫描线电性连接，其中该分享开关元件电性连接该第一像素电极或是该第二像素电极。 
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，其中该分享开关元件直接电性接触该第一像素电极或是该第二像素电极。 
4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，其中该分享开关元件通过一接触窗电性连接该第一像素电极或是该第二像素电极。 
5.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，还包括一电容器，其与该分享开关元件电性连接。 
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该第一像素电极与该第二像素电极被该绝缘层分离开来，以使该第一像素电极与该第二像素电极之间彼此不直接接触。 
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该第一像素电极与该第二像素电极彼此不重叠设置。 
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该驱动元件包括一第一主动元件以及一第二主动元件，该第一像素电极与该第一主动元件以及该第二主动元件其中之一直接接触，且该第二像素电极通过一接触窗以与该第一 主动元件以及该第二主动元件的另一个电性连接。 
9.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一第二数据线，且该驱动元件包括一第一主动元件以及一第二主动元件，该第一主动元件与该第一扫描线、该第一数据线以及该第一像素电极电性连接，该第二主动元件与该第一扫描线、该第二数据线以及该第二像素电极电性连接。 
10.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该第一像素电极位于该第二像素电极的两侧，或是该第二像素电极位于该第一像素电极的两侧。 
11.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该第一像素电极具有多个第一狭缝，且该第二像素电极具有多个第二狭缝。 
12.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该像素结构进一步包含一第二扫描线，其中该第一扫描线、该第二扫描线以及该数据线之间具有一像素区域，该像素区域中具有多个配向区域，且该些第一狭缝与该些第二狭缝在同一个配向区域中是彼此平行设置。 
13.一种像素结构，其特征在于，包括： 
一扫描线以及一数据线； 
一驱动元件，其与该扫描线以及该数据线电性连接； 
一第一像素电极具有一第一面积A1，该第一像素电极与该驱动元件电性连接； 
一绝缘层，覆盖该第一像素电极；以及 
一第二像素电极具有一第二面积A2，位于该绝缘层上，其中该第二像素电极与该驱动元件电性连接，且该第一像素电极与该第二像素电极的重叠部分具有一重叠面积A0，其中A0/(A1+A2-A0)为0%至15%。 
14.一种像素结构的驱动方法，其特征在于，包括： 
提供一根据权利要求2所述的像素结构； 
在一第一时间区间中对该第一扫描线输入一第一扫描信号并且对该数据线输入一数据信号；以及 
在一第二时间区间中对该第二扫描线输入一第二扫描信号并且对该数据线输入该数据信号，在该第二时间区间中，该第一像素电极具有一第一电压值且该第二像素电极具有一第二电压值，其中该第一电压值与该第二电压值不相 同。 
15.根据权利要求14所述的像素结构的驱动方法，其特征在于，其中该第二电压值小于该第一电压值。 
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