CN105280150B - 像素驱动电路、阵列基板及液晶面板 - Google Patents
像素驱动电路、阵列基板及液晶面板 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种像素驱动电路、阵列基板及液晶面板。所述像素驱动电路设置第n行像素单元(5)内的第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应于上一行像素单元(5)的第n‑1条栅极扫描线(G(n‑1))、源极电性连接次区像素电极(52)、漏极电性连接第一电荷共享电容(C1)的一端，第一电荷共享电容(C1)的另一端接入公共电压，第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接对应于下一行像素单元(5)的第n+1条栅极扫描线(G(n+1))、源极电性连接主区像素电极(51)、漏极电性连接第二电荷共享电容(C2)的一端，第二电荷共享电容(C2)的另一端接入公共电压，实现了在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够进行色偏补偿，提升液晶面板的显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路、阵列基板及液晶面板。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是液晶显示器的核心组成部分。液晶面板通常是由一彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFTArray Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成。一般阵列基板、彩色滤光片基板上分别设置像素电极、公共电极。当电压被施加到像素电极与公共电极便会在液晶层中产生电场，该电场决定了液晶分子的取向，从而调整入射到液晶层的光的偏振，使液晶面板显示图像。
目前业界发展出一种称为高分子安定化垂直配向(Polymer StabilizedVertical Alignment，PSVA)的技术，相应出现了PSVA型液晶面板。PSVA技术是在液晶材料中掺入适当浓度的单体化合物(Monomer)并且震荡均匀；接着，将混合后的液晶材料置于加热器上加温至等向性(Isotropy)状态，当温度降至室温时，液晶混合物会回到向列型(Nematic)状态；然后，将液晶混合物注入至阵列基板与彩色滤光片基板之间并施加电压；当施加电压使液晶分子排列稳定时，则使用紫外光或加热的方式让单体化合物发生聚合反应形成聚合物层，由此达到对液晶分子进行稳定配向的目的。
如图1所示，为了增大视角，现有技术通常将像素电极设计为“米”字型结构。像素电极包含条状的竖直主干100和条状的水平主干200，且竖直主干100和水平主干200中心垂直相交，所谓中心垂直相交是指竖直主干100和水平主干200相互垂直，且二者将整个像素电极面积平均分成4个区域(domain)。每个像素电极区域都由与竖直主干100或水平主干200呈±45°、±135°角度的条状分支(Slit)300平铺组成，各条状分支300与竖直主干100和水平主干200位于同一平面上，形成图1所示的上下和左右均镜像对称的“米”字型的像素电极结构。
这种“米”字型的像素电极结构，因每一像素电极区域内的条状分支300与竖直主干100和水平主干200的夹角相同，会存在一定的视觉色差或视觉色偏，液晶面板的穿透率也会下降。
为了改善视觉色差或视觉色偏，现有技术会将一个像素单元分成主区和次区，在主区内设置一个独立的主区像素电极、在次区内设置一个独立的次区像素电极，主区像素电极与次区像素电极均采用上述如图1所示的“米”字型结构设计。如图2所示，现有的设置于阵列基板上的像素驱动电路包括呈阵列式排布的多个像素单元500、自下而上对应第n行像素单元设置的沿水平方向延伸的第n条栅极扫描线G(n)、及自左至右对应第m列像素单元设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线D(m)，n与m均为正整数。每一像素单元均包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、主区像素电极501、次区像素电极502、及一电荷共享电容C1。对于第n行第m列像素单元500，所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接第n条栅极扫描线G(n)、源极电性连接第m条数据线D(m)、漏极电性连接主区像素电极501，所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接第n条栅极扫描线G(n)、源极电性连接第m条数据线D(m)、漏极电性连接次区像素电极502，所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接对应于下一行像素单元500的第n+1条栅极扫描线G(n+1)、源极电性连接次区像素电极502、漏极电性连接电荷共享电容C1的一端，电荷共享电容C1的另一端接入公共电压。
图2所示的像素驱动电路仅适用于单向扫描，即栅极扫描信号自下而上逐行提供，当扫描到第n行像素单元500时，第n条栅极扫描线G(n)传递高电位信号，第n行像素单元500的所有第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2打开、第三薄膜晶体管T3关闭，第n行第m列像素单元500内的主区像素电极501与次区像素电极502被充电至相同的电压；紧接着，扫描到第n+1行像素单元500时，第n+1条栅极扫描线G(n+1)传递高电位信号，第n行像素单元500的所有第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2关闭、第三薄膜晶体管T3打开，第n行第m列像素单元500内的电荷共享电容C1拉低次区像素电极502的电压，使得主区像素电极501与次区像素电极502的电压不同，进而消除液晶面板因视角不同而产生的色偏现象。
而当逆向扫描，即栅极扫描信号自上而下逐行提供时，第n行第m列像素单元500内的主区像素电极501与次区像素电极502充电后电压保持相同，不能实现色偏补偿。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素驱动电路，在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够实现色偏补偿的功能。
本发明的目的还在于提供一种阵列基板，在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够实现色偏补偿的功能，从而提升液晶面板的显示品质。
本发明的目的又在于提供一种液晶面板，在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够实现色偏补偿的功能，具有良好的显示品质。
为实现上述目的，本发明首先提供一种像素驱动电路，包括呈阵列式排布的多个像素单元、自上而下对应第n行像素单元设置的沿水平方向延伸的第n条栅极扫描线、及自左至右对应第m列像素单元设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线，n与m均为正整数；
每一像素单元均包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、主区像素电极、次区像素电极、第一电荷共享电容、及第二电荷共享电容；对于第n行第m列像素单元，所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第n条栅极扫描线、源极电性连接第m条数据线、漏极电性连接主区像素电极，所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接第n条栅极扫描线、源极电性连接第m条数据线、漏极电性连接次区像素电极，所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接对应于上一行像素单元的第n-1条栅极扫描线、源极电性连接次区像素电极、漏极电性连接第一电荷共享电容的一端，第一电荷共享电容的另一端接入公共电压；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接对应于下一行像素单元的第n+1条栅极扫描线、源极电性连接主区像素电极、漏极电性连接第二电荷共享电容的一端，第二电荷共享电容的另一端接入公共电压。
当正向扫描到第n-1行像素单元时，仅第n-1条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第四薄膜晶体管均关闭，第三薄膜晶体管打开；当正向扫描到第n行像素单元时，仅第n条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管均打开，第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管均关闭，第n行第m列像素单元内的主区像素电极与次区像素电极被充电至相同的电压；当正向扫描到第n+1行像素单元时，仅第n+1条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第三薄膜晶体管均关闭，第四薄膜晶体管打开，第n行第m列像素单元内的第二电荷共享电容拉低主区像素电极的电压，使得主区像素电极的电压小于次区像素电极的电压。
当反向扫描到第n+1行像素单元时，仅第n+1条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第三薄膜晶体管均关闭，第四薄膜晶体管打开；当反向扫描到第n行像素单元时，仅第n条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管均打开，第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管均关闭，第n行第m列像素单元内的主区像素电极与次区像素电极被充电至相同的电压；当反向扫描到第n-1行像素单元时，仅第n-1条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第四薄膜晶体管均关闭，第三薄膜晶体管打开，第n行第m列像素单元内的第一电荷共享电容拉低次区像素电极的电压，使得次区像素电极的电压小于主区像素电极的电压。
所述主区像素电极与次区像素电极均为“米”字型结构，材料均为ITO。
本发明还提供一种阵列基板，具有像素驱动电路，所述像素驱动电路包括呈阵列式排布的多个像素单元、自上而下对应第n行像素单元设置的沿水平方向延伸的第n条栅极扫描线、及自左至右对应第m列像素单元设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线，n与m均为正整数；
每一像素单元均包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、主区像素电极、次区像素电极、第一电荷共享电容、及第二电荷共享电容；对于第n行第m列像素单元，所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第n条栅极扫描线、源极电性连接第m条数据线、漏极电性连接主区像素电极，所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接第n条栅极扫描线、源极电性连接第m条数据线、漏极电性连接次区像素电极，所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接对应于上一行像素单元的第n-1条栅极扫描线、源极电性连接次区像素电极、漏极电性连接第一电荷共享电容的一端，第一电荷共享电容的另一端接入公共电压；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接对应于下一行像素单元的第n+1条栅极扫描线、源极电性连接主区像素电极、漏极电性连接第二电荷共享电容的一端，第二电荷共享电容的另一端接入公共电压。
当正向扫描到第n-1行像素单元时，仅第n-1条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第四薄膜晶体管均关闭，第三薄膜晶体管打开；当正向扫描到第n行像素单元时，仅第n条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管均打开，第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管均关闭，第n行第m列像素单元内的主区像素电极与次区像素电极被充电至相同的电压；当正向扫描到第n+1行像素单元时，仅第n+1条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第三薄膜晶体管均关闭，第四薄膜晶体管打开，第n行第m列像素单元内的第二电荷共享电容拉低主区像素电极的电压，使得主区像素电极的电压小于次区像素电极的电压。
当反向扫描到第n+1行像素单元时，仅第n+1条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第三薄膜晶体管均关闭，第四薄膜晶体管打开；当反向扫描到第n行像素单元时，仅第n条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管均打开，第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管均关闭，第n行第m列像素单元内的主区像素电极与次区像素电极被充电至相同的电压；当反向扫描到第n-1行像素单元时，仅第n-1条栅极扫描线传递高电位信号，第n行像素单元的所有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第四薄膜晶体管均关闭，第三薄膜晶体管打开，第n行第m列像素单元内的第一电荷共享电容拉低次区像素电极的电压，使得次区像素电极的电压小于主区像素电极的电压。
所述主区像素电极与次区像素电极均为“米”字型结构，材料均为ITO。
本发明又提供一种液晶面板，包括相对设置的阵列基板、彩色滤光片基板、及配置于阵列基板与彩色滤光片基板之间的PSVA液晶层；所述PSVA液晶层包括聚合物层及分散于所述聚合物层内的液晶；所述阵列基板为上述本发明提供的阵列基板。
本发明的有益效果：本发明提供的一种像素驱动电路、阵列基板及液晶面板，设置第n行像素单元内的第三薄膜晶体管的栅极电性连接对应于上一行像素单元的第n-1条栅极扫描线、源极电性连接次区像素电极、漏极电性连接第一电荷共享电容的一端，第一电荷共享电容的另一端接入公共电压，第四薄膜晶体管的栅极电性连接对应于下一行像素单元的第n+1条栅极扫描线、源极电性连接主区像素电极、漏极电性连接第二电荷共享电容的一端，第二电荷共享电容的另一端接入公共电压；正向扫描时，第n行第m列像素单元内的主区像素电极与次区像素电极被充电至相同的电压后，第四薄膜晶体管打开，第n行第m列像素单元内的第二电荷共享电容拉低主区像素电极的电压，使得主区像素电极的电压小于次区像素电极的电压；反向扫描时，第n行第m列像素单元内的主区像素电极与次区像素电极被充电至相同的电压后，第三薄膜晶体管打开，第n行第m列像素单元内的第一电荷共享电容拉低次区像素电极的电压，使得次区像素电极的电压小于主区像素电极的电压；实现了在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够进行色偏补偿，提升液晶面板的显示品质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的“米”字型像素电极的结构示意图；
图2为现有的像素驱动电路的电路图；
图3为本发明的像素驱动电路的电路图；
图4为本发明的液晶面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3，本发明首先提供一种像素驱动电路，包括呈阵列式排布的多个像素单元5、自上而下对应第n行像素单元5设置的沿水平方向延伸的第n条栅极扫描线G(n)、及自左至右对应第m列像素单元5设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线D(m)，n与m均为正整数。
每一像素单元5均包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、主区像素电极51、次区像素电极52、第一电荷共享电容C1、及第二电荷共享电容C2。对于第n行第m列像素单元5，所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接第n条栅极扫描线G(n)、源极电性连接第m条数据线D(m)、漏极电性连接主区像素电极51，所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接第n条栅极扫描线G(n)、源极电性连接第m条数据线D(m)、漏极电性连接次区像素电极52，所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接对应于上一行像素单元5的第n-1条栅极扫描线G(n-1)、源极电性连接次区像素电极52、漏极电性连接第一电荷共享电容C1的一端，第一电荷共享电容C1的另一端接入公共电压，所述第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接对应于下一行像素单元5的第n+1条栅极扫描线G(n+1)、源极电性连接主区像素电极51、漏极电性连接第二电荷共享电容C2的一端，第二电荷共享电容C2的另一端接入公共电压。
本发明的像素驱动电路在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够实现色偏补偿的功能。
具体地，当栅极扫描信号自上而下逐行提供时，进行正向扫描驱动。当正向扫描到第n-1行像素单元5时，仅第n-1条栅极扫描线G(n-1)传递高电位信号，第n行像素单元5的所有第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、与第四薄膜晶体管T4均关闭，第三薄膜晶体管T3打开；当正向扫描到第n行像素单元5时，仅第n条栅极扫描线G(n)传递高电位信号，第n行像素单元5的所有第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2均打开，第三薄膜晶体管T3与第四薄膜晶体管T4均关闭，第n行第m列像素单元5内的主区像素电极51与次区像素电极52被充电至相同的电压；当正向扫描到第n+1行像素单元5时，仅第n+1条栅极扫描线G(n+1)传递高电位信号，第n行像素单元5的所有第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、与第三薄膜晶体管T3均关闭，第四薄膜晶体管T4打开，第n行第m列像素单元5内的第二电荷共享电容C2拉低主区像素电极51的电压，使得主区像素电极51的电压小于次区像素电极52的电压，补偿因面板视角不同而产生的色偏。
当栅极扫描信号自下而上逐行提供时，进行反向扫描驱动。当反向扫描到第n+1行像素单元5时，仅第n+1条栅极扫描线G(n+1)传递高电位信号，第n行像素单元5的所有第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、与第三薄膜晶体管T3均关闭，第四薄膜晶体管T4打开；当反向扫描到第n行像素单元5时，仅第n条栅极扫描线G(n)传递高电位信号，第n行像素单元5的所有第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2均打开，第三薄膜晶体管T3与第四薄膜晶体管T4均关闭，第n行第m列像素单元5内的主区像素电极51与次区像素电极52被充电至相同的电压；当反向扫描到第n-1行像素单元5时，仅第n-1条栅极扫描线G(n-1)传递高电位信号，第n行像素单元5的所有第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、与第四薄膜晶体管T4均关闭，第三薄膜晶体管T3打开，第n行第m列像素单元5内的第一电荷共享电容C1拉低次区像素电极52的电压，使得次区像素电极52的电压小于主区像素电极51的电压，补偿因面板视角不同而产生的色偏。
进一步地，所述主区像素电极51与次区像素电极52均为“米”字型结构。请参阅图1，“米”字型结构的主区像素电极51与次区像素电极52均包含条状的竖直主干100和条状的水平主干200，且竖直主干100和水平主干200中心垂直相交，所谓中心垂直相交是指竖直主干100和水平主干200相互垂直，且二者将整个像素电极面积平均分成4个区域。每个像素电极区域都由与竖直主干100或水平主干200呈±45°、±135°角度的条状分支300平铺组成，各条状分支300与竖直主干100和水平主干200位于同一平面上，形成图1所示的上下和左右均镜像对称的“米”字型的像素电极结构。
所述主区像素电极51与次区像素电极52材料均为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜。
本发明还提供一种阵列基板，其具有上述如图2所示的像素驱动电路，从而在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够实现色偏补偿的功能，提升液晶面板的显示品质，此处不再对像素驱动电路进行重复性描述。
请参阅图4，本发明又提供一种液晶面板，包括相对设置的阵列基板1、彩色滤光片基板2、及配置于阵列基板1与彩色滤光片基板2之间的PSVA液晶层3。所述PSVA液晶层3包括聚合物层31及分散于所述聚合物层31内的液晶32，由所述聚合物层31对液晶32进行稳定配向，而不需要在阵列基板1与彩色滤光片基板2的相对内侧表面上设置传统的配向膜。所述阵列基板1具有上述如图2所示的像素驱动电路，从而在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够实现色偏补偿的功能，使得液晶面板具有良好的显示品质，此处不再对像素驱动电路进行重复性描述。
综上所述，本发明的像素驱动电路、阵列基板及液晶面板，设置第n行像素单元内的第三薄膜晶体管的栅极电性连接对应于上一行像素单元的第n-1条栅极扫描线、源极电性连接次区像素电极、漏极电性连接第一电荷共享电容的一端，第一电荷共享电容的另一端接入公共电压，第四薄膜晶体管的栅极电性连接对应于下一行像素单元的第n+1条栅极扫描线、源极电性连接主区像素电极、漏极电性连接第二电荷共享电容的一端，第二电荷共享电容的另一端接入公共电压；正向扫描时，第n行第m列像素单元内的主区像素电极与次区像素电极被充电至相同的电压后，第四薄膜晶体管打开，第n行第m列像素单元内的第二电荷共享电容拉低主区像素电极的电压，使得主区像素电极的电压小于次区像素电极的电压；反向扫描时，第n行第m列像素单元内的主区像素电极与次区像素电极被充电至相同的电压后，第三薄膜晶体管打开，第n行第m列像素单元内的第一电荷共享电容拉低次区像素电极的电压，使得次区像素电极的电压小于主区像素电极的电压；实现了在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均能够进行色偏补偿，提升液晶面板的显示品质。。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括呈阵列式排布的多个像素单元(5)、自上而下对应第n行像素单元(5)设置的沿水平方向延伸的第n条栅极扫描线(G(n))及自左至右对应第m列像素单元(5)设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线(D(m))，n与m均为正整数；
每一像素单元(5)均包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、主区像素电极(51)、次区像素电极(52)、第一电荷共享电容(C1)及第二电荷共享电容(C2)；对于第n行第m列像素单元(5)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第n条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))和漏极电性连接主区像素电极(51)，所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第n条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))和漏极电性连接次区像素电极(52)，所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应于上一行像素单元(5)的第n-1条栅极扫描线(G(n-1))、源极电性连接次区像素电极(52)和漏极电性连接第一电荷共享电容(C1)的一端，第一电荷共享电容(C1)的另一端接入公共电压，所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接对应于下一行像素单元(5)的第n+1条栅极扫描线(G(n+1))、源极电性连接主区像素电极(51)和漏极电性连接第二电荷共享电容(C2)的一端，第二电荷共享电容(C2)的另一端接入公共电压。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，当正向扫描到第n-1行像素单元(5)时，仅第n-1条栅极扫描线(G(n-1))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭，第三薄膜晶体管(T3)打开；当正向扫描到第n行像素单元(5)时，仅第n条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开，第三薄膜晶体管(T3)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭，第n行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压；当正向扫描到第n+1行像素单元(5)时，仅第n+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)与第三薄膜晶体管(T3)均关闭，第四薄膜晶体管(T4)打开，第n行第m列像素单元(5)内的第二电荷共享电容(C2)拉低主区像素电极(51)的电压，使得主区像素电极(51)的电压小于次区像素电极(52)的电压。
3.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，当反向扫描到第n+1行像素单元(5)时，仅第n+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)与第三薄膜晶体管(T3)均关闭，第四薄膜晶体管(T4)打开；当反向扫描到第n行像素单元(5)时，仅第n条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开，第三薄膜晶体管(T3)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭，第n行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压；当反向扫描到第n-1行像素单元(5)时，仅第n-1条栅极扫描线(G(n-1))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭，第三薄膜晶体管(T3)打开，第n行第m列像素单元(5)内的第一电荷共享电容(C1)拉低次区像素电极(52)的电压，使得次区像素电极(52)的电压小于主区像素电极(51)的电压。
4.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述主区像素电极(51)与次区像素电极(52)均为“米”字型结构，材料均为ITO。
5.一种阵列基板，其特征在于，具有像素驱动电路，所述像素驱动电路包括呈阵列式排布的多个像素单元(5)、自上而下对应第n行像素单元(5)设置的沿水平方向延伸的第n条栅极扫描线(G(n))及自左至右对应第m列像素单元(5)设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线(D(m))，n与m均为正整数；
每一像素单元(5)均包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、主区像素电极(51)、次区像素电极(52)、第一电荷共享电容(C1)及第二电荷共享电容(C2)；对于第n行第m列像素单元(5)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第n条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))和漏极电性连接主区像素电极(51)，所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第n条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))和漏极电性连接次区像素电极(52)，所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应于上一行像素单元(5)的第n-1条栅极扫描线(G(n-1))、源极电性连接次区像素电极(52)和漏极电性连接第一电荷共享电容(C1)的一端，第一电荷共享电容(C1)的另一端接入公共电压；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接对应于下一行像素单元(5)的第n+1条栅极扫描线(G(n+1))、源极电性连接主区像素电极(51)和漏极电性连接第二电荷共享电容(C2)的一端，第二电荷共享电容(C2)的另一端接入公共电压。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，当正向扫描到第n-1行像素单元(5)时，仅第n-1条栅极扫描线(G(n-1))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭，第三薄膜晶体管(T3)打开；当正向扫描到第n行像素单元(5)时，仅第n条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开，第三薄膜晶体管(T3)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭，第n行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压；当正向扫描到第n+1行像素单元(5)时，仅第n+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)与第三薄膜晶体管(T3)均关闭，第四薄膜晶体管(T4)打开，第n行第m列像素单元(5)内的第二电荷共享电容(C2)拉低主区像素电极(51)的电压，使得主区像素电极(51)的电压小于次区像素电极(52)的电压。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，当反向扫描到第n+1行像素单元(5)时，仅第n+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)与第三薄膜晶体管(T3)均关闭，第四薄膜晶体管(T4)打开；当反向扫描到第n行像素单元(5)时，仅第n条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开，第三薄膜晶体管(T3)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭，第n行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压；当反向扫描到第n-1行像素单元(5)时，仅第n-1条栅极扫描线(G(n-1))传递高电位信号，第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭，第三薄膜晶体管(T3)打开，第n行第m列像素单元(5)内的第一电荷共享电容(C1)拉低次区像素电极(52)的电压，使得次区像素电极(52)的电压小于主区像素电极(51)的电压。
8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述主区像素电极(51)与次区像素电极(52)均为“米”字型结构，材料均为ITO。
9.一种液晶面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板(1)、彩色滤光片基板(2)及配置于阵列基板(1)与彩色滤光片基板(2)之间的PSVA液晶层(3)；所述PSVA液晶层(3)包括聚合物层(31)及分散于所述聚合物层(31)内的液晶(32)；所述阵列基板(1)为权利要求5至8任一项所述的阵列基板。
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