KR102231630B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 배치되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 배치되어 있으며, 제1 부분 및 상기 제1 부분보다 더 두꺼운 제2 부분을 포함하는 보호막, 상기 보호막 위에 배치되어 있으며, 서로 이격되어 있으며, 하나의 화소 영역에 위치하는 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 그리고 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 제1 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제2 부분 위에 배치되어 있고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제1 부분 위에 배치되어 있다.

Description

액정 표시 장치 {LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 배치되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다.
전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치는 또한 각 화소 전극에 연결되어 있는 스위칭 소자 및 스위칭 소자를 제어하여 화소 전극에 전압을 인가하기 위한 게이트선과 데이터선 등 다수의 신호선을 포함한다.
이러한 액정 표시 장치 중에서도, 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(vertically aligned mode)의 액정 표시 장치가 대비비가 크고 기준 시야각이 넓어서 각광받고 있다. 여기에서 기준 시야각이란 대비비가 1:10인 시야각 또는 계조간 휘도 반전 한계 각도를 의미한다.
이러한 방식의 액정 표시 장치의 경우에는 측면 시인성을 정면 시인성에 가깝게 하기 위하여, 하나의 화소를 두 개의 부화소로 분할하고 두 부화소의 전압을 달리 인가함으로써 투과율을 다르게 하는 방법이 제시되었다.
또한, 액정 분자가 선경사를 가지게 하기 위하여 두 개의 부화소에 각각 다른 전압을 인가한다. 하지만, 이 경우, 각각 부화소에 다른 전압을 인가하기 위해서는 공정 상 많은 어려움이 따른다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 측면 시인성을 정면 시인성에 가깝게 하면서도, 투과율 저하를 방지할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 액정 분자의 선경사를 가지지 위한 공정을 용이하게 하는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 배치되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 배치되어 있으며, 제1 부분 및 상기 제1 부분보다 더 두꺼운 제2 부분을 포함하는 보호막, 상기 보호막 위에 배치되어 있으며, 서로 이격되어 있으며, 하나의 화소 영역에 위치하는 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 그리고 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 제1 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제2 부분 위에 배치되어 있고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제1 부분 위에 배치되어 있다.
상기 보호막의 상기 제2 부분은 상기 보호막의 상기 제1 부분보다 5000Å 내지 10000Å 더 두꺼울 수 있다.
상기 보호막의 상기 제2 부분의 전체적인 형태는 육각형 등의 다각형 형태이고, 상기 보호막의 상기 제1 부분은 상기 보호막의 상기 제2 부분을 둘러싸고 있을 수 있다.
상기 제1 부화소 전극은 복수의 제1 가지 전극들을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 복수의 제2 가지 전극들을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 부화소 전극을 둘러싸도록 상기 화소 영역의 외각에 위치할 수 있다.
상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극 사이의 이격 간격은 3㎛ 내지 4㎛일 수 있다.
상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극 사이의 이격 간격은 3.0㎛이고, 상기 제1 전압에 대한 상기 제2 전압의 비는 0.9이하일 수 있다.
상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극 사이의 이격 간격은 4.0㎛이고, 상기 제1 전압에 대한 상기 제2 전압의 비는 0.8이하일 수 있다.
상기 제1 부화소 전극의 전체적인 형태는 육각형 등의 다각형 형태이고, 상기 제2 부화소 전극의 전체적인 형태는 네 개의 평행 사변형이 모여 있는 형태일 수 있다.
상기 제1 부화소 전극은 가로 줄기부 및 세로 줄기부를 포함하는 십자형 줄기부를 더 포함하고, 그리고 상기 복수의 제1 가지 전극들은 상기 십자형 줄기부로부터 서로 다른 네 개의 방향으로 뻗어 나올 수 있다.
상기 제2 부화소 전극은 상기 화소 영역의 외각에 위치하는 외각 줄기부를 더 포함하고, 그리고 상기 복수의 제2 가지 전극들은 상기 외각 줄기부로부터 서로 다른 네 개의 방향으로 뻗어 나올 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 제2 기판 위에 배치되어 있는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 위에 제1 부분 및 상기 제1 부분보다 더 두꺼운 제2 부분을 포함하는 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막 위에 서로 이격되어 있으며, 하나의 화소 영역에 위치하는 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극을 포함하는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 기판 및 제2 기판을 합착한 후, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정 물질을 주입하는 단계, 상기 제1 부화소 전극 및 상기 제2 부화소 전극에 각각 동일한 전압을 인가하는 단계, 그리고 상기 액정 물질에 광을 조사하는 단계를 포함하고, 상기 제1 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제2 부분 위에 형성되고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제1 부분 위에 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 상기 제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 부화소 전극 및 상기 제2 부화소 전극에 전압을 인가하는 단계는 상기 공통 전극에 공통 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 측면 시인성을 정면 시인성에 가깝게 하면서도, 투과율 저하를 방지할 수 있다.
또한, 액정 분자의 선경사를 가지게 하기 위하여 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극에 동일한 전압을 인가하기 때문에 공정이 용이하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 액정 표시 장치를 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 액정 표시 장치를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서, 자외선 등의 광에 의해 중합되는 전중합체를 이용해 액정 분자들이 선경사를 갖도록 하는 과정을 도시한 도면이다.
도 8은 종래의 액정 표시 장치에 따른 투과율 변화를 나타낸 현미경 사진이다.
도 9는 본 발명의 실험예에 따른 액정 표시 장치의 투과율 변화를 나타낸 전자 현미경 사진이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
그러면, 도 1 내지 도 3을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 액정 표시 장치를 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 3은 도 1의 액정 표시 장치를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 제1 표시판(100)과 제2 표시판(200), 그리고 제1 및 제2 표시판(100, 200) 사이에 개재되어 있는 액정층(3)을 포함한다.
우선, 제1 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제1 기판(110) 위에 게이트선(121), 기준 전압선(131), 그리고 유지 전극(135)이 배치되어 있다. 게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 게이트 신호를 전달한다.
게이트선(121)은 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 제3 게이트 전극(124c) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(미도시)을 포함한다.
기준 전압선(131)은 게이트선(121)과 평행하게 뻗을 수 있으며, 확장부(136)를 가지며, 확장부(136)는 뒤에서 설명하는 제3 드레인 전극(175c)과 연결되어 있다.
기준 전압선(131)은 화소 영역을 둘러싸는 유지 전극(135)을 포함한다.
게이트선(121), 기준 전압선(131), 그리고 유지 전극(135) 위에는 게이트 절연막(140)이 배치되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 비정질 또는 결정질 규소 등으로 만들어질 수 있는 제1 반도체(154a), 제2 반도체(154b), 및 제3 반도체(154c)가 배치되어 있다.
제1 반도체(154a), 제2 반도체(154b), 및 제3 반도체(154c) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 163b, 163c, 165a, 165b, 165b)가 배치되어 있다. 반도체(154a, 154b, 154c)가 산화물 반도체인 경우, 저항성 접촉 부재는 생략될 수 있다.
저항성 접촉 부재(163a, 163b, 163c, 165a, 165b, 165b)와 게이트 절연막(140) 위에는 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함하는 데이터선(171), 제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체(171, 173a, 173b 173c, 175a, 175b, 175c)가 배치되어 있다.
제2 드레인 전극(175b)은 제3 소스 전극(173c)과 연결되어 있다.
제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a), 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체(154a)와 함께 제1 박막 트랜지스터(Qa)를 형성하며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 반도체 부분(154a)에 형성된다. 이와 유사하게, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b), 및 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체(154b)와 함께 제2 박막 트랜지스터(Qb)를 형성하며, 박막 트랜지스터의 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 반도체 부분(154b)에 형성되고, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c), 및 제3 드레인 전극(175c)은 제3 반도체(154c)와 함께 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 형성하며, 박막 트랜지스터의 채널은 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이의 반도체 부분(154c)에 형성된다.
데이터 도전체(171, 173a, 173b 173c, 175a, 175b, 175c) 및 노출된 반도체(154a, 154b, 154c) 부분 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어질 수 있는 보호막(passivation layer)(180)이 배치되어 있다.
보호막(180)은 제1 부분(181)과 제2 부분(182)을 포함한다. 제2 부분(182)의 두께는 제1 부분(181)의 두께보다 더 두껍다. 제2 부분(182)과 제1 부분(181)의 두께 차이(d1)는 5000Å 내지 10000Å 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
보호막(180) 위에는 서로 이격되어 있는 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함하는 화소 전극(191)이 배치되어 있다. 여기서, 제1 부화소 전극(191a)은 보호막(180)의 제2 부분(182) 위에 배치되어 있고, 제2 부화소 전극(191b)은 보호막(180)의 제1 부분(181) 위에 배치되어 있다. 보호막(180)의 제2 부분(182)은 제1 부화소 전극(191a)의 아래에만 위치한다.
또한, 보호막(180) 위에는 화소 전극(191)과 이격되어 있는 연결 부재(97)가 배치되어 있다.
도 1을 참고하면, 제1 부화소 전극(191a)의 전체적인 형태는 육각형 등의 다각형 형태이며, 제1 부화소 전극(191a)은 제2 부화소 전극(191b)으로 둘러싸여 있다. 제2 부화소 전극(191b)의 전체적인 형태는 네 개의 평행 사변형이 모여 있는 형태이며, 화소 영역의 가장자리에 위치한다.
보호막(180)의 제2 부분(182)의 전체적인 형태는 육각형 등의 다각형 형태이며, 보호막(180)의 제2 부분(182)은 보호막(180)의 제1 부분(181)으로 둘러싸여 있다.
제1 부화소 전극(191a)은 가로 줄기부(192)와 세로 줄기부(193)를 포함하는 십자형 줄기부(192, 193), 그리고 십자형 줄기부(192, 193)로부터 뻗어 나와 있는 복수의 제1 가지 전극들(194)을 포함한다. 제1 가지 전극들(194)은 서로 다른 네 개의 방향으로 뻗어 있다. 보다 구체적으로, 제1 가지 전극들(194)은 십자형 줄기부(192, 193)로부터 왼쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어있는 복수의 제1 미세 가지부, 오른쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어있는 복수의 제2 미세 가지부, 왼쪽 아래 방향으로 뻗어있는 복수의 제3 미세 가지부, 그리고 오른쪽 아래 방향으로 비스듬하게 뻗어있는 복수의 제4 미세 가지부를 포함한다.
제2 부화소 전극(191b)은 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 배치되어 있는 외각 줄기부(195)와 외각 줄기부(195)로부터 뻗어 나와 있는 복수의 제2 가지 전극들(196)을 포함한다. 제2 가지 전극들(196)은 서로 다른 네 개의 방향으로 뻗어 있다. 보다 구체적으로, 제2 가지 전극들(196)은 십자형 줄기부(192, 193)로부터 왼쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어있는 복수의 제5 미세 가지부, 오른쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어있는 복수의 제6 미세 가지부, 왼쪽 아래 방향으로 뻗어있는 복수의 제7 미세 가지부, 그리고 오른쪽 아래 방향으로 비스듬하게 뻗어있는 복수의 제8 미세 가지부를 포함한다.
제1 가지 전극들(194)은 각각 제2 가지 전극들(196)들과 대응하고 있으며, 서로 이격되어 있다. 서로 인접한 제1 부화소 전극(191a)의 끝단과 제2 부화소 전극(191b)의 끝단 사이의 간격, 즉 제1 가지 전극(194)과 제2 가지 전극(196) 사이의 이격 간격(d2)은 3㎛ 내지 4㎛ 일 수 있다. 다시 말하면, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이의 이격 간격(d2)은 3㎛ 내지 4㎛일 수 있다.
보호막(180)에는 제1 드레인 전극(175a)의 일부분을 드러내는 제1 접촉 구멍(185a)과 제2 드레인 전극(175b)의 일부분을 드러내는 제2 접촉 구멍(185b)이 배치되어 있다. 또한, 보호막(180)에는 제3 드레인 전극(175c)의 일부분 및 확장부(136)의 일부분을 노출하는 제3 접촉 구멍(185c)이 배치되어 있다.
연결 부재(97)는 제3 드레인 전극(175c) 및 확장부(136) 위에 배치되어 있으며, 제3 접촉 구멍(185c)을 통하여 제3 드레인 전극(175c) 및 확장부(136)와 각각 연결되어 있다.
제1 부화소 전극(191a)은 제1 접촉 구멍(185a)을 통해 제1 드레인 전극(175a)에 물리적 및 전기적으로 연결되고, 제2 부화소 전극(191b)은 제2 접촉 구멍(185b)을 통해 제2 드레인 전극(175b)과 물리적 및 전기적으로 연결된다.
제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통해 각각 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
이어서, 제2 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제2 기판(210) 위에 차광 부재(220), 색필터(230) 및 공통 전극(270)이 배치되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 영역을 구획하고, 색필터(230)는 차광 부재(220)가 구획한 영역에 배치되어 있다. 공통 전극(270)은 차광 부재(220) 및 색필터(230) 위에 배치되어 있다.
한편, 색필터(230) 및 공통 전극(270) 사이에는 덮개막이 배치되어 있을 수 있다. 이 경우, 덮개막은 색필터(230)가 들뜨는 것을 방지하고 색필터로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동 시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지하는 역할을 할 수 있다.
또한, 이에 한정되지 않고, 차광 부재(220) 및 색필터(230)는 제1 표시판(100)에 위치할 수도 있다.
제1 및 제2 표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(도시하지 않음)이 배치되어 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다.
제1 및 제2 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(도시하지 않음)가 구비되어 있는데, 두 편광자의 투과축은 직교하며 이중 한 투과축은 게이트선(121)에 대하여 나란한 것이 바람직하다. 그러나, 편광자는 제1 및 제2 표시판(100, 200) 중 어느 하나의 바깥쪽 면에만 배치될 수도 있다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 제1 및 제2 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 전기장이 없는 상태에서 입사광은 직교 편광자를 통과하지 못하고 차단된다.
액정층(3)과 배향막 중 적어도 하나는 광 반응성 물질, 보다 구체적으로 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함할 수 있다.
그러면, 도 1과 함께 도 4를 참고하여, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구동 방법에 대하여 간략하게 설명한다. 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
게이트선(121)에 게이트 온 신호가 인가되면, 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 그리고 제3 게이트 전극(124c)에 게이트 온 신호가 인가되어, 제1 스위칭 소자(Qa), 제2 스위칭 소자(Qb), 그리고 제3 스위칭 소자(Qc)가 턴 온 된다. 이에 따라, 데이터선(171)에 인가된 데이터 전압은 턴 온 된 제1 스위칭 소자(Qa) 및 제2 스위칭 소자(Qb)를 통해 각각 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)에 인가된다.
이 때, 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)에는 동일한 크기의 전압이 인가된다. 하지만, 제2 부화소 전극(191b)에 인가된 전압은 제2 스위칭 소자(Qb)와 직렬 연결되어 있는 제3 스위칭 소자(Qc)를 통해 분압된다. 즉, 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압은 제1 부화소 전극(191a)에 인가되는 전압보다 더 작게 된다.
따라서, 제1 부화소 전극(191a)과 공통 전극(270) 사이에 형성되는 제1 액정 축전기와 제2 부화소 전극(191b)과 공통 전극(270) 사이에 형성되는 제2 액정 축전기의 충전 전압은 서로 다른 감마 곡선을 나타내며 한 화소 전압의 감마 곡선은 이들을 합성한 곡선이 된다. 정면에서의 합성 감마 곡선은 가장 적합하도록 정해진 정면에서의 기준 감마 곡선과 일치하도록 하고 측면에서의 합성 감마 곡선은 정면에서의 기준 감마 곡선과 가장 가깝게 되도록 한다. 이와 같이 영상 데이터를 변환함으로써 측면 시인성이 향상된다.
앞서 설명하였듯이, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이의 이격 간격은 3㎛ 내지 4㎛일 수 있다.
제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이의 이격 간격이 3.0㎛인 경우, 제1 부화소 전극(191a)에 인가된 전압에 대한 제2 부화소 전극(191b)에 인가된 전압의 비(ratio)는 약 0.9 이하인 것이 바람직하다. 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이의 이격 간격이 약 4.0㎛인 경우, 제1 부화소 전극(191a)에 인가된 전압에 대한 제2 부화소 전극(191b)에 인가된 전압의 비는 약 0.8 이하인 것이 바람직하다.
일반적으로 알려져 있는 액정 표시 장치에 따르면, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)은 각기 거의 사각형 형태를 가지고, 하여 화소 영역의 위와 아래에 위치하도록 서로 이격시켜 배치된다. 또한, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 각각 십자형 줄기부와 십자형 줄기부로부터 뻗어 나온 복수의 가지 전극들을 가지도록 형성한다. 이 경우, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이의 영역, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 각각의 십자형 줄기부 영역에서 액정 표시 장치의 투과율이 저하된다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 경우, 제1 부화소 전극(191a)의 전체적인 형태는 육각형 등의 다각형 형태이고, 제1 부화소 전극(191a)은 제2 부화소 전극(191b)으로 둘러싸여 있고, 제2 부화소 전극(191b)의 전체적인 형태는 네 개의 평행 사변형이 모여 있는 형태이며, 화소 영역의 가장자리에 위치한다.
또한, 제1 부화소 전극(191a)은 가로 줄기부(192)와 세로 줄기부(193)를 포함하는 십자형 줄기부(192, 193), 그리고 십자형 줄기부(192, 193)로부터 뻗어 나와 있는 복수의 제1 가지 전극들(194)을 포함하지만, 제2 부화소 전극(191b)은 화소 영역의 외곽을 따라 형성된 외각 줄기부(195)와 외각 줄기부(195)로부터 뻗어 나와 있는 복수의 제2 가지 전극들(196)을 포함한다. 따라서, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이의 이격 간격이 상대적으로 좁아질 수 있고, 제2 부화소 전극(191b)의 줄기부는 화소 영역의 중앙부에 배치되어 있지 않고, 제2 부화소 전극(191b)은 화소 영역의 외각을 따라 배치되어 있는 외각 줄기부(195)를 포함함으로써, 십자형 줄기부 부근에서 발생할 수 있는 투과율 저하를 방지할 수 있다.
또한, 제1 부화소 전극(191a)의 세로 줄기부(193)의 일부는 제2 부화소 전극(191b)의 제2 가지 전극들(196) 사이에 위치한다. 이 때, 제1 부화소 전극(191a)의 세로 줄기부(193)와 제2 부화소 전극(191b)의 제2 가지 전극들(196) 사이의 전압 차이에 의하여, 서로 인접한 제1 부화소 전극(191a)의 세로 줄기부(193)의 일부분과 제2 부화소 전극(191b)의 제2 가지 전극들(196) 사이에 전기장이 생성된다. 이에 따라, 제1 부화소 전극(191a)의 세로 줄기부(193)의 일부분 주변에 위치하는 액정 분자들은 제2 부화소 전극(191b)의 제2 가지 전극들(196)이 뻗어 있는 방향과 거의 나란한 방향으로 기울어지게 된다. 이에 의하여, 제1 부화소 전극(191a)의 세로 줄기부(193)의 일부분 주변에서 발생할 수 있는 투과율 저하를 방지할 수 있다.
이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 하나의 화소 전극(191)을 서로 이격되어 있는 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)으로 구분하여 형성하면서도, 액정 표시 장치의 투과율 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 상대적으로 낮은 전압이 인가되는 제2 부화소 전극(191b)은 상대적으로 높은 전압이 인가되는 제1 부화소 전극(191a)을 둘러싸도록 형성하고, 제2 부화소 전극(191b)이 화소 영역의 외각에 위치함으로써, 데이터선(171)선과 화소 전극(191)의 중첩에 의해 발생할 수 있는 불필요한 기생 축전 용량이 감소한다. 보다 구체적으로, 기생 축전 용량은 서로 중첩하는 두 전극의 전압 크기에 비례하기 때문에, 상대적으로 높은 전압이 인가되는 제1 부화소 전극(191a)과 데이터선(171)이 중첩할 때 발생하는 기생 축전 용량은 상대적으로 낮은 전압이 인가되는 제2 부화소 전극(191b)과 데이터선(171)이 중첩할 때 발생하는 기생 축전 용량 보다 작게 된다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 따르면, 데이터선(171)은 화소 영역의 외각에 위치하는 제2 부화소 전극(191b)과 주로 중첩하기 때문에, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)이 동일한 면적으로 데이터선(171)과 중첩하는 경우에 비하여, 데이터선(171)선과 화소 전극(191)의 중첩에 의해 발생할 수 있는 불필요한 기생 축전 용량이 감소할 수 있다. 이처럼, 불필요한 기생 축전 용량이 감소할 수 있는 바, 제2 부화소 전극(191b)의 크기를 상대적으로 크게 형성할 수 있고, 이에 따라 액정 표시 장치의 투과율이 증가할 수 있다.
한편, 앞서 설명한 바와 같이, 액정층(3)과 배향막 중 적어도 하나는 광 반응성 물질, 보다 구체적으로 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함할 수 있다. 그러면, 도 5 내지 도 7을 참고하여, 광 반응성 물질을 이용하여, 액정 분자(31)가 선경사를 가지도록 초기 배향하는 방법에 대하여 설명한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에서, 자외선 등의 광에 의해 중합되는 전중합체를 이용해 액정 분자들이 선경사를 갖도록 하는 과정을 도시한 도면이다.
도 5를 참고하면, 자외선 등의 광에 의한 중합 반응(polymerization)에 의해 경화되는 단량체(monomer) 등의 전중합체(prepolymer)(330)를 액정 물질과 함께 제1 및 제2 표시판(100, 200) 사이에 주입한다. 전중합체(330)는 자외선 등의 광에 의해 중합 반응을 하는 반응성 메조겐(reactive mesogen)일 수 있다.
이 때, 제1 및 제2 표시판(100, 200)을 합착한 후에 액정 물질을 주입할 수도 있고, 제1 표시판(100) 또는 제2 표시판(200) 위에 액정 물질을 적하한 후에, 제1 및 제2 표시판(100, 200)을 합착할 수도 있다.
도 6을 참고하면, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)에 전압을 인가하고, 공통 전극(270)에 공통 전압을 인가하여 제1 및 제2 표시판(100, 200) 사이의 액정층(3)에 전기장을 생성한다. 이 때, 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)에는 동일한 전압을 인가한다.
제1 부화소 전극(191a)과 공통 전극(270) 사이에서 생성되는 전기장과 제2 부화소 전극(191b)과 공통 전극(270) 사이에서 생성되는 전기장은 세기 및 분포가 서로 다르게 된다.
제1 부화소 전극(191a)는 두꺼운 보호막(180)의 제1 부분(181)보다 두께가 더 두꺼운 보호막(180)의 제2 부분(182) 위에 배치되어 있으므로, 제1 부화소 전극(191a)과 공통 전극(270) 사이에서 생성되는 전기장의 세기가 제2 부화소 전극(191b)과 공통 전극(270) 사이에서 생성되는 전기장은 세기 보다 더 크다. 이에 따라, 제1 부화소 전극(191a)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 액정 분자(31)들이 제2 부화소 전극(191b)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 액정 분자(31)보다 먼저 기울어지게 된다.
제1 부화소 전극(191a)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 액정 분자(31)들은 제1 부화소 전극(191a)의 복수의 제1 가지 전극들(194)과 공통 전극(270)에 의한 프린지 필드에 의해 제1 부화소 전극(191a)의 제1 가지 전극들(194)이 뻗어 있는 방향과 나란한 방향으로, 각기 네 개의 방향으로 기울어진다. 이어서, 제2 부화소 전극(191b)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 액정 분자(31)들은 제1 부화소 전극(191a)과 공통 전극(270) 사이에 위치한 액정 분자(31)들이 기울어진 방향을 따라 나란하게 기울어진다.
도 7을 참고하면, 액정층(3)에 전기장을 생성한 다음 자외선 등의 광을 조사하면 전중합체(330)가 중합 반응을 하여 중합체(370)를 형성한다. 중합체(370)는 제1 및 제2 표시판(100, 200)에 접하여 형성된다. 중합체(370)에 의해 액정 분자(31)들은 앞서 설명한 방향으로 선경사를 가지도록 배향 방향이 정해진다. 따라서, 전기장 생성 전극인 화소 전극 및 공통 전극(191, 270)에 전압을 가하지 않은 상태에서도 액정 분자(31)들은 서로 다른 네 방향으로 선경사를 가지고 배열하게 된다.
그러면, 도 8 및 도 9를 참고하여 본 발명의 실험예의 결과를 설명한다.
도 8은 종래의 액정 표시 장치에 따른 투과율 변화를 나타낸 현미경 사진이고, 도 9는 본 발명의 실험예에 따른 액정 표시 장치의 투과율 변화를 나타낸 전자 현미경 사진이다.
도 8은 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 형성하고, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이의 이격 거리를 3.0㎛로 형성한 액정 표시 장치에서, 액정 분자의 선경사를 갖는 과정에서 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)에 동일한 전압을 인가하였을 때의 투과율을 도시한 도면이다. 이 때, 보호막(180)은 단차가 없는 구조이다.
도 9은 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 형성하고, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b) 사이의 이격 거리를 3.0㎛로 형성한 액정 표시 장치에서, 액정 분자의 선경사를 갖는 과정에서 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)에 동일한 전압을 인가하였을 때의 투과율을 도시한 도면이다. 이 때, 보호막(180)에는 5000Å의 단차가 있는 구조이다. 즉, 보호막(180)은 제1 부분(181) 및 제1 부분(181) 보다 5000Å 더 두꺼운 제2 부분(182)을 포함하고, 제1 부화소 전극(191a)은 보호막(180)의 제2 부분(182) 위에 배치되어 있고, 제2 부화소 전극(191b)은 보호막(180)의 제1 부분(181) 위에 배치되어 있다.
도 8을 참고하면, 화소 영역 내에 텍스쳐가 발생하여 개구율이 저하됨을 알 수 있다.
도 9를 참고하면, 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)에 위치한 액정 분자들이 같은 방향으로 기울어져 화소 영역에 텍스쳐가 발생하지 않아 개구율의 감소가 발생하지 않음을 알 수 있다.
이와 같이, 보호막(180)에 단차를 형성 즉, 제1 부분(181) 및 제1 부분(181)의 두께 보다 더 두꺼운 제2 부분(182)을 포함하고, 제1 부화소 전극(191a)을 제2 부분(182) 위에 배치시키고, 제2 부화소 전극(191b)을 제1 부분(181) 위에 배치시켜, 액정 분자가 선경사를 가지도록 초기 배향 시에 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)에 동일한 전압을 인가함에 따라, 텍스쳐가 발생하지 않아 개구율의 감소가 발생하지 않는 효과가 있다.
또한, 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)에 동일한 전압을 인가하므로, 공정이 용이한 효과가 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
3: 액정층 31: 액정 분자
121: 게이트선 131: 기준 전압선
154a, 154b, 154c: 제1, 제2, 제3 반도체
171: 데이터선 180: 보호막
181: 제1 부분 182: 제2 부분
191a: 제1 부화소 전극 191b: 제2 부화소 전극
194: 제1 가지 전극 196: 제2 가지 전극
270: 공통 전극

Claims (20)

  1. 제1 기판,
    상기 제1 기판 위에 배치되어 있는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터 위에 배치되어 있으며, 제1 부분 및 상기 제1 부분보다 더 두꺼운 제2 부분을 포함하는 보호막,
    상기 보호막 위에 배치되어 있으며, 서로 이격되어 있으며, 하나의 화소 영역에 위치하는 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극,
    상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 그리고
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고,
    상기 제1 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제2 부분 위에 배치되어 있고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제1 부분 위에 배치되어 있고,
    상기 보호막의 상기 제2 부분은 상기 보호막의 상기 제1 부분보다 5000Å 내지 10000Å 더 두꺼운 액정 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 보호막의 상기 제2 부분의 전체적인 형태는 육각형 형태이고,
    상기 보호막의 상기 제1 부분은 상기 보호막의 상기 제2 부분을 둘러싸는 액정 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 제1 부화소 전극은 복수의 제1 가지 전극들을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 복수의 제2 가지 전극들을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 부화소 전극을 둘러싸도록 상기 화소 영역의 외각에 위치하는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극 사이의 이격 간격은 3㎛ 내지 4㎛인 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극 사이의 이격 간격은 3.0㎛이고,
    상기 제1 부화소 전극에 인가되는 제1 전압에 대한 상기 제2 부화소 전극에 인가되는 제2 전압의 비는 0.9이하인 액정 표시 장치.
  7. 제5항에서,
    상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극 사이의 이격 간격은 4.0㎛이고,
    상기 제1 부화소 전극에 인가되는 제1 전압에 대한 상기 제2 부화소 전극에 인가되는 제2 전압의 비는 0.8이하인 액정 표시 장치.
  8. 제5항에서,
    상기 제1 부화소 전극의 전체적인 형태는 육각형 형태이고,
    상기 제2 부화소 전극의 전체적인 형태는 네 개의 평행 사변형이 모여 있는 형태인 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 부화소 전극은 가로 줄기부 및 세로 줄기부를 포함하는 십자형 줄기부를 더 포함하고, 그리고
    상기 복수의 제1 가지 전극들은 상기 십자형 줄기부로부터 서로 다른 네 개의 방향으로 뻗어 나온 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제2 부화소 전극은 상기 화소 영역의 외각에 위치하는 외각 줄기부를 더 포함하고, 그리고
    상기 복수의 제2 가지 전극들은 상기 외각 줄기부로부터 서로 다른 네 개의 방향으로 뻗어 나온 액정 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 제2 기판 위에 배치되어 있는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  12. 제1 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
    상기 박막 트랜지스터 위에 제1 부분 및 상기 제1 부분보다 더 두꺼운 제2 부분을 포함하는 보호막을 형성하는 단계,
    상기 보호막 위에 서로 이격되어 있으며, 하나의 화소 영역에 위치하는 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극을 포함하는 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 기판에 제2 기판을 합착한 후, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정 물질을 주입하는 단계,
    상기 제1 부화소 전극 및 상기 제2 부화소 전극에 각각 동일한 전압을 인가하는 단계, 그리고
    상기 액정 물질에 광을 조사하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제2 부분 위에 형성되고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 보호막의 상기 제1 부분 위에 형성되고,
    상기 보호막의 상기 제2 부분은 상기 보호막의 상기 제1 부분보다 5000Å 내지 10000Å 더 두껍게 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 제12항에서,
    상기 보호막의 상기 제2 부분의 전체적인 형태는 육각형 형태이고,
    상기 보호막의 상기 제1 부분은 상기 보호막의 상기 제2 부분을 둘러싸는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에서,
    상기 제1 부화소 전극은 복수의 제1 가지 전극들을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 복수의 제2 가지 전극들을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 부화소 전극을 둘러싸도록 상기 화소 영역의 외각에 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극 사이의 이격 간격은 3㎛ 내지 4㎛인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 제1 부화소 전극의 전체적인 형태는 육각형 형태이고,
    상기 제2 부화소 전극의 전체적인 형태는 네 개의 평행 사변형이 모여 있는 형태인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 제1 부화소 전극은 가로 줄기부 및 세로 줄기부를 포함하는 십자형 줄기부를 더 포함하고, 그리고
    상기 복수의 제1 가지 전극들은 상기 십자형 줄기부로부터 서로 다른 네 개의 방향으로 뻗어 나온 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 제2 부화소 전극은 상기 화소 영역의 외각에 위치하는 외각 줄기부를 더 포함하고, 그리고
    상기 복수의 제2 가지 전극들은 상기 외각 줄기부로부터 서로 다른 네 개의 방향으로 뻗어 나온 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제12항에서,
    상기 제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 부화소 전극 및 상기 제2 부화소 전극에 전압을 인가하는 단계는 상기 공통 전극에 공통 전압을 인가하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106873261A (zh) * 2016-12-30 2017-06-20 惠科股份有限公司 液晶显示面板的画素结构及其应用的显示设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010169814A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Sharp Corp 液晶表示装置
US20130002625A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Au Optronics Corporation Pixel structure and method of driving the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120124527A (ko) * 2011-05-04 2012-11-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR101948694B1 (ko) 2012-02-09 2019-02-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20140110563A (ko) * 2013-03-08 2014-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102129291B1 (ko) * 2013-10-08 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010169814A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Sharp Corp 液晶表示装置
US20130002625A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Au Optronics Corporation Pixel structure and method of driving the same

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