TWI724795B - 畫素結構 - Google Patents

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林曉彤
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Abstract

一種畫素結構，包括資料線、掃描線、共用訊號線、第一開關元件、第二開關元件、第一畫素電極以及第二畫素電極。第一開關元件電性連接至掃描線以及資料線。第二開關元件電性連接至掃描線以及共用訊號線。第一畫素電極電性連接第一開關元件。第二畫素電極電性連接第二開關元件。第二畫素電極包圍第一畫素電極。

Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種包含第一畫素電極以及第二畫素電極的畫素結構。
在單一配向方向的液晶顯示裝置中，不同視角所對應之光線的相位延遲明顯不同，因此，液晶顯示裝置的使用者容易在不同位置感受到不一樣的畫面亮度。目前，多象限配向（Multi-domain Vertical Alignment）技術被用來改善此問題。在多象限配向技術中，單一畫素被分成多個象限（domain），不同的象限中的液晶可以有不同的轉動方向，藉此，能改善液晶顯示裝置所發出的光線在不同視角下出現相位延遲不同的問題。
然而，隨著技術的進展，液晶顯示裝置的解析度越來越高，且單一畫素的尺寸也隨之縮小，因此，要如何在維持開口率的前提下將畫素區分成多個象限越來越困難。
本發明提供一種畫素結構，可以將畫素結構區分成多個象限，且具有高開口率的優點。
本發明的至少一實施例提供一種畫素結構。畫素結構包括資料線、掃描線、共用訊號線、第一開關元件、第二開關元件、第一畫素電極以及第二畫素電極。第一開關元件電性連接至掃描線以及資料線。第二開關元件電性連接至掃描線以及共用訊號線。第一畫素電極電性連接第一開關元件。第二畫素電極電性連接第二開關元件。第二畫素電極包圍第一畫素電極。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解的是，這些實務上的細節不應用被以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知的結構與元件在圖式中將省略或以簡單示意的方式為之。
在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同或類似的元件。在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者所述元件與所述另一元件中間可以也存在其他元件。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，所述元件與所述另一元件中間不存在其他元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，二元件互相「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。
應當理解，儘管術語「第一」與「第二」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則原本被描述為在元件的「下」側的其他元件將變成被定向在元件的「上」側。因此，取決於附圖的特定取向，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為原本在元件「下」或「下方」的其他元件將變成被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。圖1B是沿著圖1A線aa’的剖面示意圖。圖1C是沿著圖1A線bb’的剖面示意圖。
請參考圖1A、圖1B以及圖1C，畫素結構10包括資料線DL、掃描線SL、共用訊號線CL、第一開關元件T1、第二開關元件T2、第一畫素電極200以及第二畫素電極300。
請參考圖1A與圖1B，第一開關元件T1以及第二開關元件T2位於基板100上。第一開關元件T1電性連接至掃描線SL以及資料線DL。第二開關元件T2電性連接至掃描線SL以及共用訊號線CL。
在本實施例中，第一開關元件T1包括通道層CH1、閘極G1、源極S1、第一汲極D1a與第二汲極D1b。閘極G1位於基板100上，且電性連接至掃描線SL。閘絕緣層110覆蓋閘極G1以及基板100。通道層CH1位於閘絕緣層110上，且重疊於閘極G1。源極S1、第一汲極D1a與第二汲極D1b位於通道層CH1上，且源極S1、第一汲極D1a與第二汲極D1b電性連接通道層CH1。源極S1電性連接至資料線DL。源極S1位於第一汲極D1a與第二汲極D1b之間。
在本實施例中，第二開關元件T2包括通道層CH2、閘極G2、源極S2與汲極D2。閘極G2位於基板100上，且電性連接至掃描線SL。閘絕緣層110覆蓋閘極G2。通道層CH2位於閘絕緣層110上，且重疊於閘極G2。源極S2與汲極D2位於通道層CH2，且源極S2與汲極D2電性連接通道層CH2。源極S2電性連接至共用訊號線CL。
在本實施例中，畫素結構10還包括電容電極線CSL。第二開關元件T2的汲極D2與第一開關元件T1的第二汲極D1b連成一體，且第二開關元件T2的汲極D2、第一開關元件T1的第二汲極D1b以及第一開關元件T1的第一汲極D1a重疊於電容電極線CSL。
在本實施例中，閘極G1、閘極G2、掃描線SL以及電容電極線CSL屬於相同膜層，且閘極G1、閘極G2與掃描線SL連成一體，但本發明不以此為限。在本實施例中，源極S1、第一汲極D1a、第二汲極D1b、源極S2、汲極D2、共用訊號線CL以及資料線DL屬於相同膜層，但本發明不以此為限。在本實施例中，閘極G1、閘極G2、掃描線SL、電容電極線CSL、源極S1、第一汲極D1a、第二汲極D1b、源極S2、汲極D2、共用訊號線CL以及資料線DL的材料例如包括單層或多層的導電材料，舉例來說，金屬材料、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其它合適的材料或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。在一些實施例中，畫素結構10選擇性地包括重疊於資料線DL的遮蔽電極（未繪出），其中遮蔽電極例如與掃描線SL屬於相同膜層，且遮蔽電極可用於降低資料線DL上之電壓對畫素電極的干擾。
雖然在本實施例中，第一開關元件T1以及第二開關元件T2是以底部閘極型的薄膜電晶體為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一開關元件T1以及第二開關元件T2也可以是頂部閘極型或其他類型的薄膜電晶體。
絕緣層120位於源極S1、第一汲極D1a、第二汲極D1b、源極S2、汲極D2、共用訊號線CL以及資料線DL上。在本實施例中，彩色濾光元件140位於絕緣層120上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，彩色濾光元件140位於絕緣層120與閘絕緣層110之間。在本實施例中，彩色濾光元件140位於基板100上，並構成彩色濾光層於畫素陣列上（Color filter on array，COA）之結構，但本發明不以此為限。在其他實施例中，彩色濾光元件140位於對向基板（未繪出）上，其中液晶分子位於基板100與對向基板之間。
絕緣層130位於彩色濾光元件140上。第一畫素電極200以及第二畫素電極300位於絕緣層130上。第一畫素電極200以及第二畫素電極300重疊於彩色濾光元件140。在本實施例中，第一畫素電極200與第二畫素電極300屬於相同導電膜層，且第一畫素電極200與第二畫素電極300結構上彼此分離。在本實施例中，第一畫素電極200與第二畫素電極300的材料包括透明導電材料，舉例來說，銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其它合適的氧化物或者是上述至少二者之堆疊層。
在本實施例中，第一畫素電極200電性連接第一開關元件T1。舉例來說，第一畫素電極200填入開口H1，並電性連接第一開關元件T1的第一汲極D1a，開口H1例如貫穿絕緣層120以及絕緣層130。
第二畫素電極300電性連接第二開關元件T2。舉例來說，第二畫素電極300填入開口H2，並電性連接第二開關元件T2的汲極D2，開口H2例如貫穿絕緣層120以及絕緣層130。
在本實施例中，第一畫素電極200與第二畫素電極300皆位於對應之掃描線SL的同一側。因此，只需要於掃描線SL的一側設置電容電極線CSL，就可以透過同一條電容電極線CSL形成對應於第一畫素電極200的儲存電容與第二畫素電極300的儲存電容。藉此，可以提升畫素結構10的開口率。
在本實施例中，第一畫素電極200包括主幹部210以及分別位於主幹部210的兩側的兩個支幹部220。第一畫素電極200在兩個支幹部處220的寬度W2大於第一畫素電極200遠離支幹部220處的寬度W1。在一些實施例中，畫素結構10之開口區中的第一畫素電極200可以是對稱或非對稱的圖形，但本發明不以此為限。
支幹部220的寬度隨著遠離主幹部210而漸減。舉例來說，支幹部220的形狀為梯形，其中支幹部220較寬的底邊連接主幹部210，且支幹部220較窄的頂邊遠離主幹部210。支幹部220中具有輻射狀的多個第一狹縫St1。第一狹縫St1的延伸方向E1與資料線DL的延伸方向DR1夾有銳角，且第一狹縫St1的延伸方向與掃描線SL的延伸方向DR2夾有銳角。在本實施例中，支幹部220包括不同延伸方向的第一狹縫St1，舉例來說，支幹部220包括沿著延伸方向E1延伸的第一狹縫St1、沿著延伸方向E2延伸的第一狹縫St1、沿著延伸方向E3延伸的第一狹縫St1以及沿著延伸方向E4延伸的第一狹縫St1。在一些實施例中，延伸方向E1實質上平行於延伸方向E4，且延伸方向E2實質上平行於延伸方向E3，但本發明不以此為限。延伸方向E1、E2、E3、E4皆與延伸方向DR1夾有銳角。在一些實施例中，延伸方向E1、E2、E3、E4與延伸方向DR1夾的銳角介於30度至60度。延伸方向DR1與延伸方向DR2實質上互相垂直。
在本實施例中，共用訊號線CL重疊於第一畫素電極200的主幹部210。舉例來說，在畫素結構10之開口區中的共用訊號線CL重疊於主幹部210，藉此能減少共用訊號線CL對畫素結構10之穿透率所造成的影響。
第二畫素電極300包圍第一畫素電極200。在本實施例中，第一畫素電極200與第二畫素電極300之間的最短距離介於2微米至5微米。在一些實施例中，畫素結構10之開口區中的第二畫素電極300可以是對稱或非對稱的圖形，但本發明不以此為限。
第二畫素電極300中具有輻射狀的多個第二狹縫St2。第二狹縫St2的延伸方向與資料線DL的延伸方向DR1夾有銳角，且第二狹縫St2的延伸方向與掃描線SL的延伸方向DR2夾有銳角。在本實施例中，第二畫素電極300包括不同延伸方向的第二狹縫St2，舉例來說，第二畫素電極300包括沿著延伸方向E5延伸的第二狹縫St2、沿著延伸方向E6延伸的第二狹縫St2、沿著延伸方向E7延伸的第二狹縫St2以及沿著延伸方向E8延伸的第二狹縫St2。在一些實施例中，延伸方向E5實質上平行於延伸方向E8，且延伸方向E6實質上平行於延伸方向E7，但本發明不以此為限。延伸方向E5、E6、E7、E8皆與延伸方向DR1夾有銳角。在一些實施例中，延伸方向E5、E6、E7、E8與延伸方向DR1夾的銳角介於30度至60度。
在本實施例中，支幹部220的第一狹縫St1不朝向第二畫素電極300開放。舉例來說，支幹部220的第一狹縫St1並未被支幹部220朝向第二畫素電極300的側壁暴露出來。
在本實施例中，至少部分第二狹縫St2朝向兩個支幹部220開放。舉例來說，相鄰於支幹部220的側壁的第二狹縫St2朝向兩個支幹部220開放。換句話說，第二畫素電極300朝向支幹部220的部分第二狹縫St2貫穿第二畫素電極300靠近支幹部220的側壁。藉此，可以改善液晶導向不良的問題。
在一些實施例中，第一畫素電極200與第二畫素電極300具有電壓差，舉例來說，第二畫素電極300上的電壓比上第一畫素電極200上的電壓介於1：4～8：9。由於第一畫素電極200與第二畫素電極300具有電壓差，可以提升第一畫素電極200與第二畫素電極300交界處之液晶效率，並減少第一畫素電極200之主幹部210的寬度。
基於上述，第二畫素電極300包圍第一畫素電極200，可以將畫素結構10區分成多個象限，並使畫素結構10具有高開口率的優點。
圖2是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
在本實施例中，第一畫素電極200a包括主幹部210a以及位於主幹部210a兩側的支幹部220a。圖2的支幹部220a相較於圖1A的支幹部220面積更小。
在本實施例中，第一畫素電極200a還包括位於主幹部210a兩側的多個延伸部230a。延伸部230a位於幹部210a靠近第一開關元件（圖2未繪出）的一側，且第一開關元件連接主幹部210a或延伸部230a。在本實施例中，相鄰兩個延伸部230a之間具有第三狹縫St3。
基於上述，第二畫素電極300a包圍第一畫素電極200a，可以將畫素結構區分成多個象限，並使畫素結構具有高開口率的優點。
圖3是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖3，在本實施例中，第一畫素電極200b包括主幹部210b以及位於主幹部210b兩側的支幹部220b。在本實施例中，支幹部220b為直線形，且第一畫素電極200b大致上為十字形。
基於上述，第二畫素電極300b包圍第一畫素電極200b，可以將畫素結構區分成多個象限，並使畫素結構具有高開口率的優點。
圖4是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖4，在本實施例中，第一畫素電極200c中沒有第一狹縫，且第二畫素電極300c中沒有第二狹縫。
在本實施例中，第一畫素電極200c與第二畫素電極300c之間的最短距離介於2微米至5微米。
在本實施例中，第二畫素電極300c中具有溝槽GV。在本實施例中，第二畫素電極300c中具有四個互相分離的溝槽GV，每個溝槽GV對應第二畫素電極300c的一個角落設置，但本發明不以此為限。在其他實施例中，溝槽GV可以互相連通，且溝槽GV的數量可以依照需求而調整。
溝槽GV的延伸方向實質上平行資料線（圖4未繪出）的延伸方向DR1及/或掃描線（圖4未繪出）的延伸方向DR2。在本實施例中，部分溝槽GV的延伸方向實質上平行資料線的延伸方向DR1，且部分溝槽GV的延伸方向實質上平行掃描線的延伸方向DR2。
在本實施例中，溝槽GV的寬度W3介於2微米至5微米。在本實施例中，溝槽GV鄰近第二畫素電極300c的邊緣，舉例來說，溝槽GV與第二畫素電極300c的邊緣之間的間距GP介於2微米至5微米。藉由溝槽GV的設置，可以改善靠近畫素結構之邊界的液晶的轉動方向，並增加畫素結構之穿透率。
在本實施例中，第一畫素電極200c與第二畫素電極300c具有電壓差，舉例來說，第二畫素電極300c上的電壓比上第一畫素電極200c上的電壓介於1：4～8：9。
在一些實施例中，藉由調整，第一畫素電極200c的面積與第二畫素電極300c的面積之比例，可以使畫素結構具有廣視角的優點。
基於上述，第二畫素電極300c包圍第一畫素電極200c，可以將畫素結構區分成多個象限，並使畫素結構具有高開口率的優點。
圖5是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖5，在本實施例中，第一畫素電極200d包括主幹部210d以及位於主幹部210d兩側的支幹部220d。在本實施例中，支幹部220d為直線形，且第一畫素電極200d大致上為十字形。
基於上述，第二畫素電極300d包圍第一畫素電極200d，可以將畫素結構區分成多個象限，並使畫素結構具有高開口率的優點。
圖6是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖6，在本實施例中，第一畫素電極200e包括主幹部210e、支幹部220e以及位多個連接部240e。在本實施例中，支幹部220e為直線形，且連接部240e為三角形。連接部240e位於主幹部210e與支幹部220e的夾角。
基於上述，第二畫素電極300e包圍第一畫素電極200e，可以將畫素結構區分成多個象限，並使畫素結構具有高開口率的優點。
圖7是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖7，在本實施例中，第一畫素電極200f包括主幹部210f、支幹部220f以及位多個連接部240f。第二畫素電極300f具有兩個溝槽GV。兩個溝槽GV分別位於第一畫素電極200f的兩側。
第二畫素電極300f具有位於溝槽GV中的突起結構310f。突起結構310f鄰近於對應的支幹部220f。在本實施例中，第一畫素電極200e與第二畫素電極300e之間的間隙X連接溝槽GV，突起結構310f位於溝槽GV朝向支幹部220f的側面，且突起結構310f位於間隙X與溝槽GV的連接處。
基於上述，第二畫素電極300f包圍第一畫素電極200f，可以將畫素結構區分成多個象限，並使畫素結構具有高開口率的優點。
10、20:畫素結構 100:基板 110、130:閘絕緣層 120:絕緣層 140:彩色濾光元件 200、200a、200b、200c、200d、200e、200f:第一畫素電極 210、210a、210b、210c、210d、210e、210f:主幹部 220、220a、220b、220c、220d、220e、220f:支幹部 230a:延伸部 240e、240f:連接部 300、300a、300b、300c、300d、300e、300f:第二畫素電極 310f:突起結構 CH1、CH2:通道層 CL:共用訊號線 CSL:電容電極線 D1a:第一汲極 D1b:第二汲極 D2:汲極 DL:資料線 DR1、DR2、E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8:延伸方向 G1、G2:閘極 GV:溝槽 H1、H2:開口 S1、S2:源極 SL:掃描線 St1:第一狹縫 St2:第二狹縫 St3:第三狹縫 T1:第一開關元件 T2:第二開關元件 W1、W2、W3:寬度 X:間隙
圖1A是依照本發明的一實施例的一種畫素結構的上視示意圖。 圖1B是沿著圖1A線aa’的剖面示意圖。 圖1C是沿著圖1A線bb’的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。 圖3是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。 圖7是依照本發明的一實施例的一種第一畫素電極與第二畫素電極的上視示意圖。
10:畫素結構
100:基板
140:彩色濾光元件
200:第一畫素電極
210:主幹部
220:支幹部
300:第二畫素電極
CH1、CH2:通道層
CL:共用訊號線
CSL:電容電極線
D1a:第一汲極
D1b:第二汲極
D2:汲極
DL:資料線
DR1、DR2、E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8:延伸方向
G1、G2:閘極
H1、H2:開口
S1、S2:源極
SL:掃描線
St1:第一狹縫
St2:第二狹縫
T1:第一開關元件
T2:第二開關元件
W1、W2:寬度

Claims (15)

  1. 一種畫素結構，包括：一資料線、一掃描線以及一共用訊號線；一第一開關元件，電性連接至該掃描線以及該資料線；一第二開關元件，電性連接至該掃描線以及該共用訊號線；一第一畫素電極，電性連接該第一開關元件；以及一第二畫素電極，電性連接該第二開關元件，其中該第二畫素電極包圍該第一畫素電極，該共用訊號線重疊於該第一畫素電極以及該第二畫素電極，且該共用訊號線具一轉角，該轉角完全重疊於該第二畫素電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極包括：一主幹部；以及兩個支幹部，分別位於該主幹部的兩側。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該兩個支幹部為直線形。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該兩個支幹部的寬度隨著遠離該主幹部而漸減。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的畫素結構，其中該兩個支幹部中具有多個第一狹縫，該些第一狹縫的延伸方向與該資料線的延伸方向夾有銳角。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該第二畫素電極中具有多個第二狹縫，該些第二狹縫的延伸方向與該資料線的延伸方向夾有銳角。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中至少部分該些第二狹縫貫穿該第二畫素電極靠近該兩個支幹部的側壁。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該第二畫素電極中具有溝槽，該溝槽的延伸方向實質上平行該資料線的延伸方向及/或該掃描線的延伸方向。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該第二畫素電極具有位於該溝槽中的突起結構，且該突起結構鄰近於對應的該支幹部。
  10. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極在該兩個支幹部處的寬度大於該第一畫素電極遠離該兩個支幹部處的寬度。
  11. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該共用訊號線重疊於該第一畫素電極的該主幹部。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極與該第二畫素電極之間的最短距離介於2微米至5微米。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極與該第二畫素電極屬於相同膜層。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二畫素電極上的電壓比上該第一畫素電極上的電壓介於1：4~8：9。
  15. 一種畫素結構，包括：一資料線、一掃描線以及一共用訊號線；一第一開關元件，電性連接至該掃描線以及該資料線；一第二開關元件，電性連接至該掃描線以及該共用訊號線；一第一畫素電極，電性連接該第一開關元件；以及一第二畫素電極，電性連接該第二開關元件，其中該第二畫素電極包圍該第一畫素電極，其中該第一畫素電極包括：一主幹部；以及兩個支幹部，分別位於該主幹部的兩側，其中該第二畫素電極中具有溝槽，該溝槽的延伸方向實質上平行該資料線的延伸方向及/或該掃描線的延伸方向，其中該第二畫素電極具有位於該溝槽中的突起結構，且該突起結構鄰近於對應的該支幹部。
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