CN104977740A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104977740A
CN104977740A CN201510455386.XA CN201510455386A CN104977740A CN 104977740 A CN104977740 A CN 104977740A CN 201510455386 A CN201510455386 A CN 201510455386A CN 104977740 A CN104977740 A CN 104977740A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gate signal
inlead
display base
base plate
grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510455386.XA
Other languages
English (en)
Inventor
吕振华
王磊
薛艳娜
包智颖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510455386.XA priority Critical patent/CN104977740A/zh
Publication of CN104977740A publication Critical patent/CN104977740A/zh
Priority to US15/148,083 priority patent/US9935131B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的显示装置边框较宽的问题。本发明的显示基板，包括基底，设置在基底上的多条栅线和多条数据线，多条所述栅线和多条所述数据线交叉且绝缘设置，所述多条栅线与栅极驱动器电性连接；所述多条数据线与源极驱动器电性连接，所述栅极驱动器位于显示基板上与所述源极驱动器相对的一侧；所述显示基板还包括：与所述数据线所在方向平行设置的多条栅信号引入线，以及设置在所述栅信号引入线所在层与所述栅线所在层之间的层间绝缘层；所述栅信号引入线的一端连接栅极驱动器，另一端通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备
方法、显示装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示装置)实现一帧画面显示的基本原理是通过栅极(gate)驱动从上到下依次对每一行像素输入一定宽度的方波进行选通，再通过源极(source)驱动每一行像素所需的信号依次从上往下输出。目前制造这样一种结构的显示器件通常是栅极驱动电路和源极驱动电路通过COF(Chip On Film，覆晶薄膜)或COG(Chip On Glass，芯片直接固定在玻璃上)工艺制作在玻璃面板上的，但是当分辨率较高时，栅极驱动电路和源极驱动电路的输出均较多，驱动电路的长度也将增大，这将不利于模组驱动电路的压焊(Bonding)工艺。
为了克服以上问题，现有显示器件的制造采用GOA(GateDrive On Array)电路的设计，相比现有的COF或COG工艺，其不仅节约了成本，而且可以做到面板两边对称的美观设计，同时也可省去栅极驱动电路的Bonding区域以及外围布线空间，从而实现了显示装置窄边框的设计，提高了显示装置的产能和良率。
具体的如图1所示，显示基板1包括多条交叉且绝缘设置的多条栅线11和多条数据线12；其中，源极驱动器20位于显示基板1的下侧，与数据线12连接，为数据线12提供数据信号。而栅极驱动器10则位于显示基板1的左右两侧，用于为栅线11提供栅极驱动信号。但是发明人发现，栅极驱动器10位于显示基板1的左右两侧仍然使得显示基板1的左右边框较宽，因此进一步缩小显示基板1的左右边框的宽度是亟需要解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的显示基板左右边框较宽的问题，提供一种左右侧边框较窄的显示基板及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括基底，设置在基底上的多条栅线和多条数据线，多条所述栅线和多条所述数据线交叉且绝缘设置，所述多条栅线与栅极驱动器电性连接；所述多条数据线与源极驱动器电性连接，所述栅极驱动器位于显示基板上的与所述源极驱动器相对的一侧；所述显示基板还包括：与所述数据线所在方向平行设置的多条栅信号引入线，以及设置在所述栅信号引入线所在层与所述栅线所在层之间的层间绝缘层；其中，
所述栅信号引入线的一端连接栅极驱动器，另一端通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。
优选的是，所述数据线与所述栅信号引入线同层设置且材料相同。
优选的是，两相邻所述数据线之间设置一条所述栅信号引入线，且各所述栅信号引入线之间等间距设置。
优选的是，所述数据线所在层位于所述栅线所在层下方，且两层之间通过栅极绝缘层隔开。
优选的是，所述层间绝缘层包括：第一绝缘层和第二绝缘层；其中，
所述数据线所在层位于所述栅线所在层上方，且两层之间通过所述第一绝缘层隔开；
所述栅信号引入线所在层位于所述数据线所在层上方，且两层之间通过所述第二绝缘层隔开。
优选的是，所述数据线所在层位于所述栅信号引入线所在层上方，且两层之间通过平坦化层隔开。
优选的是，各所述所述栅信号引入线与各所述数据线在基底上的投影完全重合。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法，包括在基底上形成交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线，其中，所述多条栅线与栅极驱动器电性连接；所述多条数据线与源极驱动器电性连接，所述栅极驱动器位于显示基板上的与所述源极驱动器相对的一侧，所述制备方法还包括：
在所述栅线所在层上形成层间绝缘层，并在层间绝缘层中刻蚀形成多个过孔；
通过构图工艺，形成包括与所述数据线所在方向平行的多条栅信号引入线图形；其中，所述栅信号引入线的一端连接栅极驱动器，另一端通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。
优选的是，形成多条所述栅信号引入线的同时还包括：形成多条数据线的图形。
优选的是，两相邻所述数据线之间设置一条所述栅信号引入线，且各所述栅信号引入线之间等间距设置。
优选的是，所述形成交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线具体包括：
在基底上通过构图工艺，形成包括多条数据线的图形；
形成栅极绝缘层；
通过构图工艺，形成包括多条栅线的图形。
优选的是，所述层间绝缘层包括：第一绝缘层和第二绝缘层；所述形成交叉且绝缘设置的多条栅线、多条数据线，以及多条栅信号引入线具体包括：
在基底上，通过构图形成包括多条栅线的图形；
形成第一绝缘层；
通过构图工艺，形成包括多条数据线的图形；
形成第二绝缘层，并刻蚀形成贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔；
通过构图工艺，形成包括多条栅信号引入线的图形；其中，所述栅信号引入线通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。
优选的是，所述形成交叉且绝缘设置的多条栅线、多条数据线，以及多条栅信号引入线具体包括：
在基底上，通过构图形成包括多条栅线的图形；
形成层间绝缘层，并在层间绝缘层中刻蚀形成多个过孔；
通过构图工艺，形成包括多条栅信号引入线图形；其中，所述栅信号引入线通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线；
形成钝化层；
通过构图工艺，形成包括多条数据线的图形。
优选的是，各所述所述栅信号引入线与各所述数据线在基底上的投影完全重合。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的显示基板。
本发明具有如下有益效果：
在本发明中，将栅极驱动器与设置到源极驱动器相对的一侧，也就是显示基板的上侧，同时将栅信号引入线与数据线平行设置，从而使得显示基板的左右两侧不再存在扇出区/fanout区(用于容纳栅信号引入线和栅极驱动器的位置)，进而实现显示基板左右两侧无边框设计。
附图说明
图1为现有的现所有技术中显示基板的示意图；
图2为本发明的实施例2的显示基板的示意图；
图3为本发明的实施例3的显示基板的示意图；
图4为本发明的实施例2的显示基板的制备方法的流程图；
图5为本发明的实施例3的显示基板的制备方法的流程图；
图6为本发明的实施例4的显示基板的制备方法的流程图；
图7为本发明的实施例5的显示基板的制备方法的流程图。
其中附图标记为：1、显示基板；10、栅极驱动器；20、源极驱动器；11、栅线；12、数据线；13、栅信号引入线。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种显示基板，包括基底，设置在基底上的多条栅线和多条数据线，多条所述栅线和多条所述数据线交叉且绝缘设置，所述多条栅线与栅极驱动器电性连接；所述多条数据线与源极驱动器电性连接，所述栅极驱动器位于显示基板上的与所述源极驱动器相对的一侧；所述显示基板还包括：与所述数据线所在方向平行设置的多条栅信号引入线，以及设置在所述栅信号引入线所在层与所述栅线所在层之间的层间绝缘层；其中，所述栅信号引入线的一端连接栅极驱动器，另一端通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。
可以理解的，显示基板通常包括上、下、左、右四侧；其中，源极驱动器通常是位于显示基板的下侧的，栅极驱动器通常是设置显示基板的左右两侧。而在本实施例中，将栅极驱动器与设置到源极驱动器相对的一侧，也就是显示基板的上侧，同时将栅信号引入线与数据线平行设置，从而使得显示基板的左右两侧不再存在扇出区/fanout区(用于容纳栅信号引入线和栅极驱动器的位置)，进而实现显示基板左右两侧无边框设计。具体见下述实施例。
实施例2：
如图2所示，本实施例提供一种显示基板1，其包括依次设置在基底上栅线11、层间绝缘层、同层且平行设置的数据线12和栅信号引入线13；其中，数据线12与为位于显示基板1下侧的源极驱动器20连接；每一行栅线11上方的层间绝缘层中均设置有一个过孔，且各个过孔的连线不在一条直线上；栅信号引入线13的一端通过过孔连接一条栅线11，另一端连接位于显示基板1上侧的栅极驱动器10；可以理解的是，每一条栅信号引入线13仅连接一条栅线11，且各条栅信号引入线13连接不同的栅线11。
本实施例的显示基板1的栅极驱动器10和源极驱动器20分别位于显示基板1的上侧和下侧，而且栅信号引入线13与数据线12所在方向平行，因此可以使得显示基板1的左右边框更窄，甚至无边框。同时，在本实施例中，数据线12与栅信号引入线13是同层设置且两者材料相同的，因此可以采用一次构图工艺同时形成数据线12和栅信号引入线13，从而不会增加显示基板1的生产成本，且工艺步骤简单，易于实现。
优选的，在本实施例的显示基板1中，两相邻所述数据线12之间设置一条所述栅信号引入线13，且各所述栅信号引入线13之间等间距设置。也就是说在显示基板1上从左侧到右侧数据线12和栅信号引入线13是交替设置。可以理解的是，这种布线方式使得显示基板1的布线均匀，从而使得显示基板1显示均匀，显示效果较优。
如图4所示，针对上述的显示基板1，本实施例还提供了一种显示基板1的制备方法，其包括：
步骤一、在基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极和栅线11的图形。
步骤二、在完成上述步骤的基底上，形成层间绝缘层并在层间绝缘层中刻蚀形成用于将栅线11与栅信号引入线13连接的过孔；同时还形成用于将薄膜晶体管漏极与像素电极连接的过孔。
步骤三、通过构图工艺形成包括有源层的图形。
步骤四、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的源极、漏极、数据线12和栅信号引入线13的图形；其中漏极通过相应的过孔与漏极连接，栅信号引入线13通过过孔与栅线11连接。
至此完成显示基板1的制备。需要说明的是，显示基板1的制备方法中还包括形成像素电极和公共电极等现有的工艺步骤，在此不再详细描述。
实施例3：
如图3所示，本实施例提供一种显示基板1，其包括依次设置在基底上数据线12、栅极绝缘层、栅线11、层间绝缘层、与数据线12所在方向平行的栅信号引入线13；其中，数据线12与为位于显示基板1下侧的源极驱动器20连接；每一行栅线11上方的层间绝缘层中均设置有一个过孔，且各个过孔的连线不在一条直线上；栅信号引入线13的一端通过过孔连接一条栅线11，另一端连接位于显示基板1上侧的栅极驱动器10；可以理解的是，每一条栅信号引入线13仅连接一条栅线11，且各条栅信号引入线13连接不同的栅线11。
本实施例的显示基板1的栅极驱动器10和源极驱动器20分别位于显示基板1的上侧和下侧，而且栅信号引入线13与数据线12所在方向平行，因此可以使得显示基板1的左右边框更窄，甚至无边框。
优选的，本实施例的显示基板1中，各所述所述栅信号引入线13(用虚线表示是为说明该位置并非栅信号引入线13的真实位置，只是示意性表示)与各所述数据线12在基底上的投影完全重合。也就是说，数据线12和栅信号引入线13在空间上，上下一一对应设置。该种设置方式不会影响显示面板的开口率，而且本实施例的显示基板1的左右边框变窄，有利于显示面板的高分辨率的设计。
如图5所示，针对上述显示基板1，本实施例还提供了一种显示基板1的制备方法，其包括如下步骤：
步骤一、在基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形；
步骤二、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极、漏极，以及数据线12的图形。
步骤三、在完成上述步骤的基底上，形成栅极绝缘层。
步骤四、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括栅极和栅线11的图形。
步骤五、在完成上述步骤的基底上，形成层间绝缘层，并在层间绝缘层中刻蚀形成用于将栅线11与栅信号引入线13连接的过孔。
步骤六、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括栅信号引入线13的图形；其栅信号引入线13通过过孔与栅线11连接。
步骤七、在完成上述步骤的基底上，形成钝化层。
至此完成显示基板1的制备。需要说明的是，显示基板1的制备方法中还包括形成像素电极和公共电极等现有的工艺步骤，在此不再详细描述。
实施例4：
本实施例提供一种显示基板1，其包括依次设置在基底上栅线11、层间绝缘层、与数据线12所在方向平行的栅信号引入线13、钝化层、数据线12；其中，数据线12与为位于显示基板1下侧的源极驱动器20连接；每一行栅线11上方的层间绝缘层中均设置有一个过孔，且各个过孔的连线不在一条直线上；栅信号引入线13的一端通过过孔连接一条栅线11，另一端连接位于显示基板1上侧的栅极驱动器10；可以理解的是，每一条栅信号引入线13仅连接一条栅线11，且各条栅信号引入线13连接不同的栅线11。
本实施例的显示基板1的栅极驱动器10和源极驱动器20分别位于显示基板1的上侧和下侧，而且栅信号引入线13与数据线12所在方向平行，因此可以使得显示基板1的左右边框更窄，甚至无边框。
优选的，本实施例的显示基板1中，各所述所述栅信号引入线13与各所述数据线12在基底上的投影完全重合。也就是说，数据线12和栅信号引入线13在空间上，上下一一对应设置。该种设置方式不会影响显示面板的开口率，而且本实施例的显示基板1的左右边框变窄，有利于显示面板的高分辨率的设计。
如图6所示，针对上述显示基板1，本实施例还提供了一种显示基板1的制备方法，其包括如下步骤：
步骤一、在基底上，通过构图工艺形成包括栅极和栅线11的图形。
步骤二、在完成上述步骤的基底上，形成层间绝缘层，并在层间绝缘层中刻蚀形成用于将栅线11与栅信号引入线13连接的过孔。
步骤三、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括栅信号引入线13的图形；其栅信号引入线13通过过孔与栅线11连接。
步骤四、在完成上述步骤的基底上，形成平坦化层。
步骤五、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形。
步骤六、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极、漏极，以及数据线12的图形。
至此完成显示基板1的制备。需要说明的是，显示基板1的制备方法中还包括形成像素电极和公共电极等现有的工艺步骤，在此不再详细描述。
实施例5
本实施例提供一种显示基板1，其包括依次设置在基底上栅线11、第一绝缘层、数据线12、第二绝缘层；其中，层间绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；数据线12与为位于显示基板1下侧的源极驱动器20连接；每一行栅线11上方的层间绝缘层中均设置有一个过孔，且各个过孔的连线不在一条直线上；栅信号引入线13的一端通过过孔连接一条栅线11，另一端连接位于显示基板1上侧的栅极驱动器10；可以理解的是，每一条栅信号引入线13仅连接一条栅线11，且各条栅信号引入线13连接不同的栅线11。
本实施例的显示基板1的栅极驱动器10和源极驱动器20分别位于显示基板1的上侧和下侧，而且栅信号引入线13与数据线12所在方向平行，因此可以使得显示基板1的左右边框更窄，甚至无边框。
优选的，本实施例的显示基板1中，各所述所述栅信号引入线13与各所述数据线12在基底上的投影完全重合。也就是说，数据线12和栅信号引入线13在空间上，上下一一对应设置。该种设置方式不会影响显示面板的开口率，而且本实施例的显示基板1的左右边框变窄，有利于显示面板的高分辨率的设计。
如图7所示，针对上述显示基板1，本实施例还提供了一种显示基板1的制备方法，其包括如下步骤：
步骤一、在基底上，通过构图工艺形成包括栅极和栅线11的图形。
步骤二、在完成上述步骤的基底上，形成第一绝缘层。
步骤三、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形。
步骤四、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极、漏极，以及数据线12的图形。
步骤五、在完成上述步骤的基底上，形成第二绝缘层，并在第一绝缘层和第二绝缘层中刻蚀形成用于将栅线11与栅信号引入线13连接的过孔。
至此完成显示基板1的制备。需要说明的是，显示基板1的制备方法中还包括形成像素电极和公共电极等现有的工艺步骤，在此不再详细描述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种显示基板，包括基底，设置在基底上的多条栅线和多条数据线，多条所述栅线和多条所述数据线交叉且绝缘设置，所述多条栅线与栅极驱动器电性连接；所述多条数据线与源极驱动器电性连接，其特征在于，所述栅极驱动器位于显示基板上的与所述源极驱动器相对的一侧；所述显示基板还包括：与所述数据线所在方向平行设置的多条栅信号引入线，以及设置在所述栅信号引入线所在层与所述栅线所在层之间的层间绝缘层；其中，
所述栅信号引入线的一端连接栅极驱动器，另一端通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述数据线与所述栅信号引入线同层设置且材料相同。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，两相邻所述数据线之间设置一条所述栅信号引入线，且各所述栅信号引入线之间等间距设置。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述数据线所在层位于所述栅线所在层下方，且两层之间通过栅极绝缘层隔开。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述层间绝缘层包括：第一绝缘层和第二绝缘层；其中，
所述数据线所在层位于所述栅线所在层上方，且两层之间通过所述第一绝缘层隔开；
所述栅信号引入线所在层位于所述数据线所在层上方，且两层之间通过所述第二绝缘层隔开。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述数据线所在层位于所述栅信号引入线所在层上方，且两层之间通过平坦化层隔开。
7.根据权利要求1、4-6中任一项所述的显示基板，其特征在于，各所述所述栅信号引入线与各所述数据线在基底上的投影完全重合。
8.一种显示基板的制备方法，包括在基底上形成交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线，其中，所述多条栅线与栅极驱动器电性连接；所述多条数据线与源极驱动器电性连接，其特征在于，所述栅极驱动器位于显示基板上的与所述源极驱动器相对的一侧，所述制备方法还包括：
在所述栅线所在层上形成层间绝缘层，并在层间绝缘层中刻蚀形成多个过孔；
通过构图工艺，形成包括与所述数据线所在方向平行的多条栅信号引入线图形；其中，所述栅信号引入线的一端连接栅极驱动器，另一端通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成多条所述栅信号引入线的同时还包括：形成多条数据线的图形。
10.根据权利要求8或9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，两相邻所述数据线之间设置一条所述栅信号引入线，且各所述栅信号引入线之间等间距设置。
11.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线具体包括：
在基底上通过构图工艺，形成包括多条数据线的图形；
形成栅极绝缘层；
通过构图工艺，形成包括多条栅线的图形。
12.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述层间绝缘层包括：第一绝缘层和第二绝缘层；所述形成交叉且绝缘设置的多条栅线、多条数据线，以及多条栅信号引入线具体包括：
在基底上，通过构图形成包括多条栅线的图形；
形成第一绝缘层；
通过构图工艺，形成包括多条数据线的图形；
形成第二绝缘层，并刻蚀形成贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔；
通过构图工艺，形成包括多条栅信号引入线的图形；其中，所述栅信号引入线通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。
13.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成交叉且绝缘设置的多条栅线、多条数据线，以及多条栅信号引入线具体包括：
在基底上，通过构图形成包括多条栅线的图形；
形成层间绝缘层，并在层间绝缘层中刻蚀形成多个过孔；
通过构图工艺，形成包括多条栅信号引入线图形；其中，所述栅信号引入线通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线；
形成钝化层；
通过构图工艺，形成包括多条数据线的图形。
14.根据权利要求8、11-13中任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，各所述所述栅信号引入线与各所述数据线在基底上的投影完全重合。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的显示基板。
CN201510455386.XA 2015-07-29 2015-07-29 显示基板及其制备方法、显示装置 Pending CN104977740A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510455386.XA CN104977740A (zh) 2015-07-29 2015-07-29 显示基板及其制备方法、显示装置
US15/148,083 US9935131B2 (en) 2015-07-29 2016-05-06 Display substrate and manufacturing method thereof, display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510455386.XA CN104977740A (zh) 2015-07-29 2015-07-29 显示基板及其制备方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104977740A true CN104977740A (zh) 2015-10-14

Family

ID=54274389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510455386.XA Pending CN104977740A (zh) 2015-07-29 2015-07-29 显示基板及其制备方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9935131B2 (zh)
CN (1) CN104977740A (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105739208A (zh) * 2016-05-13 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示装置和驱动装置
CN106782407A (zh) * 2017-02-16 2017-05-31 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板的驱动方法及显示面板
KR20170064123A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN107229166A (zh) * 2017-07-27 2017-10-03 武汉华星光电技术有限公司 显示装置、阵列基板及其制造方法
CN107544188A (zh) * 2017-07-13 2018-01-05 友达光电股份有限公司 像素阵列与驱动方法
CN107807485A (zh) * 2017-11-30 2018-03-16 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN108122497A (zh) * 2018-02-02 2018-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性阵列基板、柔性显示装置及组装方法
CN108182880A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 三星显示有限公司 具有小边框的显示装置
CN108447887A (zh) * 2018-02-27 2018-08-24 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108806506A (zh) * 2017-05-05 2018-11-13 元太科技工业股份有限公司 开关元件阵列结构
CN109407431A (zh) * 2017-08-17 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109659317A (zh) * 2018-12-04 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示装置
WO2019084942A1 (zh) * 2017-11-06 2019-05-09 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板及显示屏
CN111948859A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置
US10923509B2 (en) 2018-12-04 2021-02-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and display panel
TWI747707B (zh) * 2020-08-03 2021-11-21 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
WO2021254319A1 (zh) * 2020-06-18 2021-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2023216296A1 (zh) * 2022-05-10 2023-11-16 惠州华星光电显示有限公司 一种驱动电路及显示装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108172174B (zh) * 2016-12-07 2020-04-07 元太科技工业股份有限公司 像素阵列基板
US10459298B2 (en) 2017-07-27 2019-10-29 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Display device, array substrate and manufacturing method thereof
CN109634013A (zh) * 2019-01-30 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
KR20210022308A (ko) 2019-08-20 2021-03-03 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN111128028A (zh) * 2019-12-31 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种可弯折显示面板、显示装置及显示设备
US11404449B2 (en) * 2020-04-08 2022-08-02 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101582422A (zh) * 2009-06-01 2009-11-18 友达光电股份有限公司 显示装置
US20110128261A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Chimei Innolux Corporation Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN102403320A (zh) * 2010-09-16 2012-04-04 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
CN102466931A (zh) * 2010-11-03 2012-05-23 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
CN102540525A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 上海天马微电子有限公司 一种液晶显示装置
CN104464603A (zh) * 2014-12-30 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4178090B2 (ja) * 2003-09-19 2008-11-12 シャープ株式会社 電極配線基板および表示装置
KR101146527B1 (ko) * 2005-11-30 2012-05-25 엘지디스플레이 주식회사 게이트 인 패널 구조 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR101248901B1 (ko) * 2008-06-02 2013-04-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8363192B2 (en) * 2008-09-18 2013-01-29 Japan Display Central Inc. Liquid crystal display device
TWI393946B (zh) * 2009-05-21 2013-04-21 Au Optronics Corp 顯示裝置
TWI393947B (zh) * 2009-06-12 2013-04-21 Au Optronics Corp 顯示裝置
US20130278487A1 (en) * 2012-04-19 2013-10-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Layout structure and pixel structure of display panel
US9646559B2 (en) * 2012-08-10 2017-05-09 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2014155458A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101582422A (zh) * 2009-06-01 2009-11-18 友达光电股份有限公司 显示装置
US20110128261A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Chimei Innolux Corporation Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN102403320A (zh) * 2010-09-16 2012-04-04 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
CN102466931A (zh) * 2010-11-03 2012-05-23 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
CN102540525A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 上海天马微电子有限公司 一种液晶显示装置
CN104464603A (zh) * 2014-12-30 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102512480B1 (ko) 2015-11-30 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US10134825B2 (en) 2015-11-30 2018-11-20 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN106847085A (zh) * 2015-11-30 2017-06-13 乐金显示有限公司 显示装置
KR20170064123A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
EP3174042A3 (en) * 2015-11-30 2017-07-26 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN105739208A (zh) * 2016-05-13 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示装置和驱动装置
CN108182880A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 三星显示有限公司 具有小边框的显示装置
CN106782407B (zh) * 2017-02-16 2019-04-02 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板的驱动方法及显示面板
CN106782407A (zh) * 2017-02-16 2017-05-31 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板的驱动方法及显示面板
CN108806506A (zh) * 2017-05-05 2018-11-13 元太科技工业股份有限公司 开关元件阵列结构
CN107544188A (zh) * 2017-07-13 2018-01-05 友达光电股份有限公司 像素阵列与驱动方法
CN107544188B (zh) * 2017-07-13 2020-08-28 友达光电股份有限公司 像素阵列与驱动方法
CN107229166A (zh) * 2017-07-27 2017-10-03 武汉华星光电技术有限公司 显示装置、阵列基板及其制造方法
WO2019019315A1 (zh) * 2017-07-27 2019-01-31 武汉华星光电技术有限公司 显示装置、阵列基板及其制造方法
CN109407431A (zh) * 2017-08-17 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
WO2019084942A1 (zh) * 2017-11-06 2019-05-09 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板及显示屏
CN111373545A (zh) * 2017-11-06 2020-07-03 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板及显示屏
CN107807485A (zh) * 2017-11-30 2018-03-16 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN108122497A (zh) * 2018-02-02 2018-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性阵列基板、柔性显示装置及组装方法
CN108122497B (zh) * 2018-02-02 2023-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性阵列基板、柔性显示装置及组装方法
CN108447887A (zh) * 2018-02-27 2018-08-24 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108447887B (zh) * 2018-02-27 2020-11-03 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109659317A (zh) * 2018-12-04 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示装置
CN109659317B (zh) * 2018-12-04 2021-01-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示装置
US10923509B2 (en) 2018-12-04 2021-02-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and display panel
CN111948859A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置
CN111948859B (zh) * 2019-05-17 2023-07-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置
WO2021254319A1 (zh) * 2020-06-18 2021-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
TWI747707B (zh) * 2020-08-03 2021-11-21 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
WO2023216296A1 (zh) * 2022-05-10 2023-11-16 惠州华星光电显示有限公司 一种驱动电路及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170033123A1 (en) 2017-02-02
US9935131B2 (en) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104977740A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109407436B (zh) 阵列基板
JP6161782B2 (ja) 静電容量式インセル型タッチパネル及び表示装置
CN103941507B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN103728799B (zh) 具有最小边框的液晶显示装置
TWI398712B (zh) 具通至測試線之改良式連接結構的薄膜電晶體陣列面板
CN201886234U (zh) 液晶显示基板和液晶显示器
CN106094272B (zh) 一种显示基板、其制作方法及显示装置
CN102629053A (zh) 阵列基板及显示装置
JP6745732B2 (ja) 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
CN105372894A (zh) 一种阵列基板及液晶显示装置
WO2020087588A1 (zh) 显示面板电路结构
CN205353532U (zh) 阵列基板和显示面板
CN108108070B (zh) Tft基板及应用其的触控显示面板
WO2019184039A1 (zh) 阵列基板及显示面板
CN110687730A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
CN104460154A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105280648A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN110518019B (zh) 阵列基板及显示面板
WO2021227112A1 (zh) 阵列基板、具有该阵列基板的显示面板及显示装置
US20210408050A1 (en) Array substrate and display panel
CN102881689A (zh) 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板
WO2020206751A1 (zh) 显示面板、显示模组及制作方法
CN103926764A (zh) 一种tft阵列基板及显示面板、显示装置
KR20090043750A (ko) 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20151014