CN108172174B - 像素阵列基板 - Google Patents

像素阵列基板 Download PDF

Info

Publication number
CN108172174B
CN108172174B CN201611112401.1A CN201611112401A CN108172174B CN 108172174 B CN108172174 B CN 108172174B CN 201611112401 A CN201611112401 A CN 201611112401A CN 108172174 B CN108172174 B CN 108172174B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lines
line
pixel array
metal
signal lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611112401.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108172174A (zh
Inventor
陈筠涵
庄博钧
朱晓彤
黄霈霖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
E Ink Holdings Inc
Original Assignee
E Ink Holdings Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by E Ink Holdings Inc filed Critical E Ink Holdings Inc
Priority to CN201611112401.1A priority Critical patent/CN108172174B/zh
Priority to US15/712,170 priority patent/US10304865B2/en
Priority to US15/834,072 priority patent/US10096627B2/en
Priority to TW106142989A priority patent/TWI670548B/zh
Publication of CN108172174A publication Critical patent/CN108172174A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108172174B publication Critical patent/CN108172174B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3433—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices
    • G09G3/344—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices based on particles moving in a fluid or in a gas, e.g. electrophoretic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0202—Addressing of scan or signal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种像素阵列基板，包含基板、多条第一信号线、多条第二信号线、多个主动元件、多个像素电极、多条选择线、驱动单元及多条金属线。各选择线与第一信号线交错以形成第一交错处及多个第二交错处，各选择线在第一交错处与第一信号线电性连接，在第二交错处与第一信号线电性绝缘，各选择线具有第一部分及第二部分，第一部分与在第一交错处的第一信号线重叠，且与第二部分相隔有间隙。驱动单元电性连接至第二信号线及选择线的第一部分。各金属线与多个间隙的其中之一重叠。本发明的像素阵列基板能够符合自动光学检查的检测标准，并且可设置于各种显示器中，使显示画面的颜色及亮度均匀，且显示品质良好。

Description

像素阵列基板
技术领域
本发明是关于一种像素阵列基板，特别是关于一种具有不连续选择线的像素阵列基板。
背景技术
随着显示面板被广泛地应用在各式显示器中，例如：电视、笔记本电脑、平板电脑、电子纸(e-paper)书及行动电话等。窄边框(Narrow boarder)设计的显示面板是目前显示器产业的发展趋势。
图1是公知的一种像素阵列的局部示意图，两条第一信号线110a及110b与第二信号线120交错，并也与选择线130交错而形成第一交错处a1及第二交错处a2。第一信号线110a与选择线130在第一交错处a1电性连接，因此外部信号源的信号可通过选择线130传递至第一信号线110a。第一信号线110b与选择线130在第二交错处a2电性绝缘，然而，第一信号线110b可通过其它选择线(未示出)而也连接至外部信号源。上述的布线设计促使当第二信号线120与位于图1的下侧的信号源(未示出)电性连接时，第一信号线110a也可通过选择线130而也与信号源电性连接，而取代了传统上第一信号线110a需由图1的左侧或右侧拉线至信号源的设计，因此，通过图1的像素阵列能够实现窄边框的设计。
然而，在选择线130中，从第一交错处a1延伸出来并超过第二交错处a2的这段选择线130常会导致包含如图1的像素阵列的显示器发生颜色不均(Mura)的问题，而降低显示器的显示性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素阵列基板，能够符合自动光学检查的检测标准，并且可设置于各种显示器中，使显示画面的颜色及亮度均匀，且显示品质良好。
为实现上述目的本发明提供一种像素阵列基板，包含基板、多条第一信号线配置于基板上、多条第二信号线配置于基板上，并与这些第一信号线交错且电性绝缘、多个主动元件，各主动元件与这些第一信号线的其中一条及这些第二信号线的其中一条电性连接、多个像素电极，各像素电极与这些主动元件的其中一个电性连接、多条选择线配置于基板上、驱动单元及多条金属线。其中，各选择线与这些第一信号线交错以形成第一交错处及多个第二交错处，各选择线在第一交错处与第一信号线电性连接，在这些第二交错处与这些第一信号线电性绝缘，各选择线具有第一部分及第二部分，第一部分与在第一交错处的第一信号线重叠，且与第二部分相隔有间隙。驱动单元电性连接至这些第二信号线及这些选择线的这些第一部分。各金属线与这些间隙的其中一个重叠。
在本发明一实施方式中，各金属线的长度大于或等于与各金属线重叠的间隙的间隙长度。
在本发明一实施方式中，各金属线与相邻的第一部分重叠。
在本发明一实施方式中，各金属线与相邻的第二部分重叠。
在本发明一实施方式中，间隙位于第一交错处及与第一交错处相邻的第二交错处之间。
在本发明一实施方式中，这些第一信号线与这些金属线位于同一层。
在本发明一实施方式中，这些金属线的材料与这些第一信号线的材料相同。
在本发明一实施方式中，各选择线的第一部分具有线宽，与邻近于第一部分的金属线的线宽相同。
在本发明一实施方式中，各选择线的第二部分具有线宽，与邻近于第二部分的金属线的线宽相同。
在本发明一实施方式中，第一信号线为扫描线，第二信号线为数据线。
本发明的像素阵列基板，与现有技术相比，具有能够符合自动光学检查的检测标准，并且可设置于各种显示器中，使显示画面的颜色及亮度均匀，且显示品质良好的有益效果。
附图说明
本发明上述和其它目的、特征及其它优点参照说明书内容并配合附图得到更清楚的了解，其中：
图1是公知的一种像素阵列的局部示意图；
图2是根据本发明的一实施方式所绘示的像素阵列基板的俯视示意图；
图3是图2中区域R的放大示意图；
图4是图3中剖线A-A’的剖面示意图；
图5A-5D是分别根据本发明的不同实施方式所绘示的图3中剖线B-B’的剖面示意图。
具体实施方式
图2是根据本发明的一实施方式所绘示的像素阵列基板的俯视示意图。图3是图2中区域R的放大示意图。请参照图2及图3，像素阵列基板200包括基板202并在基板202上设置有驱动单元204、多条第一信号线210、多条第二信号线220、多条选择线230、多条金属线240、多个主动元件250及多个像素电极260。像素阵列a包含这些第一信号线210、第二信号线220、选择线230、金属线240、主动元件250及像素电极260。
如图2及图3所示，这些第一信号线210及这些第二信号线220皆配置于基板202上，这些第二信号线220与这些第一信号线210交错且电性绝缘。并且，这些第一信号线210与这些第二信号线220交错以定义出多个像素区P，各主动元件250配置于这些像素区P的其中一个中，且与这些第一信号线210的其中一条及这些第二信号线220的其中一条电性连接。各像素电极260与这些主动元件250的其中一个电性连接。
在一实施方式中，这些第一信号线210沿第一方向D1延伸且沿第二方向D2排列，这些第二信号线220沿第二方向D2延伸且沿第一方向D1排列。在一实施方式中，第一方向D1垂直于第二方向D2，但不限于此。
请参照图2，每条选择线230与这些第一信号线210交错以形成一个第一交错处X1及多个第二交错处X2，选择线230在第一交错处X1与这些第一信号线210电性连接，在第二交错处X2与这些第一信号线210电性绝缘。各选择线230具有第一部分230a及第二部分230b，第一部分230a与在第一交错处X1的第一信号线210重叠，且与第二部分230b相隔有间隙G。换言之，第二部分230b不与第一交错处X1重叠，且与第一部分230a电性绝缘。如图2所示，选择线230为不连续的选择线，第一部分230a与第二部分230b通过间隙G而电性绝缘，由于第二部分230b不与第一部分230a导通而无法接收来自于驱动单元204的信号，因此，当像素阵列基板200被配置于显示器中时，邻近于选择线230的第二部分230b的显示区不会发生颜色不均(Mura)的问题。
此外，从图3来看，间隙G位于第一交错处X1及与第一交错处X1相邻的第二交错处X2之间。换言之，在与选择线230的第二部分230b重叠的所有第二交错处X2之中，此与第一交错处X1相邻的第二交错处X2即为最靠近第一交错处X1的第二交错处X2。当间隙G越靠近第一交错处X1时，将能够使得从第一交错处X1延伸向第二交错处X2的选择线的第一部分230a越短，并使得与第一部分230a电性绝缘的第二部分230b越长，而越能够避免发生颜色不均(Mura)的问题。在其它实施方式中，间隙G也可位于第一交错处X1及与选择线230的第二部分230b重叠的其它第二交错处X2之间。
此外，一般来说，在制作像素阵列基板的过程中，常会利用自动光学检查(Automated Optical Inspection，AOI)从像素阵列的上方进行检测，去比较各交错处附近的线路结构是否一致，若出现不一致的状况，则会被判定为线路结构出现缺陷，而无法进行下一步的工艺。在如图2所示的像素阵列基板200中，间隙G的存在会使得选择线230在俯视时看起来为不连续的。然而，像素阵列基板200同时包含这些金属线240，各金属线240与这些间隙G的其中一个重叠，而会使得各交错处附近的线路结构一致，而能够符合自动光学检查的检测标准。举例来说，由于金属线240与间隙G重叠的缘故，在区域R1中，第一交错处X1附近的线路结构与在区域R2中的第二交错处X2附近的线路结构一致。并且，这些金属线240与这些第一部分230a及这些第二部分230b电性绝缘。虽然在图2的俯视示意图中，金属线240看起来像是与这些第一部分230a及这些第二部分230b连接，但事实上这些金属线240与这些第一部分230a及这些第二部分230b是位于不同层，因此，金属线240不会导通第一部分230a及第二部分230b，金属线240的存在不会造成如先前技术所述的颜色不均(Mura)的问题。
因此，为了要使各交错处附近的线路结构一致，金属线240的形状应该与间隙G的形状相同或是类似。举例来说，金属线240的长度应大于或等于间隙G的间隙长度GL(请参照图5A～5D)，金属线240的线宽应等同于选择线230的第一部分230a的线宽及选择线230的第二部分230b的线宽，才能够使得各第一交错处X1及各第二交错处X2附近的线路结构看起来一致。在一实施方式中，各金属线240的长度大于或等于与各金属线240重叠的间隙G的间隙长度GL。在一实施方式中，各选择线230的第一部分230a具有线宽，与邻近于第一部分230a的金属线240的线宽相同。在另一实施方式中，各选择线230的第二部分230b具有线宽，与邻近于第二部分230b的金属线240的线宽相同。
如图2所示，驱动单元204配置于基板202上，电性连接至这些第二信号线220及这些选择线230的这些第一部分230a。由于这些选择线230的第一部分230a是在第一交错处X1与第一信号线210电性连接，这些选择线230可将来自驱动单元204的信号传递至这些第一信号线210。
接下来，请同时参照图3及图4，图4是图3中剖线A-A’的剖面示意图。主动元件250包含栅极GE、主动层AC、源极SE及漏极DE。栅极GE配置于基板202上，主动层AC是位于栅极GE上，源极SE及漏极DE配置于主动层AC上。主动元件250可进一步包含绝缘层410于栅极GE及主动层AC之间，覆盖栅极GE及基板202。主动元件250可进一步包含保护层420，漏极DE可通过保护层420的开口H电性连接像素电极250。在图3中，以连接处C标示出漏极DE与像素电极250的电性连接的位置。
在图3中，第一信号线210与栅极GE电性连接，第二信号线220与源极SE电性连接，因此，第一信号线210是扫描线，第二信号线220是数据线，第一信号线210与选择线230电性连接而将驱动单元204的信号传递至栅极GE。在另一实施方式中，主动元件的栅极与第二信号线220电性连接，主动元件的源极与第一信号线210电性连接，因此，在此实施方式中，第一信号线210是数据线，第二信号线220是扫描线，第一信号线210与选择线230电性连接将驱动单元204的信号传递至源极。
接下来，请参照图5A～5D，图5A～5D分别为根据本发明的不同实施方式所绘示的图3中剖线B-B’的剖面示意图。由于图5A～5D的不同之处在于金属线的长短皆不同，因此为了清楚指明不同图示中的金属线，在此将图5A～5D中的金属线分别重新编号为240a、240b、240c及240d。
如图5A所示，金属线240a的长度L1等于与金属线240重叠的间隙G的间隙长度GL。金属线240a的末端与相邻的第一部分230a的末端对齐，金属线240a的另一末端与相邻的第二部分230b的末端对齐。换言之，金属线240a并不与第一部分230a或第二部分230b重叠。
此外，从图5A可看出第一信号线210与金属线240a位于同一层。在一实施方式中，可于基板202上形成金属层后，再图案化金属层同时形成第一信号线210及金属线240a，因此，金属线240的材料与第一信号线210的材料相同。
在图5B～5D中，金属线240b、240c及240d各具有长度大于与各金属线240重叠的间隙G的间隙长度GL。如图5B所示，金属线240b的长度L2大于间隙长度GL，并且，金属线240b与相邻的选择线230的第一部分230a及第二部分230b重叠。如图5C所示，金属线240c的长度L3大于间隙长度GL，并且与相邻的选择线230的第一部分230a重叠，金属线240c具有末端与相邻的第二部分230b的末端对齐。如图5D所示，金属线240d的长度L4大于间隙长度GL，并且与相邻的选择线230的第二部分230b重叠，金属线240d具有末端与相邻的第一部分230a的末端对齐。
从上述的图5A～5D来看，金属线240a、240b、240c及240d皆位于选择线230下，因此在图3的俯视示意图中，金属线240a、240b、240c及240d通过间隙G而暴露出来的部分会看起来一样长。然而，金属线的位置并不限于本案图5A～5D所示的实施方式，在其它实施方式中，金属线位于选择线230上。
综上所述，本发明的像素阵列基板包含不连续的选择线及金属线，此选择线包含第一部分及第二部分，第一部分与第二部分相隔有间隙，金属线与此间隙重叠，并与第一部分及第二部分电性绝缘。金属线的设置使得像素阵列基板的像素阵列中的各交错处附近的线路结构在俯视下皆一致，而能够符合自动光学检查的检测标准。因此，在制作本发明的像素阵列基板的过程中，不须调整目前的自动光学检测设备或检测参数。
并且，本发明的像素阵列基板可设置于各种显示器中，且能够解决如先前技术中所述的颜色不均(Mura)的问题。显示器例如为电泳显示器，其可包含本发明的像素阵列基板及设置于其上的电泳显示薄膜，可通过像素阵列基板驱动电泳显示薄膜中的显示粒子来获得显示画面。本发明的像素阵列基板中的不连续的选择线能够使显示画面的颜色及亮度均匀，而使得显示品质良好。
虽然本发明已以实施方式公开如上，以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明，任何本领域的一般技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种像素阵列基板，其特征在于，包含：
基板；
多条第一信号线，配置于所述基板上；
多条第二信号线，配置于所述基板上，所述多条第二信号线与所述多条第一信号线交错且电性绝缘；
多个主动元件，各所述主动元件与所述多条第一信号线的其中一条及所述多条第二信号线的其中一条电性连接；
多个像素电极，各所述像素电极与所述多个主动元件的其中一个电性连接；
多条选择线，配置于所述基板上，各所述选择线与所述多条第一信号线交错以形成第一交错处及多个第二交错处，各所述选择线在所述第一交错处与所述第一信号线电性连接，在所述多个第二交错处与所述多条第一信号线电性绝缘，各所述选择线具有第一部分及第二部分，所述第一部分与在所述第一交错处的所述第一信号线重叠，且与所述第二部分相隔有间隙；
驱动单元，电性连接至所述多条第二信号线及所述多条选择线的所述多个第一部分；以及
多条金属线，各所述金属线与所述多个间隙的其中一个重叠，所述金属线与所述第一部分及所述第二部分电性绝缘。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，各所述金属线的长度大于或等于与各所述金属线重叠的所述间隙的间隙长度。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，各所述金属线与相邻的所述第一部分重叠。
4.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，各所述金属线与相邻的所述第二部分重叠。
5.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述间隙位于所述第一交错处及与所述第一交错处相邻的所述第二交错处之间。
6.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述多条第一信号线与所述多条金属线位于同一层。
7.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述多条金属线的材料与所述多条第一信号线的材料相同。
8.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，各所述选择线的所述第一部分具有线宽，所述线宽与邻近于所述第一部分的所述金属线的线宽相同。
9.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，各所述选择线的所述第二部分具有线宽，所述线宽与邻近于所述第二部分的所述金属线的线宽相同。
10.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，所述第一信号线为扫描线，所述第二信号线为数据线。
CN201611112401.1A 2016-12-07 2016-12-07 像素阵列基板 Active CN108172174B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611112401.1A CN108172174B (zh) 2016-12-07 2016-12-07 像素阵列基板
US15/712,170 US10304865B2 (en) 2016-12-07 2017-09-22 Pixel array substrate with discontinuous selection lines
US15/834,072 US10096627B2 (en) 2016-12-07 2017-12-07 Pixel array substrate
TW106142989A TWI670548B (zh) 2016-12-07 2017-12-07 畫素陣列基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611112401.1A CN108172174B (zh) 2016-12-07 2016-12-07 像素阵列基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108172174A CN108172174A (zh) 2018-06-15
CN108172174B true CN108172174B (zh) 2020-04-07

Family

ID=62243396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611112401.1A Active CN108172174B (zh) 2016-12-07 2016-12-07 像素阵列基板

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10304865B2 (zh)
CN (1) CN108172174B (zh)
TW (1) TWI670548B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109285451B (zh) * 2017-07-21 2021-05-11 元太科技工业股份有限公司 像素数组基板
CN110620127B (zh) * 2018-06-19 2022-01-14 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法
CN109087922B (zh) * 2018-09-19 2020-09-29 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN109752869B (zh) * 2019-01-24 2021-05-28 四川长虹电器股份有限公司 检测液晶wrgb屏光学性能的方法
CN112420735A (zh) * 2019-08-20 2021-02-26 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN112419954A (zh) * 2019-08-21 2021-02-26 群创光电股份有限公司 电子装置
CN112968035B (zh) * 2020-08-21 2023-11-17 友达光电股份有限公司 像素阵列

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104809954A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 元太科技工业股份有限公司 像素阵列

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3381681B2 (ja) * 1999-09-28 2003-03-04 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその断線補修方法
JP4789369B2 (ja) * 2001-08-08 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
TWI274316B (en) * 2003-12-15 2007-02-21 Tpo Displays Corp Display circuitry of display panel
US7105367B2 (en) * 2003-12-30 2006-09-12 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of manufacturing array substrate for liquid crystal display device
JP5144001B2 (ja) * 2003-12-30 2013-02-13 三星電子株式会社 多結晶シリコン半導体素子及びその製造方法
US7688392B2 (en) 2006-04-06 2010-03-30 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel structure including a gate having an opening and an extension line between the data line and the source
US8018428B2 (en) 2006-11-27 2011-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrophoretic display panel, electrophoretic display device having the same and method for driving the same
KR101587176B1 (ko) 2007-04-18 2016-01-20 마이크로닉 마이데이타 에이비 무라 검출 및 계측을 위한 방법 및 장치
KR20080110347A (ko) 2007-06-15 2008-12-18 삼성전자주식회사 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2009239110A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Seiko Epson Corp 半導体装置、電気光学装置および電子機器
JP5114326B2 (ja) * 2008-07-17 2013-01-09 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
US8363192B2 (en) * 2008-09-18 2013-01-29 Japan Display Central Inc. Liquid crystal display device
KR101287968B1 (ko) 2008-11-25 2013-07-19 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법
KR101283366B1 (ko) 2008-12-23 2013-07-08 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
TWI380109B (en) * 2009-01-23 2012-12-21 Au Optronics Corp Display device and method of equalizing loading effect of display device
TWI393946B (zh) * 2009-05-21 2013-04-21 Au Optronics Corp 顯示裝置
TWI397756B (zh) * 2009-05-22 2013-06-01 Au Optronics Corp 主動陣列基板、液晶顯示面板及製造主動陣列基板之方法
TWI393947B (zh) * 2009-06-12 2013-04-21 Au Optronics Corp 顯示裝置
CN102034750B (zh) * 2009-09-25 2015-03-11 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
JP5146477B2 (ja) * 2010-03-12 2013-02-20 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイ基板及びその製造方法
TWI406415B (zh) * 2010-05-12 2013-08-21 Prime View Int Co Ltd 薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
CN102629053A (zh) * 2011-08-29 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US9646559B2 (en) * 2012-08-10 2017-05-09 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2014048605A (ja) * 2012-09-04 2014-03-17 Sony Corp 表示装置および電子機器
US9785032B2 (en) * 2013-11-12 2017-10-10 E Ink Holdings Inc. Active device array substrate and display panel
TWI505010B (zh) * 2013-11-12 2015-10-21 E Ink Holdings Inc 主動元件陣列基板
TWI533269B (zh) 2014-01-28 2016-05-11 元太科技工業股份有限公司 畫素陣列
CN104062823B (zh) * 2014-06-06 2017-01-25 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN104166273A (zh) 2014-06-26 2014-11-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示基板母板和显示装置
US9276055B1 (en) 2014-08-31 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same
CN105742312B (zh) * 2014-12-31 2019-02-12 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN104977740A (zh) * 2015-07-29 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104809954A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 元太科技工业股份有限公司 像素阵列

Also Published As

Publication number Publication date
US20180158838A1 (en) 2018-06-07
TW201821880A (zh) 2018-06-16
US20180158840A1 (en) 2018-06-07
US10096627B2 (en) 2018-10-09
US10304865B2 (en) 2019-05-28
TWI670548B (zh) 2019-09-01
CN108172174A (zh) 2018-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108172174B (zh) 像素阵列基板
US11682326B2 (en) Display device including data line extending portions
CN108445686B (zh) 阵列基板、显示面板与显示装置
CN104698711B (zh) 一种阵列基板、显示面板及电子设备
CN104617106B (zh) 一种阵列基板及显示装置
US20180074357A1 (en) Touch panel and manufacturing method therefor, display apparatus
CN108646477A (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
CN107561799A (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
US10629635B2 (en) Array substrate and display device
US10088724B2 (en) Display panel and displaying device
JP6745732B2 (ja) 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
EP3497515B1 (en) Display panel, methods of fabricating and repairing the same
CN107678590B (zh) 一种触控显示面板及其驱动方法
CN107193169A (zh) 一种电子纸显示面板及其触控检测方法、以及电子设备
CN109188747A (zh) 显示面板和显示装置
US20240280867A1 (en) Display device and display panel thereof
TW200813540A (en) Liquid crystal display
WO2020211256A1 (zh) 超窄边框液晶显示器及电子装置
CN201740952U (zh) 画素阵列基板
TWI625581B (zh) 畫素陣列基板
CN111009185B (zh) 像素阵列
CN104898338A (zh) 一种阵列基板及显示装置
TWI740585B (zh) 畫素陣列基板
TWI682375B (zh) 畫素陣列
CN113257879A (zh) 一种阵列基板及显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant