CN103715206A - 一种像素单元、阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种像素单元、阵列基板及显示面板，在像素单元内，将公共电极线形成于像素电极所在的导电层和数据线所在导电层之间，且公共电极线的覆盖区域包括数据线所在的区域。由于公共电极具有屏蔽的作用，像素电极无需考虑数据线的电场作用，其可以向外延伸至靠近数据线，从而增大了像素电极的覆盖区域，进而增大了像素单元的开口率。

Description

一种像素单元、阵列基板及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种像素单元、阵列基板及显示面板。

背景技术

阵列基板作为显示面板的组件之一，具有极其重要的意义。参考图1a和1b所示，阵列基板包括多个像素单元100，像素单元100包括薄膜场效应晶体管101。

其中，沿像素单元100的AA’的切面上，像素单元100包括透明基板1；在透明基板1的表面上形成有第一导电层，第一导电层包括栅极线2、公共电极线3和薄膜场效应晶体管101的栅极，栅极线2与薄膜场效应晶体管101的栅极相连；覆盖第一导电层的第一绝缘层4；形成于第一绝缘层4上的第二导电层，第二导电层包括数据线5，以及薄膜场效应晶体管101的源极和漏极，数据线5与薄膜场效应晶体管101的源极相连；形成于第二导电层表面的第二绝缘层6；形成于第二绝缘层6表面的第三导电层，第三导电层包括像素电极7，像素电极7与薄膜场效应晶体管101的漏极相连，且像素电极7和公共电极线3形成存储电容。现有的像素单元的开口率小。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种像素单元、阵列基板及显示面板，像素单元的开口率大。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种像素单元，应用于阵列基板，包括透明基板，以及位于透明基板上的公共电极线、数据线、像素电极，其中，所述公共电极线位于所述数据线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，且与所述数据线和像素电极均绝缘，所述公共电极线所在区域覆盖所述数据线所在区域，所述像素电极的一侧延伸至所述数据线靠近所述像素电极一侧的边缘。

优选的，所述像素电极所在区域与所述数据线所在区域有交叠。

优选的，所述公共电极线的材料为铝、钼、钼铝钼、氧化铟锡或氧化铟锌。

优选的，所述透明基板为玻璃基板或树脂基板。

一种阵列基板，所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括透明基板，以及位于透明基板上的公共电极线、数据线、像素电极，其中，所述公共电极线位于所述数据线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，且与所述数据线和像素电极均绝缘，所述公共电极线所在区域覆盖所述数据线所在区域，所述像素电极的一侧延伸至所述数据线靠近所述像素电极一侧的边缘。

优选的，所述像素电极所在区域与所述数据线所在区域有交叠。

优选的，沿所述阵列基板的栅极线延伸方向，且在相邻两个所述像素单元交接区域的公共电极线为两个所述像素单元共有。

优选的，所述公共电极线的材料为铝、钼、钼铝钼、氧化铟锡或氧化铟锌。

优选的，所述透明基板为玻璃基板或树脂基板。

一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的像素单元、阵列基板及显示面板，在像素单元内，将公共电极线形成于像素电极所在的导电层和数据线所在导电层之间，且公共电极线的覆盖区域包括数据线所在的区域。由于公共电极具有屏蔽的作用，像素电极无需考虑数据线的电场作用，其可以向外延伸至靠近数据线，从而增大了像素电极的覆盖区域，进而增大了像素单元的开口率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为现有的像素单元的俯视图；

图1b为图1a中沿AA’方向的切面图；

图2a为本申请实施例提供的像素单元的俯视图；

图2b为图2a中沿AA’方向的切面图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有的像素单元的开口率小。发明人研究发现，造成这种缺陷的原因主要有现有的像素单元中，自像素单元透光方向依次有公共电极线、数据线和像素电极线，因为数据线对像素电极线具有干扰，因此像素电极线不能向外延伸，更不能覆盖至数据线，因此像素电极的覆盖区小，使得像素单元的开口率受到限制。

基于此，本发明提供一种像素单元，应用于阵列基板，包括透明基板，以及位于透明基板上的公共电极线、数据线、像素电极，其中，所述公共电极线位于所述数据线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，且与所述数据线和像素电极均绝缘，所述公共电极线所在区域覆盖所述数据线所在区域，所述像素电极的一侧延伸至所述数据线靠近所述像素电极一侧的边缘。

根据上述方案，在像素单元内，将公共电极线形成于像素电极所在的导电层和数据线所在导电层之间，且公共电极线的覆盖区域包括数据线所在的区域。由于公共电极具有屏蔽的作用，像素电极无需考虑数据线的电场作用，其可以向外延伸至靠近数据线，从而增大了像素电极的覆盖区域，进而增大了像素单元的开口率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

本申请实施例提供了一种像素单元，结合图2a和2b对本申请实施例进行具体说明，图2a为像素单元的俯视图，图2b为图1中沿AA’的切面图，像素单元200包括场效应薄膜晶体管201，所述像素单元201还包括透明基板21，以及位于透明基板上的公共电极线26、数据线24、像素电极28，其中，所述公共电极线26位于所述数据线24所在导电层和所述像素电极28所在导电层之间，且与所述数据线24和像素电极28均绝缘，所述公共电极线26所在区域覆盖所述数据线24所在区域，所述像素电极28的一侧延伸至所述数据线24靠近所述像素电极28一侧的边缘。

参考图2b所示，对本申请实施例提供的像素单元，由切面方向对其进行具体描述，包括：

透明基板21，所述透明基板为玻璃基板或树脂基板，以及形成于所述透明基板21表面的第一导电层，所述第一导电层包括栅极线22和所述场效应薄膜晶体管201的栅极，且所述栅极线22与场效应薄膜晶体管201的栅极相连；

覆盖所述第一导电层的第一绝缘层23；

形成于所述第一绝缘层23表面第二导电层，所述第二导电层包括数据线24，以及所述场效应薄膜晶体管201的源极和漏极，且所述数据线24与所述薄膜场效应晶体管201的源极相连；

覆盖所述第二导电层的第二绝缘层25；

形成于所述第二绝缘层25表面的第三导电层，所述第三导电层包括公共电极线26，所述公共电极线26覆盖所述数据线24；

覆盖所述第三导电层的第三绝缘层27；

形成于所述第三绝缘层27表面的第四导电层，所述第四导电层包括像素电极28，所述像素电极28与所述场效应薄膜晶体管201的漏极相连，且所述像素电极28与所述公共电极线26形成存储电容。本实施例更为优选的，所述像素电极所在区域与所述数据线所在区域有交叠。

由于制作像素单元时，镀膜过程中每层导电层的厚度均匀，因此最终形成的覆盖区域的结构均呈台阶状，参考图2b所示，在公共电极线26覆盖的数据线24区域：数据线24顶部表面的第三绝缘层27，以及第三绝缘层27顶部表面的公共电极线26为第一区域；直接与数据线24底部表面的第二绝缘层25接触的第三绝缘层27，以及覆盖于该区域的公共电极线26为第二区域，第一区域和第二区域具有高度差。

本实施例中，将公共电极线制作于数据线所在的导电层和像素电极所在的导电层之间，并且将公共电极覆盖数据线。由于公共电极具有屏蔽电场的作用，因此可以将像素电极两侧延伸，甚至可以延伸到覆盖于数据线的上方，都不会受到数据线的电场干扰，从而产生过多的寄生电容而影响像素电极的稳定性的现象发生。结合图1a和图2a所示，本申请实施例提供的像素单元的开口率明显增大，最大可以提升30%以上。

另外，本申请实施例中，像素电极和公共电极线之间具有一绝缘层，将绝缘层的厚度减薄到最小，两者所构成的存储电容容量更容易做的很大，因此可以在存储电容容量满足要求的情况下，可以将两者之间的交叠面积设计的更小，从而进一步的增大像素单元的开口率。

本实施例中，所述公共电极线的材料可以为铝、钼、钼铝钼、氧化铟锡或氧化铟锌。优选的可以为铝、钼等非透明导电材料，非透明导电的公共电极线，不仅可以起到原有的屏蔽电场的作用，同时可以作为挡光条，防止像素电极边缘漏光的作用。

本申请实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括场效应薄膜晶体管，所述像素单元还包括透明基板，以及位于透明基板上的公共电极线、数据线、像素电极，其中，所述公共电极线位于所述数据线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，且与所述数据线和像素电极均绝缘，所述公共电极线所在区域覆盖所述数据线所在区域，所述像素电极的一侧延伸至所述数据线靠近所述像素电极一侧的边缘。

在本实施例中，优选的像素电极所在区域与所述数据线所在区域有交叠。更为优选的，沿阵列基板的栅极线延伸方向，且在相邻两个所述像素单元交接区域的公共电极线为两个所述像素单元共有。

本实施例中，将公共电极线制作于数据线所在的导电层和像素电极所在的导电层之间，并且将公共电极覆盖数据线。由于公共电极具有屏蔽电场的作用，因此可以将像素电极两侧延伸，甚至可以延伸到覆盖于数据线的上方，都不会受到数据线的电场干扰，从而产生过多的寄生电容而影响像素电极的稳定性的现象发生。

可选的所述公共电极线的材料可以为铝、钼、钼铝钼、氧化铟锡或氧化铟锌。优选的可以为铝、钼等非透明导电材料，非透明导电的公共电极线，不仅可以起到原有的屏蔽电场的作用，同时可以作为挡光条，防止像素电极边缘漏光的作用。

另外，本申请实施例中，像素电极和公共电极线之间具有一绝缘层，将绝缘层的厚度减薄到最小，两者所构成的存储电容容量更容易做的很大，因此可以在存储电容容量满足要求的情况下，可以将两者之间的交叠面积设计的更小，从而进一步的增大像素单元的开口率。

本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例提供的阵列基板。可选的，显示面板包括液晶面板、OLED（Organic Light-Emitting Diode）面板，以及任意一种包括上述实施例提供的阵列基板的显示面板，本申请实施例对于显示面板的种类并不做限制，只要包括上述实施例提供的阵列基板，均在本申请实施例保护范围之内。

本申请实施例提供的一种像素单元、阵列基板及显示面板，在像素单元内，将公共电极线形成于像素电极所在的导电层和数据线所在导电层之间，且公共电极线的覆盖区域包括数据线所在的区域。由于公共电极具有屏蔽的作用，像素电极可以向外延伸，甚至可以延伸至数据线所在区域的上方，从而增大了像素电极的覆盖区域，进而增大了像素单元的开口率。本申请实施例提供的像素单元的开口率大，有效的提高了透光率，进而可以降低液晶显示模组的背光源的亮度，从而达到节能环保的目的。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种像素单元，应用于阵列基板，其特征在于，包括透明基板，以及位于透明基板上的公共电极线、数据线、像素电极，其中，所述公共电极线位于所述数据线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，且与所述数据线和像素电极均绝缘，所述公共电极线所在区域覆盖所述数据线所在区域，所述像素电极的一侧延伸至所述数据线靠近所述像素电极一侧的边缘。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极所在区域与所述数据线所在区域有交叠。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线的材料为铝、钼、钼铝钼、氧化铟锡或氧化铟锌。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明基板为玻璃基板或树脂基板。

5.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个像素单元，其特征在于，所述像素单元包括透明基板，以及位于透明基板上的公共电极线、数据线、像素电极，其中，所述公共电极线位于所述数据线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，且与所述数据线和像素电极均绝缘，所述公共电极线所在区域覆盖所述数据线所在区域，所述像素电极的一侧延伸至所述数据线靠近所述像素电极一侧的边缘。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极所在区域与所述数据线所在区域有交叠。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，沿所述阵列基板的栅极线延伸方向，且在相邻两个所述像素单元交接区域的公共电极线为两个所述像素单元共有。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线的材料为铝、钼、钼铝钼、氧化铟锡或氧化铟锌。

9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述透明基板为玻璃基板或树脂基板。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求5～9任意一项所述的阵列基板。

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