CN104133334A - 像素结构、阵列基板及显示器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种像素结构、阵列基板及显示器件，其像素结构包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极；其中，公共电极形成于栅极线所在导电层和像素电极所在导电层之间，公共电极与栅极线和像素电极之间均相互隔离，公共电极覆盖栅极线，且公共电极与像素电极具有交叠区域。由于公共电极形成在栅极线上方，相对于现有的公共电极和栅极线位于同一导电层的情况，不仅可以增大像素结构的开口率；而且公共电极还可以起到一定的遮光作用，减少像素结构边缘区域的漏光，提高显示器件的对比度、透过率和显示稳定性，提高了显示器件的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种像素结构、阵列基板及显示器件。
背景技术
液晶显示器具有轻薄、低辐射、低电耗等特点，已取代传统的阴极射线管显示器成为显示器市场的主流产品。阵列基板作为液晶显示器件的组件之一，具有极其重要的意义。
结合图1a和1b所示，图1a为现有的像素结构的结构示意图；图1b为图1a提供的像素结构沿AA’方向的切面图。其中，像素结构为横向像素结构，阵列基板包括多个像素结构100，像素结构100包括薄膜场效应晶体管101。
其中，沿像素结构100的AA’的切面上，像素结构100包括透明基板1；在透明基板1的表面上形成有第一导电层，第一导电层包括栅极线2、公共电极3和薄膜场效应晶体管101的栅极，栅极线2与薄膜场效应晶体管101的栅极相连；覆盖第一导电层的第一绝缘层4；形成于第一绝缘层4上的第二导电层，第二导电层包括数据线5，以及薄膜场效应晶体管101的源极和漏极，数据线5与薄膜场效应晶体管101的源极相连；形成于第二导电层表面的第二绝缘层6；形成于第二绝缘层6表面的第三导电层，第三导电层包括像素电极7，像素电极7与薄膜场效应晶体管101的漏极相连，且像素电极7和公共电极3形成存储电容。现有的像素结构的开口率有待增大。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种像素结构、阵列基板及显示器件，其开口率大，显示效果好。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种像素结构，所述像素结构包括：
栅极线、数据线、像素电极和公共电极；
所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。
优选的，所述公共电极与所述数据线由同一导电层制作而成。
优选的，所述公共电极的材质为铝、钼、钼铝钼或铬。
一种阵列基板，包括：
多个像素结构，每个像素结构包括：
栅极线、数据线、像素电极和公共电极，
在任意一像素结构中，所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。
优选的，沿所述数据线延伸方向上，任意一像素结构的像素电极还与与其相邻的像素结构的公共电极具有交叠区域。
优选的，沿所述数据线延伸方向上，相邻两个像素结构的公共电极通过一导线电性连接。
优选的，相邻两个像素结构的公共电极与导线形成U形结构。
优选的，在任意一像素结构中，所述像素电极还与位于该像素结构的导线具有交叠区域。
优选的，在任意一像素结构中，所述公共电极与所述数据线由同一导电层制作而成。
一种显示器件，包括上述的阵列基板。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明所提供的像素结构、阵列基板及显示器件，其像素结构包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极；其中，公共电极形成于栅极线所在导电层和像素电极所在导电层之间，公共电极与栅极线和像素电极之间均相互隔离，公共电极覆盖栅极线，且公共电极与像素电极具有交叠区域。由于公共电极形成在栅极线上方，相对于现有的公共电极和栅极线位于同一导电层的情况，不仅可以增大像素结构的开口率；而且公共电极还可以起到一定的遮光作用，减少像素结构边缘区域的漏光，提高显示器件的对比度、透过率和显示稳定性，提高了显示器件的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为现有的一种像素结构的结构示意图；
图1b为图1a的像素结构沿AA’方向的切面图；
图2a为本申请实施例提供的一种像素结构的结构示意图；
图2b为图2a所提供的像素结构沿AA’方向的切面图；
图3为本申请实施例提供的沿数据线方向的多个像素结构的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的横向排列的像素结构的开口率有待增大。发明人研究发现，造成这种缺陷的原因主要有现有的像素结构中，公共电极与栅极线位于同一导电层，而公共电极与栅极线相互隔离，因此栅极线和公共电极的同一平面情况增大了遮光面积，减小了透光的区域，进而降低了像素结构的开口率。
基于此，本发明提供了一种像素结构，以克服现有技术存在的上述问题，所述像素结构包括：
栅极线、数据线、像素电极和公共电极；
所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。
本发明还提供了一种阵列基板，包括：
多个像素结构，每个像素结构包括：
栅极线、数据线、像素电极和公共电极，
在任意一像素结构中，所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。
本发明还提供了一种显示器件，包括上述的阵列基板。
本发明所提供的像素结构、阵列基板及显示器件，其像素结构包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极；其中，公共电极形成于栅极线所在导电层和像素电极所在导电层之间，公共电极与栅极线和像素电极之间均相互隔离，公共电极覆盖栅极线，且公共电极与像素电极具有交叠区域。由于公共电极形成在栅极线上方，相对于现有的公共电极和栅极线位于同一导电层的情况，不仅可以增大像素结构的开口率；而且公共电极还可以起到一定的遮光作用，减少像素结构边缘区域的漏光，提高显示器件的对比度、透过率和显示稳定性，提高了显示器件的显示效果。
以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
本申请实施例提供了一种像素结构，结合图2a和2b所示，对本申请实施例提供的像素结构进行详细说明，其中，图2a为本申请实施例提供的一种像素结构的结构示意图，图2b为图2a所提供的像素结构沿AA’方向的切面图。
像素结构200包括：
场效应薄膜晶体管201，像素结构201还包括：透明基板21，以及位于透明基板21上的栅极线22、数据线24、公共电极25和像素电极27，其中，公共电极25形成于栅极线22所在的导电层和像素电极27所在的导电层之间，公共电极25与栅极线22和像素电极28之间均相互隔离，公共电极25覆盖栅极线22，且公共电极25与像素电极27具有交叠区域。
由上述内容可知，将公共电极形成于栅极线的上方，相对于现有的公共电极和栅极线位于同一导电层的情况，可以有效的增大像素结构的开口率。另外，由于公共电极与像素电极之间形成存储电容，为了防止栅极线的干扰，公共电极覆盖区域包括栅极线所在区域，进而通过公共电极屏蔽栅极线对像素电极的影响。
为了节约材料资源，优选的，公共电极与数据线由同一导电层制作而成，即在制作数据线的同时，由同一导电层形成公共电极。可选的，公共电极的材质可以为铝、钼、钼铝钼或铬，本申请实施例对此不作具体限制。
为了更全面的对本申请实施例提供的像素结构进行说明，参考图2b所示，由切面方向对其进行详细说明，包括：
透明基板21，所述透明基板为玻璃基板或树脂基板，以及形成于所述透明基板21表面的第一导电层，所述第一导电层包括栅极线22和所述场效应薄膜晶体管201的栅极，且所述栅极线22与场效应薄膜晶体管201的栅极相连；
覆盖所述第一导电层的第一绝缘层23；
形成于所述第一绝缘层23表面第二导电层，所述第二导电层包括数据线24和公共电极25，以及所述场效应薄膜晶体管201的源极和漏极，且数据线24与所述薄膜场效应晶体管201的源极相连；
覆盖所述第二导电层的第二绝缘层26；
形成于所述第二绝缘层25表面的第三导电层，所述第三导电层包括像素电极27，像素电极27与所述场效应薄膜晶体管201的漏极相连，且像素电极27与公共电极线25之间具有交叠区域，进而形成存储电容。
由于制作像素单元时，镀膜过程中每层导电层的厚度均匀，因此最终形成的覆盖区域的结构均呈台阶状。
本申请实施例提供的像素结构，将公共电极形成在栅极线上方，相对于现有的公共电极和栅极线位于同一导电层的情况，可以增大像素结构的开口率。
本申请实施例还提供了一种阵列基板，参考图3所示，对本申请实施例提供的阵列基板上多个横向排列的像素结构进行详细说明。
其中，阵列基板包括：
多个像素结构200，每个像素结构200包括：
场效应薄膜晶体管201、栅极线22、数据线24、像素电极27和公共电极25，
在任意一像素结构中，所述公共电极25形成于所述栅极线22所在导电层和所述像素电极27所在导电层之间，所述公共电极25与所述栅极线22和所述像素电极27之间均相互隔离，所述公共电极25覆盖所述栅极线22，且所述公共电极25与所述像素电极27具有交叠区域。
优选的，在任意一像素结构中，所述公共电极与所述数据线由同一导电层制作而成。
为了最大程度的扩大像素结构的开口率，沿所述数据线延伸方向上，任意一像素结构的像素电极还与与其相邻的像素结构的公共电极具有交叠区域。像素电极除与所在的像素结构的公共电极有交叠区域外，还与相邻的一像素结构的公共电极具有交叠区域，这样可以在保证公共电极覆盖栅极线和保证存储电容达到预设要求的基础上，最大程度的将公共电极的面积减小，进而扩大像素结构的开口率。
进一步的，沿所述数据线延伸方向上，相邻两个像素结构的公共电极通过一导线28电性连接。相邻两个像素结构的公共电极与导线形成U形结构。在任意一像素结构中，所述像素电极还与位于该像素结构的导线具有交叠区域。通过设计像素电极与导线之间具有交叠区域，更进一步的减小公共电极的面积，增大像素结构的开口率。并且，U形结构可以有效的遮挡像素结构的边缘区域的漏光，提高显示效果。
最后，本申请实施例还提供了一种显示器件，包括上述的阵列基板。
可选的，显示器件为液晶显示器件、OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示器件，以及任意一种包括上述实施例提供的阵列基板的显示器件，本申请实施例对于显示器件的种类并不做限制，只要包括上述实施例提供的阵列基板，均在本申请实施例保护范围之内。
本申请实施例所提供的像素结构、阵列基板及显示器件，其像素结构包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极；其中，公共电极形成于栅极线所在导电层和像素电极所在导电层之间，公共电极与栅极线和像素电极之间均相互隔离，公共电极覆盖栅极线，且公共电极与像素电极具有交叠区域。由于公共电极形成在栅极线上方，相对于现有的公共电极和栅极线位于同一导电层的情况，不仅可以增大像素结构的开口率；而且公共电极还可以起到一定的遮光作用，减少像素结构边缘区域的漏光，提高显示器件的对比度、透过率和显示稳定性，提高了显示器件的显示效果。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种像素结构，所述像素结构包括：
栅极线、数据线、像素电极和公共电极；
其特征在于，
所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述公共电极与所述数据线由同一导电层制作而成。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述公共电极的材质为铝、钼、钼铝钼或铬。
4.一种阵列基板，包括：
多个像素结构，每个像素结构包括：
栅极线、数据线、像素电极和公共电极，
其特征在于，在任意一像素结构中，所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，沿所述数据线延伸方向上，任意一像素结构的像素电极还与与其相邻的像素结构的公共电极具有交叠区域。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，沿所述数据线延伸方向上，相邻两个像素结构的公共电极通过一导线电性连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个像素结构的公共电极与导线形成U形结构。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在任意一像素结构中，所述像素电极还与位于该像素结构的导线具有交叠区域。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在任意一像素结构中，所述公共电极与所述数据线由同一导电层制作而成。
10.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求4～9任意一项所述的阵列基板。
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