CN107195663A - Amoled显示面板结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种AMOLED显示面板结构,设置有多条沿横向延伸的扫描线(11)、多条沿纵向延伸并与扫描线(11)绝缘交叉的数据线(21)、与扫描线(11)同等数目的沿纵向延伸的转接线(31)、数个电性连接转接线(31)的行驱动电路(91)、及数个电性连接数据线(21)的列驱动电路(92);一转接线(31)对应电性连接一扫描线(11),一行驱动电路(91)对应电性连接数条转接线(31),一列驱动电路(92)对应电性连接数条数据线(21);所述行驱动电路(91)与列驱动电路(92)共同位于下边框区(B4)内;左边框区(B1)、右边框区(B2)、与上边框区(B3)仅作封装用,能够实现AMOLED显示面板的三边均为超窄边框。

Description

AMOLED显示面板结构
技术领域
本发明涉及OLED显示器件技术领域,尤其涉及一种AMOLED显示面板结构。
背景技术
在显示技术领域,液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)与有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示器。其中,OLED显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,而被广泛地应用于智能手机、平板电脑、全彩电视等。
OLED显示面板按照驱动方式可以分为无源矩阵(Passive Matrix,PM)型和有源矩阵(Active Matrix,AM)型两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)矩阵寻址两类。
图1所示为现有的AMOLED显示面板的前视示意图,图2所示为现有的AMOLED显示面板的内部电路走线示意图,结合图1与图2可知,现有的AMOLED显示面板具有显示区AA’、及围绕在所述显示区AA’外围的左边框区B1’、右边框区B2’、上边框区B3’、与下边框区B4’。
所述显示区AA’内排布有多条沿横向延伸的扫描线100、及多条沿纵向延伸并与所述扫描线100绝缘交叉的数据线200。所述上边框区B3’仅作封装用;所述左边框区B1’与右边框区B2’除了作封装用之外,还要排布数个与扫描线100连接、向扫描线100输入扫描信号的行驱动IC 300;所述下边框区B4’除了作封装用之外,还要排布数个与数据线200连接、向数据线200输入数据信号的列驱动IC 400;因此,所述左边框区B1’、右边框区B2’、及下边框区B4’的宽度较大。
随着显示技术的不断发展,用户对超窄边框显示面板的需要将变得越来越强烈,所以有必要对上述现有的AMOLED显示面板进行改善。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED显示面板结构,相比现有技术能够减少AMOLED显示面板的左边框区与右边框区的宽度,使得上边框区、
左边框区、与右边框区均为超窄边框,达到AMOLED显示面板三边近乎无边框的状态。
为实现上述目的,本发明提供一种AMOLED显示面板结构,包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、数个行驱动电路、及数个列驱动电路;
所述第二金属层包括多条沿横向延伸的扫描线,所述第三金属层包括多条沿纵向延伸并与所述扫描线绝缘交叉的数据线,所述第一金属层包括与所述扫描线同等数目的沿纵向延伸的转接线;
一转接线对应电性连接一扫描线,一行驱动电路对应电性连接数条转接线,一列驱动电路对应电性连接数条数据线;
所述AMOLED显示面板结构具有显示区、及围绕在所述显示区外围的左边框区、右边框区、上边框区、与下边框区;所述行驱动电路与列驱动电路共同位于所述下边框区内;所述左边框区、右边框区、与上边框区仅作封装用。
所述第一金属层还包括电源线,所述第二金属层还包括连接所述电源线的第一导线,所述第三金属层还包括连接所述第一导线的第二导线。
可选的,所述一行驱动电路单独封装在一颗行驱动芯片内,所述一列驱动电路单独封装在一颗列驱动芯片内。
可选的,所述一行驱动电路与所述一列驱动电路整合封装在一颗集成驱动芯片内。
所述扫描线与转接线之间设置有缓冲层,一扫描线经由贯穿所述缓冲层的第一过孔对应电性连接一转接线。
所述左边框区、右边框区、与上边框区采用薄膜封装。
所述AMOLED显示面板结构还包括衬底基板、与所述扫描线一体的栅极、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、与所述数据线一体的源极、及与所述数据线位于同一层的漏极;
所述转接线与电源线设置在所述衬底基板上,所述缓冲层覆盖所述衬底基板、转接线、与电源线,所述扫描线及第一导线设在所述缓冲层上,所述栅极绝缘层覆盖所述缓冲层、扫描线、与扫描线一体的栅极、及第一导线,所述有源层设在所述栅极绝缘层上,所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层与栅极绝缘层,所述数据线、与所述数据线一体的源极、漏极、及第二导线均设在所述刻蚀阻挡层上;
所述第一导线经由贯穿所述缓冲层的第二过孔接触所述电源线;所述与数据线一体的源极、及漏极分别经由贯穿所述刻蚀阻挡层的第三过孔、第四过孔接触所述有源层的两侧;所述第二导线经由贯穿所述刻蚀阻挡层与栅极绝缘层的第五过孔接触所述第一导线。
所述转接线、电源线、扫描线、与扫描线一体的栅极、第一导线、数据线、与数据线一体的源极、漏极、及第二导线的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。
所述缓冲层、栅极绝缘层、与刻蚀阻挡层的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的组合;所述衬底基板为玻璃基板。
本发明的有益效果:本发明提供的一种AMOLED显示面板结构,设置有与扫描线同等数目的沿纵向延伸的转接线,通过一转接线对应电性连接一沿横向延伸的扫描线,将扫描线转接至行驱动电路,使行驱动电路得以与列驱动电路一样设置在下边框区内,从而左边框区、右边框区、与上边框区能够仅作封装用,相比现有技术减少了AMOLED显示面板的左边框区与右边框区的宽度,使得上边框区、左边框区、与右边框区均为超窄边框,达到AMOLED显示面板三边近乎无边框的状态。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图中,
图1为现有的AMOLED显示面板的前视示意图;
图2为现有的AMOLED显示面板的内部电路走线示意图;
图3为本发明的AMOLED显示面板结构的前视示意图;
图4为本发明的AMOLED显示面板结构的内部电路走线的第一实施例的示意图;
图5为本发明的AMOLED显示面板结构的内部电路走线的第二实施例的示意图;
图6为对应于图4中H处或图5中H’处的放大示意图;
图7为本发明的AMOLED显示面板结构的剖面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图3、图4、图6、与图7,或同时参阅图3、图5、图6、与图7,本发明提供一种AMOLED显示面板结构,包括第一金属层M1、第二金属层M2、第三金属层M3、数个行驱动电路91、及数个列驱动电路92。
所述第二金属层M2包括多条沿横向延伸的扫描线11,所述第三金属层包括多条沿纵向延伸并与所述扫描线11绝缘交叉的数据线21,所述第一金属层M1包括与所述扫描线11同等数目的沿纵向延伸的转接线31。一转接线31对应电性连接一扫描线11,一行驱动电路91对应电性连接数条转接线31,一列驱动电路92对应电性连接数条数据线21。
所述AMOLED显示面板结构具有显示区AA、及围绕在所述显示区AA外围的左边框区B1、右边框区B2、上边框区B3、与下边框区B4。所述行驱动电路91与列驱动电路92共同位于所述下边框区B4内。所述行驱动电路91向所述转接线31输入扫描信号,所述转接线31再将扫描信号传输、转接至扫描线11;所述列驱动电路92向所述数据线21输入数据信号;AMOLED显示面板在扫描信号与数据信号的控制下进行显示。
相比现有技术将行驱动电路设置在AMOLED显示面板的左边框区与右边框区,本发明的AMOLED显示面板结构设置有与扫描线11同等数目的沿纵向延伸的转接线31,通过一转接线31对应电性连接一沿横向延伸的扫描线11,将扫描线11转接至行驱动电路91,在不占用原有走线布局空间的前提下,使行驱动电路91得以与列驱动电路92一样设置在下边框区B4内,从而左边框区B1、右边框区B2、与上边框区B3能够仅作封装用,相比现有技术减少了AMOLED显示面板的左边框区与右边框区的宽度,使得上边框区B3、左边框区B1、与右边框区B2均为超窄边框,达到AMOLED显示面板三边近乎无边框的状态。
进一步地,所述左边框区B1、右边框区B2、与上边框区B3采用薄膜封装,保证左边框区B1、右边框区B2、与上边框区B3的宽度足够窄。
可选地,如图4所示,所述一行驱动电路91单独封装在一颗行驱动芯片IC1内,所述一列驱动电路92单独封装在一颗列驱动芯片IC2内;也可如图5所示,所述一行驱动电路91与所述一列驱动电路92整合封装在一颗集成驱动芯片IC3内。
具体地,所述扫描线11与转接线31可以但不限于如图7所示那样分属于不同的层别,所述扫描线11与转接线31之间设置有缓冲层4,一扫描线11经由贯穿所述缓冲层4的第一过孔41对应电性连接一转接线31。
进一步地,所述第一金属层M1还包括电源线32,所述第二金属层M2还包括连接所述电源线32的第一导线12,所述第三金属层还包括连接所述第一导线12的第二导线23。与现有技术将电源线设置于数据线所在的金属层不同,本发明可以在所述第一金属层M1内设置电源线32,用于布局VDD、VSS等实体线路,能够节省像素布局空间。
仍以图7为例,在本发明的一优选实施例中,所述AMOLED显示面板结构还包括衬底基板5、与所述扫描线11一体的栅极、栅极绝缘层6、有源层7、刻蚀阻挡层8、与所述数据线21一体的源极、及与所述数据线21位于同一层的漏极22。
所述转接线31与电源线32设置在所述衬底基板5上,所述缓冲层4覆盖所述衬底基板5、转接线31、与电源线32,所述扫描线11及第一导线12设在所述缓冲层4上,所述栅极绝缘层6覆盖所述缓冲层4、扫描线11、与扫描线11一体的栅极、及第一导线12,所述有源层7设在所述栅极绝缘层6上,所述刻蚀阻挡层8覆盖所述有源层7与栅极绝缘层6,所述数据线21、与所述数据线21一体的源极、漏极22、及第二导线23均设在所述刻蚀阻挡层8上。所述第一导线12经由贯穿所述缓冲层4的第二过孔42接触所述电源线32;所述与数据线21一体的源极、及漏极22分别经由贯穿所述刻蚀阻挡层8的第三过孔81、第四过孔82接触所述有源层7的两侧;所述第二导线23经由贯穿所述刻蚀阻挡层8与栅极绝缘层6的第五过孔68接触所述第一导线12。所述与扫描线11一体的栅极、栅极绝缘层6、有源层7、刻蚀阻挡层8、所述与数据线21一体的源极、及漏极22构成刻蚀阻挡(ESL)型TFT。当然,在本发明的其他实施例中,TFT也可以采用现有技术中常用的其他类型的TFT结构,这并不会影响本发明的实现。
进一步地,所述衬底基板5优选为玻璃基板;所述转接线31、电源线32、扫描线11、与扫描线11一体的栅极、第一导线12、数据线21、与数据线21一体的源极、漏极22、及第二导线23的材料均为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或几种的层叠组合;所述缓冲层4、栅极绝缘层6、与刻蚀阻挡层8的材料均为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合。
本发明的AMOLED显示面板结构尤其适用于超窄边框的高解析度顶发射型AMOLED显示面板,亦可应用于超窄边框的低解析度的底发射型AMOLED显示面板。
综上所述,本发明的AMOLED显示面板结构,设置有与扫描线同等数目的沿纵向延伸的转接线,通过一转接线对应电性连接一沿横向延伸的扫描线,将扫描线转接至行驱动电路,使行驱动电路得以与列驱动电路一样设置在下边框区内,从而左边框区、右边框区、与上边框区能够仅作封装用,相比现有技术减少了AMOLED显示面板的左边框区与右边框区的宽度,使得上边框区、左边框区、与右边框区均为超窄边框,达到AMOLED显示面板三边近乎无边框的状态。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种AMOLED显示面板结构,其特征在于,包括第一金属层(M1)、第二金属层(M2)、第三金属层(M3)、数个行驱动电路(91)、及数个列驱动电路(92);
所述第二金属层(M2)包括多条沿横向延伸的扫描线(11),所述第三金属层包括多条沿纵向延伸并与所述扫描线(11)绝缘交叉的数据线(21),所述第一金属层(M1)包括与所述扫描线(11)同等数目的沿纵向延伸的转接线(31);一转接线(31)对应电性连接一扫描线(11),一行驱动电路(91)对应电性连接数条转接线(31),一列驱动电路(92)对应电性连接数条数据线(21);
所述AMOLED显示面板结构具有显示区(AA)、及围绕在所述显示区(AA)外围的左边框区(B1)、右边框区(B2)、上边框区(B3)、与下边框区(B4);所述行驱动电路(91)与列驱动电路(92)共同位于所述下边框区(B4)内;所述左边框区(B1)、右边框区(B2)、与上边框区(B3)仅作封装用。
2.如权利要求1所述的AMOLED显示面板结构,其特征在于,所述第一金属层(M1)还包括电源线(32),所述第二金属层(M2)还包括连接所述电源线(32)的第一导线(12),所述第三金属层还包括连接所述第一导线(12)的第二导线(23)。
3.如权利要求1所述的AMOLED显示面板结构,其特征在于,所述一行驱动电路(91)单独封装在一颗行驱动芯片(IC1)内,所述一列驱动电路(92)单独封装在一颗列驱动芯片(IC2)内。
4.如权利要求1所述的AMOLED显示面板结构,其特征在于,所述一行驱动电路(91)与所述一列驱动电路(92)整合封装在一颗集成驱动芯片(IC3)内。
5.如权利要求2所述的AMOLED显示面板结构,其特征在于,所述扫描线(11)与转接线(31)之间设置有缓冲层(4),一扫描线(11)经由贯穿所述缓冲层(4)的第一过孔(41)对应电性连接一转接线(31)。
6.如权利要求1至5任一项所述的AMOLED显示面板结构,其特征在于,所述左边框区(B1)、右边框区(B2)、与上边框区(B3)采用薄膜封装。
7.如权利要求5所述的AMOLED显示面板结构,其特征在于,还包括衬底基板(5)、与所述扫描线(11)一体的栅极、栅极绝缘层(6)、有源层(7)、刻蚀阻挡层(8)、与所述数据线(21)一体的源极、及与所述数据线(21)位于同一层的漏极(22);
所述转接线(31)与电源线(32)设置在所述衬底基板(5)上,所述缓冲层(4)覆盖所述衬底基板(5)、转接线(31)、与电源线(32),所述扫描线(11)及第一导线(12)设在所述缓冲层(4)上,所述栅极绝缘层(6)覆盖所述缓冲层(4)、扫描线(11)、与扫描线(11)一体的栅极、及第一导线(12),所述有源层(7)设在所述栅极绝缘层(6)上,所述刻蚀阻挡层(8)覆盖所述有源层(7)与栅极绝缘层(6),所述数据线(21)、与所述数据线(21)一体的源极、漏极(22)、及第二导线(23)均设在所述刻蚀阻挡层(8)上;
所述第一导线(12)经由贯穿所述缓冲层(4)的第二过孔(42)接触所述电源线(32);所述与数据线(21)一体的源极、及漏极(22)分别经由贯穿所述刻蚀阻挡层(8)的第三过孔(81)、第四过孔(82)接触所述有源层(7)的两侧;所述第二导线(23)经由贯穿所述刻蚀阻挡层(8)与栅极绝缘层(6)的第五过孔(68)接触所述第一导线(12)。
8.如权利要求7所述的AMOLED显示面板结构,其特征在于,所述转接线(31)、电源线(32)、扫描线(11)、与扫描线(11)一体的栅极、第一导线(12)、数据线(21)、与数据线(21)一体的源极、漏极(22)、及第二导线(23)的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。
9.如权利要求7所述的AMOLED显示面板结构,其特征在于,所述缓冲层(4)、栅极绝缘层(6)、与刻蚀阻挡层(8)的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的组合;所述衬底基板(5)为玻璃基板。
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