CN110034150B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110034150B
CN110034150B CN201910228922.0A CN201910228922A CN110034150B CN 110034150 B CN110034150 B CN 110034150B CN 201910228922 A CN201910228922 A CN 201910228922A CN 110034150 B CN110034150 B CN 110034150B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
flexible substrate
display panel
thin film
metal wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910228922.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110034150A (zh
Inventor
袁永
李喜烈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201910228922.0A priority Critical patent/CN110034150B/zh
Priority to US16/447,044 priority patent/US11545508B2/en
Publication of CN110034150A publication Critical patent/CN110034150A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110034150B publication Critical patent/CN110034150B/zh
Priority to US18/070,931 priority patent/US20230090279A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，包括：第一柔性基板；金属布线层，金属布线层位于第一柔性基板的其中一侧，且金属布线层包括至少一条第一电源线，第一柔性基板远离金属布线层的一侧设置有至少一个绑定区；薄膜晶体管层，薄膜晶体管层位于金属布线层远离第一柔性基板的一侧，且薄膜晶体管层包括多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极和第一电源线电连接；以及第一导电层，第一导电层包括多个导电部，多个导电部位于绑定区内；第一电源线和至少一个导电部电连接。相对于现有技术，在对多个显示面板进行拼接时，相邻两个显示面板之间的拼接缝宽度可以较小，有利于确保画面显示的连续性，改善视觉效果。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
在影院、会议室、露天等场合，经常要用到超大屏的显示器，由于超大屏显示器的显示面积较大，一般采用拼接多个较小显示面积的显示器的形式，并利用图像分割器将所要显示的图像分割为多个部分，分别传送至各较小显示面积的显示器进行显示。
对于较小显示面积的显示器而言，其通常包括显示区和绑定区，显示区中的信号线需在绑定区与驱动芯片(Integrated Circuit，IC)和/或柔性线路板(Flexible PrintedCircuit，FPC)连接，从而通过驱动芯片和/或柔性线路板为显示区的信号线提供相应的电信号，实现显示区画面的显示。但由于现有技术通常将显示区和绑定区在显示器的同侧设置，导致显示器拼接后，相邻显示器的显示区之间会隔着绑定区，从而导致相邻的显示器之间存在较宽的拼接缝，这些拼接缝的存在影响了所需显示的图像的连续性，使得超大屏显示器在显示图像时难以得到所需的视觉效果。
为此，目前的解决方法主要是将较小显示面积的显示器设计为柔性显示器，将柔性显示器的绑定区弯折一定角度后再进行拼接工作，但相邻柔性显示器之间还是不可避免地会产生一定宽度的拼接缝，在视觉效果要求较高的场合，这种拼接得到的超大屏显示器仍然难以符合要求。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，以解决现有技术中拼接缝破坏画面显示连续性的问题。
本发明提供了一种显示面板，包括：第一柔性基板；金属布线层，金属布线层位于第一柔性基板的其中一侧，且金属布线层包括至少一条第一电源线，第一柔性基板远离金属布线层的一侧设置有至少一个绑定区；薄膜晶体管层，薄膜晶体管层位于金属布线层远离第一柔性基板的一侧，且薄膜晶体管层包括多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极和第一电源线电连接；以及第一导电层，第一导电层包括多个导电部，多个导电部位于绑定区内；第一电源线和至少一个导电部电连接。
本发明提供了一种显示面板的制作方法，包括：提供一玻璃基板；在玻璃基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一导电层，图案化第一导电层，形成多个导电部；在第一导电层上依次形成第一柔性基板和金属布线层，图案化金属布线层，形成至少一条第一电源线；其中，第一柔性基板远离金属布线层的一侧设置有至少一个绑定区，多个导电部位于绑定区内；第一电源线和至少一个导电部电连接；在金属布线层上形成薄膜晶体管层；其中，薄膜晶体管层包括多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极和第一电源线电连接；将牺牲层从导电部和第一柔性基板上剥离。
本发明还提供了另一种显示面板的制作方法，包括：提供一玻璃基板；在玻璃基板上形成第二柔性基板；在第二柔性基板上形成第一导电层，图案化第一导电层，形成多个导电部；在第一导电层上依次形成第一柔性基板和金属布线层，图案化金属布线层，形成至少一条第一电源线；其中，第一柔性基板远离金属布线层的一侧设置有至少一个绑定区，多个导电部位于绑定区内；第一电源线和至少一个导电部电连接；在金属布线层上形成薄膜晶体管层；其中，薄膜晶体管层包括多个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一极和第一电源线电连接；将玻璃基板从第二柔性基板上剥离；图案化第二柔性基板，形成至少一个槽口，槽口暴露出至少部分导电部。
此外，本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的显示面板及其制作方法、显示装置，至少实现了如下的有益效果：
利用金属布线层设置薄膜晶体管层中第一薄膜晶体管的电源走线，一方面，金属布线层位于薄膜晶体管层和第一柔性基板之间，第一电源线在金属布线层内可以占有足够的空间，受线路排布等因素的影响较小，有利于减小第一薄膜晶体管之间的电压差异，提高显示面板画面显示的均一性；另一方面，金属布线层的第一电源线和导电部电连接，且导电部位于绑定区内，从而可以通过导电部实现第一电源线和外接线路之间的电信号传输，确保显示面板能够正常显示画面。此外，由于绑定区设置于第一柔性基板远离金属布线层的一侧，也即显示面板用于画面显示的区域和绑定区可以相对设置，在对多个显示面板进行拼接时，相邻两个显示面板之间的拼接缝宽度可以较小，有利于确保画面显示的连续性，改善视觉效果。
当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是图1中沿M方向的一种结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种第二阻隔部和导电部之间的排布结构示意图；
图7是图6中沿A-A方向的一种剖面结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种第二阻隔部和导电部之间的排布结构示意图；
图9是图8中沿B-B方向的一种剖面结构示意图；
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；
图14是图12中沿C-C方向的一种剖面结构示意图；
图15是图12中沿C-C方向的另一种剖面结构示意图；
图16是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图；
图17-图21是图16所示的制作方法的剖面结构示意图；
图22是本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程图；
图23是图22所示的制作方法的剖面结构示意图；
图24是本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法流程图；
图25-图27是图24所示的制作方法的剖面结构示意图；
图28是本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法流程图；
图29-图31是图28所示的制作方法的剖面结构示意图；
图32是本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法流程图；
图33-图37是图32所示的制作方法的剖面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请结合参考图1和图2所示，本发明提供了一种显示面板，包括：第一柔性基板10；金属布线层20，金属布线层20位于第一柔性基板10的其中一侧，且金属布线层20包括至少一条第一电源线21，第一柔性基板10远离金属布线层20的一侧设置有至少一个绑定区B；
薄膜晶体管层30，薄膜晶体管层30位于金属布线层20远离第一柔性基板10的一侧，且薄膜晶体管层30包括多个第一薄膜晶体管31，第一薄膜晶体管31的第一极a和第一电源线21电连接；
以及第一导电层40，第一导电层40包括多个导电部41，多个导电部41位于绑定区B内；第一电源线21和至少一个导电部41电连接。
具体的，第一柔性基板10作为显示面板的基板，具有柔性可变形、可弯曲等特点，其材料可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯或玻璃纤维增强塑料等聚合物材料中的至少一者，本实施例对此并不作具体限制。
显示面板通常包括阵列排布的若干像素单元(Pixel)，每个像素单元含有至少两个子像素(Sub Pixel)，分别控制每个子像素的亮度使每个像素单元混色显示不同的明暗度，进而通过控制各像素单元分别显示不同的颜色、亮度，即可显示一幅画面，而为了使每个子像素能够被单独驱动，需要在显示面板内设置一定数量的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)。
本实施例中，薄膜晶体管层30包括多个第一薄膜晶体管31，第一薄膜晶体管31的第一极a和金属布线层20的第一电源线21电连接，从而可以通过第一电源线21为第一薄膜晶体管31提供所需的电源电压信号，该电源电压信号可以为恒定的电压信号。第一薄膜晶体管31的膜层结构可以有多种，本实施例仅以图1所示的膜层结构为例进行说明：第一薄膜晶体管31除第一极a外，还可以包括第二极b、半导体层c、栅极g，第一极a和第二极b均与半导体层c电连接，从而使其能够表现出较好的开关特性。根据第一薄膜晶体管31的类型及栅极g的信号，可以将第一极a作为其源极、第二极b作为其漏极；或者，可以将第一极a作为其漏极、第二极b作为其源极；同时，薄膜晶体管层30除和第一电源线21电连接的第一薄膜晶体管31外，还可以包括其他薄膜晶体管，比如用于接收数据线的数据信号的薄膜晶体管等等，但本实施例对此并不作具体限制，图1中仅对薄膜晶体管层30中的第一薄膜晶体管31进行了示意。
薄膜晶体管层30位于金属布线层20远离第一柔性基板10的一侧，也即金属布线层20位于薄膜晶体管层30和第一柔性基板10之间，此时第一电源线21可以和第一薄膜晶体管31异层设置，第一电源线21在金属布线层20内可以占有足够的空间，能够有效防止第一电源线21之间或者第一电源线21和其他线路之间产生耦合影响，并且第一电源线21的阻抗也可以设置地较小，有利于减小第一薄膜晶体管31之间的电压差异，提高画面显示的均一性。此外，通过合理设置第一电源线21的数量、形状、排布方式等因素，使得第一薄膜晶体管31的第一极a可以直接或间接地和第一电源线21电连接，但本实施例对此并不作具体限制，图1中仅以部分第一薄膜晶体管31的第一极a直接和第一电源线21电连接为例进行了示意。
第一柔性基板10远离金属布线层20的一侧设置有绑定区B，绑定区B主要用于将外接线路绑定至显示面板上，以为显示面板内相应的线路提供电信号，使得显示面板能够正常显示画面。由于绑定区B位于第一柔性基板10远离金属布线层20的一侧，而第一柔性基板10远离金属布线层20的一侧通常不用于画面显示，作为显示面板的背面，此时显示面板和该背面相对的正面则通常作为出光面，用于画面显示，从而可以将绑定区B和用于画面显示的区域相对设置，相较于现有技术中将两者同侧设置，采用多个本实施例的显示面板进行拼接时，可以有效防止相邻两个显示面板之间的拼接缝因绑定区B的存在使其宽度较大情况的出现，使得拼接后的显示面板在进行画面显示时，画面整体具有较好的连续性，能够有效改善拼接屏的视觉效果，提升画面显示的品质，更易于实现拼接屏的无边框设计。
绑定区B的数量可以根据实际情况设置一个或多个，本实施例对此并不作具体限制，图1和图2中仅以设置一个绑定区B为例进行了示意；同时，后续会结合显示面板的其他膜层结构对拼接屏进行更加详细的说明。
第一导电层40的导电部41位于绑定区B内，且第一电源线21和导电部41电连接，使得外接线路的电压信号可以通过导电部41传输至第一电源线21，从而实现第一电源线21和外接线路之间的电信号传输。其中，第一电源线21可以根据实际需要和一个或多个导电部41电连接，外接线路可以包括驱动芯片、柔性线路板中的至少一者，但本实施例对此并不作具体限制。
本实施例提供的显示面板，至少具有如下的技术效果：
利用金属布线层设置薄膜晶体管层中第一薄膜晶体管的电源走线，一方面，金属布线层位于薄膜晶体管层和第一柔性基板之间，第一电源线在金属布线层内可以占有足够的空间，受线路排布等因素的影响较小，有利于减小第一薄膜晶体管之间的电压差异，提高显示面板画面显示的均一性；另一方面，金属布线层的第一电源线和导电部电连接，且导电部位于绑定区内，从而可以通过导电部实现第一电源线和外接线路之间的电信号传输，确保显示面板能够正常显示画面。此外，由于绑定区设置于第一柔性基板远离金属布线层的一侧，也即显示面板用于画面显示的区域和绑定区可以相对设置，在对多个显示面板进行拼接时，相邻两个显示面板之间的拼接缝宽度可以较小，有利于确保画面显示的连续性，改善视觉效果。
可选的，请继续参考图1所示，显示面板还包括缓冲层11，缓冲层11位于第一柔性基板10和金属布线层20之间。
本实施例中，通过在第一柔性基板10和金属布线层20之间设置缓冲层11，一方面，有利于增强第一柔性基板10和金属布线层20之间的粘附性，以降低甚至消除显示面板在弯曲过程中金属布线层20和第一柔性基板10发生脱落的风险；另一方面，缓冲层11可以有效阻挡形成金属布线层20时的高温，对第一柔性基板10具有较好的保护作用。
用于形成缓冲层11的材料可以有多种，比如氧化硅、氮化硅中的一种或多种，当然也可以是其他材料，但本实施例对此并不作具体限制，只要确保缓冲层11能够具有上述作用即可。
在一些可选的实施例中，请参考图3所示，显示面板还包括发光层50，发光层50位于薄膜晶体管层30远离金属布线层20的一侧；发光层50包括多个发光器件51，发光器件51和第一薄膜晶体管31的第二极b耦接。
本实施例中，发光层50的各发光器件51设置于薄膜晶体管层30远离金属布线层20的一侧，且图3示意了发光器件51和第一薄膜晶体管31的第二极b电连接，从而可以通过第一薄膜晶体管31的导通与否来控制发光器件51是否发光，使得显示面板能够显示画面。显示面板每个像素单元内发光器件51的数量可以根据实际需要设置，比如像素单元发出的光由蓝光、绿光和红光混合而成，此时可以为每个像素单元设置三个子像素，且三个子像素内的发光器件51可以分别发出蓝光、绿光和红光，但本实施例对此并不作具体限制。
发光器件51可以是无机发光二极管(Inorganic Light Emitting Diode,LED)或者有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)，当然也可以是其他具有发光功能的器件；并且这些发光器件51可以直接基于薄膜晶体管层30的膜层结构堆叠形成，也可以单独制作后再转运至显示面板上，但本实施例对此均不作具体限制。以发光器件51为Micro LED器件为例，由于Micro LED器件相较于普通无机发光二极管，其尺寸大小远远小于普通无机发光二极管的大小，比如其尺寸可以为普通无机发光二极管的1％左右，采用转运的制作方式能够有效降低制程的难度、缩短制程周期。
此外，发光器件51可以直接和第一薄膜晶体管31的第二极b电连接，比如图3所示；也可以通过其他膜层结构或者通过其他的薄膜晶体管间接地和第一薄膜晶体管31的第二极b电连接，但本实施例对此并不作具体限制，图3仅以前者为例进行了示意；同时，为了更加直观地示意本实施例的技术方案，图3中未示意出其他膜层结构。
在一些可选的实施例中，请参考图4所示，金属布线层20还包括第一阻隔部22，第一阻隔部22包括多个第一子部221；在垂直于第一柔性基板10所在平面的方向上，第一薄膜晶体管31的半导体层c的正投影和第一子部221的正投影至少部分相交叠。
具体的，第一薄膜晶体管31的半导体层c的材料一般采用金属氧化物或硅材料，前者可以包括铟、镓等金属元素中的一种或多种形成的金属氧化物半导体，后者可以包括非晶硅和多晶硅。本实施例中，第一子部221在垂直于第一柔性基板10所在平面方向上的正投影和半导体层c的正投影至少部分相交叠，从而可以通过第一子部221有效防止半导体层c受外部光线的影响，以确保第一薄膜晶体管31的电学特性，第一子部221和半导体层c之间的尺寸关系可以根据实际情况设置，本实施例对此并不作具体限制。同理，薄膜晶体管层30中的其他薄膜晶体管也可以设置相应的第一子部221。
第一阻隔部22所采用的金属材料可以和第一电源线21所采用的金属材料相同，此时第一阻隔部22上的第一子部221可以和第一电源线21一同图案化形成；当然，第一阻隔部22所采用的金属材料也可以和第一电源线21所采用的金属材料不同，本实施例对此并不作具体限制，且第一阻隔部22所采用的金属材料包括但不局限于钼、铝、铜。
可选的，请参考图5所示，金属布线层20还包括第二阻隔部23；在垂直于第一柔性基板10所在平面的方向上，第二阻隔部23的正投影和导电部41的正投影至少部分相交叠。
本实施例中，第二阻隔部23在垂直于第一柔性基板10所在平面方向上的正投影和导电部41的正投影至少部分相交叠，从而在将导电部41和外接线路绑定时，第二阻隔部23可以有效防止外接线路对显示面板内第一薄膜晶体管31等器件的信号干扰，确保显示面板能够正常显示画面。
第二阻隔部23在垂直于第一柔性基板10所在平面方向上的正投影可以和半导体层c的正投影存在交叠区域，并且在交叠较大的情况下可以无需另外设置与该半导体层c对应的第一子部221；当然，第二阻隔部23在垂直于第一柔性基板10所在平面方向上的正投影也可以和半导体层c的正投影不交叠，从而使得第一导电层40中各导电部41的排布更加灵活，但本实施例对此并不作具体限制。
第二阻隔部23所采用的金属材料可以和第一阻隔部22所采用的金属材料相同，此时第二阻隔部23可以和第一阻隔部22上的第一子部221一同图案化形成；当然，第二阻隔部23所采用的金属材料也可以和第一阻隔部22所采用的金属材料不同；第二阻隔部23和导电部41之间的尺寸关系可以根据实际情况设置，但本实施例对此均不作具体限制。
可选的，请结合参考图5、图6和图7所示，第二阻隔部23为面状结构，且在垂直于第一柔性基板10所在平面的方向上，第二阻隔部23的正投影和多个导电部41的正投影均相交叠，有利于降低制程工艺的难度，并且第二阻隔部23可以有效防止外接线路对显示面板内第一薄膜晶体管31等器件的信号干扰，确保显示面板能够正常显示画面。
面状结构第二阻隔部23的形状可以有多种，比如矩形、椭圆形、圆形等等，本实施例对此并不作具体限制，并且第二阻隔部23应避开第一电源线21设置，以防止第二阻隔部23对第一电源线21的电压信号造成影响；同时，为了防止第二阻隔部23因产生静电而影响显示面板画面的正常显示，需要对第二阻隔部23进行防静电处理，比如将第二阻隔部23接地等等。
可选的，请结合参考图5、图8和图9所示，第二阻隔部23包括多个第二子部231；在垂直于第一柔性基板10所在平面的方向上，第二子部231和导电部41交错设置。
本实施例中，通过将第二阻隔部23设置为多个第二子部231，一方面，第二子部231之间可以留有一定的间隙，能够有效防止静电在第二子部231之间传输，提高第二阻隔部23的防静电能力；另一方面，在垂直于第一柔性基板10所在平面的方向上，通过将第二子部231和导电部41交错设置，能够有效增加第二子部231和导电部41在第一柔性基板10上的正投影总面积，从而当采用激光照射等工艺将外接线路绑定至绑定区B时，交错设置的第二子部231和导电部41既能够有效防止半导体层c受激光等光线的影响，又能够有效防止外接线路对第一薄膜晶体管31等器件的信号干扰，确保显示面板能够正常显示画面。
第二子部231和导电部41的尺寸均可以根据实际需要设置，并且为了更好地达到上述效果，可以将第二子部231之间的间隙设置地较小，或者也可以将该间隙在垂直于第一柔性基板10所在平面方向上的正投影尽可能地和半导体部41的正投影相交叠，但本实施例对此并不作具体限制。
在一些可选的实施例中，请参考图10所示，显示面板还包括多条第二电源线32，第二电源线32和第一薄膜晶体管31的第一极a同层设置；第一薄膜晶体管31的第一极a和第二电源线32电连接，第二电源线32通过至少一个过孔33和第一电源线21电连接。
本实施例中，第二电源线32和第一薄膜晶体管31的第一极a同层设置，也即第二电源线32可以和第一极a采用相同的材料图案化形成，有利于降低制程工艺的难度，提高显示面板的生产效率；当然，为了降低第二电源线32的阻抗，也可以采用比第一极a所用材料阻抗更小的材料图案化形成，但本实施例对此并不作具体限制。
第二电源线32和第一电源线21电连接，使得第一电源线21上的电压信号可以通过过孔33传输至第二电源线32上，第一电源线21、第二电源线32所用材料之间的阻抗关系以及过孔33的数量均可以根据实际需要设置，只要能够减小第一薄膜晶体管31之间的电压差异即可，本实施例对此并不作具体限制，使得显示面板在进行画面显示时具有较好的均一性。
可选的，请继续参考图10所示，第一电源线21的宽度大于第二电源线32的宽度。
由于第二电源线32所在膜层的线路排布较为密集，为了防止线路之间产生耦合影响，只能将第二电源线32设置地较细，也即宽度较小，但会使得第二电源线32的阻抗较大，通过将第二电源线32和宽度较大的第一电源线21电连接，有利于减小传输至各第一薄膜晶体管31上的电压差异，此时为了进一步减小该电压差异，也可以增加过孔33的数量，从而能够进一步提高显示面板画面显示的均一性。
第一电源线21所用的材料可以和第二电源线32所用的材料相同，也可以和第二电源线32所用的材料不同，本实施例对此并不作具体限制。
在一些可选的实施例中，请参考图11所示，显示面板还包括第二柔性基板60，第二柔性基板60位于第一柔性基板10远离金属布线层20的一侧；第二柔性基板60包括至少一个槽口61，槽口61暴露出至少部分导电部41。
本实施例中，第一柔性基板10远离金属布线层20的一侧设置有第二柔性基板60，从而可以通过第二柔性基板60对第一柔性基板10和第一导电层40起到较好的保护作用，有利于提高显示面板性能的稳定性。第二柔性基板60的槽口61主要用于根据实际需要暴露出至少部分的导电部41，以便通过暴露出的导电部41将外接线路绑定至显示面板上，此时通过合理设置槽口61的尺寸，第二柔性基板60对外接线路和导电部41之间的电连接结构也具有较好的保护作用，有利于提高导电部41和外接线路之间电连接结构的有效性。
第二柔性基板60和第一柔性基板10的尺寸以及所用的材料可以相同，也可以不同，本实施例对此并不作具体限制。
需要说明的是，为了更加直观地示意上述各实施例的技术方案，图1至图11中未示意出其他膜层结构。
本发明提供了一种显示装置，包括本发明上述任一实施例提供的显示面板。
请参考图12所示，本实施例的显示装置200包括本发明上述任一实施例提供的显示面板100。图12仅以手机为例，对显示装置200进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置还可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
可选的，请参考图13所示，本实施例的显示装置由多个本发明上述任一实施例提供的显示面板100拼接而成。请结合参考图2所示，本发明上述任一实施例提供的显示面板100中，外接线路绑定至显示面板的绑定区B内，而绑定区B位于显示面板100的背面，显示面板和该背面相对的正面用于画面显示，此时显示面板100的边框可以设置地较小，相邻两个显示面板100之间拼接缝G的宽度也可以较小，在进行画面显示时，人眼在视觉上基本不会感觉到这些拼接缝G的存在，使得个显示面板100所显示的画面之间具有较好的连续性，有效改善了显示装置200整体的画面视觉效果，同时，也更易于实现显示装置200的窄边框设计。
显示装置200中显示面板100的数量可以根据实际情况设置，且显示面板100之间的尺寸可以相同，也可以不同，本实施例对此并不作具体限制，图13仅以显示装置200由四个显示面板100拼接而成为例进行了示意。
可选的，请结合参考图12、图14和图15所示，显示装置还包括至少一个柔性线路板FPC；柔性线路板FPC包括第二导电层42，第二导电层42和导电部41电连接。
本实施例中，请继续参考图14所示，显示面板100的基板可以仅包括第一柔性基板10，此时柔性线路板FPC的第二导电层42可以直接采用热压等工艺和导电部41电连接，从而第二导电层42可以通过导电部41为显示面板100内相应的线路提供电信号。
请继续参考图15所示，显示面板100的基板也可以包括第一柔性基板10和第二柔性基板60，此时为了使柔性线路板FPC的第二导电层42可以和导电部41电连接，需要在第二柔性基板60上设置槽口61，以将至少部分导电部41暴露出。第二导电层42和导电部41电连接之后，可以在槽口61内填充适量的绝缘胶，比如UV胶等等，以对电连接结构进行绝缘保护，同时也可以将第二导电层42较好地限位在槽口61内。
本发明提供了一种显示面板的制作方法，请结合参考图1、图2、图16-图21所示，包括：
步骤101、提供一玻璃基板70；
步骤102、在玻璃基板70上形成牺牲层71；
步骤103、在牺牲层71上形成第一导电层40，图案化第一导电层40，形成多个导电部41；
步骤104、在第一导电层40上依次形成第一柔性基板10和金属布线层20，图案化金属布线层20，形成至少一条第一电源线21；其中，第一柔性基板10远离金属布线层20的一侧设置有至少一个绑定区B，多个导电部41位于绑定区B内；第一电源线21和至少一个导电部41电连接；
步骤105、在金属布线层20上形成薄膜晶体管层30；其中，薄膜晶体管层30包括多个第一薄膜晶体管31，第一薄膜晶体管31的第一极a和第一电源线21电连接；
步骤106、将牺牲层71从导电部41和第一柔性基板10上剥离。
具体的，玻璃基板70和第一柔性基板10之间的粘附性较强，为了在步骤106中玻璃基板70更易于从第一柔性基板10上剥离，需要在玻璃基板70的表面预先形成牺牲层71，此时应确保牺牲层71和第一柔性基板10之间的粘附性小于玻璃基板70和第一柔性基板10之间的粘附性。当然，玻璃基板70也可以用陶瓷基板、石英玻璃基板等刚性基板替代，本实施例对此并不作具体限制。
本实施例中，第一柔性基板10和金属布线层20依次形成，但在形成金属布线层20之前，可以预先在第一柔性基板10上形成缓冲层11，一方面，有利于增强第一柔性基板10和金属布线层20之间的粘附性，以降低甚至消除显示面板在弯曲过程中金属布线层20和第一柔性基板10发生脱落的风险；另一方面，缓冲层11可以有效阻挡形成金属布线层20时的高温，对第一柔性基板10具有较好的保护作用。缓冲层11所用的材料在上述实施例中已有说明，本实施例在此不再赘述。
在金属布线层20上形成薄膜晶体管层30，且薄膜晶体管30层中第一薄膜晶体管31的第一极a和第一电源线21电连接，从而可以通过第一电源线21为第一薄膜晶体管31提供所需的电压信号。第一薄膜晶体管31的制程可以同现有技术中薄膜晶体管的制程，本实施例在此不再赘述。
显示面板的膜层结构制作完成之后，可以将玻璃基板70通过牺牲层71从导电部41和第一柔性基板10上剥离，牺牲层71的具体剥离方式可以根据实际情况设置，本实施例对此并不作具体限制。
可选的，请继续参考图17-图21所示，牺牲层71的材料包括a-si、氧化硅、氮化硅中的任一者，这些材料和第一柔性基板10之间的粘附性远小于玻璃基板70和第一柔性基板10之间的粘附性，使得牺牲层71能够更易于从第一柔性基板10上剥离，有利于降低剥离工艺的难度，提高显示面板的生产效率。当然，牺牲层71也可以包括其他和第一柔性基板10之间粘附性较小的材料，但本实施例对此并不作具体限制。
可选的，请继续参考图17-图21所示，将牺牲层71从导电部41和第一柔性基板10上剥离包括：采用激光剥离工艺将牺牲层71从导电部41和第一柔性基板10上剥离。
本实施例中，激光剥离(Laser Lift-off)工艺可以利用激光能量分解玻璃70基板和第一柔性基板10之间的牺牲层71，也即通过激光照射牺牲层71可以将牺牲层71从导电部41和第一柔性基板10上剥离，该激光剥离工艺简单方便，有利于进一步提高显示面板的生产效率。
可选的，请结合参考图3、图22和图23所示，上述显示面板的制作方法，在步骤105之后、步骤106之前还包括：
步骤107、在薄膜晶体管层30远离金属布线层20的一侧形成发光层50；其中，发光层50包括多个发光器件51，发光器件51和第一薄膜晶体管31的第二极b耦接。
本实施例中，发光层50的各发光器件51设置于薄膜晶体管层30远离金属布线层20的一侧，可以有效防止发光层50靠近第一柔性基板10侧的线路排布对各发光器件51造成影响；同时，发光器件51和第一薄膜晶体管31的第二极b耦接，从而可以通过第一薄膜晶体管31的导通与否来控制发光器件51是否发光，使得显示面板能够显示画面。
发光器件51可以根据实际需要设置为无机发光二极管、有机发光二极管或其他具有发光功能的器件，从而发光器件51对应的制程可以同现有技术中具有发光功能的器件的制程，本实施例在此不再赘述。
可选的，请结合参考图24-图27所示，上述步骤104中，图案化金属布线层20，形成至少一条第一电源线21的同时，还形成有第一阻隔部22；第一阻隔部22包括多个第一子部221，且在垂直于第一柔性基板10所在平面的方向上，第一薄膜晶体管31的半导体层c的正投影和第一子部221的正投影至少部分相交叠。
本实施例中，金属布线层20中的第一电源线21和第一阻隔部22可以同时图案化形成，有利于减少制程工序和制程成本，提高显示面板的生产效率。第一子部221在垂直于第一柔性基板10所在平面方向上的正投影和半导体层c的正投影至少部分相交叠，从而在采用激光剥离等工艺将牺牲层71从导电部41和第一柔性基板10上剥离时，可以通过第一子部221有效防止半导体层c受激光等外部光线的影响，以确保第一薄膜晶体管31的电学特性。
可选的，请结合参考图28-图31所示，上述步骤104中，图案化金属布线层20，形成至少一条第一电源线21的同时，还形成有第二阻隔部23；在垂直于第一柔性基板10所在平面的方向上，第二阻隔部23的正投影和导电部41至少部分相交叠。
本实施例中，金属布线层20中的第一电源线21和第二阻隔部23可以同时图案化形成，有利于减少制程工序和制程成本，提高显示面板的生产效率。第二阻隔部23在垂直于第一柔性基板10所在平面方向上的正投影和导电部41的正投影至少部分相交叠，从而在将导电部41和外接线路绑定时，第二阻隔部23可以有效防止外接线路对显示面板内第一薄膜晶体管31等器件的信号干扰，确保显示面板能够正常显示画面。
第二阻隔部23和导电部41之间的排布结构可以有多种，比如图6或图8所示，本实施例对此并不作具体限制。并且在采用激光剥离等工艺将牺牲层71从导电部41和第一柔性基板10上剥离时，可以通过第二阻隔部23阻挡激光等外部光线，以确保位于导电部41附近的第一薄膜晶体管31的电学特性。当然，本实施例在图案化形成第一电源线21和第二阻隔部23时，也可以同时形成第一阻隔部22，比如图25-图27所示，以进一步确保第一薄膜晶体管31的电学特性。
此外，本发明还提供了另一种显示面板的制作方法，请结合参考图1、图2、图11、图17、图32-图37所示，包括：
步骤201、提供一玻璃基板70；
步骤202、在玻璃基板70上形成第二柔性基板60；
步骤203、在第二柔性基板60上形成第一导电层40，图案化第一导电层40，形成多个导电部41；
步骤204、在第一导电层40上依次形成第一柔性基板10和金属布线层20，图案化金属布线层20，形成至少一条第一电源线21；其中，第一柔性基板10远离金属布线层20的一侧设置有至少一个绑定区B，多个导电部41位于绑定区B内；第一电源线21和至少一个导电部41电连接；
步骤205、在金属布线层20上形成薄膜晶体管层30；其中，薄膜晶体管层30包括多个第一薄膜晶体管31，第一薄膜晶体管31的第一极a和第一电源线21电连接；
步骤206、将玻璃基板70从第二柔性基板60上剥离；
步骤207、图案化第二柔性基板60，形成至少一个槽口61，槽口61暴露出至少部分导电部41。
本实施例中，第一柔性基板10和金属布线层20依次形成，但在形成金属布线层20之前，也可以预先在第一柔性基板10上形成缓冲层11，关于缓冲层11、玻璃基板70、薄膜晶体管层30和第二柔性基板60，可以参考上述实施例的说明，本实施例在此不再赘述。
第二柔性基板60直接形成于玻璃基板70上，虽然第二柔性基板60和玻璃基板70之间的粘附性可能较强，但可以有效防止剥离操作对第一柔性基板10、第一导电层40等后续膜层结构的产生影响，相当于为第一柔性基板10提供了一层防护，有利于提高显示面板性能的稳定性以及产品的合格率。
在图案化第二柔性基板60以形成槽口61时，槽口61的数量、尺寸及形状等均可以根据实际情况设置，本实施例对此并不作具体限制，并且在将外接线路通过导电部41绑定至绑定区B后，可以在槽口61内填充适量的绝缘胶，比如UV胶等等，以对电连接结构进行绝缘保护，同时也可以将第二导电层42较好地限位在槽口61内。
需要说明的是，图11为经上述步骤201-步骤207制成的显示面板，其膜层结构较图1所示的显示面板的区别在于增加了第二柔性基板60，故绑定区B和导电部41之间的结构关系可以同图2所示。
可选的，请继续参考图33-图37所示，将玻璃基板70从第二柔性基板60上剥离包括：采用激光剥离工艺将玻璃基板70从第二柔性基板60上剥离。
本实施例中，通过采用简单方便的激光剥离工艺将玻璃基板70和第二柔性基板60分离开，有利于进一步提高显示面板的生产效率；同时，第二柔性基板60能够有效防止激光剥离工艺对第一柔性基板10、第一导电层40等后续膜层结构的产生影响，有利于进一步提高显示面板的生产效率。
通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板及其制作方法、显示装置，至少实现了如下的有益效果：
利用金属布线层设置薄膜晶体管层中第一薄膜晶体管的电源走线，一方面，金属布线层位于薄膜晶体管层和第一柔性基板之间，第一电源线在金属布线层内可以占有足够的空间，受线路排布等因素的影响较小，有利于减小第一薄膜晶体管之间的电压差异，提高显示面板画面显示的均一性；另一方面，金属布线层的第一电源线和导电部电连接，且导电部位于绑定区内，从而可以通过导电部实现第一电源线和外接线路之间的电信号传输，确保显示面板能够正常显示画面。此外，由于绑定区设置于第一柔性基板远离金属布线层的一侧，也即显示面板用于画面显示的区域和绑定区可以相对设置，在对多个显示面板进行拼接时，相邻两个显示面板之间的拼接缝宽度可以较小，有利于确保画面显示的连续性，改善视觉效果。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一柔性基板；
金属布线层，所述金属布线层位于所述第一柔性基板的其中一侧，且所述金属布线层包括至少一条第一电源线，所述第一柔性基板远离所述金属布线层的一侧设置有至少一个绑定区；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述金属布线层远离所述第一柔性基板的一侧，且所述薄膜晶体管层包括多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第一电源线电连接；
以及第一导电层，所述第一导电层包括多个导电部，所述多个导电部位于所述绑定区内；
所述第一电源线和至少一个所述导电部电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括发光层，所述发光层位于所述薄膜晶体管层远离所述金属布线层的一侧；
所述发光层包括多个发光器件，所述发光器件和所述第一薄膜晶体管的第二极耦接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述金属布线层还包括第一阻隔部，所述第一阻隔部包括多个第一子部；
在垂直于所述第一柔性基板所在平面的方向上，所述第一薄膜晶体管的半导体层的正投影和所述第一子部的正投影至少部分相交叠。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括多条第二电源线，所述第二电源线和所述第一薄膜晶体管的第一极同层设置；
所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二电源线电连接，所述第二电源线通过至少一个过孔和所述第一电源线电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电源线的宽度大于所述第二电源线的宽度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述金属布线层还包括第二阻隔部；
在垂直于所述第一柔性基板所在平面的方向上，所述第二阻隔部的正投影和所述导电部的正投影至少部分相交叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第二阻隔部包括多个第二子部；
在垂直于所述第一柔性基板所在平面的方向上，所述第二子部和所述导电部交错设置。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括第二柔性基板，所述第二柔性基板位于所述第一柔性基板远离所述金属布线层的一侧；
所述第二柔性基板包括至少一个槽口，所述槽口暴露出至少部分所述导电部。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一柔性基板和所述金属布线层之间。
10.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括至少一个柔性线路板；
所述柔性线路板包括第二导电层，所述第二导电层和所述导电部电连接。
12.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一玻璃基板；
在所述玻璃基板上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成第一导电层，图案化所述第一导电层，形成多个导电部；
在所述第一导电层上依次形成第一柔性基板和金属布线层，图案化所述金属布线层，形成至少一条第一电源线；其中，所述第一柔性基板远离所述金属布线层的一侧设置有至少一个绑定区，所述多个导电部位于所述绑定区内；所述第一电源线和至少一个所述导电部电连接；
在所述金属布线层上形成薄膜晶体管层；其中，所述薄膜晶体管层包括多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第一电源线电连接；
将所述牺牲层从所述导电部和所述第一柔性基板上剥离。
13.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
还包括在所述薄膜晶体管层远离所述金属布线层的一侧形成发光层；其中，所述发光层包括多个发光器件，所述发光器件和所述第一薄膜晶体管的第二极耦接。
14.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述图案化所述金属布线层，形成至少一条第一电源线的同时，还形成有第一阻隔部；
所述第一阻隔部包括多个第一子部，且在垂直于所述第一柔性基板所在平面的方向上，所述第一薄膜晶体管的半导体层的正投影和所述第一子部的正投影至少部分相交叠。
15.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述图案化所述金属布线层，形成至少一条第一电源线的同时，还形成有第二阻隔部；
在垂直于所述第一柔性基板所在平面的方向上，所述第二阻隔部的正投影和所述导电部至少部分相交叠。
16.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述将所述牺牲层从所述导电部和所述第一柔性基板上剥离包括：
采用激光剥离工艺将所述牺牲层从所述导电部和所述第一柔性基板上剥离。
17.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述牺牲层的材料包括a-si、氧化硅、氮化硅中的任一者。
18.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一玻璃基板；
在所述玻璃基板上形成第二柔性基板；
在所述第二柔性基板上形成第一导电层，图案化所述第一导电层，形成多个导电部；
在所述第一导电层上依次形成第一柔性基板和金属布线层，图案化所述金属布线层，形成至少一条第一电源线；其中，所述第一柔性基板远离所述金属布线层的一侧设置有至少一个绑定区，所述多个导电部位于所述绑定区内；所述第一电源线和至少一个所述导电部电连接；
在所述金属布线层上形成薄膜晶体管层；其中，所述薄膜晶体管层包括多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第一电源线电连接；
将所述玻璃基板从所述第二柔性基板上剥离；
图案化所述第二柔性基板，形成至少一个槽口，所述槽口暴露出至少部分所述导电部。
19.根据权利要求18所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述将所述玻璃基板从所述第二柔性基板上剥离包括：
采用激光剥离工艺将所述玻璃基板从所述第二柔性基板上剥离。
CN201910228922.0A 2019-03-25 2019-03-25 显示面板及其制作方法、显示装置 Active CN110034150B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910228922.0A CN110034150B (zh) 2019-03-25 2019-03-25 显示面板及其制作方法、显示装置
US16/447,044 US11545508B2 (en) 2019-03-25 2019-06-20 Display panel and fabrication method thereof, and display device
US18/070,931 US20230090279A1 (en) 2019-03-25 2022-11-29 Display panel and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910228922.0A CN110034150B (zh) 2019-03-25 2019-03-25 显示面板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110034150A CN110034150A (zh) 2019-07-19
CN110034150B true CN110034150B (zh) 2020-11-27

Family

ID=67236644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910228922.0A Active CN110034150B (zh) 2019-03-25 2019-03-25 显示面板及其制作方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US11545508B2 (zh)
CN (1) CN110034150B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110034150B (zh) * 2019-03-25 2020-11-27 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110416225A (zh) * 2019-07-24 2019-11-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种TFT驱动背板及Micro-LED显示器
TWI707490B (zh) * 2019-08-12 2020-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及顯示面板製作方法
CN113939915A (zh) * 2019-09-30 2022-01-14 空中客车德国运营有限责任公司 用于生产柔性oled屏幕的方法、以及柔性oled屏幕
CN110649042B (zh) * 2019-09-30 2021-12-14 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN114342091A (zh) * 2019-10-01 2022-04-12 日亚化学工业株式会社 图像显示装置的制造方法以及图像显示装置
WO2021065918A1 (ja) * 2019-10-01 2021-04-08 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法および画像表示装置
CN112331711B (zh) * 2020-01-14 2023-04-25 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板
TW202032226A (zh) * 2020-01-14 2020-09-01 友達光電股份有限公司 軟性電路結構
CN113140664A (zh) * 2020-01-20 2021-07-20 北京芯海视界三维科技有限公司 显示单元和显示器
KR20210117380A (ko) * 2020-03-18 2021-09-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN113539923A (zh) * 2020-04-22 2021-10-22 深圳市柔宇科技有限公司 电子装置及其制备方法
CN111584562A (zh) * 2020-05-08 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111724742B (zh) * 2020-06-11 2022-02-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111653598B (zh) * 2020-06-16 2023-02-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置和拼接屏
KR20220014347A (ko) * 2020-07-23 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
CN114267683A (zh) * 2020-09-15 2022-04-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示背板及其制备方法、显示装置
CN112071875B (zh) 2020-09-15 2023-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制作方法
CN112242414A (zh) * 2020-10-12 2021-01-19 华南理工大学 一种柔性显示屏及其制备方法、柔性显示装置
CN113053915A (zh) 2021-03-08 2021-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
KR20220129141A (ko) * 2021-03-15 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
CN113658518B (zh) * 2021-08-24 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN116071992A (zh) * 2021-11-02 2023-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN114694517B (zh) * 2022-03-25 2023-06-02 Tcl华星光电技术有限公司 拼接显示面板
CN117280472A (zh) * 2022-04-20 2023-12-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN114664745B (zh) * 2022-05-24 2023-01-17 惠科股份有限公司 显示面板及其制作方法
CN114975403A (zh) * 2022-05-24 2022-08-30 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、拼接显示装置
CN117059624A (zh) * 2023-06-30 2023-11-14 惠科股份有限公司 一种显示面板的制造方法以及制造设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101764148A (zh) * 2010-01-19 2010-06-30 友达光电股份有限公司 电致发光装置
CN103715228A (zh) * 2013-12-26 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105097838A (zh) * 2015-07-16 2015-11-25 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及薄膜晶体管阵列基板
CN107195663A (zh) * 2017-06-08 2017-09-22 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled显示面板结构
CN107256870A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置
CN207409491U (zh) * 2017-10-31 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及柔性显示装置
CN108598142A (zh) * 2018-06-28 2018-09-28 上海天马微电子有限公司 柔性显示基板、柔性显示面板和柔性显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119532A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
CN102982744B (zh) 2012-12-17 2014-09-24 广东威创视讯科技股份有限公司 一种发光二极管led显示模组
US10204535B2 (en) * 2015-04-06 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR20180100013A (ko) * 2017-02-28 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20190100554A (ko) * 2018-02-19 2019-08-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN110034150B (zh) * 2019-03-25 2020-11-27 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101764148A (zh) * 2010-01-19 2010-06-30 友达光电股份有限公司 电致发光装置
CN103715228A (zh) * 2013-12-26 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105097838A (zh) * 2015-07-16 2015-11-25 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及薄膜晶体管阵列基板
CN107195663A (zh) * 2017-06-08 2017-09-22 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled显示面板结构
CN107256870A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置
CN207409491U (zh) * 2017-10-31 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及柔性显示装置
CN108598142A (zh) * 2018-06-28 2018-09-28 上海天马微电子有限公司 柔性显示基板、柔性显示面板和柔性显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110034150A (zh) 2019-07-19
US11545508B2 (en) 2023-01-03
US20200312886A1 (en) 2020-10-01
US20230090279A1 (en) 2023-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110034150B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN108010947B (zh) 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN109037239B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US11488987B2 (en) Display substrate, splicing screen and manufacturing method thereof
US10206276B2 (en) Flexible display and method of manufacturing the same
US11742358B2 (en) Display panel and large format display apparatus using the same
JP5161263B2 (ja) 平板表示装置及びその製造方法
JP5917694B2 (ja) 表示装置
KR101736930B1 (ko) 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치
JP5976195B2 (ja) 表示装置
JP2021504730A (ja) アレイ基板及び表示装置
US10204939B2 (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display device
CN112230480B (zh) 显示面板和显示装置
KR102205588B1 (ko) 표시장치
EP2963637A1 (en) Display apparatus
US20180294291A1 (en) Display panel, display apparatus, and method of repairing a signal line thereof
US11706958B2 (en) Display panel, display apparatus, method of preventing electro-magnetic interference in display panel, and method of fabricating display panel
CN110993680B (zh) 一种柔性显示面板和电子设备
CN113972249A (zh) 显示装置
KR20090053385A (ko) 박막 트랜지스터의 정전기 방지회로 및 그의 제조 방법
US20210050407A1 (en) Display panel
KR20170030727A (ko) 유기발광 표시장치
JP2022098885A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2022098894A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2022098889A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant