CN107256870A - 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置,用以实现全屏无边框的柔性显示产品,本发明提供的一种阵列基板,包括:柔性衬底基板,设置于所述柔性衬底基板第一面上的薄膜晶体管,设置于所述柔性衬底基板的与所述第一面相对的第二面上的用于传输信号给所述薄膜晶体管的电极的接线端子,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接。

Description

一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置。
背景技术
显示市场目前正在蓬勃发展,并且随着消费者对笔记本电脑、智能手机、电视、平板电脑、智能手表和健身腕带等各类显示产品的需求的持续提升,将来会涌现出更多的新显示产品。
目前大多的柔性显示面板都是有边框的,其通常将接线端子(例如绑定PAD)设置在柔性显示面板的显示区的外围。而全屏无边框的显示产品,可以使用户获得更好的观看体验,必将引爆新的消费市场。
基于此,如何实现全屏无边框的柔性显示产品,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置,用以实现全屏无边框的柔性显示产品。
本发明实施例提供的一种阵列基板,包括:柔性衬底基板,设置于所述柔性衬底基板第一面上的薄膜晶体管,设置于所述柔性衬底基板的与所述第一面相对的第二面上的用于传输信号给所述薄膜晶体管的电极的接线端子,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接。
本发明实施例提供的阵列基板,包括:柔性衬底基板,设置于所述柔性衬底基板第一面上的薄膜晶体管,设置于所述柔性衬底基板的与所述第一面相对的第二面上的用于传输信号给所述薄膜晶体管的电极的接线端子,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接,由于将接线端子设置在柔性衬底基板背面,无需在包含该阵列基板的柔性显示面板的显示区的外围预留空间设置接线端子,以使柔性电路板或集成电路与薄膜晶体管的电极连接,因此可以实现全屏无边框的柔性显示产品。
较佳地,阵列基板还包括:设置于所述柔性衬底基板第一面或第二面上的信号线;所述接线端子通过所述信号线与所述薄膜晶体管的电极连接。
较佳地,所述信号线包括:相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线。
较佳地,所述信号线设置于所述柔性衬底基板第一面上,所述接线端子为多个,所述栅极信号线与所述柔性衬底基板之间设有第一绝缘层;每一条所述栅极信号线通过贯穿所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
较佳地,所述数据信号线与所述柔性衬底基板之间设有第二绝缘层;每一条所述数据信号线通过贯穿所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
较佳地,所述栅极信号线与栅极同层设置,所述数据信号线与源漏极同层设置。
较佳地,所述栅极位于所述源漏极与所述柔性衬底基板之间,有源层设置于所述栅极与所述柔性衬底基板之间;所述第一绝缘层包括:设置于所述有源层与所述柔性衬底基板之间的缓冲层和设置于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层;所述第二绝缘层包括:所述缓冲层、所述栅绝缘层和设置于所述源漏极与所述栅极之间的层间绝缘层。
较佳地,所述栅极位于所述源漏极与所述柔性衬底基板之间,有源层设置于所述栅极与所述源漏极之间;所述第一绝缘层包括:设置于所述栅极与所述柔性衬底基板之间的缓冲层;所述第二绝缘层包括:所述缓冲层和设置于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层。
较佳地,所述源漏极位于所述栅极与所述柔性衬底基板之间,有源层设置于所述源漏极与所述柔性衬底基板之间;所述第二绝缘层包括:设置于所述有源层与所述柔性衬底基板之间的缓冲层;所述第一绝缘层包括:所述缓冲层和设置于所述栅极与所述源漏极之间的栅绝缘层。
本发明实施例还提供了一种柔性显示面板,包括:本发明任意实施例提供的阵列基板,以及设置于所述柔性衬底基板第二面上的柔性电路板或集成电路;所述柔性电路板或集成电路通过所述接线端子与所述薄膜晶体管的电极连接。
由于本发明实施例提供的柔性显示面板包括上述的阵列基板,而上述的阵列基板包括:柔性衬底基板,设置于所述柔性衬底基板第一面上的薄膜晶体管,设置于所述柔性衬底基板的与所述第一面相对的第二面上的用于传输信号给所述薄膜晶体管的电极的接线端子,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接,由于将接线端子设置在柔性衬底基板背面,无需在包含该阵列基板的柔性显示面板的显示区的外围预留空间设置接线端子,以使柔性电路板或集成电路与薄膜晶体管的电极连接,因此可以实现全屏无边框的柔性显示产品。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括:本发明任意实施例提供的柔性显示面板。
由于本发明实施例提供的显示装置包括上述的柔性显示面板,而上述的柔性显示面板包括阵列基板,阵列基板包括:柔性衬底基板,设置于所述柔性衬底基板第一面上的薄膜晶体管,设置于所述柔性衬底基板的与所述第一面相对的第二面上的用于传输信号给所述薄膜晶体管的电极的接线端子,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接,由于将接线端子设置在柔性衬底基板背面,无需在包含该阵列基板的柔性显示面板的显示区的外围预留空间设置接线端子,以使柔性电路板或集成电路与薄膜晶体管的电极连接,因此可以实现全屏无边框的柔性显示产品。
本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法,包括:
在硬质基板上形成用于传输信号给薄膜晶体管的电极的接线端子;
在形成有接线端子的所述硬质基板上形成柔性衬底基板;
在所述柔性衬底基板上形成薄膜晶体管;其中,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接。
通过该方法制备的阵列基板包括:柔性衬底基板,设置于所述柔性衬底基板第一面上的薄膜晶体管,设置于所述柔性衬底基板的与所述第一面相对的第二面上的用于传输信号给所述薄膜晶体管的电极的接线端子,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接,由于将接线端子设置在柔性衬底基板背面,无需在包含该阵列基板的柔性显示面板的显示区的外围预留空间设置接线端子,以使柔性电路板或集成电路与薄膜晶体管的电极连接,因此可以实现全屏无边框的柔性显示产品。
较佳地,在形成所述接线端子之后,且在形成所述柔性衬底基板之前,该方法还包括:
在形成有接线端子的所述硬质基板上形成信号线;或
在形成所述柔性衬底基板之后,该方法还包括:
在所述柔性衬底基板上形成信号线;
其中,所述接线端子通过所述信号线与所述薄膜晶体管的电极连接。
较佳地,所述信号线包括:相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线;所述接线端子为多个;所述在所述柔性衬底基板上形成多条栅极信号线,具体包括:
在所述柔性衬底基板上形成第一绝缘层;
对所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与栅极信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第一绝缘层上形成多条栅极信号线;每一条所述栅极信号线通过贯穿所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
较佳地,所述在所述柔性衬底基板上形成多条数据信号线,具体包括:
在所述柔性衬底基板上形成第二绝缘层;
对所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与数据信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第二绝缘层上形成多条数据信号线;每一条所述数据信号线通过贯穿所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的阵列基板的结构示意图;
图2为本发明实施例二提供的阵列基板的结构示意图;
图3为本发明实施例三提供的阵列基板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程示意图;
图5(a)~图5(h)为本发明实施例提供的阵列基板的制备工艺流程示意图;
图6为本发明实施例提供的柔性显示面板的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置,用以实现全屏无边框的柔性显示产品。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,本发明附图中各层的厚度和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
实施例一:
参见图1,本发明实施例一提供的一种阵列基板,包括:柔性衬底基板11,设置于柔性衬底基板11第一面上的薄膜晶体管15(如图1中虚线框所示)和信号线12,设置于柔性衬底基板11的与第一面相对的第二面上的用于传输信号给薄膜晶体管15的电极的接线端子13,信号线12一端与薄膜晶体管15的电极连接,另一端通过设置于柔性衬底基板11中的过孔14与接线端子13连接。
其中,信号线12可以包括:相互绝缘的多条栅极信号线121和多条数据信号线122。
当然,信号线12例如还可以包括时钟信号线,本发明实施例对此并不进行限定。
若信号线12与柔性衬底基板11之间还设有绝缘层,则信号线12通过贯穿该绝缘层和柔性衬底基板11的过孔与接线端子13连接。
如图1所示,薄膜晶体管15包括依次层叠在柔性衬底基板11上的有源层151、栅绝缘层152(Gate Insulator,GI)、栅极153、层间绝缘层154和源漏极155。
如图1所示,上述接线端子13为多个,栅极信号线121与柔性衬底基板11之间设有第一绝缘层;每一条栅极信号线121通过贯穿第一绝缘层和柔性衬底基板11的过孔141与一个接线端子13连接。
如图1所示,数据信号线122与柔性衬底基板11之间设有第二绝缘层;每一条数据信号线122通过贯穿第二绝缘层和柔性衬底基板11的过孔142与一个接线端子13连接。
在一较佳实施方式中,如图1所示,栅极信号线121与栅极153同层设置,数据信号线122与源漏极155同层设置。
在一较佳实施方式中,如图1所示,有源层151与柔性衬底基板11之间设有缓冲层16(Buffer);第一绝缘层包括:缓冲层16和栅绝缘层152;第二绝缘层包括:缓冲层16、栅绝缘层152和层间绝缘层154(Interlevel Dielectric,ILD)。
实施例二:
本发明实施例二提供的阵列基板与本发明实施例一提供的阵列基板相似,相同的部分在此不再赘述,下面只说明不同的部分。
参见图2,本发明实施例二提供的阵列基板中,薄膜晶体管15(如图2中虚线框所示)包括依次层叠在柔性衬底基板11上的栅极153、栅绝缘层152、有源层151和源漏极155。
在一较佳实施方式中,如图2所示,栅极153与柔性衬底基板11之间设有缓冲层16;第一绝缘层包括:缓冲层16;第二绝缘层包括:缓冲层16和栅绝缘层152。
当然,栅极153与柔性衬底基板11之间也可不设缓冲层16,此时栅极信号线121与柔性衬底基板11之间没有第一绝缘层,即栅极信号线121仅通过设置于柔性衬底基板11中的过孔与接线端子13连接,本发明实施例对此并不进行限定。
实施例三:
本发明实施例三提供的阵列基板与本发明实施例一提供的阵列基板相似,相同的部分在此不再赘述,下面只说明不同的部分。
参见图3,本发明实施例三提供的阵列基板中,薄膜晶体管15(如图3中虚线框所示)包括依次层叠在柔性衬底基板11上的有源层151、源漏极155、栅绝缘层152和栅极153。
在一较佳实施方式中,如图3所示,有源层151与柔性衬底基板11之间设有缓冲层16;第二绝缘层包括:缓冲层16;第一绝缘层包括:缓冲层16和栅绝缘层152。
另外,信号线12还可以设置在柔性衬底基板11第二面上,此时,信号线12一端与接线端子13连接,另一端通过设置于柔性衬底基板11中的过孔14与薄膜晶体管15的电极连接。
基于同一发明构思,参见图4,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法,包括如下步骤:
S101、在硬质基板上形成用于传输信号给薄膜晶体管的电极的接线端子;
其中,硬质基板可以为玻璃基板、石英基板、水晶基板等。
接线端子的材料例如可以为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)等金属材料。
在硬质基板上形成接线端子可以包括:
在硬质基板上溅射金属层;
对金属层通过构图工艺形成接线端子。
S102、在形成有接线端子的所述硬质基板上形成柔性衬底基板;
其中,柔性衬底基板可以为聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基(polyallylate)、聚酰亚胺树脂(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)或丙烯酸酯(acryl)中的一种或者它们的组合构成的绝缘有机透明基板。
S103、在所述柔性衬底基板上形成薄膜晶体管;其中,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接。
在一较佳实施方式中,在形成所述接线端子之后,且在形成所述柔性衬底基板之前,该方法还可以包括:
在形成有接线端子的所述硬质基板上形成信号线;其中,所述接线端子通过所述信号线与所述薄膜晶体管的电极连接。
在另一较佳实施方式中,在形成所述柔性衬底基板之后,该方法还可以包括:
在所述柔性衬底基板上形成信号线;其中,所述接线端子通过所述信号线与所述薄膜晶体管的电极连接。
其中,所述信号线可以包括:相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线;所述接线端子可以为多个。
在一较佳实施方式中,在所述柔性衬底基板上形成多条栅极信号线,具体可以包括:
在所述柔性衬底基板上形成第一绝缘层;
对所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与栅极信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第一绝缘层上形成多条栅极信号线;每一条所述栅极信号线通过贯穿所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
在一较佳实施方式中,在所述柔性衬底基板上形成多条数据信号线,具体可以包括:
在所述柔性衬底基板上形成第二绝缘层;
对所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与数据信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第二绝缘层上形成多条数据信号线;每一条所述数据信号线通过贯穿所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
需要指出的是,若数据信号线在栅极信号线之上,第二绝缘层=第一绝缘层+栅极信号线和数据信号线之间的第三绝缘层,在阵列基板的制作过程中,在柔性衬底基板上形成相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线,具体可以包括:
在柔性衬底基板上形成第一绝缘层;
对所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与栅极信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔,且在与每一个用于与数据信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第一绝缘层上形成多条栅极信号线;
在形成有多条栅极信号线的所述柔性衬底基板上形成第三绝缘层;
对所述第三绝缘层,在与每一个用于与数据信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第三绝缘层上形成多条数据信号线。
其中,第三绝缘层例如可以为栅绝缘层、层间绝缘层等。
较佳地,第三绝缘层具有的过孔图案所占面积不小于第一绝缘层具有的过孔图案所占面积。
在柔性衬底基板上形成相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线,具体还可以包括:
在柔性衬底基板上形成第一绝缘层;
对所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与栅极信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第一绝缘层上形成多条栅极信号线;
在形成有多条栅极信号线的所述柔性衬底基板上形成第三绝缘层;
对所述第三绝缘层、所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与数据信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第三绝缘层上形成多条数据信号线。
同理,若栅极信号线在数据信号线之上,第一绝缘层=第二绝缘层+栅极信号线和数据信号线之间的第三绝缘层,在阵列基板的制作过程中,在柔性衬底基板上形成相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线,具体可以包括:
在柔性衬底基板上形成第二绝缘层;
对所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与栅极信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔,且在与每一个用于与数据信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第二绝缘层上形成多条数据信号线;
在形成有多条栅极信号线的所述柔性衬底基板上形成第三绝缘层;
对所述第三绝缘层,在与每一个用于与栅极信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第三绝缘层上形成多条栅极信号线。
较佳地,第三绝缘层具有的过孔图案所占面积不小于第二绝缘层具有的过孔图案所占面积。
在柔性衬底基板上形成相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线,具体还可以包括:
在柔性衬底基板上形成第二绝缘层;
对所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与数据信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第二绝缘层上形成多条数据信号线;
在形成有多条栅极信号线的所述柔性衬底基板上形成第三绝缘层;
对所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与栅极信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第三绝缘层上形成多条栅极信号线。
下面以本发明实施例一提供的阵列基板为例,结合附图5(a)~5(g)来具体说明本发明实施例提供的阵列基板的制备工艺流程。
步骤一、参见图5(a),在玻璃基板501上形成用于传输信号给薄膜晶体管的电极的接线端子502;
例如:可以采用磁控溅射工艺在玻璃基板501上沉积金属膜层,金属膜层的材料可以为Mo、Al、Cu等,采用光刻胶和湿法刻蚀的方式对金属膜层进行图形化,形成接线端子502。
步骤二、参见图5(b),在形成有接线端子502的玻璃基板501上形成柔性衬底基板503;
其中,柔性衬底基板503的材料为PI。
例如:在形成有接线端子502的玻璃基板501上旋涂PI膜层,形成柔性衬底基板503。
步骤三、参见图5(c),在柔性衬底基板503上依次形成缓冲层504、有源层505、栅绝缘层506;
例如:采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法在柔性衬底基板503上依次沉积氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层,作为缓冲层504;在SiOx层上形成非晶硅(A-Si)层,这高温退火脱氢后用准分子激光晶化(ELA)方式对非晶硅进行晶化处理,并采用光刻胶和干法刻蚀的工艺形成多晶硅(P-Si)图形,以作为有源层505,采用离子注入的工艺对多晶硅有源层505进行阈值电压重掺杂(Vth Doping);采用PECVD的方法在有源层505上依次沉积氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层,作为栅绝缘层506。
步骤四、参见图5(d),对栅绝缘层506、缓冲层504和柔性衬底基板503,在与每一个接线端子502相对的位置开设一个过孔;
例如:对栅绝缘层506、缓冲层504和柔性衬底基板503,采用光刻胶和干法刻蚀的方法进行图形化,在与每一个接线端子502相对的位置开设一个过孔。
步骤五、参见图5(e),在形成有过孔的栅绝缘层506上依次形成多条栅极信号线507和栅极508、层间绝缘层509;
其中,每一条栅极信号线507通过贯穿栅绝缘层506、缓冲层504和柔性衬底基板503的过孔与一个接线端子502连接。
例如:可以采用磁控溅射工艺在形成有过孔的栅绝缘层506上沉积Mo金属层,采用光刻胶和湿法刻蚀的方式对Mo金属层进行图形化,形成多条栅极信号线507和栅极508,采用离子注入的工艺对多晶硅有源层505进行源漏极重掺杂(S/D Doping);采用PECVD的方法在多条栅极信号线507和栅极508上依次沉积氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层,作为层间绝缘层509。
步骤六、参见图5(f),对层间绝缘层509,在与每一个用于与数据信号线510连接的接线端子502相对的位置开设一个过孔;并对层间绝缘层509和栅绝缘层506,开设用于连接有源层505和源漏极的过孔;
例如:对层间绝缘层509,采用曝光和干法刻蚀的方法进行图形化,在与每一个用于与数据信号线510连接的接线端子502相对的位置开设一个过孔;并对层间绝缘层509和栅绝缘层506,采用曝光和干法刻蚀的方法进行图形化,开设用于连接有源层505和源漏极的过孔。
步骤七、参见图5(g),在形成有过孔的层间绝缘层509上形成多条数据信号线510和源漏极511;
其中,每一条数据信号线510通过贯穿层间绝缘层509、栅绝缘层506、缓冲层504和柔性衬底基板503的过孔与一个接线端子502连接。源漏极511与有源层505通过两者之间的过孔连接。
例如:可以采用磁控溅射工艺在形成有过孔的层间绝缘层509上依次沉积TI金属层、AL金属层、TI金属层,采用光刻胶和干法刻蚀的方式对TI金属层、AL金属层和TI金属层进行图形化,形成多条数据信号线510和源漏极511。
步骤八、剥离玻璃基板501,剥离后的阵列基板如图5(h)所示。
基于同一发明构思,参见图6,本发明实施例还提供了一种柔性显示面板,包括:本发明任意实施例提供的阵列基板61,以及设置于该阵列基板61的柔性衬底基板611第二面上的柔性电路板62;柔性电路板62通过该阵列基板61的接线端子612与该阵列基板61的信号线613连接,信号线613与该阵列基板61的薄膜晶体管的电极连接。其中,柔性电路板62还可由集成电路替代。
在一较佳实施方式中,如图6所示,上述柔性显示面板还可以包括:设置于阵列基板61的薄膜晶体管614之上的平坦层63(Planarization,PLN)和有机电致发光二极管64。其中,有机电致发光二极管64还可由量子点发光二极管替代。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明任意实施例提供的柔性显示面板,该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述,本发明实施例提供的技术方案中,阵列基板包括:柔性衬底基板,设置于所述柔性衬底基板第一面上的薄膜晶体管,设置于所述柔性衬底基板的与所述第一面相对的第二面上的用于传输信号给所述薄膜晶体管的电极的接线端子,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接,由于将接线端子设置在柔性衬底基板背面,无需在包含该阵列基板的柔性显示面板的显示区的外围预留空间设置接线端子,以使柔性电路板或集成电路与薄膜晶体管的电极连接,因此可以实现全屏无边框的柔性显示产品。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种阵列基板,包括:柔性衬底基板,设置于所述柔性衬底基板第一面上的薄膜晶体管,其特征在于,还包括:设置于所述柔性衬底基板的与所述第一面相对的第二面上的用于传输信号给所述薄膜晶体管的电极的接线端子,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:设置于所述柔性衬底基板第一面或第二面上的信号线;所述接线端子通过所述信号线与所述薄膜晶体管的电极连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线包括:相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线设置于所述柔性衬底基板第一面上,所述接线端子为多个,所述栅极信号线与所述柔性衬底基板之间设有第一绝缘层;每一条所述栅极信号线通过贯穿所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述数据信号线与所述柔性衬底基板之间设有第二绝缘层;每一条所述数据信号线通过贯穿所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极信号线与栅极同层设置,所述数据信号线与源漏极同层设置。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极位于所述源漏极与所述柔性衬底基板之间,有源层设置于所述栅极与所述柔性衬底基板之间;所述第一绝缘层包括:设置于所述有源层与所述柔性衬底基板之间的缓冲层和设置于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层;所述第二绝缘层包括:所述缓冲层、所述栅绝缘层和设置于所述源漏极与所述栅极之间的层间绝缘层。
8.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极位于所述源漏极与所述柔性衬底基板之间,有源层设置于所述栅极与所述源漏极之间;所述第一绝缘层包括:设置于所述栅极与所述柔性衬底基板之间的缓冲层;所述第二绝缘层包括:所述缓冲层和设置于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层。
9.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述源漏极位于所述栅极与所述柔性衬底基板之间,有源层设置于所述源漏极与所述柔性衬底基板之间;所述第二绝缘层包括:设置于所述有源层与所述柔性衬底基板之间的缓冲层;所述第一绝缘层包括:所述缓冲层和设置于所述栅极与所述源漏极之间的栅绝缘层。
10.一种柔性显示面板,其特征在于,包括:如权利要求1-9任一项所述的阵列基板,以及设置于所述柔性衬底基板第二面上的柔性电路板或集成电路;所述柔性电路板或集成电路通过所述接线端子与所述薄膜晶体管的电极连接。
11.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求10所述的柔性显示面板。
12.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在硬质基板上形成用于传输信号给薄膜晶体管的电极的接线端子;
在形成有接线端子的所述硬质基板上形成柔性衬底基板;
在所述柔性衬底基板上形成薄膜晶体管;其中,所述薄膜晶体管的电极通过设置于所述柔性衬底基板中的过孔与所述接线端子连接。
13.如权利要求12所述的制作方法,其特征在于,在形成所述接线端子之后,且在形成所述柔性衬底基板之前,该方法还包括:
在形成有接线端子的所述硬质基板上形成信号线;或
在形成所述柔性衬底基板之后,该方法还包括:
在所述柔性衬底基板上形成信号线;
其中,所述接线端子通过所述信号线与所述薄膜晶体管的电极连接。
14.如权利要求13所述的制作方法,其特征在于,所述信号线包括:相互绝缘的多条栅极信号线和多条数据信号线;所述接线端子为多个;所述在所述柔性衬底基板上形成信号线,具体包括:
在所述柔性衬底基板上形成第一绝缘层;
对所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与栅极信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第一绝缘层上形成多条栅极信号线;每一条所述栅极信号线通过贯穿所述第一绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
15.如权利要求14所述的制作方法,其特征在于,所述在所述柔性衬底基板上形成信号线,具体包括:
在所述柔性衬底基板上形成第二绝缘层;
对所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板,在与每一个用于与数据信号线连接的所述接线端子相对的位置开设一个过孔;
在形成有过孔的所述第二绝缘层上形成多条数据信号线;每一条所述数据信号线通过贯穿所述第二绝缘层和所述柔性衬底基板的过孔与一个所述接线端子连接。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107731888A (zh) * 2017-11-23 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
WO2018223696A1 (zh) * 2017-06-09 2018-12-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及制作方法、柔性显示面板和显示装置
CN109585462A (zh) * 2019-01-23 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏
CN109638040A (zh) * 2018-11-28 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器结构及其制造方法
CN109713022A (zh) * 2019-01-28 2019-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN109786391A (zh) * 2017-11-10 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109904080A (zh) * 2019-03-20 2019-06-18 北京京东方显示技术有限公司 一种驱动背板及其制作方法、显示装置
CN109917593A (zh) * 2019-02-22 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN110034150A (zh) * 2019-03-25 2019-07-19 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111244129A (zh) * 2019-06-18 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN111403447A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法以及显示装置
CN111724742A (zh) * 2020-06-11 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2020191607A1 (zh) * 2019-03-26 2020-10-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置及其制造方法
WO2020207013A1 (en) * 2019-04-12 2020-10-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus
WO2020233576A1 (zh) * 2019-05-21 2020-11-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置
WO2021258457A1 (zh) * 2020-06-22 2021-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN114067694A (zh) * 2021-12-08 2022-02-18 Tcl华星光电技术有限公司 显示母板及其制备方法
US11637166B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109920804A (zh) * 2019-03-27 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示装置
CN109872637B (zh) * 2019-04-02 2020-09-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
EP4002467A4 (en) * 2019-10-12 2022-07-20 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MAKING DISPLAY SUBSTRATE
KR20220007754A (ko) * 2020-07-09 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
US20220071010A1 (en) * 2020-08-28 2022-03-03 Unimicron Technology Corp. Circuit board structure and manufacturing method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120241774A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Chimei Innolux Corporation Display module and manufacturing method thereof
CN104485349A (zh) * 2014-12-26 2015-04-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示屏器件
CN104900659A (zh) * 2015-06-23 2015-09-09 友达光电股份有限公司 一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN105428366A (zh) * 2014-09-15 2016-03-23 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置
CN106384740A (zh) * 2016-09-20 2017-02-08 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示装置及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6524876B1 (en) * 1999-04-08 2003-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
US6580475B2 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
GB2403595B (en) * 2003-06-25 2005-10-05 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device having polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same
KR101318242B1 (ko) * 2007-01-26 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시소자의 제조 방법
JP5638833B2 (ja) * 2010-04-22 2014-12-10 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置及びその製造方法
JP6308007B2 (ja) * 2013-07-16 2018-04-11 ソニー株式会社 配線基板および配線基板の製造方法
JP6305759B2 (ja) * 2013-12-26 2018-04-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN104523285B (zh) * 2014-12-12 2016-09-21 广东东邦科技有限公司 一种电子皮肤及其制备方法
JP6807712B2 (ja) * 2016-11-16 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107256870A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置
CN109742131B (zh) * 2019-02-28 2021-01-29 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120241774A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Chimei Innolux Corporation Display module and manufacturing method thereof
CN105428366A (zh) * 2014-09-15 2016-03-23 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置
CN104485349A (zh) * 2014-12-26 2015-04-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示屏器件
CN104900659A (zh) * 2015-06-23 2015-09-09 友达光电股份有限公司 一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN106384740A (zh) * 2016-09-20 2017-02-08 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示装置及其制备方法

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018223696A1 (zh) * 2017-06-09 2018-12-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及制作方法、柔性显示面板和显示装置
US11367740B2 (en) 2017-06-09 2022-06-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, flexible display panel and display device
CN109786391A (zh) * 2017-11-10 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
US11437409B2 (en) 2017-11-10 2022-09-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN109786391B (zh) * 2017-11-10 2021-08-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN107731888B (zh) * 2017-11-23 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
CN107731888A (zh) * 2017-11-23 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
CN109638040B (zh) * 2018-11-28 2021-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器结构及其制造方法
CN109638040A (zh) * 2018-11-28 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器结构及其制造方法
CN109585462A (zh) * 2019-01-23 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏
CN109713022A (zh) * 2019-01-28 2019-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN109917593A (zh) * 2019-02-22 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN109917593B (zh) * 2019-02-22 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
WO2020169087A1 (zh) * 2019-02-22 2020-08-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、以及显示装置
US11798958B2 (en) 2019-03-20 2023-10-24 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Driving backplane, manufacturing method thereof, and display apparatus
CN109904080A (zh) * 2019-03-20 2019-06-18 北京京东方显示技术有限公司 一种驱动背板及其制作方法、显示装置
CN109904080B (zh) * 2019-03-20 2020-10-02 北京京东方显示技术有限公司 一种驱动背板及其制作方法、显示装置
CN110034150B (zh) * 2019-03-25 2020-11-27 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110034150A (zh) * 2019-03-25 2019-07-19 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
WO2020191607A1 (zh) * 2019-03-26 2020-10-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置及其制造方法
CN112005374A (zh) * 2019-03-26 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置及其制造方法
US11502153B2 (en) 2019-03-26 2022-11-15 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Array substrate and display device with interposer bonded to drive circuit and manufacturing method thereof
WO2020207013A1 (en) * 2019-04-12 2020-10-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus
US11637166B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus
WO2020233576A1 (zh) * 2019-05-21 2020-11-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置
WO2020253734A1 (zh) * 2019-06-18 2020-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN111244129A (zh) * 2019-06-18 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN111403447A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法以及显示装置
CN111724742B (zh) * 2020-06-11 2022-02-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111724742A (zh) * 2020-06-11 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2021258457A1 (zh) * 2020-06-22 2021-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
JP2022543943A (ja) * 2020-06-22 2022-10-17 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司 ディスプレイパネル及び表示装置
JP7457717B2 (ja) 2020-06-22 2024-03-28 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司 ディスプレイパネル及び表示装置
CN114067694A (zh) * 2021-12-08 2022-02-18 Tcl华星光电技术有限公司 显示母板及其制备方法

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US11367740B2 (en) 2022-06-21
WO2018223696A1 (zh) 2018-12-13
US20210202530A1 (en) 2021-07-01

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