CN109920804A - 一种显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

一种显示基板及其制备方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109920804A
CN109920804A CN201910236760.5A CN201910236760A CN109920804A CN 109920804 A CN109920804 A CN 109920804A CN 201910236760 A CN201910236760 A CN 201910236760A CN 109920804 A CN109920804 A CN 109920804A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display
underlying structure
base plate
circuit
via hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910236760.5A
Other languages
English (en)
Inventor
顾仁权
姚琪
柳在一
刘英伟
梁志伟
狄沐昕
黎午升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910236760.5A priority Critical patent/CN109920804A/zh
Publication of CN109920804A publication Critical patent/CN109920804A/zh
Priority to US17/254,088 priority patent/US11386837B2/en
Priority to PCT/CN2020/080303 priority patent/WO2020192561A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/18—Tiled displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示基板及其制备方法和显示装置。该显示基板包括：基底结构和设置在基底结构上方的显示结构，显示基板还包括用于驱动显示结构显示的驱动电路，驱动电路包括TFT电路和外围电路，TFT电路设置于基底结构与显示结构之间，外围电路用于驱动TFT电路，外围电路设置于基底结构的背离显示结构的一侧，且外围电路位于显示结构在基底结构上的正投影区域内，外围电路通过开设在基底结构中的过孔连接TFT电路。该显示基板能够实现无边框显示，从而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。

Description

一种显示基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及头部运动检测技术领域，具体地，涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，现今，全面屏技术逐渐成为手机等手持设备的主流技术，目前主要采用GOA(Gate Driver On Array)技术实现左右边框的窄型化，采用COF(Chip OnFilm)技术实现下边框的窄型化，虽然显示屏的边框变得越来越窄，但目前仍然无法实现无边框的显示屏。为了实现大尺寸拼接显示屏的无缝显示，真正无边框显示屏的实现迫在眉睫。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种显示基板及其制备方法和显示装置。该显示基板能够实现无边框显示，从而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。
本发明提供一种显示基板，包括：基底结构和设置在所述基底结构上方的显示结构，所述显示基板还包括用于驱动所述显示结构显示的驱动电路，所述驱动电路包括TFT电路和外围电路，所述TFT电路设置于所述基底结构与所述显示结构之间，所述外围电路用于驱动所述TFT电路，所述外围电路设置于所述基底结构的背离所述显示结构的一侧，且所述外围电路位于所述显示结构在所述基底结构上的正投影区域内，所述外围电路通过开设在所述基底结构中的过孔连接所述TFT电路。
优选地，所述显示结构包括多个液晶像素单元。
优选地，所述显示结构包括多个自发光单元。
优选地，所述自发光单元包括LED元件或OLED元件。
优选地，所述显示结构包括透光区域和不透光区域，所述外围电路位于所述显示结构的不透光区域。
优选地，所述基底结构包括绝缘层和缓冲层，所述绝缘层和所述缓冲层相互叠置，所述TFT电路设置于所述缓冲层背离所述绝缘层的一侧，所述外围电路设置于所述绝缘层背离所述缓冲层的一侧。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明还提供一种上述显示基板的制备方法，包括：在基底结构上方形成TFT电路和显示结构，所述显示基板的制备方法还包括：在所述基底结构中形成过孔；在所述基底结构的背离所述显示结构的一侧形成外围电路，所述外围电路通过所述过孔连接所述TFT电路。
优选地，在所述基底结构中形成过孔包括：
采用具有过孔图案的氧化硅或氮化硅掩膜板对所述基底结构进行干刻工艺，形成所述过孔的图形；
在完成上述步骤的所述基底结构上沉积导电种子层，并将所述导电种子层图形化，保留所述过孔所在区域的所述导电种子层，去除所述过孔以外区域的所述导电种子层；
在完成上述步骤的所述基底结构上电镀导电膜层，所述导电膜层对应形成于所述过孔所在区域，并将所述过孔填满。
优选地，先在所述基底结构上形成所述TFT电路和所述显示结构；
然后在所述基底结构中形成所述过孔；
最后在所述基底结构上形成所述外围电路；
或者，
先在所述基底结构中形成所述过孔；
然后在所述基底结构上形成所述外围电路；
最后在所述基底结构上形成所述TFT电路和所述显示结构。
本发明的有益效果：本发明所提供的显示基板，通过将驱动电路中原本设置在显示基板边框区域的外围电路设置于基底结构的背离显示结构的一侧，且使其位于显示结构在基底结构上的正投影区域内，能使该显示基板外围电路的设置无需再占用边框区域，从而能够实现显示基板的无边框，进而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。
本发明所提供的显示装置，通过采用上述显示基板，能使该显示装置实现无边框显示，从而有利于实现该显示装置的无缝拼接显示。
附图说明
图1为本发明实施例1中显示基板的结构剖视示意图；
图2为本发明实施例1中在基底结构中形成过孔的步骤S101的结构剖视示意图；
图3为本发明实施例1中在基底结构中形成过孔的步骤S102的结构剖视示意图；
图4为本发明实施例1中在基底结构中形成过孔的步骤S103的结构剖视示意图。
其中的附图标记说明：
1.基底结构；11.过孔；12.绝缘层；13.缓冲层；2.显示结构；3.驱动电路；31.TFT电路；32.外围电路；4.掩膜板；5.导电种子层；6.导电膜层。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种显示基板及其制备方法和显示装置作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种显示基板，如图1所示，包括：基底结构1和设置在基底结构1上方的显示结构2，显示基板还包括用于驱动显示结构2显示的驱动电路3，驱动电路3包括TFT电路31和外围电路32，TFT电路31设置于基底结构1与显示结构2之间，外围电路32用于驱动TFT电路31，外围电路32设置于基底结构1的背离显示结构2的一侧，且外围电路32位于显示结构2在基底结构1上的正投影区域内，外围电路32通过开设在基底结构1中的过孔11连接TFT电路31。
其中，外围电路32指的是用于驱动TFT电路工作的这部分驱动电路，外围电路32包括栅极驱动电路、数据线驱动电路以及其他的一些控制电路。目前，通常将外围电路32设置在显示基板的边框区域。
通过将驱动电路3中原本设置在显示基板边框区域的外围电路32设置于基底结构1的背离显示结构2的一侧，且使其位于显示结构2在基底结构1上的正投影区域内，能使该显示基板外围电路32的设置无需再占用边框区域，从而能够实现显示基板的无边框，进而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。
本实施例中，显示结构2包括多个自发光单元。其中，多个自发光单元排布呈阵列。自发光单元包括LED元件或OLED元件，即显示基板为LED显示基板或OLED显示基板。本实施例中，自发光单元为micro-LED元件。
显示基板上具有多个micro-LED元件的显示结构2为现有的比较成熟的micro-LED显示结构，其具体膜层结构这里不再赘述。另外，显示基板上具有多个OLED元件的显示结构2也为现有的比较成熟的OLED显示结构，其具体膜层结构这里也不再赘述。
本实施例中，显示结构2包括透光区域和不透光区域，外围电路32位于显示结构2的不透光区域。其中，显示结构2的透光区域指显示结构2的像素区，对于micro-LED显示结构而言，像素区为micro-LED元件设置区域，不透光区域为micro-LED元件设置区域以外的区域，这些区域通常用于设置数据线、栅线、TFT等电路，所以设置为不透光区域。将外围电路32设置于显示结构2的不透光区域，能使外围电路32的设置不会遮挡显示结构2的透光区域，从而避免外围电路32的设置对显示结构2正常显示的影响，进而避免对显示基板的显示开口率造成影响。
本实施例中，基底结构1包括绝缘层12和缓冲层13，绝缘层12和缓冲层13相互叠置，TFT电路31设置于缓冲层13背离绝缘层12的一侧，外围电路32设置于绝缘层12背离缓冲层13的一侧。其中，缓冲层13采用绝缘材料制成，缓冲层13的设置有利于TFT电路31的制备，即能使TFT电路31很好地形成于缓冲层13上。绝缘层12采用柔性材料(如聚酰亚胺)制成，有利于实现显示基板的柔性显示，同时能使外围电路32很好地形成于其上。
需要说明的是，本实施例中，TFT电路31的用于与外围电路32连接的信号线或信号端可以直接设置于缓冲层13上，也可以设置于缓冲层13上方的任意绝缘膜层上，当TFT电路31的用于与外围电路32连接的信号线或信号端直接设置于缓冲层13上时，通过开设在基底结构1中的过孔11，就能够实现TFT电路31与外围电路32的连接(如图1所示)；当TFT电路31的用于与外围电路32连接的信号线或信号端设置于缓冲层13上方的任意绝缘膜层上时，开设在基底结构1中的过孔11还需延伸至通过位于信号线或信号端下方的绝缘膜层，才能够实现TFT电路31与外围电路32的连接(图中未示出)。
基于显示基板的上述结构设置，本实施例还提供一种该显示基板的制备方法，包括：在基底结构上方形成TFT电路和显示结构，显示基板的制备方法还包括：在基底结构中形成过孔；在基底结构的背离显示结构的一侧形成外围电路，外围电路通过过孔连接TFT电路。
本实施例中，显示基板制备方法的具体工艺过程为：
步骤S201：先在基底结构上形成TFT电路和显示结构。
该步骤中，先将基底结构形成于玻璃基板上，然后再在基底结构上先后形成TFT电路和显示结构。TFT电路和显示结构的具体制备过程均为比较成熟的现有技术，这里不再赘述。
步骤S202：然后在基底结构中形成过孔。
该步骤中，首先通过激光照射的方法使基底结构与玻璃基板分离；然后在基底结构中形成过孔，形成过孔的具体包括：如图2-图4所示，
步骤S101：采用具有过孔图案的氧化硅或氮化硅掩膜板4对基底结构1进行干刻工艺，形成过孔11的图形。其中，干刻工艺为比较成熟的工艺，这里不再赘述。
步骤S102：在完成上述步骤的基底结构1上沉积导电种子层5，并将导电种子层5图形化，保留过孔11所在区域的导电种子层5，去除过孔11以外区域的导电种子层。
其中，导电种子层5采用导电金属材料如Ti，Mo，Ta，Al，Cu，Ag等金属单质或者Mo合金，Cu合金，AL合金等金属合金。
步骤S103：在完成上述步骤的基底结构1上电镀导电膜层6，导电膜层6对应形成于过孔11所在区域，并将过孔11填满。
其中，导电膜层6采用金属导电材料，优选导电膜层6的材料与导电种子层5的材料相同。
步骤S203：最后在基底结构上形成外围电路。外围电路与TFT电路通过过孔连接。
需要说明的是，显示基板制备方法的具体工艺过程也可以为：步骤S201′：先在基底结构中形成过孔。过孔的具体形成过程如上，不再赘述。
步骤S202′：然后在基底结构上形成外围电路。
步骤S203′：最后在基底结构上形成TFT电路和显示结构。外围电路与TFT电路通过过孔连接。
实施例2：
本实施例提供一种显示基板，与实施例1不同的是，显示结构包括多个液晶像素单元。即显示基板为液晶显示基板。
其中，多个液晶像素单元排布呈阵列。该液晶显示结构的具体结构为现有的比较成熟的技术，这里不再赘述。
本实施例中显示基板的其他结构及其制备方法与实施例1中相同，具体不再赘述。
实施例1-2的有益效果：实施例1-2所提供的显示基板，通过将驱动电路中原本设置在显示基板边框区域的外围电路设置于基底结构的背离显示结构的一侧，且使其位于显示结构在基底结构上的正投影区域内，能使该显示基板外围电路的设置无需再占用边框区域，从而能够实现显示基板的无边框，进而有利于实现显示基板的无缝拼接显示。
实施例3：
本实施例提供一种显示装置，包括实施例1或2中的显示基板。
通过采用实施例1或2中的显示基板，能使该显示装置实现无边框显示，从而有利于实现该显示装置的无缝拼接显示。
本发明所提供的显示装置可以为LCD面板、LCD电视、OLED面板、OLED电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，也可以为上述具有显示功能的产品或部件的半成品件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，包括：基底结构和设置在所述基底结构上方的显示结构，所述显示基板还包括用于驱动所述显示结构显示的驱动电路，所述驱动电路包括TFT电路和外围电路，所述TFT电路设置于所述基底结构与所述显示结构之间，所述外围电路用于驱动所述TFT电路，其特征在于，所述外围电路设置于所述基底结构的背离所述显示结构的一侧，且所述外围电路位于所述显示结构在所述基底结构上的正投影区域内，所述外围电路通过开设在所述基底结构中的过孔连接所述TFT电路。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构包括多个液晶像素单元。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构包括多个自发光单元。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述自发光单元包括LED元件或OLED元件。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构包括透光区域和不透光区域，所述外围电路位于所述显示结构的不透光区域。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述基底结构包括绝缘层和缓冲层，所述绝缘层和所述缓冲层相互叠置，所述TFT电路设置于所述缓冲层背离所述绝缘层的一侧，所述外围电路设置于所述绝缘层背离所述缓冲层的一侧。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的显示基板。
8.一种如权利要求1-6任意一项所述的显示基板的制备方法，包括：在基底结构上方形成TFT电路和显示结构，其特征在于，所述显示基板的制备方法还包括：在所述基底结构中形成过孔；在所述基底结构的背离所述显示结构的一侧形成外围电路，所述外围电路通过所述过孔连接所述TFT电路。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述基底结构中形成过孔包括：
采用具有过孔图案的氧化硅或氮化硅掩膜板对所述基底结构进行干刻工艺，形成所述过孔的图形；
在完成上述步骤的所述基底结构上沉积导电种子层，并将所述导电种子层图形化，保留所述过孔所在区域的所述导电种子层，去除所述过孔以外区域的所述导电种子层；
在完成上述步骤的所述基底结构上电镀导电膜层，所述导电膜层对应形成于所述过孔所在区域，并将所述过孔填满。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，先在所述基底结构上形成所述TFT电路和所述显示结构；
然后在所述基底结构中形成所述过孔；
最后在所述基底结构上形成所述外围电路；
或者，
先在所述基底结构中形成所述过孔；
然后在所述基底结构上形成所述外围电路；
最后在所述基底结构上形成所述TFT电路和所述显示结构。
CN201910236760.5A 2019-03-27 2019-03-27 一种显示基板及其制备方法和显示装置 Pending CN109920804A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910236760.5A CN109920804A (zh) 2019-03-27 2019-03-27 一种显示基板及其制备方法和显示装置
US17/254,088 US11386837B2 (en) 2019-03-27 2020-03-20 Display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus
PCT/CN2020/080303 WO2020192561A1 (zh) 2019-03-27 2020-03-20 显示基板及其制备方法和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910236760.5A CN109920804A (zh) 2019-03-27 2019-03-27 一种显示基板及其制备方法和显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109920804A true CN109920804A (zh) 2019-06-21

Family

ID=66967127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910236760.5A Pending CN109920804A (zh) 2019-03-27 2019-03-27 一种显示基板及其制备方法和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11386837B2 (zh)
CN (1) CN109920804A (zh)
WO (1) WO2020192561A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110599946A (zh) * 2019-08-08 2019-12-20 长春希达电子技术有限公司 基于tft玻璃基板的高密度led显示箱体及显示屏
CN111128048A (zh) * 2020-02-14 2020-05-08 广州新视界光电科技有限公司 显示面板以及显示装置
CN111415587A (zh) * 2020-03-31 2020-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板
CN111477667A (zh) * 2020-04-30 2020-07-31 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组、显示屏组件以及电子设备
WO2020192561A1 (zh) * 2019-03-27 2020-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
WO2021103132A1 (zh) * 2019-11-27 2021-06-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
WO2021139626A1 (zh) * 2020-01-06 2021-07-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、拼接显示面板及显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113270437A (zh) 2020-02-17 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 背板及其制备方法、显示装置
CN113421878B (zh) * 2021-06-22 2023-07-25 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示模组、显示装置及成型方法
CN114299818B (zh) * 2021-12-20 2023-05-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 拼接显示屏

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105206625A (zh) * 2015-10-29 2015-12-30 京东方光科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN108155220A (zh) * 2018-01-29 2018-06-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法、显示面板
CN207517684U (zh) * 2017-11-30 2018-06-19 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板及显示屏
CN108336106A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示器件及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100041165A (ko) 2008-10-13 2010-04-22 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그를 포함하는 멀티 표시 장치
CN104485349B (zh) 2014-12-26 2017-08-25 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示屏器件
TWI727041B (zh) * 2016-05-20 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
CN206364016U (zh) * 2016-12-26 2017-07-28 云谷（固安）科技有限公司 显示装置
CN107256870A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置
WO2019186807A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US10692799B2 (en) * 2018-06-01 2020-06-23 Innolux Corporation Semiconductor electronic device
CN208336216U (zh) * 2018-07-20 2019-01-04 上海和辉光电有限公司 一种显示装置和显示终端
CN109920804A (zh) * 2019-03-27 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105206625A (zh) * 2015-10-29 2015-12-30 京东方光科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN108336106A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示器件及其制造方法
CN207517684U (zh) * 2017-11-30 2018-06-19 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板及显示屏
CN108155220A (zh) * 2018-01-29 2018-06-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法、显示面板

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020192561A1 (zh) * 2019-03-27 2020-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
US11386837B2 (en) 2019-03-27 2022-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus
CN110599946A (zh) * 2019-08-08 2019-12-20 长春希达电子技术有限公司 基于tft玻璃基板的高密度led显示箱体及显示屏
CN110599946B (zh) * 2019-08-08 2021-11-16 长春希达电子技术有限公司 基于tft玻璃基板的高密度led显示箱体及显示屏
WO2021103132A1 (zh) * 2019-11-27 2021-06-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
US11430930B2 (en) 2019-11-27 2022-08-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device with dual substrates
WO2021139626A1 (zh) * 2020-01-06 2021-07-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、拼接显示面板及显示装置
CN111128048A (zh) * 2020-02-14 2020-05-08 广州新视界光电科技有限公司 显示面板以及显示装置
CN111415587A (zh) * 2020-03-31 2020-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板
CN111477667A (zh) * 2020-04-30 2020-07-31 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组、显示屏组件以及电子设备
CN111477667B (zh) * 2020-04-30 2023-08-25 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组、显示屏组件以及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
US11386837B2 (en) 2022-07-12
WO2020192561A1 (zh) 2020-10-01
US20210264852A1 (en) 2021-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109920804A (zh) 一种显示基板及其制备方法和显示装置
CN103852944B (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN101078848B (zh) 液晶显示器
CN103217845B (zh) 下基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示器
CN108241240A (zh) 一种显示面板以及显示装置
WO2023241490A1 (zh) 显示基板和显示装置
CN201886234U (zh) 液晶显示基板和液晶显示器
CN105607369B (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
WO2020051963A1 (zh) 一种柔性显示面板
CN108470762A (zh) 一种柔性显示面板和显示装置
CN104503177A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN103728799A (zh) 具有最小边框的液晶显示装置
CN110738934A (zh) 显示装置
CN110471219A (zh) Led基板及显示装置
CN109686757B (zh) 柔性基板及采用该柔性基板的显示面板
CN104880873B (zh) 像素结构、显示面板和像素结构的制作方法
CN105093729B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
JP2012133367A (ja) Ｔｆｔ基板及びその製造方法
CN107785392A (zh) 显示装置
CN105161499A (zh) 一种显示基板及其制作方法和显示装置
CN102650776A (zh) 一种液晶显示面板及液晶显示器
CN105096753A (zh) 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
WO2023221762A1 (zh) 显示基板及其驱动方法和制备方法、显示装置
CN110109297A (zh) 显示面板及其制造方法
CN102640203B (zh) 有源矩阵基板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190621