CN113421878B - 显示面板、显示模组、显示装置及成型方法 - Google Patents

显示面板、显示模组、显示装置及成型方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113421878B
CN113421878B CN202110693588.3A CN202110693588A CN113421878B CN 113421878 B CN113421878 B CN 113421878B CN 202110693588 A CN202110693588 A CN 202110693588A CN 113421878 B CN113421878 B CN 113421878B
Authority
CN
China
Prior art keywords
display
area
display panel
flexible substrate
driving circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110693588.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113421878A (zh
Inventor
李云泽
袁盼
李洋
黄飞
钱先锐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd filed Critical Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN202110693588.3A priority Critical patent/CN113421878B/zh
Publication of CN113421878A publication Critical patent/CN113421878A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113421878B publication Critical patent/CN113421878B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种显示面板、显示模组、显示装置及成型方法，显示面板包括：柔性衬底，包括沿第一方向相继设置的显示区以及缓冲区，缓冲区的一端与显示区连接，缓冲区的另一端向远离显示区的一侧延伸；驱动电路，设置于显示区；发光元件，设置于驱动电路背离柔性衬底的一侧并与驱动电路连接；封装层，设置于发光元件背离柔性衬底的一侧，封装层至少覆盖显示区。本发明实施例提供的显示面板能够实现无缝拼接，同时能够提高显示面板的良率。

Description

显示面板、显示模组、显示装置及成型方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示模组、显示装置及成型方法。
背景技术
发光元件如微发光二极管(Micro-LED)为纯固态显示、寿命长、亮度高、与柔性基底兼容等优点，成为未来显示领域的发展趋势。受限于制程能力，大尺寸Micro LED显示屏需要通过若干小尺寸面板拼接实现，如何实现面板之间无缝拼接，呈现完美显示品质，成为大尺寸Micro LED显示屏主要瓶颈之一。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板、显示模组、显示装置及成型方法，显示面板能够实现无缝拼接，同时能够提高显示面板的良率。
一方面，根据本发明实施例提出了一种显示面板，包括：柔性衬底，包括沿第一方向相继设置的显示区以及缓冲区，缓冲区的一端与显示区连接，缓冲区的另一端向远离显示区的一侧延伸；驱动电路，设置于显示区；发光元件，设置于驱动电路背离柔性衬底的一侧并与驱动电路连接；封装层，设置于发光元件背离柔性衬底的一侧，封装层至少覆盖显示区。
根据本发明实施例的一个方面，显示区以及缓冲区为一体式结构，能够保证显示区与缓冲区之间的连接强度，同时能够简化显示面板的成型工艺，使得显示区以及缓冲区可以通过一平整的柔性板的一侧折弯形成。缓冲区包括过渡段以及延伸段，过渡段呈弧状且连接于显示区和延伸段之间，延伸段沿第一方向向远离显示区的一侧延伸。能够使得柔性衬底由显示区至缓冲区平缓过渡，减小柔性衬底的弯曲程度，避免金属走线断路，提高显示面板的良率。并且通过上述设置，能够通过延伸段安装驱动芯片，保证驱动芯片与驱动电路的电连接需求，进而满足对发光元件的驱动需求，并且利于实现大尺寸显示的无缝拼接。
根据本发明实施例的一个方面，延伸段在柔性衬底的厚度方向靠近发光元件一侧的表面为平面，其中，第一方向与厚度方向相交。通过使得延伸段在柔性衬底的厚度方向上的表面为平面，利于显示面板在用于显示模组时，对驱动芯片的安装。
根据本发明实施例的一个方面，在厚度方向，过渡段向远离驱动电路的一侧凸出，利于显示面板之间的拼接。
根据本发明实施例的一个方面，第一方向与厚度方向相垂直。能够保证显示面板的显示区以及缓冲区的平整性，保证显示效果，同时能够保证多个显示面板在拼接时的平整性能。
根据本发明实施例的一个方面，封装层在第一方向上远离缓冲区的一侧凸出于柔性衬底设置。使得显示面板在用于显示模组并且相邻显示面板在拼接时，相互拼接的两个显示面板的一者封装层的凸出部分覆盖另一者的缓冲区，保证无缝拼接需求，同时，能够保证拼接后形成的显示装置的显示效果。
另一个方面，根据本发明实施例提供一种显示模组，包括：上述的显示面板；驱动芯片，设置于缓冲区在显示面板的厚度方向上靠近驱动电路的一侧，驱动芯片与驱动电路电连接。
本发明实施例提供的显示模组，通过驱动芯片能够与驱动电路电连接，进而通过控制驱动电路实现对各发光元件的控制，满足显示模组的显示需求。由于包括上述各实施例提供的显示面板，能够将驱动芯片设置于缓冲区，使得多个显示模组在拼接形成大尺寸的显示装置时，相互拼接的两个显示模组中，其中一者的缓冲区能够设置于另一个显示模组的柔性衬底的显示区背离封装层的一侧，并使得驱动芯片与另一个显示模组的柔性衬底的显示区连接，以实现大尺寸的显示装置的无缝拼接要求。同时由于采用的上述各实施例提供的显示面板，缓冲区与显示区的连接方式能够减小驱动电路与驱动芯片连接的连接线的弯曲程度，减小线路断裂风险，提高显示模组的良率。
又一个方面，根据本发明实施例提供一种显示装置，包括两个以上上述的显示模组，相邻两个显示模组相互拼接，相互拼接的两个显示模组中，其中一个显示模组的柔性衬底在显示面板的厚度方向上覆盖另一个显示模组的驱动芯片并与驱动芯片连接。
显示面板的缓冲区与显示区的连接方式能够减小驱动电路与驱动芯片连接的连接线的弯曲程度，减小线路断裂风险，提高显示模组的良率。
根据本发明实施例的又一个方面，还包括粘接层，相互拼接的两个显示模组中，其中一个显示模组的柔性衬底与另一个显示模组的驱动芯片通过粘接层连接。柔性衬底与驱动芯片通过粘接层连接的方式，既能够保证驱动芯片与柔性衬底之间的连接强度需求，同时能够利于显示模组的拼接。
根据本发明实施例的又一个方面，相互拼接的两个显示模组中，其中一个显示模组的封装层在显示面板的厚度方向覆盖另一个显示模组的缓冲区。能够保证显示模组之间的无缝对接，同时，能够使得相互拼接的两个显示模组中的一者的缓冲区延伸入另一者的衬底远离封装层的一侧，避免干涉，降低拼接难度，提高拼接效率。
再一个方面，根据本发明实施例提供一种显示面板的成型方法，包括：
提供基板，基板具有沿第一方向相继设置的第一区域以及第二区域；
在基板上形成柔性衬底层，柔性衬底层包括覆盖第一区域设置的显示区以及覆盖第二区域设置的缓冲区；
在显示区成型驱动电路；
向驱动电路上设置两个以上的发光元件，发光元件与驱动电路电连接；
在驱动电路上形成黑矩阵，相邻发光元件通过黑矩阵分隔；
在黑矩阵背离基板的一侧设置封装层，封装层至少覆盖显示区；
剥离基板，并使得缓冲区的一端与显示区连接，缓冲区的另一端向远离显示区的一侧延伸。
本发明实施例提供的显示面板的成型方法，通过引入封装层封装设计，去除成型最初时的基板，利用柔性衬底形成显示区以及缓冲区，能够确保金属走线在小弯折程度的条件下，形成满足无缝拼接需求的显示面板，避免成型的显示面板金属走线短路，提高所成型的显示面板的良率。
根据本发明实施例的再一个方面，在黑矩阵背离基板的一侧设置封装层，封装层至少覆盖显示区的步骤之前，显示面板的成型方法还包括：
提供封板，封板包括沿第一方向相继设置的第三区域以及第四区域；
在第四区域成型辅助矩阵，辅助矩阵的厚度与黑矩阵的厚度相同，封装层包括封板以及辅助矩阵；
在黑矩阵背离基板的一侧设置封装层，封装层至少覆盖显示区的步骤中，封装层通过第三区域覆盖第一区域设置。
通过成型辅助矩阵，能够保证成型的显示面板在拼接使用时，能够保证对拼接需求以及对相互拼接的显示面板的缓冲区的覆盖需求，避免拼接干涉。
本发明提供了一种显示面板、显示模组、显示装置及成型方法，根据本发明实施例提供的显示面板，包括柔性衬底、驱动电路、发光元件以及封装层，由于柔性衬底包括显示区以及缓冲区，并且缓冲区的一端与显示区连接，缓冲区的另一端向远离显示区的一侧延伸，可以通过设置于显示区上的发光元件实现显示需求，封装层的设置能够避免柔性衬底的显示区形变且能够对发光元件进行防护。同时，可以将用于与驱动电路电连接并用于驱动发光元件的驱动芯片设置于缓冲区，由于缓冲区与显示区采用上述连接方式，能够减小驱动电路与驱动芯片连接的连接线的弯曲程度，减小线路断裂风险，并且可以使得显示面板在拼接时，相互拼接的两个显示面板一者的封装层覆盖另一者的缓冲区，满足无缝对接需求。
附图说明
下面将参考附图来描述本发明示例性实施例的特征、优点和技术效果。
图1是本发明一个实施例的显示面板的轴测图；
图2是本发明一个实施例的显示面板的正视图；
图3是本发明一个实施例的显示面板的俯视图；
图4是本发明一个实施例的显示面板的侧视图；
图5是本发明一个实施例的显示模组的结构示意图；
图6是本发明一个实施例的显示装置的结构示意图；
图7是本发明一个实施例的显示装置的正视图；
图8是本发明另一个实施例的显示装置的结构示意图；
图9是本发明一个实施例的显示面板的成型方法的流程示意图；
图10至图17是本发明一个实施例的显示面板的成型方法各步骤对应的结构示意图。
其中：
1000-显示模组；
100-显示面板；
10-柔性衬底；11-显示区；12-缓冲区；121-过渡段；122-延伸段；
20-驱动电路；
30-发光元件；
40-封装层；
50-黑矩阵；
60-辅助矩阵；
200-驱动芯片；
1-安装板；2-基板；2a-第一区域；2b-第二区域；3-封板；3a-第三区域；3b-第四区域；
X-第一方向；Y-厚度方向。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
Micro LED显示屏为纯固态显示、寿命长、亮度高、与柔性基底兼容等优点，成为未来显示领域的发展趋势。受限于制程能力，大尺寸Micro LED显示屏需要通过若干小尺寸显示面板拼接实现，如何实现显示面板100之间无缝拼接，呈显完美显示品质，成为大尺寸Micro LED显示屏主要瓶颈之一。
目前大尺寸的Micro LED拼接主要技术方向有玻璃侧边走线、玻璃打孔与柔性弯折至玻璃衬底之后，实现无缝拼接或者窄缝拼接。但是，发明人经过长期研究发现，上述方案存在技术难度大、工艺/设备不成熟、金属走线容易断路等问题。
如图1至图4所示，基于上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板100，包括柔性衬底10、驱动电路20、发光元件30以及封装层40，柔性衬底10包括沿第一方向X相继设置的显示区11以及缓冲区12，缓冲区12的一端与显示区11连接，缓冲区12的另一端向远离显示区11的一侧延伸。驱动电路20设置于显示区11。发光元件30设置于驱动电路20背离柔性衬底10的一侧并与驱动电路20连接。封装层40设置于发光元件30背离柔性衬底10的一侧，封装层40至少覆盖显示区11设置。
本发明实施例提供的显示面板100，由于柔性衬底10包括显示区11以及缓冲区12，并且缓冲区12的一端与显示区11连接，缓冲区12的另一端向远离显示区11的一侧延伸，可以通过设置于显示区11上的发光元件30实现显示需求，封装层40的设置能够避免柔性衬底10的显示区11形变且能够对发光元件30进行防护。同时，还可以将用于与驱动电路20电连接并用于驱动发光元件30的驱动芯片200设置于缓冲区12，由于缓冲区12与显示区11采用上述连接方式，能够减小驱动电路20与驱动芯片200连接的连接线的弯曲程度，减小线路断裂风险，并且可以使得显示面板100在拼接时，相互拼接的两个显示面板100一者的封装层40覆盖另一者的缓冲区12，满足无缝对接需求。
可选地，本发明实施例提供的显示面板100，柔性衬底10为柔性的绝缘性材料制备形成的可弯曲的衬底基板，具有可伸展或可弯曲等特性，其材料可以是聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)，可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，简称PET)，也可以是聚碳酸酯(Polycarbonate，简称PC)，还可以是其他柔性材料，在此不做限制。
驱动电路20可以包括薄膜晶体管层，具有多个薄膜晶体管，可以是单栅极结构薄膜晶体管，也可以是双栅极结构薄膜晶体管，在此不做限定。
一些可选地实施例中，发光元件30可以是微发光二极管或者迷你发光二极管，为了更好的理解本发明实施例提供的显示面板100，以发光元件30为微发光二极管(Micro-LED)为例进行举例说明。
在一些可选地实施例中，发光元件30可以包括绿光Micro-LED、红光Micro-LED和蓝光Micro-LED。绿光Micro-LED用于发出绿光、红光Micro-LED用于发出红光、蓝光Micro-LED用于发出蓝光。Micro-LED可以包括基板层、以及在基板层上依次层叠设置的本征层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层、绝缘层、电流扩散层、保护层、以及N型和P型电极层。
Micro-LED可以通过巨量转移制程设置在柔性衬底10的驱动电路20上，绑定在显示区11内，与柔性衬底10上的驱动电路20对应。巨量转移制程可以通过真空吸附、静电吸附或磁吸附等手段将Micro-LED吸附而转移到柔性衬底10上并与驱动电路20电连接。Micro-LED可以通过粘结层和键合层与柔性衬底10上的驱动电路20连接。
可选地，本发明实施例提供的显示面板100，还包括黑矩阵50，黑矩阵50覆盖显示区11设置并包覆各发光元件30，以防止发出不同光线的发光元件30之间相互串扰。
作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的显示面板100，其封装层40覆盖柔性衬底10的显示区11、驱动电路20以及各发光元件30设置，既能够对发光元件30进行防护。同时能够对柔性衬底10的显示区11进行定型，避免因柔性衬底10形变导致发光元件30的位置变化，保证显示面板100的显示效果。
可选地，封装层40可以包括第一无机封装层、第二无机封装层以及位于第一无机封装层和第二无机封装层之间的有机封装层，其中第一无机封装层和第二无机封装层的材料包括氮化硅或氮氧化硅等，其主要用于阻隔显示面板100外部的水和氧气，以效防止显示面板100外的水或氧气进入到显示面板100内。有机封装层40的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等中的一种或多种，其位于第一无机封装层和第二无机封装层之间有助于改善封装层40的柔性。
作为一种可选地实施方式，本发明上述各实施例提供的显示面板100，其缓冲区12包括过渡段121以及延伸段122，过渡段121呈弧状且连接于显示区11和延伸段122之间，延伸段122沿第一方向X向远离显示区11的一侧延伸。本发明实施例提供的显示面板100，通过上述设置，能够使得柔性衬底10由显示区11至缓冲区12平缓过渡，减小柔性衬底10的弯曲程度，避免金属走线断路，提高显示面板100的良率。并且通过上述设置，能够通过延伸段122安装驱动芯片200，保证驱动芯片200与驱动电路20的电连接需求，进而满足对发光元件30的驱动需求，并且利于实现大尺寸显示的无缝拼接。
在一些可选地实施例中，本发明实施例提供的显示面板100，延伸段122在柔性衬底10的厚度方向Y靠近发光元件30所在侧的表面为平面，其中，第一方向X与厚度方向Y相交。通过使得延伸段122在柔性衬底10的厚度方向Y上靠近发光元件30所在侧的表面为平面，利于显示面板在用于显示模组时，对驱动芯片200的安装。
一些可选地实施例中，过渡段121在厚度方向Y上向远离驱动电路20的一侧凸出，通过上述设置，利于显示面板100之间的拼接。
一些可选地实施例中，第一方向X与厚度方向Y相垂直。通过上述设置，能够保证显示面板100的显示区11以及缓冲区12的平整性，保证显示效果，同时能够保证多个显示面板100在拼接时的平整性能。
作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的显示面板100，显示区11以及缓冲区12为一体式结构。通过上述设置，能够保证显示区11与缓冲区12之间的连接强度，同时能够简化显示面板100的成型工艺，使得显示区11以及缓冲区12可以通过一平整的柔性板的一侧折弯形成。
在一些可选地实施例中，本发明上述各实施例提供的显示面板100，封装层40在第一方向X上远离缓冲区12的一侧凸出于柔性衬底10设置，通过上述设置，使得显示面板100在用于显示模组并且相邻显示面板100在拼接时，相互拼接的两个显示面板100的一者封装层40的凸出部分覆盖另一者的缓冲区12，保证无缝拼接需求，同时，能够保证拼接后形成的显示装置的显示效果。
作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的显示面板100，其封装层40在第一方向X上凸出于柔性衬底10设置的部分具有辅助矩阵60利于显示面板100之间的拼接。
可选地，辅助矩阵60在柔性衬底10的厚度方向Y上的尺寸可以与黑矩阵50的尺寸一致，可选地，辅助矩阵60的材料与黑矩阵50的材料一致，利于辅助矩阵60的成型。
如图5所示，另一方面，本发明实施例还提供一种显示模组1000，包括上述的显示面板100以及驱动芯片200，驱动芯片200设置于缓冲区12在显示面板100的厚度方向上靠近驱动电路20的一侧，并与驱动电路20电连接。
本发明实施例提供的显示模组1000，通过驱动芯片200能够与驱动电路20电连接，进而通过控制驱动电路20实现对各发光元件30的控制，满足显示模组1000的显示需求。由于包括上述各实施例提供的显示面板100，能够将驱动芯片200设置于缓冲区12，使得多个显示模组1000在拼接形成大尺寸的显示装置时，相互拼接的两个显示模组1000中，其中一者的缓冲区12能够设置于另一个显示模组1000的柔性衬底10的显示区11背离封装层40的一侧，并使得驱动芯片200与另一个显示模组1000的柔性衬底10的显示区11连接，以实现大尺寸的显示装置的无缝拼接要求。同时由于采用的上述各实施例提供的显示面板100，缓冲区12与显示区11的连接方式能够减小驱动电路20与驱动芯片200连接的连接线的弯曲程度，减小线路断裂风险，提高显示模组1000的良率。
如图6以及图7所示，又一方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括两个以上上述的显示模组1000，相邻两个显示模组1000相互拼接，相互拼接的两个显示模组1000中，其中一者的柔性衬底10在显示面板100的厚度方向Y上覆盖另一者的驱动芯片200并与驱动芯片200连接。
本发明实施例提供的显示装置，包括上述各实施例提供的显示模组1000，使得显示模组1000在拼接时，相互拼接的两个显示模组1000中，其中一者的缓冲区12能够设置于另一个显示模组1000的柔性衬底10的显示区11背离封装层40的一侧，并使得驱动芯片200与另一个显示模组1000的柔性衬底10的显示区11连接，以实现大尺寸的显示装置的无缝拼接要求。并且，显示面板100的缓冲区12与显示区11的连接方式能够减小驱动电路20与驱动芯片200连接的连接线的弯曲程度，减小线路断裂风险，提高显示模组1000的良率。
作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的显示装置，其所包括的显示模组1000的数量不做具体限定，可以为两个、三个甚至更多个，具体可以根据显示装置所需的尺寸、单个显示模组1000的尺寸等参数进行设置。
在一些可选地实施例中，本发明实施例提供的显示装置，还包括粘接层，相互拼接的两个显示模组1000中，其中一者的柔性衬底10与另一者的驱动芯片200通过粘接层连接。本发明实施例提供的显示模组1000，通过使得相互拼接的两个显示模组1000中，其中一个显示模组1000的驱动芯片200与另一个显示模组1000的柔性衬底10粘接连接，能够保证驱动芯片200与柔性衬底10之间的连接强度要求，且工艺易于实现，进而满足无缝拼接需求。
作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的显示装置，相互拼接的两个显示模组1000中，其中一者的封装层40在显示面板100的厚度方向Y覆盖另一者的缓冲区12。本发明实施例提供的显示装置，通过上述设置，能够保证显示模组1000之间的无缝对接，同时，能够使得相互拼接的两个显示模组1000中的一者的缓冲区12延伸入另一者的衬底10远离封装层40的一侧，避免干涉，降低拼接难度，提高拼接效率。
如图8所示，作为一种可选的实施方式，本发明实施例提供的显示装置还可以包括安装板1，安装板1具有容纳腔，可以将各显示模组1000分别设置于安装板1的容纳腔室中并相互拼接。
如图9至图17所示，再一方面，本发明实施例还提供一种显示面板100的成型方法，包括：
S100、提供基板2，基板2具有沿第一方向X相继设置的第一区域2a以及第二区域2b；
S200、如图10所示，在基板2上形成柔性衬底10，柔性衬底10包括覆盖第一区域2a设置的显示区11以及覆盖第二区域2b设置的缓冲区12；
S300、如图11所示，在显示区11成型驱动电路20；
S400、如图12所示，在驱动电路20上设置两个以上的发光元件30，发光元件30与驱动电路20电连接；具体的发光元件30呈阵列分布。
S500、如图13所示，在驱动电路20上形成黑矩阵50，相邻发光元件30通过黑矩阵50分隔；
S600、如图14所示，在黑矩阵50背离基板2的一侧设置封装层40，封装层40至少覆盖显示区11设置；
S700、如图15所示，剥离基板2，并使得缓冲区12的一端与显示区11连接，缓冲区12的另一端向远离显示区11的一侧延伸。
本发明实施例提供的显示面板100的成型方法，通过引入封装层40封装设计，去除成型最初时的基板2，利用柔性衬底10形成显示区11以及缓冲区12，能够确保金属走线在小弯折程度的条件下，形成满足无缝拼接需求的显示面板100，避免成型的显示面板100金属走线短路，提高所成型的显示面板100的良率。
在步骤S100中，提供的基板2可以是具有一定硬度的板体，一些可选地实施例中，基板2可以采用玻璃基板2。
在步骤S200中，可以采用粘接等方式在基板2上成型柔性衬底10。
在步骤S300中，可以在柔性衬底10的显示区11制备薄膜晶体管等，以形成驱动电路20。
在步骤S400中，可以采用批量转移的方式将两个以上微发光二极管或者迷你发光二极管转移至驱动电路20所在区并与驱动电路20之间电连接。
在步骤S500中，可以在显示区11成型矩阵膜层，然后对矩阵膜层进行曝光处理，形成黑矩阵50。其中步骤S400以及步骤S500不限先后顺序。
在步骤S600中，可以采用成型无机层、有机层以及无机层的方式成型封装层40。
在步骤S700中，对基板2进行剥离时，可以采用激光剥离的方式，分离显示面板100的柔性衬底10和基板2，去除基板2。同时，可以利用重力作用、手动调整或者外界弯折设备干涉的方式使得缓冲区12的一端与显示区11连接，缓冲区12的另一端向远离显示区11的一侧延伸。
作为一种可选地实施方式，黑矩阵50背离基板2的一侧设置封装层40，封装层40覆盖显示区11设置的步骤之前，显示面板100的成型方法还包括：
提供封板3，封板3包括沿第一方向X相继设置的第三区域3a以及第四区域3b；
如图16所示，在第四区域3b成型辅助矩阵60，辅助矩阵60的厚度与黑矩阵50的厚度相同，封装层40包括封板3以及辅助矩阵60；
如图17所示，在黑矩阵50背离基板2的一侧设置封装层40，封装层40覆盖显示区11设置的步骤中，封装层40通过第三区域3a覆盖第一区域2a设置。
通过成型辅助矩阵60，能够保证成型的显示面板100在拼接使用时，能够保证对拼接需求以及对相互拼接的显示面板100的缓冲区12的覆盖需求，避免拼接干涉。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
柔性衬底，包括沿第一方向相继设置的显示区以及缓冲区，所述缓冲区的一端与所述显示区连接，所述缓冲区的另一端向远离所述显示区的一侧延伸；
驱动电路，设置于所述显示区；
发光元件，设置于所述驱动电路背离所述柔性衬底的一侧并与所述驱动电路连接；
封装层，设置于所述发光元件背离所述柔性衬底的一侧，所述封装层至少覆盖所述显示区，所述封装层在所述第一方向上远离所述缓冲区的一侧凸出于所述柔性衬底设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示区以及缓冲区为一体式结构，所述缓冲区包括过渡段以及延伸段，所述过渡段呈弧状且连接于所述显示区和所述延伸段之间，所述延伸段沿所述第一方向向远离所述显示区的一侧延伸。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述延伸段在所述柔性衬底的厚度方向靠近所述发光元件一侧的表面为平面，其中，所述第一方向与所述厚度方向相交。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一方向与所述厚度方向相垂直。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在所述厚度方向，所述过渡段向远离所述驱动电路的一侧凸出。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件为微发光二极管或者迷你发光二极管。
7.一种显示模组，其特征在于，包括：
如权利要求1至6任意一项所述的显示面板；
驱动芯片，设置于所述缓冲区在所述显示面板的厚度方向上靠近所述驱动电路的一侧，所述驱动芯片与所述驱动电路电连接。
8.一种显示装置，其特征在于，包括两个以上如权利要求7所述的显示模组，相邻两个所述显示模组相互拼接，相互拼接的两个所述显示模组中，其中一个所述显示模组的所述柔性衬底在所述显示面板的厚度方向上覆盖另一个所述显示模组的驱动芯片并与所述驱动芯片连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，还包括粘接层，相互拼接的两个所述显示模组中，其中一个所述显示模组的所述柔性衬底与另一个所述显示模组的所述驱动芯片通过所述粘接层连接。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，相互拼接的两个所述显示模组中，其中一个所述显示模组的所述封装层在所述显示面板的厚度方向覆盖另一个所述显示模组的所述缓冲区。
11.一种显示面板的成型方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板具有沿第一方向相继设置的第一区域以及第二区域；
在基板上形成柔性衬底层，所述柔性衬底层包括覆盖所述第一区域设置的显示区以及覆盖所述第二区域设置的缓冲区；
在所述显示区成型驱动电路；
在所述驱动电路上设置两个以上的发光元件，所述发光元件与所述驱动电路电连接；
在所述驱动电路上形成黑矩阵，相邻所述发光元件通过所述黑矩阵分隔；
在所述黑矩阵背离所述基板的一侧设置封装层，所述封装层至少覆盖所述显示区；
剥离所述基板，并使得所述缓冲区的一端与所述显示区连接，所述缓冲区的另一端向远离所述显示区的一侧延伸；
其中，所述在所述黑矩阵背离所述基板的一侧设置封装层，所述封装层至少覆盖所述显示区的步骤之前，所述显示面板的成型方法还包括：
提供封板，所述封板包括沿第一方向相继设置的第三区域以及第四区域；
在所述第四区域成型辅助矩阵，所述辅助矩阵的厚度与所述黑矩阵的厚度相同，所述封装层包括所述封板以及所述辅助矩阵；
所述在所述黑矩阵背离所述基板的一侧设置封装层，所述封装层至少覆盖所述显示区的步骤中，所述封装层通过所述第三区域覆盖所述第一区域设置，所述第四区域在所述第一方向上远离所述第二区域的一侧凸出于所述第一区域设置。
CN202110693588.3A 2021-06-22 2021-06-22 显示面板、显示模组、显示装置及成型方法 Active CN113421878B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110693588.3A CN113421878B (zh) 2021-06-22 2021-06-22 显示面板、显示模组、显示装置及成型方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110693588.3A CN113421878B (zh) 2021-06-22 2021-06-22 显示面板、显示模组、显示装置及成型方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113421878A CN113421878A (zh) 2021-09-21
CN113421878B true CN113421878B (zh) 2023-07-25

Family

ID=77717428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110693588.3A Active CN113421878B (zh) 2021-06-22 2021-06-22 显示面板、显示模组、显示装置及成型方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113421878B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115132091B (zh) * 2022-07-20 2023-05-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 拼接模组以及电子装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107742480A (zh) * 2017-10-30 2018-02-27 武汉华星光电技术有限公司 拼接显示装置
CN110223607A (zh) * 2018-11-23 2019-09-10 友达光电股份有限公司 拼接单元及拼接面板
CN111627342A (zh) * 2020-06-18 2020-09-04 上海天马微电子有限公司 发光面板、拼接式面板组件、背光模组及显示装置
CN111696973A (zh) * 2019-03-14 2020-09-22 群创光电股份有限公司 电子设备和电子装置
WO2020192561A1 (zh) * 2019-03-27 2020-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
TW202038465A (zh) * 2019-04-12 2020-10-16 友達光電股份有限公司 拼接式顯示器
CN112382212A (zh) * 2020-12-03 2021-02-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法和显示屏

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106783920B (zh) * 2016-12-21 2019-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 基于柔性oled的显示面板、无缝拼接显示装置及其制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107742480A (zh) * 2017-10-30 2018-02-27 武汉华星光电技术有限公司 拼接显示装置
CN110223607A (zh) * 2018-11-23 2019-09-10 友达光电股份有限公司 拼接单元及拼接面板
CN111696973A (zh) * 2019-03-14 2020-09-22 群创光电股份有限公司 电子设备和电子装置
WO2020192561A1 (zh) * 2019-03-27 2020-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
TW202038465A (zh) * 2019-04-12 2020-10-16 友達光電股份有限公司 拼接式顯示器
CN111627342A (zh) * 2020-06-18 2020-09-04 上海天马微电子有限公司 发光面板、拼接式面板组件、背光模组及显示装置
CN112382212A (zh) * 2020-12-03 2021-02-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法和显示屏

Also Published As

Publication number Publication date
CN113421878A (zh) 2021-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10797040B2 (en) Method of manufacturing display module using LED
US11424227B2 (en) Display panel, display module, and display device
CN110379314A (zh) 一种无缝拼接屏
EP3422827B1 (en) Display device and method for fabricating the same
CN110190084B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
KR100515774B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기
TW201944592A (zh) 拼接用顯示面板及其製造方法
KR102495537B1 (ko) 발광 표시 장치
US20210327861A1 (en) Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof
EP2562830B1 (en) Light emitting device package
WO2020004845A1 (ko) 마이크로 엘이디 칩들을 이용하는 플렉시블 조명 장치 및 디스플레이 패널
CN111524927A (zh) 驱动基板及其制备方法和显示装置
CN113421878B (zh) 显示面板、显示模组、显示装置及成型方法
US20210366881A1 (en) Array substrate, method of manufacturing the same, and display device
US7838898B2 (en) Light emitting diode module and display device having the same
CN103366647B (zh) 一种led显示单元模组
WO2021107278A1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN114551492A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
WO2020242175A1 (ko) 캔틸레버 전극을 갖는 발광 소자, 그것을 갖는 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
CN112291923A (zh) 电路板、灯板、背光模组及显示装置
TWI801756B (zh) 發光模組與由發光模組拼接而成的發光裝置
TWI822041B (zh) 電子裝置
TWI771248B (zh) 顯示面板
CN113937122B (zh) Led显示面板及制备方法、电子设备
CN101813239B (zh) 可挠式光源装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Display panel, display module, display device, and forming method

Granted publication date: 20230725

Pledgee: Chengdu Rural Commercial Bank Co.,Ltd. high tech sub branch

Pledgor: Chengdu CHENXIAN photoelectric Co.,Ltd.

Registration number: Y2024510000062