CN113937122B - Led显示面板及制备方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种LED显示面板及制备方法、电子设备，该LED显示面板制备方法中，摒弃了先分别制备驱动电路层与倒装LED芯片，再向驱动电路层转移倒装LED芯片的做法，基板上排布设置倒装LED芯片形成LED芯片层后直接在在LED芯片层上形成驱动电路层。将驱动电路层的制备过程、绑定倒装LED芯片与驱动电路层的过程结合在一起，省略了将倒装LED芯片转移并绑定到驱动电路层的过程，简化了LED显示面板的制备流程，有利于提升LED显示面板的生产效率。省略焊接绑定倒装LED芯片的过程，也能够避免驱动电路层因高温影响而变形的问题，进一步维护了LED显示面板的品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种LED显示面板及制备方法、电子设备。
背景技术
制备LED显示面板时，对于在生长基板上制备完成的LED芯片，在经过转移、扩晶等一系列流程后会被转移到驱动背板上，并通过高温熔融凸点金属(Bump)或凸点下金属(Under bump metal，UBM)实现与驱动背板的绑定。这样的LED显示面板制备流程复杂，尤其是高温熔融Bump来对LED芯片的电极进行焊接的过程中，容易出现LED芯片偏移、旋转、倾斜等现象，从而导致LED显示面板品质不佳的问题。
因此，如何简化LED显示面板制备流程，提升LED显示面板的品质是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种LED显示面板及制备方法、电子设备，旨在解决相关技术中LED显示面板制备流程复杂，LED显示面板品质差的问题。
一种LED显示面板制备方法，包括：
将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至基板上形成LED芯片层，LED芯片层中包括红、绿、蓝三种颜色的倒装LED芯片；
在LED芯片层上生长出与倒装LED芯片的电极电连接的驱动电路层。
上述LED显示面板制备方法，摒弃了先分别制备驱动电路层与倒装LED芯片，再向驱动电路层转移倒装LED芯片的做法，并不预先制备驱动基板，而是先在基板上按照电极背向基板的方式排布设置好倒装LED芯片，形成LED芯片层，然后才在LED芯片层上生长出与各倒装LED芯片的电极电连接的驱动电路层。这样将驱动电路层的制备过程、绑定倒装LED芯片与驱动电路层的过程结合在一起，省略了将倒装LED芯片转移并绑定到驱动电路层的过程，简化了LED显示面板的制备流程，有利于提升LED显示面板的生产效率。同时，因为是直接在LED芯片层上生长出驱动电路层，因此，不需要通过高温熔融Bump的方式来对倒装LED芯片进行焊接，避免了倒装LED芯片绑定过程中对位不准确等问题，有利于提升LED显示面板生产的良品率。而且，省略焊接绑定倒装LED芯片的过程，也能够避免驱动电路层因高温影响而变形的问题，进一步维护了LED显示面板的品质。
可选地，基板为透明基板，透明基板的一面设有粘附层，将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至基板上形成LED芯片层之前，还包括：
在生长基板上制备倒装LED芯片，倒装LED芯片的电极背向生长基板；
所述将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至所述基板上形成LED芯片层包括：
将生长基板上的倒装LED芯片选择性地转移至透明基板设有粘附层的一面，且倒装LED芯片的电极在生长基板上的朝向与在透明基板上的朝向一致。
上述LED显示面板制备方法中，制备驱动电路层以前，先将倒装LED芯片转移、并排布到带有粘附层的透明基板上，这样不仅完成了倒装LED芯片的选择性转移，而且在LED显示面板制备完成后，可以直接采用透明基板作为LED显示面板制备中对LED芯片层进行保护的保护层，更进一步简化了LED显示面板的制备流程。
可选地，在LED芯片层上生长出与倒装LED芯片的电极电连接的驱动电路层的方式包括以下两种中的任意一种：
在LED芯片层上生长出与倒装LED芯片的电极电连接的TFT驱动电路层；
在LED芯片层上生长出与倒装LED芯片的电极电连接的MOS管驱动电路层。
可选地，在LED芯片层上生长出与倒装LED芯片的电极电连接的TFT驱动电路层包括：
在LED芯片层上设置第一平坦层，并在第一平坦层的远出光面侧形成电极连接线，第一平坦层贴合覆盖LED芯片层，远出光面侧为远离倒装LED芯片的出光面的一侧，电极连接线包括分别与倒装LED芯片的P电极、N电极电连接的P极连接线、N极连接线；
在第一平坦层上形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极，N极走线与N极连接线连接；
在第一平坦层的远出光面侧设置栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖P极走线、N极走线与栅极；
在栅极绝缘层的远出光面侧形成彼此间隔的源极与漏极，漏极与P极连接线连接，源极与P极走线连接；
设置连接源极与漏极的有源层。
可选地，在第一平坦层的远出光面侧形成电极连接线包括：
对第一平坦层与倒装LED芯片的电极对应的位置进行曝光、显影形成连接线设置凹槽，倒装LED芯片的电极外露于连接线设置凹槽的槽底；
在连接线设置凹槽处形成第一金属层，第一金属层的一部分位于连接线设置凹槽内，另一部分覆盖在第一平坦层的远出光面侧上；
对第一金属层进行图形化处理形成倒装LED芯片的电极连接线。
可选地，在第一平坦层上形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极包括：
在第一平坦层的远出光面侧形成第二金属层；
对第二金属层进行图形化处理形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极。
可选地，在栅极绝缘层的远出光面侧形成彼此间隔的源极与漏极包括：
对栅极绝缘层用于设置源极与漏极的区域进行曝光、显影形成源极设置凹槽与漏极设置凹槽，P极连接线外露于漏极设置凹槽的槽底，P极走线外露于源极设置凹槽的槽底；
在源极设置凹槽处以及漏极设置凹槽处形成第三金属层，第三金属层的一部分位于源极设置凹槽内，一部分位于漏极设置凹槽内，另一部分覆盖在栅极绝缘层上；
对第三金属层进行图形化处理形成相互隔离的源极与漏极，源极与漏极均存在部分位于栅极绝缘层的远出光面侧。
可选地，设置连接源极与漏极的有源层之后，还包括：
在栅极绝缘层的远出光面侧设置第二平坦层，第二平坦层覆盖栅极绝缘层、有源层、源极及漏极。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种LED显示面板，该LED显示面板采用上述任一项中的LED显示面板制备方法制得。
上述LED显示面板，在制备过程中摒弃了先分别制备驱动电路层与倒装LED芯片，再向驱动电路层转移倒装LED芯片的做法，先在基板上按照电极背向基板的方式排布设置好倒装LED芯片，形成LED芯片层，然后才在LED芯片层上形成与各倒装LED芯片的电极电连接的驱动电路层。这样将驱动电路层的制备过程、绑定倒装LED芯片与驱动电路层的过程结合在一起，省略了将倒装LED芯片转移并绑定到驱动电路层的过程，简化了LED显示面板的制备流程，有利于提升LED显示面板的生产效率。同时，因为是直接在LED芯片层上形成驱动电路层，因此，不需要通过高温熔融Bump的方式来对倒装LED芯片进行焊接，避免了倒装LED芯片绑定过程中对位不准确等问题，提升了提升LED显示面板生产的良品率。而且，省略焊接绑定倒装LED芯片的过程，也能够避免驱动电路层因高温影响而变形的问题，增强了LED显示面板的品质。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种电子设备，其特征在于，包括上述LED显示面板。
上述电子设备中因为采用了前述LED显示面板，因此基本不存在倒装LED芯片与驱动电路层对位不准确等问题，也避免了生产过程中驱动电路层因高温影响而变形的问题，保障了电子设备的品质。
附图说明
图1为本发明一种可选实施例中提供的LED显示面板制备方法的一种流程图；
图2为本发明一种可选实施例中示出的基板上LED芯片层中一个基本显示单元的一种结构示意图：
图3为本发明一种可选实施例中提供的从生长基板上转移倒装LED芯片的一种流程图；
图4为图3中各转移阶段的状态变化示意图；
图5为本发明一种可选实施例中提供的在LED芯片层上形成TFT驱动背板的一种流程图；
图6为本发明一种可选实施例中提供的在LED芯片层上形成TFT驱动背板各阶段的状态变化示意图；
图7为本发明一种可选实施例中提供的在第一平坦层上形成电极连接线的一种流程图；
图8为本发明一种可选实施例中提供的在栅极绝缘层上形成源极与漏极的一种流程图；
图9为本发明另一种可选实施例中提供的LED显示面板的一种局部结构示意图。
附图标记说明：
20-LED芯片层；211-第一倒装LED芯片；212-第二倒装LED芯片；213-第三倒装LED芯片；22-遮光结构；400-倒装LED芯片；40-生长基板；41-临时基板；42-透明基板；61-LED芯片层；62-第一平坦层；631-P极连接线；632-N极连接线；641-P极走线；642-N极走线；643-栅极；65-栅极绝缘层；661-漏极；662-源极；67-有源层；68-第二平坦层；69-基底层；9-LED显示面板；91-LED芯片层；92-第一平坦层；931-P极连接线；932-N极连接线；941-P极走线；942-N极走线；943-栅极；95-栅极绝缘层；961-漏极；962-源极；97-有源层；98-第二平坦层；99-基底层。
请注意：附图说明中提及的图号应与下面的说明书内容提及的图号及说明书附图中的附图图号保持一致，附图说明中图的数量也应与说明书附图中图的数量一致。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
相关技术中在制备LED显示面板时，因为需要先分别制备出LED芯片与驱动背板，然后将LED芯片经过扩晶等处理后转移至驱动背板进行绑定，以使LED芯片形成与驱动背板的电连接。这样的LED显示面板制备方法，不仅因为工艺复杂而导致生产效率低，而且因为绑定过程实际上就是通过高温熔融金属凸点从而将LED芯片的电极与驱动背板焊接到一起的过程，而焊接过程中LED芯片容易出现偏移、旋转、倾斜的现象，从而导致LED芯片与驱动基板对位不准确，影响LED显示面板品质的问题。另外，焊接过程中产生的高温也容易导致驱动背板受热形变，进一步影响了LED显示面板的质量。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
一种可选实施例：
本实施例提供一种LED显示面板制备方法，请参见图1示出的该LED显示面板制备方法的流程图：
S102：将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至基板上形成LED芯片层。
可以理解的是，制备一个LED显示面板，需要用到多颗LED芯片，在本实施例中，制备LED显示面板的LED芯片为倒装LED芯片。制备LED显示面板时，先将各倒装LED芯片按照需求转移至基板上，形成LED芯片层。因为制备LED显示面板时，需要实现LED芯片层中各倒装LED芯片与驱动背板中驱动电路层的电连接，因此，为了便于操作，应当将倒装LED芯片的电极背向基板设置，可以理解的是，基板作为放置倒装LED芯片的平台，其位于倒装LED芯片下方，那么倒装LED芯片的电极实际上应该朝上设置。
而且，本实施例中制备的LED显示面板能够进行彩色显示，为了让LED显示面板具有彩色显示功能，LED芯片层中至少包括红、绿、蓝三种颜色的倒装LED芯片。在一些示例当中，LED显示面板的一个像素点仅能够发出红、绿、蓝三色的光，则需要红、绿、蓝三种颜色的倒装LED芯片共同组成该像素点对应的基本显示单元。不过，在一些示例当中，像素点中的光除了红、绿、蓝以外，也还可以包括黄色，甚至还可能进一步包括青色，在这种情况下，LED芯片层基本显示单元中包括更多发光颜色不同的更多倒装LED芯片。
可选地，LED芯片层中还可以主要由一种颜色的LED芯片以及量子点层组成，该颜色的LED芯片发出的光激发量子点层中的量子点材料以发出红、绿、蓝三种颜色。例如，LED芯片层上设置的是蓝光LED芯片，部分蓝光LED芯片发出的光分别射入红色量子点层、绿色量子点层以分别发出红光和绿光，而另一部分蓝光LED芯片上则不配置量子点层，直接让蓝光透过。
为了避免各不同颜色的倒装LED芯片所发出的光相互影响，影响显示效果，通常情况下，还会在各倒装LED芯片设置遮光结构，请参见图2示出的基板上所形成的LED芯片层中一个基本显示单元的一种结构示意图：
LED芯片层20中包括多颗倒装LED芯片，例如图2中一个基本显示单元内三颗倒装LED芯片，分别是第一倒装LED芯片211、第二倒装LED芯片212以及第三倒装LED芯片213，这三颗倒装LED芯片分别发红、绿、蓝三种颜色的光，至于具体哪个倒装LED芯片发哪种颜色的光，可以灵活设置，这里不做限制。另外，LED芯片层20中还包括设置在相邻倒装LED芯片外延层之间的遮光结构22。
可以理解的是，遮光结构22应该是非透明的，这样才能阻止倒装LED芯片发出的光影响相邻倒装LED芯片，在本实施例的一些示例当中，遮光结构22可以通过黑色遮光胶制得。
可以理解的是，倒装LED芯片是在生长基板上制备完成的，倒装LED芯片在生成基板上时，彼此的间隙比较小，而且，通常同一生长基板上仅会生长用于发同种颜色光的倒装LED芯片，因此，制备LED显示面板的倒装LED芯片在制备完成后需经过转移，并在转移过程中完成扩晶后才能被转移至制备LED显示面板的基板上。在本实施例的一些示例当中，制备LED显示面板过程中用于放置倒装LED芯片的基板为透明基板，生长基板上的倒装LED芯片可以按照图3所示的流程被转移到透明基板上：
S302：采用带有粘附层的临时基板粘附生长基板上的倒装LED芯片。
请结合图4中示出的状态图(a)，倒装LED芯片400在生长基板40上的朝向与其在透明基板上的朝向相同，都是电极朝向。带有粘附层的临时基板41从倒装LED芯片电极所在的一侧接近倒装LED芯片，粘附层朝向倒装LED芯片，这样，粘附层就能够粘接在倒装LED芯片上。
S304：分离倒装LED芯片与生长基板。
请结合图4中示出的状态图(b)，可以通过LLO(激光剥离)等方式将各个倒装LED芯片的外延层与生长基板40剥离，从而使得倒装LED芯片仅粘附在临时基板上。
S306：采用带有粘附层的透明基板粘附倒装LED芯片。
请结合图4中示出的状态图(c)，透明基板42的一个表面上设置有粘附层，该带有粘附层的透明基板42从倒装LED芯片外延层所在的一侧接近倒装LED芯片，粘附层朝向倒装LED芯片，这样，倒装LED芯片就会粘附在透明基板42上。不过，需要说明的是，透明基板42从临时基板上转移倒装LED芯片的过程，是有选择的转移过程，该过程能够保证透明基板42上各倒装LED芯片的间距以及颜色排布满足制备LED显示面板的需求。
S308：分离倒装LED芯片与临时基板。
请结合图4中示出的状态图(d)，可以通过加热或光照的方式将各个倒装LED芯片与临时基板剥离，从而使得倒装LED芯片仅粘附在透明基板上。
通过两次转移，可以保证倒装LED芯片电极在生长基板上的朝向与在透明基板上的朝向一致。
可以理解的是，透明基板位于LED芯片层的出光面上，其能够对LED芯片层进行保护。这样，在LED显示面板制备完成后，只要不剥离透明基板与LED芯片层，就不用再设置专门的保护层来保护LED显示面板，这进一步简化了LED显示面板的制备流程，有利于提升LED显示面板的生产效率。
S104：在LED芯片层上生长出与倒装LED芯片的电极电连接的驱动电路层。
形成LED芯片层后，可以在LED芯片层上生长制备驱动电路层，制备驱动电路层的同时建立LED芯片层中电极与驱动电路层的电连接。
本实施例的一些示例当中，在LED芯片层上形成的驱动电路层可以是MOS管驱动电路层，例如硅基MOS管驱动电路层。
在本实施例的另外一些示例当中，LED芯片层上形成的驱动电路层是TFT驱动电路层。下面以形成TFT驱动电路层为例对形成驱动电路层的流程进行介绍，请参见图5示出的流程图以及图6示出的制备TFT驱动电路层中各阶段的状态变化示意图：
S502：在LED芯片层上设置第一平坦层，并在第一平坦层的远出光面侧形成电极连接线。
请结合图6中的状态图(a)与(b)，由于LED芯片层61的上表面包括倒装LED芯片的电极，因此，LED芯片层61上表面整体并不齐平。本实施例中可以在LED芯片层61的上表面设置第一平坦层62。第一平坦层62的材质包括但不限于PI(聚酰亚胺薄膜，Polyimide)或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，polymethyl methacrylate)中的至少一种。
第一平坦层62刚形成的时候其远出光面侧是齐平的，也即远出光面层上的所有点均处于同一平面上。所谓“远出光面侧”就是指远离LED芯片层61出光面的一侧。但形成第一平坦层62后，还需要形成电极连接线，电极连接线就是与倒装LED芯片电极连接的连接线，包括与倒装LED芯片P电极连接的P极连接线631，以及与倒装LED芯片N电极连接的N极连接线632。第一平坦层62贴合覆盖LED芯片层61，通常会包裹住各倒装LED芯片的电极，所以，为了形成分别与倒装LED芯片的P电极、N电极电连接的P极连接线631、N极连接线632，则需要在第一平坦层62对应倒装LED芯片的位置进行开口，请进一步结合图7示出的在第一平坦层的远出光面侧形成电极连接线流程图：
S702：对第一平坦层与倒装LED芯片的电极对应的位置进行曝光、显影形成连接线设置凹槽。
通过第一平坦层进行曝光、显影，需要在第一平坦层对应倒装LED芯片的电极的位置形成凹槽，该凹槽就是连接线设置凹槽，连接线设置凹槽的深度需要保证倒装LED芯片对应的电极外露于槽底。
毫无疑义的是，一个倒装LED芯片的两个电极不能连通，所以，在设置连接线设置凹槽时，需要分别设置，也即针对P电极设置一个连接线设置凹槽，针对N电极设置另外一个连接线设置凹槽。
S704：在连接线设置凹槽处形成第一金属层。
第一金属层的一部分位于连接线设置凹槽内，另一部分覆盖在第一平坦层的远出光面侧上。形成第一金属层的方式包括但不限于物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)、蒸镀(Evaporate，EV)。第一金属层的材质包括但不限于铜Cu、铝Al、钼Mo、钛Ti等金属几种中的至少一种。
S706：对第一金属层进行图形化处理形成倒装LED芯片的电极连接线。
形成第一金属层之后，对第一金属层进行图形化处理以形成倒装LED芯片的电极连接线。图形化处理包括光刻、刻蚀处理。
S504：在第一平坦层上形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极。
形成的N极走线需要与N极连接线连接，请结合图6中的状态图(c)。在第一平坦层上形成彼此间隔的P极走线641、N极走线642与栅极643时，也可以先在第一平坦层的远出光面侧形成第二金属层，然后对第二金属层进行光刻、刻蚀等图形化处理，从而形成彼此间隔的P极走线641、N极走线642与栅极643。形成第二金属层的方式同样包括可以为物理气相沉积与蒸镀等。
S506：在第一平坦层的远出光面侧设置栅极绝缘层。
请参见图6中的状态图(d)，栅极绝缘层65同时覆盖P极走线641、N极走线642与栅极643。栅极绝缘层65的材质包括但不限于SiNx或SiOx，形成栅极绝缘层65的时候，可以采用化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition，CVD)先形成SiNx层或SiOx层，然后进行光刻、刻蚀形成栅极绝缘层65。
应理解，x的值可以根据实际需求进行设置，在此，不作具体限定。
S508：在栅极绝缘层的远出光面侧形成彼此间隔的源极与漏极。
请结合图6中的状态图(e)，漏极661与P极连接线631连接，源极662与P极走线641连接。形成源极662与漏极661的方式可以是先通过PVD成膜，然后进行光刻、刻蚀。下面结合图8示出的流程图对形成源极与漏极的过程进行阐述：
S802：对栅极绝缘层用于设置源极与漏极的区域进行曝光、显影形成源极设置凹槽与漏极设置凹槽。
因为漏极661需要与P极连接线631连接，所以，漏极设置凹槽的位置应当与P极连接线631的位置对应，且其深度应当保证P极连接线631外露于槽底；而源极662需要与P极走线641连接，所以，源极设置凹槽的位置与P极走线641的位置对应，且其深度应当保证P极走线641外露于槽底。
S804：在源极设置凹槽处以及漏极设置凹槽处形成第三金属层。
第三金属层的一部分位于源极设置凹槽内，一部分位于漏极设置凹槽内，另一部分覆盖在栅极绝缘层65上。形成第三金属层的方式包括但不限于物理气相沉积、蒸镀。
S806：对第三金属层进行图形化处理形成相互隔离的源极与漏极。
继续结合图6中的状态图(e)，源极662与漏极661均存在部分位于栅极绝缘层65的远出光面侧。
S510：设置连接源极与漏极的有源层。
请结合图6中的状态图(f)，有源层67的材质可以是A-Si(无定形硅)、IGZO(indiumgallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)、LPTS(light protected turret system，低温多晶硅)等几种中的任意一种。
至此，TFT驱动电路层的功能结构就已经形成。不过，由于此时TFT驱动电路层远出光面侧不是齐平的，所以，在本实施例的一些示例当中，形成有源层之后，还会在栅极绝缘层的远出光面侧设置第二平坦层，如图6中的状态图(g)，第二平坦层68覆盖栅极绝缘层65、有源层67、源极662及漏极661。
在另外一些示例当中，形成第二平坦层之后，还会在第二平坦层之上设置驱动电路层的基底层(相当于背板)，如图6中的状态图(h)，基底层69覆盖在第二平坦层68上。
驱动电路层形成以后，LED显示面板也就同步制备完成，使得驱动电路层的制备过程、绑定倒装LED芯片与驱动电路层的过程结合在一起，省略了将倒装LED芯片转移并绑定到驱动电路层的过程，简化了LED显示面板的制备流程，显著有利了提升LED显示面板的生产效率。
而且本实施例中，通过设置电极连接线连接倒装LED芯片的电极以及TFT驱动电路层中的电路，从而使得不需要通过焊接的方式绑定倒装LED芯片与驱动电路层，所以避免了驱动背板因高温影响而变形的问题，提升了LED显示面板的品质。
另一种可选实施例：
本实施例提供一种LED显示面板，该LED显示面板包括驱动电路层与LED芯片层，LED芯片层中包括多颗电极同驱动电路层电连接的倒装LED芯片，LED芯片层中包括红、绿、蓝三种颜色的倒装LED芯片；驱动电路层包括：
第一平坦层，第一平坦层贴合LED芯片层设置；
位于第一平坦层远出光面侧的电极连接线，远出光面侧为远离LED芯片的出光面的一侧，电极连接线包括分别与倒装LED芯片的P电极、N电极电连接的P极连接线、N极连接线；
位于第一平坦层远出光面侧且彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极，N极走线与N极连接线电连接；
覆盖第一平坦层远出光面侧的栅极绝缘层；
位于栅极绝缘层远出光面侧且彼此间隔的源极与漏极；漏极与P极连接线连接，源极与P极走线连接；
连接源极与漏极的有源层。
该LED显示面板可以基于图1中的制备流程制备得到，请结合图9示出的该LED显示面板的一种结构示意图：
LED显示面板9包括LED芯片层91设置在LED芯片层上方的驱动电路层。LED芯片层91中包括多颗电极同驱动电路层电连接的倒装LED芯片，LED芯片层中包括红、绿、蓝三种颜色的倒装LED芯片(图9中仅示出了一个倒装LED芯片与驱动电路层的连接)。
在本实施例的一些示例当中，驱动电路层为TFT驱动电路层，而在另外一些示例当中，驱动电路层也可以为MOS管驱动电路层。图9示出的驱动电路层为TFT驱动电路层，该TFT驱动电路层包括：
第一平坦层92、电极连接线(P极连接线931与N极连接线932)、P极走线941、N极走线942与栅极943。另外，TFT驱动电路层还包括栅极绝缘层95、漏极961、源极962、有源层97。
其中，第一平坦层92贴合LED芯片层91设置。
P极连接线931与N极连接线932均位于第一平坦层92的远出光面侧，P极连接线931与倒装LED芯片的P电极连接，N极连接线932与倒装LED芯片的N电极连接。
P极走线641、N极走线642与栅极643三者也设置在第一平坦层92的远出光面侧，这三者彼此隔离，但N极走线642与N极连接线632电连接。
栅极绝缘层95覆盖在第一平坦层92的远出光面侧，栅极绝缘层95的远出光面侧间隔设置有源极962与漏极961。其中，漏极961与P极连接线932连接，源极962与P极走线942连接。源极962与漏极961通过有源层97连接。
除此以外，在一些示例当中，TFT驱动电路层还包括第二平坦层98以及基底层99。第二平坦层98覆盖在栅极绝缘层95、有源层97、源极962及漏极961上。基底层99覆盖在第二平坦层98上，对TFT驱动电路层中的其他结构形成支持与保护。在一种示例当中，基底层99是PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)材质的。
另外，本实施例还提供一种电子设备，该电子设备中的LED显示面板可以是通过前述LED显示面板制备方法制备得到的，具体制备细节这里不再赘述。
本实施例中所谓的倒装LED芯片可以包括但不限于倒装结构的Micro-LED(微LED)、mini-LED(迷你LED)等。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种LED显示面板制备方法，其特征在于，包括：
将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至所述基板上形成LED芯片层，所述LED芯片层中包括红、绿、蓝三种颜色的倒装LED芯片；
在所述LED芯片层上生长出与所述倒装LED芯片的电极电连接的TFT驱动电路层，包括：
在所述LED芯片层上设置第一平坦层，并在所述第一平坦层的远出光面侧形成电极连接线，所述第一平坦层贴合覆盖所述LED芯片层，所述远出光面侧为远离所述倒装LED芯片的出光面的一侧，所述电极连接线包括分别与所述倒装LED芯片的P电极、N电极电连接的P极连接线、N极连接线；
在所述第一平坦层上形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极，所述N极走线与所述N极连接线连接；
在所述第一平坦层的远出光面侧设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述P极走线、N极走线与栅极；
在所述栅极绝缘层的远出光面侧形成彼此间隔的源极与漏极，所述漏极与所述P极连接线连接，所述源极与所述P极走线连接；
设置连接所述源极与漏极的有源层。
2.如权利要求1所述的LED显示面板制备方法，其特征在于，所述基板为透明基板，所述透明基板的一面设有粘附层，所述将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至所述基板上形成LED芯片层之前，还包括：
在生长基板上制备倒装LED芯片，所述倒装LED芯片的电极背向所述生长基板；
所述将多颗倒装LED芯片以电极背向基板的方式转移至所述基板上形成LED芯片层包括：
将所述生长基板上的倒装LED芯片选择性地转移至所述透明基板设有粘附层的一面，且所述倒装LED芯片的电极在所述生长基板上的朝向与在所述透明基板上的朝向一致。
3.如权利要求1或2所述的LED显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述第一平坦层的远出光面侧形成电极连接线包括：
对所述第一平坦层与所述倒装LED芯片的电极对应的位置进行曝光、显影形成连接线设置凹槽，所述倒装LED芯片的电极外露于所述连接线设置凹槽的槽底；
在所述连接线设置凹槽处形成第一金属层，所述第一金属层的一部分位于所述连接线设置凹槽内，另一部分覆盖在所述第一平坦层的远出光面侧上；
对所述第一金属层进行图形化处理形成所述倒装LED芯片的电极连接线。
4.如权利要求1或2所述的LED显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述第一平坦层上形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极包括：
在所述第一平坦层的远出光面侧形成第二金属层；
对所述第二金属层进行图形化处理形成彼此间隔的P极走线、N极走线与栅极。
5.如权利要求1或2所述的LED显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层的远出光面侧形成彼此间隔的源极与漏极包括：
对所述栅极绝缘层用于设置源极与漏极的区域进行曝光、显影形成源极设置凹槽与漏极设置凹槽，所述P极连接线外露于所述漏极设置凹槽的槽底，所述P极走线外露于所述源极设置凹槽的槽底；
在所述源极设置凹槽处以及所述漏极设置凹槽处形成第三金属层，所述第三金属层的一部分位于所述源极设置凹槽内，一部分位于所述漏极设置凹槽内，另一部分覆盖在所述栅极绝缘层上；
对所述第三金属层进行图形化处理形成相互隔离的源极与漏极，所述源极与所述漏极均存在部分位于所述栅极绝缘层的远出光面侧。
6.如权利要求1或2所述的LED显示面板制备方法，其特征在于，所述设置连接所述源极与漏极的有源层之后，还包括：
在所述栅极绝缘层的远出光面侧设置第二平坦层，所述第二平坦层覆盖所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源极及所述漏极。
7.一种LED显示面板，其特征在于，所述LED显示面板采用如权利要求1-6任一项所述的LED显示面板制备方法制得。
8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求7所述的LED显示面板。
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201442559A (zh) * | 2013-04-19 | 2014-11-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體顯示器及其製造方法 |
| CN109786421A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置、显示背板及制作方法 |
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